JP2001053018A - コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 - Google Patents
コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コーティング膜の検出方法及びこれに用いるイ
オン注入装置を提供すること。 【解決手段】電気伝導率が小さい物質でコーティング膜
を形成している機材、例えば、ウエハ支持体のディスク
(11)の表面上に同一コーティング膜を有する電気測定セ
ンサ(18)を設け、粒子ビーム等の照射による前記機材の
表面のコーティング膜の膜厚変化を前記センサ(18)から
の信号により検出する。これにより、イオンビームに照
射されるコーティング膜の寿命をいち早く検知して、デ
ィスク(11)から金属物質がスパッタリングで放出される
のを防ぐ。
オン注入装置を提供すること。 【解決手段】電気伝導率が小さい物質でコーティング膜
を形成している機材、例えば、ウエハ支持体のディスク
(11)の表面上に同一コーティング膜を有する電気測定セ
ンサ(18)を設け、粒子ビーム等の照射による前記機材の
表面のコーティング膜の膜厚変化を前記センサ(18)から
の信号により検出する。これにより、イオンビームに照
射されるコーティング膜の寿命をいち早く検知して、デ
ィスク(11)から金属物質がスパッタリングで放出される
のを防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入処理等
において使用される機材、例えば、ディスク表面のコー
ティング膜厚の状態を検出することに関する。また、デ
ィスク表面のコーティング膜が消耗して薄くなって行く
状態または無くなった部分が生じたことを検知するため
の方法、さらに、ディスク表面のコーティング膜の膜厚
をモニターするものに関する。
において使用される機材、例えば、ディスク表面のコー
ティング膜厚の状態を検出することに関する。また、デ
ィスク表面のコーティング膜が消耗して薄くなって行く
状態または無くなった部分が生じたことを検知するため
の方法、さらに、ディスク表面のコーティング膜の膜厚
をモニターするものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオン注入装置では、図１に示す
ウエハ２を載置するディスク１の材質として、軽量で強
度に優れ、かつ熱伝導率が良いアルミ合金が使用されて
きた。しかし、ディスクをアルミ合金で製作した場合、
アルミニウムをはじめとする合金組成材料がイオンビー
ムによりスパッタされてウエハを汚染してしまうことが
ある。このため、アルミ合金表面にシリコン(Si)等の物
質をコーティングしたディスクを使用することによって
ディスクからの金属汚染を低減するという方法がとられ
ている。
ウエハ２を載置するディスク１の材質として、軽量で強
度に優れ、かつ熱伝導率が良いアルミ合金が使用されて
きた。しかし、ディスクをアルミ合金で製作した場合、
アルミニウムをはじめとする合金組成材料がイオンビー
ムによりスパッタされてウエハを汚染してしまうことが
ある。このため、アルミ合金表面にシリコン(Si)等の物
質をコーティングしたディスクを使用することによって
ディスクからの金属汚染を低減するという方法がとられ
ている。
【０００３】しかし、ディスク表面のコーティング膜
は、イオンビーム照射によりスパッタリングされて徐々
に消耗していく。消耗度がディスク表面のアルミ合金面
まで達すると、消耗した部分からの金属汚染が生じる。
このため、表面をシリコン等でコーティングしたディス
クを使用する際には、コーティング膜の消耗が限界に達
する前に、ディスク表面のコーティング膜が消耗して薄
くなり無くなりつつあることを検知し、コーティング部
品交換等の処置を行なう必要がある。
は、イオンビーム照射によりスパッタリングされて徐々
に消耗していく。消耗度がディスク表面のアルミ合金面
まで達すると、消耗した部分からの金属汚染が生じる。
このため、表面をシリコン等でコーティングしたディス
クを使用する際には、コーティング膜の消耗が限界に達
する前に、ディスク表面のコーティング膜が消耗して薄
くなり無くなりつつあることを検知し、コーティング部
品交換等の処置を行なう必要がある。
【０００４】これまでも、注入イオンによるコーティン
グ物質のスパッタ率からコーティング寿命を予測するこ
とができたが、注入条件（注入イオン種、エネルギー、
注入ドーズ量）はイオン注入装置ごとに異なるため、従
来の方法では寿命を精度良く検知することはできない。
また、膜厚計等を使ってコーティング膜厚を実測する方
法では、測定に時間がかかるという欠点がある。
グ物質のスパッタ率からコーティング寿命を予測するこ
とができたが、注入条件（注入イオン種、エネルギー、
注入ドーズ量）はイオン注入装置ごとに異なるため、従
来の方法では寿命を精度良く検知することはできない。
また、膜厚計等を使ってコーティング膜厚を実測する方
法では、測定に時間がかかるという欠点がある。
【０００５】従来の技術では、コーティング膜厚の消耗
度を間接的に検知する方法等は知られていないが、本出
願人に係る実用新案登録公報第２，５７３，０２８号に
よれば、イオン注入装置において、ウエハを載置するデ
ィスク上にターゲット材料を支持する置き台部分を備
え、この置き台部分にターゲット材料を取付ける構成を
有して、イオン照射による前記置き台部分にロードされ
たターゲット材料の帯電量を軽減する装置が開発されて
いる。
度を間接的に検知する方法等は知られていないが、本出
願人に係る実用新案登録公報第２，５７３，０２８号に
よれば、イオン注入装置において、ウエハを載置するデ
ィスク上にターゲット材料を支持する置き台部分を備
え、この置き台部分にターゲット材料を取付ける構成を
有して、イオン照射による前記置き台部分にロードされ
たターゲット材料の帯電量を軽減する装置が開発されて
いる。
【０００６】この装置は、ウエハを載置するディスクの
プレート（ディスクカバー）を適当な材料、例えば、Ｓ
ｉやＳｉＣでコーティングして、チャージアップをより
効率良く抑えることができ、また、ウエハ等の汚染も軽
減できるようになっている。さらに、コーティングする
部分を小さなセグメントとすることによりコーティング
を容易にできる工夫が施されている。
プレート（ディスクカバー）を適当な材料、例えば、Ｓ
ｉやＳｉＣでコーティングして、チャージアップをより
効率良く抑えることができ、また、ウエハ等の汚染も軽
減できるようになっている。さらに、コーティングする
部分を小さなセグメントとすることによりコーティング
を容易にできる工夫が施されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の事情
に鑑みて、本発明は、イオンビームに照射されるコーテ
ィング膜の寿命をいち早く検知し、コーティング膜を形
成している機材の表面上から金属物質がスパッタリング
で放出されるのを防ぐためのコーティング膜の検出方法
及びこれを用いるイオン注入装置を提供することを目的
としている。
に鑑みて、本発明は、イオンビームに照射されるコーテ
ィング膜の寿命をいち早く検知し、コーティング膜を形
成している機材の表面上から金属物質がスパッタリング
で放出されるのを防ぐためのコーティング膜の検出方法
及びこれを用いるイオン注入装置を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、各請求項に記載の構成を有している。具
体的には、請求項１の発明では、低導電性物質によりコ
ーティング膜が形成されている機材の表面上に同一コー
ティング膜を有する電気測定センサを設け、粒子ビーム
等の照射による前記機材の表面のコーティング膜の膜厚
変化を前記センサからの信号により検出することを特徴
としている。
に、本発明は、各請求項に記載の構成を有している。具
体的には、請求項１の発明では、低導電性物質によりコ
ーティング膜が形成されている機材の表面上に同一コー
ティング膜を有する電気測定センサを設け、粒子ビーム
等の照射による前記機材の表面のコーティング膜の膜厚
変化を前記センサからの信号により検出することを特徴
としている。
【０００９】上記の構成によれば、電気測定センサと機
材の表面のコーティング膜が同一の材質であるために、
電気測定センサのコーティング膜の膜厚変化によって得
られるセンサからの信号を介して機材表面の膜厚変化を
検出することができる。
材の表面のコーティング膜が同一の材質であるために、
電気測定センサのコーティング膜の膜厚変化によって得
られるセンサからの信号を介して機材表面の膜厚変化を
検出することができる。
【００１０】また、請求項２による発明では、ウエハが
載置されるウエハ支持体のディスク上に形成される低導
電性物質の表面被膜と同材質のコーティング膜を形成す
る試料片を有する電気的測定センサを設け、イオン注入
時にイオンビームが前記試料片に当たることにより生じ
る電気的変化をセンサ信号として出力し、前記センサ信
号の値に基づいて、前記ディスク面におけるコーティン
グ膜の消耗度を検知する、各ステップを有することを特
徴としている。
載置されるウエハ支持体のディスク上に形成される低導
電性物質の表面被膜と同材質のコーティング膜を形成す
る試料片を有する電気的測定センサを設け、イオン注入
時にイオンビームが前記試料片に当たることにより生じ
る電気的変化をセンサ信号として出力し、前記センサ信
号の値に基づいて、前記ディスク面におけるコーティン
グ膜の消耗度を検知する、各ステップを有することを特
徴としている。
【００１１】上記の構成によれば、電気的測定センサの
試料片がディスクと同一の比率でコーティング膜が消耗
して薄くなり、この試料片からのセンサ信号によりディ
スク面のコーティング膜の消耗度を検知することができ
る。
試料片がディスクと同一の比率でコーティング膜が消耗
して薄くなり、この試料片からのセンサ信号によりディ
スク面のコーティング膜の消耗度を検知することができ
る。
【００１２】請求項５の発明では、電荷を有する物質が
電気的測定センサの試料片に流入することによる帯電量
の変化をセンサ信号の変化として検知し、この変化に基
づいてコーティング物質の膜厚の変化を測定するように
構成したことを特徴としている。
電気的測定センサの試料片に流入することによる帯電量
の変化をセンサ信号の変化として検知し、この変化に基
づいてコーティング物質の膜厚の変化を測定するように
構成したことを特徴としている。
【００１３】上記の構成によれば、試料片のコーティン
グ物質の膜厚の変化は、試料片に流入するイオンビーム
によるイオンや電子の帯電粒子による帯電量の変化に近
似的に比例するため、試料片の帯電量からディスク面に
おけるコーティング膜の消耗度を検知することができ
る。
グ物質の膜厚の変化は、試料片に流入するイオンビーム
によるイオンや電子の帯電粒子による帯電量の変化に近
似的に比例するため、試料片の帯電量からディスク面に
おけるコーティング膜の消耗度を検知することができ
る。
【００１４】請求項６の発明では、ディスク材料と同材
質のコーティング膜のない小さな検知面を有する基準値
センサをディスク上のウエハから離れたところに設け、
コーティング膜のある電気的測定センサによるセンサ信
号が、前記基準値センサから得られるセンサ信号の基準
値と一致する時点を検知するステップを更に有すること
を特徴としている。
質のコーティング膜のない小さな検知面を有する基準値
センサをディスク上のウエハから離れたところに設け、
コーティング膜のある電気的測定センサによるセンサ信
号が、前記基準値センサから得られるセンサ信号の基準
値と一致する時点を検知するステップを更に有すること
を特徴としている。
【００１５】上記の構成によれば、ディスク材料と同質
でコーティング膜のない基準値センサからのセンサ信号
と、電気的測定センサのコーティング膜が消耗してディ
スク材料と同一の表面が露出した時点における電気的測
定センサからのセンサ信号とを比較でき、２つのセンサ
信号が一致したとき、ディスク表面のコーティング膜厚
が消耗したことを検知できる。
でコーティング膜のない基準値センサからのセンサ信号
と、電気的測定センサのコーティング膜が消耗してディ
スク材料と同一の表面が露出した時点における電気的測
定センサからのセンサ信号とを比較でき、２つのセンサ
信号が一致したとき、ディスク表面のコーティング膜厚
が消耗したことを検知できる。
【００１６】請求項７の発明では、イオン注入装置にお
いて、ディスク上に取り付けられ、かつ前記ディスクの
表面被膜と同材質のコーティング膜を形成する試料片を
有する電気的測定センサと、この測定センサからのセン
サ信号によりコーティング膜の膜厚変化をモニターする
手段とを有することを特徴としている。
いて、ディスク上に取り付けられ、かつ前記ディスクの
表面被膜と同材質のコーティング膜を形成する試料片を
有する電気的測定センサと、この測定センサからのセン
サ信号によりコーティング膜の膜厚変化をモニターする
手段とを有することを特徴としている。
【００１７】上記構成によれば、電気的測定センサの試
料片によりディスクのコーティング膜の消耗状態が、セ
ンサ信号として検知され、このセンサ信号を測定してコ
ーティング膜の膜厚変化を監視することができる。
料片によりディスクのコーティング膜の消耗状態が、セ
ンサ信号として検知され、このセンサ信号を測定してコ
ーティング膜の膜厚変化を監視することができる。
【００１８】請求項８の発明では、制御装置によって、
電気的測定センサのコーティング膜厚の消耗度を決定す
ることができる。
電気的測定センサのコーティング膜厚の消耗度を決定す
ることができる。
【００１９】請求項９の発明では、ディスクの回転往復
運動により、イオンビームは、ウエハ表面に対して均一
にかつディスク円周回りに走査される。そのため、電気
的測定センサをウエハ間に少なくとも１つ配置すれば、
ビーム照射領域の範囲において、ディスク面と同様のコ
ーティング膜の膜厚変化が得られる。
運動により、イオンビームは、ウエハ表面に対して均一
にかつディスク円周回りに走査される。そのため、電気
的測定センサをウエハ間に少なくとも１つ配置すれば、
ビーム照射領域の範囲において、ディスク面と同様のコ
ーティング膜の膜厚変化が得られる。
【００２０】請求項１０の発明では、電気的測定センサ
の試料片とディスクの各表面のコーティング膜を同一の
膜厚または試料片の膜厚をわずかに薄くしたので、試料
片のコーティング膜の消耗度をディスク面のそれと比較
して、同一またはより早くさせることができる。
の試料片とディスクの各表面のコーティング膜を同一の
膜厚または試料片の膜厚をわずかに薄くしたので、試料
片のコーティング膜の消耗度をディスク面のそれと比較
して、同一またはより早くさせることができる。
【００２１】請求項１１の発明では、電気的測定センサ
の膜厚変化を、接地電位に対して発生する電圧の変化と
してセンサ信号を検知するので、電圧計等の測定器によ
り容易に、コーティング膜の変化を検出できる。
の膜厚変化を、接地電位に対して発生する電圧の変化と
してセンサ信号を検知するので、電圧計等の測定器によ
り容易に、コーティング膜の変化を検出できる。
【００２２】請求項１２の発明では、電気的測定センサ
により検出される電圧が、静電カップリング素子による
静電結合を介してセンサ信号として出力されるので、デ
ィスクの回転動作中での測定が可能となり、また、静電
カップリング素子同士を接触させる必要もないので、素
子の寿命を維持し、かつ精度の高い測定が可能となる。
により検出される電圧が、静電カップリング素子による
静電結合を介してセンサ信号として出力されるので、デ
ィスクの回転動作中での測定が可能となり、また、静電
カップリング素子同士を接触させる必要もないので、素
子の寿命を維持し、かつ精度の高い測定が可能となる。
【００２３】請求項１３及び請求項１４の発明では、デ
ィスクよりも高い位置あるいは低い位置に、電気的測定
センサのコーティング面を配置するので、センサの試料
片がディスク面からのスパッタリングの影響を受けなく
なる。また、ディスクとセンサの各コーティング膜を同
一平面上に配置すると、イオンビームの照射条件が同一
となり、コーティング膜厚が同じ割合で変化し、より検
出精度を向上させることができる。
ィスクよりも高い位置あるいは低い位置に、電気的測定
センサのコーティング面を配置するので、センサの試料
片がディスク面からのスパッタリングの影響を受けなく
なる。また、ディスクとセンサの各コーティング膜を同
一平面上に配置すると、イオンビームの照射条件が同一
となり、コーティング膜厚が同じ割合で変化し、より検
出精度を向上させることができる。
【００２４】請求項１５の発明では、コーティングをし
ていないディスク面と同材質の小さな検知面を有する基
準値センサを設けたので、電気測定センサと基準値セン
サの各センサ信号を比較してコーティング膜の膜厚変化
を検出することができる。
ていないディスク面と同材質の小さな検知面を有する基
準値センサを設けたので、電気測定センサと基準値セン
サの各センサ信号を比較してコーティング膜の膜厚変化
を検出することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面に基づい
て説明する。図４は、一般的なイオン注入装置１を示
す。イオン注入装置１は、イオン源２、引出電極３、質
量分析装置４、質量分析スリット５、ウェハ処理のため
のディスク室６等を備え、基台７に支持された該ディス
ク室６内にウエハ８を載置するためのウエハ支持体１０
を設け、このウエハ支持体１０は、その前面にディスク
１１を有し、ディスクが回転軸線Ａを中心に回転駆動さ
れるとともに回転軸に直交する方向Ｂに往復運動がで
き、イオンビームがウエハ上を走査する構成となつてい
る。
て説明する。図４は、一般的なイオン注入装置１を示
す。イオン注入装置１は、イオン源２、引出電極３、質
量分析装置４、質量分析スリット５、ウェハ処理のため
のディスク室６等を備え、基台７に支持された該ディス
ク室６内にウエハ８を載置するためのウエハ支持体１０
を設け、このウエハ支持体１０は、その前面にディスク
１１を有し、ディスクが回転軸線Ａを中心に回転駆動さ
れるとともに回転軸に直交する方向Ｂに往復運動がで
き、イオンビームがウエハ上を走査する構成となつてい
る。
【００２６】ディスク１１の、一般的に、イオン注入処
理等においてウエハを載置するために使用される機材
は、アルミニウム等の金属で構成され、このディスク上
にウエハ８を着脱可能に固定する複数のウェハ載置用ペ
デスタル１４が設けられる。また、ペデスタル１４の面
を除くディスク面の全部もしくはその一部分の表面にシ
リコン等の被膜材料がコーティングされている。
理等においてウエハを載置するために使用される機材
は、アルミニウム等の金属で構成され、このディスク上
にウエハ８を着脱可能に固定する複数のウェハ載置用ペ
デスタル１４が設けられる。また、ペデスタル１４の面
を除くディスク面の全部もしくはその一部分の表面にシ
リコン等の被膜材料がコーティングされている。
【００２７】このコーティング膜１６（図１参照）は、
ここでは、一般的に低導電性物質と称するもの、即ち、
ディスク材料（アルミニウム等）より電気伝導率が小さ
く、限界的には、限りなくゼロに近い値を有する物質で
あり、この物質の中には、シリコン等（Ｓｉ，ＳｉＣ）
の半導体物質も包含されるものである。
ここでは、一般的に低導電性物質と称するもの、即ち、
ディスク材料（アルミニウム等）より電気伝導率が小さ
く、限界的には、限りなくゼロに近い値を有する物質で
あり、この物質の中には、シリコン等（Ｓｉ，ＳｉＣ）
の半導体物質も包含されるものである。
【００２８】本実施形態では、ディスク自体にコーティ
ング膜を形成したが、この表面被膜は、粒子ビームまた
はイオンビームが照射されるディスク上を覆っていれば
良いので、ディスク表面上に分割してボルト等で取付け
られるディスクカバーの表面に設けてもよい。この場合
には、ディスク表面のコーティング膜がなくならない限
り、イオン注入によるスパッタリングによってディスク
表面から金属分子が放出してウエハに付着する現象が防
止される。
ング膜を形成したが、この表面被膜は、粒子ビームまた
はイオンビームが照射されるディスク上を覆っていれば
良いので、ディスク表面上に分割してボルト等で取付け
られるディスクカバーの表面に設けてもよい。この場合
には、ディスク表面のコーティング膜がなくならない限
り、イオン注入によるスパッタリングによってディスク
表面から金属分子が放出してウエハに付着する現象が防
止される。
【００２９】図１に示すように、ディスク室６内のイオ
ンビームが照射される領域、即ち、ディスク上のウエハ
から離れたところには、電気的測定センサ１８が少なく
とも１つ設置される。この電気的測定センサ１８は、デ
ィスク１１と電気的に絶縁され、センサ信号によりディ
スク表面のコーティング膜厚を検知するように構成され
ている。
ンビームが照射される領域、即ち、ディスク上のウエハ
から離れたところには、電気的測定センサ１８が少なく
とも１つ設置される。この電気的測定センサ１８は、デ
ィスク１１と電気的に絶縁され、センサ信号によりディ
スク表面のコーティング膜厚を検知するように構成され
ている。
【００３０】図１に示すように、電気的測定センサ１８
は、好ましくは、ディスク上の周回りに配置されるウエ
ハ載置用のペデスタル１４間に少なくとも１つが設置さ
れる。この測定センサの取付位置は、理論上、ディスク
の半径方向におけるイオンビームの照射幅（Ｓ）にディ
スクの往復運動による半径方向移動距離（ｎ）の２倍を
加えた長さの環状領域の範囲（図１中で部分的に斜線で
示す部分）、即ち、Ｐ領域内であり、これは、ウエハが
配置される領域を除いた部分となる。
は、好ましくは、ディスク上の周回りに配置されるウエ
ハ載置用のペデスタル１４間に少なくとも１つが設置さ
れる。この測定センサの取付位置は、理論上、ディスク
の半径方向におけるイオンビームの照射幅（Ｓ）にディ
スクの往復運動による半径方向移動距離（ｎ）の２倍を
加えた長さの環状領域の範囲（図１中で部分的に斜線で
示す部分）、即ち、Ｐ領域内であり、これは、ウエハが
配置される領域を除いた部分となる。
【００３１】図２及び図３(a) は、本発明に係る電気的
測定センサ１８の一実施形態を示している。この電気的
測定センサ１８は、ウエハ８，８の間に設けられ、小さ
なセンサチップからなる試料片２０と、このチップの回
りを覆うプレート２１からなる２つの電極、これらの電
極表面にシリコン等の物質を被膜したコーティング膜２
２、各電極をディスク１１と分離する絶縁体（絶縁部）
２４を有する。
測定センサ１８の一実施形態を示している。この電気的
測定センサ１８は、ウエハ８，８の間に設けられ、小さ
なセンサチップからなる試料片２０と、このチップの回
りを覆うプレート２１からなる２つの電極、これらの電
極表面にシリコン等の物質を被膜したコーティング膜２
２、各電極をディスク１１と分離する絶縁体（絶縁部）
２４を有する。
【００３２】試料片２０とプレート２１の各電極は、通
常、アルミニウムで作られ、その上面がディスク部分と
同様にシリコンのコーティング膜２２で覆われ、下面に
絶縁体２４が配置されたサンドイッチ構造となってい
る。これらの各電極は、絶縁体２４によりディスク１１
から絶縁され、電線を通じて１つのコンデンサ２５また
は２６に接続され、各コンデンサの他端がアース端子に
接地される。そして、センサ１８は、絶縁体２４の底面
側に配置されたセンサ支持体２７をねじ２８等の締結具
を用いて、ディスク裏面側から固定されている。
常、アルミニウムで作られ、その上面がディスク部分と
同様にシリコンのコーティング膜２２で覆われ、下面に
絶縁体２４が配置されたサンドイッチ構造となってい
る。これらの各電極は、絶縁体２４によりディスク１１
から絶縁され、電線を通じて１つのコンデンサ２５また
は２６に接続され、各コンデンサの他端がアース端子に
接地される。そして、センサ１８は、絶縁体２４の底面
側に配置されたセンサ支持体２７をねじ２８等の締結具
を用いて、ディスク裏面側から固定されている。
【００３３】電気的測定センサ１８は、試料片２０だけ
でも検出できるが、図３(a) に示すように、この試料片
２０の周辺を、別のコンデンサ２６を介して接地された
外乱ノイズ防止用のプレート２１で囲むように構成する
ことが望ましい。そして、センサ１８は、接地電圧と試
料片２０との間に接続されたコンデンサ２５間の電圧を
センサ信号Ｖとして出力するように構成されている。
でも検出できるが、図３(a) に示すように、この試料片
２０の周辺を、別のコンデンサ２６を介して接地された
外乱ノイズ防止用のプレート２１で囲むように構成する
ことが望ましい。そして、センサ１８は、接地電圧と試
料片２０との間に接続されたコンデンサ２５間の電圧を
センサ信号Ｖとして出力するように構成されている。
【００３４】このように構成された電気的測定センサ１
８は、ウエハ載置領域を除く、ビームの照射を受けると
ころであれば、ディスク面上のいずれに設けてもよく、
ペデスタル１４上に載置固定されたウエハ１２の上面と
電気的測定センサ１８の検出面は、ディスク上面に適宜
の高さで配置されているが、図３(a) に示すように、デ
ィスク上面から略同一高さｈとなるように構成してもよ
い。
８は、ウエハ載置領域を除く、ビームの照射を受けると
ころであれば、ディスク面上のいずれに設けてもよく、
ペデスタル１４上に載置固定されたウエハ１２の上面と
電気的測定センサ１８の検出面は、ディスク上面に適宜
の高さで配置されているが、図３(a) に示すように、デ
ィスク上面から略同一高さｈとなるように構成してもよ
い。
【００３５】また、図３(a) とは逆に、ディスクに凹部
空間Ｅ（図３(b) 参照）または貫通孔Ｆ（図３(c) 参
照）あるいはディスク端部に切欠きＧ（図３(d) 参照）
を設け、その中に電気的測定センサ１８を配置すること
もできる。電気的測定センサ１８は、絶縁体２４の底面
側の支持体２３をディスク裏面からねじで固定される。
空間Ｅ（図３(b) 参照）または貫通孔Ｆ（図３(c) 参
照）あるいはディスク端部に切欠きＧ（図３(d) 参照）
を設け、その中に電気的測定センサ１８を配置すること
もできる。電気的測定センサ１８は、絶縁体２４の底面
側の支持体２３をディスク裏面からねじで固定される。
【００３６】また、電気的測定センサの信号の大きさ
は、イオン注入の条件により種々異なるが、例えば、試
料片２０の表面のコーティング膜が消耗していない場合
では、約１０Ｖ、コーティング膜が消耗した場合では、
約３０Ｖとなり、両者の電圧変化により、コーティング
膜厚の消耗度を検知することが可能となる。
は、イオン注入の条件により種々異なるが、例えば、試
料片２０の表面のコーティング膜が消耗していない場合
では、約１０Ｖ、コーティング膜が消耗した場合では、
約３０Ｖとなり、両者の電圧変化により、コーティング
膜厚の消耗度を検知することが可能となる。
【００３７】以上説明した、本発明に係る電気的測定セ
ンサは、そのコーティング面がディスク面よりも高い位
置あるいは低い位置に、所定距離離れて配置され、さら
に試料片の回りを取り巻くプレートを配置するので、セ
ンサの試料片がディスク面からのスパッタリングの影響
を受けることがない。また、ディスクとセンサの各コー
ティング膜が同一平面上に配置されると、イオンビーム
の照射条件が同一となり、コーティング膜厚が共に同じ
割合で変化するので、より検出精度を向上させることも
可能である。
ンサは、そのコーティング面がディスク面よりも高い位
置あるいは低い位置に、所定距離離れて配置され、さら
に試料片の回りを取り巻くプレートを配置するので、セ
ンサの試料片がディスク面からのスパッタリングの影響
を受けることがない。また、ディスクとセンサの各コー
ティング膜が同一平面上に配置されると、イオンビーム
の照射条件が同一となり、コーティング膜厚が共に同じ
割合で変化するので、より検出精度を向上させることも
可能である。
【００３８】次に、図２に示された電気的測定センサ１
８を用いて、本発明のコーティング膜の検出方法及びセ
ンサの作動を説明する。
８を用いて、本発明のコーティング膜の検出方法及びセ
ンサの作動を説明する。
【００３９】まず、イオン注入装置のディスク室内に設
けられたディスク上に、ディスク表面の被膜と同材質の
コーティング膜を形成する試料片を有する電気的測定セ
ンサを取り付ける。
けられたディスク上に、ディスク表面の被膜と同材質の
コーティング膜を形成する試料片を有する電気的測定セ
ンサを取り付ける。
【００４０】そして、イオン注入中にイオンや電子が試
料片であるセンサチップ２０に衝突すると、接地電位に
対して電圧Ｖが発生する。この電圧は、回転するディス
ク１１から、直接配線によるか、または、図４及びその
一部を拡大した図５に示すように、ディスク１１の裏面
とディスク室に一対として設けた静電カップリング素子
３０による静電結合により取り出され、基台７側へ伝達
されて、電気的測定センサの試料片における帯電量の変
化、即ち、電圧変化をセンサ信号として出力する。
料片であるセンサチップ２０に衝突すると、接地電位に
対して電圧Ｖが発生する。この電圧は、回転するディス
ク１１から、直接配線によるか、または、図４及びその
一部を拡大した図５に示すように、ディスク１１の裏面
とディスク室に一対として設けた静電カップリング素子
３０による静電結合により取り出され、基台７側へ伝達
されて、電気的測定センサの試料片における帯電量の変
化、即ち、電圧変化をセンサ信号として出力する。
【００４１】この出力信号により、コーティング膜厚の
変化をモニターする手段としての電圧計等の電気測定器
（図示略）を通じて試料片の帯電電圧が検知され、さら
に、この出力値からコーティング膜の膜厚の消耗度を得
るための関係式を含んだソフトプログラムを含む制御装
置によってコーティング膜を施したディスクまたはディ
スクカバーの最適交換時期を決定する。
変化をモニターする手段としての電圧計等の電気測定器
（図示略）を通じて試料片の帯電電圧が検知され、さら
に、この出力値からコーティング膜の膜厚の消耗度を得
るための関係式を含んだソフトプログラムを含む制御装
置によってコーティング膜を施したディスクまたはディ
スクカバーの最適交換時期を決定する。
【００４２】本発明に用いる電気的測定センサ１８の試
料片２０のコーティング面の膜厚（通常、数１００μ）
は、ディスク部分と同程度の膜厚とするが、さらに、コ
ーティング膜厚をディスク部分よりわずかに薄くして、
ディスク表面中で最も早くコーティング膜が消耗するよ
うにしておくと、コーティング膜がなくなったことの検
知時期を少し早めることができ、これに基づき、ディス
クの交換時期を適正にすることができる。
料片２０のコーティング面の膜厚（通常、数１００μ）
は、ディスク部分と同程度の膜厚とするが、さらに、コ
ーティング膜厚をディスク部分よりわずかに薄くして、
ディスク表面中で最も早くコーティング膜が消耗するよ
うにしておくと、コーティング膜がなくなったことの検
知時期を少し早めることができ、これに基づき、ディス
クの交換時期を適正にすることができる。
【００４３】また、本発明の他の実施形態によれば、デ
ィスク材料と同材質のコーティング膜のない小さな検知
面を有する基準値センサをディスク上のウエハから離れ
たところに設け、電気的測定センサと基準値センサによ
り、コーティング膜厚を検知する。すなわち、コーティ
ング膜のある電気的測定センサによるセンサ信号が、基
準値センサから得られるセンサ信号の基準値と一致する
時点を検知することにより、ディスク面上のコーティン
グ膜が消耗したことを確認できる。
ィスク材料と同材質のコーティング膜のない小さな検知
面を有する基準値センサをディスク上のウエハから離れ
たところに設け、電気的測定センサと基準値センサによ
り、コーティング膜厚を検知する。すなわち、コーティ
ング膜のある電気的測定センサによるセンサ信号が、基
準値センサから得られるセンサ信号の基準値と一致する
時点を検知することにより、ディスク面上のコーティン
グ膜が消耗したことを確認できる。
【００４４】図６は、このような場合において、シリコ
ンでコーティングしたディスクについてのセンサ信号の
測定結果である。この図には、センサチップ表面にシリ
コンコーティングを行なっている場合の信号と、センサ
チップにシリコンコーティングを行なっていない場合の
信号を示している。センサチップ表面のシリコンコーテ
ィングが消耗していない状態ではセンサ信号は小さい値
を示すが、注入ドーズ量が多くなってスパッタが進行
し、センサチップ２０の表面の一部にアルミニウムが露
出するまで消耗が進むと、センサ信号はシリコンコーテ
ィングを行なわない場合と同程度の大きさになる。
ンでコーティングしたディスクについてのセンサ信号の
測定結果である。この図には、センサチップ表面にシリ
コンコーティングを行なっている場合の信号と、センサ
チップにシリコンコーティングを行なっていない場合の
信号を示している。センサチップ表面のシリコンコーテ
ィングが消耗していない状態ではセンサ信号は小さい値
を示すが、注入ドーズ量が多くなってスパッタが進行
し、センサチップ２０の表面の一部にアルミニウムが露
出するまで消耗が進むと、センサ信号はシリコンコーテ
ィングを行なわない場合と同程度の大きさになる。
【００４５】このセンサによるコーティング膜の寿命の
検知は、次のように行なう。あらかじめ測定しておい
た、センサチップ表面にシリコン等のコーティングを行
なっていない状態でのセンサ信号の大きさを基準として
参照する。また、コーティングをしていないディスク面
と同材質の小さめの基準値用の前記同じ構造の電気的測
定センサをディスク上に設けて、イオン注入の開始前、
注入中に適宜そのセンサ信号値を基準値もしくは補正値
として参照するように構成してもよい。
検知は、次のように行なう。あらかじめ測定しておい
た、センサチップ表面にシリコン等のコーティングを行
なっていない状態でのセンサ信号の大きさを基準として
参照する。また、コーティングをしていないディスク面
と同材質の小さめの基準値用の前記同じ構造の電気的測
定センサをディスク上に設けて、イオン注入の開始前、
注入中に適宜そのセンサ信号値を基準値もしくは補正値
として参照するように構成してもよい。
【００４６】シリコンコーティングしたディスクを使用
したイオン注入中に適宜センサ信号を基準値と比較し、
基準値と等しくなった時点で、シリコンコーティングが
消耗し寿命が近づいたことを検知する。
したイオン注入中に適宜センサ信号を基準値と比較し、
基準値と等しくなった時点で、シリコンコーティングが
消耗し寿命が近づいたことを検知する。
【００４７】電気的測定センサチップのコーティング膜
厚をディスク部分よりわずかに薄い膜厚とするように構
成したとき、センサチップのシリコンコーティングは、
ディスク表面中で最も早く消耗してしまうことになる。
この結果、センサチップ表面のシリコンコーティングが
消耗した時点では、他のディスク部分のコーティング
は、わずかに残っている状態である。センサチップの面
積は小さいため、その表面のコーティングが消耗しても
金属汚染増加要因とはならない。これらの作用によっ
て、ディスク表面のシリコンコーティングが消耗する前
にその寿命を精度良く検知することができるようにな
る。
厚をディスク部分よりわずかに薄い膜厚とするように構
成したとき、センサチップのシリコンコーティングは、
ディスク表面中で最も早く消耗してしまうことになる。
この結果、センサチップ表面のシリコンコーティングが
消耗した時点では、他のディスク部分のコーティング
は、わずかに残っている状態である。センサチップの面
積は小さいため、その表面のコーティングが消耗しても
金属汚染増加要因とはならない。これらの作用によっ
て、ディスク表面のシリコンコーティングが消耗する前
にその寿命を精度良く検知することができるようにな
る。
【００４８】また、ディスク上の各ウェハ載置用ペデス
タルと電気的測定センサをディスク上に設置するが、載
置固定されたウエハの上面、電気的測定センサの検出面
は、ディスク上面に対して、それぞれ別の設置高さでも
電気的測定センサの検出に差し支えはないが、電気的測
定センサをディスク上に少し突出して設置し、載置固定
されたウエハの上面と電気的測定センサの検出面はディ
スク上面から略同一高さとなるように構成すると、条件
が同様となり検出精度が向上する。
タルと電気的測定センサをディスク上に設置するが、載
置固定されたウエハの上面、電気的測定センサの検出面
は、ディスク上面に対して、それぞれ別の設置高さでも
電気的測定センサの検出に差し支えはないが、電気的測
定センサをディスク上に少し突出して設置し、載置固定
されたウエハの上面と電気的測定センサの検出面はディ
スク上面から略同一高さとなるように構成すると、条件
が同様となり検出精度が向上する。
【００４９】本発明の他の実施形態によれば、コーティ
ング膜の膜厚の変化を、センサへの電荷をもった物体の
流入による帯電量の変化をセンサ信号の変化として検知
するように構成することもできる。
ング膜の膜厚の変化を、センサへの電荷をもった物体の
流入による帯電量の変化をセンサ信号の変化として検知
するように構成することもできる。
【００５０】試料片の帯電量の変化は、コンデンサ間の
電圧変化として検出でき、さらに、この電圧変化から出
力されるセンサ信号の変化が生じ、予め測定された対照
表を用いて、コーティング膜厚を算出する。
電圧変化として検出でき、さらに、この電圧変化から出
力されるセンサ信号の変化が生じ、予め測定された対照
表を用いて、コーティング膜厚を算出する。
【００５１】また、センサ信号の値に基づいて、ディス
ク面におけるコーティング膜の消耗度を検知するには、
予めコーティング膜厚が異なるいくつかのセンサを用い
て、センサ上のコーティング膜厚とセンサ信号の大きさ
との関係を調べておき、これを対照表として制御装置に
記憶させておく。制御装置は、実際のイオン注入時のセ
ンサ信号の大きさから、上記対照表を使ってコーティン
グ膜厚を算出する。予め、コーティング膜厚の下限値
（センサー信号の上限値）を決めておき、この値を逸脱
した場合には、注入動作を行わないようなインターロッ
クを設けるように制御してもよい。
ク面におけるコーティング膜の消耗度を検知するには、
予めコーティング膜厚が異なるいくつかのセンサを用い
て、センサ上のコーティング膜厚とセンサ信号の大きさ
との関係を調べておき、これを対照表として制御装置に
記憶させておく。制御装置は、実際のイオン注入時のセ
ンサ信号の大きさから、上記対照表を使ってコーティン
グ膜厚を算出する。予め、コーティング膜厚の下限値
（センサー信号の上限値）を決めておき、この値を逸脱
した場合には、注入動作を行わないようなインターロッ
クを設けるように制御してもよい。
【００５２】以上説明した、本発明に係る方法によれ
ば、ディスクは、センサによるコーティング膜厚検知機
能をもつことになる。
ば、ディスクは、センサによるコーティング膜厚検知機
能をもつことになる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ載置用の機材の
表面被膜と同材質のコーティング膜を有する電気的測定
センサを機材表面に設け、このコーティング膜の膜厚変
化をセンサ信号として検知することにより、ディスク表
面のコーティング膜が消耗する前に、この膜の寿命をタ
イミング良く検知でき、かつその検知精度を向上させる
とともに、コーティング膜の消耗度検査に要する時間を
短縮することができる。
表面被膜と同材質のコーティング膜を有する電気的測定
センサを機材表面に設け、このコーティング膜の膜厚変
化をセンサ信号として検知することにより、ディスク表
面のコーティング膜が消耗する前に、この膜の寿命をタ
イミング良く検知でき、かつその検知精度を向上させる
とともに、コーティング膜の消耗度検査に要する時間を
短縮することができる。
【００５４】また、本発明によれば、電気的測定センサ
および基準値センサを設けることにより、機材表面もし
くはディスク表面が、センサによるコーティング膜厚検
知機能を有するとともに、イオン注入中に、適宜センサ
信号を基準値と比較し、基準値と等しくなった時点で、
ディスク表面上のコーティング膜が消耗し寿命が近づい
たことを検知することができる。
および基準値センサを設けることにより、機材表面もし
くはディスク表面が、センサによるコーティング膜厚検
知機能を有するとともに、イオン注入中に、適宜センサ
信号を基準値と比較し、基準値と等しくなった時点で、
ディスク表面上のコーティング膜が消耗し寿命が近づい
たことを検知することができる。
【００５５】さらに、ディスクの回転および往復運動に
より、イオンビームが照射されるディスク上の範囲内に
おいて、電気的測定センサはディスク上のウエハから離
れたところに少なくとも１つ配置されるので、センサの
試料片の小さい検出面とディスク面は同じ速度でコーテ
ィング膜が消耗する。その結果、試料片に流入する帯電
量の変化をセンサ信号としてモニターすることにより、
ディスク表面のコーティング膜の膜厚変化を検出するこ
とができる。
より、イオンビームが照射されるディスク上の範囲内に
おいて、電気的測定センサはディスク上のウエハから離
れたところに少なくとも１つ配置されるので、センサの
試料片の小さい検出面とディスク面は同じ速度でコーテ
ィング膜が消耗する。その結果、試料片に流入する帯電
量の変化をセンサ信号としてモニターすることにより、
ディスク表面のコーティング膜の膜厚変化を検出するこ
とができる。
【００５６】また、電気的測定センサの試料片のコーテ
ィング膜厚をディスク部分よりわずかに薄い膜厚とする
ように構成することにより、ディスク面のコーティング
膜を消耗させて直接素地が露出することを回避できるの
で、ディスク材料の露出金属面におけるスパッタリング
等の不具合を未然に防ぎ、ディスクを適切な時期に交換
できる。
ィング膜厚をディスク部分よりわずかに薄い膜厚とする
ように構成することにより、ディスク面のコーティング
膜を消耗させて直接素地が露出することを回避できるの
で、ディスク材料の露出金属面におけるスパッタリング
等の不具合を未然に防ぎ、ディスクを適切な時期に交換
できる。
【００５７】イオン注入装置以外でも、シリコン等でコ
ーティングされた部分がイオンビームに照射される場合
のシリコンコーティング膜の寿命検知に応用することが
できる。
ーティングされた部分がイオンビームに照射される場合
のシリコンコーティング膜の寿命検知に応用することが
できる。
【図１】本発明によるウエハを載置するディスク上に１
つの電気的測定センサを配置した平面図である。
つの電気的測定センサを配置した平面図である。
【図２】本発明に係る電気的測定センサの構成を示した
図である。
図である。
【図３】図３(a) は、図２に示す電気的測定センサをＣ
−Ｃ線に沿って見たディスク上での断面構造を示す図で
あり、また、図３(b) ないし図３(d) は、図３(a) に示
す電気測定センサの取付構造の他の実施形態を示す図で
ある。
−Ｃ線に沿って見たディスク上での断面構造を示す図で
あり、また、図３(b) ないし図３(d) は、図３(a) に示
す電気測定センサの取付構造の他の実施形態を示す図で
ある。
【図４】本発明に使用するイオン注入装置の概略構成図
である。
である。
【図５】図４における構成の一部である静電カップリン
グ素子の配置を示す拡大図である。
グ素子の配置を示す拡大図である。
【図６】本発明の係るセンサ信号と注入ドーズ量との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【符号の説明】 １ イオン注入装置 ６ ディスク室 ８ ウエハ １０ ウエハ支持体 １１ ディスク １６ コーティング膜 １８ 電気的測定センサ ２０ 試料片 ２１ プレート ２２ コーティング膜 ２４ 絶縁体 ２５，２６ コンデンサ ３０ 静電カップリング素子
Claims (15)
- 【請求項１】低導電性物質によりコーティング膜が形成
されている機材の表面上に同一コーティング膜を有する
電気測定センサを設け、粒子ビーム等の照射による前記
機材の表面のコーティング膜の膜厚変化を前記センサか
らの信号により検出することを特徴とするコーティング
膜の検出方法。 - 【請求項２】ウエハが載置されるウエハ支持体のディス
ク上に形成される低導電性物質の表面被膜と同材質のコ
ーティング膜が形成される試料片を有する電気的測定セ
ンサを前記ディスク上に設け、 イオン注入時にイオンビームが前記試料片に衝突するこ
とにより生じる電気的変化をセンサ信号として出力し、 前記センサ信号の値に基づいて、前記ディスク面におけ
るコーティング膜の消耗度を検知する、各ステップを有
することを特徴とするコーティング膜の検出方法。 - 【請求項３】コーティング膜は、ディスク材料より電気
伝導率が小さい、シリコン等の半導体物質もしくは低導
電性物質で構成されている請求項２記載のコーティング
膜の検出方法。 - 【請求項４】電気的測定センサは、プレートと試料片か
らなる２つの電極、絶縁部、およびコーティング膜を有
し、このコーティング膜の膜厚の変化をセンサ信号の変
化として検知するように構成した請求項２記載のコーテ
ィング膜の検出方法。 - 【請求項５】電荷を有する粒子が電気的測定センサの試
料片に流入することによる帯電量の変化をセンサ信号の
変化として検知し、この変化に基づいてコーティング膜
の膜厚の変化を測定するように構成した請求項４記載の
コーティング膜の検出方法。 - 【請求項６】ディスク材料と同材質のコーティング膜の
ない小さな検知面を有する基準値センサをディスク上の
ウエハから離れたところに設け、コーティング膜のある
電気的測定センサによるセンサ信号が、前記基準値セン
サから得られるセンサ信号の基準値と一致する時点を検
知するステップを更に有している請求項２記載のコーテ
ィング膜の検出方法。 - 【請求項７】イオン源と引出電極、質量分析装置と質量
分析スリット、ウェハ処理のためのディスク室を含み、
さらに、該ディスク室内にウエハを着脱可能に固定する
ウェハ載置用ペデスタルを有するとともに表面がコーテ
ィング物質で被膜されたウエハ支持体のディスクを備え
ているイオン注入装置において、 前記ディスク上に取り付けられ、かつ前記ディスクの表
面被膜と同材質のコーティング膜を形成する試料片を有
する電気的測定センサと、この測定センサからのセンサ
信号によりコーティング膜の厚膜変化をモニターする手
段とを有することを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項８】電気的測定センサは、プレートと試料片か
らなる２つの電極、絶縁部、およびコーティング膜から
構成され、粒子ビーム照射により試料片に発生する電気
的変化をセンサ信号として出力しており、 さらに、前記コーティング膜厚の消耗度を決定する制御
装置を備えていることを特徴とする請求項７記載のイオ
ン注入装置。 - 【請求項９】ディスクは、回転運動とともに回転軸に対
して直交方向に往復移動可能とされ、電気的測定センサ
は、前記ディスクの回転および往復運動によりイオンビ
ームがディスク上で照射される範囲内で、ディスク上の
ウエハ間の領域に少なくとも１つ配置するように構成さ
れている請求項７または８記載のイオン注入装置。 - 【請求項１０】電気的測定センサの試料片は、ディスク
表面のコーティング膜と同一またはそれよりもわずかに
薄い膜厚であることを特徴とする請求項７ないし９のい
ずれかに記載のイオン注入装置。 - 【請求項１１】イオン注入中のイオンや電子を受ける電
気的測定センサは、接地電位に対して発生する電圧を検
出するように構成されている請求項７ないし１０のいず
れかに記載のイオン注入装置。 - 【請求項１２】ディスクの裏面もしくは表面とディスク
室内壁とに一対の静電カップリング素子を設け、電気的
測定センサにより検出される電圧が、前記静電カップリ
ング素子による静電結合を介してセンサ信号として出力
されることを特徴とする請求項１１記載のイオン注入装
置。 - 【請求項１３】電気的測定センサのコーティング膜が、
ディスクの表面被膜から所定距離高く配置されているこ
とを特徴とする請求項７ないし１２のいずれかに記載の
イオン注入装置。 - 【請求項１４】電気的測定センサのコーティング膜が、
ディスクの表面被膜と同一またはそれより低い位置に配
置されることを特徴とする請求項７ないし１２のいずれ
かに記載のイオン注入装置。 - 【請求項１５】電気的測定センサを載置したディスク上
のウエハから離れたところに、コーティングをしていな
いディスク面と同材質の小さな検知面を有する基準値セ
ンサをさらに設けたことを特徴とする請求項７ないし１
４のいずれかに記載のイオン注入装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22263699A JP3440329B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
| US09/632,039 US6663791B1 (en) | 1999-08-05 | 2000-08-03 | Detection method of coating film thickness and ion implantation equipment using this method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22263699A JP3440329B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053018A true JP2001053018A (ja) | 2001-02-23 |
| JP3440329B2 JP3440329B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=16785569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22263699A Expired - Fee Related JP3440329B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6663791B1 (ja) |
| JP (1) | JP3440329B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101450479B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2014-10-13 | (주)쎄스텍 | 이온주입장치 |
| WO2019021584A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
| WO2019021586A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
| CN110832619A (zh) * | 2017-07-28 | 2020-02-21 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理装置的部件检查方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US8343305B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-01-01 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment |
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