JP2019110085A - イオン注入装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精度のイオン注入を実現する。【解決手段】イオン注入装置100は、イオン発生源101と、イオン発生源から引き出されたイオンのうち所望の電荷質量比のイオンを通過させる質量分析器105と、ファラデーカップ121の内面の互いに異なる箇所に設けられた複数の帯電センサ132,133と、イオンビーム150の半導体ウエハ111への注入条件を制御するコントローラ128とを備える。コントローラ128は、複数の帯電センサ132,133の検出値の差に基づいて注入条件を調整する。【選択図】図1
Description
この開示は、イオン注入装置および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程では、真空中で半導体ウエハにインオビームを照射することによって半導体ウエハにイオン注入する処理が行われる。高精度のイオン注入を実現するためには、イオンビームの電流量を正確にモニタする必要があり、たとえば、ファラデーカップが用いられる。
ファラデーカップの使用に際しては、計測誤差に注意する必要がある。計測誤差の原因の代表的なものとして、2次電子がファラデーカップの外に放出されてしまうこと(2次電子漏れと称する)が挙げられる(たとえば、特開平09−063979号公報(特許文献1)参照)。
本願発明者は、高精度のイオン注入の実現を困難にする上記の2次電子漏れについて検討した。この結果、2次電子漏れが生じる原因の1つとして、イオン注入装置内部のチャージアップが挙げられることを見出した。イオン注入装置を長期間使用すると、イオン注入装置の内部の壁面およびファラデーカップ内部の壁面に絶縁被膜が付着し、このためチャージアップが生じる。このチャージアップが2次電子漏れの原因となり得ることについては、これまでほとんど注意が払われてこなかった。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施形態によるイオン注入装置は、イオン電流を計測するためのファラデーカップの内面の互いに異なる箇所に設けられ、ファラデーカップの内面の帯電量を計測する複数の帯電センサを備える。コントローラは、これらの帯電センサの検出値の差に基づいてイオン注入条件を調整する。
上記の実施形態によれば、高精度のイオン注入を実現することができる。
以下、各実施形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。
<第1の実施形態>
[イオン注入装置の構成]
図1は、イオン注入装置の構成の一例を示す模式的な断面図である。図1において、イオンの進行方向をX方向とし、X方向に垂直な面内方向をY方向およびZ方向とする。図1において、X方向は紙面の左右方向であり、Y方向は紙面の上下方向であり、Z方向は紙面に垂直な方向である。
[イオン注入装置の構成]
図1は、イオン注入装置の構成の一例を示す模式的な断面図である。図1において、イオンの進行方向をX方向とし、X方向に垂直な面内方向をY方向およびZ方向とする。図1において、X方向は紙面の左右方向であり、Y方向は紙面の上下方向であり、Z方向は紙面に垂直な方向である。
図1を参照して、イオン注入装置100は、イオン発生源101と、イオン引き出し部104と、質量分析器105と、ビーム輸送部106と、ウエハホルダ110と、イオン電流計測器120とを備える。上記の各要素は真空容器に内蔵されている。
イオン発生源101は、半導体ウエハに注入される不純物元素の正イオンを生成する。イオン発生方法は特に限定されない。たとえば、フィラメントによって生成された熱電子を原料ガスに衝突させることによって原料ガスをイオン化してもよい。
イオン引き出し部104は、イオン発生源101によって生成されたイオンを引き出す。具体的に、イオン引き出し部104は、複数の引き出し電極103と、各引き出し電極103に負電位を与える直流電源102とを含む。各引き出し電極103の電位を調整することによって、イオンビームのエネルギーおよびイオンビームの照射位置を調整することができる。
質量分析器105は、磁界によってイオンの進行方向を曲げる。これによって、所望の電荷質量比を有するイオンのみ進行方向が90°曲がって質量分析器105を通過することができる。すわなち、質量分析器105は、所望の電荷質量比を有するイオンのみを抽出することができる。
質量分析器105を通過したイオンは、筒状導体であるビーム輸送部106を通過する。ビーム輸送部106は接地されている。ビーム輸送部106の内部には、たとえば、スリット、ビーム平行化器、ビーム加速器/減速器(いずれも不図示)などが設けられていてもよい。
ウエハホルダ110は、複数の半導体ウエハ111を支持する。図2は、ウエハホルダとその駆動機構の一例を示す模式的な斜視図である。
図2を参照して、イオン注入装置100は、ウエハホルダ110の中心に取り付けられた回転軸113と、その駆動機構114とを備える。ウエハホルダ110には複数枚(図の場合には、13枚)の半導体ウエハ111が回転中心から等しい位置に均等に取り付けられる。
駆動機構114は回転軸113を回転駆動するとともに、回転軸113を回転軸に垂直な面内で搖動駆動させる(図2の場合には、上下方向に駆動する)。これによって、各半導体ウエハ111に均一にイオンビーム150を照射することができる。
ウエハホルダ110には、さらに、イオンビーム150を通過させるためのスリット112が設けられる。ウエハホルダ110が1回転する間に、イオンビーム150は各半導体ウエハ111に順次照射され、最後にスリット112を通過する。スリット112を通過したイオンビームはイオン電流計測器120に到達する。
再び図1を参照して、イオン電流計測器120は、イオンビーム150の電流量を測定する。具体的に、イオン電流計測器120は、ファラデーカップ121と、電流計123と、磁石122とを含む。
ファラデーカップ121は、金属製のカップであり、荷電粒子を捕捉する。たとえば、ファラデーカップ121は円筒状の側面と底面とを有し、底面に電流計123が接続される。ファラデーカップ121内に入射したイオンが底面の金属壁に衝突すると、衝突したイオンを中和するために電子が電流計123を通ってファラデーカップ121に移動する。これによって、イオン電流を測定することができる。
磁石122は、ファラデーカップ121の入り口付近でイオンの進行方向に対して少なくとも直交する方向(図1の場合はY方向であるが、YZ平面内であればどの方向でもよい)の磁力線124をファラデーカップ121内に発生する。磁力線の方向を均一にするために、2個の磁石を、極性を異ならせて対向するように配置し、これらの2個の磁石を鉄ヨーク(不図示)によって接続してもよい。磁力線124によって電子の進行方向が曲げられるために、電子の通過が妨げられる。すなわち、磁力線124は電子の通過を妨げる電子障壁として機能する。
図1に示すように、イオンビーム150の周囲にはイオンビーム150のプラス電位に引き付けられた電子が集まりやすい。磁力線124はこの電子がファラデーカップ121に侵入するのを妨げる。もし、電子がファラデーカップ121に侵入すると、侵入した電子はイオンと結びつくために、イオン電流が見かけ上は少なく検出されることになり注入量過多の原因になる。
また、イオンビーム150は、ファラデーカップ121に衝突すると2次電子を生成する。磁力線124は、この2次電子がファラデーカップ121から外に漏れ出るのを妨げる。もし、2次電子がファラデーカップ121の外に漏れ出ると、見かけ上はこの漏れ2次電子と等価な正電荷が流入したことになるので、イオン電流が実際よりも多めに検出されることになり注入量不足の原因となる。
したがって、上記の注入量過多および注入量不足を防止するために、電子の通過を妨げるための磁力線124がファラデーカップ121の入り口付近に形成されている。
[帯電センサ]
さらに、イオン注入装置100は、複数の帯電センサ130A、130E,131A,131E,132A,132E,133A,133Eを備える。
さらに、イオン注入装置100は、複数の帯電センサ130A、130E,131A,131E,132A,132E,133A,133Eを備える。
イオン注入装置を使用し続けると、イオン注入装置の内部の壁面およびファラデーカップ内部の壁面には絶縁被膜が付着する。前述のように、プラス電位のイオンビーム150の周囲にはマイナス電位の電子が集まりやすいので、この絶縁被膜はマイナスまたはプラスにチャージアップしやすい。帯電センサは、イオン注入装置100の各部における帯電量を計測する。
第1の実施形態では、イオン電流計測器120のファラデーカップ121の内面に取り付けられた132A,132E,133A,133Eの利用方法について説明する。その他の帯電センサ130A、130E,131A,131Eの利用方法については第2の実施形態で説明する。
図1に示すように、帯電センサ132A,132E(総称する場合、帯電センサ132と記載する)は、そのX方向の中心位置がファラデーカップ121の入り口からL1の距離となるようにファラデーカップ121の内面に配置されている。帯電センサ132は、イオンビーム150の進行方向(X方向)に対して垂直な平面に沿って配置されるのが望ましい。さらに、帯電センサ132は、イオンビーム150を取り囲むように均等に配置されるのが望ましい。
帯電センサ133A,133E(総称する場合、帯電センサ133と記載する)は、そのX方向の中心位置がファラデーカップ121の入り口からL2の距離(L2>L1)となるようにファラデーカップ121の内面に配置されている。帯電センサ133は、イオンビーム150の進行方向(X方向)に対して垂直な平面に沿って配置されるのが望ましい。さらに、帯電センサ133は、イオンビーム150を取り囲むように均等に配置されるのが望ましい。
図3は、ファラデーカップの内面における帯電センサ133のより詳細な配置例を示す模式的な断面図である。図3では、ファラデーカップ121の中心軸121C(イオンビーム150の中心軸にほぼ同じ)に垂直な面での断面図が示されている。なお、ファラデーカップ121の入り口付近に設けられた帯電センサ132も、帯電センサ133と同様に配置されている。
図3を参照して、8個の帯電センサ133A〜133Hは、ビーム輸送部106の中心軸106Cから等距離の位置に対称的に配置されている。したがって、帯電センサ133A〜133Hは、イオンビーム150を取り囲むように均等に配置されている。
再び図1を参照して、帯電センサ132,133の配置位置と前述の磁石122の配置位置との関係について説明する。
磁石122の磁極NおよびSは、帯電センサ132の配置位置と帯電センサ133の配置位置との間、すなわち、ファラデーカップ121の入り口からの距離がL1とL2との間に位置する。磁石122によって発生する磁力線124には、イオンビームの進行方向に垂直方向(すなわち、YZ平面内の方向)の磁力線が含まれる。この垂直方向の磁力線124がファラデーカップ121の入り口からの距離がL1とL2との間となるように、磁石122が配置されている。言い換えると、帯電センサ132は磁石122によって形成されるイオンビームと直交する方向の磁力線124よりもファラデーカップ121の入り口寄りに配置され、帯電センサ133はイオンビームと直交する方向の磁力線124よりもファラデーカップ121の奥に配置される。
ここで、ファラデーカップ121の内表面に絶縁被膜が付着し、その表面がマイナスに帯電していていたとする。さらに、帯電センサ132によって検出された帯電量と、帯電センサ133によって検出された帯電量とに大きな差があったとする。そうすると、帯電量の差によって電界が生じるので、磁石122によって形成された磁力線124と電界との両方の影響を受けて電子が移動することになり、電子障壁としての磁力線124を電子が通過する可能性が増す。
具体的に、ファラデーカップ121の入り口寄りに配置された帯電センサ132の検出値の絶対値のほうが、より奥に配置された帯電センサ133の検出値の絶対値よりも大きければ、ファラデーカップ121の外部から中に侵入する電子が生じ得る。電子がファラデーカップ121に侵入すると、侵入した電子はイオンと結びつくために、イオン電流が見かけ上は少なく検出されることになり注入量過多の原因になる。
逆に、帯電センサ132の検出値の絶対値のほうが帯電センサ133の検出値の絶対値よりも小さければ、ファラデーカップ121の内部で生じた2次電子がファラデーカップ121の外に漏れ出す可能性が増す。2次電子がファラデーカップ121の外に漏れ出ると、見かけ上はこの漏れ2次電子と等価な正電荷が流入したことになるので、イオン電流が実際よりも多めに検出されることになり注入量不足の原因となる。
このように、帯電センサ132,133によって検出される帯電量の差は、イオン電流計測器120の計測誤差の目安となる。
[帯電センサの具体的構造の一例とその動作]
図4は、ファラデーカップの内面に設けられた帯電センサの構造の一例を示す模式的な断面図である。
図4は、ファラデーカップの内面に設けられた帯電センサの構造の一例を示す模式的な断面図である。
以下、図4を参照して、帯電センサの具体的構造の一例について説明する。図4では、ファラデーカップ121の内面に設けられた帯電センサ133を例に挙げて説明する。以下の構造の帯電センサは、図1のその他の箇所に取り付けられた帯電センサ130A、130E,131A,131E,132A,132Eにも適用可能である。
なお、帯電センサの構造は図4のものに限定されない。他の構造の帯電センサを図1の各帯電センサとして利用することができる。
図4を参照して、帯電センサ133は、平板状の誘電体154と、誘電体154の表面に形成された表面電極155と、その反対側である誘電体154の裏面に形成された裏面電極156と、電圧計157とを含む。表面電極155および裏面電極156が形成された誘電体154は、絶縁体153を介在してファラデーカップ121を構成する筒状導体151の内面側に埋め込まれている。ファラデーカップ121の内面に絶縁膜152が付着していない場合には、表面電極155の少なくとも一部はファラデーカップ121の内面側の空間に露出している。誘電体154および裏面電極156は、ファラデーカップ121の内面側の空間には露出していない。
次に、図4の帯電センサ133の動作について説明する。
図4に示すように、ファラデーカップ121を構成する筒状導体151の内面上に絶縁膜152が形成されたとする。そして、イオンビーム150の周囲に集まった電子(e−)がその絶縁膜152上に付着したとする(すなわち、絶縁膜152の表面がマイナス電位にチャージアップされている)。この場合、誘電体154の分極により、表面電極155には正電荷が誘起され、裏面電極156には負電荷が誘起される。したがって、裏面電極156の負電位を電圧計157で検出することによって、絶縁膜152の表面のマイナスの帯電量を検出することができる。
図4に示すように、ファラデーカップ121を構成する筒状導体151の内面上に絶縁膜152が形成されたとする。そして、イオンビーム150の周囲に集まった電子(e−)がその絶縁膜152上に付着したとする(すなわち、絶縁膜152の表面がマイナス電位にチャージアップされている)。この場合、誘電体154の分極により、表面電極155には正電荷が誘起され、裏面電極156には負電荷が誘起される。したがって、裏面電極156の負電位を電圧計157で検出することによって、絶縁膜152の表面のマイナスの帯電量を検出することができる。
なお、絶縁膜152の表面がプラス電位にチャージアップされている場合には、誘電体154の分極により、表面電極155には負電荷が誘起され、裏面電極156には正電荷有機されている。したがって、裏面電極156の正電位を電圧計157で検出することによって、絶縁膜152の表面のプラスの帯電量を検出することができる。
[コントローラ]
イオン注入装置100は、さらに、装置全体を制御するためのコントローラ128を備える。具体的に、コントローラ128は、イオン発生源101の動作、イオン引き出し部104の直流電源102の出力、ウエハホルダ110用の駆動機構114の動作などを制御する。
イオン注入装置100は、さらに、装置全体を制御するためのコントローラ128を備える。具体的に、コントローラ128は、イオン発生源101の動作、イオン引き出し部104の直流電源102の出力、ウエハホルダ110用の駆動機構114の動作などを制御する。
さらに、コントローラ128は、イオン電流計測器120に設けられた電流計123の検出結果、各帯電センサ130,131,132,133によって検出された帯電量の検出結果などを受け取る。コントローラ128は、これらの検出結果に基づいてイオン注入条件を調整する。
コントローラ128は、CPU(Central Processing Unit)およびメモリを含むマイクロコンピュータをベースに構成されてもよいし、FPGA(Field Programmable Gate Array)などの回路によって構成されてもよい。もしくは、コントローラ128は、これらを組み合わせることによって実現されていてもよい。
[イオン注入工程]
次に、上記の帯電センサ132,133による帯電量の計測値を利用したイオン注入工程について説明する。ビーム輸送部106に取り付けられた帯電センサ130A,130Eおよびウエハホルダ110に取り付けられた帯電センサ131A,131Eに関しては、第2の実施形態で説明する。
次に、上記の帯電センサ132,133による帯電量の計測値を利用したイオン注入工程について説明する。ビーム輸送部106に取り付けられた帯電センサ130A,130Eおよびウエハホルダ110に取り付けられた帯電センサ131A,131Eに関しては、第2の実施形態で説明する。
図5は、第1の実施形態によるイオン注入工程を示すフローチャートである。図1および図5を参照して、ステップS101において、イオン注入装置100の内部のウエハホルダ110に半導体ウエハ111がセットされる。
なお、半導体ウエハ111上の表面上にはイオン注入の際にマスクとして用いられるレジストパターンが、リソグラフィプロセスを利用して予め形成されている。レジストは、イオン注入装置100の内部に生じる絶縁被膜の原因物質の1つであると考えられる。
イオン注入装置100を構成する真空チャンバ(不図示)の内部を真空引きした後、ステップS102においてコントローラ128はイオンビーム150の調整を行う。イオンビーム150の調整中は、コントローラ128は、イオンビーム150がスリット112を通過する位置でウエハホルダ110が固定するように駆動機構114を制御する。
具体的にステップS102においてコントローラ128は、イオン注入条件の1つであるイオンビームの照射位置を調整する。このため、コントローラ128は、イオン電流計測器120の検出値が最大になるように、各引き出し電極103の電位を調整する。コントローラ128は、イオン電流計測器120によって計測された調整後のイオン電流量を記憶する。
次のステップS103において、コントローラ128は、上記のイオン電流量、必要なドーズ(dose)量、およびドーズ面積に基づいて、イオン注入条件の1つであるイオン注入時間を設定する。イオン注入時間とは、半導体ウエハ111へのイオンビームの全照射時間である。
その次のステップS104において、コントローラ128は、駆動機構114によってウエハホルダ110を回転させることによって、半導体ウエハ111へのイオン注入を開始する。さらに、ステップS105において、コントローラ128は、帯電センサ132,133よる帯電量の計測を開始する。なお、イオン電流計測器120によるイオン電流の計測は、ステップS102において既に開始されている。
イオン注入時間が経過するまでの間(ステップS106でNOとなるまでの間)、以下の手順が繰り返される。
まず、コントローラ128は、現在の時刻がファラデーカップ121の帯電量が異常であるか否かを検査するための検査時刻であるか否かを判定する(ステップS107)。たとえば、1分ごとのように、ファラデーカップ121の帯電量が異常であるか否かの判定は定期的に行われる。
定期的な検査時刻になると(ステップS107でYES)、コントローラ128は、帯電センサ132の帯電量と帯電センサ133の帯電量との差を計算する。すなわち、イオンの進行方向を基準にして電子障壁として機能するイオンビームと直交する方向の磁力線124の手前側と奥側での帯電量の差が算出される。なお、この場合の帯電センサ132の帯電量および帯電センサ133の帯電量は、複数の帯電センサの検出値の平均値を用いてもよいし、中央値を用いてもよいし、最大値または最小値を用いてもよい。
次に、コントローラ128は、現時刻がイオン注入条件を補正すべき補正期間内であるか否かを判定する(ステップS109)。たとえば、全イオン注入時間が60分の場合、注入開始から10分後から55分後までのように、全イオン注入時間の75%程度が補正期間に設定される。この場合の最初の10分は、イオン注入装置100の状態が安定するまでの待ち時間である。
補正期間内において、ステップS108で算出した帯電量の差が閾値を超えている場合には、コントローラ128は、帯電量の差に応じてイオン注入時間を調整する(ステップS110)。
たとえば、帯電センサ132,133によって検出された帯電量がマイナスの場合(すなわち、電子の帯電量を示している場合)について説明する。この場合、帯電センサ132によって検出された帯電量の絶対値が帯電センサ133によって検出された帯電量の絶対値より大きく、かつそれらの差が閾値を超えている場合には、コントローラ128は、イオン注入時間をより短い時間に変更する。この場合、ファラデーカップ121の外部から中に侵入する電子が生じ得る。そして、電子がファラデーカップ121に侵入すると、侵入した電子はイオンと結びつくために、イオン電流が見かけ上は少なく検出されることになるからである。
逆に、帯電センサ132によって検出された帯電量の絶対値が帯電センサ133によって検出された帯電量の絶対値より小さく、かつそれらの差が閾値を超えている場合には、コントローラ128は、イオン注入時間をより長い時間に変更する。この場合、ファラデーカップ121の内部で生じた2次電子がファラデーカップ121の外に漏れ出す可能性が生じる。2次電子がファラデーカップ121の外に漏れ出ると、見かけ上はこの漏れ2次電子と等価な正電荷が流入したことになるので、イオン電流が実際よりも多めに検出されることになるからである。
なお、帯電量の差とイオン注入時間の補正量との関係は予め実験的に定められる。たとえば、半導体ウエハに実際に注入されたイオン量は、半導体ウエハの電気的な特性を測定することによって見積もることができるので、この実際の注入量の推定値と帯電量の測定値との関係からイオン注入時間の補正量を決定する。
ステップS106において、イオン注入時間が経過した場合には、コントローラ128は、イオン発生源101を停止することによってイオン注入を停止する(ステップS111)。さらに、ステップS112において、コントローラ128は、イオン電流計測器120によるイオン電流の計測および帯電センサ132,133による帯電量の計測を終了する(ステップS112)。
[効果]
以上のとおり、第1の実施形態のイオン注入装置100によれば、イオン電流計測器120を構成するファラデーカップ121の内部に設けた帯電センサ132,133によって、ファラデーカップ121の内面の帯電量が測定される。この帯電量の測定結果に基づいてイオン電流計測器120の計測誤差が補正可能であるので、高精度のイオン注入を実現することができる。
以上のとおり、第1の実施形態のイオン注入装置100によれば、イオン電流計測器120を構成するファラデーカップ121の内部に設けた帯電センサ132,133によって、ファラデーカップ121の内面の帯電量が測定される。この帯電量の測定結果に基づいてイオン電流計測器120の計測誤差が補正可能であるので、高精度のイオン注入を実現することができる。
<第2の実施形態>
第2の実施形態では、ビーム輸送部106に設けられた帯電センサ130A、130E(総称する場合、帯電センサ130と記載する)、およびウエハホルダ110に設けられた帯電センサ131A,131E(総称する場合、帯電センサ131と記載する)の利用方法について説明する。これらの帯電センサ130,131を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれをモニタすることができる。以下、図面を参照して具体的に説明する。
第2の実施形態では、ビーム輸送部106に設けられた帯電センサ130A、130E(総称する場合、帯電センサ130と記載する)、およびウエハホルダ110に設けられた帯電センサ131A,131E(総称する場合、帯電センサ131と記載する)の利用方法について説明する。これらの帯電センサ130,131を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれをモニタすることができる。以下、図面を参照して具体的に説明する。
なお、帯電センサの配置以外のイオン注入装置100の構成は第1の実施形態の場合と同じであるので説明を繰り返さない。
[帯電センサの配置]
図1の帯電センサ130は、ビーム輸送部106の出口付近で、ビーム輸送部106の内面(すなわち、イオンビーム150を臨む面)に複数個設けられる。帯電センサ130は、イオンビーム150の進行方向(X方向)に対して垂直な平面に沿って配置されるが望ましい。さらに、帯電センサ130は、イオンビームの中心軸に対して対称な位置に配置されるのが望ましい。
図1の帯電センサ130は、ビーム輸送部106の出口付近で、ビーム輸送部106の内面(すなわち、イオンビーム150を臨む面)に複数個設けられる。帯電センサ130は、イオンビーム150の進行方向(X方向)に対して垂直な平面に沿って配置されるが望ましい。さらに、帯電センサ130は、イオンビームの中心軸に対して対称な位置に配置されるのが望ましい。
図6は、ビーム輸送部の内面における帯電センサの配置例を示す模式的な断面図である。図6では、ビーム輸送部106の中心軸106Cに垂直な面での断面図が示されている。図6に示すように、8個の帯電センサ130A〜130Hは、ビーム輸送部106の中心軸106Cから等距離の位置に対称的に配置されている。すなわち、帯電センサ130A〜130Hは、イオンビーム150を取り囲むように配置されている。
仮に、イオンビーム150の中心軸にずれが生じていたとすれば、イオンビーム150に最も近接した帯電センサ130と、イオンビーム150から最も離間した帯電センサ130とでは、検出される帯電量に差が生じるはずである。したがって、イオンビーム150の周囲に均等に配置された帯電センサ130を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれの有無を検知することができる。
次に、図1のウエハホルダ110上で半導体ウエハ111の周囲に複数個配置された帯電センサ131について説明する。
図7は、ウエハホルダ上での帯電センサの配置例を示す模式的な平面図である。図7に示すように、8個の帯電センサ131A〜131Hは、半導体ウエハ111の中心から等距離の位置に対称的に配置されている。
仮に、イオンビーム150の中心軸と半導体ウエハ111の中心とにずれが生じていたために、半導体ウエハ111上のイオンビーム150の照射位置に偏りが生じていたとすれば、半導体ウエハ111の周囲に配置された帯電センサ131の検出値にも場所による差が生じるはずである。したがって、半導体ウエハ111の周囲に均等に配置された帯電センサ131を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれを検知することができる。
[イオン注入工程]
次に、上記の帯電センサ130,131による帯電量の計測値を利用したイオン注入工程について説明する。
次に、上記の帯電センサ130,131による帯電量の計測値を利用したイオン注入工程について説明する。
図8は、第2の実施形態によるイオン注入工程を示すフローチャートである。図8のフローチャートは、図5のフローチャートに対応するものである。したがって、図5と対応するステップについては、同一の参照符号を付して詳しい説明を繰り返さない。
図1および図8を参照して、ステップS101において、イオン注入装置100の内部のウエハホルダ110に半導体ウエハ111がセットされる。真空引きの後、次のステップS102においてコントローラ128はイオンビーム150の調整を行う。さらに、ステップS103においてコントローラ128はイオン注入時間を設定する。その次のステップS104においてコントローラ128は、半導体ウエハ111へのイオン注入を開始する。さらに、ステップS105において、コントローラ128は、帯電センサ132,133よる帯電量の計測を開始する。ここまでは、図5の場合と同様である。
イオン注入時間が経過するまでの間(ステップS106でNOとなるまでの間)、以下の手順が繰り返し実行される。
まず、コントローラ128は、複数の帯電センサ130間での帯電量の検出値の差が閾値を超えているか否かを判定する(ステップS201)。複数の帯電センサ130の検出値の差として、たとえば、最大値と最小値との差が用いられる。同様に、コントローラ128は、複数の帯電センサ131間での帯電量の検出値の差が閾値を超えているか否かを判定する。
上記のステップS201での判定の結果、複数の帯電センサ間での検出値の差が閾値を超えていない場合には(ステップS201でNO)、イオン注入が継続される。
一方、上記のステップS201での判定の結果、複数の帯電センサ間での検出値の差が閾値を超えている場合には、コントローラ128はイオン注入を中断する(ステップS201)。この場合、イオンビーム150の中心軸にずれが生じている可能性が高いからである。そこで、コントローラ128は、ステップS102に戻ってイオンビームの再調整を行う。具体的に、コントローラ128は、イオン電流計測器120の検出値が最大になるように、各引き出し電極103の電位を調整する。コントローラ128は、イオン電流計測器120によって計測された再調整後のイオン電流量を記憶する。
次のステップS103においてコントローラ128はイオン注入時間を設定する。具体的に、コントローラ128は、これまでのイオン注入時間、上記の再調整後のイオン電流量、必要なドーズ(dose)量、およびドーズ面積に基づいて、イオン注入時間を再設定する。
その次のステップS104においてコントローラ128は、半導体ウエハ111へのイオン注入を再開する。さらに、ステップS105によって、コントローラ128は、帯電センサ132,133よる帯電量の計測を再開する。
設定されたイオン注入時間が経過した場合には(ステップS106でYES)、コントローラ128はイオン注入を停止し(ステップS111)、イオン電流計測器120によるイオン電流の計測および帯電センサ130,131による帯電量の計測を終了する。
[効果]
以上のとおり、第2の実施形態のイオン注入装置100によれば、ビーム輸送部106の内面に複数の帯電センサ130が設けられ、およびウエハホルダ110の表面上で半導体ウエハ111の周囲に複数の帯電センサ131が設けられる。そして、これらの帯電センサ130,131の計測値を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれの有無を推定する。この結果、イオンビーム150の中心軸のずれが生じていると判断された場合には、イオンビームの再調整を行うことができるので、高精度のイオン注入を実現することができる。
以上のとおり、第2の実施形態のイオン注入装置100によれば、ビーム輸送部106の内面に複数の帯電センサ130が設けられ、およびウエハホルダ110の表面上で半導体ウエハ111の周囲に複数の帯電センサ131が設けられる。そして、これらの帯電センサ130,131の計測値を用いることによって、イオンビーム150の中心軸のずれの有無を推定する。この結果、イオンビーム150の中心軸のずれが生じていると判断された場合には、イオンビームの再調整を行うことができるので、高精度のイオン注入を実現することができる。
なお、第2の実施形態において説明した帯電センサの検出値に基づくイオンビームの中心軸のずれの検出は、第1の実施形態で説明した帯電センサの検出値に基づくイオン電流量の検出誤差の補正に組み合わせて実施することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
100 イオン注入装置、101 イオン発生源、102 直流電源、103 引き出し電極、104 イオン引き出し部、105 質量分析器、106 ビーム輸送部、110 ウエハホルダ、111 半導体ウエハ、112 スリット、120 イオン電流計測器、121 ファラデーカップ、122 磁石、123 電流計、124 磁力線、128 コントローラ、130,131,132,133 帯電センサ、150 イオンビーム、151 筒状導体、152 絶縁膜、153 絶縁体、154 誘電体、155 表面電極、156 裏面電極、157 電圧計。
Claims (12)
- イオン発生源と、
前記イオン発生源から引き出されたイオンのうち所望の電荷質量比のイオンを通過させる質量分析器と、
前記質量分析器を通過したイオン電流を計測するためのファラデーカップを含む計測部と、
前記ファラデーカップの内面の互いに異なる箇所に設けられ、前記ファラデーカップの内面の帯電量を検出する複数の帯電センサと、
イオンビームの半導体ウエハへの注入条件を制御するコントローラとを備え、
前記コントローラは、前記複数の帯電センサの検出値の差に基づいて前記注入条件を調整するように構成される、イオン注入装置。 - 前記イオンビームは第1の方向に沿って進行し、
前記複数の帯電センサは、
1つまたは複数の第1の帯電センサと、
1つまたは複数の第2の帯電センサとを含み、
前記1つの第1の帯電センサまたは前記複数の第1の帯電センサの各々は、その前記第1の方向の中心位置が前記ファラデーカップの入り口から第1の距離となるように配置され、
前記1つの第2の帯電センサまたは前記複数の第2の帯電センサの各々は、その前記第1の方向の中心位置が前記ファラデーカップの入り口から第2の距離となるように配置され、前記第2の距離は前記第1の距離よりも長く、
前記コントローラは、前記1つまたは複数の第1の帯電センサによって検出された第1の帯電量と、前記1つまたは複数の第2の帯電センサによって検出された第2の帯電量との差に基づいて、前記注入条件を調整するように構成される、請求項1に記載のイオン注入装置。 - 前記注入条件は、前記半導体ウエハへのイオン注入時間を含み、
前記コントローラは、前記第1の帯電量と前記第2の帯電量との差に基づいて前記イオン注入時間を調整する、請求項2に記載のイオン注入装置。 - 前記計測部は、さらに、
電子の通過を妨げるために、少なくとも前記第1の方向と直交する第2の方向の磁力線を前記ファラデーカップ内に発生する磁石を含み、
前記第2の方向の磁力線は、前記ファラデーカップの入り口から前記第1の距離と前記第2の距離との間に位置する、請求項3に記載のイオン注入装置。 - 前記第1の帯電量および前記第2の帯電量は電子の帯電量を示し、
前記コントローラは、
前記第1の帯電量の絶対値が前記第2の帯電量の絶対値より大きくかつ前記第1の帯電量の絶対値と前記第2の帯電量の絶対値との差が第1の閾値を超えている場合に、前記イオン注入時間をより短い時間に変更し、
前記第2の帯電量の絶対値が前記第1の帯電量の絶対値より大きくかつ前記第2の帯電量の絶対値と前記第1の帯電量の絶対値との差が第2の閾値を超えている場合に、前記イオン注入時間をより長い時間に変更する、請求項4に記載のイオン注入装置。 - 前記帯電センサは、
第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟まれた誘電体と、
前記第2の電極と電気的に接続された電圧計とを含み、
前記第1の電極、前記第2の電極、および前記誘電体の全体は、絶縁体を介在して前記ファラデーカップの内面側に埋め込まれ、
前記第1の電極の少なくとも一部は、前記ファラデーカップの内面側の空間に露出している、請求項1に記載のイオン注入装置。 - イオン発生源と、
前記イオン発生源から引き出されたイオンのうち所望の電荷質量比のイオンを通過させる質量分析器と、
半導体ウエハを支持するウエハホルダと、
前記ウエハホルダと前記質量分析器との間に設けられ、前記質量分析器から出力されたイオンが通過する筒状の導体であるビーム輸送部と、
前記ビーム輸送部の内面の互いに異なる箇所に設けられ、前記ビーム輸送部の内面の帯電量を検出する複数の第1の帯電センサと、
前記半導体ウエハへのイオンビームの注入条件を制御するコントローラとを備え、
前記コントローラは、前記複数の第1の帯電センサの検出値の差に基づいて前記注入条件を調整するように構成される、イオン注入装置。 - 前記複数の第1の帯電センサは、前記イオンビームの進行方向に垂直な平面に沿って配置される、請求項7に記載のイオン注入装置。
- 前記複数の第1の帯電センサは、前記ビーム輸送部の中心軸に対して対称な位置に配置される、請求項8に記載のイオン注入装置。
- 前記注入条件は、前記イオンビームの照射位置を含み、
前記コントローラは、前記複数の第1の帯電センサの検出値の最大値と最小値との差が閾値を超えている場合に、前記イオンビームの照射位置を調整するように構成される、請求項9に記載のイオン注入装置。 - 前記イオン注入装置は、さらに、前記ウエハホルダ上であって、前記半導体ウエハの周囲に配置され、前記ウエハホルダの帯電量を検出する複数の第2の帯電センサを備え、
前記コントローラは、前記複数の第2の帯電センサの検出値の差に基づいて前記注入条件を調整するように構成される、請求項7に記載のイオン注入装置。 - 半導体ウエハをイオンビーム装置のウエハホルダにセットするステップと、
イオンビームの注入条件を設定するステップと、
前記イオンビームの注入を開始するステップと、
ファラデーカップによってイオン電流を計測するステップと、
前記ファラデーカップの内面の互いに異なる箇所に設けられた複数の帯電センサによって、前記ファラデーカップの内面の帯電量を計測するステップと、
前記複数の帯電センサの検出値の差に基づいて前記注入条件を調整するステップとを備える、半導体装置の製造方法。
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JP2017243680A JP2019110085A (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | イオン注入装置および半導体装置の製造方法 |
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