JP4571053B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Description
(2)試料ステージを移動させて、試料の特徴点(通常離れたところにある3点)とCADレイアウト情報をアライメントする。
(3)CADレイアウト上で目的個所(例えば特定セル)を指定する。
(4)指定した場所に試料ステージを移動させ、目的個所を特定する。
Claims (20)
- 試料に荷電粒子ビームを照射する照射系と、上記荷電粒子ビームを偏向する偏向制御系と、上記試料からの二次粒子信号を検出する検出器と、該検出器からの信号より上記試料の走査イオン顕微鏡画像を生成する画像生成部と、該画像生成部によって生成された画像を表示する表示装置と、ユーザからの指示を入力する入力装置とを有し、
上記偏向制御系は上記表示装置による表示分解能より大きいビーム偏向点分解能を有し、上記画像生成部は、上記試料が繰り返しセルを有するとき、上記入力装置を介して入力された、スケールの方向、該スケールのセルの寸法、及び、一度に生成する該スケールのセルの数の指定に基づいて、該繰り返しセルに対応したスケールパターンを生成し、該スケールパターンを上記試料の繰り返しセルの画像に重畳させ、上記試料の繰り返しセルの画像が、前記入力装置を介して入力されたズーム率の指定に基づいて拡大表示されたとき、上記スケールパターンの先端が表示画面の端に表示されるように表示画面をシフトさせることにより、上記入力装置より入力された目的セルを特定することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、上記入力装置より入力された目的セルに到達するまで、上記スケールパターンを上記試料の繰り返しセルの開始点から横方向と縦方向に延長させることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、上記入力装置より入力された目的セルの位置が特定されたとき、該特定された位置にマークパターンを重畳して表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部によって、上記入力装置より入力された目的セルの位置が特定されたとき、該特定された位置にて試料上にマーカを加工することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、上記偏向制御系のビーム偏向機能によるズームとソフトウエアによるズームを組み合わせてズーム画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、試料ステージを移動させることなく、ソフトウエアによって画像シフトを行うことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項4記載の荷電粒子ビーム装置において、上記照射系は試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系であり、マーカの加工は、集束イオンビームを用いたスパッタエッチング、ガスアシストアシストエッチング、ガスアシストデポジションのいずれかによって行われることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 試料に荷電粒子ビームを照射する照射系と、上記荷電粒子ビームを偏向する偏向制御系と、上記試料からの二次粒子信号を検出する検出器と、該検出器からの信号より上記試料の画像を生成する画像生成部と、該画像生成部によって生成された画像を表示する表示装置と、ユーザからの指示を入力する入力装置とを有し、
上記偏向制御系は上記表示装置による表示分解能より大きいビーム偏向点分解能を有し、上記画像生成部は、上記試料が繰り返しセルを有するとき、上記試料の繰り返しセルの画像が、前記入力装置を介して入力されたズーム率の指定に基づいて拡大表示されたとき、上記入力装置より入力された上記試料の繰り返しセルの縦と横の配列数と目的セルの座標から、目的セルを特定し、該目的セルを上記表示装置の画像表示領域の右下に配置させ、該目的セルにカーソルまたはマークパターンを配置することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部によって、上記入力装置より入力された目的セルが特定されたとき、該特定された目的セル上にマーカを加工することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記照射系は試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9記載の荷電粒子ビーム装置において、マーカの加工は、集束イオンビームを用いたスパッタエッチング、ガスアシストエッチング、ガスアシストデポジションのいずれかによって行われることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記照射系は試料に集束電子ビームを照射する集束電子ビーム照射系であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9記載の荷電粒子ビーム装置において、マーカの加工は、集束電子ビームを用いたガスアシストデポジションによって行われることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記照射系は試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と試料に走査電子ビームを照射する走査電子ビーム照射系を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、更にCADナビゲーションを行うCADナビゲーションシステム、CAD情報を格納したCAD情報データベース及びデバイス欠陥座標情報を格納したデバイス欠陥座標情報データベースを有し、CADレイアウトパターンを試料画像に整合して表示し、欠陥を表わすマークパターンをCADレイアウトパターンの欠陥の位置に重畳して表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、上記偏向制御系のビーム偏向機能によるズームとソフトウエアによるズームを組み合わせてズーム画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、上記画像生成部は、試料ステージを移動させることなく、ソフトウエアによって画像シフトを行うことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 試料に荷電粒子ビームを照射することと、上記荷電粒子ビームを偏向させることと、上記試料からの二次粒子信号を検出することと、該二次粒子信号より上記試料の走査イオン顕微鏡画像を生成することと、上記試料が繰り返しセルを有するとき、スケールの方向、該スケールのセルの寸法、及び、一度に生成する該スケールのセルの数の指定を入力することと、該指示に基づいて、該繰り返しセルに対応したスケールパターンを生成することと、該スケールパターンを上記試料の繰り返しセルの走査イオン顕微鏡画像に重畳させることと、上記試料の繰り返しセルの走査イオン顕微鏡画像が拡大表示されたとき、上記スケールパターンの先端が表示画面の端に表示されるように表示画面をシフトさせることにより、目的セルを特定すること、を含む荷電粒子ビーム装置を用いて特定のセルを検出する方法。
- 試料に荷電粒子ビームを照射することと、上記荷電粒子ビームを偏向させることと、上記試料からの二次粒子信号を検出することと、該二次粒子信号より上記試料の走査イオン顕微鏡画像を生成することと、上記試料が繰り返しセルを有するとき、上記試料の繰り返しセルの画像が、前記入力装置を介して入力されたズーム率の指定に基づいて拡大表示されたとき、該試料の繰り返しセルの少なくとも3つの端の位置に基づいて上記試料の繰り返しセルの配列を求めることと、該セルの配列から目的セルの位置を特定することと、を含む荷電粒子ビーム装置を用いて特定のセルを検出する方法。
- 請求項18〜19のいずれか1項記載の特定のセルを検出する方法をコンピュータに実行させるためにコンピュータによって読み取り可能なプログラム。
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