CN110809814B - 基板处理装置及基板处理装置的部件检查方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的涂敷有树脂涂层的部件的劣化;以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述检查对象的部件劣化的程度。
Description
技术领域
本发明涉及一种处理基板的基板处理装置。更具体而言,涉及一种具有部件的检查单元的基板处理装置以及检查基板处理装置的部件的方法。此外,本说明书中所述的基板例如包括半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL(Electroluminescence:电致发光)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
一直以来,作为该种装置,所谓的批量式装置以及所谓的单片式装置广为人知。所谓的批量式装置是,将处理液贮存在处理槽中,使用保持基板的升降器将基板浸泡在该处理槽中从而对基板进行清洗;所谓的单片式装置是,水平地保持基板并使之旋转,从喷嘴向该旋转的基板表面喷出处理液(例如专利文献1、专利文献2)。
这些装置的构成部件被实施(涂敷)有PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(四氟乙烯/全氟代烷基乙烯基醚共聚物)等树脂涂层,以防止被基板处理所使用的药液腐蚀。例如,为批量式装置的情况下,浸泡在药液中的升降器对由石英构成的部件主体,在设置金属制的基底之后实施上述树脂涂层处理,以防止由药液引起的部件主体的劣化。另外,在单片式装置中,有时也为了防止由金属制部件(例如,洗涤器装置中的钛盘等)引起的基板的金属污染以及防止产生颗粒等,而对金属制部件实施上述树脂涂层处理。
上述树脂涂层由于长期使用,会产生针孔等异常,由此,存在因树脂的剥落而产生颗粒,或因树脂涂层的基底部分的金属溶出而产生金属污染的问题。尤其,在批量式装置的升降器中,若保持基板的梳齿部的涂层损耗而使槽的宽度变大,则无法正确地保持基板,成为被相邻地保持的基板彼此接触的主要原因。
因此,一直以来,通过定期地使用实际基板来进行检查运转,对因该检查运转而产生的颗粒的量、金属浓度等进行测量来测量部件的劣化程度,在发现异常(涂层剥落)的情况下,才去更换部件、再涂层处理等应对措施。
然而,在该种方法中,由于难以及时地检测部件异常,因而存在如下问题,即,在从装置部件实际产生异常起至通过检查检测出异常为止的期间,在部件存在异常的状态下进行基板处理。另外,在涂层的剥落变得严重的情况下,由于无法对部件进行再涂层处理,因而装置的修理成本增加。进而,还产生了必须仅为了检查而运转装置(装置运转率的降低)的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-96012号公报
专利文献2:日本特开2003-92343号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明鉴于上述各种问题,其目的在于,提供一种检查手段,能够在使用处理液的基板处理装置的树脂涂层部件的检查中提早检测出部件的劣化并在部件产生重大异常之前进行应对。
用于解决问题的手段
为了达成所述目的,本发明采用以下结构。
本发明的基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化;以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,判断所述检查对象的部件的劣化程度。
若为这种结构,则能够提早检测出树脂涂层的劣化对处理对象基板或装置造成不良影响的部件(或其特定部位)的劣化。即,在即使产生树脂涂层的劣化但对基板或处理装置的不良影响也较小的部位,特意设置涂层容易劣化的部位,若预先检测出该容易劣化的部位的劣化现象,则对于其他部分,能够在实际上产生劣化之前对其进行检测。由此,能够在对基板或装置产生重大的不良影响之前,采取更换部件等应对措施。
另外,所述早期劣化部也可以设置在作为所述检查单元的检查对象的部件上。若为这种结构,则在检查对象部件中存在欲提早检测出涂层的劣化的规定部位(以下,也称为真正的检查对象部)的情况下,该部位与早期劣化部的损耗的进展程度的误差较小,能够更准确地检测真正的检查对象部的劣化。
另外,所述劣化检测单元也可以具有金属浓度测量单元,该金属浓度测量单元测量与所述早期劣化部接触的液体中的规定的金属的浓度,所述劣化检测单元从测量出的该金属的浓度检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
若部件由金属制成或者在树脂涂层中使用金属的基底(底涂层),则通过测量所述液体中的金属浓度,能够检测树脂涂层的劣化。即,在如上所述的情况下,在涂层劣化的情况下,金属成分会溶出至所述液体中,因此通过检测伴随于此的金属浓度的变化,即使在树脂涂层中产生针孔等外观上不易掌握的异常的情况下,也能够检测出来。
另外,所述金属浓度测量单元也可以为电阻率计。由于在检查中只要确定是否从所述液体中检测出金属成分即可,因此通过利用电阻率计进行基于液体的导电性的测量,能够迅速且容易地判断液体中有无金属成分。
另外,所述液体也可以为对所述基板处理装置内部进行清洗的装置清洗液及/或所述处理液。若为这种结构,例如,在执行对单片式装置的腔室进行清洗的腔室清洗配方时,也可以同时实施部件的检查等,从而能够有助于提高装置的运转率。
另外,所述劣化检测单元也可以具有:拍摄单元,拍摄所述早期劣化部的图像;以及颜色信息提取单元,从该拍摄单元所拍摄的图像数据获得颜色信息;从由所述颜色信息提取单元获得的颜色信息来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
若为像这样基于图像数据来检测劣化的结构,则也能够始终监视所述早期劣化部,因而能够实施即时性优异的检查。
另外,所述颜色信息也可以包括RGB成分的值。通过像这样利用RGB颜色空间来确定检查对象的颜色,能够基于反映出大致与人类的感知相同的色差的图像信息来进行判断,因此,例如,与被二值化为黑白的图像信息等相比,能够精度良好地进行部件的检查。此外,可利用公知的方法将RGB成分的值容易地转换为其他颜色空间。
另外,所述劣化检测单元也可以具有测量所述早期劣化部的厚度的厚度测量单元,并从由该厚度测量单元测量出的早期劣化部的厚度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
若树脂涂层劣化,则例如产生树脂涂层的表面呈水泡状到处浮起的现象(起泡)(即厚度增加),或树脂涂层剥落(即厚度减少)。因此,能够像上述那样测量早期劣化部的厚度,来检测劣化现象。
另外,所述厚度测量单元也可以为激光位移计。若为这种结构,则能够通过非接触的方式进行较高精度的测量。
另外,所述检查单元也可以基于所述劣化检测单元所检测的所述树脂涂层的劣化与规定的阈值的对比,来判断所述检查对象的部件的劣化程度。
如此,通过与预先规定的阈值进行对比来判断劣化程度,由此不论操作员的知识水平、熟练度等如何,否能够实施均质且具有即时性的检查。
另外,所述阈值也可以根据包括所述基板处理装置的规格、所述基板处理的过程、所述处理液的供给条件中的至少一个条件的差异来设定。若这些条件有差异,则与该差异对应地,树脂涂层的劣化的进展程度等不同,因此通过针对各个条件设定阈值,能够实施精度更高的检查。
另外,所述基板处理装置也可以还具有输出单元,该输出单元输出由所述检查单元所判断的检查对象部件的劣化程度,在由所述检查单元判断的劣化程度超过规定的基准的情况下,所述输出单元输出警告信号。根据这种结构,能够提早即在真正的检查对象部产生劣化现象之前,由使用者采取更换部件等应对措施,从而能够防止继续使用劣化的部件。
另外,也可以使所述早期劣化部中的树脂涂层部分与涂敷有该涂层的基底部分为不同的颜色。若为这种结构,则例如在进行基于图像的劣化检测的情况下,能够容易地检测早期劣化部的树脂涂层剥落的情况。
本发明的基板处理装置的部件检查方法,其对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,其特征在于,包括:早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层;劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化;以及劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象部件的劣化程度。
另外,在所述早期劣化部配置步骤中,也可以将所述早期劣化部设置在作为检查对象的部件上。
另外,在所述劣化检测步骤中,也可以测量与所述早期劣化部接触的液体的金属浓度,从测量出的该金属浓度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
另外,在所述劣化检测步骤中,也可以拍摄所述早期劣化部的图像,从该拍摄的图像数据获得颜色信息,并从获得的该颜色信息检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
另外,在所述劣化检测步骤中,也可以测量所述早期劣化部的厚度,从测量出的该早期劣化部的厚度检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
另外,在所述劣化判断步骤中,也可以基于在所述劣化检测步骤中检测的所述树脂涂层的劣化以及规定的阈值,来判断所述检查对象的部件的劣化程度。
另外,所述部件检查方法也可以还具有:警告步骤,在所述劣化判断步骤中判断出的劣化程度超过规定的基准的情况下,输出警告信号。
本发明还提供一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述检查对象的部件的劣化程度,所述早期劣化部设置在所述部件的离开被实施了树脂涂层的部位且即使产生劣化也对所述基板或所述基板处理装置的不良影响较小的部位,通过设定预先反映了与所述部件中的树脂涂层相对于所述处理液的劣化之间的相关关系的早期劣化检测基准,在所述部件发生劣化之前,检测出其劣化。
本发明还提供一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述检查对象的部件的劣化程度,所述劣化检测单元具有金属浓度测量单元,该金属浓度测量单元测量与所述早期劣化部接触的液体中的规定的金属的浓度,所述劣化检测单元根据测量出的该金属的浓度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
本发明还提供一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述检查对象的部件的劣化程度,所述劣化检测单元具有:拍摄单元,拍摄所述早期劣化部的图像,以及颜色信息提取单元,从该拍摄单元所拍摄的图像数据中获得颜色信息;所述劣化检测单元根据由所述颜色信息提取单元获得的颜色信息,来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
本发明还提供一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,具有:检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述检查对象的部件的劣化程度,所述部件是升降器,将所述早期劣化部设置在所述升降器的上方的不浸泡在处理液中的位置、或者浸泡在处理液中但不与基板接触的位置。
本发明还提供一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,包括:早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象部件的劣化程度,所述部件是升降器,在所述早期劣化部配置步骤中,将所述早期劣化部设置在所述升降器的上方的不浸泡在处理液中的位置、或者浸泡在处理液中但不与基板接触的位置。
本发明还提供一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,包括:早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象部件的劣化程度,在所述劣化检测步骤中,测量与所述早期劣化部接触的液体的金属浓度,根据测量出的该金属浓度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
本发明还提供一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,包括:早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象部件的劣化程度,在所述劣化检测步骤中,拍摄所述早期劣化部的图像,从该拍摄的图像数据中获得颜色信息,并根据获得的该颜色信息检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
发明的效果
根据本发明,可提供一种能够在使用处理液的基板处理装置的树脂涂层部件的检查中提早检测出部件的劣化并在部件产生重大异常之前进行应对的检查单元。
附图说明
图1是示出第一实施例的基板处理装置的概要结构图。
图2是示出第一实施例的基板处理装置中的处理槽的主要部分结构的概要主视图。
图3是示出升降器的板部及基板保持构件的概要俯视图。
图4是示出第一实施例中的用于检测早期劣化部的劣化现象的设定判断基准时的处理流程的流程图。
图5是示出第一实施例中的实施部件劣化判断处理的时点的一个示例的流程图。
图6是示出将早期劣化部设置于其他部位时的一个示例的图。
图7是示出第二实施例的基板处理装置的概要结构图。
图8是示出第二实施例中的设定早期劣化检测基准时的处理流程的流程图。
图9是示出第二实施例中的实施部件检查时的处理的示例的流程图。
图10是示出第三实施例的基板处理装置的概要结构图。
图11是示出处理液的金属浓度与电阻率值之间的相关关系的曲线图。
图12是示出第三实施例中的设定早期劣化检测基准时的处理流程的流程图。
图13是示出第三实施例中的实施部件检查时的处理的示例的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图并基于实施例来例示性地详细说明本发明的具体实施方式。但是,关于该实施例中所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等,只要无特别说明,则并非旨在将本发明的范围仅限定于说明书中记载的这些尺寸、材质、形状、相对配置等。
<第一实施例>
图1是示出本实施例的基板处理装置100的概要结构图,图2是示出基板处理装置100的处理槽110的主要部分结构的概要主视图。基板处理装置100是所谓的批量式装置,即,将处理液贮存在处理槽110中,使用保持基板W的升降器130将基板浸泡在该处理槽110中来进行基板W的清洗处理等。在基板处理装置100中,通过运送机器人(未图示)将多个基板W(以下,也将一组的多个基板W称为批量)运送入装置内或运出至装置外。此外,基板处理装置100可以是每种处理液使用不同处理槽的多层式装置,也可以是在将基板W保持在处理槽内的状态下能够更换处理液的单层式装置。
如图1及图2所示,基板处理装置100具有:具有浸泡槽111及溢流槽112的处理槽110、配置在处理槽内的处理液喷出喷嘴120、处理液供给源125、升降器130、相机140、照明装置245、排液回收部150及控制装置160。
为了抑制因药液导致的侵蚀,对这些各结构中的至少与处理液(及该处理液的蒸汽)接触的部位例如升降器130的各部分以及浸泡槽111等实施树脂涂层,而在表面具有涂层。由于使用金属作为该涂层的基底,因而在因药液的侵蚀导致涂层剥落或在表面产生起泡的情况下,基底的金属成分会溶出至处理液中,从而产生基板的金属污染。
此外,作为用于涂层的树脂,例如可列举PCTFE(聚三氟氯乙烯)、ECTFE(三氟氯乙烯/乙烯共聚物)、PFA(四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物)、PTFE(聚四氟乙烯)等。
处理液喷出喷嘴120是设置在浸泡槽111的底部两侧的每一侧且向浸泡槽111内供给各种药液或纯水等处理液的喷嘴。处理液喷出喷嘴120是沿着处理槽110的长度方向延伸的圆筒状的喷嘴,且具有多个喷出孔。另外,处理液喷出喷嘴120与处理槽110外部的处理液供给源125连接,从处理液供给源125供给规定的处理液。此外,在处理液喷出喷嘴120上,也可以代替多个喷出孔而设置一个狭缝状的喷出口。
此外,作为基板处理所使用的药液,例如可列举:SPM(硫酸与过氧化氢的混合液)、臭氧过氧化氢(臭氧、过氧化氢的混合液)、SC1(氨水与过氧化氢的混合液)、SC2(盐酸与过氧化氢的混合液)、FPM(氢氟酸与过氧化氢的混合液)、FOM(氢氟酸与臭氧过氧化氢的混合液)、HF(氢氟酸)、H3PO4(磷酸)等。此外,在本说明书中,术语“处理液”以包括药液和纯水的含义使用。另外,用于成膜处理的光致抗蚀剂液等涂布液、用于去除不需要的膜的药液、用于蚀刻的药液等也属于“处理液”。
从处理液供给源125供给的处理液从处理液喷出喷嘴120的喷出孔喷出至浸泡槽111内。此处,喷出孔朝向浸泡槽111的中央底部设置,从两侧的处理液喷出喷嘴120喷出的处理液以与浸泡槽111的底壁相平行的方式流动,并最终于浸泡槽111底部中央碰撞,然后在浸泡槽111的中央部附近形成朝向上方的处理液的液流。然后,从处理液喷出喷嘴120供给的处理液从浸泡槽111的上部溢出,所溢出的处理液被回收至与溢流槽112底部相连的排液回收部150。
升降器130是用于使基板W浸泡于浸泡槽111中所贮存的处理液中的机构。升降器130具有升降驱动源131、升降臂132、与升降臂连接的板部133以及呈悬臂梁状设置于板部133且保持基板W的3个基板保持构件(1个中央保持构件134和2个侧方保持构件135A、135B)。
升降器130的基板保持构件中的中央保持构件134是通过与位于基板W的中央的铅垂下方的基板外缘相接来保持基板的构件,该基板W被保持为上下表面位于水平方向的姿势(以下,也称为竖立姿势)。侧方保持构件135A、135B沿着被保持为竖立姿势的基板W的外缘以将中央保持构件134隔在中间的方式在其两侧方配置在距离中央保持构件134相同距离的位置。并且,中央保持构件134的上端以及侧方保持构件135A、135B的下端以在上下方向上具有规定间隔的方式配置。
图3是升降器130的板部133及上述3个基板保持构件的概要俯视图。如图3所示,基板保持构件分别具有梳齿部K,在该梳齿部K的长度方向上以具有规定间隔的方式配置有供基板W的外缘部嵌入从而将基板W以竖立姿势保持的多个槽。此外,梳齿部K的槽是为了保持基板W而以适当的宽度形成的,但若因药液的损害导致树脂涂层损耗而使该宽度变宽,则无法将基板W以正常的竖立姿势保持,从而产生邻接的基板W彼此接触的不良情况。
升降臂132、板部133、各基板保持构件134、135A、135B能够通过升降驱动源131而在铅垂方向上一体地升降。由此,升降器130能够使通过3个基板保持构件保持的以规定间隔平行排列的多个基板W,在浸泡于浸泡槽111中所贮存的处理液中的位置与位于处理槽110的上方且与运送机器人进行基板交接的位置之间升降。此外,升降驱动源131可以采用滚珠丝杠机构、传送带机构、气缸等公知的各种机构。
另外,在升降器130的板部133上设置有早期劣化部E1,该早期劣化部E1的树脂涂层的膜厚比其他部分薄。例如,在除早期劣化部E1以外的部位的涂层膜厚为150微米的情况下,早期劣化部E1以100微米的厚度被实施树脂涂层。早期劣化部E1配置在当使升降器130下降至在浸泡槽111中对基板W进行浸泡处理的位置时与处理液中接触(浸泡)的位置。
相机140以能够拍摄升降器130的早期劣化部E1的方式配置于基板处理装置100内的壁面。相机140例如具有CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合器件)图像传感器等光接收元件,在各个光接收元件中,根据光接收量将光转换为电荷。此外,在本实施例中,相机140具有用于R、G及B的各颜色成分的3个CCD图像传感器,从各光接收元件输出的电荷作为输出信号(拍摄数据)被输入至控制装置160。
照明装置145配置在能够对基板处理装置100内进行照明的装置的上方,例如,可使用如LED、荧光灯等普通光源,但优选所照射的光为白光。
排液回收部150回收从浸泡槽111向溢流槽112溢出的处理液。被回收至排液回收部150的排液(排出的液体)在净化处理后被送至处理液供给源125进行循环使用。或者,也可以为不进行排液的净化处理而向装置外排出的结构。
作为控制装置160的硬件的结构与普通的计算机相同。即,为具有键盘等输入部、监视器等输出部、CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)、ROM(Read onlymemory:只读存储器)、RAM(Random access memory:随机存取存储器)以及大容量存储装置等的结构。通过使控制装置160的CPU执行规定的处理程序,来控制基板处理装置100的运送机器人、处理液喷出喷嘴120、升降器130等各动作机构,从而进行基板处理装置100中的处理。
接着,对控制装置160的部件检查的功能进行说明。关于详细内容将在下文中进行叙述,但判断部161通过对由相机140拍摄的早期劣化部E1的图像进行图像处理来对构成基板处理装置100的部件的劣化进行判断处理(即部件的检查)。
信号处理部162根据由相机140获得的图像来获得RGB颜色成分的值。具体而言,接收从相机140输出的信号,对R、G、B的每种颜色成分分别进行阴影(shading)校正,从而校正每种光接收元件之输出电平的不均。此外,于本实施例中,将阴影校正后的各像素的R、G、B的每种颜色成分的亮度值设为用于进行判断的值,例如设为具有0~255的值范围。
检查基准存储部163由上述RAM或磁盘构成,且存储用于判断部161进行判断的判断阈值、检查基准、由相机140拍摄的新品部件图像的数据、劣化部件样品图像数据等。
输出部164输出包括检查结果的各种信息。典型而言,信息的输出目的地为监视器等显示装置,但也可以将信息输出到印刷装置,或从扬声器输出消息或警报,或以电子邮件等形式向用户的终端发送消息,或将信息发送到外部计算机。
(关于劣化判断处理方法)
接着,对由上述判断部161进行的部件的劣化判断处理进行说明。判断部161基于由相机140拍摄的图像对早期劣化部E1是否劣化进行检查。更具体而言,基于根据早期劣化部E1的图像数据获得的RGB颜色成分的颜色信息进行劣化判断。此外,在本实施例中,将早期劣化部E1作为劣化判断的对象,但真正的检查对象部是其以外的部分,例如升降器130的梳齿部K等。
此外,升降器130的梳齿部K在基板处理时会与处理液接触,但是若可能的话,早期劣化部E1优选设置于在基板处理时不会与处理液接触的位置,以免污染基板。在因基板处理装置中产生的药液蒸汽而导致升降器130处于劣化状态的情况下,即便将早期劣化部E1设置于升降器130的上方、升降器130的背板或浸泡槽111的上方等,在基板处理时也不会直接与处理液接触的位置,早期劣化部E1也会因药液蒸汽处于劣化状态。因此,可预先通过实验等来掌握早期劣化部E1的劣化进展与升降器130的梳齿部K的劣化之间的关联,由此,在避免基板污染风险的同时进行检查。
如上所述,早期劣化部E1的涂层膜厚设定为比其他部位薄,由此,与其他部位相比,会更早产生劣化现象(例如,树脂的损耗、剥落、起泡的产生、金属成分的溶出等)。因此,在早期劣化部E1中产生这种劣化现象时,若能够检测出该劣化现象,则在真正的检查对象部产生劣化现象之前,能够进行部件的更换、树脂的再涂层处理等应对措施。而且,早期劣化部E1的劣化现象的检测如下述那样通过基于使用规定阈值的基准(以下,称为早期劣化检测基准)的判断来进行即可。
另外,当判断为早期劣化部E1劣化的情况下,只要从输出部164发出警告即可。通过这种方式,能够防止继续使用不正常的部件。此外,从输出部164发出的警告可以为显示在监视器上的错误画面,也可以为从扬声器发出的警报音,也可以为警报灯的闪烁等。
图4是示出用于检测早期劣化部E1的劣化现象的设定判断基准时的处理流程的流程图。如图4所示,在新启动装置时或将部件更换为新品时,在作为检查对象的部件上设置早期劣化部(步骤S101)。其次,利用相机140拍摄早期劣化部,通过信号处理部162获得R、G、B的值(初始RGB值)(步骤S102)。然后,将初始RGB值保存于检查基准存储部163(步骤S103)。
接着,基于早期劣化部的初始RGB值,设定劣化判断阈值(步骤S104)。此外,该阈值例如可设为对初始RGB值加上(或减去)规定边限(margin)的值。
此外,由于早期劣化部的外观上的变化并非以均匀地遍及该早期劣化部的整体的方式而产生,因而必须定义劣化判断阈值与早期劣化检测基准之间的关系。即,规定由相机140获得的图像中的表示早期劣化部的像素的集合中的成为劣化判断阈值以上的像素为何种程度时发出警告。在本实施例中,以在所获得的图像中表示检查对象部件的像素的集合中的表示劣化判断阈值以上的值的像素超过规定数量的情况下发出警告的方式,设定早期劣化检测基准(步骤S105)。然后,将以这种方式设定的早期劣化检测基准登记到检查基准存储部163(步骤S106)。
此外,部件劣化的进展程度等因部件的种类、配置部件的部位、部件的材质、装置的用途(所使用的药液)等的不同而不同。因此,可以使用数据表为上述各种条件的每种组合设定劣化判断阈值。
接着,对早期劣化部E1的劣化判断的实施时点进行说明。基板处理装置100中的基板W的通常动作的概要是,运送机器人将从外部接收的未处理的批量的基板W载置于升降器130,并将其在贮存有处理液的浸泡槽111中浸泡规定时间后,由运送机器人接收,将已处理的批量的基板W运出而返还至外部。
根据以上内容可知,在基板W的浸泡处理中无法适当地拍摄浸泡在处理液中的早期劣化部E1。因此,在本实施例中,部件劣化判断是在基板处理装置100未进行基板W的浸泡处理的时点实施的。
图5是示出实施部件劣化判断处理的时点的一个示例的流程图。如图5所示,首先,在基板处理装置100中,在开始批量单位的基板处理之前的空闲时间,利用相机140拍摄早期劣化部E1(S111)。然后,信号处理部162根据所拍摄的图像的数据获得早期劣化部E1的像素的RGB值(步骤S112)。然后,判断部161对保存于检查基准存储部163的早期劣化检测基准与所获得的RGB值进行比较(步骤S113),在RGB值未超过早期劣化检测基准的情况下,实施一批量的基板处理(步骤S114)。另一方面,在所获得的RGB值超过判断基准的情况下,从输出部164输出报告部件劣化的警告(步骤S115)。
此外,实施部件劣化判断处理的时点并不限定于此,也可以在结束一批量单位的基板处理之后实施。
(变形例)
在上述第一实施例中,早期劣化部E1设置在升降器130的板部133中的浸泡于浸泡槽111的处理液中的位置,但也可以设置在除此以外的部位。图6示出将早期劣化部设置在其他部位的情况的一个示例。在本变形例中,早期劣化部E2设置在升降器130的板部133中的没有浸泡于处理液的部位。此外,在图6中,由点划线包围的部位表示浸泡在处理液中的部分。
基板处理中使用的药液也存在根据处理目的进行加热来使用的情况,在该情况下,升降器130的板部133即使为未浸泡于处理液中的部位,也会因加热后的药液的蒸汽而被侵蚀。因此,通过在这样的部位设置早期劣化部E2,并设定反映与浸泡在药液中的真正的检查对象部的劣化程度之间的相关关系的早期劣化检测基准,也能够在真正的检查对象部产生劣化现象之前检测出劣化。
此外,通过将早期劣化部E2设置在未浸泡于处理液的位置,在早期劣化部E2产生劣化现象时,能够减少因该劣化现象对处理液造成的不良影响(颗粒的产生、金属的溶出等)。
另外,可在各种位置设置多个早期劣化部,也可以将整个板部133设为早期劣化部。另外,也可以将一个部件作为装置整体中的早期劣化部。例如,也可以在浸泡槽111内设置具有(仅)作为早期劣化部的功能的新的部件。
另外,早期劣化部也可以构成为使树脂涂层的颜色与其基底的金属部分的颜色为不同颜色(更优选为具有互补色的关系的颜色)。通过以这种方式处理,能够容易地检测产生涂层剥落时的颜色(RGB值)变化,从而能够进行更有效率的检查。
<第二实施例>
其次,对本发明的第二实施例进行说明。图7是示出本实施例的基板处理装置200的概要结构图。此外,本实施例的基板处理装置200具有与第一实施例大致相同的结构,在早期劣化部E1中的劣化现象的检测方法上存在差异,因此,对与第一实施例相同的结构、处理的部分赋予相同的附图标记并省略详细说明。
如图7所示,本实施例中的基板处理装置200在结构上与第一实施例的不同点在于,作为劣化现象的检测单元,具有激光位移计170来代替第一实施例的相机140。另外,虽未图示,但在本实施例中,如后述那样,早期劣化部E1的构成与第一实施例不同。
首先,对本实施例中的早期劣化部E1的结构进行说明。设置有早期劣化部E1的部位与第一实施例的情况同样地为升降器130的板部133。更具体而言,该部位为,在使升降器130下降至在浸泡槽111中对基板W进行浸泡处理的位置时与处理液中接触(浸泡)的位置。并且,在本实施例中的早期劣化部E1中,用于涂层的树脂的材质与其他部分不同,使用浸透性比其他部分的树脂高的材质的树脂。例如,在使用PCTFE作为早期劣化部E1以外的部位的涂层树脂的情况下,在早期劣化部E1使用PFA作为涂层树脂。
其次,对激光位移计170进行说明。激光位移计170是通过三角测距的方式测量距对象物的距离的位移传感器。在升降器130处于位于处理槽110的上部的待机位置的状态下,激光位移计170被配置在将照射光水平地朝向早期劣化部E1照射的位置,并测量激光位移计170与早期劣化部E1之间的距离。并且,以这种方式测量出的距离的值被输入至控制装置160的信号处理部162。
此外,若在早期劣化部E1产生劣化现象,则早期劣化部E1的涂层膜厚也产生变化。即,在产生起泡的情况下,该部分的厚度增加,在树脂涂层剥落的情况或损耗的情况下,该部分的厚度减少。
此处,在基板处理装置200内,若确定了早期劣化部E1与激光位移计170之间的位置关系,则由激光位移计170测量出的距离根据早期劣化部E1的涂层膜厚的变化而变动。即,若早期劣化部E1的涂层膜厚增加,则测量距离变短,相反地,若涂层膜厚变薄,则测量距离变长。因此,可基于由激光位移计170测量出的距离来测量早期劣化部E1的厚度。
接着,对本实施例中的部件的检查进行说明。对于本实施例中的部件的检查,除基于激光位移计170与早期劣化部E1之间的距离(早期劣化部E1的厚度)来进行以外,以与第一实施例的处理相同的流程进行。即,控制装置160的判断部161通过将预先规定的阈值(早期劣化检测基准)与由激光位移计170测量出的值进行对比,来判断真正的检查对象部的劣化程度。以下,对本实施例中的早期劣化检测基准的设定处理进行说明。
图8是示出本实施例中的设定早期劣化检测基准时的处理流程的流程图。如图8所示,在新启动装置时或将部件更换为新品时,在作为检查对象的部件(例如升降器130)设置早期劣化部(步骤S201)。其次,决定(规定)早期劣化部的劣化判断膜厚,来作为部件的劣化判断的基准(步骤S202)。接下来,通过激光位移计170测量与早期劣化部之间的距离,并获得初始距离值(即初始膜厚)(步骤S203)。
接着,基于劣化判断膜厚和初始距离值来设定劣化判断阈值(步骤S204)。此外,在本实施例中,该劣化判断阈值直接用作早期劣化检测基准。然后,将以这种方式设定的早期劣化检测基准登记到检查基准存储部163中。
在本实施例中,实施检查的时点、检查处理的流程等与第一实施例大致相同。以下说明实施检查时的处理流程。图9是示出本实施例中的实施部件检查时的处理的示例的流程图。如图9所示,在基板处理装置200中,在一批量的基板处理结束之后,使升降器130上升并移动至待机位置(步骤S211、S212)。在该状态下,利用激光位移计170测量距早期劣化部E1的距离,并将测量出的该值输入至控制装置160(步骤S213)。其次,判断部161对保存在检查基准存储部163中的阈值与距离的值进行比较(步骤S214),在测量出的距离为上限阈值以下且下限阈值以上的范围内的情况下,直接结束本流程。另一方面,在步骤S214中,在测量出的距离为上限阈值以下且下限阈值以上的范围外的情况下,从输出部164发出报告部件劣化的警告信号(步骤S215)。通过在这样的时点进行检查,也能够验证已经处理过的批量的基板是否存在障碍(不良的产生程度)。
(变形例)
在上述第二实施例中,使用一个激光位移计170来测量与早期劣化部E1之间的距离(即早期劣化部E1的膜厚),但也可以使用多个激光位移计来测量早期劣化部E1的膜厚。具体而言,设置第二激光位移计,该第二激光位移计对升降器130的板部133上的设置有早期劣化部E1的面的相反侧的面的与早期劣化部E1对应的部位照射激光,从而从板部133的正反两面测量距离。
通过使用以这种方式获得的两个距离值,能够减少升降器130的配置位置的微小差异等测量中的噪声,从而更准确地测量早期劣化部E1的厚度。
<第三实施例>
接着,对本发明的第三实施例进行说明。图10是示出本实施例的基板处理装置300的概要结构图。此外,本实施例的基板处理装置300具有与第一实施例大致相同的结构,在早期劣化部E1中的劣化现象的检测方法上存在差异,因此,对于与第一实施例相同的结构、处理的部分赋予相同的附图标记,并省略详细说明。
如图10所示,本实施例中的基板处理装置300在结构上与第一实施例的不同点在于,作为劣化现象的检测单元,具有电阻率计180来代替第一实施例的相机140。以下,对使用电阻率计180的部件的劣化检查进行说明。
电阻率计180具有测量液体的电阻率值的传感器,该传感器以在向浸泡槽111供给处理液时能够与该处理液接触的方式(优选为以被浸泡的方式)设置于浸泡槽111的内壁。电阻率计180可以使用包括市售品在内的公知技术,但尤其是传感器部分优选为耐化学品性、耐热性优异的材料。
在上述结构中,利用电阻率计180测量处理液中的电阻率值,测量出的该值被输入至控制装置160的信号处理部162。此外,如图11所示,处理液中的电阻率值与金属(离子)浓度之间存在较强的相关关系。即,若树脂涂层产生劣化现象,则金属成分溶出至与该部位接触的液体(处理液)中,因而液体的金属离子浓度上升,与其成反比例地,处理液的电阻率值减少。因此,通过获得电阻率值,能够掌握液体中的金属成分的量。
基于以上前提,判断部161基于由电阻率计180获得的处理液的电阻率值,判断早期劣化部E1是否产生劣化(即,判断真正的检查对象部的劣化程度)。具体而言,将预先规定的阈值(早期劣化检测基准)与由电阻率计180测量出的电阻率值进行对比。以下,对这种早期劣化检测基准的设定处理进行说明。
图12是示出本实施例中的设定早期劣化检测基准时的处理流程的流程图。如图12所示,在新启动装置时或将部件更换为新品时,在作为检查对象的部件(例如升降器130)设置早期劣化部(步骤S301)。其次,在浸泡槽111中贮存处理液,其中,以使早期劣化部E1浸泡于处理液中的方式使升降器130下降,在该状态下,利用电阻率计180测量浸泡槽111中贮存的处理液的电阻率值(步骤S302)。然后,从电阻率计180获得电阻率值的控制装置160将该电阻率值的数据作为初始电阻率值保存在检查基准存储部163中(步骤S303)。
然后,基于该初始电阻率值,将减去规定边限的值作为阈值登记到检查基准存储部163中(步骤S304)。此外,在本实施例中,该阈值直接作为早期劣化检测基准。
此外,从处理液获得的电阻率值越为接近初始电阻率值的值,对象部件的金属溶出的程度越小。因此,例如,在欲使从产生警报起至进行部件更换等对应措施为止具有充裕的时间等情况下,可以将上述阈值预先设定为相对接近初始电阻率值的值。
在本实施例中,实施检查的时点、检查处理的流程等与第一实施例大致相同,能够在批量单位的基板处理之前或之后实施检查。但是,在本实施例中,在处理对象的基板W中不包括金属成分的情况下,即使在基板W的处理过程中也能够实施检查。以下,对该处理的流程进行说明。
图13是示出本实施例中的实施部件检查时的处理的示例的流程图。如图13所示,在基板处理装置300中,在进行基板W的处理时,使升降器130下降至早期劣化部E1浸泡于处理液中的位置(步骤S311)。然后,在该状态下,通过电阻率计180测量处理液中的电阻率值,并将该值输入至控制装置160(步骤S312)。其次,判断部161将保存在检查基准存储部163中的阈值与所获得的电阻率值进行比较(步骤S313),在该电阻率值超过阈值的情况下,继续进行基板处理(S314)。另一方面,在步骤S313中,在电阻率值没有超过阈值的情况下,从输出部164发送报告部件异常的警告信号(步骤S115)。
(变形例)
在上述第三实施例中,电阻率计180设置在浸泡槽111内,但设置电阻率计的位置未必限定于浸泡槽111内,只要为能够测量与早期劣化部E1接触的液体的电阻率值的位置,则可以设置在任何位置。例如,可以设置在溢流槽112的底部,也可以设置在排液回收部150内。
<其他>
此外,上述各实施例及变形例仅例示性地说明本发明,本发明并不限定于上述具体形态。本发明可在其技术思想的范围内进行各种变形。例如,也可以同时具有上述各实施例所记载的各种测量单元。通过实施这种多个不同的观点下的检查,能够实施精度更高的检查。
另外,也可以将本发明应用到所谓的单片式基板处理装置中。即,在单片式基板处理装置的构成部件(例如旋转夹盘)等上设置早期劣化部,利用上述任一实施例所记载的测量单元检测早期劣化部的劣化现象,由此,能够提早掌握真正的检查对象部的劣化。
附图标记说明
100、200、300:基板检查装置、
110:处理槽、
120:处理液喷出喷嘴、
130:升降器、
140:相机、
150:排液回收部、
160:控制装置、
170:激光位移计、
180:电阻率计、
E1、E2:早期劣化部、
W:基板。
Claims (22)
1.一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,
具有:
检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及
早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;
所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,
所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度。
2.一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,
具有:
检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及
早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;
所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,
所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述部件的劣化程度,
所述早期劣化部设置在所述部件的离开被实施了树脂涂层的部位且即使产生劣化也对所述基板或所述基板处理装置的不良影响较小的部位,通过设定预先反映了与所述部件中的树脂涂层相对于所述处理液的劣化之间的相关关系的早期劣化检测基准,在所述部件发生劣化之前,检测出其劣化。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述劣化检测单元具有厚度测量单元,该厚度测量单元测量所述早期劣化部的厚度,
所述劣化检测单元根据由该厚度测量单元测量出的所述早期劣化部的厚度,来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述厚度测量单元为激光位移计。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检查单元,基于由所述劣化检测单元检测的所述树脂涂层的劣化与规定的阈值的对比结果,来判断所述检查对象的部件的劣化程度。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述阈值,是根据包括所述基板处理装置的规格、所述基板处理的过程、所述处理液的供给条件中的至少一个条件的差异来设定的。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有输出单元,该输出单元输出由所述检查单元所判断出的检查对象的部件的劣化程度,
在由所述检查单元判断出的劣化程度超过规定的基准的情况下,所述输出单元输出警告信号。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述早期劣化部中的树脂涂层部分,与被涂敷了该树脂涂层的基底部分为不同的颜色。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
就所述早期劣化部的所述树脂涂层的材质而言,其膜厚比应被检查的所述部件的表面的树脂涂层的膜厚更薄,或者,浸透性比应被检查的所述部件的表面的树脂涂层的浸透性更高。
10.一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,
具有:
检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及
早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;
所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,
所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度,
所述劣化检测单元具有金属浓度测量单元,该金属浓度测量单元测量与所述早期劣化部接触的液体中的规定的金属的浓度,所述劣化检测单元根据测量出的该金属的浓度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
所述金属浓度测量单元为电阻率计。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述液体为对所述基板处理装置内部进行清洗的装置清洗液及/或所述处理液。
13.一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,
具有:
检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及
早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;
所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,
所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断所述部件的劣化程度,
所述劣化检测单元具有:
拍摄单元,拍摄所述早期劣化部的图像,以及
颜色信息提取单元,从该拍摄单元所拍摄的图像数据中获得颜色信息;
所述劣化检测单元根据由所述颜色信息提取单元获得的颜色信息,来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
所述颜色信息包括RGB成分的值。
15.一种基板处理装置,利用处理液进行基板处理,其特征在于,
具有:
检查单元,检查构成该基板处理装置的部件的劣化,所述部件是表面被涂敷有树脂涂层的部件,以及
早期劣化部,以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷了所述树脂涂层;
所述检查单元具有劣化检测单元,该劣化检测单元检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,
所述检查单元基于该劣化检测单元的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度,
所述部件是升降器,
将所述早期劣化部设置在所述升降器的上方的不浸泡在处理液中的位置、或者浸泡在处理液中但不与基板接触的位置。
16.一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,其特征在于,包括:
早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,
劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及
劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度。
17.一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,其特征在于,包括:
早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,
劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及
劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度,
所述部件是升降器,
在所述早期劣化部配置步骤中,将所述早期劣化部设置在所述升降器的上方的不浸泡在处理液中的位置、或者浸泡在处理液中但不与基板接触的位置。
18.根据权利要求16或17所述的基板处理装置的部件检查方法,其特征在于,
在所述劣化检测步骤中,测量所述早期劣化部的厚度,根据测量出的该早期劣化部的厚度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
19.根据权利要求16或17所述的基板处理装置的部件检查方法,其特征在于,
在所述劣化判断步骤中,基于在所述劣化检测步骤中检测出的所述早期劣化部中所述树脂涂层的劣化以及规定的阈值,来判断所述检查对象的部件的劣化程度。
20.根据权利要求16或17所述的基板处理装置的部件检查方法,其特征在于,还具有:
警告步骤,在所述劣化判断步骤中判断出的劣化程度超过规定的基准的情况下,输出警告信号。
21.一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,其特征在于,包括:
早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,
劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及
劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度,
在所述劣化检测步骤中,测量与所述早期劣化部接触的液体的金属浓度,根据测量出的该金属浓度来检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
22.一种基板处理装置的部件检查方法,对构成利用处理液进行基板处理的基板处理装置的、表面涂敷有树脂涂层的部件的劣化进行检查,其特征在于,包括:
早期劣化部配置步骤,在所述基板处理装置内设置早期劣化部,该早期劣化部以比所述部件中应被检查的所述部件的表面的树脂涂层更容易劣化的方式被涂敷有所述树脂涂层,
劣化检测步骤,检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化,以及
劣化判断步骤,基于该劣化检测步骤的检测结果,来判断检查对象的部件的劣化程度,
在所述劣化检测步骤中,拍摄所述早期劣化部的图像,从该拍摄的图像数据中获得颜色信息,并根据获得的该颜色信息检测所述早期劣化部中的树脂涂层的劣化。
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WO2024069933A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 株式会社Subaru | 樹脂製部品の劣化診断方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316182A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2001053018A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Sumitomo Eaton Noba Kk | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
JP2013056388A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Disco Corp | 加工装置 |
JP2014209605A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN106935734A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置、减压干燥装置和减压干燥装置的控制方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2777509B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1998-07-16 | 出光石油化学株式会社 | 色調検査方法 |
JP3183098B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2001-07-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置の基板保持具 |
JPH10217109A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-18 | Nippon Steel Corp | 研磨装置の被研磨材保持装置 |
JP3254520B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理方法及び洗浄処理システム |
JP2002096012A (ja) | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003092343A (ja) | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
WO2006035624A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316182A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2001053018A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Sumitomo Eaton Noba Kk | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
JP2013056388A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Disco Corp | 加工装置 |
JP2014209605A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN106935734A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置、减压干燥装置和减压干燥装置的控制方法 |
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