JPH0237656A - 高ドーズイオン注入装置 - Google Patents
高ドーズイオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0237656A JPH0237656A JP18449388A JP18449388A JPH0237656A JP H0237656 A JPH0237656 A JP H0237656A JP 18449388 A JP18449388 A JP 18449388A JP 18449388 A JP18449388 A JP 18449388A JP H0237656 A JPH0237656 A JP H0237656A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- disk
- charge
- silicone rubber
- conductive plate
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- Pending
Links
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- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置の製造に用いられる高ドーズイ
オン注入装置に係り、特にチャージアップモニタリング
のためのセンサに関するものである。
オン注入装置に係り、特にチャージアップモニタリング
のためのセンサに関するものである。
（従来の技術）
高ドーズイオン注入装置のチャージアンプ（電荷の蓄積
）問題については、各種の対策が検討されている。種々
の不明点は有るが、その対策としてエレクトロンシャワ
ー（別名フラットガン）の効果は大きく、今現在、最も
注目をあびている。
）問題については、各種の対策が検討されている。種々
の不明点は有るが、その対策としてエレクトロンシャワ
ー（別名フラットガン）の効果は大きく、今現在、最も
注目をあびている。
エレクトロンシャワーとは、高真空中でフィラメントに
電流を流し、フィラメントより発生する熱電子を半導体
ウェハに照射し、チャージアンプを低減する方法であり
、現在では殆どの高ドーズイオン注入装置に装備されて
いる。
電流を流し、フィラメントより発生する熱電子を半導体
ウェハに照射し、チャージアンプを低減する方法であり
、現在では殆どの高ドーズイオン注入装置に装備されて
いる。
ところで、チャージアップの発生度合いは半導体装置で
異なるため、チャージアンプの発生度合いに応じてフィ
ラメントに流す電流を制御する必要があり、それには、
チャージアップの発生度合いをモニターする必要がある
。
異なるため、チャージアンプの発生度合いに応じてフィ
ラメントに流す電流を制御する必要があり、それには、
チャージアップの発生度合いをモニターする必要がある
。
従来、チャージアップのモニタ一方法としては、静電容
量計とターゲット全面計測系に大別される。
量計とターゲット全面計測系に大別される。
静電容量計は、イオンビームが半導体ウェハに照射され
ると、該ウェハがチャージアップして正に帯電するから
、第３図に示すようにディスク（保持板）１の台座２に
保持された半導体ウェハ３の前方にセンサ４を設けて、
該センサ４で静電容量を観測し、計測部５によりエレク
トロンシャワー装置に観測値をフィードバックする方法
である。
ると、該ウェハがチャージアップして正に帯電するから
、第３図に示すようにディスク（保持板）１の台座２に
保持された半導体ウェハ３の前方にセンサ４を設けて、
該センサ４で静電容量を観測し、計測部５によりエレク
トロンシャワー装置に観測値をフィードバックする方法
である。
また、ターゲット全面計測系は、イオンビームが半導体
ウェハに照射されると、該ウエノ＼がチャージアンプし
て正に帯電し、それに伴ってディスク全体が電位をもつ
から、第４図に示すように、ディスク１の電位をセンサ
（電圧計）６で測定し、計測部により結果をエレクトロ
ンシャワー装置にフィードバンクする方法である。
ウェハに照射されると、該ウエノ＼がチャージアンプし
て正に帯電し、それに伴ってディスク全体が電位をもつ
から、第４図に示すように、ディスク１の電位をセンサ
（電圧計）６で測定し、計測部により結果をエレクトロ
ンシャワー装置にフィードバンクする方法である。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、第３図の静電容量計では、センサ４が半導体
ウェハ３から５１１１１以上離れることになるので、チ
ャージアンプ（静電容量）の信号が小さく、正確さに欠
ける問題点があった。また、第４図の全面計測系でも、
ディスク１全体のチャージ量を測定するために、やはり
正確さに欠ける問題点があった。
ウェハ３から５１１１１以上離れることになるので、チ
ャージアンプ（静電容量）の信号が小さく、正確さに欠
ける問題点があった。また、第４図の全面計測系でも、
ディスク１全体のチャージ量を測定するために、やはり
正確さに欠ける問題点があった。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、半導体ウェ
ハ毎に正確にチャージアップをモニターすることのでき
る優れたモニター手段を有する高ドーズイオン注入装置
を提供することを目的とする。
ハ毎に正確にチャージアップをモニターすることのでき
る優れたモニター手段を有する高ドーズイオン注入装置
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明は、高ドーズイオン注入装置において、ディス
クの各台座部分（この部分にそれぞれ半導体ウェハが保
持される）に、絶縁物で覆ってチャージアップモニター
用のセンサとしての導体板を設けるものである。
クの各台座部分（この部分にそれぞれ半導体ウェハが保
持される）に、絶縁物で覆ってチャージアップモニター
用のセンサとしての導体板を設けるものである。
（作 用）
この発明においては、ディスクの台座部分にセンサとし
ての導体板を設けることにより、半導体ウェハの直ぐ裏
側で、イオンビーム照射によるチャージアップ（静電容
量）が検出される。また、導体板を各台座部分に設ける
ことにより、チャージアップは、半導体ウェハ毎に検出
されることになる。
ての導体板を設けることにより、半導体ウェハの直ぐ裏
側で、イオンビーム照射によるチャージアップ（静電容
量）が検出される。また、導体板を各台座部分に設ける
ことにより、チャージアップは、半導体ウェハ毎に検出
されることになる。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図はこの発明の一実施例の装置のディスク部分の斜
視図である。この図において、１１はディスクで、Ｘス
キャンとして約１１０００ｒｐで高速回転され、Ｙスキ
ャンとして直径線方向に駆動される。このディスク１１
の表面に複数の半導体ウェハ１２が環状に並べて保持さ
れる。そして、このように半導体ウェハ１２を保持した
後、前記ディスク１１を高速回転（Ｘスキャン）と直径
線方向に駆動（Ｙスキャン）させながらイオンビーム（
ＩＢ）を照射することにより、ディスク１１上の複数の
半導体ウェハ１２に対して一度に高ドーズのイオン注入
を行うことができるのである。
視図である。この図において、１１はディスクで、Ｘス
キャンとして約１１０００ｒｐで高速回転され、Ｙスキ
ャンとして直径線方向に駆動される。このディスク１１
の表面に複数の半導体ウェハ１２が環状に並べて保持さ
れる。そして、このように半導体ウェハ１２を保持した
後、前記ディスク１１を高速回転（Ｘスキャン）と直径
線方向に駆動（Ｙスキャン）させながらイオンビーム（
ＩＢ）を照射することにより、ディスク１１上の複数の
半導体ウェハ１２に対して一度に高ドーズのイオン注入
を行うことができるのである。
このようなイオン注入方式はメカニカルスキャン方式と
言う。
言う。
上記ディスク１１の半導体ウェハ保持部分の詳細図を第
１図（ａｌ、（ｂｌに示す。この図のように、Ｍからな
るディスク１１には、各半導体ウェハ保持部分に、同Ｍ
からなる台座１３が設けられる。そして、この台座１３
の表面に、半導体ウェハの温度上昇を抑えるためのシリ
コンラバー１４が貼着され、そのシリコンラバー１４の
表面に半導体ウェハ１２が図示しない止め具により保持
されるわけであるが、この台座１３においては、該台座
１３との間に絶縁体として前記とは別のシリコンラバー
１５を介在させて前記シリコンラバー１４の裏側（半導
体ウェハ１２と反対側）に位置するようにして導体板１
６が埋め込まれている。この導体ＩＨ１６はチャージア
ップ検出用のセンサとしての導体板であり、例えば銅板
からなり、半導体ウェハの径より数鵬程度小さいサイズ
である。この導体板１６は前記シリコンラバー１４．１
５（いずれも厚さは０．５ ＋ｎａ＋程度）により覆わ
れ半導体ウェハ１２および台ｐｉ１３と絶縁される。ま
た、導体板１６は、絶縁物で被覆された電線１７により
ディスク１１内を通して計測部に電気的に接続される。
１図（ａｌ、（ｂｌに示す。この図のように、Ｍからな
るディスク１１には、各半導体ウェハ保持部分に、同Ｍ
からなる台座１３が設けられる。そして、この台座１３
の表面に、半導体ウェハの温度上昇を抑えるためのシリ
コンラバー１４が貼着され、そのシリコンラバー１４の
表面に半導体ウェハ１２が図示しない止め具により保持
されるわけであるが、この台座１３においては、該台座
１３との間に絶縁体として前記とは別のシリコンラバー
１５を介在させて前記シリコンラバー１４の裏側（半導
体ウェハ１２と反対側）に位置するようにして導体板１
６が埋め込まれている。この導体ＩＨ１６はチャージア
ップ検出用のセンサとしての導体板であり、例えば銅板
からなり、半導体ウェハの径より数鵬程度小さいサイズ
である。この導体板１６は前記シリコンラバー１４．１
５（いずれも厚さは０．５ ＋ｎａ＋程度）により覆わ
れ半導体ウェハ１２および台ｐｉ１３と絶縁される。ま
た、導体板１６は、絶縁物で被覆された電線１７により
ディスク１１内を通して計測部に電気的に接続される。
このように、この発明の一実施例の装置では、ディスク
１１の各台座１３部分にチャージアンプモニター用のセ
ンサとしての導体板１６が設けられるものであり、した
がって半導体ウェハ１２の直ぐ裏側で高怒度で、しかも
半導体ウェハ１２毎にチャージアップを検出することが
でき、チャージアップを正確に検出することができる。
１１の各台座１３部分にチャージアンプモニター用のセ
ンサとしての導体板１６が設けられるものであり、した
がって半導体ウェハ１２の直ぐ裏側で高怒度で、しかも
半導体ウェハ１２毎にチャージアップを検出することが
でき、チャージアップを正確に検出することができる。
なお、上記一実施例は、メカニカルスキャンの装置にこ
の発明を適用した場合であるが、この発明はその他すべ
ての高ドーズイオン注入装置に適用できる。
の発明を適用した場合であるが、この発明はその他すべ
ての高ドーズイオン注入装置に適用できる。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明によれば、半導体ウェハ
の直ぐ裏側で半導体ウェハ毎に正確にチャージアップを
検出できる。したがって、検出されたチャージアンプ信
号をエレクトロンシャワー装置にフィードバックするこ
とにより、半導体ウェハのチャージアップを良好に防止
することができる。
の直ぐ裏側で半導体ウェハ毎に正確にチャージアップを
検出できる。したがって、検出されたチャージアンプ信
号をエレクトロンシャワー装置にフィードバックするこ
とにより、半導体ウェハのチャージアップを良好に防止
することができる。
第１図および第２図はこの発明の高ドーズイオン注入装
置の一実施例を説明するための図で、第１図はディスク
の半導体ウェハ保持部分を詳細に示す正面図および断面
図、第２図はディスク部分全体の斜視図、第３図および
第４図は従来のチャージアンプモニタ一方法を示す概略
図である。 １１・・・ディスク、１２・・・半導体ウェハ、ＩＢ・
・・イオンビーム、１３・・・台座、１４．１５・・・
シリコンラバー １６・・・導体板。 Ｉｌモ）ヌク 三面図 （Ｏノ ティック部分の霜軒之■ 第２図 イ定来の第１のモ、ニター７ｆ。 第３１ｉ （ｂ〕 本％９ｈにイ岳る子イスクＱウェハ３殆搏套防シ評兵叫
Ｚ第１図 第４図
置の一実施例を説明するための図で、第１図はディスク
の半導体ウェハ保持部分を詳細に示す正面図および断面
図、第２図はディスク部分全体の斜視図、第３図および
第４図は従来のチャージアンプモニタ一方法を示す概略
図である。 １１・・・ディスク、１２・・・半導体ウェハ、ＩＢ・
・・イオンビーム、１３・・・台座、１４．１５・・・
シリコンラバー １６・・・導体板。 Ｉｌモ）ヌク 三面図 （Ｏノ ティック部分の霜軒之■ 第２図 イ定来の第１のモ、ニター７ｆ。 第３１ｉ （ｂ〕 本％９ｈにイ岳る子イスクＱウェハ３殆搏套防シ評兵叫
Ｚ第１図 第４図
Claims (1)
- ディスクの各台座に半導体ウェハを保持し、その半導体
ウェハに対して高ドーズイオン注入を行うようにした高
ドーズイオン注入装置において、ディスクの各台座部分
に、絶縁物で覆って、チャージアップモニター用のセン
サとしての導体板を設けたことを特徴とする高ドーズイ
オン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18449388A JPH0237656A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 高ドーズイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18449388A JPH0237656A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 高ドーズイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237656A true JPH0237656A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16154143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18449388A Pending JPH0237656A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 高ドーズイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826822B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-12-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for preparing rubber plate used in an ion implanter |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP18449388A patent/JPH0237656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826822B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-12-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for preparing rubber plate used in an ion implanter |
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