JP2019197032A - バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体 - Google Patents

バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】バンプ高さの検査を簡易にできるようにすることにある。【解決手段】レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射する照明装置と、前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像する撮像装置と、前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する制御装置と、を備えるバンプ高さ検査装置。【選択図】図２

Description

本発明は、バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、バンプ高さ検査装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体に関する。
めっき装置では、めっき処理後の基板のめっき膜厚を測定し、めっき膜厚に異常があった場合にめっき処理を中止することが行われている。例えば、めっき後の基板からレジストを剥離し、めっき装置外部の膜厚測定機でめっき膜厚を測定する。この場合、めっき膜厚の異常を把握するまでに基板のめっき処理が継続され、膜厚分布に異常のある多数の基板が発生する場合がある。
めっき装置内に膜厚測定機を設ける例として、特開２００２−１９０４５５公報（特許文献１）には、めっき前後の膜厚を測定するめっき前後膜厚測定機を備えた半導体製造装置が記載されている。この構成では、めっき前後膜厚測定機によるめっき前後の膜厚測定が必要であるため、スループットの低下をまねくおそれがある。
また、特開２００２−１９０４５５公報（特許文献１）には、第１アライナ兼膜厚測定ユニットおよび第２アライナ兼膜厚測定ユニットが記載されているが、第１アライナ兼膜厚測定ユニットによるめっき前の基板の膜厚測定と、第２アライナ兼膜厚測定ユニットによるめっき後の基板の膜厚測定とを必要とするため、スループットの低下をまねくおそれがある、または、膜厚測定ユニットを目的別に設置するため装置コストが大きくなるおそれがある。
特開２００２−１９０４５５公報
本発明の目的は、上述した課題の少なくとも一部を解決することである。
本発明の一側面によれば、 バンプ高さ検査装置であって、 レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射する照明装置と、 前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像する撮像装置と、 前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する制御装置と、を備える、バンプ高さ検査装置が提供される。
本発明の一側面によれば、 基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、 前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、 前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ検査装置と、 前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ検査装置を制御する制御装置と、を備え、 前記バンプ高さ検査装置は、 前記基板に光を照射する照明装置と、 前記基板上のレジスト及びバンプのパターンを撮像する撮像装置と、有し、 前記制御装置は、前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体配置図である。 一例に係るバンプ高さ検査装置の概略構成図である。 撮像装置による有効撮像範囲を示す説明図である。 撮像装置による有効撮像範囲を示す説明図である。 撮像装置による有効撮像範囲を示す説明図である。 撮像装置による有効撮像範囲を示す説明図である。 他の例に係るバンプ高さ検査装置の概略構成図である。 撮像装置による有効撮像範囲の走査を示す説明図である。 基板処理装置における処理の全体フローを示す。 バンプ高さ検査処理のフローチャートである。 図２の構成のバンプ高さ検査装置を使用する場合における、撮像処理（図７のＳ２１）の詳細なフローチャートである。 図４の構成のバンプ高さ検査装置を使用する場合における、撮像処理（図７のＳ２１）の詳細なフローチャートである。 基板に形成されるバンプの高さの相違を説明する説明図である。 本実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。 本実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。 バンプ高さが正常な場合の基板上のバンプのパターンを撮像した画像例を示す。 バンプ高さに異常がある場合の基板上のバンプのパターンを撮像した画像例を示す。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略する。また、本明細書において「上」、「下」、「左」、「右」等の表現を用いるが、これらは、説明の都合上、例示の図面の紙面上における位置、方向を示すものであり、装置使用時等の実際の配置では異なる場合がある。また、ある部材が他の部材と「基板に対して反対側に位置する」とは、基板のいずれかの基板面に向かい合うように位置する部材と、これと反対側の基板面に向かい合うように他の部材が位置することを意味する。なお、基板において、何れか一方の面に配線が形成される場合、両方の面に配線が形成される場合がある。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体配置図である。この例では、基板処理装置１００は、電解めっき装置である。ここでは、電解めっき装置を例に挙げて説明するが、本発明は、任意のめっき装置に適用可能である。
基板処理装置１００は、基板保持部材としての基板ホルダ１１に被処理物としての基板Ｗをロードし、又は基板ホルダ１１から基板Ｗをアンロードするロード／アンロード部１０１Ａと、基板Ｗを処理する処理部１０１Ｂと、に大きく分けられる。基板Ｗは、円形、角形、その他の任意の形状の被処理物を含む。また、基板Ｗは、半導体ウェハ、ガラス基板、液晶基板、プリント基板、その他の被処理物を含む。基板ホルダ１１は、例えば、第１及び第２保持部材（図示省略）を備え、第１保持部材と第２保持部材とで基板Ｗを挟持して保持する。基板ホルダ１１には、基板Ｗの片面又は両面を露出する開口部が設けられており、基板Ｗの外周部に接触して電流を供給するための電極（コンタクト）が設けられている。
ロード／アンロード部１０１Ａは、複数のカセットテーブル１０２と、アライナ１０４と、基板着脱部１０５と、乾燥装置１０６と、乾燥装置１０６内の基板Ｗを検査するように配置されたバンプ高さ検査装置２００と、を有する。カセットテーブル１０２は、基板
Ｗを収納したカセットを搭載する。アライナ１０４は、基板Ｗのオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。基板着脱部１０５は、基板Ｗを基板ホルダ１１に着脱するように構成される１又は複数の基板着脱装置１０５ａを備える。乾燥装置１０６は、めっき処理後の基板Ｗを高速回転させて乾燥させる。これらのユニットの中央には、これらのユニット間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット１０３ａを備える基板搬送装置１０３が配置されている。
処理部１０１Ｂには、基板ホルダ１１の保管及び一時仮置きを行うストッカ１０７と、プリウェット槽１０８と、ブロー槽１０９と、リンス槽１１０と、めっき処理部１１２とを有する。プリウェット槽１０８では、めっき処理前の基板Ｗが純水に浸漬される。リンス槽１１０では、めっき処理後の基板Ｗが基板ホルダ１１と共に洗浄液で洗浄される。ブロー槽１０９では、洗浄後の基板Ｗの液切りが行われる。めっき処理部１１２は、オーバーフロー槽を備えた複数のめっき槽１１２ａを有する。各めっき槽１１２ａは、内部に一つの基板Ｗを収納し、内部に保持しためっき液中に基板Ｗを浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっき処理を行う。ここで、めっき液の種類は、特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が用いられる。本実施形態では、一例として、めっき処理により基板の表面にバンプを形成する場合を説明する。なお、この基板処理装置１００の処理部１０１Ｂの構成は、一例であり、他の構成を採用することが可能である。
基板処理装置１００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で、基板ホルダ１１を搬送する、任意の駆動方式（例えばリニアモータ方式）を採用した基板ホルダ搬送装置１１３を有する。この基板ホルダ搬送装置１１３は、第１トランスポータ１１４と、第２トランスポータ１１５と、を有している。第１トランスポータ１１４及び第２トランスポータ１１５は、レール１１６上を走行する。第１トランスポータ１１４は、基板着脱部１０５とストッカ１０７との間で基板ホルダ１１を搬送する。第２トランスポータ１１５は、ストッカ１０７、プリウェット槽１０８、ブロー槽１０９、リンス槽１１０、及びめっき槽１１２ａの間で、基板ホルダ１１を搬送する。なお、第２トランスポータ１１５を備えることなく、第１トランスポータ１１４のみを備え、第１トランスポータ１１４により上記各部の間の搬送を行うようにしてもよい。
以上のように構成される基板処理装置１００を含むめっき処理システムは、上述した各部を制御するように構成された制御装置１２０を有する。制御装置１２０は、各種の設定データ及び各種のプログラムを格納したメモリ１２０Ｂと、メモリ１２０Ｂのプログラムを実行するＣＰＵ１２０Ａと、ＣＰＵ１２０Ａからの制御指令により上述した各部を制御するように構成されたシーケンサ等からなる装置コントローラ（図示しない）と、を有する。ＣＰＵ１２０Ａは、装置コントローラを介して及び／又は介さずに、基板処理装置１００の各部を制御する。制御装置１２０は、例えば、ＣＰＵ１２０Ａ及びメモリ１２０Ｂを有する装置コンピュータと、装置コントローラとで構成することが可能である。
メモリ１２０Ｂを構成する記憶媒体は、任意の揮発性の記憶媒体、及び／又は、任意の不揮発性の記憶媒体を含むことができる。記憶媒体は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスクなどの任意の記憶媒体の１又は複数を含むことができる。メモリ１２０Ｂは、装置１００外のメモリであってもよい。メモリ１２０Ｂが格納するプログラムは、例えば、基板搬送装置１０３の搬送制御を行うプログラム、基板着脱部１０５における基板の基板ホルダへの着脱制御を行うプログラム、基板ホルダ搬送装置１１３の搬送制御を行うプログラム、めっき処理部１１２におけるめっき処理の制御を行うプログラム、後述するバンプ高さ検査装置２００による処理を制御するプログラムを含む。また、制御装置１２０は、基板処理装置１００及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと有線又は無線により通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをするこ
とができる。
図１０は、基板に形成されるバンプの高さの相違を説明する説明図である。同図では、説明の便宜上、レジスト層３０１及びバンプ３０２が形成される前の基板の部分を基板本体Ｗ０として示す。なお、めっきのための給電経路として基板上に形成されるシード層は省略している。基板本体Ｗ０上には、レジスト層３０１が形成され、バンプ３０２が形成される部分に開口部３０１ａがパターニングされている。このようにパターニングされたレジスト層３０１を有する状態の基板Ｗが基板処理装置１に搬入され、レジスト層３０１の開口部３０１ａにバンプ３０２が電解めっき処理により形成される。バンプ３０２は、突起電極であり、例えば、基板Ｗを個片化して制作される半導体装置（チップ）またはウェハの状態の半導体装置をフリップチップボンディングにより、印刷回路基板、他のウェハ等の他の部品に電気的に接続するために使用される。図１０中、（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、めっき処理により高さの異なるバンプ３０２が形成された基板Ｗを示す。図１０（ｂ）は、正常な高さ範囲のバンプ３０２が形成された基板Ｗを示す。図１０（ａ）は、正常な高さ範囲を超える（以下、単に「高い」と称する場合がある）高さのバンプ３０２が形成された基板Ｗを示す。図１０（ｃ）は、正常な高さ範囲未満の（以下、単に「低い」と称する場合がある）高さのバンプ３０２が形成された基板Ｗを示す。正常な高さ範囲は、例えば、バンプ３０２がレジスト層３０１の表面から所定高さ（Δｈ）低い高さから、レジスト層３０１の表面と面一以下の範囲である。基板本体Ｗ０の表面を基準としたバンプ３０２の高さをｈとし、正常な高さの範囲をｈ１≦ｈ≦ｈ２（ｈ１：下限値、ｈ２：上限値）とすると、ｈ２はレジスト層３０１の膜厚であり、Δｈ＝ｈ２−ｈ１と表すことができる。図１０（ａ）はｈ＞ｈ２の場合を示し、図１０（ｂ）はｈ＜ｈ１の場合を示す。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、本実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。本実施形態では、撮像装置２０１と照明装置２０２とを備えるバンプ高さ検査装置２００によりバンプ３０２の高さを測定する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示す方法では、照明装置２０２は基板上の検査するバンプに向けて、基板表面に対して垂直な方法から光を照射している。さらに、撮像装置２０１は、基板上の検査するバンプに向けて、基板表面に対して斜めの方向から撮像する。図１１Ａ、図１１Ｂでは、照射角度をφ、撮像角度をθで示す。図１１Ａの例では、バンプ３０１の高さｈがｈ１以上かつｈ２以下である場合（図１０（ｂ）に対応）を示す。この場合、照明装置２０２からの光は、バンプ３０２で反射され、撮像装置２０１に入射する。これにより、撮像装置２０１により、バンプ３０２が所定の輝度値以上の画像データで撮像される。図１１Ｂの例のように、バンプ３０１の高さｈが下限値ｈ１よりも低い場合は、照明装置２０２からの光は、バンプ３０２を反射した後に、開口部３０１ａの内壁により遮断されるか、非常に小さい強度の光のみが撮像装置２０１に入射する。これにより、撮像装置２０１では、バンプ３０２が撮像されないか、非常に小さい輝度の画像データで撮像される。従って、撮像装置２０１で撮像される画像データの輝度値が所定の値以上である場合には、バンプ３０２の高さが所定値以上であると判断することができる。また、経験上、バンプの高さに異常がある場合には、正常な高さ範囲未満の低い高さと、正常な高さ範囲超の高い高さのバンプが発生することが多いことが分かっている。従って、下限値ｈ１未満（第１輝度値未満）のバンプを異常と判断すること（下限値ｈ１以上（第１輝度値以上）のバンプを正常と判断すること）により、バンプ高さの異常を検出することができる。検査するバンプに対して照明装置２０２から光を照射する照射角度φと、光がバンプで反射されて撮像装置に到達する撮像角度θの関係は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す方法と逆の関係であってもよい。すなわち、基板表面に対して斜めの方向から光を照射して、基板表面に対して垂直な方向から反射光を検出するようにしてもよい。検査するバンプ３０２に対して照明装置２０２から光を照射する照射角度と、光がバンプ３０２で反射されて撮像装置２０１に到達する撮像角度は異なるようにすることが望ましい。
基板Ｗ上に形成されるバンプ３０２のパターン、及び、基板Ｗ上の全てのバンプ３０２の面積の合計面積（単に、バンプ合計面積と称する場合がある）は、予め分かっている。また、レジスト層３０２の表面では、照明装置２０２からの光がほとんど反射されないか、バンプ３０２で反射される光の強度より顕著に小さい。従って、基板Ｗ上のバンプ３０２のパターンを撮像装置３０１で撮像し、撮像された画像データのうち所定の輝度値（下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上の領域の面積が所定面積（バンプ合計面積の値、又はバンプ合計面積の値に所定の許容度を持たせた値、撮像範囲が基板の一部の領域である場合は、撮像領域におけるバンプ合計面積の値又は所定の許容度を持たせた値）以上である場合には、基板Ｗ上のバンプの高さが正常であると判断し、所定面積未満である場合には、基板Ｗ上のバンプの高さに異常がある（高さに異常があるバンプを含む）と判断する。なお、正常な高さ範囲の下限値未満の高さのバンプと、下限値以上の高さのバンプとを撮像画像データの輝度値に基づいて区別するために、撮像装置２０１のバンプに対する撮像方向（角度）を適切に調整する。撮像方向の調整は、後述する調整機構２０３により撮像装置２０１の傾き角度及び／又は高さを調整することにより実行される。バンプ合計面積、輝度値（下限値及び／又は上限値）は、例えば、レシピにより設定することができる。なお、めっきのパターンによっては、撮像された画像データから、めっき箇所をラインとして画像認識させて、所定の輝度値（下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上のラインの長さに基づいて、めっき高さを検査してもよい。この場合、輝度値（下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上のラインの長さが、所定長さ以上であるか否か（または、所定長さの範囲にあるか否か）に基づいて、めっきの高さを検査することができる。
なお、正常な高さ範囲の下限値ｈ１以上かつ上限値ｈ２以下（第１輝度値以上かつ第２輝度値以下）の範囲のバンプを正常と判断し、その範囲外の高さのバンプを異常と判断することにより、バンプ高さの異常を検出してもよい。また、上限値ｈ２超（第２輝度値超）のバンプを異常と判断すること（上限値ｈ２以下（第２輝度値以下）のバンプを正常と判断すること）により、バンプ高さの異常を検出することができる。
なお、バンプ合計面積は、バンプ高さが正常であると分かっている基板のバンプ３０２のパターンを撮像装置３０１で撮像し、所定の輝度値（例えば、下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上の領域の面積から求めるようにしてもよい。
また、上記のように、所定範囲、又は所定値以上（所定値以下）の輝度値の領域の面積に基づいてバンプ高さ検査を行う代わりに、バンプ高さが正常な基板Ｗの画像データを基準データ又は教師データとして使用し、画像マッチングによりバンプ高さ検査を実行してもよい。
図１２Ａは、バンプ高さが正常な場合の基板上のバンプのパターンを撮像した画像例を示す。図１２Ｂは、バンプ高さに異常がある場合の基板上のバンプのパターンを撮像した画像例を示す。図１２Ａ及びＢにおいて、下図は、斜め方向から撮像する場合の撮像装置からみた基板表面を示し、上図は、撮像画像データにより基板の平面視を再現したものを示す。バンプ高さが正常な場合の図１２Ａの例では、基板Ｗの全領域において所定の輝度値以上のバンプのパターンが観察される。一方、バンプ高さに異常がある場合の図１２Ｂの例では、基板Ｗの一部の領域に輝度値が低く、暗い領域（バンプのパターンが撮像されないか、正常な部分の輝度値よりも低い輝度値で撮像されたバンプの領域）が存在する。
図２は、一例に係るバンプ高さ検査装置の概略構成図である。バンプ高さ検査装置２００は、乾燥装置１０６内の基板Ｗを検査可能な位置に配置されている。本実施形態では、乾燥装置１０６がスピンリンスドライヤである場合の例を示すが、乾燥装置１０６は、乾燥機能のみのスピンドライヤ等の任意の乾燥装置であってよい。
図２に示すように、乾燥装置１０６は、筐体１３１と、筐体１３１内に配置された基板回転機構１３２と、基板回転機構１３２の上方または近傍に配置されたノズル１３４と、を備えている。筐体１３１内には、筐体１３１の内部空間を第１室１３１ａと第２室１３１ｂとに分割するシャッター１３３が設けられている。シャッター１３３は、第１室１３１ａと第２室１３１ｂとを遮蔽及び開放するように開閉可能に構成されている。第１室１３１ａ及び第２室１３１ｂは、例えば、それぞれ下室及び上室である。第１室１３１ａ及び第２室１３１ｂは、例えば、それぞれ乾燥部及び検査装置格納部を構成する。基板回転機構１３２とノズル１３４とは、乾燥部である第１室１３１ａに配置されている。なお、第２室１３１ｂを省略し、バンプ高さ検査装置２００を乾燥装置１０６の外部（筐体１３１の外部）に配置してもよい。バンプ高さ検査装置２００は、乾燥装置１０６内の基板を検査可能に配置されていればよく、乾燥装置１０６の内部及び外部の何れに配置されてもよく、乾燥装置１０６に取り付けられても取り付けられていなくともよい。
基板回転機構１３２は、その載置面に基板Ｗを載置及び保持し、基板Ｗを回転させる。ノズル１３４は、基板回転機構１３２に保持された基板Ｗに対して、洗浄液及び／又は純水を供給する。乾燥装置１０６において、基板Ｗは、基板回転機構１３２により回転されながら、ノズル１３４から供給される洗浄液及び／又は純水により基板Ｗが洗浄され、ノズル１３４からの洗浄液及び／又は純水の供給停止後、基板回転機構１３２により高速回転されて乾燥される。
バンプ高さ検査装置２００は、検査装置格納部である第２室１３１ｂに配置されている。バンプ高さ検査装置２００は、撮像装置２０１と、照明装置２０２と、調整機構２０３と、を備えている。制御装置１２０は、バンプ高さ検査２００による処理を制御するプログラムを実行することにより、バンプ高さ検査装置２００の制御装置として機能する。撮像装置２０１は、基板回転機構１３２に保持された基板Ｗ上のパターンを撮像し、撮像した画像データを格納し、及び／又は、制御装置１２０に転送する。撮像装置２０１は、カラーまたは白黒のカメラとすることができる。照明装置２０２は、基板回転機構１３２に保持された基板Ｗ上のパターンに光を照射し、撮像装置２０１が基板Ｗ上のパターンを適切な範囲の輝度値で撮像できるようにする。調整機構２０３は、撮像装置２０１に取り付けられており、撮像装置２０１の基板Ｗの面に対する傾き角度を調整する第１調整機構２０３ａと、基板Ｗに対する高さを調整する第２調整機構２０３ｂとを備えている。調整機構２０３により、撮像装置２０１の基板Ｗの面に対する傾き角度及び／又は高さが調整されることにより、撮像装置２０１の撮像方向が調整される。なお、基板Ｗの寸法に応じて、撮像装置２０１の水平方向の位置を調整できるように、水平方向調整機構（図示せず）を設けてもよい。なお、撮像方向を基板の種類毎に調整する必要のない場合は、撮像方向の設定データに基づく撮像方向の調整機能を備えている必要はなく、撮像装置２０１及び／又は照明装置２０２をめっき装置内の所定箇所に所定方向を向けて固定してもよい。
なお、本実施形態のバンプ高さ検査装置は、輝度による検出を行うため、めっき装置の設置されるクリーンルームの照明、めっき装置内の他の照明等の影響を受けやすい。そのため、めっき装置の外装を遮光性のあるものとする、または、バンプ高さ検査装置の周囲を遮光板で覆った構成とすることでより正確な検査をすることができる。
シャッター１３３は、第１室１３１ａと第２室１３１ｂとの間を遮蔽／開放する。第１室１３１ａにおいて基板Ｗを洗浄乾燥する前または洗浄乾燥した後に、シャッター１３３を開放し、バンプ高さ検査装置２００により基板Ｗ上のバンプ高さを検査する。基板Ｗの洗浄乾燥時には、シャッター１３３により第１室１３１ａと第２室１３１ｂとの間が遮蔽され、バンプ高さ検査装置２００を洗浄液等から保護するとともに、洗浄乾燥処理に影響を与えないようにされている。
図３Ａ乃至図３Ｄは、撮像装置による有効撮像範囲を示す説明図である。撮像装置２０１は、調整機構２０３により傾き角度及び高さが調整されることで、所望の撮像角度で有効撮像範囲２０４を撮像する。撮像装置２０１の撮像範囲としては、図３Ａ〜Ｄに示す有効撮像範囲２０４より広い場合もあるが、図１１を参照して上述したように、基板Ｗ上のバンプの高さをバンプの撮像画像の輝度値で判別するためには、バンプを所定の角度で撮像することが重要であるため、バンプ高さ検査に使用する画像データを取得するための有効撮像範囲２０４は撮像角度のばらつきが抑制できる範囲に限定することが好ましい。なお、撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４は、撮像装置２０１により撮像された画像からあらかじめ決められた範囲の画像を切り出して解析対象としてもよい。あるいは毎回の撮像ごとに撮像装置２０１により撮像された画像から基板Ｗの境界を検出して、計算により有効撮像範囲を求めて解析対象としてもよい。なお、検査精度が許容範囲になる場合には、撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４が基板Ｗのパターン面の全範囲をカバーするようにしてもよい。
図３Ａ乃至図３Ｄでは、説明の都合上、基板Ｗの外周上に９０度ごとに等間隔に４つの点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを設定している。図３Ａでは、基板Ｗの点Ａが撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４の外側辺の中心または中心近傍に位置するように、有効撮像範囲２０４が設定され、その有効撮像範囲２０４内の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。次に、基板Ｗが基板回転機構１３２により９０度回転され、図３Ｂでは、基板Ｗの点Ｂが撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４の外側辺の中心または中心近傍に位置するように、有効撮像範囲２０４が設定され、その有効撮像範囲２０４内の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。次に、基板Ｗが基板回転機構１３２により更に９０度回転され、図３Ｃでは、基板Ｗの点Ｃが撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４の外側辺の中心または中心近傍に位置するように、有効撮像範囲２０４が設定され、その有効撮像範囲２０４内の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。次に、基板Ｗが基板回転機構１３２により更に９０度回転され、図３Ｄでは、基板Ｗの点Ｄが撮像装置２０１の有効撮像範囲２０４の外側辺の中心または中心近傍に位置するように、有効撮像範囲２０４が設定され、その有効撮像範囲２０４内の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。このようにして、基板Ｗの外周部の全周に亘って、基板Ｗ上のパターンが撮像される。なお、有効撮像領域２０４には、基板Ｗ以外の部分を含むが、基板Ｗの外縁にあるシード層の露出部分を検出すること、画像パターン認識等により、基板Ｗの境界を検出し、基板Ｗ上の画像データのみ抽出することができる。また、有効撮像領域２０４は、基板Ｗの外周（点ＡからＤを含む）よりも外側まで広がっていてもよい。
図３Ａ乃至図３Ｄでは、基板を９０度ごとに回転させる場合を示したが、９０度未満または９０超の角度ごとに回転させてもよいし、必ずしも均等な間隔で回転させなくともよい。
図３Ａ乃至図３Ｄでは、基板Ｗが円形のウェハである場合を例に挙げたが、基板Ｗが角形である場合には、各辺ごとに有効撮像範囲２０４が重なるように基板を回転させることができる。
ここでは、基板Ｗが基板回転機構１３２により回転される場合を説明するが、基板Ｗと撮像装置２０１とが相対的に回転すればよいので、撮像装置回転機構（図示せず）を設け、撮像装置回転機構により撮像装置２０１を基板Ｗの周りに回転させるようにしてもよい。
基板Ｗの外周部のパターンのみを撮像する理由は、以下の通りである。基板Ｗが基板ホルダ１１に保持された状態で電解めっきされる場合、基板Ｗの外周部に基板ホルダ１１のコンタクト（電極）が接触し、それらのコンタクトを介して基板Ｗの全領域（外周部及びその内側領域）に電流が供給される。従って、基板Ｗ上のバンプの高さに異常が発生する場合には、基板Ｗの外周部のバンプの高さに異常が発生する場合が多い。そのため、基板Ｗの外周部のパターンを撮像することにより、十分な精度でバンプ高さの検査を行うことができる。
図４は、他の例に係るバンプ高さ検査装置の概略構成図である。図５は、撮像装置による有効撮像範囲の走査を示す説明図である。この例では、撮像装置２０１が基板Ｗの全領域を撮像するように撮像装置２０１を移動させる走査機構２０５が設けられている点が異なる。走査機構２０５は、撮像装置２０１を基板Ｗの径方向（基板Ｗが角形の場合は、例えば、長辺又は短辺）に沿って移動させる（図５）ように構成されている。
図５に示すように、撮像装置２０１は、図３Ａと同様に、調整機構２０３により傾き角度及び高さが調整され、有効撮像範囲２０４が設定される。図５において、基板Ｗの点Ａを含む有効撮像範囲２０４内の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。その後、撮像装置２０１が走査機構２０５により、基板Ｗの点Ａから点Ｄに向かう径方向に沿って所定の距離だけ走査されることにより、有効撮像範囲２０４が所定の距離だけ走査される。走査後の有効撮像範囲２０４の基板Ｗ上のパターンが撮像され、撮像された画像データが格納及び／又は転送される。引き続き、有効撮像範囲２０４の走査及び撮像が繰り返され、基板Ｗ上のパターンの全領域が撮像され、全領域の画像データが取得される。なお、平行移動による走査を行う場合は、有効撮像範囲２０４内の撮像される基板の面積が変化するため、撮像装置２０１の位置あるいは基板Ｗの境界を検出することにより、基板Ｗ上のバンプの高さが正常であると判断するための所定面積（バンプ合計面積の値、又はバンプ合計面積の値に所定の許容度を持たせた値）を変化させるようにしてもよい。平行移動による走査を行う場合は、撮像装置は必ずしもエリアセンサを用いなくともよく、リニアセンサを用いることもできる。また、その場合、照明装置による照射も走査方向に垂直なライン状の照明とすることができる。
図６は、基板処理装置における処理の全体フローを示す。この処理は、制御装置１２０により実行される。なお、この処理は、その他のコンピュータ及び／又はコントローラと協働して実行されてもよい。
ステップＳ１では、カセットテーブル１０２上のカセットから搬送ロボット１０３ａにより基板Ｗを取り出し、基板着脱部１０５の基板着脱装置１０５ａに搬入する。ステップＳ２では、基板着脱装置１０５ａにおいて基板Ｗを基板ホルダ１１に取り付ける。ステップＳ３では、基板ホルダ搬送装置１１３によりプリウェット槽１０８に搬入された基板ホルダ１１を純粋に浸漬させる。その後、基板ホルダ搬送装置１１３により基板ホルダ１１をめっき処理部１１２の何れかのめっき槽１１２ａに搬入し、基板ホルダ１１に保持された基板Ｗに対してめっき処理を施し、基板Ｗ上にバンプを形成する（ステップＳ４）。めっき処理後、基板ホルダ搬送装置１１３により基板ホルダ１１をリンス槽１１０に搬入し、基板Ｗを基板ホルダ１１とともに洗浄液で洗浄する（ステップＳ５）。洗浄後の基板ホルダ１１を基板ホルダ搬送装置１１３によりブロー槽１０９に搬入し、洗浄後の基板Ｗの液切りを行う（ステップＳ６）。その後、基板ホルダ１１を基板ホルダ搬送装置１１３により基板着脱部１０５の基板着脱装置１０５ａに搬入し、基板Ｗを基板ホルダ１１から取り外す（ステップＳ７）。基板ホルダ１１から取り外された基板Ｗを搬送ロボット１０３ａにより乾燥装置１０６に搬入し、乾燥装置１０６において基板Ｗの洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ８）。また、乾燥装置１０６では、基板Ｗに対してバンプ高さ検査処理を実行する（ステップＳ９）。バンプ高さ検査処理（Ｓ９）は、洗浄及び乾燥処理（Ｓ８）の
前または後の何れで実行されてもよい。乾燥装置１０６での処理後、搬送ロボット１０３ａにより基板Ｗがカセットに戻される（ステップＳ１０）。
図７は、ステップＳ９で実行されるバンプ高さ検査処理のフローチャートである。乾燥装置１０６の基板回転機構１３２に基板Ｗが保持された後、シャッター１３３を開放し、バンプ高さ検査装置２００による基板Ｗに対してバンプ高さ検査を実施する。このとき、撮像装置２０１及び照明装置２０２を第２室１３１ｂに配置した状態で、バンプ高さ検査を実施してもよいし、或いは、撮像装置２０１及び／又は照明装置２０２を第１室１３１ａ内（又は乾燥装置１０６内）に降下させた後に、バンプ高さ検査を実施する構成としてもよい。撮像装置２０１は、調整機構２０３の第１調整機構２０３ａにより下降されることができる。照明装置２０２が下降される場合、照明装置２０２を下降するための調整機構（図示せず）を設ける。
ステップＳ２１では、基板Ｗの種類に応じて、調整機構２０３により撮像装置２０１の撮像方向を調整し、有効撮像領域２０４を設定する。基板Ｗの種類とは、基板の寸法、基板の形状、レジスト膜厚、レジストパターン、バンプ高さ、バンプ面積等に基づいて決定される。基板Ｗの種類が異なると、バンプの輝度値に基づいて正常な高さ範囲と判定するために適切な撮像方向も変わるので、基板Ｗの種類に応じて、調整機構２０３により撮像装置２０１の撮像方向を調整する。撮像方向の設定データは、例えば、基板の種類と、撮像方向（例えば、調整機構の制御量）とを対応付けたデータベースとしてメモリ１２０Ｂに記憶しておく。なお、水平方向調整機構が設けられる場合、必要に応じて、基板Ｗの寸法に応じて撮像装置２０１の水平方向の位置が水平方向調整機構により更に調整されてもよい。
撮像装置２０１の撮像方向を調整し、基板Ｗの初期位置に有効撮像領域２０４を設定した後、基板Ｗ上のパターンに対して、照明装置２０２から光が照射しつつ、撮像装置２０１により基板Ｗ上のパターンを撮像し、制御装置１２０が、撮像された画像データを取得する（ステップＳ２２）。
次に、画像データに基づいて、所定の輝度値以上（下限値ｈ１に相当する第１輝度値以上のバンプ）の領域の面積を算出する（ステップＳ２３）。なお、正常な高さ範囲の下限値ｈ１以上かつ上限値ｈ２以下（第１輝度値以上かつ第２輝度値以下）の所定範囲内のバンプを正常と判断する場合は、第１輝度値以上かつ第２輝度値以下の領域の面積を算出する。
そして、算出された面積（所定の高さｈ１（第１輝度値）以上のバンプの面積の合計、又は、正常な高さ範囲の下限値ｈ１以上かつ上限値ｈ２以下（第１輝度値以上かつ第２輝度値以下）のバンプの面積の合計）が、所定の面積値（閾値）以上か否かを判別する（ステップＳ２４）。閾値は、基板Ｗの種類、解析対象とする撮像面積に応じて設計上のバンプの面積の合計値、または、その合計値から許容度を持たせた値とする。例えば、設計上の面積合計値から所定の許容度分だけ小さい面積値とすることができる。閾値は、基板の寸法、基板の形状、バンプ面積、撮像面積等に基づいて決定される。基板Ｗの種類が異なると、判定するために適切な閾値も変わるので、基板の種類及び／又は撮像面積と、閾値の設定データとを対応付けたデータベースとしてメモリ１２０Ｂに記憶しておく。
ステップＳ２４において、算出された面積が閾値以上と判定された場合には、ステップＳ２７に移行する。ステップＳ２７では、当該基板Ｗのめっき処理に使用されためっき電流等を制御装置１２０のめっき処理制御プログラム等にフィードバックし、また、撮像装置２０１及び／又は照明装置２０２を第１室１３１ａ内に下降している場合は第２室１３１ｂ内に上昇させた後にシャッター１３３を閉じ、バンプ高さ検査処理を終了する。
一方、ステップＳ２４において、算出された面積が所定の面積未満と判断された場合は、アラームを発生させ（ステップＳ２５）、当該基板Ｗの処理に使用された基板ホルダ１１及び／又はめっき槽１１２ａを不使用とする（ステップＳ２６）。その後、ステップＳ２７の処理を実行した後、バンプ高さ検査処理を終了する。なお、不使用の対象となった基板ホルダ／めっき槽で現在めっき処理中の基板のめっき処理は継続して実行し、当該基板の処理終了後に基板ホルダ／めっき槽を不使用とする。複数回連続してバンプ高さに異常を生じさせた場合に、当該基板ホルダ／めっき槽を不使用とするようにしてもよい。また、現在めっき処理部１１２内にある全ての基板のめっき処理終了後に、めっき装置を停止させてメンテナンスを行ってもよい。
なお、撮像方向の設定データ、閾値の設定データはめっき装置の制御装置１２０内のメモリにレシピとして格納することもできるが、それら設定データのデータベースを上位コントローラ内に構築し、処理する基板毎に上位コントローラからめっき装置へレシピとして指示することもできる。
なお、撮像された画像データのうち所定の輝度値（下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上のバンプのラインの長さに基づいてバンプ高さを検査する場合、ステップＳ２３で輝度値（下限値ｈ１に相当する第１輝度値）以上の各ラインの長さを算出し、ステップＳ２４において、各ラインが、所定長さ以上であるか否か（または、所定長さの範囲にあるか否か）を判別する。
なお、ステップＳ２３、Ｓ２４の処理に代えて、バンプ高さが正常な基板Ｗの画像データを基準データ（教師データ）として予め用意しておき、撮像画像データに対して基準データを使用して画像マッチングによりバンプ高さ検査を実行してもよい。
図８は、図２の構成のバンプ高さ検査装置を使用する場合における、撮像処理（図７のＳ２２）の詳細なフローチャートである。
ステップＳ３１では、照明装置２０２から基板Ｗ上のパターンに対して光が照射される。このとき、基板Ｗは、照明装置２０２に対して図３Ａの位置にあるものとし、回転位置カウンタｎが初期値１に設定される（ステップＳ３２）。
ステップＳ３３では、現在の回転位置カウンタｎの値に対応する回転位置において、有効撮像範囲２０４（その領域内の基板Ｗ上のパターン）が撮像装置２０１により撮像され、撮像された画像データが制御装置１２０により取得される。
ステップＳ３４では、ｎ＝Ｎとなったか否かを判断することにより、基板Ｗの外周部の全周を撮像したか否かが判断される。Ｎは、基板Ｗの全周を走査するために必要な回転動作の回数であり、図３Ａ〜Ｄの例ではＮ＝４である。
ステップＳ３４において、ｎがＮ未満である場合には、ｎをカウントアップし（ステップＳ３５）、ステップＳ３６に移行する。一方、ステップＳ３５において、ｎ＝Ｎとなった場合は、撮像処理フローを終了する。
ステップＳ３６では、基板Ｗを基板回転機構１３２により所定の角度（図３Ａ〜Ｄの例では、９０度）だけ回転させる。ｎ＝２の場合には、図３Ａの基板Ｗの位置から図３Ｂの基板Ｗの位置まで、基板Ｗを回転させる。同様に、ｎ＝３の場合には、図３Ｂの基板Ｗの位置から図３Ｃの基板Ｗの位置まで、基板Ｗを回転させる。同様に、ｎ＝４の場合には、図３Ｃの基板Ｗの位置から図３Ｄの基板Ｗの位置まで、基板Ｗを回転させる。
図９は、図４の構成のバンプ高さ検査装置を使用する場合における、撮像処理（図７のＳ２１）の詳細なフローチャートである。
ステップＳ４１では、照明装置２０２から基板Ｗ上のパターンに対して光を照射する。このとき、有効撮像範囲２０４は、図５に示す初期位置にあるものとする。
ステップＳ４２では、撮像装置２０１により、現在の有効撮像範囲２０４を撮像し、制御装置１２０が撮像した画像データを取得する。
ステップＳ４３では、基板Ｗの全領域を撮像したか否かを判断する。
ステップＳ４３において基板Ｗの全領域を撮像していないと判断された場合には、ステップＳ４４において撮像装置２０１を走査機構２０５により所定の距離だけ移動し、有効撮像範囲２０４を移動させ、ステップＳ４２、Ｓ４３の処理を繰り返す。一方、ステップＳ４４において、基板Ｗの全領域を撮像したと判断された場合には、撮像処理フローを終了する。
上記実施形態から少なくとも以下の形態が把握される。
第１形態によれば、バンプ高さ検査装置であって、 レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射する照明装置と、 前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像する撮像装置と、 前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する制御装置と、を備えるバンプ高さ検査装置が提供される。バンプ高さ検査装置は、めっき装置、研磨装置、又はめっき装置及び研磨装置を備えた基板処理装置、又はその他の基板処理装置に設けることができる。バンプ高さ検査装置の制御装置は、バンプ高さ検査装置が基板処理装置に設けられる場合には、基板処理装置の制御装置の機能により構成してもよい。
この形態によれば、撮像装置によって撮像される基板上のパターンの画像データでは、レジスト及びバンプの部分の輝度値が異なり、また、バンプの高さに応じてバンプの部分の輝度値が異なるため、画像データの輝度値に基づいて、バンプの高さを評価及び検査することが可能である。また、照明装置から基板上のパターンに光を照射することにより、バンプ高さに起因する画像データ中の輝度値の差異を適切な範囲に調整することが可能である。このため、簡易な構成および処理により、基板上のバンプの高さを検査することができる。
また、レジストが付いた状態の基板のバンプの高さを検査することができるので、検査前にレジストを剥離する必要がなく、バンプ形成処理後の短時間の間にバンプの高さの異常を発見することができる。そのため、異常のある基板を処理した基板処理装置の構成（例えば、基板保持部材、めっき槽）を使用して、異常のある基板を作成することを早期に停止することができる。
また、バンプ形成処理前後の両方で基板の膜厚測定を行う必要がないため、スループットの低下を抑制することができる。また、膜厚測定ユニットを目的別に設置する必要がないため装置コストを抑制できる。
第２形態によれば、第１形態のバンプ高さ検査装置において、 前記制御装置は、前記画像データのうち、所定範囲内の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する。
バンプの高さが所定範囲にあることは画像データ中のバンプの輝度値が所定範囲にあることに対応し、また、基板上のパターンのうちバンプが占める面積が予め分かるため、基板上のパターンのうち所定範囲の輝度値（正常な所定範囲の高さのバンプ）を有する面積が所定の面積値の範囲内にあるか否かに基づいて、バンプの高さを評価することができる。
第３形態によれば、第１形態のバンプ高さ検査装置において、 前記制御装置は、前記画像データのうち、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する。
バンプの高さが高い異常が発生する場合には、バンプの高さが低い異常が発生する場合が多いことが経験的に分かっているため、バンプの高さが低い異常を検出するようにしてもよい。この場合、バンプの高さが低い領域を除く領域を正常とし、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積が所定の面積値以上であるか否かに基づいて、バンプの高さを評価することができる。
第４形態によれば、第１形態のバンプ高さ検査装置において、 前記制御装置は、前記バンプの高さが正常である場合の前記パターンの画像データを基準データとし、前記撮像装置によって得られる前記パターンの前記画像データを前記基準データと比較する画像マッチングにより、前記バンプの高さを評価する。
この形態によれば、撮像画像データを正常時の基準データと比較することにより、バンプの高さを容易に評価することができる。基準データは、例えば、図１２Ａに示す画像のデータである。撮像されたパターンの画像データが、図１２Ａに示すような基準データと所定の許容範囲で一致する場合には、バンプ高さが正常と判定する。撮像されたパターンの画像データが、例えば、図１２Ｂに示すような画像データであり、基準データと所定の許容範囲で一致しない場合には、バンプ高さに異常があると判定する。
第５形態によれば、第１乃至４形態の何れかのバンプ高さ検査装置において、 前記基板の種類に応じて前記撮像装置の前記基板に対する高さ及び／又は角度を調整するための調整機構を更に備える。
この形態によれば、撮像装置の基板に対する高さ及び／又は角度を調整することにより、撮像可能なバンプの高さ、及び／又は、画像データ中のバンプの輝度値を調整することができる。
第６形態によれば、第１乃至５形態の何れかのバンプ高さ検査装置において、 前記撮像装置は、前記基板の外周部において前記パターンを撮像し、 前記バンプの高さの評価は、前記外周部の前記パターンの画像データに基づいて行われる。
基板の外周部のパターンの画像に基づいてバンプ高さの評価を行うことにより、撮像範囲を低減し、検査に要する時間を低減することができる。また、照明装置による照射範囲も低減されるため、照明装置を小型化することができる。基板保持部材に保持された基板をめっき処理する場合、基板の外周部に電極が接触され、電極を介して基板全体に電流が供給されるため、めっきされるバンプの高さに異常が発生する場合には、基板の外周部のバンプに高さの異常が発生する場合が多い。そのため、基板の外周部のパターンを撮像し、撮像された画像データに基づいて、基板上のバンプの高さの異常を精度良く検出することができる。
第７形態によれば、第６形態のバンプ高さ検査装置において、前記基板を回転させる基板回転機構、又は、前記撮像装置を前記基板の周りに回転させる撮像装置回転機構により、前記撮像装置と前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記撮像装置が前記基板の外周部を全周に亘って撮像する。
この形態によれば、撮像装置と基板とを所定角度ずつ相対回転させて基板の外周部を撮像するため、検査のために撮像装置が一度に撮像する範囲を低減することができる。
第８形態によれば、第１乃至５の何れかに記載のバンプ高さ検査装置において、 前記撮像装置が前記基板の全領域を撮像するように前記撮像装置を移動させるための走査機構を更に備える。
この形態によれば、基板上のバンプの全てを撮像し、より精度の高い検査を行うことができる。
第９形態によれば、 基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、 前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、 前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ検査装置と、 前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ検査装置を制御する制御装置と、を備え、 前記バンプ高さ検査装置は、 前記基板に光を照射する照明装置と、 前記基板上のレジスト及びバンプのパターンを撮像する撮像装置と、有し、 前記制御装置は、前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置が提供される。
基板処理装置は、めっき装置、研磨装置、又はめっき装置及び研磨装置を備えた基板処理装置、又はその他の基板処理装置であることが可能である。１又は複数の基板処理ユニットは、めっき槽、及び／又は、研磨ユニットを含む。
この形態によれば、撮像装置によって撮像される基板上のパターンの画像データでは、レジスト及びバンプの部分の輝度値が異なり、また、バンプの高さに応じてバンプの部分の輝度値が異なるため、画像データの輝度値に基づいて、バンプの高さを評価及び検査することが可能である。また、照明装置から基板上のパターンに光を照射することにより、バンプ高さに起因する画像データ中の輝度値の差異を適切な範囲に調整することが可能である。このため、簡易な構成および処理により、基板上のバンプの高さを検査することができる。
また、基板処理装置内で基板が基板処理後に搬入される乾燥装置において、レジストが付いた状態の基板のバンプの高さを検査することができるので、検査前にレジストの剥離を行う必要がなく、基板処理後の短時間の間にバンプの高さの異常を発見することができる。そのため、異常のある基板を処理した基板処理装置の構成（例えば、基板保持部材、めっき槽、研磨ユニット）を使用して、異常のある基板の作成することを早期に停止することができる。
また、基板処理前後の両方で基板の膜厚測定を行う必要がないため、スループットの低下を抑制することができる。また、乾燥装置においてバンプ高さを検査するため、基板の搬送が複雑になることが防止され、スループットの低下を抑制することができる。また、膜厚測定ユニットを目的別に設置する必要がないため装置コストを抑制できる。
また、基板処理後に洗浄及び乾燥された後の基板に対して基板に対してバンプ高さ検査を行う場合、基板に付着した薬液、残渣等の影響を受けることなく、精度の良い検査を行うことができる。乾燥後の基板に対して乾燥装置においてバンプ高さ検査を行うので、乾
燥後の基板を別の測定場所に移動する必要がなく、基板の搬送が複雑になることが防止され、スループットの低下を抑制することができる。また、膜厚測定ユニットを目的別に設置する必要がないため装置コストを抑制できる。
第１０形態によれば、第９形態の基板処理装置において、 前記制御装置は、前記画像データのうち、所定範囲内の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する。
バンプの高さが所定範囲にあることは画像データ中のバンプの輝度値が所定範囲にあることに対応し、また、基板上のパターンのうちバンプが占める面積が予め分かるため、基板上のパターンのうち所定範囲の輝度値（正常な所定範囲の高さのバンプ）を有する面積が所定の面積値の範囲内にあるか否かに基づいて、バンプの高さを評価することができる。
第１１形態によれば、第９形態の基板処理装置において、 前記制御装置は、前記画像データのうち、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する。
バンプの高さが高い異常が発生する場合には、バンプの高さが低い異常が発生する場合が多いことが経験的に分かっているため、バンプの高さが低い異常を検出するようにしてもよい。この場合、バンプの高さが低い領域を除く領域を正常とし、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積が所定の面積値以上であるか否かに基づいて、バンプの高さを評価することができる。
第１２形態によれば、第９形態の基板処理装置において、 前記制御装置は、前記バンプの高さが正常である場合の前記パターンの画像データを基準データとし、前記撮像装置によって得られる前記パターンの前記画像データを前記基準データと比較する画像マッチングにより、前記バンプの高さを評価する。
この形態によれば、撮像画像データを正常時の基準データと比較することにより、バンプの高さを容易に評価することができる。基準データは、例えば、図１２Ａに示す画像のデータである。撮像されたパターンの画像データが、図１２Ａに示すような基準データと所定の許容範囲で一致する場合には、バンプ高さが正常と判定する。撮像されたパターンの画像データが、例えば、図１２Ｂに示すような画像データであり、基準データと所定の許容範囲で一致しない場合には、バンプ高さに異常があると判定する。
第１３形態によれば、第９乃至１２形態の何れかの基板処理装置において、 前記基板の種類に応じて前記撮像装置の前記基板に対する高さ及び／又は角度を調整するための調整機構を更に備える。
この形態によれば、撮像装置の基板に対する高さ及び／又は角度を調整することにより、撮像可能なバンプの高さ、及び／又は、画像データ中のバンプの輝度値を調整することができる。
第１４形態によれば、第９乃至１３形態の何れかの基板処理装置において、 前記撮像装置は、前記基板の外周部において前記パターンを撮像し、 前記バンプの高さの評価は、前記外周部の前記パターンの画像データに基づいて行われる。
基板の外周部のパターンの画像に基づいてバンプ高さの評価を行うことにより、撮像範囲を低減し、検査に要する時間を低減することができる。また、照明装置による照射範囲
も低減されるため、照明装置を小型化することができる。基板保持部材に保持された基板をめっき処理する場合、基板の外周部に電極が接触され、電極を介して基板全体に電流が供給されるため、めっきされるバンプの高さに異常が発生する場合には、基板の外周部のバンプに高さの異常が発生する場合が多い。そのため、基板の外周部のパターンを撮像し、撮像された画像データに基づいて、基板上のバンプの高さの異常を精度良く検出することができる。
第１５形態によれば、第１４形態の基板処理装置において、前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構、又は、前記撮像装置を前記基板の周りに回転させる撮像装置回転機構により、前記撮像装置と前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記撮像装置が前記基板の外周部を全周に亘って撮像する。
この形態によれば、撮像装置と基板とを所定角度ずつ相対回転させて基板の外周部を撮像するため、検査のために撮像装置が撮像する範囲を低減することができる。
また、乾燥装置に設けられた基板乾燥用の基板回転機構により撮像装置と基板とを相対回転させる場合、元々ある基板乾燥用の基板回転機構を撮像時の基板走査機構として使用することにより、撮像装置を基板の外周部に沿って回転させる回転機構を省略することができる。
第１６形態によれば、第９乃至１３形態の何れかの基板処理装置において、 前記撮像装置が前記基板の全領域を撮像するように前記撮像装置を移動させるための走査機構を更に備える。
この形態によれば、基板上のバンプの全てを撮像し、より精度の高い検査を行うことができる。
第１７形態によれば、第９乃至１６形態の何れかの基板処理装置において、 前記基板処理部は、１又は複数のめっき槽を有し、 前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、 前記制御装置は、前記バンプ高さ検査装置による検査の結果、前記基板の前記バンプの高さに異常を検出した場合に、当該基板を保持する前記基板保持部材及び／又は当該基板にめっき処理を行った前記めっき槽を不使用とする。
この形態によれば、異常のある基板を処理した基板保持部材及び／又は基板処理部（例えば、めっき槽、研磨ユニット）を使用して、異常のある基板を作成することを早期に停止することができる。
第１８形態によれば、 バンプ高さ検査方法であって、 レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射し、 前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像し、 撮像によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する、方法が提供される。この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
第１９形態によれば、 バンプ高さ検査装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、 レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に照明装置により光を照射し、 前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像装置により撮像し、 前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価すること、 をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体が提供される。この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
１００…基板処理装置
１０１Ａ…アンロード部
１０１Ｂ…処理部
１０２…カセットテーブル
１０３…基板搬送装置
１０３ａ…搬送ロボット
１０４…アライナ
１０５…基板着脱部
１０５ａ…基板着脱装置
１０６…乾燥装置
１０７…ストッカ
１０８…プリウェット槽
１０９…ブロー槽
１１０…リンス槽
１１２…めっき処理部
１１２ａ…めっき槽
１１３…基板ホルダ搬送装置
１１４…第１トランスポータ
１１５…第２トランスポータ
１１６…レール
１２０…制御装置
１２０Ａ…ＣＰＵ
１２０Ｂ…メモリ
１３１…筐体
１３１ａ…第１室
１３１ｂ…第２室
１３２…基板回転機構
１３３…シャッター
１３４…ノズル
２００…バンプ高さ検査装置
２０１…撮像装置
２０２…照明装置
２０３…調整機構
２０４…有効撮像領域
２０５…走査機構
３０１…レジスト層
３０１ａ…開口部
３０２…バンプ

Claims (19)

  1. バンプ高さ検査装置であって、
    レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射する照明装置と、
    前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像する撮像装置と、
    前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する制御装置と、
    を備える、バンプ高さ検査装置。
  2. 請求項１に記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記制御装置は、前記画像データのうち、所定範囲内の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する、バンプ高さ検査装置。
  3. 請求項１に記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記制御装置は、前記画像データのうち、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する、バンプ高さ検査装置。
  4. 請求項１に記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記制御装置は、前記バンプの高さが正常である場合の前記パターンの画像データを基準データとし、前記撮像装置によって得られる前記パターンの前記画像データを前記基準データと比較する画像マッチングにより、前記バンプの高さを評価する、バンプ高さ検査装置。
  5. 請求項１乃至４の何れかに記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記基板の種類に応じて前記撮像装置の前記基板に対する高さ及び／又は角度を調整するための調整機構を更に備える、バンプ高さ検査装置。
  6. 請求項１乃至５の何れかに記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記撮像装置は、前記基板の外周部において前記パターンを撮像し、
    前記バンプの高さの評価は、前記外周部の前記パターンの画像データに基づいて行われる、バンプ高さ検査装置。
  7. 請求項６に記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記基板を回転させる基板回転機構、又は、前記撮像装置を前記基板の周りに回転させる撮像装置回転機構により、前記撮像装置と前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記撮像装置が前記基板の外周部を全周に亘って撮像する、バンプ高さ検査装置。
  8. 請求項１乃至５の何れかに記載のバンプ高さ検査装置において、
    前記撮像装置が前記基板の全領域を撮像するように前記撮像装置を移動させるための走査機構を更に備える、バンプ高さ検査装置。
  9. 基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、
    前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、
    前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ検査装置と、
    前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ検査装置を制御する制御装置と、
    を備え、
    前記バンプ高さ検査装置は、
    前記基板に光を照射する照明装置と、
    前記基板上のレジスト及びバンプのパターンを撮像する撮像装置と、有し、
    前記制御装置は、前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置。
  10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記制御装置は、前記画像データのうち、所定範囲内の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置。
  11. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記制御装置は、前記画像データのうち、所定位置以上の輝度値を有する領域の面積の割合に基づいて、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置。
  12. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記制御装置は、前記バンプの高さが正常である場合の前記パターンの画像データを基準データとし、前記撮像装置によって得られる前記パターンの前記画像データを前記基準データと比較する画像マッチングにより、前記バンプの高さを評価する、基板処理装置。
  13. 請求項９乃至１２の何れかに記載の基板処理装置において、
    前記基板の種類に応じて前記撮像装置の前記基板に対する高さ及び／又は角度を調整するための調整機構を更に備える、基板処理装置。
  14. 請求項９乃至１３の何れかに記載の基板処理装置において、
    前記撮像装置は、前記基板の外周部において前記パターンを撮像し、
    前記バンプの高さの評価は、前記外周部の前記パターンの画像データに基づいて行われる、基板処理装置。
  15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構、又は、前記撮像装置を前記基板の周りに回転させる撮像装置回転機構により、前記撮像装置と前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記撮像装置が前記基板の外周部を全周に亘って撮像する、
    基板処理装置。
  16. 請求項９乃至１３の何れかに記載の基板処理装置において、
    前記撮像装置が前記基板の全領域を撮像するように前記撮像装置を移動させるための走査機構を更に備える、基板処理装置。
  17. 請求項９乃至１６の何れかに記載の基板処理装置において、
    前記基板処理部は、１又は複数のめっき槽を有し、
    前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、
    前記制御装置は、前記バンプ高さ検査装置による検査の結果、前記基板の前記バンプの高さに異常を検出した場合に、当該基板を保持する前記基板保持部材及び／又は当該基板にめっき処理を行った前記めっき槽を不使用とする、基板処理装置。
  18. バンプ高さ検査方法であって、
    レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に光を照射し、
    前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像し、
    撮像によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価する、方法。
  19. バンプ高さ検査装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、
    レジストと前記レジストの開口部に形成されたバンプとを有する基板に照明装置により光を照射し、
    前記レジスト及び前記バンプのパターンを撮像装置により撮像し、
    前記撮像装置によって得られる前記パターンの画像データの輝度値に基づいて、前記バンプの高さを評価すること
    をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。
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