TW201910009A - 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置係藉由處理液進行基板處理者；其具有：檢查手段，其檢查構成該基板處理裝置之經樹脂塗佈之零件之劣化；及早期劣化部，其係以較上述零件中應被檢查之樹脂塗佈更容易劣化之方式被施加有上述樹脂塗佈；上述檢查手段具備偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化的劣化偵測手段，基於該劣化偵測手段之偵測結果而判定上述檢查對象之零件劣化之程度。

Description

基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。更具體而言，係關於一種具備零件之檢查手段之基板處理裝置及檢查基板處理裝置之零件之方法。再者，於本說明書中所述之基板中，例如包含半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩基板、陶瓷基板、太陽光電池用基板等。
自習知以來，作為此種裝置，廣泛已知有：所謂批次型之裝置，其將處理液貯存於處理槽，使用保持基板之升降器，將基板浸漬於該處理槽進行基板之洗淨；及所謂單片型之裝置，其水平地保持基板並使之旋轉，自噴嘴對該旋轉之基板表面吐出處理液(例如專利文獻1、專利文獻2)。
對於該等裝置之構成零件，為了能夠耐受用於基板處理之藥液之蝕刻，而實施PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合體)等之樹脂塗佈。例如，若為批次式之裝置，則浸漬於藥液之升降器係對包含石英之零件本體設置金屬製之基底之後實施上述樹脂塗佈，從而防止因藥液導致之零件本體之劣化。又，於單片型之裝置中，亦有為防止因金屬製之零件(例如洗 滌器裝置中之鈦盤等)而導致之基板之金屬污染、及防止產生微粒等而對金屬製零件實施上述樹脂塗佈的情況。
因上述樹脂塗佈長時間使用，而產生針孔等異常，由此存在產生因樹脂之剝離而引起之微粒，或樹脂塗佈之基底部分之金屬溶出而產生金屬污染的問題。尤其是，於批次式裝置之升降器中，若保持基板之梳齒部之塗佈損耗而槽之寬度變大，則無法正確地保持基板，而導致被相鄰地保持之基板彼此接觸。
因此，自習知以來，定期地進行使用實際基板之檢查運轉，並測量因該檢查運轉而產生之微粒之量、金屬濃度等，藉此而測定零件之劣化度，於發現異常(塗佈剝離)之情況下，進行零件之更換、再塗佈處理等對策。
然而，於此種方法中存在如下問題，即，由於難以適時地偵測零件異常，故而實際上自裝置零件產生異常起至檢查中檢測出異常為止之期間，係於存在異常之狀態下進行基板處理。又，於塗佈之剝離變得嚴重之情況下，由於無法對零件進行再塗佈處理，故而裝置之修理成本增加。進而，亦產生了必須僅為了檢查而運轉裝置(裝置運轉率之降低)之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-96012號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-92343號公報
本發明鑒於上述各種問題，目的在於提供一種於使用處理液之基板處理裝置之樹脂塗佈零件之檢查中，能夠提早檢測出零件之劣化，從而能夠於零件產生重大之異常之前應對之檢查手段。
為了達成上述目的，本發明採用以下構成。
本發明之基板處理裝置係藉由處理液進行基板處理者；其特徵在於，其具有：檢查手段，其檢查構成該基板處理裝置之經樹脂塗佈之零件之劣化；及早期劣化部，其係以較上述零件中應被檢查之樹脂塗佈更容易劣化之方式被施加有上述樹脂塗佈；上述檢查手段具備偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化的劣化偵測手段，基於該劣化偵測手段之偵測結果，判定上述檢查對象之零件之劣化程度。
若為此種構成，則可提早檢測出樹脂塗佈之劣化對處理對象基板或裝置造成不良影響之零件(或其特定部位)之劣化。即，於即便產生樹脂塗佈之劣化但對基板或處理裝置之不良影響亦較小之部位特意設置塗佈容易劣化之部位，若預先檢測出該容易劣化之部位之劣化現象，則對於其他部分，可於實際上產生劣化之前對其進行偵測。藉此，可於對基板或裝置產生重大之不良影響之前，採取更換零件等對策。
又，亦可為，上述早期劣化部設置於成為上述檢查手段之檢查對象之零件。若為此種構成，則於檢查對象零件中存在欲提早檢測出塗佈之劣化之既定部位(以下亦稱為真檢查對象部)之情況下，該部位與早期劣化部之損耗之進展度之誤差較小，可更準確 地偵測真檢查對象部之劣化。
又，亦可為，上述劣化偵測手段具備測量與上述早期劣化部接觸之液體中之既定金屬之濃度之金屬濃度測量手段，根據該測量出之金屬之濃度，偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
若零件為金屬製或樹脂塗佈中使用金屬之基底(底塗劑)，則藉由測量上述液體中之金屬濃度，可偵測樹脂塗佈之劣化。即，於如上所述之情況下，於塗佈劣化之情況下，金屬成分會溶出至上述液體中，因此藉由檢測伴隨於此之金屬濃度之變化，即便樹脂塗佈中產生針孔等外觀上不易掌握之異常之情況下亦可偵測出。
又，亦可為，上述金屬濃度測量手段為比電阻計。於檢查中只要判明是否自上述液體中檢測出金屬成分即可，故而藉由利用比電阻計進行基於液體之導電性之測定，能夠迅速且容易地判定液體中有無金屬成分。
又，亦可為，上述液體係將上述基板處理裝置內部洗淨之裝置洗淨液、及/或上述處理液。若為此種構成，例如於執行將單片型裝置之腔室洗淨之腔室洗淨配方時，亦可一併實施零件之檢查等，從而可有助於裝置之運轉率之提昇。
又，亦可為，上述劣化偵測手段具備：攝影手段，其拍攝上述早期劣化部之圖像；及顏色資訊提取手段，其自藉由該攝影手段拍攝之圖像資料取得顏色資訊；由利用上述顏色資訊所取得手段取得之顏色資訊而偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
若為以此方式基於圖像資料偵測劣化之構成，則亦可始終進行上述早期劣化部之監視，故而可實施即時性優異之檢查。
又，亦可為，上述顏色資訊為包含RGB成分之值者。藉由以此方式利用RGB顏色空間特定出檢查對象之顏色，可基於反映出大致與人類之感知同等之色差之圖像資訊進行判定，因此，例如，與二值化為黑白之圖像資訊等相比，可精度良好地進行零件之檢查。再者，RGB成分之值向其他顏色空間之轉換亦可利用公知之方法容易地進行。
又，亦可為，上述劣化偵測手段具備測定上述早期劣化部之厚度的厚度測定手段，由利用該厚度測定手段所測定出之早期劣化部之厚度，偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
若樹脂塗佈劣化，則例如產生樹脂塗佈層之表面呈水腫狀到處隆起之現象(起泡)(即厚度增加)，或樹脂塗佈剝離(即厚度減少)。因此，可藉由如上述般測定早期劣化部之厚度，而偵測劣化現象。
又，亦可為，上述厚度測定手段為雷射位移計。若為此種構成，則可藉由非接觸之方式進行較高精度之測定。
又，亦可為，上述檢查手段基於上述劣化偵測手段所偵測之上述樹脂塗佈之劣化與既定臨限值之對比而判定上述檢查對象之零件之劣化程度。
如此，藉由利用與預先規定之臨限值之對比而判定劣化程度，可無關於操作員之知識水準、熟練度等而實施均質且具有即時性之檢查。
又，亦可為，上述臨限值根據包含上述基板處理裝置之規格、上述基板處理之製程、上述液體之供給條件中之至少一者之條件之不同而設定。若該等條件不同，則根據其不同，樹脂塗佈 之劣化之進展程度等不同，故而藉由針對各個條件設定臨限值，可實施精度更高之檢查。
又，亦可為，上述基板處理裝置進而具有輸出利用上述檢查手段判定之檢查對象零件之劣化程度之輸出手段，上述輸出手段於利用上述檢查手段判定之劣化程度超過既定基準之情況，輸出警告信號。根據此種構成，可提早即於真檢查對象部產生劣化現象之前，由使用者採取零件之更換等對策，從而可防止繼續使用劣化之零件。
又，亦可為，上述早期劣化部中之樹脂塗佈部分與施加有該塗佈之基底部分為不同之顏色。若為此種構成，則例如於進行基於圖像之劣化偵測之情況下，可容易地偵測早期劣化部之樹脂塗佈剝離之情況。
本發明之基板處理裝置之零件檢查方法係檢查構成藉由處理液進行基板處理之基板處理裝置之經樹脂塗佈之零件之劣化的方法；其特徵在於，其包括：早期劣化部配置步驟，其係於上述基板裝置內設置以較上述零件中應被檢查之樹脂塗佈更容易劣化之方式被施加有上述樹脂塗佈之早期劣化部；劣化偵測步驟，其係偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化；及劣化判定步驟，其係基於該劣化偵測步驟之偵測結果而判定檢查對象零件之劣化程度。
又，亦可為，於上述早期劣化部配置步驟中，將上述早期劣化部設置於成為檢查對象之零件。
又，亦可為，於上述劣化偵測步驟中，測量與上述早期劣化部接觸之液體之金屬濃度，由該測量出之金屬濃度偵測上述 早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
又，亦可為，於上述劣化偵測步驟中，拍攝上述早期劣化部之圖像，由該拍攝之圖像資料取得顏色資訊，由該取得之顏色資訊偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
又，亦可為，於上述劣化偵測步驟中，測定上述早期劣化部之厚度，由該測定出之早期劣化部之厚度偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
又，亦可為，於上述劣化判定步驟中，基於在上述劣化偵測步驟中偵測之上述樹脂塗佈之劣化、及既定臨限值而判定上述檢查對象之零件之劣化程度。
又，亦可為，上述零件檢查方法進而具有警告步驟，該警告步驟係於在上述劣化判定步驟中判定出之劣化程度超過既定基準之情況輸出警告信號。
根據本發明，可提供一種能夠於使用處理液之基板處理裝置之樹脂塗佈零件之檢查中提早檢測出零件之劣化且於零件產生重大異常之前應對之檢查手段。
100、200、300‧‧‧基板檢查裝置
110‧‧‧處理槽
111‧‧‧浸漬槽
112‧‧‧溢流槽
120‧‧‧處理液吐出噴嘴
125‧‧‧處理液供給源
130‧‧‧升降器
131‧‧‧升降驅動源
132‧‧‧升降器臂
133‧‧‧板部
134‧‧‧中央保持構件(基板保持構件)
135A、135B‧‧‧側方保持構件(基板保持構件)
140‧‧‧相機
145‧‧‧照明裝置
150‧‧‧排液回收部
160‧‧‧控制裝置
161‧‧‧判定部
162‧‧‧信號處理部
163‧‧‧檢查基準記憶部
164‧‧‧輸出部
170‧‧‧雷射位移計
180‧‧‧比電阻計
E1、E2‧‧‧早期劣化部
K‧‧‧梳齒部
W‧‧‧基板
圖1係表示第1實施例之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係表示第1實施例之基板處理裝置中之處理槽之主要部分構成之概略前視圖。
圖3係表示升降器之板部及基板保持構件之概略俯視圖。
圖4係表示第1實施例中之用以檢測早期劣化部之劣化現象之 設定判定基準時之處理流程的流程圖。
圖5係表示第1實施例中之實施零件劣化判定處理之時點之一例的流程圖。
圖6係表示將早期劣化部設置於其他部位之情形之一例的圖。
圖7係表示第2實施例之基板處理裝置之概略構成圖。
圖8係表示第2實施例中之設定早期劣化檢測基準時之處理流程的流程圖。
圖9係表示第2實施例中之實施零件之檢查時之處理之例的流程圖。
圖10係表示第3實施例之基板處理裝置之概略構成圖。
圖11係表示處理液之金屬濃度與比電阻值之相關關係之曲線圖。
圖12係表示第3實施例中之設定早期劣化檢測基準時之處理流程的流程圖。
圖13係表示第3實施例中之實施零件之檢查時之處理例之流程圖。
以下，參照圖式，基於實施例例示性地對用以實施本發明之形態詳細地進行說明。其中，關於該實施例所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等，只要無特別記載，則並未意圖將本發明之範圍僅限定於其等。
<實施例1>
圖1係表示本實施例之基板處理裝置100之概略構成圖，圖2 係表示基板處理裝置100之處理槽110之主要部分構成之概略前視圖。基板處理裝置100係所謂批次型裝置，其將處理液貯存於處理槽110，使用保持基板W之升降器130，將基板浸漬於該處理槽110而進行基板W之洗淨處理等。於基板處理裝置100中，藉由搬送機器人(未圖示)將複數個基板W(以下亦將歸攏於一起之複數個基板W稱為批次)搬入搬出至裝置內外。再者，基板處理裝置100可為針對每種處理液使用不同之處理槽之多層式裝置，亦可為能夠在將基板W保持於處理槽內之狀態下更換處理液之單層式裝置。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置100具備具有浸漬槽111及溢流槽112之處理槽110、配置於處理槽內之處理液吐出噴嘴120、處理液供給源125、升降器130、相機140、照明裝置245、排液回收部150及控制裝置160。
為了抑制因藥液導致之侵蝕，對該等各構成中之至少與處理液(及該處理液之蒸氣)接觸者例如升降器130之各部及浸漬槽111等實施樹脂塗佈，而於表面具有塗佈層。由於使用金屬作為該塗佈之基底，故而於因藥液之侵蝕導致塗佈剝離或表面產生起泡之情況下，基底之金屬成分溶出至處理液中，而產生基板之金屬污染。
再者，作為用於塗佈之樹脂，例如可列舉PCTFE(聚氯三氟乙烯)、ECTFE(三氟氯乙烯-乙烯共聚合體)、PFA(四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合體)、PTFE(聚四氟乙烯)等。
處理液吐出噴嘴120係設置於浸漬槽111之底部兩側之各者，對浸漬槽111內供給各種藥液或純水等處理液之噴嘴。處理液吐出噴嘴120係沿著處理槽110之長度方向延伸之圓筒狀噴 嘴，且具備複數個吐出孔。又，處理液吐出噴嘴120連接於處理槽110外部之處理液供給源125，自處理液供給源125供給既定之處理液。再者，亦可於處理液吐出噴嘴120中設置1個狹縫狀之吐出口以代替複數個吐出孔。
再者，作為用於基板處理之藥液，例如可列舉SPM(硫酸與過氧化氫水之混合液)、臭氧過氧化氫水(臭氧、過氧化氫水之混合液)、SC1(氨水與過氧化氫水之混合液)、SC2(鹽酸與過氧化氫水之混合液)、FPM(氫氟酸與過氧化氫水之混合液)、FOM(氫氟酸與臭氧過氧化氫水之混合液)、HF(氫氟酸)、H3PO4(磷酸)等。再者，於本說明書中，「處理液」之用語係以包含藥液及純水之意思使用。又，用於成膜處理之光阻液等塗佈液、用於去除不需要之膜之藥液、用於蝕刻之藥液等亦包含於「處理液」。
自處理液供給源125供給之處理液自處理液吐出噴嘴120之吐出孔吐出至浸漬槽111內。此處，吐出孔朝向浸漬槽111之中央底部而設置，自兩側之處理液吐出噴嘴120吐出之處理液與浸漬槽111之底壁平行地流動，然後於浸漬槽111底部中央碰撞，其後，於浸漬槽111之中央部附近形成朝向上方之處理液之流動。而且，自處理液吐出噴嘴120供給之處理液自浸漬槽111之上部溢出，溢出之處理液被回收至與溢流槽112底部連通之排液回收部150。
升降器130係使基板W浸漬於貯存在浸漬槽111之處理液之機構。升降器130具備升降驅動源131、升降器臂132、連接於升降器臂之板部133、及呈懸臂樑狀設置於板部133且保持基板W之3個基板保持構件(1個中央保持構件134、及2個側方保 持構件135A、135B)。
升降器130之基板保持構件中之中央保持構件134係位於被保持為上下面位於水平方向之姿勢(以下亦稱為豎立姿勢)之基板W之中央之鉛垂下方而與基板外緣相接並保持基板者。側方保持構件135A、135B沿著被保持為豎立姿勢之基板W之外緣，以中央保持構件134為中間，配置於在其兩側方距中央保持構件134均等之距離之位置。而且，中央保持構件134之上端與側方保持構件135A、135B之下端以於上下方向產生既定間隔之方式配置。
圖3係升降器130之板部133及上述3個基板保持構件之概略俯視圖。如圖3所示，基板保持構件之各者具備梳齒部K，該梳齒部K係供基板W之外緣部嵌入而將基板W以豎立姿勢保持之複數個槽於長度方向以既定間隔配設而成。再者，梳齒部K之槽以適當之寬度形成，以保持基板W，但若因藥液之損害導致樹脂塗佈損耗而該寬度變寬，則無法將基板W以正常之豎立姿勢保持，而產生鄰接之基板W彼此接觸之缺陷。
升降器臂132、板部133、各基板保持構件134、135A、135B能夠藉由升降驅動源131而於鉛垂方向一體地升降。藉此，升降器130可使由3個基板保持構件以既定間隔平行地排列保持之複數個基板W，於浸漬於貯存在浸漬槽111之處理液之位置與位於處理槽110之上方且與搬送機器人進行基板交接之位置之間升降。再者，升降驅動源131可採用滾珠螺桿機構、傳送帶機構、氣缸等公知之各種機構。
又，於升降器130之板部133設置有樹脂塗佈之膜厚較其他部分更薄之早期劣化部E1。例如，於早期劣化部E1以外之 部位之塗佈膜厚為150微米之情況下，早期劣化部E1以100微米之厚度被實施樹脂塗佈。早期劣化部E1配置於當使升降器130下降至在浸漬槽111中對基板W進行浸漬處理之位置時接觸(浸漬)於處理液中之位置。
相機140以能夠拍攝升降器130之早期劣化部E1之方式配置於基板處理裝置100內之壁面。相機140例如具備CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)影像感測器等受光元件，於各個受光元件中，根據受光量將光轉換為電荷。再者，於本實施例中，相機140具備用於R、G及B之各顏色成分之3個CCD影像感測器，自各受光元件輸出之電荷作為輸出信號(攝影資料)被輸入至控制裝置160。
照明裝置145配置於能夠對基板處理裝置100內進行照明之裝置之上方，例如，可使用如LED、螢光燈等普通之光源，但較理想為所照射之光為白色光。
排液回收部150回收自浸漬槽111向溢流槽112溢出之處理液。被回收至排液回收部150之排液經淨化處理之後向處理液供給源125輸送而被循環使用。或者，亦可構成為不進行排液之淨化處理而向裝置外排出。
作為控制裝置160之硬體之構成係與普通之電腦同樣。即，成為具備鍵盤等輸入部、監視器等輸出部、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、ROM(Read only memory，唯讀記憶體)、RAM(Random access memory，隨機存取記憶體)及大容量記憶裝置等之構成。藉由控制裝置160之CPU執行既定之處理程式，而控制基板處理裝置100之搬送機器人、處理液吐出噴嘴120、升 降器130等各動作機構，從而進行基板處理裝置100中之處理。
繼而，對控制裝置160之零件檢查之功能進行說明。關於詳情將於下文中進行敍述，但判定部161藉由對由相機140拍攝之早期劣化部E1之圖像進行圖像處理而進行對構成基板處理裝置100之零件之劣化之判定處理(即零件之檢查)。
信號處理部162根據由相機140取得之圖像而取得RGB顏色成分之值。具體而言，接收自相機140輸出之信號，針對R、G、B之每種顏色成分分別進行遮光(shading)修正，從而修正每種受光元件之輸出位準之不均。再者，於本實施例中，將遮光修正後之各像素之R、G、B之每種顏色成分之亮度值設為用於判定之值，例如設為具有0~255之值範圍。
檢查基準記憶部163係由上述RAM或磁碟構成，且記憶用於判定部161之判定之判定臨限值、檢查基準、由相機140拍攝之新品零件圖像之資料、劣化零件樣品圖像資料等。
輸出部164輸出包含檢查結果之各種資訊。資訊之輸出目的地典型而言係監視器等顯示裝置，但亦可對印刷裝置輸出資訊，或自揚聲器輸出訊息或警報，或利用電子郵件等對用戶終端發送訊息，或對外部之電腦發送資訊。
(關於劣化判定處理方法)
其次，對利用上述判定部161之零件之劣化判定處理進行說明。判定部161基於由相機140拍攝之圖像對早期劣化部E1是否劣化進行檢查。更具體而言，基於根據早期劣化部E1之圖像資料獲得之RGB顏色成分之顏色資訊進行劣化判定。再者，於本實施 例中成為劣化判定之對象者係早期劣化部E1，但真檢查對象部係其以外之部分、例如升降器130之梳齒部K等。再者，升降器130之梳齒部K於基板處理時會與處理液接觸，但，若可能的話，早期劣化部E1較理想為設置於在基板處理時不會與處理液接觸之位置，以免污染基板。於如因基板處理裝置中產生之藥液蒸氣導致升降器130之劣化進展之情況下，即便將早期劣化部E1設置於升降器130之上方、升降器130之背板或浸漬槽111之上方等即使在基板處理時亦不會直接與處理液接觸之位置，早期劣化部E1亦會因藥液蒸氣而導致劣化進展。因此，可藉由預先通過實驗等而掌握早期劣化部E1之劣化之進展與升降器130之梳齒部K之劣化之關聯，而一面避免基板污染風險一面進行檢查。
如上所述，早期劣化部E1之塗佈膜厚設定為較其他部位更薄，藉此，較其他部位更早產生劣化現象(例如，樹脂之損耗、剝離、起泡之產生、金屬成分之溶出等)。因此，於早期劣化部E1中產生此種劣化現象時，若可檢測出該劣化現象，則可對真檢查對象部於產生劣化現象之前進行零件之更換、樹脂之再塗佈處理等應對。而且，早期劣化部E1之劣化現象之檢測如下述般藉由基於使用既定臨限值之基準(以下稱為早期劣化檢測基準)之判定進行即可。
又，於判定為早期劣化部E1劣化之情況下，只要自輸出部164發報警告即可。藉此，可防止繼續使用不正常之零件。再者，自輸出部164發出之警告可為顯示於監視器之錯誤畫面，可為自揚聲器發出之警報，亦可為警報燈之閃爍等。
圖4係表示用以檢測早期劣化部E1之劣化現象之設 定判定基準時之處理流程的流程圖。如圖4所示，於新啟動裝置時或將零件更換為新品時，於成為檢查對象之零件設置早期劣化部(步驟S101)。其次，利用相機140拍攝早期劣化部，藉由信號處理部162取得R、G、B之值(初始RGB值)(步驟S102)。然後，將初始RGB值保存於檢查基準記憶部163(步驟S103)。
繼而，基於早期劣化部之初始RGB值，設定劣化判定臨限值(步驟S102)。再者，該臨限值例如可設為對初始RGB值加上(或減去)既定邊限之值。
此外，由於早期劣化部之外觀上之變化並非遍及該早期劣化部之整體而同樣地產生，故而必須定義劣化判定臨限值與早期劣化檢測基準之關係。即，規定藉由相機140而取得之圖像中之表示早期劣化部之像素之集合中的成為劣化判定臨限值以上之像素為何種程度時發出警告。於本實施例中，以於所取得之圖像中表示檢查對象零件之像素之集合中的表示劣化判定臨限值以上之值之像素超過既定數量之情況下發出警告之方式，設定早期劣化檢測基準(步驟S105)。然後，將以此方式設定之早期劣化檢測基準登錄於檢查基準記憶部163(步驟S106)。
再者，根據零件之種類、配置零件之部位、零件之素材、裝置之用途(所使用之藥液)等之不同，零件劣化之進展程度等不同。因此，劣化判定臨限值使用資料表針對上述各種條件之每種組合進行設定即可。
繼而，對早期劣化部E1之劣化判定之實施時點進行說明。基板處理裝置100中之基板W之通常之動作之概略係搬送機器人將自外部接收之未處理之基板W之批次載置於升降器130， 並將其浸漬於貯存有處理液之浸漬槽111既定時間之後，由搬送機器人接收，將經處理過之批次搬出而返回外部。
根據以上情況，於基板W之浸漬處理中無法適當地拍攝浸漬於處理液中之早期劣化部E1。因此，於本實施例中，零件劣化判定係於基板處理裝置100未進行基板W之浸漬處理之時點實施。
圖5係表示實施零件劣化判定處理之時點之一例之流程圖。如圖5所示，首先，於基板處理裝置100中，於開始批次單位之基板處理之前之閒置時間，利用相機140拍攝早期劣化部E1(S111)。然後，信號處理部162根據所拍攝之圖像之資料取得早期劣化部E1之像素之RGB值(步驟S112)。然後，判定部161對保存於檢查基準記憶部163之早期劣化檢測基準與所取得之RGB值進行比較(步驟S113)，於RGB值未超過早期劣化檢測基準之情況下，實施1批次量之基板處理(步驟S114)。另一方面，於所取得之RGB值超過判定基準之情況下，自輸出部164輸出報告零件之劣化之警告(步驟S115)。
再者，實施零件劣化判定處理之時點並不限定於此，亦可於結束1批次單位之基板處理之後實施。
(變形例)
於上述實施例1中，早期劣化部E1設置於升降器130之板部133中之會浸漬於浸漬槽111之處理液中之位置，但亦可設置於其以外之部位。圖6表示將早期劣化部設置於其他部位之情形之一例。於本變形例中，早期劣化部E2設置於升降器130之板部133 中之不會浸漬於處理液之部位。再者，於圖6中，由單點鏈線包圍之部位表示浸漬於處理液中之部分。
用於基板處理之藥液亦存在根據處理之目的進行加熱而使用的情況，於此情況下，升降器130之板部133即便為未浸漬於處理液中之部位，亦會因加熱後之藥液之蒸氣而被侵蝕。因此，藉由於此種部位設置早期劣化部E2，並設定反映與浸漬於藥液之真檢查對象部之劣化程度之相關關係的早期劣化檢測基準，亦可於真檢查對象部產生劣化現象之前檢測劣化。
再者，藉由將早期劣化部E2設置於不會浸漬於處理液之位置，於早期劣化部E2產生劣化現象時，可減少因該劣化現象對處理液造成之不良影響(微粒之產生、金屬之溶出等)。
又，早期劣化部可於各種位置設置複數個，亦可將板部133之整體設為早期劣化部。又，亦可將一個零件作為裝置整體中之早期劣化部而構成。例如，亦可於浸漬槽111內設置具有(僅)作為早期劣化部之功能之新的零件。
又，早期劣化部亦可構成為樹脂塗佈層之顏色與其基底之金屬部分之顏色成為不同之顏色(更理想為具有互補色之關係之顏色)。藉由以此方式處理，可容易地偵測產生塗佈剝離時之顏色(RGB值)之變化，從而可進行更有效率之檢查。
<實施例2>
其次，對本發明之第2實施例進行說明。圖7係表示本實施例之基板處理裝置200之概略構成圖。再者，本實施例之基板處理裝置200係構成與實施例1大致相同，而於早期劣化部E1中之劣化 現象之檢測方法上存在差異，因此，對與實施例1相同之構成、處理之部分附註相同之符號並省略詳細之說明。
如圖7所示，本實施例中之基板處理裝置200與實施例1之構成之不同點在於，具有雷射位移計170而作為劣化現象之檢測手段，以代替實施例1之相機140。又，雖未圖示，但於本實施例中，如下述般，早期劣化部E1之構成與實施例1不同。
首先，對本實施例中之早期劣化部E1之構成進行說明。設置早期劣化部E1之部位與實施例1之情形同樣為升降器130之板部133。更具體而言，該部位係於使升降器130下降至在浸漬槽111中對基板W進行浸漬處理之位置時接觸(浸漬)於處理液中之位置。而且，本實施例中之早期劣化部E1之用於塗佈之樹脂之材質與其他部分不同，使用浸透性較其他部分之樹脂更高之材質之樹脂。例如，於使用PCTFE作為早期劣化部E1以外之部位之塗佈樹脂之情況下，於早期劣化部E1使用PFA作為塗佈樹脂。
其次，對雷射位移計170進行說明。雷射位移計170係藉由三角測距之方式測量至對象物之距離之位移感測器。在升降器130處於位於處理槽110之上部之待機位置之狀態下，雷射位移計170配置於將照射光朝早期劣化部E1水平照射之位置，測量雷射位移計170與早期劣化部E1之間之距離。而且，以此方式測量之距離之值被輸入至控制裝置160之信號處理部162。
此外，若於早期劣化部E1產生劣化現象，則早期劣化部1之塗佈膜厚亦產生變化。即，於產生起泡之情況下，該部分之厚度增加，於樹脂塗佈剝離之情況或損耗之情況下，該部分之厚度減少。
此處，於基板處理裝置200內，若確定早期劣化部E1與雷射位移計170之位置關係，則藉由雷射位移計170而測量之距離根據早期劣化部E1之塗佈膜厚之變化而變動。即，若早期劣化部E1之塗佈膜厚增加，則測量距離變短，相反，若塗佈膜厚變薄，則測量距離變長。因此，可基於利用雷射位移計170測量之距離而測定早期劣化部E1之厚度。
繼而，對本實施例中之零件之檢查進行說明。本實施例中之零件之檢查除基於雷射位移計170與早期劣化部E1之間之距離(早期劣化部E1之厚度)進行以外，以與實施例1之處理同樣之流程進行。即，控制裝置160之判定部161藉由將預先規定之臨限值(早期劣化檢測基準)與由雷射位移計170測量出之值進行對比，而判斷真檢查對象部之劣化程度。以下，對本實施例中之早期劣化檢測基準之設定處理進行說明。
圖8係表示本實施例中之設定早期劣化檢測基準時之處理流程之流程圖。如圖8所示，於新啟動裝置時或將零件更換為新品時，於成為檢查對象之零件(例如升降器130)設置早期劣化部(步驟S201)。其次，利用雷射位移計170測量與早期劣化部之距離，而取得初始距離值(即初始膜厚)(步驟S202)。然後，將初始距離值保存於檢查基準記憶部163(步驟S203)。
繼而，基於早期劣化部之初始距離值設定劣化判定臨限值(步驟S204)。臨限值例如可設為對初始距離值加上既定邊限之值(上限臨限值)、及減去既定邊限之值(下限臨限值)。再者，於本實施例中，該劣化判定臨限值直接成為早期劣化檢測基準。然後，將以此方式設定之早期劣化檢測基準登錄於檢查基準記憶部 163(步驟S205)。
於本實施例中，實施檢查之時點、檢查處理之流程等亦與實施例1大致相同。以下說明實施檢查時之處理之流程。圖9係表示本實施例中之實施零件之檢查時之處理例之流程圖。如圖9所示，於基板處理裝置200中，於1批次量之基板處理結束之後，使升降器130上升並移動至待機位置(步驟S211、S212)。於該狀態下，利用雷射位移計170測量至早期劣化部E1之距離，並將該測量出之值輸入至控制裝置160(步驟S213)。其次，判定部161對保存於檢查基準記憶部163之臨限值與距離之值進行比較(步驟S214)，於所測量出之距離為上限臨限值以下且下限臨限值以上之範圍內之情況下，直接結束本流程。另一方面，於步驟S214中，於所測量出之距離為上限臨限值以下且下限臨限值以上之範圍外之情況下，自輸出部164發出報告零件之劣化之警告信號(步驟S215)。藉由於此種時點進行檢查，亦可對已經處理過之批次驗證是否存在障礙(不良之產生程度)。
(變形例)
於上述實施例2中，使用1個雷射位移計170測量與早期劣化部E1之距離(即早期劣化部E1之膜厚)，但亦可使用複數個雷射位移計測量早期劣化部E1之膜厚。具體而言，設置第2雷射位移計，該第2雷射位移計對升降器130之板部133之與設置有早期劣化部E1之面相反側之面且與早期劣化部E1對應之部位照射雷射，從而自板部133之正反兩面測量距離。
藉由使用如此獲得之兩個距離值，能夠減少升降器 130之配置位置之微差等測量中之雜訊，從而更準確地測量早期劣化部E1之厚度。
<實施例3>
繼而，對本發明之第3實施例進行說明。圖10係表示本實施例之基板處理裝置300之概略構成圖。再者，本實施例之基板處理裝置300之構成與實施例1大致相同，於早期劣化部E1中之劣化現象之檢測方法上存在差異，因此，對於與實施例1相同之構成、處理之部分附註相同之符號並省略詳細之說明。
如圖10所示，本實施例中之基板處理裝置300與實施例1之構成之不同點在於，具有比電阻計180而作為劣化現象之檢測手段，以代替實施例1之相機140。以下，對使用比電阻計180之零件之劣化檢查進行說明。
比電阻計180具備測量液體之比電阻值之感測器，該感測器以於對浸漬槽111供給處理液時能夠與該處理液接觸之方式(較理想為以被浸漬之方式)設置於浸漬槽111之內壁。比電阻計180包含市售品而可使用已知之技術，但尤其是感測器部分較理想為耐化學品性、耐熱性優異之素材。
於上述構成中，利用比電阻計180測量處理液中之比電阻值，該測量出之值被輸入至控制裝置160之信號處理部162。再者，如圖11所示，處理液中之比電阻值與金屬(離子)濃度之間存在較強之相關關係。即，若樹脂塗佈產生劣化現象，則金屬成分溶出至與該部位接觸之液體(處理液)中，故而液體之金屬離子濃度上升，與其成反比例，處理液之比電阻值減少。因此，藉由取得比電 阻值，可掌握液體中之金屬成分之量。
基於以上前提，判定部161基於藉由比電阻計180取得之處理液之比電阻值，判定早期劣化部E1是否產生劣化(即，判斷真檢查對象部之劣化程度)。具體而言，對預先規定之臨限值(早期劣化檢測基準)與藉由比電阻計180測量出之比電阻值進行對比。以下，對此種早期劣化檢測基準之設定處理進行說明。
圖12係表示本實施例中之設定早期劣化檢測基準時之處理流程之流程圖。如圖12所示，於新啟動裝置時或將零件更換為新品時，於成為檢查對象之零件(例如升降器130)設置早期劣化部(步驟S301)。其次，於浸漬槽111貯存處理液，以其中早期劣化部E1浸漬於處理液中之方式使升降器130下降，於此狀態下，利用比電阻計180測量貯存於浸漬槽111之處理液之比電阻值(步驟S302)。然後，自比電阻計180取得比電阻值之控制裝置160將該比電阻值之資料作為初始比電阻值保存於檢查基準記憶部163(步驟S303)。
然後，基於該初始比電阻值，將減去既定邊限之值作為臨限值登錄於檢查基準記憶部163(步驟S304)。再者，於本實施例中，該臨限值直接成為早期劣化檢測基準。
此外，自處理液獲得之比電阻值越為接近初始比電阻值之值，對象零件之金屬溶出之程度越小。因此，例如，於欲使自產生警報起至進行零件更換等對策為止在時間上具有餘裕等之情況下，上述臨限值預先設定為相對接近初始比電阻值之值即可。
於本實施例中，實施檢查之時點、檢查處理之流程等亦與實施例1大致相同，能夠於批次單位之基板處理之前後實施檢 查。但是，於本實施例中，於處理對象之基板W不包含金屬成分之情況下，即便於基板W之處理中亦可實施檢查。以下，對該處理之流程進行說明。
圖13係表示本實施例中之實施零件之檢查時之處理例之流程圖。如圖13所示，於基板處理裝置300中，於進行基板W之處理時，使升降器130下降至早期劣化部E1浸漬於處理液中之位置(步驟S311)。然後，於該狀態下，藉由比電阻計180測量處理液中之比電阻值，並將該值輸入至控制裝置160(步驟S312)。其次，判定部161對保存於檢查基準記憶部163之臨限值與所取得之比電阻值進行比較(步驟S313)，於該比電阻值超過臨限值之情況下，繼續進行基板處理(S314)。另一方面，於在步驟S313中比電阻值未超過臨限值之情況下，自輸出部164發送報告零件之異常之警告信號(步驟S115)。
(變形例)
於上述實施例3中，比電阻計180設置於浸漬槽111內，但設置比電阻計之位置未必限定於浸漬槽111內，只要為可測量與早期劣化部E1接觸之液體之比電阻值之部位，則可設置於任何位置。例如，可設置於溢流槽112之底部，亦可設置於排液回收部150內。
<其他>
再者，上述各實施例及變形例僅為例示性地說明本發明者，本發明並不限定於上述具體之態樣。本發明可於其技術思想之範圍內進行各種變形。例如，亦可一併具備上述各實施例所記載之各種測 量手段。藉由實施此種不同之複數個觀點下之檢查，可實施精度更高之檢查。
又，亦可對所謂單片型之基板處理裝置應用本發明。即，於單片型之基板處理裝置之構成零件(例如旋轉夾頭)等設置早期劣化部，利用上述任一實施例所記載之測量手段偵測早期劣化部之劣化現象，藉此，能夠提早掌握真檢查對象部之劣化。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其係藉由處理液進行基板處理者；其特徵在於，其具有：檢查手段，其檢查構成該基板處理裝置之經樹脂塗佈之零件之劣化；及早期劣化部，其係以較上述零件中應被檢查之樹脂塗佈更容易劣化之方式被施加有上述樹脂塗佈；上述檢查手段係：具備偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化的劣化偵測手段，基於該劣化偵測手段之偵測結果而判定上述檢查對象之零件之劣化之程度。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述早期劣化部設置於成為上述檢查手段之檢查對象之零件。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述劣化偵測手段具備測量與上述早期劣化部接觸之液體中之既定金屬之濃度的金屬濃度測量手段，根據該測量出之金屬之濃度而偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述金屬濃度測量手段係比電阻計。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述液體係將上述基板處理裝置內部洗淨之裝置洗淨液、及/或上述處理液。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述劣化偵測手段具備：攝影手段，其拍攝上述早期劣化部之圖 像；及顏色資訊提取手段，其自藉由該攝影手段拍攝之圖像資料取得顏色資訊；由利用上述顏色資訊取得手段所取得之顏色資訊，偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述顏色資訊包含RGB成分之值。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述劣化偵測手段具備測定上述早期劣化部之厚度的厚度測定手段，由利用該厚度測定手段所測定出之早期劣化部之厚度，偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述厚度測定手段係雷射位移計。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述檢查手段係基於上述劣化偵測手段所偵測之上述樹脂塗佈之劣化與既定臨限值之對比而判定上述檢查對象之零件之劣化程度。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述臨限值係根據包含上述基板處理裝置之規格、上述基板處理之製程、上述液體之供給條件中之至少一者之條件之不同而設定。
  12. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，進而具有輸出利用上述檢查手段判定之檢查對象零件之劣化程度的輸出手段，上述輸出手段於利用上述檢查手段判定之劣化程度超過既定基準之情況，輸出警告信號。
  13. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述早期劣化部中之樹脂塗佈部分與施加有該塗佈之基底部分為不同之顏色。
  14. 一種基板處理裝置之零件檢查方法，其係檢查構成藉由處理液進行基板處理之基板處理裝置的經樹脂塗佈之零件之劣化之方法；其特徵在於，其包括：早期劣化部配置步驟，其係於上述基板裝置內設置以較上述零件中應被檢查之樹脂塗佈更容易劣化之方式被施加有上述樹脂塗佈之早期劣化部；劣化偵測步驟，其係偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化；及劣化判定步驟，其係基於該劣化偵測步驟之偵測結果而判定檢查對象零件之劣化程度。
  15. 如請求項14之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，於上述早期劣化部配置步驟中，將上述早期劣化部設置於成為檢查對象之零件。
  16. 如請求項14或15之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，於上述劣化偵測步驟中，測量與上述早期劣化部接觸之液體之金屬濃度，由該測量出之金屬濃度而偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
  17. 如請求項14或15之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，於上述劣化偵測步驟中，拍攝上述早期劣化部之圖像，由該拍攝之圖像資料取得顏色資訊，由該取得之顏色資訊偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣 化。
  18. 如請求項14或15之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，於上述劣化偵測步驟中，測定上述早期劣化部之厚度，由該測定之早期劣化部之厚度偵測上述早期劣化部中之樹脂塗佈之劣化。
  19. 如請求項14或15之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，於上述劣化判定步驟中，基於在上述劣化偵測步驟中偵測出之上述樹脂塗佈之劣化、及既定臨限值，判定上述檢查對象之零件之劣化程度。
  20. 如請求項14或15之基板處理裝置之零件檢查方法，其中，進而具有警告步驟，該警告步驟係於在上述劣化判定步驟中判定出之劣化程度超過既定基準之情況輸出警告信號。
TW107120773A 2017-07-28 2018-06-15 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法 TWI696499B (zh)

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