JPS6068542A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6068542A JPS6068542A JP17551983A JP17551983A JPS6068542A JP S6068542 A JPS6068542 A JP S6068542A JP 17551983 A JP17551983 A JP 17551983A JP 17551983 A JP17551983 A JP 17551983A JP S6068542 A JPS6068542 A JP S6068542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanned
- ion implantation
- ion
- faraday cup
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分野
本発明はイオン注入装置に係シ、特に高精度なユニフォ
ーミティのモニタが可能なファラデーカップが設けられ
たイオン注入装置に関する。
ーミティのモニタが可能なファラデーカップが設けられ
たイオン注入装置に関する。
（２）従来技術の説明
従来、イオン注入装置のイオンビームのユニフォーミテ
ィのモニタは、イオンビームマスクの四隅に各々設けら
れた固定のコーナーファラデーカップによシ行なわれて
いた。しかしながら、このコーナー７アラデーカツプで
は実際にターゲットに照射されるイオンビームはモニタ
するこトカ出来ないのでそのユニフォーミティは推定に
依らざるを得す、したがって精確なユニフォーミティを
知ることは出来なかった。
ィのモニタは、イオンビームマスクの四隅に各々設けら
れた固定のコーナーファラデーカップによシ行なわれて
いた。しかしながら、このコーナー７アラデーカツプで
は実際にターゲットに照射されるイオンビームはモニタ
するこトカ出来ないのでそのユニフォーミティは推定に
依らざるを得す、したがって精確なユニフォーミティを
知ることは出来なかった。
さらに、近年のイオン注入装置はその特性が著しく改善
されビームのユニフォーミティは１〜２％以内に入るよ
うになった。このような精度はコーナーファラデーカッ
プでは困難であり、この点からもよｐ高精度なファラデ
ーカップが必要である。
されビームのユニフォーミティは１〜２％以内に入るよ
うになった。このような精度はコーナーファラデーカッ
プでは困難であり、この点からもよｐ高精度なファラデ
ーカップが必要である。
（３）発明の目的
本発明の目的は、イオン注入装置のユニフォーミティの
改善に対応して、高精度なビーム濃度のモニタが可能々
７アラデーカツプを備えたイオン注入装置を提供するこ
とにある。
改善に対応して、高精度なビーム濃度のモニタが可能々
７アラデーカツプを備えたイオン注入装置を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、ターゲツト面でのビーム濃度分布
が測定可能なイオン注入装置を提供することにある。
が測定可能なイオン注入装置を提供することにある。
（４）発明の特徴
本発明の特徴は、ターゲットにイオンと一ムを照射して
このターゲットにイオン注入を行カうイオン注入装置に
おいて、各々Ｘ方向およびＹ方向に走査可能な２個の線
状ファラデーカップが設けられているイオン注入装置に
ある。そして、この線状ファラデーカップはターゲット
載置部近傍に設けられていることが望ましい。線状ファ
ラデーカップは単に棒状のものでも十分々る効果が得ら
れるが、］字形に折り曲げられたレール状の構造によっ
てより精確な電流測定を行なうことが出来る。
このターゲットにイオン注入を行カうイオン注入装置に
おいて、各々Ｘ方向およびＹ方向に走査可能な２個の線
状ファラデーカップが設けられているイオン注入装置に
ある。そして、この線状ファラデーカップはターゲット
載置部近傍に設けられていることが望ましい。線状ファ
ラデーカップは単に棒状のものでも十分々る効果が得ら
れるが、］字形に折り曲げられたレール状の構造によっ
てより精確な電流測定を行なうことが出来る。
（５）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は現在広く用いられているチル・パリアン社製の
ＣＦ−３０００イオン注入装置（商品名）の構成図であ
る。イオン源１から発生したイオン流はアナライザマグ
ネット２で電荷のそろりた単一原子のイオン流にされ、
加速管３で加速された後にレンズ４で集束され、ターゲ
ットチャンバー７内の主ファラデー管８内に設置された
ターゲット９へ照射される。スキャンはＹスキャンプレ
ート５、Ｘスキャンプレート６によって行なわれる。タ
ーゲットチャンバー７内には第２図の平面形状のビーム
マスク１０が設けられておシ、このビームマスク１０の
四隅にコーナーファラデーカップ１１．１２．１３．１
４が設けられている。このような構成ではビーム濃度分
布はビームマスク１０の四隅の濃度から全体を推定する
こととなり、したがってターゲットに照射される部分の
ビーム濃度を精確に知ることは出来なかった。一方、イ
オンビームのユニフォーミティは近年著しく改善され、
１〜２％まで実現出来るようになった。
ＣＦ−３０００イオン注入装置（商品名）の構成図であ
る。イオン源１から発生したイオン流はアナライザマグ
ネット２で電荷のそろりた単一原子のイオン流にされ、
加速管３で加速された後にレンズ４で集束され、ターゲ
ットチャンバー７内の主ファラデー管８内に設置された
ターゲット９へ照射される。スキャンはＹスキャンプレ
ート５、Ｘスキャンプレート６によって行なわれる。タ
ーゲットチャンバー７内には第２図の平面形状のビーム
マスク１０が設けられておシ、このビームマスク１０の
四隅にコーナーファラデーカップ１１．１２．１３．１
４が設けられている。このような構成ではビーム濃度分
布はビームマスク１０の四隅の濃度から全体を推定する
こととなり、したがってターゲットに照射される部分の
ビーム濃度を精確に知ることは出来なかった。一方、イ
オンビームのユニフォーミティは近年著しく改善され、
１〜２％まで実現出来るようになった。
このよう々均一濃度分布が実現されると、従来のコーナ
ー・ファラデカップではもはやユニフォーミティの測定
が不可能となる。
ー・ファラデカップではもはやユニフォーミティの測定
が不可能となる。
第３図は本発明の一実施例に用いるモニタ用ファラデー
カップの外観図である。本実施例のイオン注入装置では
、従来のコーナーファラデーカップの代シに各々Ｘ方向
、Ｙ、方向にスキャン可能な２本のピアノ線２１．２２
を設ける。ユニフォーミティの測定はまずイオン注入装
置のビームのＸ、Ｙスキャンを固定し、イオンビームス
ポット状態でまずピアノ線２１をＸ方向にスキャンする
。
カップの外観図である。本実施例のイオン注入装置では
、従来のコーナーファラデーカップの代シに各々Ｘ方向
、Ｙ、方向にスキャン可能な２本のピアノ線２１．２２
を設ける。ユニフォーミティの測定はまずイオン注入装
置のビームのＸ、Ｙスキャンを固定し、イオンビームス
ポット状態でまずピアノ線２１をＸ方向にスキャンする
。
次いでピアノ線２２をＹ方向ヘスキャンする。各なパタ
ーンとして表わすことが出来る。
ーンとして表わすことが出来る。
なお、ピアノ線によるファラデーカップは反射、二次電
子の放射などによって測定精度が低下することがあるの
で、その場合には線状ファラデーカップとして第５図の
断面形状のものを用いると良い。第５図のファラデーカ
ップはスリット２３が設けられた筒体２４内にビーム電
流デテクタ２５と二次電子をとじ込めるバイアス電極２
６とが設けられたもので、バイアス電極２６ に−５０
〜−１５０ＶＤＣを印加することによって高精度な測定
が行なえる。
子の放射などによって測定精度が低下することがあるの
で、その場合には線状ファラデーカップとして第５図の
断面形状のものを用いると良い。第５図のファラデーカ
ップはスリット２３が設けられた筒体２４内にビーム電
流デテクタ２５と二次電子をとじ込めるバイアス電極２
６とが設けられたもので、バイアス電極２６ に−５０
〜−１５０ＶＤＣを印加することによって高精度な測定
が行なえる。
（６）発明の効果
以上のとおシ、本発明によればターゲットに照射される
ビームを直接測定することによってビームのユニフォー
ミティを調べることが出来るのでＷ確にユニフォーミテ
ィを測定できる。
ビームを直接測定することによってビームのユニフォー
ミティを調べることが出来るのでＷ確にユニフォーミテ
ィを測定できる。
第１図は従来のイオン注入装置の構成図、第２図は従来
のイオン注入装置に用いられるビームマスクとコーナー
ファラデーカップ、第３図は本発明の一実施例のイオン
注入装置に用いられる線状ファラデーカップの外観図、
第４図はビームの濃度分布の一例、第５図は本発明の他
の実施例のイオン注入装置に用いられる線状７アラデー
カツプの断面図、である。 なお図において、１・・・イオン源、２・・・アナライ
ザマグネット、３・・・加速管、４・・・レンズ、５・
・・Ｙスキャンプレート、６・・・Ｘスキャンプレート
、７・・・ターゲットチャンバー、８・・・主ファラテ
ー’Ｉｔ、９・・・ターゲット、１０・・・ビームマス
ク、１１．１２．１３、１４・・・コーナーファラデー
カップ、２１、２２・・・ピアノ線、２３・・・スリッ
ト、２４・・・筒体、２５・・・ビーム電流デテクタ、
２６・・・バイアス電極、である。 第１図 第２図 第３図
のイオン注入装置に用いられるビームマスクとコーナー
ファラデーカップ、第３図は本発明の一実施例のイオン
注入装置に用いられる線状ファラデーカップの外観図、
第４図はビームの濃度分布の一例、第５図は本発明の他
の実施例のイオン注入装置に用いられる線状７アラデー
カツプの断面図、である。 なお図において、１・・・イオン源、２・・・アナライ
ザマグネット、３・・・加速管、４・・・レンズ、５・
・・Ｙスキャンプレート、６・・・Ｘスキャンプレート
、７・・・ターゲットチャンバー、８・・・主ファラテ
ー’Ｉｔ、９・・・ターゲット、１０・・・ビームマス
ク、１１．１２．１３、１４・・・コーナーファラデー
カップ、２１、２２・・・ピアノ線、２３・・・スリッ
ト、２４・・・筒体、２５・・・ビーム電流デテクタ、
２６・・・バイアス電極、である。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） ターゲットにイオンビームを照射して前記ター
ゲットにイオン注入を行なうイオン注入装置において、
各々実質Ｘ方向およびＹ方向に走査可能な２個の線状フ
ァラデーカップが設けられていることを特徴とするイオ
ン注入装置。 - （２）線状ファラデーカップがターゲット載置部近傍に
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17551983A JPS6068542A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17551983A JPS6068542A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068542A true JPS6068542A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=15997471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17551983A Pending JPS6068542A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068542A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140976A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | ビ−ムプロフアイルモニタ− |
| JPS6424354A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Yokogawa Electric Corp | Device of detecting charged beam distribution condition |
| JPH07183001A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-07-21 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | イオン性アルミニウムの製造方法及び装置 |
| CN106324654A (zh) * | 2015-06-18 | 2017-01-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子注入的测量方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017149A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-22 | ||
| JPS5148975A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Sosakadenryushibiimuno bunpusokuteisochi |
| JPS57123639A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for monitoring ion current for ion implantation apparatus |
| JPS59208482A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Hitachi Ltd | ビ−ム分布測定装置 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17551983A patent/JPS6068542A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017149A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-22 | ||
| JPS5148975A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Sosakadenryushibiimuno bunpusokuteisochi |
| JPS57123639A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for monitoring ion current for ion implantation apparatus |
| JPS59208482A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Hitachi Ltd | ビ−ム分布測定装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140976A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | ビ−ムプロフアイルモニタ− |
| JPH0567195B2 (ja) * | 1986-12-02 | 1993-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS6424354A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Yokogawa Electric Corp | Device of detecting charged beam distribution condition |
| JPH07183001A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-07-21 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | イオン性アルミニウムの製造方法及び装置 |
| CN106324654A (zh) * | 2015-06-18 | 2017-01-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子注入的测量方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6690022B2 (en) | Ion beam incidence angle and beam divergence monitor | |
| EP0953203B1 (en) | Electron beam dose control for scanning electron microscopy and critical dimension measurement instruments | |
| JPS639807A (ja) | 膜厚測定方法およびその装置 | |
| JPS6068542A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP5277008B2 (ja) | パターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置 | |
| JPS6256807A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 | |
| JP2834466B2 (ja) | イオンビーム装置及びその制御方法 | |
| JP2722835B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH04105010A (ja) | 形状寸法測定装置および測定方法 | |
| JP2993000B2 (ja) | 電子線測長装置 | |
| JPH0460487A (ja) | 電子ビーム径測定方法及び電子ビーム径測定装置 | |
| JPS61211951A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0326499B2 (ja) | ||
| JPS6089050A (ja) | ストロボ走査電子顕微鏡 | |
| JPH0291507A (ja) | 微細パターンの測定装置 | |
| JPS63142825A (ja) | Ｉｃ動作評価補助方法 | |
| JPH11224642A (ja) | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 | |
| JPS6028151A (ja) | 走査形ストロボイオン顕微鏡 | |
| JPH053011A (ja) | 電子顕微鏡装置 | |
| JPS61156627A (ja) | 試料電圧測定装置 | |
| KR100734252B1 (ko) | 빔 감지기를 포함한 이온주입장치 및 그에 의한 도즈량측정방법 | |
| JPH0526549Y2 (ja) | ||
| SU1660074A1 (ru) | Способ определения фактора шума детектора в камере растрового электронного микроскопа | |
| JPH0815063B2 (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法 | |
| JP2003109530A (ja) | 荷電粒子線装置 |