JP2019029472A - 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019029472A
JP2019029472A JP2017146461A JP2017146461A JP2019029472A JP 2019029472 A JP2019029472 A JP 2019029472A JP 2017146461 A JP2017146461 A JP 2017146461A JP 2017146461 A JP2017146461 A JP 2017146461A JP 2019029472 A JP2019029472 A JP 2019029472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deterioration
substrate processing
processing apparatus
early
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017146461A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7040871B2 (ja
Inventor
橋詰　彰夫
Akio Hashizume
彰夫 橋詰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017146461A priority Critical patent/JP7040871B2/ja
Priority to PCT/JP2018/018814 priority patent/WO2019021586A1/ja
Priority to CN201880043423.8A priority patent/CN110809814B/zh
Priority to KR1020197038603A priority patent/KR102377316B1/ko
Priority to TW107120773A priority patent/TWI696499B/zh
Publication of JP2019029472A publication Critical patent/JP2019029472A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7040871B2 publication Critical patent/JP7040871B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B08B3/042—Cleaning travelling work the loose articles or bulk material travelling gradually through a drum or other container, e.g. by helix or gravity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/06—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

【課題】処理液を用いる基板処理装置の樹脂コーティング部品の検査において、早期に部品の劣化を検出し、部品に重大な異常が生じる前に対応することが可能となる検査手段を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、該基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する検査手段と、前記樹脂コーティングが、前記部品において検査されるべき樹脂コーティングと比較して劣化しやすく施された早期劣化部と、を有しており、前記検査手段は、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知する、劣化検知手段を備え、該劣化検知手段による検知結果に基づいて、前記検査対象の部品の劣化の程度を判定する。
【選択図】図１

Description

本発明は基板を処理する基板処理装置に関する。より具体的には、部品の検査手段を備えた基板処理装置及び、基板処理装置の部品を検査する方法に関する。なお、本明細書でいう基板には、例えば、半導体ウェハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク基板、セラミック基板、太陽光電池用基板などが含まれる。
従来から、この種の装置として、処理液を処理槽に貯留し、基板を保持するリフターを用いて、基板を該処理槽に浸漬して基板の洗浄を行ういわゆるバッチ型の装置と、基板を水平に保持して回転させ、該回転する基板表面にノズルから処理液を吐出する、いわゆる枚葉型の装置が広く知られている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
これらの装置の構成部品には、基板処理に用いる薬液による耐蝕を目的として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）などの樹脂コーティングが施されている。例えば、バッチ式の装置であれば、薬液に浸漬されるリフターは石英からなる部品本体に、金属製の下地を設けた上で上記の樹脂コーティングが施されて、薬液による部品本体の劣化を防止している。また、枚葉型の装置においても、金属製の部品（例えば、スクラバ装置におけるチタンディスクなど）を原因とする基板の金属汚染の防止、パーティクル発生の防止などを目的として、金属製部品に上記樹脂コーティングが施されることもある。
上記の樹脂コーティングは長期間使用することにより、ピンホールなどの異常が発生し、これを原因として、樹脂の剥離によるパーティクルを生じたり、樹脂コーティングの下地部分の金属が溶出して金属汚染が生じたりするという問題がある。特に、バッチ式装置のリフターにおいて、基板を保持するクシバ部のコーティングが減耗して溝の幅が大きくなると、正しく基板を保持できなくなり、隣り合って保持されている基板同士が接触する要因となる。
このため、従来から定期的に実基板を用いた検査運転を行い、該検査運転により生じるパーティクルの量、金属濃度等を計測することによって部品の劣化度を測定し、異常（コーティング剥がれ）が発見された場合には、部品の交換、再コーティング処理、などの対策がなされている。
しかしながら、このような方法では、適時な部品異常の検知は困難であるため、実際に装置部品に異常が生じてから、検査で異常が検出されるまでの間は、異常のある状態で基板処理が行われてしまうという問題があった。また、コーティングの剥がれがひどくなっている場合には、部品に対して再コーティング処理を行うことができないため、装置の修繕コストが増加してしまう。さらに、検査のためだけに装置を運転する必要がある（装置稼働率の低下）といった問題も生じている。
特開２００２−９６０１２号公報 特開２００３−９２３４３号公報
本発明は上記の様な問題に鑑み、処理液を用いる基板処理装置の樹脂コーティング部品の検査において、早期に部品の劣化を検出し、部品に重大な異常が生じる前に対応することが可能となる検査手段を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用する。
本発明に係る基板処理装置は、処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、該基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する検査手段と、前記樹脂コーティングが、前記部品において検査されるべき樹脂コーティングと比較して劣化しやすく施された早期劣化部と、を有しており、前記検査手段は、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知する、劣化検知手段を備え、該劣化検知手段による検知結果に基づいて、前記検査対象の部品の劣化の程度を判定することを特徴とする。
このような構成であると、樹脂コーティングの劣化が処理対象基板または装置に悪影響を及ぼす部品（またはその特定箇所）の劣化を早期に検出することが可能になる。即ち、樹脂コーディングの劣化が生じても基板や処理装置に対する悪影響が小さな部位に、敢えてコーティングが劣化し易い箇所を設けておき、当該劣化し易い箇所の劣化現象を検出するようにしておくと、他の部分については実際に劣化を生じる前にこれを検知することが可能になる。これによって、基板または装置への重大な悪影響を生じる前に、部品を交換する等の対応を取ることが可能になる。
また、前記早期劣化部は、前記検査手段による検査対象となる部品に設けられていてもよい。このような構成であると、検査対象部品において早期にコーティングの劣化を検出したい所定の箇所（以下、真の検査対象部ともいう）がある場合に、該箇所と早期劣化部との減耗の進行度の誤差が小さく、より正確に真の検査対象部の劣化を検知することが可能になる。
また、前記劣化検知手段は、前記早期劣化部に接触する液体中の所定の金属の濃度を計測する、金属濃度計測手段を備え、該計測された金属の濃度から、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するものであってもよい。
部品が金属製であるか、または、樹脂コーティングに金属の下地（プライマー）が用いられていれば、前記液中の金属濃度を計測することで、樹脂コーティングの劣化を検知することができる。即ち、上記のような場合、コーティングが劣化した場合には、前記液中に金属成分が溶出するため、これに伴う金属濃度の変化を検出することで、樹脂コーティングにピンホールなどの外観上把握しにくい異常が生じた場合であっても、検知することができる。
また、前記金属濃度計測手段は、比抵抗計であってもよい。検査においては前記液中から金属成分が検出されるか否かが判明すればよいため、比抵抗計によって液体の導電性に基づく測定を行うことで、迅速かつ容易に液中の金属成分の有無を判定することが可能になる。
また、前記液体は、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液、及び／または、前記処理液であってもよい。このような構成であれば、例えば、枚葉型装置のチャンバーを洗浄する、チャンバー洗浄レシピを実行している際に、部品の検査も併せて実施することなどが可能になり、装置の稼働率の向上に寄与することができる。
また、前記劣化検知手段は、前記早期劣化部の画像を撮影する撮影手段と、該撮影手段により撮影された画像データから色情報を取得する色情報抽出手段と、を備え、前記色情報取得手段により取得された色情報から、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するものであってもよい。
このように画像データに基づいて劣化を検知する構成であると、前記早期劣化部の監視を常時行うことも可能になるため、即時性に優れた検査を実施することができる。
また、前記色情報は、ＲＧＢ成分の値を含むものであってもよい。このようにＲＧＢ色空間により検査対象の色を特定することで、ほぼ人間の知覚と同等の色の違いを反映させた画像情報に基づく判定を行うことができるため、例えば白黒に二値化された画像情報等に比べて、精度良く部品の検査を行うことが可能になる。なお、ＲＧＢ成分の値は他の色空間への変換も公知の方法により容易に行うことができる。
また、前記劣化検知手段は、前記早期劣化部の厚みを測定する、厚み測定手段を備え、該厚み測定手段により測定された早期劣化部の厚みから、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するものであってもよい。
樹脂コーティングが劣化すると、例えば、樹脂コーティング層の表面が水ぶくれ状に所々浮き上がる現象（ブリスター）が発生したり（即ち厚みが増加する）、また、樹脂コーティングが剥がれてしまったり（即ち厚みが減少する）する。このため、上記のように早期劣化部の厚みを測定することによって、劣化現象を検知することができる。
また、前記厚み測定手段は、レーザー変位計であってもよい。このような構成であると、非接触の方式により、高い精度での測定を行うことが可能になる。
また、前記検査手段は、前記劣化検知手段が検知した前記樹脂コーティングの劣化と所定の閾値との対比に基づいて前記検査対象の部品の劣化の程度を判定するものであってもよい。
このように、予め定められた閾値との対比によって劣化の程度を判定することによって、オペレーターの知識レベル、習熟度等に関係無く、均質で即時性のある検査を実施することができる。
また、前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む条件の違いに応じて設定されていてもよい。これらの条件が異なれば、その違いに応じて、樹脂コーティングの劣化の進行度合いなどが異なってくるため、それぞれの条件毎に閾値を設定しておくことで、より精度の高い検査を実施することができる。
また、前記基板処理装置は、前記検査手段により判定された、検査対象部品の劣化の程度を出力する、出力手段をさらに有しており、前記出力手段は、前記検査手段により判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には、警告信号を出力するものであってもよい。このような構成によると、早期に、即ち真の検査対象部に劣化現象が生じる前に、ユーザーが部品の交換などの対応を取ることができ、劣化した部品を使用し続けることを防止することができる。
また、前記早期劣化部における樹脂コーティング部分と、該コーティングが施された下地の部分とが、異なる色であってもよい。このような構成であると、例えば画像による劣化検知を行う場合には、早期劣化部の樹脂コーティングが剥がれたことを容易に検知する
ことが可能になる。
本発明に係る、基板処理装置の部品検査方法は、処理液により基板処理を行う基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する方法であって、前記基板装置内に、前記樹脂コーティングが、前記部品において検査されるべき樹脂コーティングと比較して劣化しやすく施された早期劣化部を設ける、早期劣化部配置ステップと、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知する、劣化検知ステップと、該劣化検知ステップによる検知結果に基づいて、検査対象部品の劣化の程度を判定する、劣化判定ステップと、を有することを特徴とする。
また、前記早期劣化部配置ステップでは、前記早期劣化部を、検査対象となる部品に設けるようにしてもよい。
また、前記劣化検知ステップでは、前記早期劣化部に接触する液体の金属濃度を計測し、該計測された金属濃度から前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するようにしてもよい。
また、前記劣化検知ステップでは、前記早期劣化部の画像を撮影して、該撮影された画像データから色情報を取得し、該取得された色情報から前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するようにしてもよい。
また、前記劣化検知ステップでは、前記早期劣化部の厚みを測定し、該測定された早期劣化部の厚みから前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知するようにしてもよい。
また、前記劣化判定ステップでは、前記劣化検知ステップにおいて検知された前記樹脂コーティングの劣化と、所定の閾値とに基づいて、前記検査対象の部品の劣化の程度を判定するようにしてもよい。
また、前記の部品検査方法は、前記劣化判定ステップにおいて判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には警告信号を出力する、警告ステップをさらに有するようにしてもよい。
本発明によれば、処理液を用いる基板処理装置の樹脂コーティング部品の検査において、早期に部品の劣化を検出し、部品に重大な異常が生じる前に対応することが可能となる検査手段を提供することができる。
図１は、第１の実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 図２は、第１の実施例に係る基板処理装置における処理槽の要部構成を示す概略正面図である。 図３は、リフターの板部及び基板保持部材を示す概略平面図である。 図４は、第１の実施例における、早期劣化部の劣化現象を検出するための、判定基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。 図５は、第１の実施例における、部品劣化判定処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。 図６は、早期劣化部を他の場所に設ける場合の一例を示す図である。 図７は、第２の実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 図８は、第２の実施例における早期劣化検出基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。 図９は、第２の実施例における部品の検査を実施する際の処理の例を示すフローチャートである。 図１０は、第３の実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 図１１は、処理液の金属濃度と比抵抗値の相関関係を示すグラフである。 図１２は、第３の実施例における早期劣化検出基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。 図１３は、第３の実施例における部品の検査を実施する際の処理の例を示すフローチャートである。
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
＜実施例１＞
図１は本実施例の基板処理装置１００を示す概略構成図、図２は基板処理装置１００の処理槽１１０の要部構成を示す概略正面図である。基板処理装置１００は、処理液を処理槽１１０に貯留し、基板Ｗを保持するリフター１３０を用いて、基板を該処理槽１１０に浸漬して基板Ｗの洗浄処理等を行ういわゆるバッチ型の装置である。基板処理装置１００には、搬送ロボット（図示しない）によって、複数の基板Ｗ（以下、ひとまとまりの複数の基板Ｗをロットともいう）が装置内外に搬入出される。なお、基板処理装置１００は、処理液毎に異なる処理槽を用いる多層式の装置であってもよいし、基板Ｗを処理槽内に保持したまま処理液を入れ換え可能な単層式の装置であってもよい。
図１、及び図２に示すように、基板処理装置１００は、浸漬槽１１１及びオーバーフロー槽１１２を備える処理槽１１０と、処理槽内に配置される処理液吐出ノズル１２０と、処理液供給源１２５と、リフター１３０と、カメラ１４０と、照明装置２４５と、排液回収部１５０、及び制御装置１６０を備えている。
これらの各構成のうち、少なくとも処理液（及び該処理液の蒸気）と接触するもの、例えば、リフター１３０の各部及び浸漬槽１１１などには、薬液による侵蝕を抑止するために樹脂コーティングが施されており、表面にコーティング層を有している。該コーティングの下地として金属が用いられているため、薬液による侵蝕によってコーティングが剥がれたり、表面にブリスターが生じたりした場合には、下地の金属成分が処理液中に溶出し、基板の金属汚染が発生する。
なお、コーティングに用いられる樹脂としては、例えば、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＥＣＴＦＥ（クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などが挙げられる。
処理液吐出ノズル１２０は、浸漬槽１１１の底部両側のそれぞれに設けられ、浸漬槽１１１内に各種薬液や純水等の処理液を供給するノズルである。処理液吐出ノズル１２０は、処理槽１１０の長手方向に沿って延びる円筒状のノズルであり、複数の吐出孔を備えている。また、処理液吐出ノズル１２０は、処理槽１１０外部の処理液供給源１２５に接続されており、所定の処理液が処理液供給源１２５から供給される。なお、処理液吐出ノズル１２０には、複数の吐出孔に代えて、１つのスリット状の吐出口を設けるようにしてもよい。
なお、基板処理に用いられる薬液としては、例えばＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）、オゾン過水（オゾン、過酸化水素水の混合液）、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水の混合液）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水の混合液）、ＦＰＭ（フッ酸と過酸化水の混合液）、ＦＯＭ（フッ酸とオゾン過水の混合液）、ＨＦ（フッ酸）、Ｈ３ＰＯ４（燐酸）などが挙げられる。なお、本明細書においては、「処理液」の語は、薬液と純水とを含む意味で用いられる。また、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、エッチングのための薬液なども「処理液」に含む。
処理液供給源１２５から供給された処理液は、処理液吐出ノズル１２０の吐出孔から浸漬槽１１１内に吐出される。ここで、吐出孔は浸漬槽１１１の中央底部に向かって設けられており、両側の処理液吐出ノズル１２０から吐出された処理液は浸漬槽１１１の底壁と平行に流れ、やがて浸漬槽１１１底部中央にて衝突し、その後浸漬槽１１１の中央部近傍に上方に向けた処理液の流れを形成することとなる。そして、処理液吐出ノズル１２０から供給された処理液は浸漬槽１１１の上部から溢れ出るようになっており、溢れ出た処理液はオーバーフロー槽１１２底部と連絡している排液回収部１５０に回収される。
リフター１３０は、浸漬槽１１１に貯留されている処理液に基板Ｗを浸漬させる機構である。リフター１３０は、昇降駆動源１３１と、リフターアーム１３２と、リフターアームに接続される板部１３３、板部１３３に片持ち梁状に設けられ、基板Ｗを保持する３つの基板保持部材（１つの中央保持部材１３４と、２つの側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂ）とを備えている。
リフター１３０の基板保持部材のうち、中央保持部材１３４は、水平方向に上下面が位置する姿勢（以下、立姿勢ともいう）に保持された基板Ｗの中央から鉛直下方に位置する基板外縁と接して基板を保持するものである。側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂは、立姿勢に保持された基板Ｗの外縁に沿って、中央保持部材１３４を中間として、その両側方に中央保持部材１３４から均等な距離の位置に配置される。そして、中央保持部材１３４の上端と、側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂの下端とは、上下方向に所定の間隔が生じるように配置されている。
図３は、リフター１３０の板部１３３及び上記３つの基板保持部材の概略平面図である。図３に示すように、基板保持部材のそれぞれは、基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを立姿勢で保持する複数の溝が長手方向に所定間隔で配設されているクシバ部Ｋを備えている。なお、クシバ部Ｋの溝は、基板Ｗを保持するために適切な幅で形成されているが、薬液によるダメージで樹脂コーティングが減耗し当該幅が広がってしまうと、基板Ｗを正常な立姿勢にて保持することが不可能になり、隣接する基板Ｗ同士が接触する不具合が発生する。
リフターアーム１３２、板部１３３、各基板保持部材１３４、１３５Ａ、１３５Ｂは、昇降駆動源１３１によって鉛直方向に一体的に昇降可能となっている。これによって、リフター１３０は３つの基板保持部材によって所定間隔にて平行に配列して保持された複数の基板Ｗを、浸漬槽１１１に貯留された処理液に浸漬する位置と、処理槽１１０の上方であって搬送ロボットとの基板受け渡しを行う位置との間で昇降させることができる。なお、昇降駆動源１３１には、ボールネジ機構、ベルト機構、エアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。
また、リフター１３０の板部１３３には、樹脂コーティングの膜厚が他の部分よりも薄くなっている早期劣化部Ｅ１が設けられている。例えば、早期劣化部Ｅ１以外の箇所のコーティング膜厚が１５０マイクロメートルである場合、早期劣化部Ｅ１は１００マイクロ
メートルの厚さで樹脂コーティングが施される。早期劣化部Ｅ１は、基板Ｗを浸漬槽１１１で浸漬処理する位置にリフター１３０を下降させた際に、処理液中に接触（浸漬）する位置に配置される。
カメラ１４０はリフター１３０の早期劣化部Ｅ１を撮影可能なように、基板処理装置１００内の壁面に配置される。カメラ１４０は、例えばＣＣＤイメージセンサなどの受光素子を備えており、夫々の受光素子では、受光量に応じて光が電荷に変換される。なお、本実施例では、カメラ１４０は、Ｒ、Ｇ及びＢの各色成分用の３つのＣＣＤイメージセンサを備えており、各受光素子から出力される電荷は、出力信号（撮影データ）として制御装置１６０に入力される。
照明装置１４５は、基板処理装置１００内を照明可能な装置の上方に配置され、例えばＬＥＤ、蛍光灯等のように一般的な光源を用いることができるが、照射される光は白色光であることが望ましい。
排液回収部１５０は、浸漬槽１１１からオーバーフロー槽１１２へと溢れ出た処理液を回収する。排液回収部１５０に回収された排液は、浄化処理された後、処理液供給源１２５へ送られて循環使用される。或いは、排液の浄化処理を行わずに、装置外へと排出するように構成してもよい。
制御装置１６０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。即ち、キーボードなどの入力部、モニタなどの出力部、ＣＰＵ（Central Processing Unit
）、ＲＯＭ（Read only memory）、ＲＡＭ（Random access memory）及び、大容量記憶装置などを備える構成となっている。制御装置１６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置１００の搬送ロボット、処理液吐出ノズル１２０、リフター１３０などの各動作機構が制御され、基板処理装置１００における処理が行われる。
続けて、制御装置１６０の部品検査に係る機能について説明する。詳細については後述するが、判定部１６１はカメラ１４０によって撮像された早期劣化部Ｅ１の画像に対して画像処理を行うことによって、基板処理装置１００を構成する部品の劣化についての判定処理（即ち、部品の検査）を行う。
信号処理部１６２は、カメラ１４０によって取得される画像から、ＲＧＢ色成分の値を取得する。具体的には、カメラ１４０から出力される信号を受信して、Ｒ、Ｇ、Ｂの色成分毎に夫々シェーディング補正を行い、受光素子ごとの出力レベルのばらつきを補正する。なお、本実施例においては、シェーディング補正後の各画素のＲ、Ｇ、Ｂの色成分毎の輝度値を、判定に用いる値とし、例えば０〜２５５の値域を持つものとする。
検査基準記憶部１６３は、上記のＲＡＭまたは磁気ディスクにて構成されており、判定部１６１による判定に用いられる判定閾値、検査基準、カメラ１４０によって撮像された新品部品画像のデータ、劣化部品サンプル画像データ、などを記憶する。
出力部１６４は検査結果を含む各種の情報を出力する。情報の出力先は、典型的にはモニタなどの表示装置であるが、印刷装置に対して情報を出力したり、スピーカからメッセージや警報を出力したり、ユーザーの端末に電子メール等でメッセージを送信したり、外部のコンピュータに対して情報を送信したりしてもよい。
（劣化判定処理方法について）
次に、上記判定部１６１による部品の劣化判定処理について説明する。判定部１６１は
、早期劣化部Ｅ１が劣化しているか否かについて、カメラ１４０によって撮影された画像に基づいて検査を行う。より具体的には、早期劣化部Ｅ１の画像データから得られるＲＧＢ色成分による色情報に基づいて、劣化判定を行う。なお、本実施例において劣化判定の対象となるのは早期劣化部Ｅ１であるが、真の検査対象部はそれ以外の部分、例えばリフター１３０のクシバ部Ｋなどである。
なお、リフター１３０のクシバ部Ｋは、基板処理時において処理液に接触するが、早期劣化部Ｅ１は可能であれば基板汚染を避けるために基板処理時において処理液に接触しない位置に設けることが望ましい。基板処理装置において発生する薬液蒸気によりリフター１３０の劣化が進行するような場合においては、早期劣化部Ｅ１をリフター１３０の上方、リフター１３０の背板や浸漬槽１１１の上方など、基板処理時においても直接に処理液と接触しない位置に設置していても早期劣化部Ｅ１は薬液蒸気により劣化が進行する。したがって、早期劣化部Ｅ１の劣化の進行と、リフター１３０のクシバ部Ｋの劣化との相関を予め実験などを通じて把握しておくことにより、基板汚染リスクを回避しつつ検査を行うことが可能である。
上記の通り、早期劣化部Ｅ１は他の部位よりもコーティング膜厚が薄く設定されており、これにより、他の部位に比べて早期に劣化現象（例えば、樹脂の減耗、剥離、ブリスターの発生、金属成分の溶出など）が生じる。このため、早期劣化部Ｅ１においてこのような劣化現象が生じた際に、これを検出することができれば、真の検査対象部について劣化現象が生じる前に、部品の交換、樹脂の再コーティング処理、などの対応を行うことができる。そして、早期劣化部Ｅ１の劣化現象の検出は、以下に述べるように所定の閾値を用いた基準（以下、早期劣化検出基準という）に基づく判定により行うとよい。
また、早期劣化部Ｅ１が劣化していると判定された場合には、出力部１６４から警告を発報するようにすればよい。このようにすることで、正常でない部品を使用し続けることを防止することができる。なお、出力部１６４から発する警告とは、モニタに表示されるエラー画面であってもよいし、スピーカから発せられるアラームであってもよいし、警報ランプの明滅などであってもよい。
図４は、早期劣化部Ｅ１の劣化現象を検出するための、判定基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。図４に示すように、装置を新規に立ち上げる際または部品を新品に交換する際に、検査対象となる部品に早期劣化部を設ける（ステップＳ１０１）。次に早期劣化部をカメラ１４０で撮影し、信号処理部１６２よってＲ、Ｇ、Ｂの値（初期ＲＧＢ値）を取得する（ステップＳ１０２）。そして、初期ＲＧＢ値を検査基準記憶部１６３に保存する（ステップＳ１０３）。
続けて、早期劣化部の初期ＲＧＢ値に基づいて、劣化判定閾値を設定する（ステップＳ１０２）。なお、該閾値は、例えば初期ＲＧＢ値に対して所定のマージンを加えた（或いは減じた）値とすることができる。
ところで、早期劣化部の外観上の変化は該早期劣化部の全体に亘って一様に生じるわけではないため、劣化判定閾値と、早期劣化検出基準との関係を定義する必要がある。即ち、カメラ１４０によって取得された画像における早期劣化部を示す画素の集合のうち、劣化判定閾値以上となる画素がどの程度あれば、警告を発するようにするかを定める。本実施例においては、取得された画像において、検査対象部品を示す画素の集合のうち、劣化判定閾値以上の値を示す画素が所定の数を超えた場合に、警告を発するように早期劣化検出基準を設定する（ステップＳ１０５）。そして、このように設定された早期劣化検出基準を検査基準記憶部１６３に登録する（ステップＳ１０６）。
なお、部品の種類、部品が配置される場所、部品の素材、装置の用途（用いられる薬液
）、などの違いによって、部品劣化の進行度合いなどが異なってくる。そのため、劣化判定閾値は、データテーブルを用いて、上記様々な条件の組み合わせ毎に設定するとよい。
続けて、早期劣化部Ｅ１の劣化判定の実施のタイミングについて説明する。基板処理装置１００における基板Ｗの通常の動作の概略は、搬送ロボットが外部から受け取った未処理の基板Ｗのロットをリフター１３０に載置し、これを処理液が貯留された浸漬槽１１１に所定時間浸漬した後に、搬送ロボットが受け取り、処理済みのロットを搬出して外部に戻すというものである。
以上のことから、基板Ｗの浸漬処理中には、処理液中に浸漬している早期劣化部Ｅ１を適切に撮影することができない。このため、本実施例において、部品劣化判定は、基板処理装置１００が基板Ｗの浸漬処理を行っていないタイミングで実施される。
図５は部品劣化判定処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。図５に示すように、まず基板処理装置１００において、ロット単位での基板処理を開始する前のアイドルタイムに、早期劣化部Ｅ１をカメラ１４０で撮影する（Ｓ１１１）。そして、信号処理部１６２が撮影された画像のデータから早期劣化部Ｅ１の画素のＲＧＢ値を取得する（ステップＳ１１２）。そして、判定部１６１が、検査基準記憶部１６３に保存されている早期劣化検出基準と取得したＲＧＢ値とを比較し（ステップＳ１１３）、ＲＧＢ値が早期劣化検出基準を超えていない場合には、１ロット分の基板処理を実施する（ステップＳ１１４）。一方、取得したＲＧＢ値が判定基準を超えている場合には、出力部１６４から部品の劣化を報知する警告を出力する（ステップＳ１１５）。
なお、部品劣化判定処理を実施するタイミングはこれに限られず、１ロット単位での基板処理を終えた後に実施してもよい。
（変形例）
上記の実施例１においては、早期劣化部Ｅ１が、リフター１３０の板部１３３のうち、浸漬槽１１１の処理液中に浸漬する位置に設けられていたが、これ以外の場所に設けられていてもよい。図６に、早期劣化部を他の場所に設ける場合の一例を示す。本変形例においては、早期劣化部Ｅ２はリフター１３０の板部１３３のうち、処理液に浸漬されない箇所に設けられている。なお、図６において一点鎖線で囲まれた箇所は、処理液中に浸漬される部分を示している。
基板処理に用いられる薬液には、処理の目的に応じて加熱して用いられるものもあり、この場合には、リフター１３０の板部１３３は、処理液中に浸漬していない箇所であっても、加熱された薬液の蒸気によって侵蝕される。そのため、このような箇所に早期劣化部Ｅ２を設け、薬液に浸漬される真の検査対象部の劣化の程度との相関関係を反映させた早期劣化検出基準を設定することでも、真の検査対象部に劣化現象が生じる前に、劣化を検出することが可能になる。
なお、早期劣化部Ｅ２を、処理液に浸漬されない位置に設けることで、早期劣化部Ｅ２に劣化現象が生じた際に、該劣化現象による処理液への悪影響（パーティクルの発生、メタルの溶出など）を減じることができる。
また、早期劣化部は様々な位置に複数設けられていてもよいし、板部１３３の全体を早期劣化部としてもよい。また、一つの部品を装置全体における早期劣化部として構成することも可能である。例えば、浸漬槽１１１内に早期劣化部として（だけ）の機能を有する新たな部品を設置しても構わない。
また、早期劣化部は、樹脂コーティング層の色と、その下地の金属部分の色が、異なる色（より望ましくは、補色の関係にある色）となるように構成されていてもよい。このようにしておくことで、コーティング剥がれが生じた際の色（ＲＧＢ値）の変化を検知しやすくなり、より効率的な検査を行うことが可能になる。
＜実施例２＞
次に、本発明に係る第２の実施例について説明する。図７は本実施例の基板処理装置２００を示す概略構成図である。なお、本実施例に係る基板処理装置２００は、実施例１とその構成を略同じくし、早期劣化部Ｅ１における劣化現象の検出方法において違いを有するものであるため、実施例１と同じ構成、処理である部分には同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
図７に示すように、本実施例における基板処理装置２００は、劣化現象の検出手段として、実施例１のカメラ１４０に変えて、レーザー変位計１７０を有する点において、その構成を異にしている。また、図示しないが、本実施例においては、後述のように早期劣化部Ｅ１の構成が実施例１とは異なっている。
まず、本実施例における早期劣化部Ｅ１の構成について説明する。早期劣化部Ｅ１が設けられる箇所は、実施例１の場合と同じくリフター１３０の板部１３３である。より具体的には、基板Ｗを浸漬槽１１１で浸漬処理する位置にリフター１３０を下降させた際に、処理液中に接触（浸漬）する位置である。そして、本実施例における早期劣化部Ｅ１は、コーティングに用いられる樹脂の材質が他の部分と異なっており、他の部分の樹脂よりも浸透性の高い材質の樹脂が用いられる。例えば、早期劣化部Ｅ１以外の箇所のコーティング樹脂としてＰＣＴＦＥが用いられている場合に、早期劣化部Ｅ１にはコーティング樹脂としてＰＦＡが用いられる。
次に、レーザー変位計１７０について説明する。レーザー変位計１７０は三角測距の方式により、対象物までの距離を計測する変位センサである。レーザー変位計１７０は、リフター１３０が処理槽１１０の上部に位置する待機位置にある状態において、早期劣化部Ｅ１に向けて照射光が水平に照射される位置に配置され、レーザー変位計１７０と早期劣化部Ｅ１との間の距離を計測する。そして、このようにして計測された距離の値は、制御装置１６０の信号処理部１６２に入力される。
ところで、早期劣化部Ｅ１において劣化現象が生じると、早期劣化部１のコーティング膜厚にも変化が生じる。即ち、ブリスターが発生した場合には当該部分の厚みが増加し、樹脂コーティングが剥がれた場合や減耗した場合には、当該部分の厚みが減少する。
ここで、基板処理装置２００内において、早期劣化部Ｅ１とレーザー変位計１７０との位置関係が確定されていると、レーザー変位計１７０によって計測される距離は、早期劣化部Ｅ１のコーティング膜厚の変化に応じて変動する。即ち、早期劣化部Ｅ１のコーティング膜厚が増加すれば、計測距離は短くなり、逆にコーティング膜厚が薄くなれば計測距離は長くなる。このため、レーザー変位計１７０によって計測される距離に基づいて、早期劣化部Ｅ１の厚みを測定することができる。
続けて、本実施例における部品の検査について説明する。本実施例における部品の検査は、レーザー変位計１７０と早期劣化部Ｅ１との間の距離（早期劣化部Ｅ１の厚み）に基づいて行われる他は、実施例１の処理と同様の流れで行われる。即ち、制御装置１６０の判定部１６１が、予め定められた閾値（早期劣化検出基準）と、レーザー変位計１７０によって計測された値とを対比することによって、真の検査対象部の劣化の程度を判断する。本実施例における早期劣化検出基準の設定処理について、以下で説明する。
図８は、本実施例における早期劣化検出基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。図８に示すように、装置を新規に立ち上げる際または部品を新品に交換する際に、検査対象となる部品（例えば、リフター１３０）に早期劣化部を設ける（ステップＳ２０１）。次に、レーザー変位計１７０によって早期劣化部との距離を計測し、初期距離値（即ち初期の膜厚）を取得する（ステップＳ２０２）。そして、初期距離値を検査基準記憶部１６３に保存する（ステップＳ２０３）。
続けて、早期劣化部の初期距離値に基づいて、劣化判定閾値を設定する（ステップＳ２０４）。閾値は、例えば初期距離値に対して所定のマージンを加えた値（上限閾値）、及び減じた値（下限閾値）とすることができる。なお、本実施例では、当該劣化判定閾値がそのまま早期劣化検出基準となる。そして、このように設定された早期劣化検出基準を検査基準記憶部１６３に登録する（ステップＳ２０５）。
本実施例においても、検査を実施するタイミング、検査の処理の流れなどは実施例１と略同様である。以下に検査を実施する際の処理の流れを説明する。図９は、本実施例における部品の検査を実施する際の処理の例を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理装置２００において、１ロット分の基板処理が終了した後に、リフター１３０上昇させ、待機位置に移動させる（ステップＳ２１１、Ｓ２１２）。その状態において、レーザー変位計１７０によって、早期劣化部Ｅ１までの距離を計測し、制御装置１６０に該計測された値を入力する（ステップＳ２１３）。次に、判定部１６１が、検査基準記憶部１６３に保存されている閾値と距離の値を比較し（ステップＳ２１４）、計測された距離が上限閾値以下かつ下限閾値以上の範囲内である場合には、そのまま本フローを終了する。一方、ステップＳ２１４において、計測された距離が上限閾値以下かつ下限閾値以上の範囲外である場合には、出力部１６４から部品の劣化を報知する警告信号を発信する（ステップＳ２１５）。この様なタイミングで検査を行うことで、既に処理済みのロットについて、支障があるか否か（不良の発生程度）を検証することも可能になる。
（変形例）
上記実施例２においては、レーザー変位計１７０を１つ用いて、早期劣化部Ｅ１との距離（即ち、早期劣化部Ｅ１の膜厚）を計測していたが、複数のレーザー変位計を用いて早期劣化部Ｅ１の膜厚を計測するようにしてもよい。具体的には、リフター１３０の板部１３３の早期劣化部Ｅ１が設けられているのとは反対側の面の、早期劣化部Ｅ１に対応する箇所に対してレーザーを照射する、第２のレーザー変位計を設け、板部１３３の表裏両面から距離を計測する。
こうして得た二つの距離値を用いることで、リフター１３０の配置位置の微差など、計測におけるノイズを少なくして、早期劣化部Ｅ１の厚みをより正確に計測することが可能になる。
＜実施例３＞
続けて、本発明に係る第３の実施例について説明する。図１０は本実施例の基板処理装置３００を示す概略構成図である。なお、本実施例に係る基板処理装置３００は、実施例１とその構成を略同じくし、早期劣化部Ｅ１における劣化現象の検出方法において違いを有するものであるため、実施例１と同じ構成、処理である部分には同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
図１０に示すように、本実施例における基板処理装置３００は、劣化現象の検出手段として、実施例１のカメラ１４０に変えて、比抵抗計１８０を有する点において、その構成を異にしている。以下で、比抵抗計１８０を用いた部品の劣化検査について説明する。
比抵抗計１８０は液体の比抵抗値を計測するセンサを備えており、該センサが、浸漬槽１１１に処理液が供給された際に該処理液に接触可能に（望ましくは浸漬されるように）、浸漬槽１１１の内壁に設置される。比抵抗計１８０は市販品を含め既知の技術を用いることができるが、特にセンサ部分は、耐薬品性、耐熱性に優れた素材であることが望ましい。
上記の構成において、比抵抗計１８０によって、処理液中の比抵抗値が計測され、該計測された値は、制御装置１６０の信号処理部１６２に入力される。なお、図１１に示すように処理液中の比抵抗値と金属（イオン）濃度との間には強い相関関係がある。即ち、樹脂コーティングに劣化現象が生じると、その箇所に接触する液体（処理液）中に金属成分が溶出するため、液体の金属イオン濃度が上昇し、これに反比例して、処理液の比抵抗値が減少する。このため、比抵抗値を取得することによって、液体中の金属成分の量を把握することができる。
以上の前提のもと、判定部１６１は、比抵抗計１８０によって取得される処理液の比抵抗値に基づいて、早期劣化部Ｅ１に劣化が生じているか否かを判定する（即ち、真の検査対象部の劣化の程度を判断する）。具体的には、予め定められた閾値（早期劣化検出基準）と、比抵抗計１８０によって計測された比抵抗値とを対比する。このような、早期劣化検出基準の設定処理について、以下で説明する。
図１２は、本実施例における早期劣化検出基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。図１２に示すように、装置を新規に立ち上げる際または部品を新品に交換する際に、検査対象となる部品（例えば、リフター１３０）に早期劣化部を設ける（ステップＳ３０１）。次に、浸漬槽１１１に処理液を貯留して、その中に早期劣化部Ｅ１が処理液中に浸漬するようにリフター１３０を下降させ、その状態で比抵抗計１８０により浸漬槽１１１に貯留されている処理液の比抵抗値を計測する（ステップＳ３０２）。そして、比抵抗計１８０から比抵抗値を取得した制御装置１６０は、検査基準記憶部１６３に、該比抵抗値のデータを初期比抵抗値として保存する（ステップＳ３０３）。
そして、当該初期比抵抗値に基づいて、所定のマージンを減じた値を、閾値として検査基準記憶部１６３に登録する（ステップＳ３０４）。なお、本実施例では、当該閾値が、そのまま早期劣化検出基準となる。
ところで、処理液から得られる比抵抗値が、初期比抵抗値に近い値であるほど対象部品のメタル溶出の度合いは小さいことになる。このため、例えば、警報を発生させてから部品の交換などの対応を行うまでに時間的余裕を持たせたいなどの場合は、上記閾値は比較的初期比抵抗値に近い値に設定しておくとよい。
本実施例においても、検査を実施するタイミング、検査の処理の流れなどは実施例１と略同様であり、ロット単位の基板処理の前後に検査を実施することが可能である。ただし、本実施例においては、処理対象の基板Ｗに金属成分が含まれていない場合には、基板Ｗの処理中であっても、検査を実施することが可能である。以下でその処理の流れについて説明する。
図１３は、本実施例における部品の検査を実施する際の処理の例を示すフローチャートである。図１３に示すように、基板処理装置３００において、基板Ｗの処理を行う際に、早期劣化部Ｅ１が処理液中に浸漬する位置にリフター１３０を下降させる（ステップＳ３１１）。そして、その状態において、比抵抗計１８０によって処理液中の比抵抗値を計測し、制御装置１６０に該値を入力する（ステップＳ３１２）。次に、判定部１６１が、検
査基準記憶部１６３に保存されている閾値と取得された比抵抗値を比較し（ステップＳ３１３）、該比抵抗値が閾値を超えている場合には、基板処理を続行する（Ｓ３１４）。一方、ステップＳ３１３において、比抵抗値が閾値を超えていない場合には、出力部１６４から部品の異常を報知する警告信号を発信する（ステップＳ１１５）。
（変形例）
上記実施例３では、比抵抗計１８０は、浸漬槽１１１内に設置されていたが、比抵抗計を設置する位置は必ずしも浸漬槽１１１内に限る必要はなく、早期劣化部Ｅ１と接触した液体の比抵抗値を計測できる場所であれば、どこに設置しても構わない。例えば、オーバーフロー槽１１２の底部に設置してもよいし、排液回収部１５０内に設置してもよい。
＜その他＞
なお、上記の各実施例及び変形例は、本発明を例示的に説明するものに過ぎず、本発明は上記の具体的な態様には限定されない。本発明は、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施例に記載のそれぞれの計測手段を、併せて備えるようにしてもよい。このような異なる複数の観点での検査を実施することで、より精度の高い検査を実施することができる。
また、いわゆる枚葉型の基板処理装置に対して、本発明を適用することも可能である。即ち、枚葉型の基板処理装置の構成部品（例えばスピンチャック）などに早期劣化部を設け、上記のいずれかの実施例に記載の計測手段により早期劣化部の劣化現象を検知することで、真の検査対象部の劣化を早期に把握可能とすることができる。
１００、２００、３００・・・基板検査装置
１１０・・・処理槽
１２０・・・処理液吐出ノズル
１３０・・・リフター
１４０・・・カメラ
１５０・・・排液回収部
１６０・・・制御装置
１７０・・・レーザー変位計
１８０・・・比抵抗計
Ｅ１、Ｅ２・・・早期劣化部
Ｗ・・・基板

Claims (20)

  1. 処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、
    該基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する検査手段と、
    前記樹脂コーティングが、前記部品において検査されるべき樹脂コーティングと比較して劣化しやすく施された早期劣化部と、を有しており、
    前記検査手段は、
    前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知する、劣化検知手段を備え、
    該劣化検知手段による検知結果に基づいて、前記検査対象の部品の劣化の程度を判定すること
    を特徴とする、基板処理装置。
  2. 前記早期劣化部は、前記検査手段による検査対象となる部品に設けられていること
    を特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記劣化検知手段は、前記早期劣化部に接触する液体中の所定の金属の濃度を計測する、金属濃度計測手段を備え、該計測された金属の濃度から、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること
    を特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 前記金属濃度計測手段は、比抵抗計であること
    を特徴する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記液体は、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液、及び／又は、前記処理液であること
    を特徴とする、請求項３又は４に記載の基板処理装置。
  6. 前記劣化検知手段は、前記早期劣化部の画像を撮影する撮影手段と、該撮影手段により撮影された画像データから色情報を取得する色情報抽出手段と、を備え、
    前記色情報取得手段により取得された色情報から、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること
    を特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  7. 前記色情報は、ＲＧＢ成分の値を含むこと
    を特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記劣化検知手段は、前記早期劣化部の厚みを測定する、厚み測定手段を備え、該厚み測定手段により測定された早期劣化部の厚みから、前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること、
    を特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  9. 前記厚み測定手段は、レーザー変位計であること
    を特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記検査手段は、前記劣化検知手段が検知した前記樹脂コーティングの劣化と所定の閾値との対比に基づいて前記検査対象の部品の劣化の程度を判定すること
    を特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件
    、のうち少なくとも一つを含む条件の違いに応じて設定されていること
    を特徴とする、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記検査手段により判定された、検査対象部品の劣化の程度を出力する、出力手段をさらに有しており、
    前記出力手段は、前記検査手段により判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には、警告信号を出力すること
    を特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記早期劣化部における樹脂コーティング部分と、該コーティングが施された下地の部分とが、異なる色であること
    を特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 処理液により基板処理を行う基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する方法であって、
    前記基板装置内に、前記樹脂コーティングが、前記部品において検査されるべき樹脂コーティングと比較して劣化しやすく施された早期劣化部を設ける、早期劣化部配置ステップと、
    前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知する、劣化検知ステップと、
    該劣化検知ステップによる検知結果に基づいて、検査対象部品の劣化の程度を判定する、劣化判定ステップと、を有すること
    を特徴とする基板処理装置の部品検査方法。
  15. 前記早期劣化部配置ステップでは、前記早期劣化部を、検査対象となる部品に設けること
    を特徴とする、請求項１４に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  16. 前記劣化検知ステップでは、
    前記早期劣化部に接触する液体の金属濃度を計測し、該計測された金属濃度から前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること
    を特徴とする、請求項１４又は１５に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  17. 前記劣化検知ステップでは、
    前記早期劣化部の画像を撮影して、該撮影された画像データから色情報を取得し、該取得された色情報から前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること
    を特徴とする、請求項１４又は１５に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  18. 前記劣化検知ステップでは、
    前記早期劣化部の厚みを測定し、該測定された早期劣化部の厚みから前記早期劣化部における樹脂コーティングの劣化を検知すること
    を特徴とする、請求項１４又は１５に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  19. 前記劣化判定ステップでは、
    前記劣化検知ステップにおいて検知された前記樹脂コーティングの劣化と、所定の閾値とに基づいて、前記検査対象の部品の劣化の程度を判定すること
    を特徴とする、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  20. 前記劣化判定ステップにおいて判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には警告信号を出力する、警告ステップをさらに有すること
    を特徴とする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
JP2017146461A 2017-07-28 2017-07-28 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 Active JP7040871B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017146461A JP7040871B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法
PCT/JP2018/018814 WO2019021586A1 (ja) 2017-07-28 2018-05-15 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法
CN201880043423.8A CN110809814B (zh) 2017-07-28 2018-05-15 基板处理装置及基板处理装置的部件检查方法
KR1020197038603A KR102377316B1 (ko) 2017-07-28 2018-05-15 기판 처리 장치, 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법
TW107120773A TWI696499B (zh) 2017-07-28 2018-06-15 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017146461A JP7040871B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019029472A true JP2019029472A (ja) 2019-02-21
JP7040871B2 JP7040871B2 (ja) 2022-03-23

Family

ID=65040076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017146461A Active JP7040871B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7040871B2 (ja)
KR (1) KR102377316B1 (ja)
CN (1) CN110809814B (ja)
TW (1) TWI696499B (ja)
WO (1) WO2019021586A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220125163A (ko) 2021-03-04 2022-09-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 연마 패드 검사 장치 및 연마 패드 검사 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6857682B2 (ja) * 2019-03-29 2021-04-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
WO2024069933A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 株式会社Subaru 樹脂製部品の劣化診断方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06109545A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd 色調検査方法
JPH0849073A (ja) * 1994-05-31 1996-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の基板保持具
JPH08316182A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH10217109A (ja) * 1997-02-04 1998-08-18 Nippon Steel Corp 研磨装置の被研磨材保持装置
JP2001053018A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Sumitomo Eaton Noba Kk コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置
JP2010074191A (ja) * 2004-09-28 2010-04-02 Ebara Corp 基板洗浄装置及び洗浄部材の交換時期判定方法
JP2010267856A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Panasonic Corp 洗浄処理装置および洗浄処理方法
JP2010267181A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Sumitomo Chem Eng Kk 薬剤の希釈装置
JP2013056388A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Corp 加工装置
JP2014209605A (ja) * 2013-03-29 2014-11-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3254520B2 (ja) * 1997-11-27 2002-02-12 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理システム
JP2002096012A (ja) 2000-09-26 2002-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003092343A (ja) 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP6109545B2 (ja) 2012-11-28 2017-04-05 三菱重工業株式会社 空気調和機
US20160336149A1 (en) * 2015-05-15 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Chamber component with wear indicator
JP2017073338A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06109545A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd 色調検査方法
JPH0849073A (ja) * 1994-05-31 1996-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の基板保持具
JPH08316182A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH10217109A (ja) * 1997-02-04 1998-08-18 Nippon Steel Corp 研磨装置の被研磨材保持装置
JP2001053018A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Sumitomo Eaton Noba Kk コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置
JP2010074191A (ja) * 2004-09-28 2010-04-02 Ebara Corp 基板洗浄装置及び洗浄部材の交換時期判定方法
JP2010267856A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Panasonic Corp 洗浄処理装置および洗浄処理方法
JP2010267181A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Sumitomo Chem Eng Kk 薬剤の希釈装置
JP2013056388A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Corp 加工装置
JP2014209605A (ja) * 2013-03-29 2014-11-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220125163A (ko) 2021-03-04 2022-09-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 연마 패드 검사 장치 및 연마 패드 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI696499B (zh) 2020-06-21
CN110809814A (zh) 2020-02-18
KR102377316B1 (ko) 2022-03-22
JP7040871B2 (ja) 2022-03-23
CN110809814B (zh) 2023-10-03
TW201910009A (zh) 2019-03-16
KR20200013717A (ko) 2020-02-07
WO2019021586A1 (ja) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11670529B2 (en) Substrate processing device and component inspection method for substrate processing device
JP6671411B2 (ja) ウェハ保持装置上のメッキの検知
US20170299524A1 (en) Remote detection of plating on wafer holding apparatus
TWI696499B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
KR102499048B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2019197032A (ja) バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体
KR102211781B1 (ko) 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법
JP7145893B2 (ja) ウエハ保持装置上におけるめっきの遠隔検知
US20060112978A1 (en) Apparatus and method for wet-treating wafers
TWI693104B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
JP7471171B2 (ja) 基板処理装置
KR102612855B1 (ko) 누설 판정 방법 및 도금 장치
KR102617632B1 (ko) 도금 장치
KR20240028974A (ko) 기판 상태 측정 장치, 도금 장치, 및 기판 상태 측정 방법
KR101095192B1 (ko) 습식 장치의 불순물 감지 시스템 및 방법
JP2019189926A (ja) 検査方法、検査装置、及びこれを備えためっき装置
KR20060038106A (ko) 웨이퍼 매핑 유닛이 구비된 기판 습식 처리 장치
JP2008053267A (ja) 現像装置及び現像方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210907

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220308

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7040871

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150