CN107104065B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)排气时，测定每个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)的独立排气管(50A～50D)的排气压力与共用排气通路(60)的排气压力，比较各测定值与对应的容许压力范围。因此，能够可靠地检测出独立排气管(50A～50D)中的附着物的堵塞等的异常。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及在基板处理中对基板的气氛进行排气的技术。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的蚀刻工序中，进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)的表面涂敷抗蚀剂等的各涂敷液的涂敷处理。例如抗蚀剂涂敷装置使用以包围作为基板的保持部的旋转卡盘的周围的方式设置有杯体的杯体组件，对旋转卡盘上的晶片滴下抗蚀剂液等的涂敷液，使晶片旋转，从而在其整个面形成涂敷膜。这时，从晶片甩落的抗蚀剂液与杯体的壁面碰撞时，抗蚀剂液变成细小的颗粒(雾)，雾附着于晶片而造成污染。因此，在杯体连接有排气管，进行对晶片的周围的气氛的排气，抑制由雾造成的污染。并且，例如将分别与多个杯体连接的独立排气管连接到成为汇聚管的共用排气通路，通过工厂能力对共用排气通路进行排气，由此进行各杯体的排气。
但是，当杯体的排气流量减少时，雾没有被充分地排气而有可能附着在晶片。因此优选对与杯体连接的独立排气管的排气流量进行监视，在独立排气管设置流量计是比较困难的，在独立排气管设置压力测定部来测定排气压力，由此间接地监视排气流量。例如，当排气压力的测定值上升时，利用设置在独立排气管的排气调节风门减小排气通路的阻抗，使排气流量稳定。
但是，独立排气管的排气压力不仅因工厂能力的增减而变动，而且因雾附着于每个杯体组件的独立排气通路(杯内或者独立排气管)导致的堵塞等而发生变动。因此，当在杯体内发生了堵塞时，排气压力的测定值与工厂能力增加的情况同样地变高，而排气调节风门向减小排气通路的阻抗的方向作用，导致排气流量的不足，担心不能充分地实现防止基板的污染。
专利文献1中记载有，测定分别设置在多个加热装置的独立排气管的压力，并且在独立排气管汇合的主排气管设置压力计的构成，检测加热装置的排气系统的异常的技术。但是，关于区别加热装置中的排气的异常的要因的方法没有记载。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-260680号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明鉴于上述的情况而完成，其目的在于提供在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。
本发明的基板处理装置的特征在于，包括：多个基板处理部，其进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；分别设置在上述多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路；汇合各个上述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共用排气通路；设置在各个上述独立排气通路的、用于测定上述独立排气通路的排气压力的第一压力测定部；设置在上述共用排气通路的、用于测定该共用排气通路的排气压力的第二压力测定部；和基于上述第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和上述第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，检测独立排气通路中的异常的异常检测部。
本发明的基板处理方法，其特征在于，包括：由基板处理部进行产生包含附着成分的气氛的基板处理的步骤；由独立排气通路和共用排气通路对基板处理部的气氛进行排气的步骤，其中，上述独立排气通路分别设置在上述多个基板处理部，用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气，上述共用排气通路汇合各个上述独立排气通路，并且通过排气能力设备进行排气；由分别设置在上述独立排气通路的第一压力测定部测定上述独立排气通路的排气压力的步骤；由设置在所述共用排气通路的第二压力测定部测定在共用排气通路流通的排气的排气压力的步骤；和基于各个第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，检测独立排气通路中的异常的步骤。
本发明的存储介质，其存储有在基板处理装置中使用的计算机程序，上述基板处理装置包括：分别设置在多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路，其中，上述多个基板处理部进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；和汇合各个上述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共用排气通路特征在于：上述计算机程序以执行上述基板处理方法的方式组合有步骤组。
发明效果
本发明在通过利用排气能力设备排气的排气通路，对进行产生包含附着成分的气氛的基板处理的多个基板处理部排气时，测定每个基板处理部的独立排气通路的排气压力与共用排气通路的排气压力，并且比较各测定值与对应的容许压力范围。因此，能够可靠地检测出独立排气通路中的附着物的堵塞等的异常。此外，作为独立排气通路，是形成对基板处理部的气氛进行排气的流路的部位，例如在进行液处理的杯体组件的情况下，包括杯体内的流路和与该杯体连接的独立排气管。
附图说明
图1是表示抗蚀剂涂敷装置的构成的图。
图2是表示抗蚀剂涂敷单元的纵截面图。
图3是表示本发明的实施方式的设置在抗蚀剂涂敷装置的控制部的构成图。
图4是表示存储在存储部的异常模式的检测图案的说明图。
图5是表示处理液的喷出、排气调节风门的状态、第一压力测定部和第二压力测定部的压力测定值的时序图的说明图。
图6是表示本发明的实施方式的排气装置的作用的说明图。
图7是表示本发明的实施方式的排气装置的作用的说明图。
图8是表示处理液的喷出、排气调节风门的状态、第一压力测定部和第二压力测定部的压力测定值的时序图的说明图。
图9是表示本发明的实施方式的排气装置的作用的说明图。
图10是表示处理液的喷出、排气调节风门的状态、第一压力测定部和第二压力测定部的压力测定值的时序图的说明图。
图11是表示根据第一和第二压力测定部的压力测定值区别压力变动要因的说明图。
附图标记说明
5A～5D 第一压力测定部
6 第二压力测定部
9 控制部
10A～10D 抗蚀剂涂敷单元
11 旋转卡盘
20 杯体
28 排气管
50A～50D 独立排气管
52A～52D 排气调节风门
60 共用排气管
W 晶片。
具体实施方式
说明将本发明的实施方式的基板处理装置应用于具有抗蚀剂涂敷单元10A～10D的抗蚀剂涂敷装置的实施方式，其中，上述抗蚀剂涂敷单元10A～10D为通过旋转涂敷对晶片W涂敷作为涂敷液的抗蚀剂液的基板处理部。本实施方式的抗蚀剂涂敷装置，如图1所示，对多个抗蚀剂涂敷单元10A～10D的各个连接共用的排气部1而构成，这里，为了方便，构成为具有4台抗蚀剂涂敷单元10A～10D。各个抗蚀剂涂敷单元10A～10D分别形成为同样的构成，在此，以抗蚀剂涂敷单元10A为例进行说明。
如图2所示，抗蚀剂涂敷单元10A具有作为基板保持部的旋转卡盘11，该旋转卡盘11通过对晶片W的背面中央部真空吸附，来将该晶片W保持为水平。该旋转卡盘11从下方经由轴部12与旋转机构13连接，通过该旋转机构13绕铅垂轴旋转。
在旋转卡盘11的下方侧，以隔着间隙包围轴部12的方式设置有圆形板14。另外，在圆形板14的周向上形成3个贯通孔17，在各个贯通孔17中设置有升降销15。在这些升降销15的下方，设置共用的升降板18，升降销15构成为利用设置在升降板18的下方的升降机构16能够自由地升降。
另外，以包围旋转卡盘11的方式设置有杯体20。旋转卡盘11、轴部12以及旋转机构13和杯体20构成杯组件。杯体20以挡住从旋转的晶片W飞散、洒落的排液、并将该排液排除到抗蚀剂涂敷装置外的方式构成。杯体20在上述圆形板14的周围具有设置为截面形状为山型的环状的山型引导部21，以从山型引导部21的外周端向下方延伸的方式设置有环状的垂直壁23。山型引导部21将从晶片W洒落的液向晶片W的外侧下方引导。
另外，以包围山型引导部21的外侧的方式设置有垂直的筒状部22、和从该筒状部22的上缘向内侧上方倾斜地延伸的上侧引导部24。在上侧引导部24在周向上设置有多个开口部25。另外，以从上侧引导部24的基端侧周缘向上方延伸的方式设置有筒状部31，以从该筒状部31的上缘向内侧上方伸出的方式设置有倾斜壁32。另外，筒状部22的下方侧，在山型引导部21和垂直壁23的下方形成截面成为凹部型的环状的液接收部26。该液接收部26中，在外周侧连接有排液通路27。另外，在比液接收部26中的排液通路27靠内周侧，在从旋转卡盘11看呈相互对称的位置以从下方突入的形状设置有2个排气管28。
另外，如图2所示，抗蚀剂涂敷单元10A具有用于对晶片W供给抗蚀剂液的抗蚀剂液喷嘴41。抗蚀剂液喷嘴41经由抗蚀剂液供给管42与抗蚀剂液供给源43连接。
另外，抗蚀剂涂敷单元10A具有对晶片W供给用于稀释抗蚀剂液的稀释剂的稀释剂喷嘴44。稀释剂喷嘴44经由稀释剂供给管45与稀释剂供给源46连接。另外，抗蚀剂涂敷单元10A具有溶剂喷嘴47，其喷出用于除去形成在晶片W的周缘的抗蚀剂膜的溶剂。溶剂喷嘴47经由溶剂供给管48与溶剂供给源49连接。另外抗蚀剂涂敷单元10A具有背面侧冲洗喷嘴40，其向被保持在旋转卡盘11的晶片W的背面供给例如纯水等的冲洗液。背面侧冲洗喷嘴40与未图示的冲洗液供给部连接，以向晶片W的背面供给冲洗液的方式构成。
接着，关于与已述的抗蚀剂涂敷单元10A～10D连接的排气部1进行说明。如图1所示，排气部1包括例如分别与抗蚀剂涂敷单元10A～10D独立地连接的独立排气管50A～50D；和汇合从独立排气管50A～50D排出的排气的共用排气管60。
独立排气管50A～50D分别同样地构成，这里以与抗蚀剂涂敷单元10A连接的独立排气管50A为例进行说明。此外，在图1中的各独立排气管50A～50D中，对于与独立排气管50A中的各部对应的部分，使用与在独立排气管50A的说明中所使用的数字相同的数字，并且代替A而分别标注B、C、D来表示。
独立排气管50A在水平方向上延伸，构成为一端侧分支为2支的分支路51A。各分支路51A分别弯曲为圆弧状，在各分支路51A的端部，从上方侧分别连接抗蚀剂涂敷单元10A中的2个排气管28之中的对应的排气管28。
以抗蚀剂涂敷单元10A侧为上游侧时，在比独立排气管50A的分支路51A的分支位置靠下游侧设置有第一压力测定部5A，用于测定在独立排气管50A内流通的排气的压力。另外，在独立排气管50A的第一压力测定部5A的下游侧，设置有成为排气量调整部的排气调节风门52A。此外，杯体20中的从晶片W的周围流通到排气管28的流路、排气管28和独立排气管50A相当于独立排气通路。
排气调节风门52A具有引入独立排气管50A的外部的气氛的开口部53，例如通过调整设置在开口部53的盖部54相对开口部53的角度，来调整开口部53的开度，并且调整流入到独立排气管50A的外部气氛的流量。并且，从开口部53引入外部气氛时的压力损失比经由分支路51A从杯体20内引入排气时的压力损失小。因此，通过增大开口部53的开口度，增加从开口部53引入的外部气氛的流量，减少从杯体20内引入的排气的流量。另外，通过增大开口部53的开口度，减少独立排气管50A中的整体的压力损失，因此独立排气管50A中的排气的压力下降。
并且，为了按各排气调节风门52A～52D的每一个调整开口部53的开度而设置有控制器，其取得对应的第一压力测定部(5A～5D)的测定值，对各排气调节风门52A～52D的执行器输出控制信号。通过该控制器，第一压力测定部5A中的压力测定值，例如在比抗蚀剂处理工艺中的压力设定值高的情况下，或者比压力设定值低的情况下，调整排气调节风门52A的开度，将排气压力调整为一定。具体而言，在第一压力测定部5A中的压力测定值比压力设定值高时，提高排气调节风门52A的开口部53的开度。由此，从杯体20A流入到独立排气管50A中的排气减少，在独立排气管50A中流通的排气的压力损失变小，压力下降。另外，在第一压力测定部5A中的压力测定值低于压力设定值的情况下，降低排气调节风门52A的开口部53的开度。由此，增加从杯体20A流入独立排气管50A中的排气，在独立排气管50A中流通的排气的压力损失变大，压力上升。像这样，以从抗蚀剂涂敷单元10A的杯体20侧引入的排气的压力成为一定的方式进行调整，并且以从抗蚀剂涂敷单元10A侧引入的排气的流量成为一定的方式进行控制。
作为排气模式，在该例中，设定对基板进行规定的处理时的强排气模式和由比该强排气模式时的排气量少的排气量进行排气的弱排气模式。强排气模式设定在晶片W上的涂敷液由于晶片W的旋转而飞散到周围从而产生雾的时间段中，弱排气模式设定在除此以外的时间段(也包括晶片W没有被载置在旋转卡盘上的时间段)中。排气模式的切换通过从后述的控制部9对已述的控制器输出与各模式对应的压力设定值来进行。即，在设定了与强排气模式对应的压力设定值时，以排气调节风门52A～52D的开度变大的方式设定调节风门位置，当设定了与弱排气模式对应的压力设定值时，以使排气调节风门52A～52D的开度比上述开度小的方式设定调节风门位置。以下，将强排气模式称为“处理排气”，将弱排气模式称为“空闲排气”来进行说明。
并且，在各排气调节风门52A～52D设置有未图示的开闭传感器，其用于判断排气调节风门52A～52D的开口部53的开度为强排气模式(处理排气)的开度还是弱排气模式(空闲排气)的开度，对后述的控制部9发送其开度为处理排气时的开度、空闲排气时的开度中的哪一个的信息信号。
各独立排气管50A～50D在排气调节风门52A～52D的下游汇合到一个共用的共用排气管60，共用排气管60的下游与整个工厂的排气能力设备(以下称为“工厂能力”)连接。在共用排气管60设置有第二压力测定部6，其测定在共用排气管60中流通的排气的排气压力。此外，图1中的61为用于开闭公共排气管60的闸阀。
另外，基板处理装置具有控制部9。如图3所示，控制部9具有CPU91、程序92和存储器93。此外，图中90为母线。另外控制部9与第一压力测定部5A～5D、第二压力测定部6、各排气调节风门52A～52D连接。另外，在控制部9连接有报警器94和显示部95。
存储器93中存储有决定处理排气时的第一压力测定部5A～5D的压力测定值的第一容许压力范围的上限阈值和下限阈值、决定空闲排气时的第一压力测定部5A～5D的压力测定值的第一容许压力范围的上限阈值和下限阈值。并且，存储有决定第二压力测定部6中的压力测定值的第二压力容许范围上限阈值和下限阈值。此外，上限阈值和下限阈值例如可以设定为处理排气时和空闲排气时的压力设定值分别成为在处理排气时以及空闲排气时的、上限阈值与下限阈值的平均值。
另外，在存储部93中存储有：变更排气调节风门52A～52D的开口部53的开度，从空闲排气至切换为处理排气时独立排气管50A～50D内的排气压力稳定的时间Δtr；和从处理排气至切换为空闲排气时独立排气管50A～50D内的排气压力稳定时的时间Δtf。
当变更排气调节风门52A～52D的开度在空闲排气与处理排气之间进行切换时，在空闲排气中的压力与处理排气中的压力之间变化。因此，也包含了成为从空闲排气中的压力的上限阈值和下限阈值的范围的压力、处理排气中的压力的上限阈值和下限阈值的范围的压力的任意者偏离了的压力的时间。因此，在空闲排气与处理排气之间切换时为了不进行不必要的警报器94的报警等，在空闲排气与处理排气之间切换之后，设定有停止一定时间监视器的时间Δtr和时间Δtf。
程序92接收各排气调节风门52A～52D是在处理排气时的状态还是在空闲排气时的状态的信号，并且分别测定设置在各独立排气管50A～50D的第一压力测定部5A的压力测定值和第二压力测定部的压力测定值。然后，根据排气调节风门52A～52D是在处理排气时的状态还是在空闲排气时的状态，选择读取处理排气时的第一压力测定部5A～5D的压力测定值的上限阈值和下限阈值、与空闲排气时的第一压力测定部5A～5D的压力测定值的上限阈值和下限阈值。然后，监视第一压力测定部5A～5D的压力测定值，并与该上限阈值和该下限阈值进行比较。因此，控制部9相当于异常检测部。并且，在第一压力测定部5A～5D的压力测定值超过上限阈值的情况下或者低于下限阈值的情况下，警报器94鸣响，在显示部95中显示测定到偏离了阈值的值的第一压力测定部5A～5D是第一压力测定部5A～5D的哪一个的信息、和超过上限阈值的主旨或者低于下限阈值的主旨。
另外，在处理排气时与空闲排气时的各自中，根据第一压力测定部5A～5D的压力测定值是正常排气压、超过上限阈值的排气压和低于下限阈值的排气压的哪一个，与第二压力测定值6的压力测定值是正常排气压、超过上限阈值的排气压和低于下限阈值的排气压的哪一个的组合，在显示部95显示推定的异常模式(或者是正常模式)的主旨。在该情况下，例如在存储器93中存储有如图4所示的表，基于第一压力测定部5A～5D的压力测定值的倾向、与第二压力测定部6的压力测定值的倾向的组合，在显示部95显示对应的异常模式的推测要因。
另外，比较第二压力测定部6的压力测定值与上限阈值和下限阈值，在第二压力测定部6的压力测定值超过上限阈值的情况下或者低于下限阈值的情况下，使警报器94鸣响，在显示部95显示在第二压力测定部6中超过了上限阈值的主旨或者低于下限阈值的主旨。
接着，对本发明的试试方式的抗蚀剂涂敷装置的作用进行说明，首先关于第一压力测定部5A～5D和第二压力测定部6中的压力测定值的监视方法，按照正常的排气压力的一系列的抗蚀剂涂敷处理进行说明。这里，以使用抗蚀剂涂敷单元10A，进行抗蚀剂涂敷处理的例子进行说明。
图5是表示从上级在抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂涂敷处理，各种药液的喷出的开关、排气调节风门52A是在处理排气时的排气与空闲排气时的排气的哪一个排气状态、第一压力测定部5A的压力测定值和第二压力测定部6的压力测定值的时间变化的时序图。图5中的第一压力测定部5A的压力测定值的曲线图中，以实线表示的曲线图表示正常的排气压力的第一压力测定部5A的压力测定值。
抗蚀剂涂敷装置，在搬入晶片W前的时刻t0，打开排气调节风门52A，成为空闲排气时的状态。因此，在第一压力测定部5A中，压力测定值显示较低的值。另外，从设置在排气调节风门52A的开闭传感器向控制部9发送表示空闲排气的状态的开度的信号。由此，从存储器93读取与空闲排气中的第一压力测定部5A的压力设定值的第一容许压力范围对应的上限阈值P1H’和下限阈值P1L’，监视第一压力测定部5A中的压力测定值是否成为上限阈值P1H’和下限阈值P1L’之间的排气压力、即正常的排气压力。并且，读取第二压力测定部6的压力设定值的上限阈值P2H与下限阈值P2L，开始监视第二压力测定部6中的压力测定值是否成为上限阈值P2H与下限阈值P2L之间的压力即正常压力。
接下来，利用例如外部的搬送装置和升降销15的协同作用，将晶片W交接到抗蚀剂涂敷单元10A的旋转卡盘11。之后，例如在时刻t1减小排气调节风门52A的开度，增加来自杯体20侧的排气量，切换为处理排气。这时由于独立排气管50A中的压力损失上升，第一压力测定部5A中的压力测定值上升。另外，如上所述，在控制部9中，在从时刻t1起的时间Δtr期间，停止第一压力测定部5A的压力测定值的监视。
并且，排气调节风门52A切换为处理排气时，读取与处理排气对应的第一压力测定部5A的压力测定值的上限阈值P1H和下限阈值P1L。之后，在时刻t1+Δtr，开始在第一压力测定部5A中的排气压力的测定，监视压力测定值是否在第一容许范围内、即上限阈值P1H和下限阈值P1L的范围内。
接着，在压力稳定了的时刻t1+Δtr以后的时刻t2，使旋转卡盘11绕铅垂轴旋转的同时使稀释剂喷嘴44位于晶片W的中心部的上方。之后，在进行了处理排气时的排气的状态下，向晶片W供给稀释剂。由此，晶片W的表面成为润湿了的状态。然后在晶片W的表面扩散了的稀释剂通过离心力而甩落。
这里对从晶片W甩落了的稀释剂的排气进行说明。从晶片W甩落的稀释剂被杯体20挡住，沿着杯体20的内表面流入液接收部26。排气管28设置成从液接收部26的下方突出，因此流入到液接收部26的液体的稀释剂不流入排气管28，而是从排液通路27被排液。然后，晶片W的气氛以被除去了液体的稀释剂后的状态流入到排气管28。但是，将稀释剂供给到旋转的晶片W，当甩落了稀释剂时，稀释剂与杯体20碰撞，则稀释剂变成雾。雾漂浮在气氛中，与从排气管28排气的气氛一起被排气。
之后，停止稀释剂的供给，使稀释剂喷嘴44从晶片W的上方退避，接着使抗蚀剂液喷嘴41位于晶片W的中心部的上方。之后在继续进行处理排气的排气的状态下并且在维持晶片W的转速的状态下，开始抗蚀剂液的供给。由此，使抗蚀剂液在晶片W的表面扩散。另外，从晶片W甩落的抗蚀剂液与杯体20碰撞而成为雾，包含雾的气氛从排气管28被排气。
之后，停止抗蚀剂液的供给，使抗蚀剂液喷嘴41从晶片W的上方退避，并且在维持晶片W的转速的状态下使溶剂喷嘴47位于晶片W的周缘。接着在时刻t3，增大排气调节风门52A的开口部53的开度，切换为空闲排气时的排气。这时，外部的气氛经由排气调节风门52A的开口部53流入，因此独立排气管50A中的压力损失降低，第一压力测定部5A中的压力测定值降低。
另外，排气调节风门52A的开口部53的开度变大，从处理排气的排气切换为空闲排气的排气，因此在从时刻t3起的时间Δtf的期间，排气压力过渡，所以不进行排气压力的监视。然后切换排气调节风门52A的开口部53的开度，当切换为空闲排气的排气时，读取空闲排气时的第一压力测定部5A的压力测定值的上限阈值P1H’和下限阈值P1L’。在之后的时刻t3+Δtf，开始基于第一压力测定部5A的排气压力的测定，监视压力测定值是否在空闲排气时的第一压力测定部5A的压力测定值的上限阈值P1H’和下限阈值P1L’的范围内。
接着，在排气压力稳定了的时刻t3+Δtf以后的时刻t4，在维持晶片W的转速的情况下，从溶剂喷嘴47向晶片W的周缘供给溶剂。另外，从背面侧冲洗喷嘴40向晶片W的背面供给例如纯水等的冲洗液。通过从溶剂喷嘴47向晶片W的周缘供给溶剂，溶解晶片W的周缘部的抗蚀剂膜而将其除去，通过从背面侧冲洗喷嘴40供给冲洗液来清洗晶片W的背面。因为溶剂和冲洗液在被冲晶片W甩落而与杯体20碰撞时不会变成附着性的雾，因此从排液通路27被排液。之后，晶片W被交接给外部的搬送装置而被搬出。
像这样，监视第一压力测定部5A中的压力测定值在从时刻t0到时刻t1的期间、以及在时刻t3+Δtf以后，是否为空闲排气时的从上限阈值P1H’至下限阈值P1L’之间的压力，在从时刻t1+Δtr值t3期间，是否为空闲排气时的从上限阈值P1H至下限阈值P1L之间的排气压力。
另外，第二压力测定部6的压力测定值，无论是空闲排气时还是处理排气时，在涂敷处理期间，与上述同样地是否为从上限阈值P2H至下限阈值P2L之间的排气压力。
接着，关于在上述的抗蚀剂涂敷处理中，第一压力测定部5A的测定值发生变化的例子进行说明。例如在实施方式所示的抗蚀剂涂敷装置中，例如有时发生抗蚀剂液的雾附着而堵塞独立排气管50A的情况。
这里，对在进行抗蚀剂液的供给之后，例如独立排气管50A的一个分支路51A的入口部分发生了堵塞的例子进行说明。图5中的第一压力测定部5A的压力测定值的曲线图中的虚线的曲线，表示独立排气管50A发生了堵塞的例子中的第一压力测定部5A的压力测定值的变化图案。
在进行了抗蚀剂液的涂敷之后，如果在独立排气管50A的一个分支路51A发生了堵塞，则如图6所示独立排气管50A的压力损失上升，因此独立排气管50A内的排气压力上升，因此，如图5所示，例如在时刻ta，在第一压力测定部5A中，所测定的压力测定值超过处理时的上限阈值P1H。由此，在控制部9中，由于压力测定值超过上限阈值P1H，报警器94报警，并且在显示部95中显示在该第一压力测定部5A超过了上限阈值P1H的主旨。
另一方面，在共用排气管60中，在一个独立排气管50A中发生堵塞压力损失上升时，增加其它的正常地进行排气的独立排气管50B～50D中的排气流量，由此补偿与压力损失的上升相应量的排气流量。因此，在共用排气管60中，作为整体，压力损失没有上升，在第二压力测定部6中的压力测定值也在第二容许压力范围内(P2L～P2H)。
另外，在其它的正常地进行排气的独立排气管50B～50D中，排气流量变多，通过多个独立排气管50B～50D，补偿一个独立排气管50A的压力损失，因此，在其它的独立排气管50B～50D的各自中，排气流量和排气压力不发生大的变化。
因此，在显示部95中显示第二压力测定部6的压力测定值为正常的主旨。另外，由于第一压力测定部5A的测定结果为“上限阈值P1H以上”，第二压力测定部6的测定结果为“正常”，控制部9根据图4所示的表判断为“独立排气通路的堵塞”并显示该要因。另外，显示设置在其它的独立排气管50B～50D中的第一压力测定部5A的测定值为正常的主旨。
之后继续进行处理时，在时刻t3以后，由于第一压力测定部5A的测定结果是“上限阈值P1H’以上”，第二压力测定部6的测定结果是“正常”，所以控制部9判断为“独立排气管50A”的堵塞。像这样在独立排气管50A中的压力损失上升的情况下，无论处理排气时的排气和空闲排气时的排气，第一压力测定部5A中的压力测定值表示为“上限阈值以上”，第二压力测定部6中的压力测定值表示为正常。另外，其它的第一压力测定部5B～5C的压力测定值表示为正常。
另外，例如在独立排气管50A～50D中发生漏泄，或者排气调节风门52A～52D发生堵塞、从开口部53发生排气泄露(漏泄)的情况下，例如，如图7中示意性地表示，该独立排气管50A中的压力损失减少，且排气压力降低。因此在图8中例如在时刻ta，如果发生这样的情况，如虚线所示，第一压力测定部5A的压力测定值在处理排气时比下限阈值P1L低，在空闲排气时也比下限阈值P1L’低。此外，实线表示正常时的压力测定值。
即使在一个独立排气管50A的压力损失减少的情况下，通过其他的进行正常排气的独立排气管50B～50D补偿排气流量。因此关于共用排气管60中的排气压力和排气流量，不发生变化，第二压力测定部6的测定值收敛在上限阈值P2H与下限阈值P2L之间。另外，设置在其它正常的独立排气管50B～50D的第一压力测定部5B～5D的压力测定值也收敛在容许压力范围中。因此，在该情况下，第一压力测定部5A的测定结果为“比容许压力范围低”，第二压力测定部6的测定结果为“正常”，判断为发生漏泄，例如各压力测定结果表示“发生漏泄”以及发生了漏泄的独立排气通路(杯组件)，并且警报器94报警。
接着，对工厂能力发生了变动的情况进行叙述。不论在处理排气时还是空闲排气时，工厂能力的排气压力发生了变动的情况下，如图9所示，例如工厂能力的排气压力上升了的情况下，共用排气管60的排气压力上升。并且，工厂能力的排气压力的上升程度较大的情况下(比容许范围大的情况)，第二压力测定部6的测定结果为“超过上限阈值P2H”。此外，由于共用排气管60中的排气压力上升，在处理排气时，各独立排气管50A～50D中的排气压力分别上升，超过上限阈值P1H。另一方面，在空闲排气时，在各独立排气管50A～50D中，从开放了的排气调节风门52A～52D流入的气体的流量的变化量变大，因此压力的变化量变小，例如收敛在容许压力范围中。
在图10中，在时刻ta工厂能力大幅增加了的情况下，由虚线表示压力测定值。在工厂能力大幅增加了的情况下，仅能够以第二压力测定部6的测定结果为“超过上限阈值P2H”这一信息进行判断，例如显示各压力测定结果和“工厂能力增加”，并且警报器报警。
另外，在工厂能力的排气压力大幅减少的情况下，由于第二压力测定部6的测定值低于下限阈值P2L，所以仅以该信息能够检测该现象，例如显示各压力测定结果和“工厂能力减少”，并且警报器报警。
图11中，横轴表示第一压力测定部5A～5D中的压力测定值，横轴表示第二压力测定部6的压力测定值。图11中的A表示处理排气时的第一压力测定值的第一容许压力范围和第二压力测定值的第二容许压力范围，图11中的B表示空闲排气时的第一压力测定值的第一容许压力范围和第二压力测定值的第二容许压力范围。
以这样的特性图表示时，在独立排气管50A～50D中发生了堵塞的情况下，发生了堵塞的独立排气管50A～50D的第一压力测定部5A～5D的测定值上升，第二压力测定部中的压力测定值几乎不上升。因此在处理排气时，第一压力测定部5A～5D的压力测定值和第二压力测定部6的压力测定值位于图6的(1)的区域内。另外，在空闲排气时，第一压力测定部5A～5D的压力测定值和第二压力测定部6的压力测定值位于图6的(5)的区域内。另外，独立排气管50A～50D中的漏泄的发生，或者排气调节风门52A～52D中发生堵塞、并且从开口部53发生了排气漏泄的情况下，在处理排气中，第一压力测定部5A～5D的测定值和第二压力测定部6的测定值位于图11中的(4)的区域内。另外，在空闲排气时，第一压力测定部5A～5D的测定值和第二压力测定部6的测定值位于图11中的(8)的区域内。
另外，在处理排气时，工厂能力的排气压力发生了变动的情况下，例如工厂能力的排气压力上升了的情况系下，全部的第一压力测定部5A～5D中的压力测定值和第二压力测定部6的压力测定值分别上升。因此在处理排气时，第一压力测定部5A～5D的测定值和第二压力测定部6的测定值位于图11中的(2)的区域内。另外，空闲时，成为图11中的(6)的区域表示的值。并且，在工厂能力的排气压力下降的情况下，位于图11中的(3)的区域内，而空闲排气时，位于图11中的(7)的区域内。
依据上述的实施方式，测定与抗蚀剂涂敷单元10A～10D分别连的独立排气管50A～50D的排气压力，并且各个独立排气管50A～5D汇合，测定通过排气能力设备排气的共用排气管60的排气压力，比较各测定值与对应的容许压力范围。因此，能够可靠地检测出包括独立排气管50A～50D的各独立排气通路中的附着物的堵塞等的异常。
另外，因为能够可靠地检测出独立排气通路的堵塞，所以根据排气压力调整了杯体20的排气量时，不会发生流量变得过少。另外，也能够进行独立排气通路中的漏泄的检测，也能够一并检测出工厂排气的增加、减少。
另外，也可以是进行抗蚀剂的涂敷、显影处理中的基板的加热处理的加热装置。在该情况下，例如有可能发生作为附着物质产生了升华物，并附着在排气管的情况，能够可靠地检测独立排气管50A～50D的排气压力的异常。
在上述的实施方式中，在显示部95中显示“独立排气通路的堵塞”等的不良状况的要因，但也可以不进行要因的显示，而显示第一压力测定部5A～5D和第二压力测定部6的测定结果(容许范围内，偏离到容许范围的上侧或者下侧的信息)。在该情况下，操作者能够掌握不良情况的发生及其要因。另外，排气调节风门52A～52D为处理排气的开度还是空闲排气的开度的信息，例如可以根据用于实施抗蚀剂涂敷处理的一系列的步骤的处理方案进行判断。
【实施例】
为了调查利用本发明，根据独立排气管50A～50D的堵塞发生了时的第一压力测定部5A～5D的压力测定值的变化与第二压力测定部6中的压力测定值的变化能不能区别，进行了以下的实验。
使用实施方式所示的抗蚀剂涂敷装置，将与4个抗蚀剂涂敷单元10A～10D连接的共计8个排气管28之中的0个～8个密封，求取各个第一压力测定部5A～5D和第二压力测定部6的压力测定值。
另外，将抗蚀剂涂敷单元10A中的2个排气管28分别表示为排气管a、b，将抗蚀剂涂敷单元10B中的2个排气管28分别表示为c、b，将抗蚀剂涂敷单元10C中的2个排气管28分别表示为排气管e、f，将抗蚀剂涂敷单元10D中的2个排气管28分别表示为排气管g、h，求取将表1中表示的排气管28分别密封进行了排气时的、各第一压力测定部5A和第二压力测定部6中的压力测定值。另外，降低独立排气管50A的排气调节风门52A的开度，设定为处理排气时的排气流量，在其它的独立排气管50B～50C中，在排气调节风门52B～52D中，增大开度设定为空闲排气的排气流量进行试验。
表1中表示该结果，并且表示将表1所示的排气管28分别密封了时的、各第一压力测定部5A～5D和第二压力测定部6中的压力测定值。此外，表1中的F表示超过第一压力测定部5A～5D中的最大测定值，不能测定。另外，标注了一个*的数据表示密封了2个排气管28中的一个的独立排气管50A～50D中的压力测定值，标注了两个*的数据表示密封了2个排气管28的两者的独立排气管50A～50D中的压力测定值。此外，关于超过了第一压力测定部5A～5D中的最大测定值的情况不标注*。
表1
Figure BDA0001227864260000161
Figure BDA0001227864260000171
如表1中的仅将排气管h密封了的例子中的第一压力测定部5D的压力测定值、将排气管f～h密封了的例子中的第一压力测定部5C的压力测定值、和将排气管d～h密封了的例子中的第一压力测定部5B的压力测定值所示那样，排气管28中的一个密封时，与该排气管28连接的独立排气管50B～50D的压力测定值急剧上升，但其它的独立排气管50A～50D中的第一压力测定部5A～5C和第二压力测定部6的压力测定值，与密封了的独立排气管50B～50D的排气压力比较，可知几乎没有变化。
另外，密封了排气管g、h例子中的第一压力测定部5D的压力测定值、密封了排气管e～h的例子中的第一压力测定部5C的压力测定值、和密封了排气管c～h的例子中的第一压力测定部5B的压力测定值所示，当2个排气管28的两者被密封时，设置在连接了该排气管28的独立排气管50A～50D的第一压力测定部5A～5D中的压力测定值急剧上升。
因此，在排气管28堵塞的情况下，与该排气管28连接的独立排气管50A～50D中的第一压力测定部5A～5D的压力测定值上升，但第二压力测定部6的测定值可以说几乎不发生变化。这里认为是由于没有发生堵塞的独立排气管50A～50D的排气压力上升，所以在共用排气管60中的压力损失几乎没有发生。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
多个基板处理部，其进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；
分别设置在所述多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路；
汇合各个所述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共用排气通路；
设置在各个所述独立排气通路的、用于测定所述独立排气通路的排气压力的第一压力测定部；
设置在所述共用排气通路的、用于测定该共用排气通路的排气压力的第二压力测定部；
异常检测部，其基于所述第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和所述第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，来检测独立排气通路中的异常；和
排气量调整部，其设置在所述独立排气通路中的、比第一压力测定部的测定位置靠共用排气通路一侧，在对基板进行规定的处理时的强排气模式与以比该强排气模式时的排气量少的排气量进行排气的弱排气模式之间进行切换，
所述第一容许压力范围是分别与所述强排气模式和弱排气模式对应地设定的。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述异常检测部构成为，当所述第一压力测定部的测定值比第一容许压力范围的上限高且所述第二压力测定部的测定值落在第二容许压力范围内时，判断为设置有该第一压力测定部的独立排气通路发生了堵塞。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述异常检测部构成为，当所述第一压力测定部的测定值比第一容许压力范围的下限低且所述第二压力测定部的测定值落在第二容许压力范围内时，判断为设置有该第一压力测定部的独立排气通路发生了泄漏。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述异常检测部构成为，当所述第二压力测定部的测定值比第二容许压力范围的上限高时，判断为排气能力设备的能力增加，并且所述第二压力测定部的测定值比第二容许压力范围的下限低时，判断为排气能力设备的能力减少。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板处理部包括：将基板保持为水平的基板保持部；使基板保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；和包围保持于基板保持部的基板的周围，经由所述独立排气通路对内部的气氛排气的杯体，
所述基板处理为在对基板供给了涂敷液的状态下使基板旋转的涂敷处理。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
所述涂敷液为用于在基板形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述排气量调整部为调节风门，
依照所述调节风门的状态，能够选择与所述强排气模式对应的第一容许压力范围和与所述弱排气模式对应的第一容许压力范围的一者。
8.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
由基板处理部进行产生包含附着成分的气氛的基板处理的步骤；
由独立排气通路和共用排气通路对基板处理部的气氛进行排气的步骤，其中，所述独立排气通路分别设置在多个 所述基板处理部，用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气，所述共用排气通路汇合各个所述独立排气通路，并且通过排气能力设备进行排气；
由分别设置在所述独立排气通路的第一压力测定部测定所述独立排气通路的排气压力的步骤；
由设置在所述共用排气通路的第二压力测定部测定在共用排气通路流通的排气的排气压力的步骤；和
基于各个第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，检测独立排气通路中的异常的步骤，
用设置在所述独立排气通路中的、比第一压力测定部的测定位置靠共用排气通路一侧排气量调整部，在对基板进行规定的处理时的强排气模式与以比该强排气模式时的排气量少的排气量进行排气的弱排气模式之间进行切换，
所述第一容许压力范围是分别与所述强排气模式和弱排气模式对应地设定的。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于：
所述基板处理为在对基板供给了用于形成涂敷膜的涂敷液的状态下使基板绕铅垂轴旋转的涂敷处理。
10.一种存储介质，其存储有在基板处理装置中使用的计算机程序，所述基板处理装置包括：分别设置在多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路，其中，所述多个基板处理部进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；和汇合各个所述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共通排气通路， 特征在于：
所述计算机程序以执行权利要求8或9所述的基板处理方法的方式组合有步骤组。
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