JPH1027568A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH1027568A JPH1027568A JP8202883A JP20288396A JPH1027568A JP H1027568 A JPH1027568 A JP H1027568A JP 8202883 A JP8202883 A JP 8202883A JP 20288396 A JP20288396 A JP 20288396A JP H1027568 A JPH1027568 A JP H1027568A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空計に依ることなく、注入中のビームライ
ンの真空度悪化を速やかに検出して注入不良の発生を未
然に防止する。 【解決手段】 走査マグネット６の下流側の直進軌道２
２上であって、基板１２にイオン注入を行うための正規
のイオンビーム軌道２６の外に、そこに飛来して来る中
性粒子２４を受ける金属製の受領体２８を設けた。この
受領体２８の前面付近には、引出し電極３０を配置して
おり、この受領体２８と引出し電極３０との間に、直流
電源３２によって、受領体２８が相対的に負になる電位
差が付与される。更に、受領体２８に流れる電流ＩN を
計測する電流計測器３４と、この電流計測器３４で計測
した電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信号Ｓ
を出力する比較回路３６とを設けた。
ンの真空度悪化を速やかに検出して注入不良の発生を未
然に防止する。 【解決手段】 走査マグネット６の下流側の直進軌道２
２上であって、基板１２にイオン注入を行うための正規
のイオンビーム軌道２６の外に、そこに飛来して来る中
性粒子２４を受ける金属製の受領体２８を設けた。この
受領体２８の前面付近には、引出し電極３０を配置して
おり、この受領体２８と引出し電極３０との間に、直流
電源３２によって、受領体２８が相対的に負になる電位
差が付与される。更に、受領体２８に流れる電流ＩN を
計測する電流計測器３４と、この電流計測器３４で計測
した電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信号Ｓ
を出力する比較回路３６とを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンビームを
走査手段によって走査して基板に照射して当該基板にイ
オン注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的に
は、注入中のビームラインの真空度悪化による注入不良
の発生を未然に防止する手段に関する。
走査手段によって走査して基板に照射して当該基板にイ
オン注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的に
は、注入中のビームラインの真空度悪化による注入不良
の発生を未然に防止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のイオン注入装置の一例に
示す横断面図である。この装置は、イオンビーム２を磁
気的に平行走査すると共に、基板１２を機械的に走査す
る、いわゆるハイブリッドパラレルスキャン方式のイオ
ン注入装置の場合の例である。
示す横断面図である。この装置は、イオンビーム２を磁
気的に平行走査すると共に、基板１２を機械的に走査す
る、いわゆるハイブリッドパラレルスキャン方式のイオ
ン注入装置の場合の例である。
【０００３】即ち、このイオン注入装置は、イオン源１
から引き出され、必要に応じて質量分離、加速等の行わ
れたイオンビーム２から特定のエネルギーのイオンを選
別して導出するエネルギー分析マグネット４と、このエ
ネルギー分析マグネット４の下流側に設けられていて、
同エネルギー分析マグネット４から導出されたイオンビ
ーム２を磁気的に一次元で（図示例では紙面に沿って）
走査する走査マグネット６（走査手段）と、この走査マ
グネット６の下流側に設けられていて、同走査マグネッ
ト６から導出されたイオンビーム２を基準軸７に対して
平行になるように曲げ戻して走査マグネット６と協働し
てイオンビーム２の平行走査を行うビーム平行化マグネ
ット８と、このビーム平行化マグネット８の下流側に設
けられていて、同ビーム平行化マグネット８から導出さ
れたイオンビーム２の照射領域内で基板（例えば半導体
ウェーハ）１２を前記走査マグネット６におけるイオン
ビーム２の走査方向と実質的に直交する方向に（図示例
では紙面の表裏方向に）機械的に走査する基板走査機構
１４とを備えている。１６〜１９は真空容器である。こ
の基板１２にイオンビーム２が照射されてイオン注入が
行われる。
から引き出され、必要に応じて質量分離、加速等の行わ
れたイオンビーム２から特定のエネルギーのイオンを選
別して導出するエネルギー分析マグネット４と、このエ
ネルギー分析マグネット４の下流側に設けられていて、
同エネルギー分析マグネット４から導出されたイオンビ
ーム２を磁気的に一次元で（図示例では紙面に沿って）
走査する走査マグネット６（走査手段）と、この走査マ
グネット６の下流側に設けられていて、同走査マグネッ
ト６から導出されたイオンビーム２を基準軸７に対して
平行になるように曲げ戻して走査マグネット６と協働し
てイオンビーム２の平行走査を行うビーム平行化マグネ
ット８と、このビーム平行化マグネット８の下流側に設
けられていて、同ビーム平行化マグネット８から導出さ
れたイオンビーム２の照射領域内で基板（例えば半導体
ウェーハ）１２を前記走査マグネット６におけるイオン
ビーム２の走査方向と実質的に直交する方向に（図示例
では紙面の表裏方向に）機械的に走査する基板走査機構
１４とを備えている。１６〜１９は真空容器である。こ
の基板１２にイオンビーム２が照射されてイオン注入が
行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなイオン注
入装置においては、基板１２に対するイオン注入中に、
基板１２の表面に通常設けられているレジストから発生
するアウトガスによって、イオンビーム２のビームライ
ン（ビーム輸送経路）の真空度が悪化し、雰囲気ガスと
の衝突によるビームの中性化が多くなり、それによって
基板１２に対する注入不良が発生する可能性がある。例
えば、イオンビーム２を曲げる最中に中性化が起こる
と、その中性粒子は本来の軌道を外れて直進するので、
それが基板１２に入射すると基板面内における注入均一
性が悪化する、基板１２に対する注入量（ドーズ量）
は、通常は基板１２に流れるビーム電流で計測されてい
るので、ビームの中性化によって基板１２に中性粒子が
入射してもそれが注入量として計測されないので注入量
誤差が生じる、等の注入不良が発生する可能性がある。
入装置においては、基板１２に対するイオン注入中に、
基板１２の表面に通常設けられているレジストから発生
するアウトガスによって、イオンビーム２のビームライ
ン（ビーム輸送経路）の真空度が悪化し、雰囲気ガスと
の衝突によるビームの中性化が多くなり、それによって
基板１２に対する注入不良が発生する可能性がある。例
えば、イオンビーム２を曲げる最中に中性化が起こる
と、その中性粒子は本来の軌道を外れて直進するので、
それが基板１２に入射すると基板面内における注入均一
性が悪化する、基板１２に対する注入量（ドーズ量）
は、通常は基板１２に流れるビーム電流で計測されてい
るので、ビームの中性化によって基板１２に中性粒子が
入射してもそれが注入量として計測されないので注入量
誤差が生じる、等の注入不良が発生する可能性がある。
【０００５】このような注入不良の発生を未然に防止す
るために従来は、ビームラインの真空度を真空計（具体
的には電離真空計）で計測し、これで計測した真空度が
基準値よりも悪化した場合に、警報を出したりイオン注
入を停止するインターロックをかけたりしていた。
るために従来は、ビームラインの真空度を真空計（具体
的には電離真空計）で計測し、これで計測した真空度が
基準値よりも悪化した場合に、警報を出したりイオン注
入を停止するインターロックをかけたりしていた。
【０００６】ところがこの方式では、真空計のデガス
（脱ガス）不十分や校正不十分による計測のバラツキ
や、当該真空計の取付位置の悪さによる応答遅れや計測
誤差等が避けられず、十分な方式とは言い難い。
（脱ガス）不十分や校正不十分による計測のバラツキ
や、当該真空計の取付位置の悪さによる応答遅れや計測
誤差等が避けられず、十分な方式とは言い難い。
【０００７】そこでこの発明は、真空計に依ることな
く、注入中のビームラインの真空度悪化を速やかに検出
して注入不良の発生を未然に防止することができるイオ
ン注入装置を提供することを主たる目的とする。
く、注入中のビームラインの真空度悪化を速やかに検出
して注入不良の発生を未然に防止することができるイオ
ン注入装置を提供することを主たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明のイオン注入装
置は、走査手段の下流側の直進軌道上であって、基板に
イオン注入を行うための正規のイオンビーム軌道の外に
設けられていて、そこに飛来して来る中性粒子を受ける
導電性の受領体と、この受領体とその前面付近との間に
前者が相対的に負になる電位差を付与する直流電源と、
前記受領体に流れる電流を計測する電流計測器と、この
電流計測器で計測した電流が基準値よりも大きい場合に
警報信号を出力する比較回路とを備えることを特徴とす
る。
置は、走査手段の下流側の直進軌道上であって、基板に
イオン注入を行うための正規のイオンビーム軌道の外に
設けられていて、そこに飛来して来る中性粒子を受ける
導電性の受領体と、この受領体とその前面付近との間に
前者が相対的に負になる電位差を付与する直流電源と、
前記受領体に流れる電流を計測する電流計測器と、この
電流計測器で計測した電流が基準値よりも大きい場合に
警報信号を出力する比較回路とを備えることを特徴とす
る。
【０００９】上記構成によれば、注入中のビームライン
の真空度悪化によって中性粒子が発生すると、この中性
粒子は走査手段によって走査されることなく直進して受
領体に入射し、当該受領体から二次電子を発生させる。
この二次電子は、受領体とその前面付近との間に直流電
源から付与されている電位差によって、受領体に戻るこ
となく受領体外に引き出され、それによって受領体に電
流が流れる。この電流は、ビームラインの真空度悪化が
大きくなって中性粒子が多く発生するほど大きくなる。
の真空度悪化によって中性粒子が発生すると、この中性
粒子は走査手段によって走査されることなく直進して受
領体に入射し、当該受領体から二次電子を発生させる。
この二次電子は、受領体とその前面付近との間に直流電
源から付与されている電位差によって、受領体に戻るこ
となく受領体外に引き出され、それによって受領体に電
流が流れる。この電流は、ビームラインの真空度悪化が
大きくなって中性粒子が多く発生するほど大きくなる。
【００１０】従って、この電流を電流計測器で計測し、
それを比較回路で所定の基準値と比較することによっ
て、真空計に依ることなく、注入中のビームラインの真
空度悪化を速やかに検出することができ、それによって
注入不良の発生を未然に防止することができる。
それを比較回路で所定の基準値と比較することによっ
て、真空計に依ることなく、注入中のビームラインの真
空度悪化を速やかに検出することができ、それによって
注入不良の発生を未然に防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す横断面図である。図５の従来例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の一例を示す横断面図である。図５の従来例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１２】この実施例においては、前述したような走
査マグネット６の下流側の直進軌道２２（即ち走査マグ
ネット６で偏向を受けない粒子が直進する軌道）上であ
って、前述した基板１２にイオンビーム２を照射してイ
オン注入を行うための正規のイオンビーム軌道２６の外
に、そこに飛来して来る中性粒子２４を受ける導電性
の、この例では金属製の受領体２８を設けている。
査マグネット６の下流側の直進軌道２２（即ち走査マグ
ネット６で偏向を受けない粒子が直進する軌道）上であ
って、前述した基板１２にイオンビーム２を照射してイ
オン注入を行うための正規のイオンビーム軌道２６の外
に、そこに飛来して来る中性粒子２４を受ける導電性
の、この例では金属製の受領体２８を設けている。
【００１３】この受領体２８を正規のイオンビーム軌道
２６の外に設けるのは、この受領体２８にイオンビーム
２が入射すると、この受領体２８に流れる電流が当該イ
オンビーム２によるものか中性粒子２４によるものかが
区別できなくなるので、それを防止するためである。こ
の受領体２８は、それから発生した二次電子が当該受領
体２８に再び入りにくくするために、カップ状よりも平
板状にするのが好ましい。
２６の外に設けるのは、この受領体２８にイオンビーム
２が入射すると、この受領体２８に流れる電流が当該イ
オンビーム２によるものか中性粒子２４によるものかが
区別できなくなるので、それを防止するためである。こ
の受領体２８は、それから発生した二次電子が当該受領
体２８に再び入りにくくするために、カップ状よりも平
板状にするのが好ましい。
【００１４】上記受領体２８の前面付近には、当該受領
体２８と電気的に絶縁して、この例では環状の引出し電
極３０を配置している。この受領体２８と引出し電極３
０との間には、直流電源３２によって、受領体２８が相
対的に負になる電位差が付与される。具体的には、この
例では、受領体２８は、そこに流れる電流ＩN を計測す
る電流計測器３４を介して接地されており、引出し電極
３０とアース間に前者を正極側にして直流電源３２が接
続されている。これは、引出し電極３０を正電位にする
例である。但しこのように接続する代わりに、図２に示
す例のように、引出し電極３０を接地すると共に、受領
体２８とアース間に前者を負極側にして直流電源３２を
接続しても良い。これは受領体２８を負電位にする例で
ある。直流電源３２から出力する電圧は、受領体２８か
ら発生した二次電子を押し返してそれが再び受領体２８
に戻るのを防止するに足りる程度の電圧、例えば数十Ｖ
〜数百Ｖ程度で良い。
体２８と電気的に絶縁して、この例では環状の引出し電
極３０を配置している。この受領体２８と引出し電極３
０との間には、直流電源３２によって、受領体２８が相
対的に負になる電位差が付与される。具体的には、この
例では、受領体２８は、そこに流れる電流ＩN を計測す
る電流計測器３４を介して接地されており、引出し電極
３０とアース間に前者を正極側にして直流電源３２が接
続されている。これは、引出し電極３０を正電位にする
例である。但しこのように接続する代わりに、図２に示
す例のように、引出し電極３０を接地すると共に、受領
体２８とアース間に前者を負極側にして直流電源３２を
接続しても良い。これは受領体２８を負電位にする例で
ある。直流電源３２から出力する電圧は、受領体２８か
ら発生した二次電子を押し返してそれが再び受領体２８
に戻るのを防止するに足りる程度の電圧、例えば数十Ｖ
〜数百Ｖ程度で良い。
【００１５】上記電流計測器３４で計測した電流Ｉ
N は、この例では増幅器３５によって増幅されて、比較
回路３６に供給される。この比較回路３６は、電流計測
器３４で計測した電流ＩN を予め設定した基準値Ｒと比
較して、電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信
号Ｓを出力する。この基準値Ｒは、一つの定まった値で
も良いけれども、注入時のイオンビーム２のビーム電
流、エネルギー等の注入条件に応じて変えるようにして
も良く、そのようにすれば、ビームラインの真空度悪化
を、注入条件に応じてよりきめ細かく検出することが可
能になる。
N は、この例では増幅器３５によって増幅されて、比較
回路３６に供給される。この比較回路３６は、電流計測
器３４で計測した電流ＩN を予め設定した基準値Ｒと比
較して、電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信
号Ｓを出力する。この基準値Ｒは、一つの定まった値で
も良いけれども、注入時のイオンビーム２のビーム電
流、エネルギー等の注入条件に応じて変えるようにして
も良く、そのようにすれば、ビームラインの真空度悪化
を、注入条件に応じてよりきめ細かく検出することが可
能になる。
【００１６】更にこの実施例では、走査マグネット６に
走査電流を供給する走査電源３８に上記警報信号Ｓを供
給して、基板１２に対する注入中に比較回路３６から警
報信号Ｓが出力された場合に、この走査電源３８からの
出力を停止することによってイオンビーム２の走査を停
止して、イオンビーム２が基板１２に照射されるのを自
動的に停止するようにしている。走査マグネット６によ
る走査を停止しても、ビーム平行化マグネット８による
ビーム偏向作用は働いているので、イオンビーム２は最
も外側の軌道２ａを通ることになる。従ってこの軌道２
ａ上には、そこを通るイオンビーム２を受け止める手段
（例えばダンプファラデー等）を設けておいても良い。
走査電流を供給する走査電源３８に上記警報信号Ｓを供
給して、基板１２に対する注入中に比較回路３６から警
報信号Ｓが出力された場合に、この走査電源３８からの
出力を停止することによってイオンビーム２の走査を停
止して、イオンビーム２が基板１２に照射されるのを自
動的に停止するようにしている。走査マグネット６によ
る走査を停止しても、ビーム平行化マグネット８による
ビーム偏向作用は働いているので、イオンビーム２は最
も外側の軌道２ａを通ることになる。従ってこの軌道２
ａ上には、そこを通るイオンビーム２を受け止める手段
（例えばダンプファラデー等）を設けておいても良い。
【００１７】注入中のビームラインの真空度が悪化して
イオンビーム２と雰囲気ガス粒子との衝突によって中性
粒子２４が発生すると、この中性粒子２４は走査マグネ
ット６によって走査されることなく、かつこの例ではビ
ーム平行化マグネット８によって曲げられることもな
く、走査マグネット６の下流側へ直進して前述した直進
軌道２２を通って受領体２８に入射し、それによって当
該受領体２８から二次電子を発生させる。この二次電子
は、受領体２８とその前面付近の引出し電極３０間に直
流電源３２から付与されている電位差によって、即ちこ
の例では受領体２８側を負とする電界によって、受領体
２８に戻ることなく受領体２８外に引き出され（大半は
引出し電極３０に入る）、それによって受領体２８に電
流ＩN が流れる。これは図１の実施例も図２の実施例も
同様である。ビームラインの真空度悪化が大きくなって
中性粒子２４が多く発生するほど、受領体２８に入射す
る中性粒子２４が多くなって受領体２８から発生する二
次電子は多くなるので、上記電流ＩN は大きくなる。
イオンビーム２と雰囲気ガス粒子との衝突によって中性
粒子２４が発生すると、この中性粒子２４は走査マグネ
ット６によって走査されることなく、かつこの例ではビ
ーム平行化マグネット８によって曲げられることもな
く、走査マグネット６の下流側へ直進して前述した直進
軌道２２を通って受領体２８に入射し、それによって当
該受領体２８から二次電子を発生させる。この二次電子
は、受領体２８とその前面付近の引出し電極３０間に直
流電源３２から付与されている電位差によって、即ちこ
の例では受領体２８側を負とする電界によって、受領体
２８に戻ることなく受領体２８外に引き出され（大半は
引出し電極３０に入る）、それによって受領体２８に電
流ＩN が流れる。これは図１の実施例も図２の実施例も
同様である。ビームラインの真空度悪化が大きくなって
中性粒子２４が多く発生するほど、受領体２８に入射す
る中性粒子２４が多くなって受領体２８から発生する二
次電子は多くなるので、上記電流ＩN は大きくなる。
【００１８】上記比較回路３６は、この電流計測器３４
で計測した電流ＩN と予め定められた基準値Ｒとを比較
し、電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信号Ｓ
を出力する。この警報信号Ｓの出力によって、従来例の
ように真空計に依ることなく、注入中のビームラインの
真空度悪化を速やかに検出することができる。それによ
って、基板面内の注入均一性悪化、注入量誤差発生等の
注入不良の発生を未然に防止することができる。
で計測した電流ＩN と予め定められた基準値Ｒとを比較
し、電流ＩN が基準値Ｒよりも大きい場合に警報信号Ｓ
を出力する。この警報信号Ｓの出力によって、従来例の
ように真空計に依ることなく、注入中のビームラインの
真空度悪化を速やかに検出することができる。それによ
って、基板面内の注入均一性悪化、注入量誤差発生等の
注入不良の発生を未然に防止することができる。
【００１９】更にこの実施例では、この比較回路３６か
ら出力される警報信号Ｓに応答して、走査マグネット６
でのイオンビーム２の走査を停止してイオンビーム２が
基板に照射されるのを自動的に停止するようにしている
ので、基板１２に対するイオン注入を速やかに停止し
て、注入不良の発生を未然にかつ速やかに防止すること
ができる。
ら出力される警報信号Ｓに応答して、走査マグネット６
でのイオンビーム２の走査を停止してイオンビーム２が
基板に照射されるのを自動的に停止するようにしている
ので、基板１２に対するイオン注入を速やかに停止し
て、注入不良の発生を未然にかつ速やかに防止すること
ができる。
【００２０】なお、上記のように警報信号Ｓに応答して
走査マグネット６を停止させる代わりに、警報信号Ｓに
応答して、イオンビーム２を遮断するシャッターをビー
ムラインに自動的に挿入したり、イオン源１でのイオン
ビーム２の発生を自動的に停止させる等しても良いけれ
ども、この実施例のように走査マグネット６を停止させ
る方が、余分な機構が不要であり、しかも注入動作に速
やかに復帰することができるので、より好ましい。
走査マグネット６を停止させる代わりに、警報信号Ｓに
応答して、イオンビーム２を遮断するシャッターをビー
ムラインに自動的に挿入したり、イオン源１でのイオン
ビーム２の発生を自動的に停止させる等しても良いけれ
ども、この実施例のように走査マグネット６を停止させ
る方が、余分な機構が不要であり、しかも注入動作に速
やかに復帰することができるので、より好ましい。
【００２１】また、図３に示す例のように、走査マグネ
ット６でイオンビーム２をオフセット角θを持たせて走
査する場合は、上記受領体２８および引出し電極３０
を、走査マグネット６のすぐ下流側における直進軌道２
２上に、即ちこの例では走査マグネット６とビーム平行
化マグネット８との間に配置することも可能であり、こ
の場合も上記実施例と同様の作用効果を奏することがで
きる。
ット６でイオンビーム２をオフセット角θを持たせて走
査する場合は、上記受領体２８および引出し電極３０
を、走査マグネット６のすぐ下流側における直進軌道２
２上に、即ちこの例では走査マグネット６とビーム平行
化マグネット８との間に配置することも可能であり、こ
の場合も上記実施例と同様の作用効果を奏することがで
きる。
【００２２】また、この発明は、上記実施例のようにイ
オンビーム２を磁気的に走査したり、平行走査したり、
ハイブリッドスキャンしたりするイオン注入装置以外に
も勿論適用することができる。例えば、図４は、イオン
ビーム２を二組の走査電極４０および４２によって互い
に直交する二方向に静電的に走査するイオン注入装置の
場合の例であるが、このようなイオン注入装置の場合
も、オフセット角θを持たせてイオンビーム２を走査す
る走査電極４２の下流側の直進軌道２２上に、上記受領
体２８および引出し電極３０を配置することが可能であ
り、それによって上記実施例と同様の作用効果を奏する
ことができる。
オンビーム２を磁気的に走査したり、平行走査したり、
ハイブリッドスキャンしたりするイオン注入装置以外に
も勿論適用することができる。例えば、図４は、イオン
ビーム２を二組の走査電極４０および４２によって互い
に直交する二方向に静電的に走査するイオン注入装置の
場合の例であるが、このようなイオン注入装置の場合
も、オフセット角θを持たせてイオンビーム２を走査す
る走査電極４２の下流側の直進軌道２２上に、上記受領
体２８および引出し電極３０を配置することが可能であ
り、それによって上記実施例と同様の作用効果を奏する
ことができる。
【００２３】
【発明の効果】この発明は、上記のように構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
るので、次のような効果を奏する。
【００２４】請求項１記載の発明によれば、注入中のビ
ームラインの真空度悪化によって中性粒子が発生する
と、それが受領体に入射し、この受領体に二次電子放出
による電流が流れ、それが基準値よりも大きくなったこ
とを比較回路によって検出することができるので、真空
計に依ることなく、注入中のビームラインの真空度悪化
を速やかに検出することができ、それによって注入不良
の発生を未然に防止することができる。
ームラインの真空度悪化によって中性粒子が発生する
と、それが受領体に入射し、この受領体に二次電子放出
による電流が流れ、それが基準値よりも大きくなったこ
とを比較回路によって検出することができるので、真空
計に依ることなく、注入中のビームラインの真空度悪化
を速やかに検出することができ、それによって注入不良
の発生を未然に防止することができる。
【００２５】請求項２記載の発明によれば、前記比較回
路から出力される警報信号に応答して、イオンビームが
基板に照射されるのを自動的に停止する手段を更に備え
ているので、基板に対するイオン注入を速やかに停止し
て、注入不良の発生を未然にかつ速やかに防止すること
ができる。
路から出力される警報信号に応答して、イオンビームが
基板に照射されるのを自動的に停止する手段を更に備え
ているので、基板に対するイオン注入を速やかに停止し
て、注入不良の発生を未然にかつ速やかに防止すること
ができる。
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す横
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の装置における受領体周りの他の例を示す
図である。
図である。
【図３】図１の装置における受領体等の配置の他の例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】この発明に係るイオン注入装置の他の例を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図５】従来のイオン注入装置の一例を示す横断面図で
ある。
ある。
２ イオンビーム ６ 走査マグネット（走査手段） １２ 基板 ２２ 直進軌道 ２４ 中性粒子 ２６ 正規のイオンビーム軌道 ２８ 受領体 ３０ 引出し電極 ３２ 直流電源 ３４ 電流計測器 ３６ 比較回路
Claims (2)
- 【請求項１】 イオンビームを走査手段によって走査し
て基板に照射して当該基板にイオン注入を行う構成のイ
オン注入装置において、前記走査手段の下流側の直進軌
道上であって、基板にイオン注入を行うための正規のイ
オンビーム軌道の外に設けられていて、そこに飛来して
来る中性粒子を受ける導電性の受領体と、この受領体と
その前面付近との間に前者が相対的に負になる電位差を
付与する直流電源と、前記受領体に流れる電流を計測す
る電流計測器と、この電流計測器で計測した電流が基準
値よりも大きい場合に警報信号を出力する比較回路とを
備えることを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 前記比較回路から出力される警報信号に
応答して、イオンビームが基板に照射されるのを自動的
に停止する手段を更に備える請求項１記載のイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202883A JPH1027568A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202883A JPH1027568A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027568A true JPH1027568A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16464791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8202883A Pending JPH1027568A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027568A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126656A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| KR100411873B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2003-12-24 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 이온 주입기용 비행시간 에너지 측정 장치 |
| JP2009518865A (ja) * | 2005-12-07 | 2009-05-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する技術 |
| CN103177924A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置及具有其的基板处理系统 |
| WO2019156770A1 (en) * | 2018-02-12 | 2019-08-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Embedded features for interlocks using additive manufacturing |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP8202883A patent/JPH1027568A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411873B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2003-12-24 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 이온 주입기용 비행시간 에너지 측정 장치 |
| JP2001126656A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| JP2009518865A (ja) * | 2005-12-07 | 2009-05-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する技術 |
| CN103177924A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置及具有其的基板处理系统 |
| WO2019156770A1 (en) * | 2018-02-12 | 2019-08-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Embedded features for interlocks using additive manufacturing |
| US10672634B2 (en) | 2018-02-12 | 2020-06-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Embedded features for interlocks using additive manufacturing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |