JPS62126538A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS62126538A JPS62126538A JP60265658A JP26565885A JPS62126538A JP S62126538 A JPS62126538 A JP S62126538A JP 60265658 A JP60265658 A JP 60265658A JP 26565885 A JP26565885 A JP 26565885A JP S62126538 A JPS62126538 A JP S62126538A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- wafer
- electron
- generating mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
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- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
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- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造装置、特にイオン注入装置に
関するものである。
関するものである。
従来のイオン注入装置において第２図に示すようにイオ
ン注入室はチャンバー２４Ａ及び２４Ｂと。
ン注入室はチャンバー２４Ａ及び２４Ｂと。
このチャンバー内に回転軸２３により支持されたディス
ク２２と、このディスク上に取り付けられたウェハーホ
ルタ０−２１とにより構成され、ビームライン２６によ
り導かれたイオンビームがウェハーホルダー２１上のウ
ェハーに注入される構造になっている。また、ディスク
２２とチャン・ぐ−２４Ｂにスリットが設けられ、そこ
を通過したイオンビームをファラデーカッｆ２７で受け
てイオンビーム電流値測定が行なわれる構造になってい
る。イオンビームがファラデーカップ２７にあたった時
に生ずる２次電子をファラデーカップ２７内に磁気的に
封じこめ、正しいイオンビーム電流値測定を行なうため
にマグネット２８が設置されている。さらにビームライ
ン２６中にイオンビームが通過するためのアノクーチャ
ーを有する電子発生機構２５が取り付けられ、ウェハー
表面にイオンビームによる正電荷が蓄積しウェハー上に
形成された半導体素子の静電破壊を引き起こすという欠
点や、ウェハー表面に蓄積された正電荷とイオンビーム
との相互作用によりイオン注入量のフェノ・−面内均一
性に大きな悪影響を及ぼすという欠点を防止していた。
ク２２と、このディスク上に取り付けられたウェハーホ
ルタ０−２１とにより構成され、ビームライン２６によ
り導かれたイオンビームがウェハーホルダー２１上のウ
ェハーに注入される構造になっている。また、ディスク
２２とチャン・ぐ−２４Ｂにスリットが設けられ、そこ
を通過したイオンビームをファラデーカッｆ２７で受け
てイオンビーム電流値測定が行なわれる構造になってい
る。イオンビームがファラデーカップ２７にあたった時
に生ずる２次電子をファラデーカップ２７内に磁気的に
封じこめ、正しいイオンビーム電流値測定を行なうため
にマグネット２８が設置されている。さらにビームライ
ン２６中にイオンビームが通過するためのアノクーチャ
ーを有する電子発生機構２５が取り付けられ、ウェハー
表面にイオンビームによる正電荷が蓄積しウェハー上に
形成された半導体素子の静電破壊を引き起こすという欠
点や、ウェハー表面に蓄積された正電荷とイオンビーム
との相互作用によりイオン注入量のフェノ・−面内均一
性に大きな悪影響を及ぼすという欠点を防止していた。
上述したように、従来の電子発生機構２５はビームライ
ン２６に取り付けられており、電子発生機構２５のアパ
ーチャーを通過したイオンビームと発生した電子が同時
にウェハーに照射される機構になっている。この場合、
電子発生機構２５のアパーチャーのイオンビームに対す
る位置設定が悪かったり、まだイオンビームのビーム径
が太きいと、電子発生機構２５がイオンビームの通路を
妨害するという欠点がある。
ン２６に取り付けられており、電子発生機構２５のアパ
ーチャーを通過したイオンビームと発生した電子が同時
にウェハーに照射される機構になっている。この場合、
電子発生機構２５のアパーチャーのイオンビームに対す
る位置設定が悪かったり、まだイオンビームのビーム径
が太きいと、電子発生機構２５がイオンビームの通路を
妨害するという欠点がある。
さらにイオンビームと電子発生機構２５で発生した電子
の通路が同一なので、ディスク２２、チャンバー２４Ｂ
のスリットを通過したイオンビームをファラデーカップ
２７で受けてイオンビーム電流値測定を行なう場合、イ
オンビームと同時にスリットを通過した該電子がマグネ
ット２８等で磁気的、もしくは電気的に除去されないと
イオンビーム電流値測定に大きな誤差が生じるという欠
点もある。
の通路が同一なので、ディスク２２、チャンバー２４Ｂ
のスリットを通過したイオンビームをファラデーカップ
２７で受けてイオンビーム電流値測定を行なう場合、イ
オンビームと同時にスリットを通過した該電子がマグネ
ット２８等で磁気的、もしくは電気的に除去されないと
イオンビーム電流値測定に大きな誤差が生じるという欠
点もある。
本発明はイオンビーム電流値測定に誤差が生じるのを防
止した装置を提供するものである。
止した装置を提供するものである。
本発明は半導体素子の製造に用いるイオン注入装置にお
いて、注入時ウェハーがイオンによって帯電することを
防止する電子発生機構をイオン注入室内に具備したこと
を特徴とするイオン注入装置である。
いて、注入時ウェハーがイオンによって帯電することを
防止する電子発生機構をイオン注入室内に具備したこと
を特徴とするイオン注入装置である。
以下本発明による実施例を第１図により説明する。第１
図において、本発明装置はチャンバー１４Ａ及び１４Ｂ
と、回転＠１３により支持されたディスク１２と、ウェ
ハーホルダー１１とによりイオン注入室を構成し、イオ
ンビーム電流値測定をファラデーカップ１７とマグネッ
ト１８で行なう点は従来と同じである。本発明はチャン
バー１７１．Ａの内側に、ウェハーホルダー１１にセッ
トされたウェハーのイオンビームによる帯電を防止する
電子発生機構１５を設けたものである。実施例において
、イオン注入する場合、ディスク１２を回転させながら
電子発生機構１５からの電子をウェハーホルダー１１上
のウェハーに照射する。この電子照射はイオンビームが
ウニ・・−上に蓄積した正電荷を中和する役割をはだす
。したがって、イオンビームの通路と電子発生機構とを
分離するため、イオンビームの流れを妨害することがな
く、しかも電子発生機構からの電子がイオンビームに影
響を与えることがない。
図において、本発明装置はチャンバー１４Ａ及び１４Ｂ
と、回転＠１３により支持されたディスク１２と、ウェ
ハーホルダー１１とによりイオン注入室を構成し、イオ
ンビーム電流値測定をファラデーカップ１７とマグネッ
ト１８で行なう点は従来と同じである。本発明はチャン
バー１７１．Ａの内側に、ウェハーホルダー１１にセッ
トされたウェハーのイオンビームによる帯電を防止する
電子発生機構１５を設けたものである。実施例において
、イオン注入する場合、ディスク１２を回転させながら
電子発生機構１５からの電子をウェハーホルダー１１上
のウェハーに照射する。この電子照射はイオンビームが
ウニ・・−上に蓄積した正電荷を中和する役割をはだす
。したがって、イオンビームの通路と電子発生機構とを
分離するため、イオンビームの流れを妨害することがな
く、しかも電子発生機構からの電子がイオンビームに影
響を与えることがない。
以上説明したように本発明は、電子発生機構をビームラ
インから分離してイオン注入室内に設置したことにより
、電子発生機構がイオンビームの通路を妨害せず、さら
にイオンビームの通路と電子発生機構から発生する電子
の通路が分離されるため、イオンビーム電流値測定にお
いて該電子による誤差の影響を除去することができる効
果がある。
インから分離してイオン注入室内に設置したことにより
、電子発生機構がイオンビームの通路を妨害せず、さら
にイオンビームの通路と電子発生機構から発生する電子
の通路が分離されるため、イオンビーム電流値測定にお
いて該電子による誤差の影響を除去することができる効
果がある。
第１図は本発明による注入室の実施例を説明するだめの
断面図、第２図は従来のイオン注入室を説明するための
断面図である。 １．１．２１・・・ウェハーホルダー、１２．２２・・
・ディスク、１３．２３・・・回転軸、１４Ａ、１４Ｂ
、２４Ａ、２４Ｂ・・・チャンバー、１５．２５・・・
電子発生機構、１６．２６・・・ビームライン、１７．
２７・・・ファラデーカップ、１８．２’８・・・マグ
ネット。 第１図
断面図、第２図は従来のイオン注入室を説明するための
断面図である。 １．１．２１・・・ウェハーホルダー、１２．２２・・
・ディスク、１３．２３・・・回転軸、１４Ａ、１４Ｂ
、２４Ａ、２４Ｂ・・・チャンバー、１５．２５・・・
電子発生機構、１６．２６・・・ビームライン、１７．
２７・・・ファラデーカップ、１８．２’８・・・マグ
ネット。 第１図
Claims (1)
- （１）半導体素子の製造に用いるイオン注入装置におい
て、注入時ウェハーがイオンによつて帯電することを防
止する電子発生機構をイオン注入室内に具備したことを
特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265658A JPS62126538A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265658A JPS62126538A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126538A true JPS62126538A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17420192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265658A Pending JPS62126538A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62126538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128543A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板イオン注入装置 |
| JPH05182630A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-23 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| CN105691166A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-06-22 | 丰田自动车株式会社 | 车辆用树脂后尾门 |
| US20170178860A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Ion implanter |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP60265658A patent/JPS62126538A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128543A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板イオン注入装置 |
| JPH05182630A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-23 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| CN105691166A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-06-22 | 丰田自动车株式会社 | 车辆用树脂后尾门 |
| US9849760B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-12-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin back door for vehicle |
| US20170178860A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Ion implanter |
| DE102016224319A1 (de) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Ionenimplanter |
| US9899189B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-02-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Ion implanter |
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