JPS6117308B2 - - Google Patents
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- JPS6117308B2 JPS6117308B2 JP2598879A JP2598879A JPS6117308B2 JP S6117308 B2 JPS6117308 B2 JP S6117308B2 JP 2598879 A JP2598879 A JP 2598879A JP 2598879 A JP2598879 A JP 2598879A JP S6117308 B2 JPS6117308 B2 JP S6117308B2
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- Japan
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- faraday cage
- ion beam
- measuring
- secondary electron
- amount
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 39
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエーハなどの被処理基体の
主面部に高エネルギーを有する不純物のイオンビ
ームを照射して不純物を注入するときの照射イオ
ンビーム量を測定する方法に関するものである。
主面部に高エネルギーを有する不純物のイオンビ
ームを照射して不純物を注入するときの照射イオ
ンビーム量を測定する方法に関するものである。
第１図は従来のイオンビーム量測定装置の構成
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
図において、１は断面形状が四角形である金属
管からなるフアラデーケージ、２はフアラデーケ
ージ１の第１の端面に所定距離をおいて平行に設
けられてこの端面と電気的に絶縁されフアラデー
ケージ１の断面形状とほぼ同一の形状の開口部を
有し負の電圧が印加されたサプレツシヨンプレー
ト、３はサプレツシヨンプレート２の開口部の形
状より小さい形状の開口部を有し、サプレツシヨ
ンプレート２のフアラデーケージ１と反対側に所
定間隔をおいて平行に設けられてこれと電気的に
絶縁され接地電位に保持された接地マスクプレー
ト、４はフアラデーケージ１の第２の端面にこれ
と電気的導通があるように取り付けられ後述の半
導体ウエーハなどの被処理基体を保持するホルダ
ー、５はホルダー４のフアラデーケージ１の第２
の端面と接する表面に主面が接して保持されイオ
ンビームの照射によつて不純物が注入される半導
体ウエーハなどの被処理基体、６は一方の端子が
フアラデーケージ１に接続され他方の端子が接地
された電流測定器、７はサプレツシヨンプレート
２へ負の電圧を印加するための直流電源である。
〓〓〓〓〓
破線で示す８は被処理基体５の主面部に不純物を
注入するためにこの主面を照射する高エネルギー
のイオンビームである。
管からなるフアラデーケージ、２はフアラデーケ
ージ１の第１の端面に所定距離をおいて平行に設
けられてこの端面と電気的に絶縁されフアラデー
ケージ１の断面形状とほぼ同一の形状の開口部を
有し負の電圧が印加されたサプレツシヨンプレー
ト、３はサプレツシヨンプレート２の開口部の形
状より小さい形状の開口部を有し、サプレツシヨ
ンプレート２のフアラデーケージ１と反対側に所
定間隔をおいて平行に設けられてこれと電気的に
絶縁され接地電位に保持された接地マスクプレー
ト、４はフアラデーケージ１の第２の端面にこれ
と電気的導通があるように取り付けられ後述の半
導体ウエーハなどの被処理基体を保持するホルダ
ー、５はホルダー４のフアラデーケージ１の第２
の端面と接する表面に主面が接して保持されイオ
ンビームの照射によつて不純物が注入される半導
体ウエーハなどの被処理基体、６は一方の端子が
フアラデーケージ１に接続され他方の端子が接地
された電流測定器、７はサプレツシヨンプレート
２へ負の電圧を印加するための直流電源である。
〓〓〓〓〓
破線で示す８は被処理基体５の主面部に不純物を
注入するためにこの主面を照射する高エネルギー
のイオンビームである。
このイオンビーム量測定装置では、イオンビー
ム８がサプレツシヨンプレート２および接地マス
クプレート３のそれぞれの開口部を通して被処理
基体５の主面を照射するときに、このイオンビー
ム８の被処理基体５の主面へ照射による電流が、
ホルダー４、フアラデーケージ１および電流測定
器６を通つて流れるので、この電流を電流測定器
６で測定することによつて、被処理基体５への照
射イオンビーム量を測定することができる。
ム８がサプレツシヨンプレート２および接地マス
クプレート３のそれぞれの開口部を通して被処理
基体５の主面を照射するときに、このイオンビー
ム８の被処理基体５の主面へ照射による電流が、
ホルダー４、フアラデーケージ１および電流測定
器６を通つて流れるので、この電流を電流測定器
６で測定することによつて、被処理基体５への照
射イオンビーム量を測定することができる。
ところで、イオンビーム８が被処理基体５の主
面を照射するときに、必然的に二次電子が放出さ
れる。この放出二次電子の一部がフアラデーケー
ジ１の内側面もしくはイオンビーム８に捕えられ
て消減するが、その他の電子が、符号イで例示す
るように、フアラデーケージ１の内部を通つてサ
プレツシヨンプレート２および接地マスクプレー
ト３の開口部からフアラデーケージ１の外部に逸
出する。この外部への逸出二次電子が増大する
と、イオンビーム８の被処理基体５への実際の照
射イオンビーム量と電流測定器６の電流測定によ
つて得られた照射イオンビーム量との間に誤差が
生ずる。この外部への逸出二次電子にもとづく照
射イオンビーム量の誤差を減少させるために、通
常、サプレツシヨンプレート２に一定の負の電圧
が直流電源７によつて印加されている。
面を照射するときに、必然的に二次電子が放出さ
れる。この放出二次電子の一部がフアラデーケー
ジ１の内側面もしくはイオンビーム８に捕えられ
て消減するが、その他の電子が、符号イで例示す
るように、フアラデーケージ１の内部を通つてサ
プレツシヨンプレート２および接地マスクプレー
ト３の開口部からフアラデーケージ１の外部に逸
出する。この外部への逸出二次電子が増大する
と、イオンビーム８の被処理基体５への実際の照
射イオンビーム量と電流測定器６の電流測定によ
つて得られた照射イオンビーム量との間に誤差が
生ずる。この外部への逸出二次電子にもとづく照
射イオンビーム量の誤差を減少させるために、通
常、サプレツシヨンプレート２に一定の負の電圧
が直流電源７によつて印加されている。
ところが、イオンビーム８の被処理基体５への
照射によつて放出される二次電子の数量およびそ
のエネルギーが被処理基体５を構成する材料の違
いによつて異なるとともに、イオンビーム８のエ
ネルギーの違いによつて異なるので、上述の外部
への逸出二次電子を減少させるためには、サプレ
ツシヨンプレート２に印加される負の電圧を必要
以上に大きくする必要があるとともに、フアラデ
ーケージ１の内側面の長手方向の長さを必要以上
に長くする必要があるので、イオンビーム量測定
装置の小形化を図ることが容易ではないという欠
点があつた。
照射によつて放出される二次電子の数量およびそ
のエネルギーが被処理基体５を構成する材料の違
いによつて異なるとともに、イオンビーム８のエ
ネルギーの違いによつて異なるので、上述の外部
への逸出二次電子を減少させるためには、サプレ
ツシヨンプレート２に印加される負の電圧を必要
以上に大きくする必要があるとともに、フアラデ
ーケージ１の内側面の長手方向の長さを必要以上
に長くする必要があるので、イオンビーム量測定
装置の小形化を図ることが容易ではないという欠
点があつた。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもの
で、サプレツシヨンプレートとフアラデーケージ
との間に上記フアラデーケージ内部を通つて飛来
する二次電子を測定することができる二次電子測
定子を設けるとともに上記サプレツシヨンプレー
トへの負の電圧を必要に応じて変化させることが
できるようにすることによつて、上述の外部への
逸出二次電子にもとづく照射イオンビーム量の誤
差を減少させることのできるイオンビーム量の測
定方法を提供することを目的とする。
で、サプレツシヨンプレートとフアラデーケージ
との間に上記フアラデーケージ内部を通つて飛来
する二次電子を測定することができる二次電子測
定子を設けるとともに上記サプレツシヨンプレー
トへの負の電圧を必要に応じて変化させることが
できるようにすることによつて、上述の外部への
逸出二次電子にもとづく照射イオンビーム量の誤
差を減少させることのできるイオンビーム量の測
定方法を提供することを目的とする。
第２図はこの発明の一実施例のイオンビーム量
の測定方法を説明するための断面図である。
の測定方法を説明するための断面図である。
図において、９は断面形状が四角形である金属
短管からなり一方の端面がサプレツシヨンプレー
ト２と所定間隔をおいて電気的に絶縁されて対向
するとともに他方の端縁部がフアラデーケージ１
の端縁部とは電気的に絶縁されてこれを取り囲む
ように構成され、フアラデーケージ１の内部を通
つて飛来する二次電子を測定するための二次電子
測定子、１０は二次電子測定子９とフアラデーケ
ージ１とを短絡するための短絡スイツチ、１１は
電流測定器６に等価な抵抗、１２は電流測定器６
を二次電子測定子９側とフアラデーケージ１側と
に切り換えるとともに前者の場合フアラデーケー
ジ１を抵抗１１を介して接地する連動スイツチで
ある。なお、直流電源７は必要に応じてサツプレ
ツシヨンプレート２への負の電圧を変えることが
できるようになつている。
短管からなり一方の端面がサプレツシヨンプレー
ト２と所定間隔をおいて電気的に絶縁されて対向
するとともに他方の端縁部がフアラデーケージ１
の端縁部とは電気的に絶縁されてこれを取り囲む
ように構成され、フアラデーケージ１の内部を通
つて飛来する二次電子を測定するための二次電子
測定子、１０は二次電子測定子９とフアラデーケ
ージ１とを短絡するための短絡スイツチ、１１は
電流測定器６に等価な抵抗、１２は電流測定器６
を二次電子測定子９側とフアラデーケージ１側と
に切り換えるとともに前者の場合フアラデーケー
ジ１を抵抗１１を介して接地する連動スイツチで
ある。なお、直流電源７は必要に応じてサツプレ
ツシヨンプレート２への負の電圧を変えることが
できるようになつている。
さて、この実施例のイオンビーム量の測定方法
について説明する。
について説明する。
まず、短絡スイツチ１０を開放して、連動スイ
ツチ１２を二次電子測定子９側に投入する。そし
て、被処理基体６の主面上にサプレツシヨンプレ
ート２および接地マスクプレート３の開口部を通
してイオンビーム８を照射させる。そうすると、
被処理基体５の主面から二次電子が放出される。
この放出二次電子の一部が、フアラデーケージ１
の内側面もしくはイオンビーム８に捕えられて消
減するが、フアラデーケージ１の内部を通るその
他の二次電子が二次電子測定子９に捕えられる
か、またはサプレツシヨンプレート２および接地
マスクプレート３の開口部を通して外部に逸出す
る。このとき、二次電子測定子９に捕えられた二
次電子は電流測定器６によつて測定される。この
電流測定器６の指示が最大になるように、直流電
源７の電圧を調節してサプレツシヨンプレート２
への負の電圧を加減すれば、サプレツシヨンプレ
ート２および接地マスクプレート３の開口部を通
〓〓〓〓〓
して外部に逸出する二次電子を最小限に減少させ
ることができる。このように、サプレツシヨンプ
レート２への負の電圧を加減したのち、連動スイ
ツチ１２をフアラデーケージ１側に切り換えると
ともに短絡スイツチ１０を投入して、第１図の断
面図に示した従来例と同様の方法で電流測定器６
を流れる電流を測定すると、外部への逸出二次電
子にもとづく誤差のないイオンビーム８の被処理
基体５への照射イオンビーム量を測定することが
できる。また、この実施例のイオンビーム量の測
定方法では、二次電子測定子９に捕えられる二次
電子を測定しながらサプレツシヨンプレート２へ
の負の電圧を加減することによつて、サプレツシ
ヨンプレート２および接地マスクプレート３の開
口部を通つて外部へ逸出する二次電子を最小限に
減少させることができるので、フアラデーケージ
１の内側面の長手方向の長さを短くすることが可
能となり、形状の小形化を図ることができる。
ツチ１２を二次電子測定子９側に投入する。そし
て、被処理基体６の主面上にサプレツシヨンプレ
ート２および接地マスクプレート３の開口部を通
してイオンビーム８を照射させる。そうすると、
被処理基体５の主面から二次電子が放出される。
この放出二次電子の一部が、フアラデーケージ１
の内側面もしくはイオンビーム８に捕えられて消
減するが、フアラデーケージ１の内部を通るその
他の二次電子が二次電子測定子９に捕えられる
か、またはサプレツシヨンプレート２および接地
マスクプレート３の開口部を通して外部に逸出す
る。このとき、二次電子測定子９に捕えられた二
次電子は電流測定器６によつて測定される。この
電流測定器６の指示が最大になるように、直流電
源７の電圧を調節してサプレツシヨンプレート２
への負の電圧を加減すれば、サプレツシヨンプレ
ート２および接地マスクプレート３の開口部を通
〓〓〓〓〓
して外部に逸出する二次電子を最小限に減少させ
ることができる。このように、サプレツシヨンプ
レート２への負の電圧を加減したのち、連動スイ
ツチ１２をフアラデーケージ１側に切り換えると
ともに短絡スイツチ１０を投入して、第１図の断
面図に示した従来例と同様の方法で電流測定器６
を流れる電流を測定すると、外部への逸出二次電
子にもとづく誤差のないイオンビーム８の被処理
基体５への照射イオンビーム量を測定することが
できる。また、この実施例のイオンビーム量の測
定方法では、二次電子測定子９に捕えられる二次
電子を測定しながらサプレツシヨンプレート２へ
の負の電圧を加減することによつて、サプレツシ
ヨンプレート２および接地マスクプレート３の開
口部を通つて外部へ逸出する二次電子を最小限に
減少させることができるので、フアラデーケージ
１の内側面の長手方向の長さを短くすることが可
能となり、形状の小形化を図ることができる。
なお、この実施例では、二次電子測定子９をそ
の端縁部がフアラデーケージ１の端縁部とは電気
的に絶縁されてこれを取り囲むように構成した
が、第３図Ａの断面図に示すように、二次電子測
定子９ａを、フアラデーケージ１と同一の断面形
状である金属短管で構成し、サプレツシヨンプレ
ート２とフアラデーケージ１との間に互いに所定
距離をおいて電気的に絶縁して対向するように設
けてもよい。また、第３図Ｂの断面図に示すよう
に、二次電子測定子９ｂを、サプレツシヨンプレ
ート２と同一形状の金属板状体で構成し、サプレ
ツシヨンプレート２とフアラデーケージ１との間
に互いに所定間隔をおいて電気的に絶縁して対向
するように設けてもよい。
の端縁部がフアラデーケージ１の端縁部とは電気
的に絶縁されてこれを取り囲むように構成した
が、第３図Ａの断面図に示すように、二次電子測
定子９ａを、フアラデーケージ１と同一の断面形
状である金属短管で構成し、サプレツシヨンプレ
ート２とフアラデーケージ１との間に互いに所定
距離をおいて電気的に絶縁して対向するように設
けてもよい。また、第３図Ｂの断面図に示すよう
に、二次電子測定子９ｂを、サプレツシヨンプレ
ート２と同一形状の金属板状体で構成し、サプレ
ツシヨンプレート２とフアラデーケージ１との間
に互いに所定間隔をおいて電気的に絶縁して対向
するように設けてもよい。
以上、説明したように、この発明のイオンビー
ム量の測定方法では、サプレツシヨンプレートと
フアラデーケージとの間にイオンビームの被処理
基体への照射によつて放出され上記フアラデーケ
ージの内部を通つて飛来する二次電子を測定する
ことができるようにした二次電子測定子を設ける
とともに上記サプレツシヨンプレートへ印加され
る負の電圧を変化させることができるようにした
ので、上記二次電子測定子に捕えられる二次電子
を測定しながら上記サプレツシヨンプレートへの
負の電圧を加減することによつて、上記サプレツ
シヨンプレートの外部へ逸出する二次電子を最小
限に減少させることができる。従つて、上記二次
電子測定子と上記フアラデーケージとに流れる電
流を測定することによつて、上記イオンビームの
被処理基体への照射イオンビーム量を正確に測定
することができるとともに、上記フアラデーケー
ジの内側面の長手方向の長さを短くすることが可
能となり、形状の小形化を図ることができる。
ム量の測定方法では、サプレツシヨンプレートと
フアラデーケージとの間にイオンビームの被処理
基体への照射によつて放出され上記フアラデーケ
ージの内部を通つて飛来する二次電子を測定する
ことができるようにした二次電子測定子を設ける
とともに上記サプレツシヨンプレートへ印加され
る負の電圧を変化させることができるようにした
ので、上記二次電子測定子に捕えられる二次電子
を測定しながら上記サプレツシヨンプレートへの
負の電圧を加減することによつて、上記サプレツ
シヨンプレートの外部へ逸出する二次電子を最小
限に減少させることができる。従つて、上記二次
電子測定子と上記フアラデーケージとに流れる電
流を測定することによつて、上記イオンビームの
被処理基体への照射イオンビーム量を正確に測定
することができるとともに、上記フアラデーケー
ジの内側面の長手方向の長さを短くすることが可
能となり、形状の小形化を図ることができる。
第１図は従来のイオンビーム量測定装置の構成
を説明するための断面図、第２図はこの発明の一
実施例のイオンビーム量の測定方法を説明するた
めの断面図、第３図ＡおよびＢはそれぞれこの発
明のこの発明に用いる二次電子測定子の他の形態
を示すための断面図である。 図において、１はフアラデーケージ、２はサプ
レツシヨンプレート、３は接地マスクプレート、
４はホルダー、５は被処理基体、６は電流側定
器、７は直流電源、８はイオンビーム、９，９
ａ，９ｂはそれぞれ二次電子測定子である。な
お、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当分
を示す。 〓〓〓〓〓
を説明するための断面図、第２図はこの発明の一
実施例のイオンビーム量の測定方法を説明するた
めの断面図、第３図ＡおよびＢはそれぞれこの発
明のこの発明に用いる二次電子測定子の他の形態
を示すための断面図である。 図において、１はフアラデーケージ、２はサプ
レツシヨンプレート、３は接地マスクプレート、
４はホルダー、５は被処理基体、６は電流側定
器、７は直流電源、８はイオンビーム、９，９
ａ，９ｂはそれぞれ二次電子測定子である。な
お、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当分
を示す。 〓〓〓〓〓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属管からなり実質的に接地電位にあるフア
ラデーケージの一方の端面に所定距離をおいて平
行に上記フアラデーケージと絶縁して設けられ当
該端面の開口とほぼ同一の開口を有するとともに
負の電圧を印加されたサプレツシヨンプレートの
上記開口を通して、上記フアラデーケージの他方
の端面にこれと電気的導通があるように取り付け
られたホルダーの内側面に保持された被処理基体
に照射されるイオンビーム量を測定するに際し
て、上記サプレツシヨンプレートと上記フアラデ
ーケージとの間に上記イオンビームの上記被処理
基体への照射によつて放出され上記フアラデーケ
ージの内部を通つて飛来する二次電子を捕捉する
二次電子測定子及びこの二次電子測定子へ飛来す
る二次電子を測定する二次電子流測定手段を設
け、上記サプレツシヨンプレートへ印加される負
の電圧を調整して上記二次電子測定子へ飛来する
二次電子が最大になるようにした後、上記フアラ
デーケージと上記二次電子測定子とを電気的に単
絡した状態で上記フアラデーケージの接地路に挿
入された電流測定器によつて上記照射イオンビー
ム量を測定することを特徴とするイオンビーム量
の測定方法。 ２ 二次電子流測定手段に電流測定器を切換え使
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のイオンビーム量の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2598879A JPS55117985A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Ion beam quantity measuring unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2598879A JPS55117985A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Ion beam quantity measuring unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55117985A JPS55117985A (en) | 1980-09-10 |
| JPS6117308B2 true JPS6117308B2 (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=12181086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2598879A Granted JPS55117985A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Ion beam quantity measuring unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55117985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636235A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-12 | Bridgestone Corp | バンプストツパ |
| JPH0424188Y2 (ja) * | 1986-11-06 | 1992-06-08 | ||
| JPH0442592Y2 (ja) * | 1985-10-26 | 1992-10-08 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298547A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
-
1979
- 1979-03-05 JP JP2598879A patent/JPS55117985A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442592Y2 (ja) * | 1985-10-26 | 1992-10-08 | ||
| JPS636235A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-12 | Bridgestone Corp | バンプストツパ |
| JPH0424188Y2 (ja) * | 1986-11-06 | 1992-06-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55117985A (en) | 1980-09-10 |
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