CN110470229A - 凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质 - Google Patents

凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN110470229A
CN110470229A CN201910383662.4A CN201910383662A CN110470229A CN 110470229 A CN110470229 A CN 110470229A CN 201910383662 A CN201910383662 A CN 201910383662A CN 110470229 A CN110470229 A CN 110470229A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
substrate
convex block
height
filming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910383662.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110470229B (zh
Inventor
奥园贵久
富田正辉
藤方淳平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN110470229A publication Critical patent/CN110470229A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110470229B publication Critical patent/CN110470229B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608—Height gauges
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00—Pattern recognition
    • G06F18/20—Analysing
    • G06F18/22—Matching criteria, e.g. proximity measures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/60—Analysis of geometric attributes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1146—Plating
    • H01L2224/11462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/117—Manufacturing methods involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质，以使得能够简化凸块高度的检查。凸块高度检查装置具备：照明装置，对具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块的基板照射光；拍摄装置，拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及控制装置，基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值来评价上述凸块的高度。

Description

凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存 储介质
技术领域
本发明涉及凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法、以及储存有用于使计算机执行控制凸块高度检查装置的方法的程序的存储介质。
背景技术
在电镀装置中，测量电镀处理后的基板的电镀膜厚，在电镀膜厚存在异常的情况下进行中止电镀处理。例如，从电镀后的基板剥离抗蚀剂，利用电镀装置外部的膜厚测量装置测量电镀膜厚。该情况下，存在在把握电镀膜厚的异常之前持续基板的电镀处理，产生大量膜厚分布存在异常的基板的情况。
作为在电镀装置内设置膜厚测量装置的例子，日本特开2002－190455公报(专利文献1)中记载有具备测量电镀前后的膜厚的电镀前后膜厚测量装置的半导体制造装置。在该构成中，需要由电镀前后膜厚测量装置进行的电镀前后的膜厚测量，所以有可能导致生产率的降低。
另外，日本特开2002－190455公报(专利文献1)中记载了第一定位仪兼膜厚测量单元以及第二定位仪兼膜厚测量单元，但是由于需要由第一定位仪兼膜厚测量单元进行的电镀前的基板的膜厚测量和由第二定位仪兼膜厚测量单元进行的电镀后的基板的膜厚测量，所以有可能导致生产率的降低或者由于按不同目的设置膜厚测量单元而有可能装置成本增大。
专利文献1：日本特开2002－190455公报。
发明内容
本发明的目的在于解决上述的课题的至少一部分。
根据本发明的一侧面，提供了一种凸块高度检查装置，具备：照明装置，对基板照射光，上述基板具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块；拍摄装置，拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及控制装置，基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
根据本发明的一侧面，提供了一种基板处理装置，具备：基板处理部，具有处理基板的1个或者多个基板处理单元；干燥装置，用于干燥上述基板处理后的上述基板；凸块高度检查装置，设置于上述干燥装置；以及控制装置，控制上述基板处理部、上述干燥装置以及凸块高度检查装置，上述凸块高度检查装置具有：照明装置，对上述基板照射光；以及拍摄装置，拍摄上述基板上的抗蚀剂以及凸块的图案，上述控制装置基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的整体配置图。
图2是一个例子所涉及的凸块高度检查装置的概略结构图。
图3A是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围的说明图。
图3B是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围的说明图。
图3C是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围的说明图。
图3D是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围的说明图。
图4是其他的例子所涉及的凸块高度检查装置的概略结构图。
图5是表示由拍摄装置进行的有效拍摄范围的扫描的说明图。
图6表示基板处理装置中的处理的整体流程。
图7是凸块高度检查处理的流程图。
图8是使用图2的构成的凸块高度检查装置的情况下的拍摄处理(图7的S22)的详细流程图。
图9是使用图4的构成的凸块高度检查装置的情况下的拍摄处理(图7的S22)的详细流程图。
图10是对在基板形成的凸块的高度的差异进行说明的说明图。
图11A表示本实施方式所涉及的凸块高度的测量原理。
图11B表示本实施方式所涉及的凸块高度的测量原理。
图12A表示拍摄凸块高度正常时的基板上的凸块的图案得到的图像例。
图12B表示拍摄凸块高度存在异常时的基板上的凸块的图案得到的图像例。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的各实施方式中，对相同或者相当的部件标注相同的附图标记，并省略重复的说明。另外，在本说明书中，使用“上”、“下”、“左”、“右”等表现，但为了方便说明，这些表现表示例示的附图的纸面上的位置、方向，在装置使用时等实际的配置中存在不同的情况。另外，某部件和其他的部件“相对于基板位于相反的一侧”是指以与基板的任意一个基板面相对的方式配置的部件和以和与其相反的一侧的基板面相对的方式配置其他的部件。此外，在基板中，有在任意一方的面形成有布线的情况，在两方的面形成有布线的情况。
图1是本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的整体配置图。在该例子中，基板处理装置100是电镀装置。这里，举出电镀装置为例来进行说明，但本发明能够应用于任意的电镀装置。
基板处理装置100被大致分为将作为被处理物的基板W装载到作为基板保持部件的基板支架11、或者从基板支架11卸载基板W的装载/卸载部101A、和处理基板W的处理部101B。基板W包括圆形、方形、其他的任意形状的被处理物。另外，基板W包括半导体晶片、玻璃基板、液晶基板、印刷电路基板、其他的被处理物。基板支架11例如具备第一以及第二保持部件(省略图示)，利用第一保持部件和第二保持部件夹持并保持基板W。在基板支架11设置有使基板W的一面或者两面露出的开口部，并设置有用于与基板W的外周部接触以供给电流的电极(接点)。
装载/卸载部101A具有多个盒工作台102、定位仪104、基板装卸部105、干燥装置106以及配置为检查干燥装置106内的基板W的凸块高度检查装置200。盒工作台102安装收纳有基板W的盒。定位仪104将基板W的定向平面、缺口等的位置对准规定的方向。基板装卸部105具备构成为对基板支架11装卸基板W的1个或者多个基板装卸装置105a。干燥装置106使电镀处理后的基板W高速旋转而使其干燥。在这些单元的中央配置有具备在这些单元之间搬运基板W的搬运机器人103a的基板搬运装置103。
在处理部101B具有进行基板支架11的保管以及临时放置的储料器107、预湿槽108、送风槽109、清洗槽110以及电镀处理部112。在预湿槽108中，电镀处理前的基板W浸渍于纯水中。在清洗槽110中，电镀处理后的基板W与基板支架11一起被清洗液清洗。在送风槽109中，进行清洗后的基板W的排液。电镀处理部112具有具备溢流槽的多个电镀槽112a。各电镀槽112a在内部收纳一个基板W，使基板W浸渍于在内部保持的电镀液中而对基板表面进行铜镀等电镀处理。这里，电镀液的种类并不特别限定，根据用途使用各种电镀液。在本实施方式中，作为一个例子，对通过电镀处理在基板的表面形成凸块的情况进行说明。此外，该基板处理装置100的处理部101B的构成是一个例子，能够采用其他的构成。
基板处理装置100具有位于这些各设备的侧方，且在这些各设备之间搬运基板支架11的采用任意的驱动方式(例如，线性马达方式)的基板支架搬运装置113。该基板支架搬运装置113具有第一传送装置114和第二传送装置115。第一传送装置114以及第二传送装置115在导轨116上行驶。第一传送装置114在基板装卸部105与储料器107之间搬运基板支架11。第二传送装置115在储料器107、预湿槽108、送风槽109、清洗槽110、以及电镀槽112a之间搬运基板支架11。此外，也可以不具备第二传送装置115，而仅具备第一传送装置114，通过第一传送装置114进行上述各部之间的搬运。
包括以上那样构成的基板处理装置100的电镀处理系统具有构成为控制上述的各部的控制装置120。控制装置120具有储存有各种设定数据以及各种程序的存储器120B、执行存储器120B的程序的CPU120A以及构成为通过来自CPU120A的控制指令控制上述的各部的由定序器等构成的装置控制器(未图示)。CPU120A经由以及/或者不经由装置控制器来控制基板处理装置100的各部。控制装置120例如能够由具有CPU120A以及存储器120B的装置计算机和装置控制器构成。
构成存储器120B的存储介质能够包括任意的易失性存储介质、以及/或者任意的非易失性存储介质。存储介质例如能够包括ROM、RAM、硬盘、CD－ROM、DVD－ROM、软盘等任意的存储介质中的1个或者多个。存储器120B也可以是装置100外的存储器。存储器120B储存的程序例如包括进行基板搬运装置103的搬运控制的程序、进行基板装卸部105中的基板针对基板支架的装卸控制的程序、进行基板支架搬运装置113的搬运控制的程序、进行电镀处理部112中的电镀处理的控制的程序、以及控制后述的凸块高度检查装置200所进行的处理的程序。另外，控制装置120构成为能够通过有线或者无线与统一控制基板处理装置100以及其他的相关装置的未图示的上位控制器通信，能够在与上位控制器具有的数据库之间进行数据的交换。
图10是对形成于基板的凸块的高度的差异进行说明的说明图。在该图中，为了方便说明，将形成抗蚀剂层301以及凸块302前的基板的部分表示为基板主体W0。此外，省略了作为用于电镀的供电路径在基板上形成的种子层。在基板主体W0上形成抗蚀剂层301，在形成凸块302的部分对开口部301a进行图案形成。具有这样被进行图案形成后的抗蚀剂层301的状态的基板W被搬入基板处理装置100，通过电镀处理在抗蚀剂层301的开口部301a形成凸块302。凸块302是突起电极，例如，用于将对基板W进行单片化而制成的半导体装置(芯片)或者晶片的状态的半导体装置通过倒装芯片焊接与印刷电路基板、其他的晶片等其他的部件电连接。在图10中，(a)至(c)分别示出通过电镀处理形成有高度不同的凸块302的基板W。图10(b)示出形成有正常的高度范围的凸块302的基板W。图10(a)示出形成有超过正常的高度范围(以下，有简单地称为“高”的情况)的高度的凸块302的基板W。图10(c)示出形成有小于正常的高度范围(以下，有简单地称为“低”的情况)的高度的凸块302的基板W。正常的高度范围例如是凸块302从比抗蚀剂层301的表面低规定高度(Δh)的高度到与抗蚀剂层301的表面齐平以下的范围。若将以基板主体W0的表面为基准的凸块302的高度设为h，将正常的高度的范围设为h1≤h≤h2(h1：下限值，h2：上限值)，则h2是抗蚀剂层301的膜厚，能够表示为Δh＝h2－h1。图10(a)示出h＞h2的情况，图10(b)示出h＜h1的情况。
图11A以及图11B表示本实施方式所涉及的凸块高度的测量原理。在本实施方式中，通过具备拍摄装置201和照明装置202的凸块高度检查装置200测量凸块302的高度。在图11A以及图11B所示的方法中，照明装置202朝向基板上的要检查的凸块，从与基板表面垂直的方向照射光。并且，拍摄装置201朝向基板上的要检查的凸块从相对于基板表面倾斜的方向拍摄。在图11A、图11B中，由φ表示照射角度，由θ表示拍摄角度。在图11A的例子中，示出凸块302的高度h为h1以上并且h2以下的情况(与图10(b)对应)。该情况下，来自照明装置202的光被凸块302反射，并入射到拍摄装置201。由此，通过拍摄装置201，凸块302被以规定的亮度值以上的图像数据成像。如图11B的例子那样，在凸块302的高度h比下限值h1低的情况下，来自照明装置202的光在被凸块302反射之后，被开口部301a的内壁遮挡，或者仅非常小的强度的光入射到拍摄装置201。由此，在拍摄装置201中，凸块302未被拍摄到，或者被以非常小的亮度的图像数据成像。因此，在由拍摄装置201拍摄到的图像数据的亮度值是规定的值以上的情况下，能够判断为凸块302的高度是规定值以上。另外，根据经验可知，在凸块的高度存在异常的情况下，产生小于正常的高度范围的较低的高度和超出正常的高度范围的较高的高度的凸块的情况较多。因此，能够通过将小于下限值h1(小于第一亮度值)的凸块判断为异常(将下限值h1以上(第一亮度值以上)的凸块判断为正常)，来检测凸块高度的异常。从照明装置202对于检查的凸块照射光的照射角度φ与光被凸块反射而到达拍摄装置的拍摄角度θ的关系也可以是与图11A以及图11B所示的方法相反的关系。即，也可以从相对于基板表面倾斜的方向照射光，并从与基板表面垂直的方向检测反射光。优选从照明装置202对于检查的凸块302照射光的照射角度和光被凸块302反射而到达拍摄装置201的拍摄角度不同。
在基板W上形成的凸块302的图案、以及基板W上的全部的凸块302的面积的合计面积(也有仅称为凸块合计面积的情况)预先已知。另外，在抗蚀剂层301的表面，来自照明装置202的光几乎不被反射，或者显著小于被凸块302反射的光的强度。因此，在由拍摄装置201拍摄基板W上的凸块302的图案，且拍摄到的图像数据中规定的亮度值(相当于下限值h1的第一亮度值)以上的区域的面积为规定面积(凸块合计面积的值、或者使凸块合计面积的值具有规定的允许度的值、拍摄范围是基板的一部分的区域的情况下拍摄区域中的凸块合计面积的值或者具有规定的允许度的值)以上的情况下，判断为基板W上的凸块的高度正常，在小于规定面积的情况下，判断为基板W上的凸块的高度有异常(包括高度有异常的凸块)。此外，为了基于拍摄图像数据的亮度值区别小于正常的高度范围的下限值的高度的凸块和下限值以上的高度的凸块，而适当地调整拍摄装置201相对于凸块的拍摄方向(角度)。拍摄方向的调整通过利用后述的调整机构203调整拍摄装置201的倾斜角度以及/或者高度而执行。凸块合计面积、亮度值(下限值以及/或者上限值)例如能够通过方案设定。此外，也可以根据电镀的图案，从拍摄到的图像数据，将电镀位置作为线来图像识别，并基于规定的亮度值(相当于下限值h1的第一亮度值)以上的线的长度，检查电镀高度。该情况下，能够基于亮度值(相当于下限值h1的第一亮度值)以上的线的长度是否是规定长度以上(或者，是否位于规定长度的范围)，来检查电镀的高度。
此外，也可以通过将正常的高度范围的下限值h1以上并且上限值h2以下(第一亮度值以上并且第二亮度值以下)的范围的凸块判断为正常，将该范围外的高度的凸块判断为异常，来检测凸块高度的异常。另外，能够通过将超过上限值h2(超过第二亮度值)的凸块判断为异常(将上限值h2以下(第二亮度值以下)的凸块判断为正常)，来检测凸块高度的异。
此外，凸块合计面积也可以由拍摄装置201拍摄已知凸块高度正常的基板的凸块302的图案，并根据规定的亮度值(例如，相当于下限值h1的第一亮度值)以上的区域的面积求出。
另外，也可以代替如上述那样，基于规定范围、或者规定值以上(规定值以下)的亮度值的区域的面积进行凸块高度检查，而使用凸块高度正常的基板W的图像数据作为基准数据或者教师数据，通过图像匹配执行凸块高度检查。
图12A示出拍摄凸块高度正常时的基板上的凸块的图案得到的图像例。图12B示出拍摄凸块高度有异常时的基板上的凸块的图案得到的图像例。在图12A以及图12B中，下图示出从倾斜方向拍摄时的从拍摄装置观察到的基板表面，上图示出通过拍摄图像数据再现基板的平面视图后的图。在凸块高度正常时的图12A的例子中，在基板W的整个区域中观察规定的亮度值以上的凸块的图案。另一方面，在凸块高度有异常时的图12B的例子中，在基板W的一部分的区域存在亮度值低且较暗的区域(凸块的图案未被拍摄，或者以比正常部分的亮度值低的亮度值拍摄到的凸块的区域)。
图2是一个例子所涉及的凸块高度检查装置的概略结构图。凸块高度检查装置200配置于能够检查干燥装置106内的基板W的位置。在本实施方式中，示出干燥装置106是旋转冲洗干燥机的情况下的例子，但干燥装置106也可以是仅具有干燥功能的旋转干燥机等任意的干燥装置。
如图2所示，干燥装置106具备框体131、配置于框体131内的基板旋转机构132以及配置于基板旋转机构132的上方或者附近的喷嘴134。在框体131内设置有将框体131的内部空间分割为第一室131a和第二室131b的闸门133。闸门133构成为能够开闭以便将第一室131a和第二室131b隔离以及打开。第一室131a以及第二室131b例如分别是下室以及上室。第一室131a以及第二室131b例如分别构成干燥部以及检查装置储存部。基板旋转机构132和喷嘴134配置于作为干燥部的第一室131a。此外，也可以省略第二室131b，将凸块高度检查装置200配置在干燥装置106的外部(框体131的外部)。凸块高度检查装置200被配置为能够检查干燥装置106内的基板既可，也可以配置于干燥装置106的内部以及外部的任意一方，可以安装或不安装于干燥装置106。
基板旋转机构132在其载置面载置以及保持基板W，并使基板W旋转。喷嘴134对于被基板旋转机构132保持的基板W供给清洗液以及/或者纯水。在干燥装置106中，基板W被基板旋转机构132旋转，并且通过从喷嘴134供给的清洗液以及/或者纯水清洗基板W，在来自喷嘴134的清洗液以及/或者纯水的供给停止后，通过基板旋转机构132高速旋转并干燥。
凸块高度检查装置200配置于作为检查装置储存部的第二室131b。凸块高度检查装置200具备拍摄装置201、照明装置202以及调整机构203。控制装置120通过执行控制凸块高度检查装置200所进行的处理的程序而作为凸块高度检查装置200的控制装置发挥作用。拍摄装置201拍摄被基板旋转机构132保持的基板W上的图案，储存拍摄到的图像数据以及/或者将其转送到控制装置120。拍摄装置201能够为彩色或者黑白的照相机。照明装置202对被基板旋转机构132保持的基板W上的图案照射光，拍摄装置201能够以适当的范围的亮度值拍摄基板W上的图案。调整机构203安装于拍摄装置201，具备调整拍摄装置201相对于基板W的面的倾斜角度的第一调整机构203a和调整相对于基板W的高度的第二调整机构203b。通过调整机构203，拍摄装置201相对于基板W的面的倾斜角度以及/或者高度被调整，从而拍摄装置201的拍摄方向被调整。此外，也可以设置水平方向调整机构(未图示)，以便能够根据基板W的尺寸，调整拍摄装置201的水平方向的位置。此外，在不需要按基板的种类调整拍摄方向的情况下，不需要具备基于拍摄方向的设定数据的拍摄方向的调整功能，也可以在电镀装置内的规定位置朝向规定方向固定拍摄装置201以及/或者照明装置202。
此外，由于本实施方式的凸块高度检查装置进行基于亮度的检测，所以容易受到电镀装置被设置的净化室的照明、电镀装置内的其他的照明等的影响。因此，能够通过构成为使电镀装置的外部具有遮光性、或者用遮光板覆盖凸块高度检查装置的周围来进行正确的检查。
闸门133将第一室131a与第二室131b之间隔离/打开。在第一室131a中将基板W清洗干燥之前或者清洗干燥之后，打开闸门133，通过凸块高度检查装置200检查基板W上的凸块高度。在基板W的清洗干燥时，通过闸门133隔离第一室131a与第二室131b之间，保护凸块高度检查装置200免受清洗液等的影响，并且不对清洗干燥处理造成影响。
图3A至图3D是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围(有效拍摄区域)的说明图。拍摄装置201通过利用调整机构203调整倾斜角度以及高度，来以所希望的拍摄角度拍摄有效拍摄范围204。作为拍摄装置201的拍摄范围，也有比图3A～D所示的有效拍摄范围204大的情况，但参照图11如上所述那样，为了以凸块的拍摄图像的亮度值辨别基板W上的凸块的高度，而以规定的角度拍摄凸块很重要，所以优选用于获取凸块高度检查所使用的图像数据的有效拍摄范围204限定为拍摄角度的差别能够抑制的范围。此外，拍摄装置201的有效拍摄范围204也可以从由装置201拍摄到的图像切出预先决定的范围的图像并作为解析对象。或者，也可以从在每次的拍摄由拍摄装置201拍摄到的图像检测基板W的边界，并通过计算求出有效拍摄范围作为解析对象。此外，也可以在检查精度为允许范围的情况下，拍摄装置201的有效拍摄范围204覆盖基板W的图案面的整个范围。
在图3A至图3D中，为了方便说明，在基板W的外周上每90度等间隔地设定4个点A、B、C、D。在图3A中，以基板W的点A位于拍摄装置201的有效拍摄范围204的外侧边的中心或者中心附近的方式设定了有效拍摄范围204，该有效拍摄范围204内的基板W上的图案被拍摄，拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。接下来，基板W通过基板旋转机构132旋转90度，在图3B中，以基板W的点B位于拍摄装置201的有效拍摄范围204的外侧边的中心或者中心附近的方式设定了有效拍摄范围204，该有效拍摄范围204内的基板W上的图案被拍摄，拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。接下来，基板W通过基板旋转机构132进一步旋转90度，在图3C中，以基板W的点C位于拍摄装置201的有效拍摄范围204的外侧边的中心或者中心附近的方式设定了有效拍摄范围204，该有效拍摄范围204内的基板W上的图案被拍摄，拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。接下来，基板W被基板旋转机构132进一步旋转90度，在图3D中，以基板W的点D位于拍摄装置201的有效拍摄范围204的外侧边的中心或者中心附近的方式设定了有效拍摄范围204，该有效拍摄范围204内的基板W上的图案被拍摄，且拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。这样，遍及基板W的外周部的整个外周，拍摄基板W上的图案。此外，有效拍摄范围204包括基板W以外的部分，但能够检测位于基板W的外缘的种子层的露出部分，并通过图像图案识别等检测基板W的边界，仅提取基板W上的图像数据。另外，有效拍摄范围204也可以扩散到比从基板W的外周(包括点A到D)靠外侧。
在图3A至图3D中，示出了使基板每旋转90度的情况，但也可以每旋转小于90度或者超过90的角度，也可以不必以均等的间隔旋转。
在图3A至图3D中，举出基板W为圆形的晶片的情况为例，但在基板W是方形的情况下，能够使基板旋转为有效拍摄范围204在各边重叠。
这里，对基板W被基板旋转机构132旋转的情况进行说明，但基板W和拍摄装置201相对地旋转即可，所以也可以设置拍摄装置旋转机构(未图示)，通过拍摄装置旋转机构使拍摄装置201绕基板W旋转。
仅拍摄基板W的外周部的图案的理由以下所述。在基板W在被基板支架11保持的状态下被电镀的情况下，基板支架11的接点(电极)与基板W的外周部接触，电流经由这些接点供给至基板W的整个区域(外周部以及其内侧区域)。因此，在基板W上的凸块的高度产生异常的情况下，在基板W的外周部的凸块的高度产生异常的情况较多。因此，能够通过拍摄基板W的外周部的图案，来以足够的精度进行凸块高度的检查。
图4是其他的例子所涉及的凸块高度检查装置的概略结构图。图5是表示基于拍摄装置的有效拍摄范围的扫描的说明图。在该例中，不同点在于设置有扫描机构205，该扫描机构205使拍摄装置201移动以便拍摄装置201拍摄基板W的整个区域。扫描机构205构成为使拍摄装置201沿基板W的径向(基板W为方形的情况下，例如为长边或者短边)移动(图5)。
如图5所示，拍摄装置201与图3A相同地，通过调整机构203调整倾斜角度以及高度，设定有效拍摄范围204。在图5中，包括基板W的点A的有效拍摄范围204内的基板W上的图案被拍摄，拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。然后，拍摄装置201通过扫描机构205沿着从基板W的点A朝向点D的径向扫描规定的距离，从而有效拍摄范围204被扫描规定的距离。扫描后的有效拍摄范围204的基板W上的图案被拍摄，拍摄到的图像数据被储存以及/或者转送。接着，反复进行有效拍摄范围204的扫描以及拍摄，拍摄基板W上的图案的整个区域，获取整个区域的图像数据。此外，在进行基于平行移动的扫描的情况下，有效拍摄范围204内的被拍摄的基板的面积变化，所以也可以通过检测拍摄装置201的位置或者基板W的边界，来使用于判断为基板W上的凸块的高度正常的规定面积(凸块合计面积的值、或者使凸块合计面积的值具有规定的允许度的值)变化。在进行基于平行移动的扫描的情况下，拍摄装置也可以不必使用区域传感器，也能够使用线性传感器。另外，该情况下，照明装置的照射也能够为与扫描方向垂直的线状的照明。
图6示出基板处理装置中的处理的整体流程。该处理由控制装置120执行。此外，也可以与其他的计算机以及/或者控制器协作执行该处理。
在步骤S1中，通过搬运机器人103a从盒工作台102上的盒取出基板W，并搬入基板装卸部105的基板装卸装置105a。在步骤S2中，在基板装卸装置105a中将基板W安装到基板支架11。在步骤S3中，使通过基板支架搬运装置113搬入预湿槽108的基板支架11浸渍在纯水中。然后，通过基板支架搬运装置113将基板支架11搬入电镀处理部112的任意一个电镀槽112a，对于被基板支架11保持的基板W实施电镀处理，在基板W上形成凸块(步骤S4)。在电镀处理后，通过基板支架搬运装置113将基板支架11搬入清洗槽110，并将基板W与基板支架11一起用清洗液清洗(步骤S5)。通过基板支架搬运装置113将清洗后的基板支架11搬入送风槽109，并进行清洗后的基板W的排液(步骤S6)。然后，通过基板支架搬运装置113将基板支架11搬入基板装卸部105的基板装卸装置105a，并将基板W从基板支架11取下(步骤S7)。通过搬运机器人103a将从基板支架11取下的基板W搬入干燥装置106，并在干燥装置106中进行基板W的清洗以及干燥(步骤S8)。另外，在干燥装置106中，对于基板W执行凸块高度检查处理(步骤S9)。凸块高度检查处理(S9)可以在清洗以及干燥处理(S8)之前或者之后的任意时机执行。在干燥装置106的处理后，基板W通过搬运机器人103a返回到盒(步骤S10)。
图7是在步骤S9中执行的凸块高度检查处理的流程图。在干燥装置106的基板旋转机构132上保持有基板W后，打开闸门133，由凸块高度检查装置200对于基板W实施凸块高度检查。此时，既可以在将拍摄装置201以及照明装置202配置于第二室131b的状态下，实施凸块高度检查，或者也可以构成为在使拍摄装置201以及/或者照明装置202下降到第一室131a内(或者干燥装置106内)之后，实施凸块高度检查。拍摄装置201能够通过调整机构203的第一调整机构203a下降。在照明装置202下降的情况下，设置用于使照明装置202下降的调整机构(未图示)。
在步骤S21中，根据基板W的种类，通过调整机构203调整拍摄装置201的拍摄方向，设定有效拍摄范围204。基板W的种类基于基板的尺寸、基板的形状、抗蚀剂膜厚、抗蚀剂图案、凸块高度、凸块面积等决定。若基板W的种类不同，则也改变适当的拍摄方向，以基于凸块的亮度值判定为正常的高度范围，所以根据基板W的种类，通过调整机构203调整拍摄装置201的拍摄方向。拍摄方向的设定数据例如作为将基板的种类和拍摄方向(例如，调整机构的控制量)建立了关联的数据库存储于存储器120B。此外，在设置有水平方向调整机构的情况下，也可以根据需要，根据基板W的尺寸，通过水平方向调整机构进一步调整拍摄装置201的水平方向的位置。
在调整拍摄装置201的拍摄方向，将有效拍摄范围204设定在基板W的初始位置之后，光从照明装置202对基板W上的图案照射，同时通过拍摄装置201拍摄基板W上的图案，控制装置120获取拍摄到的图像数据(步骤S22)。
接下来，基于图像数据计算规定的亮度值以上(相当于下限值h1的第一亮度值以上的凸块)的区域的面积(步骤S23)。此外，在将正常的高度范围的下限值h1以上并且上限值h2以下(第一亮度值以上并且第二亮度值以下)的规定范围内的凸块判定为正常的情况下，计算第一亮度值以上且第二亮度值以下的区域的面积。
而且，辨别计算出的面积(规定的高度h1(第一亮度值)以上的凸块的面积的合计、或者正常的高度范围的下限值h1以上并且上限值h2以下(第一亮度值以上并且第二亮度值以下)的凸块的面积的合计)是否是规定的面积值(阈值)以上(步骤S24)。阈值为与基板W的种类、作为解析对象的拍摄面积相应的设计上的凸块的面积的合计值、或者距离该合计值具有允许度的值。例如，能够为比设计上的面积合计值小规定的允许度的面积值。阈值基于基板的尺寸、基板的形状、凸块面积、拍摄面积等决定。若基板W的种类不同，则用于判定的适当的阈值也改变，所以作为将基板的种类以及/或者拍摄面积和阈值的设定数据建立了关联的数据库存储于存储器120B。
在步骤S24中，判定为计算出的面积是阈值以上的情况下，移至步骤S27。在步骤S27中，将该基板W的电镀处理所使用的电镀电流等反馈到控制装置120的电镀处理控制程序等，另外，在将拍摄装置201以及/或者照明装置202下降到第一室131a内的情况下在使其上升到第二室131b内后关闭闸门133，结束凸块高度检查处理。
另一方面，在步骤S24中，判断为计算出的面积小于规定的面积的情况下，使报警产生(步骤S25)，将该基板W的处理所使用的基板支架11以及/或者电镀槽112a设为不使用(步骤S26)。然后，在执行了步骤S27的处理之后，结束凸块高度检查处理。此外，利用成为不使用的对象的基板支架/电镀槽继续执行当前电镀处理中的基板的电镀处理，在该基板的处理结束后将基板支架/电镀槽设为不使用。在多次连续地使凸块高度产生异常的情况下，也可以将该基板支架/电镀槽设为不使用。另外，也可以在当前位于电镀处理部112内的全部的基板的电镀处理结束后，使电镀装置停止来进行维护。
此外，拍摄方向的设定数据、阈值的设定数据也能够作为方案(recipe)储存于电镀装置的控制装置120内的存储器，但也能够在上述控制器内构建这些设定数据的数据库，按每个要处理的基板从上位控制器向电镀装置作为方案进行指示。
此外，在基于被拍摄到的图像数据中规定的亮度值(相当于下限值h1的第一亮度值)以上的凸块的线的长度检查凸块高度的情况下，在步骤S23中计算亮度值(相当于下限值h1的第一亮度值)以上的各线的长度，在步骤S24中，辨别各线是否是规定长度以上(或者，是否位于规定长度的范围)。
此外，也可以代替步骤S23、S24的处理，而预先准备凸块高度为正常的基板W的图像数据作为基准数据(教师数据)，对拍摄图像数据使用基准数据通过图像匹配执行凸块高度检查。
图8是使用图2的构成的凸块高度检查装置的情况下的拍摄处理(图7的S22)的详细流程图。
在步骤S31中，光被从照明装置202对于基板W上的图案照射。此时，基板W相对于照明装置202位于图3A的位置，旋转位置计数器n被设定为初始值1(步骤S32)。
在步骤S33中，在与当前的旋转位置计数器n的值对应的旋转位置处，有效拍摄范围204(其区域内的基板W上的图案)被拍摄装置201拍摄，所拍摄到的图像数据被控制装置120获取。
通过在步骤S34中，判断是否为n＝N，来判断是否拍摄了基板W的外周部的整个外周。N是扫描基板W的整个外周所需要的旋转动作的次数，在图3A～D的例子中N＝4。
在步骤S34中，n小于N的情况下，将n向上计数(步骤S35)，移至步骤S36。另一方面，在步骤S34中，n＝N的情况下，结束拍摄处理流程。
在步骤S36中，通过基板旋转机构132使基板W旋转规定的角度(在图3A～D的例子中，90度)。在n＝2的情况下，使基板W从图3A的基板W的位置旋转到图3B的基板W的位置。相同地，在n＝3的情况下，使基板W从图3B的基板W的位置旋转到图3C的基板W的位置。相同地，在n＝4的情况下，使基板W从图3C的基板W的位置旋转到图3D的基板W的位置。
图9是使用图4的构成的凸块高度检查装置的情况下的拍摄处理(图7的S22)的详细流程图。
在步骤S41中，从照明装置202对基板W上的图案照射光。此时，有效拍摄范围204位于图5所示的初始位置。
在步骤S42中，通过拍摄装置201拍摄当前的有效拍摄范围204，控制装置120获取拍摄到的图像数据。
在步骤S43中，判断是否拍摄到基板W的整个区域。
在步骤S43中判断为未拍摄基板W的整个区域的情况下，在步骤S44中通过扫描机构205将拍摄装置201移动规定的距离，使有效拍摄范围204移动，反复进行步骤S42、S43的处理。另一方面，在步骤S43中，判断为拍摄了基板W的整个区域的情况下，结束拍摄处理流程。
根据上述实施方式至少把握以下的方式。
根据第一方式，提供了一种凸块高度检查装置，具备：照明装置，对具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块的基板照射光；拍摄装置，拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及控制装置，基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。凸块高度检查装置能够设置于电镀装置、研磨装置、或者具备电镀装置以及研磨装置的基板处理装置、或者其他的基板处理装置。凸块高度检查装置的控制装置也可以在凸块高度检查装置设置于基板处理装置的情况下，通过基板处理装置的控制装置的功能构成。
根据该方式，在由拍摄装置拍摄到的基板上的图案的图像数据中，抗蚀剂以及凸块的部分的亮度值不同，另外，凸块的部分的亮度值根据凸块的高度而不同，所以能够基于图像数据的亮度值来评价以及检查凸块的高度。另外，通过从照明装置对基板上的图案照射光，能够将由于凸块高度引起的图像数据中的亮度值的差异调整为适当的范围。因此，能够通过简单的构成以及处理，检查基板上的凸块的高度。
另外，因为能够检查附着有抗蚀剂的状态的基板的凸块的高度，所以不需要在检查前将抗蚀剂剥离，能够在凸块形成处理后的短时间的期间发现凸块的高度的异常。因此，能够尽早停止使用对有异常的基板进行了处理后的基板处理装置的构成(例如，基板保持部件、电镀槽)制作有异常的基板。
另外，因为不需要在凸块形成处理前后的双方进行基板的膜厚测量，所以能够抑制生产率的降低。另外，因为不需要按不同目的设置膜厚测量单元，所以能够抑制装置成本。
根据第二方式，在第一方式的凸块高度检查装置中，上述控制装置基于上述图像数据中具有规定范围内的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
凸块的高度位于规定范围对应于图像数据中的凸块的亮度值位于规定范围，另外，由于预先知道基板上的图案中凸块所占的面积，所以能够基于基板上的图案中具有规定范围的亮度值(正常的规定范围的高度的凸块)的面积是否位于规定的面积值的范围内，来评价凸块的高度。
根据第三方式，在第一方式的凸块高度检查装置中，上述控制装置基于上述图像数据中具有规定值以上的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
根据经验已知在产生凸块的高度较高的异常的情况下，产生凸块的高度较低的异常的情况也较多，所以也可以检测出凸块的高度较低的异常。该情况下，能够将除了凸块的高度较低的区域以外的区域作为正常，基于具有规定值以上的亮度值的区域的面积是否是规定的面积值以上，来评价凸块的高度。
根据第四方式，在第一方式的凸块高度检查装置中，上述控制装置将上述凸块的高度是正常时的上述图案的图像数据作为基准数据，并通过将由上述拍摄装置得到的上述图案的上述图像数据与上述基准数据比较的图像匹配，来评价上述凸块的高度。
根据该方式，通过将拍摄图像数据与正常时的基准数据比较，能够容易地评价凸块的高度。基准数据例如是图12A所示那样的图像的数据。拍摄到的图案的图像数据与图12A所示的基准数据在规定的允许范围内一致的情况下，判定为凸块高度正常。拍摄到的图案的图像数据例如是图12B所示那样的图像数据，与基准数据在规定的允许范围内不一致的情况下，判定为凸块高度有异常。
根据第五方式，在第一至第四方式的任意一个凸块高度检查装置中，还具备调整机构，该调整机构根据上述基板的种类调整上述拍摄装置相对于上述基板的高度以及/或者角度。
根据该方式，通过调整拍摄装置相对于基板的高度以及/或者角度，能够调整可拍摄的凸块的高度、以及/或者图像数据中的凸块的亮度值。
根据第六方式，在第一至第五方式的任意一个凸块高度检查装置中，上述拍摄装置在上述基板的外周部拍摄上述图案，基于上述外周部的上述图案的图像数据来进行上述凸块的高度的评价。
通过基于基板的外周部的图案的图像进行凸块高度的评价，能够减少拍摄范围，减少检查所需要的时间。另外，由于照明装置的照射范围也被减少，所以能够将照明装置小型化。在对被基板保持部件保持的基板进行电镀处理的情况下，电极与基板的外周部接触，电流经由电极供给至整个基板，所以在被电镀的凸块的高度产生异常的情况下，基板的外周部的凸块产生高度的异常的情况也较多。因此，能够拍摄基板的外周部的图案，并基于拍摄到的图像数据，高精度地检测基板上的凸块的高度的异常。
根据第七方式，在第六方式的凸块高度检查装置中，通过使上述基板旋转的基板旋转机构或者使上述拍摄装置绕上述基板旋转的拍摄装置旋转机构，上述拍摄装置与上述基板每次以规定角度相对地旋转，上述拍摄装置对上述基板的外周部遍及整个外周地进行拍摄。
根据该方式，使拍摄装置与基板每次以规定角度相对地旋转来拍摄基板的外周部，所以能够减少拍摄装置一次拍摄的范围以进行检查。
根据第八方式，在第一至第五的任意一个所述的凸块高度检查装置中，还具备扫描机构，该扫描机构用于使上述拍摄装置移动以使上述拍摄装置拍摄上述基板的整个区域。
根据该方式，能够拍摄基板上的全部凸块，进行更高精度的检查。
根据第九方式，提供了基板处理装置，具备：基板处理部，具有处理基板的1个或者多个基板处理单元；干燥装置，用于干燥上述基板处理后的上述基板；凸块高度检查装置，设置于上述干燥装置；以及控制装置，控制上述基板处理部、上述干燥装置以及凸块高度检查装置，上述凸块高度检查装置具有：照明装置，对上述基板照射光；以及拍摄装置，拍摄上述基板上的抗蚀剂以及凸块的图案，上述控制装置基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值评价上述凸块的高度。
基板处理装置能够是电镀装置、研磨装置、或者具备电镀装置以及研磨装置的基板处理装置、或者其他的基板处理装置。1个或者多个基板处理单元包括电镀槽、以及/或者研磨单元。
根据该方式，在由拍摄装置拍摄到的基板上的图案的图像数据中，抗蚀剂以及凸块的部分的亮度值不同，另外，凸块的部分的亮度值根据凸块的高度而不同，所以能够基于图像数据的亮度值，评价以及检查凸块的高度。另外，能够通过从照明装置对基板上的图案照射光，来将由于凸块高度引起的图像数据中的亮度值的差异调整为适当的范围。因此，能够通过简单的构成以及处理，来检查基板上的凸块的高度。
另外，在基板处理装置内基板被搬入基板处理后的干燥装置中，能够检查附着有抗蚀剂的状态的基板的凸块的高度，所以不需要在检查前进行抗蚀剂的剥离，能够在基板处理后的短时间的期间发现凸块的高度的异常。因此，能够尽早地停止使用对处理了有异常的基板后的基板处理装置的构成(例如，基板保持部件、电镀槽、研磨单元)制作有异常的基板。
另外，因为不需要在基板处理前后的两方进行基板的膜厚测量，所以能够抑制生产率的降低。另外，因为在干燥装置中检查凸块高度，所以能够防止基板的搬运变得复杂，抑制生产率的降低。另外，因为不需要按目的设置膜厚测量单元，所以能够抑制装置成本。
另外，在基板处理后对于被清洗以及干燥后的基板进行凸块高度检查的情况下，能够不受附着于基板的药液、残渣等的影响，进行高精度的检查。由于对于干燥后的基板在干燥装置中进行凸块高度检查，所以不需要将干燥后的基板移动到其它的测量场所，能够防止基板的搬运变得复杂，抑制生产率的降低。另外，由于不需要按目的设置膜厚测量单元，所以能够抑制装置成本。
根据第十方式，在第九方式的基板处理装置中，上述控制装置基于上述图像数据中具有规定范围内的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
凸块的高度位于规定范围对应于图像数据中的凸块的亮度值位于规定范围，另外，由于预先已知基板上的图案中凸块所占的面积，所以能够基于基板上的图案中具有规定范围的亮度值(正常的规定范围的高度的凸块)的面积是否位于规定的面积值的范围内，来评价凸块的高度。
根据第十一方式，在第九方式的基板处理装置中，上述控制装置基于上述图像数据中具有规定值以上的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
根据经验已知在产生凸块的高度较高的异常的情况下，产生凸块的高度较低的异常的情况也较多，所以也可以检测凸块的高度较低的异常。该情况下，能够将除了凸块的高度较低的区域以外的区域作为正常，基于具有规定值以上的亮度值的区域的面积是否是规定的面积值以上，来评价凸块的高度。
根据第十二方式，在第九方式的基板处理装置中，上述控制装置将上述凸块的高度是正常的情况下的上述图案的图像数据作为基准数据，并通过将由上述拍摄装置得到的上述图案的上述图像数据与上述基准数据比较的图像匹配，来评价上述凸块的高度。
根据该方式，能够通过将拍摄图像数据与正常时的基准数据比较，来容易地评价凸块的高度。基准数据例如是图12A所示的图像的数据。在拍摄到的图案的图像数据与图12A所示那样的基准数据在规定的允许范围内一致的情况下，判定为凸块高度正常。在拍摄到的图案的图像数据例如是图12B所示那样的图像数据，与基准数据在规定的允许范围内不一致的情况下，判定为凸块高度有异常。
根据第十三方式，在第九至十二方式的任意一个基板处理装置中，还具备扫描机构，该扫描机构用于根据上述基板的种类调整上述拍摄装置相对于上述基板的高度以及/或者角度。
根据该方式，通过调整拍摄装置相对于基板的高度以及/或者角度，能够调整可拍摄的凸块的高度、以及/或者图像数据中的凸块的亮度值。
根据第十四方式，在第九至十三方式的任意一个基板处理装置中，上述拍摄装置在上述基板的外周部中拍摄上述图案，上述凸块的高度的评价基于上述外周部的上述图案的图像数据来进行。
通过基于基板的外周部的图案的图像进行凸块高度的评价，能够减少拍摄范围，并减少检查所需要的时间。另外，因为基于照明装置的照射范围也减少，所以能够将照明装置小型化。在对被基板保持部件保持的基板进行电镀处理的情况下，电极与基板的外周部接触，电流经由电极供给至整个基板，所以在被电镀的凸块的高度产生异常的情况下，在基板的外周部的凸块产生高度的异常的情况也较多。因此，能够拍摄基板的外周部的图案，并基于拍摄到的图像数据，高精度地检测基板上的凸块的高度的异常。
根据第十五方式，在第十四方式的基板处理装置中，通过用于使上述基板旋转并干燥的基板旋转机构、或者是上述拍摄装置绕上述基板旋转的拍摄装置旋转机构，上述拍摄装置和上述基板每次以规定角度相对地旋转，上述拍摄装置对上述基板的外周部遍及整个外周地进行拍摄。
根据该方式，使拍摄装置与基板每次以规定角度相对地旋转来拍摄基板的外周部，所以能够减少拍摄装置拍摄的范围来进行检查。
另外，在通过设置于干燥装置的基板干燥用的基板旋转机构使拍摄装置和基板相对旋转的情况下，通过使用原来的基板干燥用的基板旋转机构作为拍摄时的基板扫描机构，能够省略使拍摄装置沿基板的外周部旋转的旋转机构。
根据第十六方式，在第九至十三方式的任意一个基板处理装置中，还具备扫描机构，该扫描机构用于使上述拍摄装置移动以使上述拍摄装置拍摄上述基板的整个区域。
根据该方式，能够拍摄基板上的全部凸块，进行更高精度的检查。
根据第十七方式，在第九至十六方式的任意一个基板处理装置中，上述基板处理部具有1个或者多个电镀槽，上述基板以被基板保持部件保持的状态被进行电镀处理，上述控制装置在上述凸块高度检查装置的检查的结果为在上述基板的上述凸块的高度检测出异常的情况下，将对保持该基板的上述基板保持部件以及/或者对该基板进行了电镀处理后的上述电镀槽设为不使用。
根据该方式，能够尽早地停止使用处理了有异常的基板的基板保持部件以及/或者基板处理部(例如，电镀槽、研磨单元)制作有异常的基板。
根据第十八方式，提供了凸块高度检查方法，对具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块的基板照射光，拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案，基于由拍摄得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度的方法。根据该方式，起到与第一方式相同的作用效果。
根据第十九方式，提供了储存有用于使计算机执行控制凸块高度检查装置的方法的程序的存储介质，上述控制凸块高度检查装置的方法包括：通过照明装置对具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块的基板照射光，通过拍摄装置拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案，基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值来评价上述凸块的高度。根据该方式，起到与第一方式相同的作用效果。
以上，基于几个例子对本发明的实施方式进行了说明，但上述的发明的实施方式用于容易理解本发明，并不限定本发明。当然，本发明能够不脱离其主旨地进行变更、改进，并且本发明包含有其均等物。另外，在能够解决上述的课题的至少一部分的范围、或者起到效果的至少一部分的范围中，能够进行权利要求书以及说明书所记载的各构成要素的任意的组合、或者省略。
附图标记说明
100…基板处理装置；101A…装载/卸载部；101B…处理部；102…盒工作台；103…基板搬运装置；103a…搬运机器人；104…定位仪；105…基板装卸部；105a…基板装卸装置；106…干燥装置；107…储料器；108…预湿槽；109…送风槽；110…清洗槽；112…电镀处理部；112a…电镀槽；113…基板支架搬运装置；114…第一传送装置；115…第二传送装置；116…导轨；120…控制装置；120A…CPU；120B…存储器；131…框体；131a…第一室；131b…第二室；132…基板旋转机构；133…闸门；134…喷嘴；200…凸块高度检查装置；201…拍摄装置；202…照明装置；203…调整机构；204…有效拍摄范围；205…扫描机构；301…抗蚀剂层；301a…开口部；302…凸块。

Claims (19)

1.一种凸块高度检查装置，具备：
照明装置，对基板照射光，上述基板具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块；
拍摄装置，拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及
控制装置，基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
2.根据权利要求1所述的凸块高度检查装置，其中，
上述控制装置基于上述图像数据中的具有规定范围内的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
3.根据权利要求1所述的凸块高度检查装置，其中，
上述控制装置基于上述图像数据中的具有规定值以上的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
4.根据权利要求1所述的凸块高度检查装置，其中，
上述控制装置通过图像匹配来评价上述凸块的高度，上述图像匹配将上述凸块的高度是正常时的上述图案的图像数据作为基准数据，将由上述拍摄装置得到的上述图案的上述图像数据与上述基准数据比较。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的凸块高度检查装置，其中，
还具备调整机构，该调整机构用于根据上述基板的种类来调整上述拍摄装置相对于上述基板的高度以及/或者角度。
6.根据权利要求1至4的任意一项所述的凸块高度检查装置，其中，
上述拍摄装置在上述基板的外周部拍摄上述图案，
基于上述外周部的上述图案的图像数据来进行上述凸块的高度的评价。
7.根据权利要求6所述的凸块高度检查装置，其中，
通过使上述基板旋转的基板旋转机构或者使上述拍摄装置绕上述基板旋转的拍摄装置旋转机构，上述拍摄装置与上述基板每次以规定角度相对地旋转，上述拍摄装置对上述基板的外周部遍及整个外周地进行拍摄。
8.根据权利要求1至4的任意一项所述的凸块高度检查装置，其中，
还具备扫描机构，该扫描机构用于使上述拍摄装置移动以便上述拍摄装置拍摄上述基板的整个区域。
9.一种基板处理装置，具备：
基板处理部，具有对基板进行处理的1个或者多个基板处理单元；
干燥装置，用于干燥对上述基板进行处理后的上述基板；
凸块高度检查装置，设置于上述干燥装置；以及
控制装置，控制上述基板处理部、上述干燥装置以及凸块高度检查装置，
上述凸块高度检查装置具有：
照明装置，对上述基板照射光；以及
拍摄装置，拍摄上述基板上的抗蚀剂以及凸块的图案，
上述控制装置基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置基于上述图像数据中的具有规定范围内的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置基于上述图像数据中的具有规定值以上的亮度值的区域的面积的比例，来评价上述凸块的高度。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置通过图像匹配来评价上述凸块的高度，上述图像匹配将上述凸块的高度是正常时的上述图案的图像数据作为基准数据，将由上述拍摄装置得到的上述图案的上述图像数据与上述基准数据比较。
13.根据权利要求9至12的任意一项所述的基板处理装置，其中，
还具备调整机构，该调整机构用于根据上述基板的种类来调整上述拍摄装置相对于上述基板的高度以及/或者角度。
14.根据权利要求9至12的任意一项所述的基板处理装置，其中，
上述拍摄装置在上述基板的外周部拍摄上述图案，
基于上述外周部的上述图案的图像数据来进行上述凸块的高度的评价。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
通过用于使上述基板旋转并干燥的基板旋转机构或者用于使上述拍摄装置绕上述基板旋转的拍摄装置旋转机构，上述拍摄装置与上述基板每次以规定角度相对地旋转，上述拍摄装置对上述基板的外周部遍及整个外周地进行拍摄。
16.根据权利要求9至12的任意一项所述的基板处理装置，其中，
还具备扫描机构，该扫描机构用于使上述拍摄装置移动以便上述拍摄装置拍摄上述基板的整个区域。
17.根据权利要求9至12的任意一项所述的基板处理装置，其中，
上述基板处理部具有1个或者多个电镀槽，
上述基板在被基板保持部件保持的状态下被进行电镀处理，
在上述凸块高度检查装置的检查的结果为对上述基板的上述凸块的高度检测出异常的情况下，上述控制装置将对保持该基板的上述基板保持部件以及/或者对该基板进行过电镀处理的上述电镀槽设为不使用。
18.一种凸块高度检查方法，包括：
对基板照射光，上述基板具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块；
拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及
基于通过拍摄得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
19.一种存储介质，储存有用于使计算机执行控制凸块高度检查装置的方法的程序，其中，上述控制凸块高度检查装置的方法包括：
通过照明装置对基板照射光，上述具有抗蚀剂和在上述抗蚀剂的开口部形成的凸块；
通过拍摄装置拍摄上述抗蚀剂以及上述凸块的图案；以及
基于由上述拍摄装置得到的上述图案的图像数据的亮度值，来评价上述凸块的高度。
CN201910383662.4A 2018-05-11 2019-05-09 凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质 Active CN110470229B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-092546 2018-05-11
JP2018092546A JP7083695B2 (ja) 2018-05-11 2018-05-11 バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110470229A true CN110470229A (zh) 2019-11-19
CN110470229B CN110470229B (zh) 2022-07-22

Family

ID=68463742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910383662.4A Active CN110470229B (zh) 2018-05-11 2019-05-09 凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10910334B2 (zh)
JP (1) JP7083695B2 (zh)
KR (1) KR20190129741A (zh)
CN (1) CN110470229B (zh)
TW (1) TWI793317B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114061509A (zh) * 2021-11-16 2022-02-18 珠海格力智能装备有限公司 遥控器检测方法、装置、设备、存储介质及处理器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10734340B2 (en) * 2018-05-15 2020-08-04 Camtek Ltd. Height measurements of conductive structural elements that are surrounded by a photoresist layer
JP2020134407A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 キオクシア株式会社 検査装置および検査方法
JP7166234B2 (ja) * 2019-09-30 2022-11-07 三菱電機株式会社 半導体製造検査装置
US11423526B2 (en) * 2020-11-13 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical inspection of a wafer
WO2022254485A1 (ja) * 2021-05-31 2022-12-08 株式会社荏原製作所 プリウェットモジュール、およびプリウェット方法
KR20240028974A (ko) 2022-08-26 2024-03-05 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 상태 측정 장치, 도금 장치, 및 기판 상태 측정 방법

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003160899A (ja) * 2001-11-22 2003-06-06 Sharp Corp めっき終点検出方法およびめっき装置
CN1579003A (zh) * 2001-11-02 2005-02-09 株式会社荏原制作所 具有内置检测装置的半导体制造装置和使用该制造装置的器件制造方法
CN1609550A (zh) * 2003-10-17 2005-04-27 日立比亚机械股份有限公司 凸起形状测量装置及其方法
CN1804709A (zh) * 2000-05-12 2006-07-19 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法
CN1871506A (zh) * 2003-10-21 2006-11-29 大发工业株式会社 表面缺陷检查方法及装置
WO2009075330A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Omron Corporation 測定方法及び検査方法並びに測定装置及び検査装置
US20130334422A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Shimadzu Corporation Thickness monitoring device, etching depth monitoring device and thickness monitoring method
CN103592308A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 索尼公司 检查装置、照明、检查方法、以及基板的制造方法
JP2014035260A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Fujishoji Co Ltd 遊戯盤の検査装置および検査方法
CN104136881A (zh) * 2012-02-03 2014-11-05 独立行政法人产业技术综合研究所 计测物品表面上的突起或突条的高度的方法及用于该方法的装置
US20150144769A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Lasertec Corporation Inspection apparatus and inspection method
JP2015127653A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 レーザーテック株式会社 検査装置、及び検査方法
JP2016085045A (ja) * 2014-10-22 2016-05-19 レーザーテック株式会社 バンプ検査装置
CN107076549A (zh) * 2015-05-29 2017-08-18 新日铁住金株式会社 金属体的形状检查装置和金属体的形状检查方法
CN107407556A (zh) * 2015-06-23 2017-11-28 Ckd株式会社 三维测量装置
US20180045947A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Zeta Instruments, Inc. Optical measurement of bump hieght

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6187153B1 (en) * 1997-09-16 2001-02-13 Texas Instruments Incorporated Comparator for monitoring the deposition of an electrically conductive material on a leadframe to warn of improper operation of a leadframe electroplating process
JP2888823B1 (ja) * 1998-03-31 1999-05-10 日本特殊陶業株式会社 バンプ付基板の検査装置、検査方法及びバンプ付基板の製造方法
US6271047B1 (en) * 1998-05-21 2001-08-07 Nikon Corporation Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same
JP2001153629A (ja) 1999-11-29 2001-06-08 Anritsu Corp 印刷半田測定装置
CN1319130C (zh) 1999-12-24 2007-05-30 株式会社荏原制作所 半导体基片处理装置及处理方法
JP3854083B2 (ja) 2000-10-12 2006-12-06 株式会社荏原製作所 半導体基板製造装置
DE10223945B4 (de) 2002-05-29 2006-12-21 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Verbessern der Herstellung von Damaszener-Metallstrukturen
JP3878165B2 (ja) 2003-11-05 2007-02-07 シーケーディ株式会社 三次元計測装置
JP4272121B2 (ja) * 2004-06-23 2009-06-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｓｅｍによる立体形状計測方法およびその装置
JP2017003513A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 Ckd株式会社 三次元計測装置
JP6675257B2 (ja) * 2016-04-14 2020-04-01 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP6759736B2 (ja) 2016-06-10 2020-09-23 三菱マテリアル株式会社 めっき液
US10734340B2 (en) * 2018-05-15 2020-08-04 Camtek Ltd. Height measurements of conductive structural elements that are surrounded by a photoresist layer

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1804709A (zh) * 2000-05-12 2006-07-19 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法
CN1579003A (zh) * 2001-11-02 2005-02-09 株式会社荏原制作所 具有内置检测装置的半导体制造装置和使用该制造装置的器件制造方法
JP2003160899A (ja) * 2001-11-22 2003-06-06 Sharp Corp めっき終点検出方法およびめっき装置
CN1609550A (zh) * 2003-10-17 2005-04-27 日立比亚机械股份有限公司 凸起形状测量装置及其方法
CN1871506A (zh) * 2003-10-21 2006-11-29 大发工业株式会社 表面缺陷检查方法及装置
WO2009075330A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Omron Corporation 測定方法及び検査方法並びに測定装置及び検査装置
CN104136881A (zh) * 2012-02-03 2014-11-05 独立行政法人产业技术综合研究所 计测物品表面上的突起或突条的高度的方法及用于该方法的装置
US20130334422A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Shimadzu Corporation Thickness monitoring device, etching depth monitoring device and thickness monitoring method
JP2014035260A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Fujishoji Co Ltd 遊戯盤の検査装置および検査方法
CN103592308A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 索尼公司 检查装置、照明、检查方法、以及基板的制造方法
US20150144769A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Lasertec Corporation Inspection apparatus and inspection method
JP2015127653A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 レーザーテック株式会社 検査装置、及び検査方法
JP2016085045A (ja) * 2014-10-22 2016-05-19 レーザーテック株式会社 バンプ検査装置
CN107076549A (zh) * 2015-05-29 2017-08-18 新日铁住金株式会社 金属体的形状检查装置和金属体的形状检查方法
CN107407556A (zh) * 2015-06-23 2017-11-28 Ckd株式会社 三维测量装置
US20180045947A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Zeta Instruments, Inc. Optical measurement of bump hieght

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
OHASHI, S等: "EVALUATION OF THE ACCURACY OF ARTICULAR CARTILAGE THICKNESS MEASUREMENT BY B-MODE ULTRASONOGRAPHY WITH CONVENTIONAL IMAGING AND REAL-TIME SPATIAL COMPOUND ULTRASONOGRAPHY IMAGING", 《ULTRASOUND IN MEDICINE AND BIOLOGY》 *
OHASHI, S等: "EVALUATION OF THE ACCURACY OF ARTICULAR CARTILAGE THICKNESS MEASUREMENT BY B-MODE ULTRASONOGRAPHY WITH CONVENTIONAL IMAGING AND REAL-TIME SPATIAL COMPOUND ULTRASONOGRAPHY IMAGING", 《ULTRASOUND IN MEDICINE AND BIOLOGY》, vol. 38, no. 2, 29 February 2012 (2012-02-29), pages 324 - 334, XP028435837, DOI: 10.1016/j.ultrasmedbio.2011.11.012 *
李悦: "硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术", 《激光与红外》 *
李悦: "硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术", 《激光与红外》, vol. 45, no. 01, 20 January 2015 (2015-01-20), pages 19 - 23 *
苗瑞霞 等: "一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法", 《硅酸盐学报》 *
苗瑞霞 等: "一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法", 《硅酸盐学报》, vol. 38, no. 2, 15 February 2010 (2010-02-15), pages 183 - 186 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114061509A (zh) * 2021-11-16 2022-02-18 珠海格力智能装备有限公司 遥控器检测方法、装置、设备、存储介质及处理器

Also Published As

Publication number Publication date
US10910334B2 (en) 2021-02-02
TWI793317B (zh) 2023-02-21
JP2019197032A (ja) 2019-11-14
KR20190129741A (ko) 2019-11-20
TW201947456A (zh) 2019-12-16
US20190348384A1 (en) 2019-11-14
CN110470229B (zh) 2022-07-22
JP7083695B2 (ja) 2022-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110470229A (zh) 凸块高度检查装置、基板处理装置、凸块高度检查方法以及存储介质
TWI697970B (zh) 位置精度檢查方法、位置精度檢查裝置及位置檢查單元
CN107102515A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
US20070091323A1 (en) Pick and place machine with improved component pick image processing
CN110010521A (zh) 基板处理装置、基板处理装置的控制方法、保存有程序的存储介质
WO2020246366A1 (ja) 基板検査装置、基板検査システム及び基板検査方法
JP2009514234A (ja) 組み込み型半田ペースト検査を備える電子アセンブリマシン
JP4434417B2 (ja) プリント配線板の検査装置
US10402997B2 (en) Displacement detecting apparatus, displacement detecting method and substrate processing apparatus
Bai et al. A novel coarse–fine method for ball grid array component positioning and defect inspection
JP2020153732A (ja) 電子部品搬送装置、および電子部品検査装置
CN111009478B (zh) 基板处理装置和检查方法
KR102687102B1 (ko) 기판 처리 장치 및 검사 방법
TWI743523B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP4867219B2 (ja) 検査装置及び検査装置の位置決め方法
JP6494151B2 (ja) 露光装置および方法
JP7213876B2 (ja) バンプ高さ測定装置、基板処理装置、バンプ高さ測定方法、記憶媒体
KR20140031687A (ko) 기판 표면 검사 시스템 및 검사 방법
TWI780909B (zh) 檢測晶圓表面用的取像裝置及其取像設備
TWI784051B (zh) 半導體材料附接方法
JP2005310833A (ja) 基板検査装置および方法
TW202238526A (zh) 影像處理裝置、影像處理方法、及檢查裝置
JP2000018930A (ja) 電子部品用検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant