JPH05325874A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH05325874A JPH05325874A JP4128372A JP12837292A JPH05325874A JP H05325874 A JPH05325874 A JP H05325874A JP 4128372 A JP4128372 A JP 4128372A JP 12837292 A JP12837292 A JP 12837292A JP H05325874 A JPH05325874 A JP H05325874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- wall
- chamber
- ion beam
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属汚染を生じさせないイオン注入装置を低
コストで実現する。 【構成】 質量分析部を構成するチャンバ１４の内壁に
シリコン板２５を覆った構造とすることにより、イオン
ビームによる金属のスパッタを防止し、ウエハの金属汚
染を防止する。このため、ウエハに形成されるトランジ
スタのリーク電流を低減することが可能となる。
コストで実現する。 【構成】 質量分析部を構成するチャンバ１４の内壁に
シリコン板２５を覆った構造とすることにより、イオン
ビームによる金属のスパッタを防止し、ウエハの金属汚
染を防止する。このため、ウエハに形成されるトランジ
スタのリーク電流を低減することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入装置に関
し、更に詳しくは、半導体ウエハの金属汚染を低減した
イオン注入装置に関する。
し、更に詳しくは、半導体ウエハの金属汚染を低減した
イオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
この種のイオン注入装置としては、イオン源，イオン引
出部，質量分析部，加速部，収束・偏向部等から大略構
成されており、イオンビームがイオンビーム源からウエ
ハに達するまでの真空容器のうち、その大部分を占める
ビームラインと、質量分析部のチャンバはステンレス材
（Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ）で構成されている。また、走査部
の下流側に設けられたファラデーケージや加速部の電極
はアルミニウム（Ａｌ）、複数箇所に配設されるアパー
チャや、走査部及びレンズ電極はグラファイトで構成さ
れている。このため、斯かるイオン注入装置を用いてシ
リコンウエハにイオン注入を行なった場合、イオンビー
ムが通過するビームラインの内壁がイオンによってスパ
ッタされ、例えば、Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ等の金属がイオン
ビームに混じりシリコンウエハを汚染し、例えばウエハ
に作製されるトランジスタのリーク電流を増大させるな
どの問題を有している。
この種のイオン注入装置としては、イオン源，イオン引
出部，質量分析部，加速部，収束・偏向部等から大略構
成されており、イオンビームがイオンビーム源からウエ
ハに達するまでの真空容器のうち、その大部分を占める
ビームラインと、質量分析部のチャンバはステンレス材
（Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ）で構成されている。また、走査部
の下流側に設けられたファラデーケージや加速部の電極
はアルミニウム（Ａｌ）、複数箇所に配設されるアパー
チャや、走査部及びレンズ電極はグラファイトで構成さ
れている。このため、斯かるイオン注入装置を用いてシ
リコンウエハにイオン注入を行なった場合、イオンビー
ムが通過するビームラインの内壁がイオンによってスパ
ッタされ、例えば、Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ等の金属がイオン
ビームに混じりシリコンウエハを汚染し、例えばウエハ
に作製されるトランジスタのリーク電流を増大させるな
どの問題を有している。
【０００３】図４及び図５に示すグラフは、このような
イオン注入装置を用いて、ヒ素（Ａｓ）を７０ｋｅＶ，
ｌｅ１７の条件でシリコンウエハにイオン注入したとき
のウエハ深さとイオン濃度との関係をＳＩＭＳ分析で検
出したグラフであり、図４がＣｒ，Ａｌによる汚染状態
を示し、図５がＦｅによる汚染状態を示している。因み
に、注入イオン（Ａｓ）に対してクロム（Ｃｒ）では１
４ｐｐｍ，アルミニウムでは４．９ｐｐｍ，鉄（Ｆｅ）
では２７ｐｐｍの金属汚染が生じており、このような数
十ｐｐｍもの汚染により、例えば、ウエハに作製される
ＭＯＳトランジスタのリーク電流が増加する問題が惹起
される。
イオン注入装置を用いて、ヒ素（Ａｓ）を７０ｋｅＶ，
ｌｅ１７の条件でシリコンウエハにイオン注入したとき
のウエハ深さとイオン濃度との関係をＳＩＭＳ分析で検
出したグラフであり、図４がＣｒ，Ａｌによる汚染状態
を示し、図５がＦｅによる汚染状態を示している。因み
に、注入イオン（Ａｓ）に対してクロム（Ｃｒ）では１
４ｐｐｍ，アルミニウムでは４．９ｐｐｍ，鉄（Ｆｅ）
では２７ｐｐｍの金属汚染が生じており、このような数
十ｐｐｍもの汚染により、例えば、ウエハに作製される
ＭＯＳトランジスタのリーク電流が増加する問題が惹起
される。
【０００４】斯かる問題の解決策として、図３に示すよ
うな構造のイオン注入装置の提案が、「Ｅｘｔｅｎｄｅ
ｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １９９１ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｙｏｋｏｈａｍａ，１９９１，ｐ
ｐ．５６５−５６７」に開示されている。この図３に示
すイオン注入装置は、イオン源側からのイオンビーム
（図中矢印で示す）がＹ方向の走査部１を通過した位置
及び、Ｘ方向の走査部２を通過した位置に金属スパッタ
物の通過を阻止するシリコン製プロテクションボード
（アパーチャ）３，４が配設された構造である。なお、
同図中５は、シリコンウエハを示している。
うな構造のイオン注入装置の提案が、「Ｅｘｔｅｎｄｅ
ｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １９９１ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｙｏｋｏｈａｍａ，１９９１，ｐ
ｐ．５６５−５６７」に開示されている。この図３に示
すイオン注入装置は、イオン源側からのイオンビーム
（図中矢印で示す）がＹ方向の走査部１を通過した位置
及び、Ｘ方向の走査部２を通過した位置に金属スパッタ
物の通過を阻止するシリコン製プロテクションボード
（アパーチャ）３，４が配設された構造である。なお、
同図中５は、シリコンウエハを示している。
【０００５】しかしながら、イオンビームが発散（イオ
ンどうし反発）しながらウエハに向かう際に、プロテク
ションボード３，４の手前でイオンビームがビームライ
ンの壁をスパッタして発生したＦｅ，Ｃｒ等の粒子は、
その多くがプロテクションボード３，４に当って阻止さ
れ、ウエハに達するものは非常に少ないと考えられる。
その理由は、イオンビームの広がりに対してビームライ
ンの壁までの距離が大きいためである。
ンどうし反発）しながらウエハに向かう際に、プロテク
ションボード３，４の手前でイオンビームがビームライ
ンの壁をスパッタして発生したＦｅ，Ｃｒ等の粒子は、
その多くがプロテクションボード３，４に当って阻止さ
れ、ウエハに達するものは非常に少ないと考えられる。
その理由は、イオンビームの広がりに対してビームライ
ンの壁までの距離が大きいためである。
【０００６】これに対して、完全に金属汚染を無くすた
めの提案として、装置のほとんど全体を、シリコン製の
部品で置き換えることも考えられているが、この場合多
大の費用を要し、部品の耐久性等の問題も生じる。
めの提案として、装置のほとんど全体を、シリコン製の
部品で置き換えることも考えられているが、この場合多
大の費用を要し、部品の耐久性等の問題も生じる。
【０００７】本発明は、このような問題点に着目して創
案されたものであって、低コストで金属汚染の少いイオ
ン注入装置を得んとするものである。
案されたものであって、低コストで金属汚染の少いイオ
ン注入装置を得んとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、イオ
ン源と、該イオン源から引き出されたイオンのうち所定
の質量のイオンを取り出す質量分析部と、該質量分析部
からのイオンビームを加速する加速部と、該加速部で加
速されたイオンビームを、Ｘ，Ｙ方向に走査する走査部
とを備えたイオン注入装置において、前記質量分析部の
内壁を、シリコン板で覆ったことを、その解決手段とし
ている。
ン源と、該イオン源から引き出されたイオンのうち所定
の質量のイオンを取り出す質量分析部と、該質量分析部
からのイオンビームを加速する加速部と、該加速部で加
速されたイオンビームを、Ｘ，Ｙ方向に走査する走査部
とを備えたイオン注入装置において、前記質量分析部の
内壁を、シリコン板で覆ったことを、その解決手段とし
ている。
【０００９】
【作用】本発明者は、イオン注入装置の各部分での内壁
部のスパッタの状況を分析した結果、質量分析部内壁に
おいてスパッタが多く起っていることを見出した。即
ち、質量分析部の上下部に相対向して配設される分析磁
石どうしの間隙は、磁界を均一に保つために、他のビー
ムラインに比べて１０分の１以下の隙間幅（２５ｍｍ程
度）と小さくなっており、イオン源から発散しながら引
き出されたイオンビームは質量分析部の内壁を激しくス
パッタし、多量のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ等の散乱粒子を発生
させ、それらの一部がイオン化して分析磁界を通過し加
速管を通過してウエハに到達しているものと考えられ
る。
部のスパッタの状況を分析した結果、質量分析部内壁に
おいてスパッタが多く起っていることを見出した。即
ち、質量分析部の上下部に相対向して配設される分析磁
石どうしの間隙は、磁界を均一に保つために、他のビー
ムラインに比べて１０分の１以下の隙間幅（２５ｍｍ程
度）と小さくなっており、イオン源から発散しながら引
き出されたイオンビームは質量分析部の内壁を激しくス
パッタし、多量のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ等の散乱粒子を発生
させ、それらの一部がイオン化して分析磁界を通過し加
速管を通過してウエハに到達しているものと考えられ
る。
【００１０】そこで、本発明は、質量分析部の内壁をシ
リコン板で覆いスパッタによる金属の散乱を防止してい
る。
リコン板で覆いスパッタによる金属の散乱を防止してい
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の詳細を図面に示す実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１２】図１は、本実施例の平面図であり、図２
は、図１のＡ−Ａ断面を示す要部断面図である。
は、図１のＡ−Ａ断面を示す要部断面図である。
【００１３】図中１０は、イオン注入装置であって、イ
オン源１１と、イオン源からイオンを引き出す拡散ポン
プ１２と、拡散ポンプ１２から引き出されたイオンビー
ム中の所定質量のイオンを取り出す質量分析部１５と、
質量分析部１５から取り出されたイオンビームを加速す
る加速部１６と、レンズ電極１７と、Ｙ走査電極１８，
Ｘ走査電極１９と、拡散ポンプ２０，２１とファラデー
ケージ２２とから大略構成されている。なお、図中２３
はウエハ、２４はウエハフィーダ、２６，２７はアパー
チャ、２８は電源、２９はガス源を示している。
オン源１１と、イオン源からイオンを引き出す拡散ポン
プ１２と、拡散ポンプ１２から引き出されたイオンビー
ム中の所定質量のイオンを取り出す質量分析部１５と、
質量分析部１５から取り出されたイオンビームを加速す
る加速部１６と、レンズ電極１７と、Ｙ走査電極１８，
Ｘ走査電極１９と、拡散ポンプ２０，２１とファラデー
ケージ２２とから大略構成されている。なお、図中２３
はウエハ、２４はウエハフィーダ、２６，２７はアパー
チャ、２８は電源、２９はガス源を示している。
【００１４】質量分析部１５は、図２に示すように、所
定の質量の取り出し作用を奏し、上下対向する分析磁石
１３，１３と、（アナライザー）チャンバ１４とから構
成され、イオンビームがチャンバ１４内を導かれるよう
になっている。そして、チャンバ１４の内壁に沿って薄
いシリコン板２５が内壁を覆うように配設されている。
なお、図中１３ａは分析磁石の鉄心を示している。
定の質量の取り出し作用を奏し、上下対向する分析磁石
１３，１３と、（アナライザー）チャンバ１４とから構
成され、イオンビームがチャンバ１４内を導かれるよう
になっている。そして、チャンバ１４の内壁に沿って薄
いシリコン板２５が内壁を覆うように配設されている。
なお、図中１３ａは分析磁石の鉄心を示している。
【００１５】本実施例においては、イオン源１１から拡
散ポンプ１２により引き出されたイオンビームは、従来
装置と同様散乱を起し、チャンバ１４の内壁に衝突する
が、シリコン板２５により金属のスパッタは防止され
る。また、シリコン（Ｓｉ）がスパッタされシリコンウ
エハへＳｉが注入されたとしても、金属が注入される悪
影響に比べてほとんど問題とならない。図１に示すチャ
ンバ１４は、曲がった形状であるため、シリコン板２５
は筒状のものは挿入できないため分割したものをチャン
バ１４内で組み立てる構造としてもよく、チャンバ１４
を分解した状態で筒形状のシリコン板２５を内部に収め
るようにしてもよい。そして、シリコン板２５を定期的
に交換することにより、装置の維持管理が容易に行なえ
る利点がある。
散ポンプ１２により引き出されたイオンビームは、従来
装置と同様散乱を起し、チャンバ１４の内壁に衝突する
が、シリコン板２５により金属のスパッタは防止され
る。また、シリコン（Ｓｉ）がスパッタされシリコンウ
エハへＳｉが注入されたとしても、金属が注入される悪
影響に比べてほとんど問題とならない。図１に示すチャ
ンバ１４は、曲がった形状であるため、シリコン板２５
は筒状のものは挿入できないため分割したものをチャン
バ１４内で組み立てる構造としてもよく、チャンバ１４
を分解した状態で筒形状のシリコン板２５を内部に収め
るようにしてもよい。そして、シリコン板２５を定期的
に交換することにより、装置の維持管理が容易に行なえ
る利点がある。
【００１６】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、装置全体でなく、金属汚染の最も発生しやす
い質量分析部の内壁をシリコンで覆った構成であるた
め、低コストで金属汚染を防止するイオン注入装置が得
られる。また、金属汚染を防止したことにより、ウエハ
に作製される半導体素子等の特性を高める効果がある。
例えば、金属汚染を抑制することにより、ＭＯＳトラン
ジスタのリーク電流を低減し、消費電力の小さなＬＳＩ
の製造を可能にする効果がある。
によれば、装置全体でなく、金属汚染の最も発生しやす
い質量分析部の内壁をシリコンで覆った構成であるた
め、低コストで金属汚染を防止するイオン注入装置が得
られる。また、金属汚染を防止したことにより、ウエハ
に作製される半導体素子等の特性を高める効果がある。
例えば、金属汚染を抑制することにより、ＭＯＳトラン
ジスタのリーク電流を低減し、消費電力の小さなＬＳＩ
の製造を可能にする効果がある。
【図１】本発明の実施例の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】従来例の要部断面図。
【図４】ウエハの深さとイオン濃度との関係を示すグラ
フ。
フ。
【図５】ウエハの深さとイオン濃度との関係を示すグラ
フ。
フ。
１１…イオン源 １５…質量分析部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン源と、該イオン源から引き出され
たイオンのうち所定の質量のイオンを取り出す質量分析
部と、該質量分析部からのイオンビームを加速する加速
部と、該加速部で加速されたイオンビームをＸ，Ｙ方向
に走査する走査部とを備えたイオン注入装置において、 前記質量分析部の内壁を、シリコン板で覆ったことを特
徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128372A JPH05325874A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
| KR1019930007549A KR100286089B1 (ko) | 1992-05-21 | 1993-05-03 | 이온주입장치 |
| US08/061,308 US5396076A (en) | 1992-05-21 | 1993-05-14 | Ion implantation system with protective plates of silicon in mass analyzing region |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128372A JPH05325874A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325874A true JPH05325874A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14983199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128372A Pending JPH05325874A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5396076A (ja) |
| JP (1) | JPH05325874A (ja) |
| KR (1) | KR100286089B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19618734C2 (de) * | 1996-01-23 | 1999-08-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Ionenquelle für eine Ionenstrahlanlage |
| JP3186066B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2001-07-11 | フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | イオンの広範囲注入のためのイオン源 |
| US5947053A (en) * | 1998-01-09 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Wear-through detector for multilayered parts and methods of using same |
| JPH11260309A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | イオン注入装置 |
| US6259105B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter |
| JP3440329B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2003-08-25 | 住友イートンノバ株式会社 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
| US7378670B2 (en) * | 2001-06-22 | 2008-05-27 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Shielding assembly for a semiconductor manufacturing apparatus and method of using the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4128372A patent/JPH05325874A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-03 KR KR1019930007549A patent/KR100286089B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-05-14 US US08/061,308 patent/US5396076A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100286089B1 (ko) | 2001-05-02 |
| KR930024092A (ko) | 1993-12-21 |
| US5396076A (en) | 1995-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100517300B1 (ko) | 전하 수집, 광방출 분광분석 및 질량분석을 이용한이온주입 제어 | |
| JP4239116B2 (ja) | イオンビーム中和器及びその中和方法 | |
| TWI327335B (en) | Ion beam deflecting acceleration/deceleration/convergence structure and method | |
| KR100714928B1 (ko) | 이온 주입기를 위한 고 전달, 저 에너지 빔라인 장치 | |
| US4560879A (en) | Method and apparatus for implantation of doubly-charged ions | |
| US5757018A (en) | Zero deflection magnetically-suppressed Faraday for ion implanters | |
| US7429741B2 (en) | Faraday system and ion implantation apparatus comprising the faraday system | |
| JPS60107246A (ja) | イオン源装置 | |
| JPH05325874A (ja) | イオン注入装置 | |
| US20050189500A1 (en) | Modulating ion beam current | |
| CN101346803A (zh) | 用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术 | |
| CA2193709C (en) | Method and apparatus for ion beam transport | |
| JPH09259779A (ja) | イオン源およびそれを用いたイオン注入装置 | |
| US5959396A (en) | High current nova dual slit electrode enchancement | |
| JPH06223771A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3084307B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR102540006B1 (ko) | 이온 주입기 및 이온 주입 장치 | |
| JPH07153406A (ja) | 荷電粒子ビーム用電磁石装置 | |
| JP3084299B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR100249137B1 (ko) | 질량 선택 감속을 갖는 이온 주입기 | |
| JPH05234564A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2968955B2 (ja) | イオン注入設備のウェーハ汚染防止装置 | |
| Matteson et al. | An ultra-clean microprobe ion source for atomic mass spectrometry | |
| US10643823B2 (en) | Foam in ion implantation system | |
| JPH0982268A (ja) | イオン注入装置 |