KR102687102B1 - 기판 처리 장치 및 검사 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102687102B1
KR102687102B1 KR1020190121721A KR20190121721A KR102687102B1 KR 102687102 B1 KR102687102 B1 KR 102687102B1 KR 1020190121721 A KR1020190121721 A KR 1020190121721A KR 20190121721 A KR20190121721 A KR 20190121721A KR 102687102 B1 KR102687102 B1 KR 102687102B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
imaging
light source
substrate
inspection
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020190121721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200039577A (ko
Inventor
게이시 하마다
유이치로 구누기모토
다카후미 하야마
신이치 미즈시노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200039577A publication Critical patent/KR20200039577A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102687102B1 publication Critical patent/KR102687102B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[과제] 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킨다.
[해결수단] 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와, 상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 검사 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND INSPECTION METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1은 처리 대상물의 상방에 위치하는 노즐로부터 그 처리 대상물의 상면을 향하여 유하하는 액체의 유하 상태를 판정하는 유하 판정 방법을 개시하고 있다. 이 방법에서는, 노즐로부터 처리 대상물의 상면에 이르는 액체의 유하 경로를 촬상 시야에 포함시켜 촬상이 행해진다. 계속해서, 촬상된 화상 중 유하 경로에 대응하는 평가 대상 영역 내에서, 액체의 유하 방향을 따라 1열로 배열되는 화소로 이루어지는 화소열마다, 그 화소열에 속하는 화소의 화소값의 합계값이 산출된다. 그리고, 유하 방향과 직교하는 직교 방향을 따른 합계값의 변화 양태에 기초하여 액체의 유하의 유무가 판정된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2017-29883호 공보
본 개시에 따른 기술은, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킨다.
본 개시의 일양태는, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와, 상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부를 갖는다.
본 개시에 따르면, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 검사에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 레지스트막 형성 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용되는 카메라의 촬상 결과의 검사 대상 부분의 설명도이다.
도 7은 피처리 기판의 방향에 따라 외란광이 촬상 결과에 영향을 끼치는 것을 설명하는 도면이다.
도 8은 카메라의 촬상 소자의 노광 타이밍 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력 타이밍의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 9는 피처리 기판의 방향이 정해진 각도씩 어긋난 촬상 결과 각각과 휘도값의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 피처리 기판의 회전수 및 카메라의 프레임 레이트와, 검사 시의 광원의 발광 타이밍의 관계를 설명하는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리 등을 포함하는 일련의 처리가 행해져, 웨이퍼 상에 정해진 레지스트 패턴이 형성된다. 상기 일련의 처리에는, 전술한 레지스트 도포 처리 외에, 정해진 패턴으로 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 포함된다. 이 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 장치 등을 탑재한 도포 현상 처리 시스템으로 행해지고 있다.
이 도포 현상 처리 시스템에 있어서, 상기 처리 장치 중, 레지스트액 등의 처리액을 이용하는 처리를 행하는 액처리 장치는, 웨이퍼를 유지하여 회전하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 유지된 웨이퍼에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 갖는다. 이 액처리 장치에서는, 예컨대, 스핀 척에 유지된 웨이퍼의 중앙에 처리액 공급 노즐로부터 처리액을 공급하면서 그 스핀 척을 회전시키는 회전 처리가 행해진다.
회전 처리에서는, 처리액 공급 노즐의 토출구 부근을 촬상하고, 촬상된 결과를 해석하여 처리액 공급 노즐로부터의 토출 상태를 판정하는 것 등이 필요해지는 경우가 있다. 이 판정을 위한 기술로서는, 특허문헌 1에 기재된 것이 있다. 특허문헌 1에서는, 노즐로부터 처리 대상물의 상면에 이르는 액체의 유하 경로를 촬상 시야에 포함시켜 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 노즐로부터의 액체의 유하 상태를 판정한다.
그런데, 처리액 공급 노즐로부터의 토출 상태를 판정하는 검사 등의, 기판 처리 장치의 검사에는, 고정밀도화가 요구되고 있다. 이 고정밀도화를 위해서는, 검사에 촬상 화상을 이용하는 경우, 고품질의 촬상 화상을 취득할 필요가 있다. 이 점에 관하여, 특허문헌 1에는 아무런 개시도 시사도 되어 있지 않다.
그래서, 본 개시에 따른 기술은, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킨다.
이하, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 검사 방법을, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
(제1 실시형태)
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는, 정면도와 배면도이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)이 피처리 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여 도포 처리 및 현상 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템인 경우를 예로 하여 설명한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)을 갖는다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)은, 카세트 스테이션(10)과, 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 교환을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 마련되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도면의 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.
제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예컨대 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 밑에서부터 이 순서로 배치되어 있다.
현상 처리 장치(30)는, 웨이퍼(W)를 현상 처리한다.
하부 반사 방지막 형성 장치(31)는, 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성한다.
레지스트막 형성 장치(32)는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성한다.
상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성한다.
예컨대 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향에 3개 배열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예컨대 웨이퍼(W) 상에 정해진 처리액을 이용한 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예컨대 처리액 공급 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 처리액을 토출하며, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.
제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다.
열처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각이라고 하는 열처리를 행한다.
애드히젼 장치(41)는, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 것이다.
주변 노광 장치(42)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 노광한다.
이들 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(70)는 각각, 예컨대 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(70a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 상하에 복수대 배치되어 있고, 각 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 예컨대 각 블록(G1∼G4)의 같은 정도의 높이의 정해진 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 블록(G4)의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예컨대 X방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(90a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(100a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암(100a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(101) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
여기서, 전술한 레지스트막 형성 장치(32)의 구성에 대해서 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 도 4는 레지스트막 형성 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이고, 도 5는 레지스트막 형성 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
레지스트막 형성 장치(32)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(110)를 가지고 있다. 처리 용기(110)의 측면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(111)가 형성되고, 반입출구(111)에는 개폐 셔터(112)가 마련되어 있다.
처리 용기(110) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부로서의 스핀 척(120)이 마련되어 있다. 이 스핀 척(120)은, 수평인 상면을 가지고, 그 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(120) 상에 흡착 유지할 수 있다.
스핀 척(120)은, 예컨대 모터 등을 구비한 척 구동부(121)에 의해 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(121)에는, 예컨대 실린더 등의 승강 구동 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있어, 스핀 척(120)은 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 스핀 척(120)의 하방에는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 마련되어 있다.
또한, 처리 용기(110) 내에는, 스핀 척(120)에 유지되는 웨이퍼(W)를 둘러쌀 수 있도록 스핀 척(120)에 대하여 컵(122)이 마련되어 있다. 컵(122)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수한다.
도 5에 나타내는 바와 같이 컵(122)의 X 방향 부방향(도 5의 하방향)측에는, Y 방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(130)이 형성되어 있다. 레일(130)은, 예컨대 컵(122)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 5의 우방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(130)에는, 아암(131)이 마련되어 있다.
아암(131)에는, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 공급하는, 처리액 공급부로서의 레지스트액 공급 노즐(132)이 지지되어 있다. 아암(131)은, 노즐 구동부(133)에 의해, 레일(130) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 공급 노즐(132)은, 컵(122)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(134)로부터 컵(122) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 그 웨이퍼(W)의 표면의 상방을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(133)에 의해, 아암(131)은 승강 가능하여, 레지스트액 공급 노즐(132)의 높이를 조절할 수 있다. 레지스트액 공급 노즐(132)은, 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치(M)에 접속되어 있다.
또한, 처리 용기(110) 내에는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면을 촬상 영역에 포함하는, 촬상부로서의 카메라(140)가 마련되어 있다. 카메라(140)의 촬상 영역은, 검사에 필요한 촬상 범위가 포함되어 있으면, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 아니라 웨이퍼(W)의 표면의 일부만이 포함되도록 설정되어 있어도 좋다. 이 카메라(140)는, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되도록, 예컨대, 처리 용기(110)의 천장벽(113)에 고정 부재(도시하지 않음)를 통해 고정되어 있다. 카메라(140)에는, 예컨대 CCD 카메라를 이용할 수 있다.
카메라(140)는, 검사 시, 정해진 프레임 레이트로 촬상을 행한다. 또한, 검사 시와, 검사에 앞서 행해지는 후술하는 사전 검사 시에, 촬상 간격이나 그 카메라(140)가 갖는 촬상 소자의 노광 시간은 상이하다.
또한, 처리 용기(110) 내에는, 카메라(140)의 촬상 영역에 광을 조사하는 광원(150)이 마련되어 있다. 광원(150)은, 평면에서 보아 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)를 카메라(140)와의 사이에 끼우는 위치로서, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되어 있다. 이 광원(150)은, 예컨대, 컵(122)의 내벽 상방에 고정되어 있다. 광원(150)은, 섬광(순간적으로 발생되는 광)을 발하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.
카메라(140)에 의한 촬상의 타이밍이나 광원(150)의 발광 타이밍은 후술하는 제어부(200)에 의해 제어되고, 또한, 카메라(140)에서의 촬상 결과는 그 제어부(200)에 출력되어, 검사 등에 이용된다.
이상과 같이 구성되는 기판 처리 시스템(1)에는, 제어부(200)가 마련되어 있다.
제어부(200)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다.
다음에, 레지스트막 형성 장치(32)의 검사 시에 있어서의 제어부(200)의 동작에 대해서 설명한다. 도 6은 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 중의 검사에 이용되는 카메라(140)의 촬상 결과에 있어서의 검사 대상 부분의 설명도이며, 카메라(140)의 촬상 화상의 일례를 나타내고 있다. 도 7은 웨이퍼(W)의 방향을 따라 외란광이 촬상 결과에 영향을 끼치는 것을 설명하는 도면이며, 웨이퍼(W)의 촬상 화상을 모식적으로 나타낸 것이고, 도 7의 (a)와 도 7의 (b)에서는 웨이퍼(W)의 방향이 상이하다. 또한, 도 7에 있어서, 부호 N은 웨이퍼(W)의 방향의 기준이 되는 노치를 나타내고 있다.
제어부(200)는, 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 시의 검사를, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하여 행한다. 예컨대, 제어부(200)는, 카메라(140)에서의 촬상 결과를 검사 대상 부분으로 잘라내고, 그 잘라낸 촬상 결과에 기초하여, 레지스트막 형성 장치(32)의 검사를 행한다. 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 검사 대상 부분(P)은, 웨이퍼(W)의 표면의 중앙 부근에 대응하는 부분이다. 이와 같이 검사 대상 부분(P)이 설정된 경우, 제어부(200)는, 예컨대, 검사 대상 부분(P)의 촬상 결과에 기초하여, 웨이퍼(W) 중앙의 액막이 원하는 외주 형상을 갖는지의 여부의 판정(검사)을 행한다. 액막의 외주 형상은, 촬상 화상에 있어서의 휘도의 차(명암)에 기초하여 취득할 수 있고, 또한, 전술한 판정은, 예컨대 기준 화상과의 패턴 매칭에 의해 행해진다. 기준 화상은 미리 취득되어 기억부(도시하지 않음)에 기억되어 있다. 또한, 검사 대상 부분이나 검사의 내용은 전술한 것에 한정되지 않는다.
또한, 제어부(200)는, 검사를 위해 카메라(140)로 촬상할 때의 광원(150)의 발광 타이밍을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중인, 레지스트막 형성 장치(32) 내에서의 웨이퍼(W)의 방향(이하, 「웨이퍼(W)의 방향」이라고 생략하는 경우가 있음)에 기초하여, 상기 발광 타이밍을 제어한다. 이와 같이 발광 타이밍을 제어하는 이유는, 이하와 같다.
카메라(140)의 촬상 영역에는, 전술한 바와 같이, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면이 포함된다. 웨이퍼(W)의 표면에 IC(Integrated Circuit) 패턴이 형성되어 있는 경우, 광원(150)으로부터 출사되어 IC 패턴으로 반사된 광 즉 외란광이 촬상 결과에 부여하는 영향이, 웨이퍼(W)의 방향에 따라 변한다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 방향이 도 7의 (a)일 때에, 촬상 화상에 있어서 외란광에 의해 웨이퍼(W)의 중앙 부근의 휘도가 높아졌다고 한다. 이 경우에, 웨이퍼(W)의 방향이 도 7의 (a)의 상태로부터 90도 회전한 도 7의 (b)일 때에, 웨이퍼(W)의 외주 부근에 있어서 촬상 화상의 휘도가 높아지는 경우가 있다. 그리고, 촬상 결과에 있어서, 외란광에 의해 휘도가 높아지는 부분이, 검사 대상 부분과 중첩되는 경우, 촬상 결과에 기초한 검사를 정확하게 행할 수 없다.
그 때문에, 제어부(200)는, 전술한 바와 같이, 검사를 위해 카메라(140)로 촬상할 때의 광원(150)의 발광 타이밍을, 스핀 척(120)에 유지되어 회전중인 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 광원(150)을 발광시킨 경우에 촬상 결과의 검사 대상 부분의 휘도가 높아지는 타이밍에는 발광하지 않도록, 상기 발광 타이밍을 결정하고, 그 결정한 발광 타이밍에 광원(150)을 제어한다. 보다 구체적으로는, 제어부(200)는, 광원(150)을 발광시킨 경우에 촬상 결과의 검사 대상 부분의 휘도가 높아지는 웨이퍼(W)의 방향, 즉, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을, 검사에 앞서 판정한다. 그 판정 결과에 기초하여, 제어부(200)는, 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하고, 웨이퍼(W)의 방향이 광원(150)의 발광 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 방향으로서 적절한 경우에만 광원(150)이 발광하도록 한다. 그리고, 제어부(200)는, 발광 타이밍의 결정 결과에 따라 광원(150)을 제어하면서 카메라(140)에 의해 촬상시켜, 촬상 결과에 기초하여 검사를 행한다. 상기 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정 방법에 대해서는 후술한다. 또한, 이하에서는, 「광원(150)의 발광 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 방향으로서 부적절」한 것을, 「부적절」한 등으로 생략하는 경우가 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열 처리되어, 온도 조절된다.
다음에 웨이퍼(W)는 애드히젼 장치(41)에 반송되어, 애드히젼 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 블록(G1)의 레지스트막 형성 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열처리와 동일한 처리가 행해지고, 또한, 후술하는 상부 반사 방지막 형성 후의 열처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트 베이크 처리에 있어서도 동일한 처리가 행해진다. 단, 각 열처리에 제공되는 열처리 장치(40)는 서로 상이하다.
다음에 웨이퍼(W)는, 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 노광 장치(12)에 반송되어, 정해진 패턴으로 노광 처리된다.
계속해서, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 예컨대 현상 처리 장치(30)에 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 카세트 배치판(21)의 카세트(C)에 반송되고, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료한다.
여기서, 레지스트막 형성 장치(32)에 있어서의 처리에 대해서 상세하게 서술한다.
레지스트막 형성 장치(32)에서는, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하는 검사를 행하면서 레지스트막을 형성해 간다. 이 검사나 레지스트막의 형성에 앞서, 웨이퍼(W)마다 행해지는 사전 처리로서, 제어부(200)는, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하는 처리를 행한다.
따라서, 스핀 척(120)의 상면에서 웨이퍼(W)가 흡착 유지되면, 전술한 부적절한 방향의 판정에 이용하는 촬상 결과를 취득하기 위해, 제어부(200)는, 레지스트액 공급 노즐(132)을 후퇴시킨 상태인 채로, 카메라(140) 등을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상이 행해지도록, 스핀 척(120), 카메라(140), 광원(150)을 제어한다. 보다 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향을 스핀 척(120)의 회전축 둘레로 정해진 각도(분할 각도)씩 어긋나게 한 복수의 상태 각각으로, 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 촬상이 행해지도록, 제어를 행한다.
이 제어는, 예컨대, 스핀 척(120)에 의해 저회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 척 구동부(121) 내에 마련된 인코더(도시하지 않음)로부터의 출력 신호에 기초하여 행해진다. 여기서 이용되는 인코더로부터의 출력 신호란, 스핀 척(120)이 1회전할 때마다 출력되는 Z상 신호와, 스핀 척(120)이 1회전하는 동안에 정해진 횟수 출력되는 A상 신호(또는 B상 신호)이다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 방향을, 스핀 척(120)의 기준 각도로부터의 어긋남으로 나타내는 것으로 하였을 때, 제어부(200)는, 상기 인코더로부터의 Z상 신호가 시작되었을 때를, 웨이퍼(W)의 방향을 0도로 한다. 또한, 제어부(200)는, 상기 분할 각도에 상당하는 수의 A상 신호(또는 B상 신호)가 인코더에 입력될 때마다, 카메라(140)의 촬상 소자를 정해진 시간 노광시키며 그 촬상 소자로부터 촬상 결과를 출력시킨다. 도 8은 카메라(140)의 촬상 소자의 노광 타이밍 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력 타이밍의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 도면의 타이밍 차트는, 스핀 척(120)이 1회전하는 동안에 A상 신호 및 B상 신호가 5400회 출력되고, 상기 분할 각도를 2도로 할 때의 것이다. 이 타이밍 차트에 기초한 제어에 따르면, A상이 30회 입력될 때마다, 상기 촬상 소자의 노광 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력이 행해져, 웨이퍼(W)의 방향이 2°씩 어긋난 촬상 결과를, 웨이퍼(W)가 1회전하는 분, 계 180장 취득할 수 있다.
촬상 결과가 취득되면, 제어부(200)는, 촬상 결과마다, 그 촬상 결과에 있어서의 검사 대상 부분(예컨대 도 6의 부호 P 참조)의 휘도를 추출한다. 추출하는 휘도는, 예컨대, 검사 대상 부분에 포함되는 화소의 휘도값의 평균값이다.
그리고, 제어부(200)는, 촬상 결과마다, 추출한 휘도에 기초하여, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부를 판정한다. 예컨대, 촬상 결과로부터 추출한 휘도가 정해진 임계값보다 큰 경우, 제어부(200)는, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하다고 판정한다.
도 9는 웨이퍼(W)의 방향이 2°씩 어긋난 촬상 결과 각각과 휘도값의 관계를 나타내는 도면이다. 제어부(200)는, 도 9의 촬상 결과 및 휘도값이 얻어진 경우, 휘도값이 임계값(도면의 예에서는 150)을 넘는 웨이퍼(W)의 방향이 136∼144° 또는 316∼324°인 촬상 결과에 대해서, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하다고 판정한다.
또한, 제어부(200)는, 촬상 결과마다의 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부의 판정 결과를, 웨이퍼(W)의 방향마다의, 상기 부적절한지의 여부의 판정 결과로서 기억한다.
이에 따라 사전 처리가 종료한다.
사전 처리 후, 레지스트막의 형성 및 검사가 행해진다. 검사는 레지스트막을 형성하기 위한 각 처리로 행해지기 때문에, 먼저, 레지스트막의 형성에 대해서 설명한다.
레지스트막의 형성 시, 제어부(200)는, 먼저, 웨이퍼(W)의 중심부 상방에 레지스트액 공급 노즐(132)을 이동시켜, 웨이퍼(W)를 저회전수(예컨대 300 rpm)로 회전시키면서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 처리를 행한다.
그리고 레지스트액 공급 노즐(132)로부터의 레지스트액의 공급 시간이 정해진 길이에 달한 시점에서, 웨이퍼(W)의 회전수를 유지한 채로, 레지스트액의 공급을 정지한다. 계속해서 레지스트액 공급 노즐(132)을 후퇴시키며, 고회전수(예컨대 3000 rpm)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된 레지스트액을 웨이퍼(W)의 전체면에 확산시켜 정해진 막 두께의 도포막을 형성하는 확산 처리를 행한다. 다음에, 정해진 회전수(예컨대 1500 rpm)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 도포막을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 그 후, 스핀 척(120)에 흡착 유지되어 있던 웨이퍼(W)가 레지스트막 형성 장치(32)로부터 반출되고, 다음 웨이퍼(W)가 반입된다.
전술한 액막 형성 처리, 확산 처리, 건조 처리 각각에 있어서, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하는 검사가 행해진다.
각 처리에 있어서의 검사용의 촬상 시, 광원(150)의 발광 타이밍은, 사전 처리에서 얻어진, 웨이퍼(W)의 방향으로서 부적절한 방향의 판정 결과에 기초하여 결정된다. 구체적으로는, 각 처리에 있어서의 검사용의 촬상 시, 상기 발광 타이밍은, 사전 처리에서 기억된, 웨이퍼(W)의 방향마다의, 그 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부의 판정 결과에 기초하여 결정된다. 보다 구체적으로는, 상기 발광 타이밍은, 상기 판정 결과, 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라(140)의 프레임 레이트에 기초하여 결정된다.
도 10은 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라의 프레임 레이트와, 상기 발광 타이밍의 관계를 설명하는 도면이다.
여기서, 예컨대, 사전 처리에서 도 9에 나타내는 것 같은 촬상 결과 및 휘도값이 얻어져 있는 것으로 하며, 웨이퍼(W)의 회전수가 900 rpm, 프레임 레이트가 60 fps인 것으로 한다. 이때, 도 10에 나타내는 바와 같이, n 프레임째와 n+2 프레임째는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절해지는 시간이 존재하지 않고, n+1 프레임째와 n+3 프레임째는 중간의 시간대에 웨이퍼(W)의 방향이 부적절해지는 시간이 존재하는 경우가 있다.
이 경우, 제어부(200)는, n 프레임째, n+2 프레임째에서는 항시 발광하고, n+1 프레임, n+3 프레임째에서는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한 경우에 발광하지 않고 그 이외의 경우는 발광하도록 발광 타이밍을 결정한다.
또한, 제어부(200)는, 프레임마다의 발광 타이밍을 공통으로 하며, 동일 프레임 내에 있어서의 일부의 시간에서만 발광시키고, 이에 의해, 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한 경우에 발광시키지 않도록 하여도 좋다. 구체적으로는, 프레임과 촬상 결과와 휘도값의 관계가 도 10과 같은 경우, 예컨대, 각 프레임의 전반 1/3의 시간 및 후반 1/3의 시간 중 적어도 어느 한쪽에서만 발광하는 발광 타이밍으로 하여도 좋다.
그리고, 검사 시, 제어부(200)는, 인코더로부터의 출력과, 결정한 상기 발광 타이밍에 기초하여, 광원(150)을 제어하면서 카메라(140)에 촬상시킨다. 이에 의해, 검사에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라(140)의 프레임 레이트에 의하지 않고, 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하지 않은 타이밍에 광원(150)이 발광한 촬상 결과, 즉, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 촬상 결과를 취득할 수 있다. 그 때문에, 상기 촬상 결과에 기초한 검사를 정확한 것으로 할 수 있다.
또한, 검사의 결과, 불량인 경우, 그 검사에 대응하는 처리는 중지되며, 이후의 처리는 행해지지 않고, 웨이퍼(W)는 레지스트막 형성 장치(32)로부터 반출된다.
본 실시형태에 따르면, 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 시의 검사에 이용되는 카메라(140)에 의한 촬상 결과를 취득할 때에, 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중인 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여, 광원(150)의 발광 타이밍을 제어한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 것을 취득할 수 있다. 즉, 상기 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킬 수 있다. 따라서, 촬상 결과에 기초한 상기 검사를 정확하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 전술한 사전 처리로, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 실제로 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상을 행한다. 그리고, 촬상 결과에 기초하여, 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하고, 판정 결과에 기초하여, 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 것을 정확하게 취득할 수 있다.
(제1 실시형태의 변형예)
이상의 실시형태에서는, 웨이퍼(W)마다, 사전 처리를 행하여, 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하는 것으로 하였다.
단, 동일 로트의 웨이퍼(W)에 있어서, 형성되어 있는 IC 패턴이 공통일 때에 있어서, 이하의 조건 (A), (B)를 만족하는 경우는, 로트의 1장째의 웨이퍼(W)에만, 사전 처리를 행하여 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하도록 하여도 좋다. 그리고, 그 판정 결과에 기초하여 결정되는 발광 타이밍에 광원(150)을 제어하면서, 동일 로트의 다른 웨이퍼(W)에 대해서도 검사를 행하여도 좋다.
(A) 레지스트막 형성 장치(32)에 반입되어 스핀 척(120)에 배치될 때의 웨이퍼(W)의 방향이 동일 로트 내에서 공통
(B) 레지스트막 형성 장치(32)에 반입되어 스핀 척(120)에 배치될 때의 스핀 척(120)의 방향이 항상 일정
또한, 상기 (A)를 만족하는 경우란, 예컨대 로트 내에서의 웨이퍼(W)의 방향 및 반송 경로가 공통인 경우이다. 또한, 로트 내에서 웨이퍼(W)의 방향을 공통으로 하는 것 대신에, 반송 경로의 도중에 있어서, 각 웨이퍼(W)의 노치 위치를 맞춤으로써 웨이퍼(W)의 방향을 일치시키는 기구를 마련하여도 좋다.
(제2 실시형태)
도 11은 제2 실시형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
제1 실시형태에 있어서의, 카메라(140)의 촬상 결과에 기초한 검사에서는, 검사 대상 부분은 웨이퍼(W)의 표면에 설정되어 있었다. 그러나, 검사 대상 부분은 레지스트액 공급 노즐(132)에 설정되는 경우도 있다. 또한, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면과 레지스트액 공급 노즐(132)의 양방에 설정되는 경우도 있다.
이와 같이, 검사 대상 부분이 복수 있는 경우, 검사 대상 부분마다, 즉, 검사마다, 상이한 광원이 이용되어도 좋다.
도 11의 레지스트막 형성 장치(32)는, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면인 검사를 위한 광원(150) 외에, 검사 대상 부분이 레지스트액 공급 노즐(132)인 검사를 위한 다른 광원(160)이 처리 용기(110) 내에 마련되어 있다. 광원(150) 및 광원(160)은 함께, 카메라(140)의 촬상 영역에 광을 조사하는 것이지만, 광원(150)은 주로 웨이퍼(W)에 광을 조사하고, 광원(160)은 주로 레지스트액 공급 노즐(132)에 광을 조사한다.
광원(160)은, 광원(150)과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되어 있다. 이 광원(160)은, 예컨대, 처리 용기(110)의 천장벽(113)에 고정 부재(도시하지 않음)를 통해 고정되어 있다. 광원(160)도, 섬광을 발하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.
또한, 광원(160)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사 시도, 광원(150)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사 시와 마찬가지로, 광원(160)의 발광 타이밍을 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중의 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여 제어한다.
단, 광원(160)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사와, 광원(150)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사를 행하는 경우, 제어부(200)는, 검사마다 따로따로 촬상이 행해지도록 카메라(140)를 제어한다.
제어부(200)는, 전술한 바와 같이 2가지의 검사를 행하는 경우, 예컨대, 카메라(140)의 촬상 프레임마다, 검사의 종류를 전환, 즉, 검사 대상 부분 및 검사에 이용하는 광원을 전환한다. 구체적으로는, 예컨대, 홀수 프레임의 촬상 시는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 광원(150)을 이용하여, 촬상 결과로부터 검사 대상 부분으로서의 웨이퍼(W)의 표면의 부분을 잘라내어 검사를 행한다. 그리고, 짝수 프레임의 촬상 시는 광원(160)을 이용하여, 촬상 결과로부터 검사 대상 부분으로서의 레지스트액 공급 노즐(132)의 부분을 잘라내어 검사를 행한다.
또한, 제어부(200)는, 검사 시의 광원(160)의 발광 타이밍의 결정에 있어서, 검사 시의 광원(150)의 발광 타이밍의 결정 시와 마찬가지로, 검사에 앞선 사전 처리에 있어서, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 광원(160)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상이 행해지도록, 스핀 척(120), 카메라(140), 광원(160)을 제어한다. 그리고, 촬상 결과에 기초하여, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정한다.
또한, 사전 처리 시에 있어서, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정과, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정을 행하기 위해, 광원(150)과 광원(160)에서는 광의 출사 타이밍이 상이하다.
단, 광원(150)과 광원(160)에서 출사하는 광의 파장이 서로 상이한 경우는, 광원(150)과 광원(160)에서 광의 출사 타이밍을 동시로 하여도 좋다. 그리고, 같은 촬상 결과에 기초하여, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정과, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정을 행하여도 좋다. 제어부(200)는, 이 판정 결과에 기초하여, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면인 검사 시의 광원(150)의 발광 타이밍과, 검사 대상 부분이 레지스트액 공급 노즐(132)인 검사 시의 광원(160)의 발광 타이밍을 결정한다. 이에 의해, 검사 대상 부분이 복수 있는 경우에 사전 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 검사 대상의 처리는, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급하여 액막을 형성하는 처리 등인 것으로 하였지만, 검사 대상의 처리는, 이에 한정되는 일없이, 웨이퍼(W) 상의 불요물을 제거하기 위한 세정 처리 등, 다른 처리여도 좋다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과,
상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부를 갖는, 기판 처리 장치.
상기 (1)에 따르면, 촬상부에서의 촬상 결과에 기초한 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사 시에, 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여, 광원의 발광 타이밍을 제어한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과의 품질을 향상시킬 수 있다. 따라서, 촬상 결과에 기초한 상기 검사를 정확하게 행할 수 있다.
(2) 상기 제어부는,
상기 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원으로부터 광을 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 촬상부 및 상기 광원을 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
상기 판정 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하는, 상기 (1)에 기재된 기판 처리 장치.
상기 (2)에 따르면, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 품질이 높은 것을 보다 확실하게 취득할 수 있다.
(3) 상기 검사에 있어서의 상기 발광 타이밍을, 상기 부적절한 피처리 기판의 방향의 판정 결과, 피처리 기판의 회전수 및 상기 촬상부의 프레임 레이트에 기초하여 결정하는, 상기 (2)에 기재된 기판 처리 장치.
상기 (3)에 따르면, 피처리 기판의 회전수 및 촬상부의 프레임 레이트에 따르지 않고, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 품질이 높은 것을 보다 확실하게 취득할 수 있다.
(4) 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 다른 검사 시에 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 다른 광원을 가지고,
상기 제어부는,
상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하며, 상기 검사를 위한 촬상과 상기 다른 검사를 위한 촬상이 따로따로 행해지도록 상기 촬상부를 제어하는, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치.
(5) 상기 광원과 상기 다른 광원은 서로 상이한 파장의 광을 조사하고,
상기 제어부는,
상기 검사 및 상기 다른 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원 및 상기 다른 광원으로부터 광을 동시에 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 유지부, 상기 광원, 상기 다른 광원 및 상기 촬상부를 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향과, 상기 다른 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
상기 판정 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍과 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을 결정하는, 상기 (4)에 기재된 기판 처리 장치.
상기 (5)에 따르면, 2개의 광원을 이용하여 광원마다의 검사를 행하는 경우에, 검사에 앞서 행해지는, 광원의 발광 타이밍을 결정하는 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.
(6) 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 검사하는 검사 방법으로서,
상기 기판 처리 장치는,
피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원을 가지고,
상기 검사 방법은,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판을 회전시키면서, 그 피처리 기판의 방향에 기초한 발광 타이밍에 상기 광원을 발광시켜, 상기 촬상부에서 촬상하는 공정과,
상기 촬상 공정에서의 촬상 결과에 기초하여 검사를 행하는 공정을 갖는, 검사 방법.

Claims (6)

  1. 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
    상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과,
    상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원으로부터 광을 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 촬상부, 및 상기 광원을 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
    상기 판정의 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하는
    것인, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검사에 있어서의 상기 발광 타이밍을, 상기 부적절한 피처리 기판의 방향의 판정 결과, 피처리 기판의 회전수, 및 상기 촬상부의 프레임 레이트에 기초하여 결정하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 다른 검사 시에 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 다른 광원을 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하며, 상기 검사를 위한 촬상과 상기 다른 검사를 위한 촬상이 따로따로 행해지도록 상기 촬상부를 제어하는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광원과 상기 다른 광원은 서로 상이한 파장의 광을 조사하고,
    상기 제어부는,
    상기 검사 및 상기 다른 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원 및 상기 다른 광원으로부터 광을 동시에 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 광원, 상기 다른 광원, 및 상기 촬상부를 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향과, 상기 다른 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
    상기 판정의 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍과 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을 결정하는
    것인, 기판 처리 장치.
  6. 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 검사하는 검사 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
    상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원
    을 포함하고,
    상기 검사 방법은,
    상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판을 회전시키면서, 상기 피처리 기판의 방향에 기초한 발광 타이밍에 상기 광원을 발광시켜, 상기 촬상부에서 촬상하는 공정과,
    상기 촬상하는 공정에서의 촬상 결과에 기초하여 검사를 행하는 공정
    을 포함하는, 검사 방법.
KR1020190121721A 2018-10-05 2019-10-01 기판 처리 장치 및 검사 방법 Active KR102687102B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190220A JP7090005B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 基板処理装置及び検査方法
JPJP-P-2018-190220 2018-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200039577A KR20200039577A (ko) 2020-04-16
KR102687102B1 true KR102687102B1 (ko) 2024-07-19

Family

ID=70110795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190121721A Active KR102687102B1 (ko) 2018-10-05 2019-10-01 기판 처리 장치 및 검사 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7090005B2 (ko)
KR (1) KR102687102B1 (ko)
CN (1) CN111009460B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102539402B1 (ko) * 2020-06-17 2023-06-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이물 검사 기판, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
JP2023133909A (ja) * 2022-03-14 2023-09-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2025029415A (ja) * 2023-08-21 2025-03-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036235A (ja) 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH115056A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP3835954B2 (ja) 1999-08-09 2006-10-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2001168010A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板の検査方法及び検査装置
JP4656440B2 (ja) * 2007-02-13 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板位置検出装置及びその撮像手段位置調整方法
JP5396809B2 (ja) * 2008-10-17 2014-01-22 ソニー株式会社 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法
JP2011196897A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Nikon Corp 検査装置
JP2011226826A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Sharp Corp 固体撮像素子の検査装置及び検査方法
JP5479253B2 (ja) * 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5567919B2 (ja) * 2010-07-16 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5672204B2 (ja) 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5880265B2 (ja) * 2012-05-07 2016-03-08 株式会社ダイフク 基板収納設備
JP2014082288A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Canon Inc 露光方法、露光装置および物品の製造方法
JP2015096830A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5766316B2 (ja) * 2014-02-12 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6254929B2 (ja) * 2014-11-26 2017-12-27 東京エレクトロン株式会社 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体
JP6329923B2 (ja) * 2015-06-08 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の検査方法、コンピュータ記憶媒体及び基板検査装置
JP6541491B2 (ja) 2015-07-29 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 流下判定方法、流下判定装置および吐出装置
JP2018054429A (ja) 2016-09-28 2018-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検出方法および検出装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036235A (ja) 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200039577A (ko) 2020-04-16
JP7090005B2 (ja) 2022-06-23
JP2020061417A (ja) 2020-04-16
CN111009460B (zh) 2024-07-30
CN111009460A (zh) 2020-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6444909B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102768432B1 (ko) 기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체
KR102687102B1 (ko) 기판 처리 장치 및 검사 방법
TWI660167B (zh) 基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法
KR102772097B1 (ko) 범프 높이 검사 장치, 기판 처리 장치, 범프 높이 검사 방법, 기억 매체
KR20180015652A (ko) 기판의 검사 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 검사 장치
KR102560788B1 (ko) 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체
JP7202828B2 (ja) 基板検査方法、基板検査装置および記録媒体
KR200487281Y1 (ko) 기판 검사 장치
KR102749664B1 (ko) 기판 처리 장치 및 검사 방법
JP2011145193A (ja) 欠陥検査装置
JP7521979B2 (ja) 基板検査装置
JP4914854B2 (ja) 欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TW201921116A (zh) 基板位置調整方法、記憶媒體及基板處理系統
JP2014109436A (ja) 基板の欠陥検査方法、基板の欠陥検査装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5575691B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5837150B2 (ja) 基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR102469678B1 (ko) 성막 시스템, 성막 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2001168010A (ja) 基板の検査方法及び検査装置
JP2021174833A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW202217464A (zh) 檢查裝置及基板搬送方法
JP2017092306A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2019050417A (ja) 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20191001

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20220701

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20191001

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20240421

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20240717

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20240717

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration