JPS63116443A - Ｆｉｂテスタ - Google Patents
ＦｉｂテスタInfo
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- JPS63116443A JPS63116443A JP61263288A JP26328886A JPS63116443A JP S63116443 A JPS63116443 A JP S63116443A JP 61263288 A JP61263288 A JP 61263288A JP 26328886 A JP26328886 A JP 26328886A JP S63116443 A JPS63116443 A JP S63116443A
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- ion beam
- ion
- wiring
- fib
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- Pending
Links
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンビームを走査して照射しながら試料表
面の微細加工を行うイオンビーム加工装置において、［
ＬＳＩ素子の内部波形を測定して、設計評価や、不良解
析に利用するＦＩＢテスタに関する。
面の微細加工を行うイオンビーム加工装置において、［
ＬＳＩ素子の内部波形を測定して、設計評価や、不良解
析に利用するＦＩＢテスタに関する。
本発明は、イオンビームを走査しながら照射してＩＣ配
線の撒ｔ■加工を行なうイオンビーム加工装置において
、デバイスの不良解析の手段として、目的配線部付近に
イオンビームによってテスティング用のバッドを形成し
、次にそこをイオンビーム照射し発生する１次電子を検
出し電圧波形を測定してデバイスの動作状態を検査する
ことができる。
線の撒ｔ■加工を行なうイオンビーム加工装置において
、デバイスの不良解析の手段として、目的配線部付近に
イオンビームによってテスティング用のバッドを形成し
、次にそこをイオンビーム照射し発生する１次電子を検
出し電圧波形を測定してデバイスの動作状態を検査する
ことができる。
従来は、光学顕微鏡によって測定する配線を確認し、こ
れに金属の針を接触させてオシロスユープで測定する金
属探針法と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と同様に走査像
で配線を確認し、目的部位に電子ビームを照射し、発生
する２次電子を検出することにより、その箇所の電圧波
形を測定するＥＢテスタが利用されている。
れに金属の針を接触させてオシロスユープで測定する金
属探針法と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と同様に走査像
で配線を確認し、目的部位に電子ビームを照射し、発生
する２次電子を検出することにより、その箇所の電圧波
形を測定するＥＢテスタが利用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら画法はそれぞれ以下の問題点を有している
。
。
金属探針法は、ＬＳＩが微細化、高集積化されると、金
属針の先端が大きずぎて接触が困難であるという問題が
あり、ＥＢテスクは非接触で微小部分のブロービングが
できるが、被測定電極の寸法が小さくなればなるほど局
所電界効果といわれる誤差要因が増すという問題があっ
た。局所電界効果は１ミクロン幅の電極上の５ボルトを
測定するとマイナス１．５ボルト程度の誤差を生じさせ
る。
属針の先端が大きずぎて接触が困難であるという問題が
あり、ＥＢテスクは非接触で微小部分のブロービングが
できるが、被測定電極の寸法が小さくなればなるほど局
所電界効果といわれる誤差要因が増すという問題があっ
た。局所電界効果は１ミクロン幅の電極上の５ボルトを
測定するとマイナス１．５ボルト程度の誤差を生じさせ
る。
本発明は、前述の問題点を解決するための手段であり、
そのための構成と手法を以下に示す。
そのための構成と手法を以下に示す。
イオンビームを走査しながら照射して試料表面の微細加
工を行うイオンビーム加工装置において、配線の切断あ
るいは接続した目的箇所付近に、イオンビームによって
評価用のバッドを新規形成することにより、局所電界効
果の問題なしに容易な不良解析を可能とする。
工を行うイオンビーム加工装置において、配線の切断あ
るいは接続した目的箇所付近に、イオンビームによって
評価用のバッドを新規形成することにより、局所電界効
果の問題なしに容易な不良解析を可能とする。
〔作用〕
本発明においては、イオンビームをデバイス加工用と、
加工箇所の不良解析のためのＦＩＢテスタ用として利用
した。
加工箇所の不良解析のためのＦＩＢテスタ用として利用
した。
ＩＣが微細化、高集積化が進んだとしても目的箇所付近
に適当な大きさのテスティング・バ・ノドをイオンビー
ムによって形成させ、その位置をイオンビーム照射し、
発生ずる２次電子を検出することによって局所電界効果
の影ツを受けずに、良好な電圧測定主１７度で不良解析
を実ｉ：ｒできる。
に適当な大きさのテスティング・バ・ノドをイオンビー
ムによって形成させ、その位置をイオンビーム照射し、
発生ずる２次電子を検出することによって局所電界効果
の影ツを受けずに、良好な電圧測定主１７度で不良解析
を実ｉ：ｒできる。
以下図面に従って本発明の実施例を詳細に説明する。
１はイオンビームを発生させるイオン源である。
例としてはガリウム液体金属イオン源が用いられる。２
はコンデンサレンズであってイオン源１から放出された
イオンビームを集光する。３は上部偏向板であって電圧
印加によりコンデンサレンズ２を通過したイオンビーム
を大きく屈折させる。
はコンデンサレンズであってイオン源１から放出された
イオンビームを集光する。３は上部偏向板であって電圧
印加によりコンデンサレンズ２を通過したイオンビーム
を大きく屈折させる。
これによりイオンビームをチョッピングしパルス化して
ストロボ照射を実行する。チェツキングは数百ピコ秒の
時間分解能とする。２は絞りであってイオンビームを絞
り所定のイオン電流を得るためのものである。絞り４は
イオンビームスポット径を規定する。マイクロオーダの
微細加工を行うためイオンビームを絞る必要がある。５
は非点補正レンズであって絞り４を通ったイオンビーム
非点補正を行い真円イオンビームスポットを得るための
レンズである。６はイオン光学系対物レンズであって非
点補正されたイオンビームのスボ、ットを試料９の表面
上に結像するためのものである。
ストロボ照射を実行する。チェツキングは数百ピコ秒の
時間分解能とする。２は絞りであってイオンビームを絞
り所定のイオン電流を得るためのものである。絞り４は
イオンビームスポット径を規定する。マイクロオーダの
微細加工を行うためイオンビームを絞る必要がある。５
は非点補正レンズであって絞り４を通ったイオンビーム
非点補正を行い真円イオンビームスポットを得るための
レンズである。６はイオン光学系対物レンズであって非
点補正されたイオンビームのスボ、ットを試料９の表面
上に結像するためのものである。
７は走査ＴＬ極であってＸ及び７２組の電極よりなる。
イオンビームスポットを試料９のＸＹ平面上でラスクス
キャンし試料の目的配線部分で切断、接続の加工を行う
。８はガス銃であって、ヘキサカルボニル金属藩気が８
１（料９の表面に吹き付けられる。イオンビームが照射
された領域でヘキサカルボニル金属が分解されて一酸化
炭素ガスが真空中に放出され、金属がデポジションされ
る。連続して前記ガスを吹き付けながらイオンビームの
走査を繰り返すことにより走査回数に比例した膜厚を持
つ金属パターン膜が形成される。
キャンし試料の目的配線部分で切断、接続の加工を行う
。８はガス銃であって、ヘキサカルボニル金属藩気が８
１（料９の表面に吹き付けられる。イオンビームが照射
された領域でヘキサカルボニル金属が分解されて一酸化
炭素ガスが真空中に放出され、金属がデポジションされ
る。連続して前記ガスを吹き付けながらイオンビームの
走査を繰り返すことにより走査回数に比例した膜厚を持
つ金属パターン膜が形成される。
以上の手法により、配線変更としての切断、接続が行え
、さらに評価用のパッドの作成も可能でである。１０は
試料９より放出される２次電子の検出器であり、電圧波
形測定用に用いる。以上によりデバイス加工機とＦＩＢ
テスクを複合化させる。
、さらに評価用のパッドの作成も可能でである。１０は
試料９より放出される２次電子の検出器であり、電圧波
形測定用に用いる。以上によりデバイス加工機とＦＩＢ
テスクを複合化させる。
本発明によると、半導体デバイスの金属配線の変更が、
ＦＩＢテスタによるチェツキングにより、正確に、迅速
に実行することができる。
ＦＩＢテスタによるチェツキングにより、正確に、迅速
に実行することができる。
従って、本発明はＩＣ開発期間の短縮に大きな威力を発
揮する。
揮する。
【図面の簡単な説明】
図面はＦＩＢテスタの分解斜視図ある。
１・・・イオン源
２・・・コンデンサレンズ
３０１．チョッピング機能の静電偏向板４・ ・ ・絞
り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガス銃 ９・・・試料 １０・・・２次電子検出器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務（他１名）分解軒視図
り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガス銃 ９・・・試料 １０・・・２次電子検出器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務（他１名）分解軒視図
Claims (1)
- イオン源から発生するイオンビームを集光し走査電極で
走査させながら試料表面に照射する手段と、原料ガスを
試料表面に吹き付けるガス銃を組合せたイオンビーム局
所膜付装置により、配線を確認し、目的検出部の近隣に
テスティング用のパッドを形成し、その場所に集束イオ
ンビームを照射し、その箇所の電圧波形を２次電子検出
器とエネルギーアナライザーによって測定することを特
徴とするＦＩＢテスタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263288A JPS63116443A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | Ｆｉｂテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263288A JPS63116443A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | Ｆｉｂテスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116443A true JPS63116443A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17387386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61263288A Pending JPS63116443A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | Ｆｉｂテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63116443A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456240A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 集積回路の故障解析方法 |
| US5106764A (en) * | 1989-04-10 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Device fabrication |
| US5140164A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Ic modification with focused ion beam system |
| US5429994A (en) * | 1993-07-22 | 1995-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wiring forming method, wiring restoring method and wiring pattern changing method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270762A (en) * | 1975-12-09 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode formation method of semiconductor element |
| JPS5734664A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of paste type electrode for lead storage battery |
| JPS58128750A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の電位計測方法 |
| JPS6028151A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP61263288A patent/JPS63116443A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270762A (en) * | 1975-12-09 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode formation method of semiconductor element |
| JPS5734664A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of paste type electrode for lead storage battery |
| JPS58128750A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の電位計測方法 |
| JPS6028151A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106764A (en) * | 1989-04-10 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Device fabrication |
| JPH0456240A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 集積回路の故障解析方法 |
| US5140164A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Ic modification with focused ion beam system |
| US5429994A (en) * | 1993-07-22 | 1995-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wiring forming method, wiring restoring method and wiring pattern changing method |
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