KR102043179B1 - 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 - Google Patents
배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102043179B1 KR102043179B1 KR1020130016976A KR20130016976A KR102043179B1 KR 102043179 B1 KR102043179 B1 KR 102043179B1 KR 1020130016976 A KR1020130016976 A KR 1020130016976A KR 20130016976 A KR20130016976 A KR 20130016976A KR 102043179 B1 KR102043179 B1 KR 102043179B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- barrier film
- medium
- liquid
- supply unit
- defect
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/20—Investigating the presence of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N19/00—Investigating materials by mechanical methods
- G01N19/08—Detecting presence of flaws or irregularities
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계와, 상기 배리어 막의 표면에 대전된 매체를 접촉시키는 단계와, 상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 단계를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치에 관한 것이다.
Description
배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치에 관한 것이다.
배리어막에 대한 수분 침투율을 측정하는 방법으로 칼슘 전극을 이용한 방법이 알려져 있다. 칼슘 전극을 테스트용 배리어막으로 감싸고, 수분 및 산소 환경 하에 두면, 칼슘 전극과 반응한 수분 및 산소가 광학 또는 전기적 측정 장치에 의해 검출될 수 있다. 그러나 이는 칼슘 막을 구비한 특별한 패드가 필요한 데, 이는 OLED와 같은 평판 표시 장치에 적용되기 어렵다. 또한 이 방법은 배리어 막의 결함으로 수분이나 산소가 침투된 이후에 측정할 수 있는 것이어서, 수분이나 산소의 침투 전에 결합의 존재 여부를 발견할 수 없다. 이 측정을 위해서 장시간 고습 환경 하에 표시 장치를 둘 경우, 설사 배리어막에 결함이 없는 것으로 판명된다 하더라도 평판 표시 장치의 수명이 저하되는 문제가 있다.
US5,196,799에 따르면 매우 작은 크기의 구멍이라도 막의 침투율에 매우 치명적일 수 있다는 내용이 개시되어 있다.
실제 양산되는 평판 표시 장치의 표면에 코팅된 배리어 막의 결함을 비파괴적으로 및/또는 제조 공정 중에 매우 짧은 시간 안에 측정할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.
일 측면에 따르면, 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계와, 상기 배리어 막의 표면에 대전된 매체를 접촉시키는 단계와, 상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 단계를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법을 제공한다.
상기 매체는 가스일 수 있다.
이 때, 상기 대전된 가스를 도전성 금속으로 형성된 메쉬를 통과시킨 후 상기 배리어 막의 표면에 접촉시키는 단계를 더 포함하고, 상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 단계는 상기 메쉬와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 매체는 액체일 수 있다.
상기 액체는 에틸렌 글리콜 또는 LiF 염을 포함하는 디메톡시에탄일 수 있다.
상기 매체는 액체 금속일 수 있다.
상기 액체 금속은 인듐 및 수은을 포함할 수 있다.
다른 일 측면에 따르면, 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치의 상기 배리어 막의 표면에 대전된 매체를 제공하는 매체 공급 유닛과, 상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 측정 유닛;을 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치를 제공한다.
상기 매체 공급 유닛은 선형일 수 있다.
상기 매체 공급 유닛은, 서로 수직하게 배치되는 제1매체 공급 유닛 및 제2매체 공급 유닛을 포함할 수 있다.
상기 매체 공급 유닛은, 전원에 전기적으로 연결되고 상기 배리어 막의 표면에 대향되게 위치하는 도전성 팁과, 상기 도전성 팁과 상기 배리어막의 표면과의 사이에 위치하고 상기 측정 유닛에 전기적으로 연결된 메쉬를 포함할 수 있다.
상기 매체 공급 유닛은, 전원에 연결되고 제공된 액체 또는 액체 금속에 전기를 가하는 코어 전극을 포함하고, 상기 액체 또는 액체 금속을 상기 배리어 막의 표면에 분사하는 헤드와, 상기 헤드에 연결되고, 상기 헤드에 액을 제공하는 액 공급 유닛을 포함할 수 있다.
상기 헤드에 연결되고, 상기 헤드와 상기 배리어막의 표면 사이에 에어를 분사하여 상기 배리어막 표면에서의 액의 범위를 제한하는 에어 리프팅 헤드를 더 포함할 수 있다.
상기 매체 공급 유닛은, 표면에 액체 또는 액체 금속을 머금은 롤러를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 배리어 막에 결함이 있는지 유무 및/또는 결함의 위치를 짧은 시간 안에 간단한 방법으로 검출할 수 있다.
배리어 막의 결함 검출을 위해 피검사 장치를 시효(aging) 처리하지 않아도 되므로, 피검사 장치의 수명에 아무런 영향을 주지 않을 수 있다.
배리어 막의 결함 검출을 피검사 장치의 제조 공정 중의 어느 일 단계에서 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 배리어 막의 대전 입자 흐름을 도시한 개략도이다.
도 3은 배리어 막의 절연 파괴를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 배리어 막의 대전 입자 흐름을 도시한 개략도이다.
도 3은 배리어 막의 절연 파괴를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
먼저, 평판 표시 장치(1)를 준비한다. 상기 평판 표시 장치(1)는 기판(11) 상에 표시부(12)가 형성되어 있고, 이 표시부(12)를 배리어 막(13)에 의해 외부의 수분/산소로부터 밀봉한다.
상기 평판 표시 장치(1)는 유기 발광 표시 장치가 될 수 있는 데, 이 때, 상기 표시부(12)는 유기 발광 표시부가 될 수 있다. 그러나 본 발명은 반드시 유기 발광 표시 장치에 적용되는 것은 아니고, 외부의 수분/산소로부터 밀봉하여 보호할 필요가 있는 소자면 어느 것이나 적용될 수 있다.
상기 표시부(12)는 복수의 픽셀들을 포함하는 데, 이 픽셀들을 모두 덮는 공통 전극(121)을 포함한다. 이 공통 전극(121)은 캐소드 전극일 수 있다. 상기 공통 전극(121)은 배리어 막(13) 외부의 도전 패드(122)에 전기적으로 연결되어 있다.
상기 배리어 막(13)은 도 2에서 볼 수 있듯이, 적어도 하나의 제1막(131)과 적어도 하나의 제2막(132)을 포함한다. 상기 제1막(131)은 무기물을 포함하고, 상기 제2막(132)은 유기물을 포함한다.
상기 무기물은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 알루미늄질화물, 알루미늄산질화물, 주석 산화물, 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기물은 아크릴 또는 폴리이미드를 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1막(131)과 제2막(132)은 서로 교대로 성막시키는 것이 바람직하다. 도 2에는 3층의 제1막(131)들이 형성되고, 제1막(131)들의 사이에 각각 제2막(132)들이 개재된 구조이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1막(131)과 제2막(132)의 개수는 변경될 수 있다.
최초 제1막(131)과 공통 전극(121)의 사이에는 보호막(133)이 더 개재될 수 있는 데, 이 보호막(133)은 최초 제1막(131)을 증착할 때에 공통 전극(121)이 증착 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호막(133)은 예를 들면, LiF, 리튬 퀴놀레이트, Alq3 등의 물질을 이용할 수 있다.
상기 평판 표시 장치(1)의 구성요소 중 가장 민감한 요소 중 하나가 캐소드전극이 되는 공통 전극이다. 이는 캐소드 전극이 마그네슘, 알루미늄 또는 칼슘과 같이 낮은 일함수를 갖는 활성 금속으로 형성되기 때문으로, 이러한 낮은 일함수를 갖는 금속은 수분 또는 산소와의 반응성이 매우 높다. 따라서 이러한 캐소드 전극의 열화는 암점(dark spots) 불량의 한 원인이 될 수 있다.
상기 배리어 막(13)은 상기 표시부(12)의 유기 발광막을 보호할 뿐 아니라, 캐소드 전극인 공통 전극(121)의 보호를 위해서도 중요하다. 그러나 최근 경향은 상기 배리어 막(13)을 얇게 형성하고자 하기 때문에, 상기 배리어 막(13)은 작은 파티클에도 쉽게 배리어 특성이 저하될 수 있다. 예컨대, 도 2에서 볼 수 있듯이 상기 배리어 막(13)에 결함(134)이 생길 수 있다.
이러한 배리어 막(13)에 생긴 결함(134)은 수분이나 산소가 침투하는 경로를 제공할 수 있다.
그런데 배리어 막(13)의 결함(134)을 통한 수분이나 산소의 침투는 검출하는 것이 어렵다.
본 발명자들은, 배리어 막(13)을 침투하는 수분이나 산소와 같은 중성 분자의 흐름을 검출하는 것이 어렵기 때문에, 산소나 수분 흐름을 대신하여 대전된 입자의 흐름을 이용하여 배리어 막(13)의 결함을 검출하였다. 상기 대전된 입자는 이온 또는 전자가 될 수 있다. 상기 이온이나 전자는 상기 평판 표시 장치(1)의 외면, 특히 배리어 막(13)의 외면에 접하는 전극인 매체(2)에 의해 배리어 막(13)으로 주입될 수 있다. 상기 매체(2)는 도 1에서 볼 수 있듯이 전원(31)에 전기적으로 연결되어 대전될 수 있고, 상기 매체(2)와 도전 패드(122)는 측정 유닛(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 측정 유닛(32)은 전류 측정 유닛일 수 있다.
산소 또는 수분의 흐름은 대전 입자(이온 또는 전자)의 흐름에 의해 추적될 수 있다. 강한 전기장으로 인해 상기 대전 입자의 흐름은 확연히 가속될 수 있다. 게다가 대전 입자의 흐름은 중성 입자들에 비해 쉽게 포착될 수 있다.
상기 공통 전극(121)은 모든 픽셀들에 공통되고, 배리어 막(13)의 형성 전 마지막 층이기 때문에, 상기 공통 전극(121)은 전기적 측정에 대한 전극으로 사용될 수 있다.
따라서 도 1 및 도 2에서 볼 수 있듯이, 배리어 막(13)의 표면에 대전 입자를 포함하는, 즉, 대전된 매체(2)를 접촉시킨 후 대전된 매체(2)와 공통 전극(121) 간의 전류 흐름의 변화를 측정하면 배리어 막의 결함 여부를 검출할 수 있는 것이다.
상기 결함(134)을 포함하는 배리어 막(13)을 가로질러 전압을 인가하면 유전체 막인 배리어 막(13)의 절연 파괴를 유발할 수 있다. 전기장이 상기 결함 부근에서 더 강하기 때문에 상기 절연 파괴는 결함에서 발생되기 쉽다.
따라서 상기 결함들은 낮은 전압에서의 전류 흐름에 의해서 뿐만 아니라, 유전체 막의 절연 파괴에 의해서도 검출될 수 있다.
도 3은 유전체 막인 배리어 막(13) 내부에 공극(void)과 같은 결함(134)이 존재하는 경우를 나타낸 것이다.
이 때 공통 전극(121)과 매체(2) 사이에 전압이 가해지면, 결함(134)의 내부에서의 전기장은 배리어 막(13)의 다른 부분에서의 전기장에 비해 높다. 상기 결함(134) 내부에서의 단일 이온의 에너지가 주위의 중성 분자들에 가속 이온을 분산시키는 2차 이온화 과정을 일으키기에 충분할 경우, 이 과정이 전류 흐름에 자연스러운 점프를 유발하게 된다. 이러한 전류의 점프를 검출함으로써 결함(134)의 존재를 검출할 수 있다.
유전체 막에 결함이 있을 경우 절연 파괴는 결함이 없을 경우에 비해 현저히 낮은 전압에서 나타날 수 있다.
결함이 있는 영역들은 결함이 없는 막에 대한 절연 파괴 전압보다 현저히 낮은 전압에서 나타날 수 있다. 따라서, 상기 유전체 막(13)에 결함이 있는지 여부는 절연 파괴가 일어나는 전압의 범위를 측정함으로써 쉽게 파악할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 매체(2)는 가스, 액체 또는 액체 금속일 수 있다.
도 4는 상기 매체(2)로서 가스를 사용할 때의 배리어 막의 결함 검출 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
먼저, 배리어 막(13)에 대향되도록 매체 공급 유닛(4)이 위치한다. 상기 매체 공급 유닛(4)은 도전성 팁(41) 및 메쉬(42)를 포함할 수 있다.
상기 도전성 팁(41)은 배리어 막(13)에 대향되게 위치하고, 전원(31)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 메쉬(42)는 도전성 금속으로 형성되고, 이 메쉬(42)는 도전성 팁(41)과 배리어 막(13)의 사이에 위치한다.
상기 메쉬(42)와 공통 전극(121)이 전류계인 측정 유닛(32)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 도전성 팁(41)과 메쉬(42)에 고전압을 인가하면 상기 도전성 팁(41)에 의해 높은 전기장이 생겨 도전성 팁(41)과 배리어 막(13) 사이에 위치한 가스의 중성 분자 주위에 이온을 생성한다. 인가된 전기장에 의해 가속된 대전된 분자들이 메쉬(42)로 움직인다. 그 중 일부는 메쉬를 타격하고 다른 일부는 배리어 막(13)의 표면으로 향해 배리어 막(13) 표면에 대전된 가스에 의한 매체(2)를 형성하게 되고, 이 매체(2)에 의해 배리어 막(13)의 표면에 표면 전위를 형성한다.
배리어 막(13)의 표면과 공통 전극(121) 사이의 전위차로 인해, 일부 전류가 흘러 전류계인 측정 유닛(32)에 감지될 수 있다. 만일 상기 배리어 막(13)에 어떤 결함을 포함한다면, 상기 전류는 결함이 없는 배리어 막(13)의 부분보다 상승하게 될 것이고, 이로써 배리어 막(13)에 결함 유무를 검출할 수 있다.
상기 도전성 팁(41)은 전압이 인가되는 끝이 뾰족한 팁이 될 수도 있고, 이 외에도 배리어 막(13)을 향해 가스를 분사하는 것일 수 있다. 상기 가스는 도전성 팁(41)에 전원이 인가됨에 따라 대전되어 이온 또는 전자를 생성하기 쉬운 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있다.
상기 매체는 액체 또는 액체 금속일 수 있다.
액체로서, 염을 포함하는 용액이 사용될 수 있다.
염 및 용매의 조건은 다음과 같을 수 있다:
상기 공통 전극 및 유기 발광 표시 장치에 사용되는 다른 물질에 비활성이고, 용매는 높은 전기장에서 안정되어야 한다. 그리고 배리어 막 표면에서 쉽게 제거될 수 있어야 한다.
예컨대, LiF 염을 미량 포함한 디메톡시에탄(dimethoxyethane)이 사용될 수 있다. 이 디메톡시에탄은 유전성 액체이나, LiF를 미량 첨가함에 따라 도전성을 띠고, LiF 염은 배리어 막을 관통하는 이온의 소스가 될 수 있다. LiF가 극미량 포함되기 때문에 상기 표면에 잔류하지는 않게 된다.
액체로서, 에틸렌 글리콜을 사용할 수 있다. 이는 전도성이 낮고 마그네슘 및 배리어 막 물질들(아크릴 폴리머 및 비정질 알루미늄 옥사이드)과 비활성인 액체이다. 에틸렌 글리콜이 휘발성 액체이기 때문에 상기 배리어 막 표면에 증착된 이후에 상기 표면에 거의 남지 않게 된다.
액체 금속이 상기 매체로서 사용될 수 있다. 상온에서, 대부분의 금속은 고체이나, 일부 알카리 금속 및 갈륨 금속 및 수은이 액체이다. 예컨대, Cs-K 합금, K-Na합금, Ga-In-Sn합금, Ga-In-Sn-Zn합금, Ga-In합금, Hg, Cs, Ga 등이 사용될 수 있다. 이들 중 Cs-K 합금, K-Na합금 등은 산소 및 수분에 매우 활성이어서 이를 사용하기 위해서는 밀폐 환경이 필요하다. 수은의 사용은 그 독성으로 인해 제한적이다. 그러나 인듐을 포함한 수은 합금은 사용할 수 있다.
도 5는 상기 액체 또는 액체 금속을 매체로서 사용할 때의 배리어 막의 결함 검출 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
먼저, 배리어 막(13)에 대향되도록 매체 공급 유닛(4)이 위치한다. 상기 매체 공급 유닛(4)은 헤드(43) 및 액 공급 유닛(45)을 포함할 수 있다.
상기 액 공급 유닛(45)은 상기 헤드(43)에 연결되어 헤드(43)에 상기 매체(2)가 될 액체 및/또는 액체 금속을 제공한다.
상기 헤드(43)는 내부에 코어 전극(44)을 구비하는 데, 이 코어 전극(44)은 전원에 연결되어 있다. 상기 코어 전극(44)은 제공된 액체 및/또는 액체 금속을 대전시킨다.
상기 헤드(43)는 전원(31) 및 측정 유닛(32)을 포함하는 테스트 유닛(3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 테스트 유닛(3)은 고 저항 측정기(high resistance meter) 또는 전류-전압 테스트 스테이션(current-voltage test station)이 사용될 수 있다.
상기 헤드(43)를 통해 배리어 막(13) 상으로 분사된 대전된 매체(2)는 에어 리프팅 헤드(46)에 의해 배리어 막(13) 표면에서 그 범위가 제한될 수 있다. 상기 에어 리프팅 헤드(46)는 에어 공급 유닛(47)에 연결되어 배리어 막(13)의 표면으로 에어를 분사하며, 이에 따라 매체(2)가 제한된 범위에만 머물러 있을 수 있다. 또한 상기 에어 리프팅 헤드(46)에 의해 상기 헤드(43)와 배리어 막(13)의 표면간의 거리가 일정하게 유지될 수 있다.
상기 배리어 막의 결함 검출 장치의 실시예는 접지된 테이블(51)에 상기 평판 표시 장치(1)를 올려 놓고, 도전 패드(122)를 접지 클립(52)에 의해 고정시켜 공통 전극(121)을 접지시킬 수 있다.
이 상태에서 상기 매체(2)를 흐르는 전류의 변화를 측정함으로써 배리어 막(13)의 결함 유무를 판단할 수 있다.
도 6은 상기 액체 또는 액체 금속을 매체로서 사용할 때의 배리어 막의 결함 검출 장치의 다른 일 실시예를 도시한 도면이다.
상기 매체 공급 유닛(4)은 롤러(48)를 포함할 수 있다. 상기 롤러(48)는 표면이 매우 연한 도전성 러버 스폰지로 형성될 수 있어, 롤러(48)의 표면이 상기 액체 또는 액체 금속을 머금은 상태가 될 수 있다. 상기 롤러(48)의 표면은 전원(31)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 롤러(48)는 배리어 막(13)의 표면에 접한 상태로 회전할 수 있는 데, 이에 따라 롤러(48)와 배리어 막(13)의 표면에는 매체(2)가 묻어나게 되고, 매체(2)와 공통 전극(121) 간의 전위 차에 의한 전류 변화를 파악할 수 있게 된다. 선택적으로 롤러(48)의 표면과 공통 전극(121) 간의 전위 차에 의한 전류 변화를 파악함으로써 배리어 막(13)에 존재하는 결함을 검출할 수 있다.
이상 설명한 바와 같은 배리어 막의 결함 검출 장치는 배리어 막의 표면을 스캔함에 따라 배리어 막에 존재하는 결함을 파악할 수 있다. 스캔의 편이를 위해 상기 매체 공급 유닛은 선형으로 구비될 수 있다. 이에 따라 한 번의 스캔 과정으로 배리어 막의 결함 유무를 검출할 수 있다.
결함의 2차원적 위치를 파악하기 위해, 상기 매체 공급 유닛은 도 7에서 볼 수 있듯이, 서로 수직하게 배치되는 제1매체 공급 유닛(401) 및 제2매체 공급 유닛(402)을 포함할 수 있다. 상기 제1매체 공급 유닛(401) 및 제2매체 공급 유닛(402)은 모두 선형으로 구비되어 스캐닝 횟수를 줄일 수 있다.
상기 제1매체 공급 유닛(401)은 제1방향(D1)으로 스캐닝하고, 상기 제2매체 공급 유닛(402)은 제2방향(D2)으로 스캐닝하여 배리어 막(13)에 존재하는 결함의 X좌표 및 Y좌표를 검출할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
Claims (14)
- 표시 장치의 배리어 막 결함 검출 방법에 있어서,
기판, 상기 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 표시부, 및 상기 표시부를 밀봉하는 배리어 막을 포함하는 표시 장치를 준비하는 동작;
상기 배리어 막의 표면에 대전된 매체를 접촉시키는 동작;
상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 매체는 가스인, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제2항에 있어서,
상기 대전된 가스를 도전성 금속으로 형성된 메쉬를 통과시킨 후 상기 배리어 막의 표면에 접촉시키는 동작을 더 포함하고,
상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 동작은 상기 메쉬와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 매체는 액체인, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제4항에 있어서,
상기 액체는 에틸렌 글리콜 또는 LiF 염을 포함하는 디메톡시에탄인, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 매체는 액체 금속인, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 제6항에 있어서,
상기 액체 금속은 인듐 및 수은을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 방법. - 기판, 상기 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 표시부, 및 상기 표시부를 밀봉하는 배리어 막을 포함하는 표시 장치의 상기 배리어 막의 표면에 대전된 매체를 제공하는 매체 공급 유닛; 및
상기 대전된 매체와 상기 전극 간의 전류 흐름의 변화를 측정하는 측정 유닛을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제8항에 있어서,
상기 매체 공급 유닛은 선형인, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제9항에 있어서,
상기 매체 공급 유닛은, 서로 수직하게 배치되는 제1매체 공급 유닛 및 제2매체 공급 유닛을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 매체 공급 유닛은,
전원에 전기적으로 연결되고 상기 배리어 막의 표면에 대향되게 위치하는 도전성 팁; 및
상기 도전성 팁과 상기 배리어막의 표면과의 사이에 위치하고 상기 측정 유닛에 전기적으로 연결된 메쉬를 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 매체 공급 유닛은,
전원에 연결되고 제공된 액체 또는 액체 금속에 전기를 가하는 코어 전극을 포함하고, 상기 액체 또는 액체 금속을 상기 배리어 막의 표면에 분사하는 헤드; 및
상기 헤드에 연결되고, 상기 헤드에 액을 제공하는 액 공급 유닛을 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제12항에 있어서,
상기 헤드에 연결되고, 상기 헤드와 상기 배리어막의 표면 사이에 에어를 분사하여 상기 배리어막 표면에서의 액의 범위를 제한하는 에어 리프팅 헤드를 더 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치. - 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 매체 공급 유닛은, 표면에 액체 또는 액체 금속을 머금은 롤러를 포함하는, 표시 장치의 배리어 막의 결함 검출 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130016976A KR102043179B1 (ko) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 |
US14/019,476 US9389197B2 (en) | 2013-02-18 | 2013-09-05 | Barrier film defect detecting method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130016976A KR102043179B1 (ko) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140103518A KR20140103518A (ko) | 2014-08-27 |
KR102043179B1 true KR102043179B1 (ko) | 2019-11-12 |
Family
ID=51350734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130016976A KR102043179B1 (ko) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9389197B2 (ko) |
KR (1) | KR102043179B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102446857B1 (ko) | 2015-05-26 | 2022-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US20210293645A1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-23 | Arris Enterprises Llc | Ceramic based strain detector |
CN116223568A (zh) * | 2023-03-16 | 2023-06-06 | 爱优特空气技术(上海)有限公司 | 一种用于外置电源微静电装置的质量检测方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209964A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法及び評価用ウェーハ |
JP2006098362A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Kobe Steel Ltd | 絶縁性薄膜の欠陥検出方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3653185A (en) * | 1968-10-08 | 1972-04-04 | Resource Control | Airborne contaminant removal by electro-photoionization |
US4492981A (en) * | 1981-01-29 | 1985-01-08 | Nippon Hoso Kyokai | TV Camera tube |
JPS62229056A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Nippon Steel Corp | 塗装金属の塗膜劣化程度定量診断方法およびその装置 |
US5196799A (en) | 1990-07-12 | 1993-03-23 | Drexel University | Method and apparatus for testing a protective barrier material for pinholes and tear strength |
JP3569072B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2004-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | セラミック基板のクラック検査方法 |
US6232787B1 (en) | 1999-01-08 | 2001-05-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | Microstructure defect detection |
JP3440329B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2003-08-25 | 住友イートンノバ株式会社 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
TW573128B (en) | 2001-05-15 | 2004-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method |
WO2004038753A1 (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
JP4698405B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-06-08 | 日本テトラパック株式会社 | シール状態検査装置及びシール状態検査方法 |
JP5243785B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-07-24 | 日清紡ホールディングス株式会社 | 太陽電池検査装置及び太陽電池欠陥判定方法 |
WO2010119666A1 (ja) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | 住友化学株式会社 | 半導体基板の電気的特性の測定方法 |
-
2013
- 2013-02-18 KR KR1020130016976A patent/KR102043179B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-05 US US14/019,476 patent/US9389197B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209964A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法及び評価用ウェーハ |
JP2006098362A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Kobe Steel Ltd | 絶縁性薄膜の欠陥検出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140232419A1 (en) | 2014-08-21 |
KR20140103518A (ko) | 2014-08-27 |
US9389197B2 (en) | 2016-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8915121B2 (en) | Encapsulated device with integrated gas permeation sensor | |
JP6099056B2 (ja) | ガスセンサ及びガスセンサアレイ | |
KR102043179B1 (ko) | 배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 | |
US9196874B2 (en) | Structuring of OLEDs using stack modification layer comprising perfluorinated vacuum grease and/or perfluorinated vacuum pump oil | |
TW571600B (en) | Organic electroluminescent device | |
CN106233481A (zh) | 场效应传感器及相关联的方法 | |
WO2015200758A2 (en) | 3d graphene transistor | |
KR101861823B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 검사 장비, 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 시스템 | |
US11994487B2 (en) | Measuring container, measuring system and measuring method | |
CN106018230A (zh) | 带有集成气体渗透传感器的封装器件 | |
US7287328B2 (en) | Methods for distributed electrode injection | |
CN110873625B (zh) | 电池泄漏测试装置和方法 | |
Taguchi et al. | Detection of pre-electrical breakdown of IZO/α-NPD/Alq3/Al light-emitting diodes by electric-field-induced optical second-harmonic generation measurement | |
JP4827589B2 (ja) | 湿度検出装置 | |
Pinato et al. | Impact of Trapped Charge and Interface Defects on the Degradation of the Optical and Electrical Characteristics in $\hbox {NPD/Alq} _ {3} $ OLEDs | |
US10600999B2 (en) | Method for producing an organic component | |
NL1041245B1 (en) | A method to measure the specific resistivity of thin layer material without the need for a second surface contact. | |
KR101263928B1 (ko) | 유연 전자 소자 보호층의 가스 침투율 측정 장치 및 이를 이용한 가스 침투율 측정 방법 | |
US20240328984A1 (en) | Charge amount measurement method and charge amount measurement system | |
US10605755B2 (en) | Method and device for detecting charged particles | |
Martin et al. | A few‐monolayer organic photodiode | |
KR100714074B1 (ko) | 무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법 | |
和文 et al. | English) Detection of pre-electrical breakdown of IZO/�-NPD/Alq3/Al light | |
KR20060117022A (ko) | 평판 표시 장치 | |
US20150070043A1 (en) | Inspection method and inspection device of integrated circuit device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |