JPS63142825A - Ｉｃ動作評価補助方法 - Google Patents
Ｉｃ動作評価補助方法Info
- Publication number
- JPS63142825A JPS63142825A JP61290262A JP29026286A JPS63142825A JP S63142825 A JPS63142825 A JP S63142825A JP 61290262 A JP61290262 A JP 61290262A JP 29026286 A JP29026286 A JP 29026286A JP S63142825 A JPS63142825 A JP S63142825A
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- ion beam
- metal
- electrode
- focusing ion
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- Granted
Links
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、荷電粒子ビームを用いて高集積のＬＳＩや超
高速のＬＳＩのチップ内配線の信号電圧を測定しｒｃ動
作評価を行なう装置に関する。
高速のＬＳＩのチップ内配線の信号電圧を測定しｒｃ動
作評価を行なう装置に関する。
ＩＣの大規模化・複雑化に伴ってテスタビリティが低下
してきており、動作評価の手段としてＥＢテスタが実用
化されているが、絶縁膜下の配線のテスティングする為
には、配線上の絶縁膜に穴をあけて配線をむき出しにす
る必要がある。そこで本発明では、集束イオンビームエ
ツチングにより細孔を形成し、その周辺領域に集束イオ
ンビームＣＶＤ法によって金属電極を形成させ、その電
極において電位波形測定を行なう方法。
してきており、動作評価の手段としてＥＢテスタが実用
化されているが、絶縁膜下の配線のテスティングする為
には、配線上の絶縁膜に穴をあけて配線をむき出しにす
る必要がある。そこで本発明では、集束イオンビームエ
ツチングにより細孔を形成し、その周辺領域に集束イオ
ンビームＣＶＤ法によって金属電極を形成させ、その電
極において電位波形測定を行なう方法。
従来は目的部位絶縁膜をエツチングし、光学顕微鏡によ
り配線を確認し、これに金属の尖った針を接触させてオ
シロスコープで測定する金属探針法と、走査電子顕微鏡
（ＳＥＭ）と同様に走査により配線を確認し、目的部位
に電子ビームを照射し、発生する２次電子を検出するこ
とにより、その箇所の電圧波形を測定するＥＢテスタが
ある。
り配線を確認し、これに金属の尖った針を接触させてオ
シロスコープで測定する金属探針法と、走査電子顕微鏡
（ＳＥＭ）と同様に走査により配線を確認し、目的部位
に電子ビームを照射し、発生する２次電子を検出するこ
とにより、その箇所の電圧波形を測定するＥＢテスタが
ある。
金属探針法は、ＬＳＩが微細化・高集積化されると、金
属針の先端が大きすぎて接触が困難であった。又、ＥＢ
テスタは非接触で微小部分のブロービングができるが、
被測定電極の寸法が小さくなるほど近隣の配線や形状に
よる局所電界効果といわれる誤差要因が増すという問題
があった。局所電界効果は１ミクロン幅の電極上の５ボ
ルトを測定するとマイナス１．５ボルト程度の誤差を生
じさせるものである。
属針の先端が大きすぎて接触が困難であった。又、ＥＢ
テスタは非接触で微小部分のブロービングができるが、
被測定電極の寸法が小さくなるほど近隣の配線や形状に
よる局所電界効果といわれる誤差要因が増すという問題
があった。局所電界効果は１ミクロン幅の電極上の５ボ
ルトを測定するとマイナス１．５ボルト程度の誤差を生
じさせるものである。
更に、電極上に絶縁膜が形成されている場合、チャージ
アップ効果を避けるため、何らかの手段で剥ぎ取らなく
てはならず、その為、一連の工程に時間を要した。
アップ効果を避けるため、何らかの手段で剥ぎ取らなく
てはならず、その為、一連の工程に時間を要した。
本発明は前述の問題点を解決するための方法であり、以
下にその手法を示す。
下にその手法を示す。
イオンビームを走査しながら照射して試料表面の微細加
工を行なう集束イオンビーム装置により、目的配線上の
保護膜を集束イオンビーム、エツチングによって穴あけ
し、その細孔部周辺領域に集束イオンビーム−ＣＶＤに
よって金属電極を新規に形成させ、その拡大された電極
に荷電粒子ビームを照射し、放出される２次電子をエネ
ルギーアナライザーを備えた２次電子検出器によって測
定することにより、局所電界効果の影響を受けずに正確
な電位波形を得ることができる。
工を行なう集束イオンビーム装置により、目的配線上の
保護膜を集束イオンビーム、エツチングによって穴あけ
し、その細孔部周辺領域に集束イオンビーム−ＣＶＤに
よって金属電極を新規に形成させ、その拡大された電極
に荷電粒子ビームを照射し、放出される２次電子をエネ
ルギーアナライザーを備えた２次電子検出器によって測
定することにより、局所電界効果の影響を受けずに正確
な電位波形を得ることができる。
本発明は、加工箇所の不良解析のための補助手段として
デバイス加工用の集束イオンビームを利用する。
デバイス加工用の集束イオンビームを利用する。
ＩＣが微細化・高集積化が進み、金属配線上にｗＡ縁膜
があったとしても、集束イオンビームによって目的部位
上の絶縁膜に細孔を形成させ、その周辺領域に集束イオ
ンビーム−ＣＶＤ法により金属電極を形成させることに
よって、チャージアップ効果及び局所電界効果の影響を
受けずに、良好な電圧測定精度で不良解析を実行できる
。
があったとしても、集束イオンビームによって目的部位
上の絶縁膜に細孔を形成させ、その周辺領域に集束イオ
ンビーム−ＣＶＤ法により金属電極を形成させることに
よって、チャージアップ効果及び局所電界効果の影響を
受けずに、良好な電圧測定精度で不良解析を実行できる
。
以下図面に従って本発明の実施例を詳細に説明する。
図−１は本発明の概念説明図であり、図−２は本発明を
実施する際の装置概略構成図である。
実施する際の装置概略構成図である。
図−１（ａ）において、配線上の保護膜に集束イオンビ
ーム照射によりエツチング穴あけし、次に、ガス銃によ
ってヘキサカルボニル金属蒸気を試料表面に吹きつけな
がら集束イオンビームを走査して、Ｔｏ）のように金属
がデポジションされ、電極を形成させる。最終的に該金
属電極において、集束イオンビームを照射し、その際に
放出される２次電子を検出し電位波形測定することによ
って動作評価を行なう（Ｃ１゜ 〔発明の効果〕 本発明により、半４体デバイスの金属配線変更と荷電粒
子ビームテスタによるＩＣ動作評価が一連の工程で、局
所電界効果等の影響を受けずに、正確、迅速に実行する
ことができる。
ーム照射によりエツチング穴あけし、次に、ガス銃によ
ってヘキサカルボニル金属蒸気を試料表面に吹きつけな
がら集束イオンビームを走査して、Ｔｏ）のように金属
がデポジションされ、電極を形成させる。最終的に該金
属電極において、集束イオンビームを照射し、その際に
放出される２次電子を検出し電位波形測定することによ
って動作評価を行なう（Ｃ１゜ 〔発明の効果〕 本発明により、半４体デバイスの金属配線変更と荷電粒
子ビームテスタによるＩＣ動作評価が一連の工程で、局
所電界効果等の影響を受けずに、正確、迅速に実行する
ことができる。
従って、本発明はＩＣ開発期間の短縮に大きな威力を発
揮する。
揮する。
第Ｘ図（ａｌ〜ｔｃ）は、ＩＣ動作評価補助手段説明図
、第２図は、装置概略構成図である。 １・・・イオン源 ２・・・コンデンサレンズ ３・・・上部偏向板 ４・ ・ ・絞り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガスｉ充 ９・・・試料 １０・・・２次電子検出器 以上
、第２図は、装置概略構成図である。 １・・・イオン源 ２・・・コンデンサレンズ ３・・・上部偏向板 ４・ ・ ・絞り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガスｉ充 ９・・・試料 １０・・・２次電子検出器 以上
Claims (1)
- ＩＣを電子ビームあるいはイオンビームを用いる荷電粒
子ビームテスタによって電位波形を得て動作評価を行う
方法において、集束イオンビームによりエッチングする
ことによって配線上の絶縁膜に穴あけを行ない、配線を
むき出しにし、次に、集束イオンビームＣＶＤ法により
前記細孔を含む周辺領域に前記細孔寸法よりも大面積の
金属電極を形成することにより局所電界効果の影響を受
けずに、該金属電極において、荷電粒子ビームテスタに
より電位波形を得ることを特徴とするＩＣ動作評価補助
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290262A JPH0815173B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体集積回路の動作評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290262A JPH0815173B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体集積回路の動作評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142825A true JPS63142825A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH0815173B2 JPH0815173B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=17753858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61290262A Expired - Lifetime JPH0815173B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体集積回路の動作評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815173B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456240A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 集積回路の故障解析方法 |
| JPH04162546A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の故障解析方法 |
| US5140164A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Ic modification with focused ion beam system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122136A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61290262A patent/JPH0815173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122136A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456240A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 集積回路の故障解析方法 |
| JPH04162546A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の故障解析方法 |
| US5140164A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Ic modification with focused ion beam system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815173B2 (ja) | 1996-02-14 |
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Legal Events
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