JP2004170395A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Abstract
回路パターン検査装置で特定した欠陥の位置情報を、他の装置でも活用できる形で迅速かつ正確に伝達することである。
【解決手段】
検査装置の持つ荷電粒子線照射機構を用いて欠陥周辺にマーキングを行う。このマーキングによって他装置との欠陥位置情報の共有が可能となる。マーキング手法としては荷電粒子線照射による堆積物やチャージアップなどが挙げられる。検査装置内でマーキングを行うことで他の装置により正確に、簡便に伝達でき、解析精度の向上と解析時間の短縮が可能である。
【選択図】図2
Description
1004による走査範囲位置を変更するイメージシフト偏向器を備えている(図示せず)。これら試料ステージやイメージシフト偏向器は、上位の検査装置(SEM式欠陥検査装置)から得られる試料欠陥等の位置情報に基づいて、電子線1002の走査範囲が、欠陥付近、或いは欠陥を含むように、図示しない制御装置によって位置づけられる。
11で説明したSEMやFIBが用いられる。欠陥の位置を特定するために、SEM式欠陥検査装置で欠陥の位置を検出し、その位置情報に基づいて、SEMやFIBの試料ステージや、イメージシフト偏向器が制御される。なお、SEM式欠陥検査装置から、ネットワークを経由して欠陥の位置情報をSEMやFIBに転送しても良いし、SEM式欠陥検査装置において、記憶媒体に欠陥の位置情報を記憶させ、SEMやFIBの位置合わせに、その位置情報を用いるようにしても良い。
301の回路に対して欠陥検査を行う(ステップ201)。
303の位置情報を装置に自動的に記憶させ、レーザー干渉計を用いた高精度なステージで解析対象となる不良ビットパターン303の位置に移動する。
502,601,701,805,901…電子線、602,703,806,903…走査幅X,Y、603,704,902…試料、604,705…試料内に存在、または試料室より生じたガス等、605,706…試料に存在するガス、606,708,804…堆積物、702,802…ガス導入ノズル、707,803…試料に吹き付けられるガス、801…冷却した試料、904…チャージアップ。
Claims (9)
- 回路パターンの複数の領域に荷電粒子線を照射しその回路パターンから発生する2次荷電粒子を検出して照射領域の画像を形成し複数の領域の画像を比較することで回路の欠陥、或いは異物を検出する回路パターン検査装置と、当該パターン検査装置によって特定された欠陥を、観察或いは分析する荷電粒子線装置を含む荷電粒子線装置システムであって、
前記回路パターン検査装置内で、荷電粒子線の照射による帯電、或いは荷電粒子線と前記回路パターン検査装置内に存在または試料から生じるガスとの相互作用により照射領域において生じるカーボン系の付着物を生じさせ、当該帯電、或いは付着物を、前記荷電粒子線装置における目印とすることを特徴とする荷電粒子線装置システム。 - 請求項1において、前記パターン検査装置内には、前記回路パターンにガスを吹き付けるためのガス導入機構が設けられていることを特徴とする荷電粒子線装置システム。
- 請求項2において、前記回路パターンを冷却する冷却装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置システム。
- 請求項1において、前記パターン検査装置内において、前記回路パターン上に帯電を生じさせるように、前記荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線装置システム。
- 試料上に荷電粒子線を走査して、当該走査領域の画像を形成する画像形成方法において、前記走査領域の特定個所に、当該特定個所以外の走査領域に対して異なる帯電状態を生じさせるように、或いはカーボン系の付着物を付着させるように、前記特定領域に選択的に荷電粒子線を照射することを特徴とする画像形成方法。
- 第1の荷電粒子線装置内で、半導体デバイス上に荷電粒子線を走査して、当該走査領域の画像を形成し、前記走査領域の特定個所に、当該特定個所以外の走査領域に対して異なる帯電状態を生じさせるように、或いはカーボン系の付着物を付着させるように、前記特定領域に選択的に荷電粒子線を照射し、前記帯電を維持した状態、或いは前記付着物を付着させた状態で、前記半導体デバイスを、第2の荷電粒子線装置内に移し、当該第2の荷電粒子線装置内で、前記帯電、或いは付着物によって特定される検査個所に、荷電粒子線を照射して、当該個所の検査を行うことを特徴とする検査方法。
- 回路パターンの複数の領域に荷電粒子線を照射しその回路パターンから放出される二次荷電粒子を検出して照射領域の画像を形成し、形成された複数の画像を比較することで回路の欠陥、或いは異物を検出する回路パターン検査装置と、当該回路パターン検査装置で検出された欠陥、或いは異物を含む領域又は周辺領域に荷電粒子線を照射し、当該欠陥,異物を含む領域から放出された荷電粒子を検出して、欠陥,異物を含む領域の画像を形成する荷電粒子線装置を備えた荷電粒子線装置システムであって、
前記回路パターン検査装置によって検出された異物、或いは欠陥を特定するマークを、マーク以外の部分とは異なる帯電状態となるように、或いはカーボンの付着物が付着するように前記荷電粒子線を照射して形成し、当該形成されたマークに基づいて、前記荷電粒子線装置内で、前記欠陥、或いは異物を含む領域の画像を形成するための視野合わせを行うことを特徴とする荷電粒子線装置システム。 - 荷電粒子源と、当該荷電粒子源より放出される荷電粒子線を試料上で走査する走査偏向器と、前記走査偏向器による試料上の走査位置を変更するイメージシフト偏向器、及び/又は試料ステージと、前記試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、画像を形成する試料像表示装置を備えた荷電粒子線装置において、
他の検査装置で得られた位置情報に基づいて、前記試料に対する前記荷電粒子線の走査位置を設定し、前記他の検査装置内で前記試料上に形成された帯電マーク、或いはカーボンの付着物に基づいて、前記走査位置を移動するように、前記イメージシフト偏向器、及び/又は試料ステージを制御する制御装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 回路パターンの複数の領域に荷電粒子線を照射しその回路パターンから放出される二次荷電粒子を検出して照射領域の画像を形成し、形成された複数の画像を比較することで回路の欠陥、或いは異物を検出する回路パターン検査装置において、
前記検出された回路の欠陥、或いは異物を特定するようなマークを、前記荷電粒子線照射による帯電、或いはカーボンの付着物を付着することで形成する回路パターン検査装置。
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2003
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