JP2888823B1 - バンプ付基板の検査装置、検査方法及びバンプ付基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 基板上に形成された複数のバンプを精度よく
識別することができ、例えば平バンプが形成された基板
の検査も正確かつ迅速に行うことができる検査装置を提
供する。 【解決手段】 バンプ付基板の、バンプの配列された検
査面に検査光を照射し、その反射光をＰＳＤにて受光し
つつ検査光を検査面内にて二次元的に走査し、そのとき
の受光部の検知出力に基づいて、検査面内の各位置の高
さ値に関する情報と反射光の輝度情報を生成する。そし
て、閾値以上の反射光輝度が得られる領域を高輝度領域
ＢＡ1〜ＢＡ6等として特定し、その特定された高輝度領
域のうち、基準面積Ｓ0以上の拡がりを持ったもの（Ｂ
Ａ1〜ＢＡ3）のみを各バンプの要部が存在するバンプ要
部存在領域として識別する。他方、その識別されたバン
プ要部存在領域内の各位置の高さ値情報に基づいてバン
プ高さを算出する。これにより、バンプ表面状態等の影
響を受けて、１つのバンプに由来する高輝度領域が２以
上のものに分裂した場合でも、これを２以上のバンプと
誤認するトラブルが発生しにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ接
合用基板やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板など、
チップ−基板間あるいは基板−基板間の電気的接続をと
るためのバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の
検査装置、検査方法及びそれを用いたバンプ付基板の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロプロセッサチップや計算
機チップなどの集積回路チップは、その集積度がますま
す大きくなる傾向にあり、チップの入出力部の端子数も
急増してきている。このようなチップを例えばフリップ
チップ形式で基板に接続する場合、その基板に形成され
る接続用のバンプの数は少ないもので数百個、多いもの
では数千個にも及んできている。ここで、基板上のバン
プは、例えばその形成位置がずれていたり、高さその他
の寸法が規定の範囲に入っていなかったりするとチップ
との間で接続不良を生じ、集積回路チップの作動に支障
を来たす問題があるので、その検査を厳重に行う必要が
ある。

【０００３】従来、このようなバンプ付基板の例えば高
さの検査方法として最も一般的なものにレーザーを用い
た測定方法があり、具体的にはナイフエッジ法あるいは
共焦点法によりバンプ高さを求める方法がある。ところ
が、この方法では１個のバンプの高さを測定するのに数
秒程度を要することから、上記のように多数のバンプが
形成された基板の場合は、１つの基板の全てのバンプ高
さを測定するのに数１０分から数時間もかかってしま
い、大量生産される基板の全数検査を行うことは事実上
不可能であった。

【０００４】そこで、この問題を解決するために、特開
平６−１６７３２２号公報には、スポット光により基板
全面を走査することにより、バンプを含む基板全面の高
さデータを入力し、バンプ電極頂点の高さと基板の高さ
との差よりバンプの高さの検査を高速で行う装置が開示
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示された
装置では、球状バンプを有する半導体シリコン基板が検
査対象であり、明るさデータによりマスキングを行うこ
とで各バンプの頂点付近からの反射光を用いて高さを求
めるようにしている。ところが、この方法を頂面が平坦
な形状のバンプ（以下、平バンプという）の高さ測定に
流用した場合、次のような問題が生ずる。すなわち、バ
ンプ表面が球状の場合は、その頂点付近に限定された形
で反射輝度の大きい領域（以下、高輝度領域という）が
現われるので、個々の高輝度領域がどのバンプに対応す
るものであるかを比較的容易に判別することができる。
また、別の見方をすれば、複数の球状バンプが形成され
た基板においては、各バンプに対応して頂点付近に高さ
データが一点のみ発生する形になるので、２以上の高さ
データが検出された場合は、それら高さデータがどのバ
ンプに由来するかについての混同を生ずる心配はなかっ
た。

【０００６】ところが平バンプの場合、表面が平坦であ
るため１つのバンプに由来する高輝度領域は拡がりを持
つこととなり、１つのバンプであるにもかかわらず、平
坦な頂面をレーザ光が走査するに伴い頂面上の各位置毎
に高さデータが発生する。すなわち、１つのバンプであ
るにもかかわらず、これに対応する高さデータが多数生
成してしまうのである。その結果、発生した高さデータ
とバンプとの間には一対一の対応関係はもはや存在せ
ず、例えば位置的に比較的近接して表れる２つの高さデ
ータが、同一のバンプに由来するのか、あるいは異なる
バンプに由来するものかが判然としなくなり、バンプ高
さを正確に決定できなくなる欠点が生ずる。

【０００７】この場合、互いに異なるバンプに由来する
２つの高さデータは、反射輝度の小さい領域により隔て
られた２つの高輝度領域にそれぞれ属するものとなるの
で、両高さデータの検出位置間に低輝度領域が存在する
か否かにより、それらの識別は一見可能なように思われ
る。ところが、頂面に凹みが形成されたようなバンプの
場合は、その凹みに対応する低輝度領域がバンプ内に生
じてしまうので、たとえ低輝度領域を隔てて存在する２
つの高さデータといえども、これを異なる２つのバンプ
に由来するものと直ちに特定することはできないのであ
る。

【０００８】本発明の課題は、基板上に形成された複数
のバンプを精度よく識別することができ、例えば頂面が
平坦な平バンプの場合も、その高輝度領域の拡がりを二
次元的に捕えて処理することにより、どのようなバンプ
が形成された基板であっても、その検査も正確かつ迅速
に行うことができる検査装置、検査方法及びそれを用い
たバンプ付基板の製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明の
検査装置は、基板本体上に複数のバンプが二次元的に配
列されたバンプ付基板の検査装置に係るものであり、上
記課題を解決するために下記の要件を備えたことを特徴
とする。すなわち、該検査装置は、バンプ付基板の、少
なくとも複数のバンプの配列された領域を検査面とし
て、該検査面に検査光を照射する光源と、検査光に基づ
く検査面からの反射光を受光する受光部と、検査光を検
査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、受光部の
検知出力に基づいて、検査面内の各位置の高さに関する
情報を生成する高さ情報生成手段と、受光部の検知出力
に基づいて、検査面上の各位置における反射光の輝度情
報を生成する反射光輝度情報生成手段と、その生成され
た反射光輝度情報に基づき、検査面において所定の閾値
以上の反射光輝度を示す領域（高輝度領域）を特定する
高輝度領域特定手段と、その特定された個々の高輝度領
域のうち基準面積以上のものを、各バンプの要部が存在
するバンプ要部存在領域として識別するバンプ要部存在
領域識別手段と、その識別されたバンプ要部存在領域内
の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域
に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情
報を生成する検査情報生成手段と、その生成した検査情
報を出力する検査情報出力手段と、を備える。

【００１０】また、本発明の検査方法は、基板本体上に
複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検
査方法に係るものであり、上記課題を解決するために下
記の内容を有したことを特徴とする。すなわち、バンプ
付基板の、少なくとも複数のバンプの配列された領域を
検査面として、該検査面に検査光を照射するとともに、
検査面からの検査光に基づく反射光を受光部にて受光し
つつ、その検査光を検査面内にて二次元的に走査し、そ
のときの受光部の検知出力に基づいて、検査面内の各位
置の高さに関する情報を生成し、他方、受光部の検知出
力に基づいて、検査面上の各位置における反射光の輝度
情報を生成し、その生成された反射光輝度情報に基づ
き、検査面において所定の閾値以上の反射光輝度を示す
領域（高輝度領域）を特定し、その特定された個々の高
輝度領域のうち基準面積以上のものを、各バンプの要部
が存在するバンプ要部存在領域として識別し、その識別
されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づ
いて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情
報を少なくとも含んだ検査情報を得る。

【００１１】上記検査装置及び方法では、バンプ付基板
の検査面から閾値以上の反射光輝度が得られる領域を高
輝度領域として特定し、さらにその高輝度領域のうち、
基準面積以上の拡がりを持ったもののみを各バンプの要
部が存在するバンプ要部存在領域として識別するように
した。すなわち、頂面が平坦な平バンプ等の場合も、そ
の高輝度領域の拡がりを二次元的に捕えて処理がなされ
るので、１つの高輝度領域から生ずる２以上の高さデー
タを、異なるバンプに由来するものと誤認する心配がな
くなり、ひいてはどのようなバンプが形成された基板で
あっても、その検査を正確かつ迅速に行うことができる
ようになる。その結果、例えば頂面に凹みが形成された
バンプの場合でも、高輝度領域の拡がりに基づいて確実
に識別できるようになる。また、バンプ表面状態等の影
響を受けて、１つのバンプに由来する高輝度領域が２以
上のものに分裂することもありうるが、この場合は、基
準面積未満の高輝度領域はバンプ要部存在領域とみなさ
れないので、これを２以上のバンプと誤認するトラブル
が発生しにくくなり、ひいては基板上に形成された複数
のバンプを精度よく識別することが可能となる。その結
果、例えば球状バンプと比較して高輝度領域が広く現わ
れ、また領域の分裂も起こりやすい平バンプの検査を問
題なく行うことができる。また、該バンプ要部存在領域
内の各位置の高さ情報を用いることで、対応するバンプ
の高さを正確に知ることができ、検査精度を高めること
ができる。

【００１２】また、本発明のバンプ付基板の製造方法
は、基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列された
バンプ付基板の製造方法であって、基板本体上にバンプ
を形成する工程と、バンプ付基板の、少なくとも複数の
バンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検
査光を照射するとともに、検査面からの検査光に基づく
反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を検査面内
にて二次元的に走査し、そのときの受光部の検知出力に
基づいて、検査面内の各位置の高さに関する情報を生成
する。他方、受光部の検知出力に基づいて、検査面上の
各位置における反射光の輝度情報を生成し、その生成さ
れた反射光輝度情報に基づき、検査面において所定の閾
値以上の反射光輝度を示す領域（高輝度領域）を特定
し、その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以
上のものを、各バンプの要部が存在するバンプ要部存在
領域として識別する。そして、その識別されたバンプ要
部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ
要部存在領域に対応するバンプの高さを測定し、該バン
プの高さが所定の範囲内にあるバンプ付基板のみを検査
・選別することを特徴とする。これによれば、上記本発
明の検査方法の利点を活かすことで、基板本体上にバン
プを形成して得られるバンプ付基板を、バンプ高さが所
定の範囲にあるか否かに基づいて簡易に選別することが
でき、ひいては品質保証されたバンプ付基板を能率よく
製造することが可能となる。

【００１３】具体的には検査情報生成手段は、検査面に
対し、各バンプ要部存在領域と所定の位置関係を満足
し、かつ該バンプ要部存在領域を個々に包含する所定寸
法のバンプ高さ決定領域を設定するバンプ高さ決定領域
設定手段と、その設定されたバンプ高さ決定領域内の各
位置の高さ情報に基づいてバンプの高さを演算するバン
プ高さ演算手段とを備えたものとすることができる。平
バンプのように頂面が平坦なバンプの場合、該頂面に対
応してバンプ要部存在領域がかなり広く現われ、そのバ
ンプ要部存在領域内にてバンプ高さに分布を生じている
ことも多い。そこで、上記のように、バンプ要部存在領
域を含むようにバンプ高さ決定領域を設定し、そのバン
プ高さ決定領域内の各位置の高さ情報に基づいてバンプ
の高さを演算するようにすれば、そのようなバンプ高さ
の分布による高さ測定の誤差を生じにくくなり、より精
度の高い高さ情報を得ることが可能となる。

【００１４】なお、バンプ高さ決定領域は、バンプ要部
存在領域と実質同一のものとして設定することもできる
し、バンプ要部存在領域よりも広く設定されたものとす
ることもできる。前者の場合は、バンプ要部存在領域内
の高さ情報に基づいてバンプの高さが演算される。

【００１５】また、後者の場合は、例えば設定されたバ
ンプ高さ決定領域内に存在する高輝度領域のうち、バン
プ要部存在領域を含め、基準面積よりも小さく設定され
た所定の閾面積以上のものをバンプ高さ決定用高輝度領
域として抽出するバンプ高さ決定用高輝度領域抽出手段
を設けるようにする。そして、バンプ高さ演算手段を、
バンプ高さ決定領域内の各位置のうち、抽出されたバン
プ高さ決定用高輝度領域内に属するものの高さ情報に基
づいて、対応するバンプの高さを演算するものとして構
成するようにする。これにより、バンプ要部存在領域に
加え、種々の要因により該バンプ要部存在領域から分裂
した高輝度領域からの高さ情報も、バンプ高さの演算に
使用されるので、バンプ高さをより精度高く測定するこ
とが可能となる。この場合、上記閾面積はゼロであって
もよいが、ノイズ等の影響により誤検出される高輝度領
域を除去するために、ゼロでない所定の値に設定してお
くことが望ましいといえる。

【００１６】なお、バンプ高さ決定領域設定手段は、バ
ンプ高さ決定領域を、バンプ要部存在領域の幾何学的重
心位置を中心とする円状領域、又は該幾何学的重心位置
を対角線交点位置とする四辺形状領域、及びバンプ要部
存在領域に外接する四辺形状領域のいずれかとして設定
するものとして構成できる。このようにバンプ高さ決定
領域を設定することで、該バンプ高さ決定領域内におけ
るバンプが本来存在しない領域の比率を少なくすること
ができ、ひいてはバンプ高さの測定精度をさらに向上さ
せることができる。

【００１７】また、バンプ高さ演算手段は、バンプ高さ
決定用高輝度領域内の各位置の高さを該領域内において
平均化することにより得られる平均高さ、各位置の高さ
の最大値である最大高さ、同じく最小値である最小高
さ、及び各位置の高さの最頻値である最頻高さの少なく
ともいずれかを、対応するバンプの高さとして演算する
ものとして構成することができる。これにより、平バン
プのように頂面が平坦で、かつその頂面内でバンプ高さ
に分布を生じている場合でも、バンプ高さに対する合理
的な評価ないし判定を行うことができる。また、必要に
応じて、上記平均高さ、最大高さ、最小高さ及び最頻高
さの２以上のもの（例えば平均高さと最大高さなど）を
演算し、両者を組み合わせて評価を行うようにすること
もでき、これにより一層精度の高いバンプ高さ評価を行
うことができるようになる。

【００１８】また、上記本発明の装置には、バンプ付基
板の検査面に対し、各バンプの形成位置の許容範囲を規
定する位置許容範囲規定ウィンドウを設定する位置許容
範囲規定ウィンドウ設定手段と、その設定された位置許
容範囲規定ウィンドウ内の高輝度領域の面積、又は該位
置許容範囲規定ウィンドウ内に占める高輝度領域の面積
率を算出する面積算出手段と、その面積算出手段が算出
する高輝度領域の面積又は面積率に基づいて、該位置許
容範囲規定ウィンドウに対応するバンプの形成状態の良
否を判定する判定手段とを設けることができる。これに
より、形成位置ずれや欠損等を生じた不良バンプを、位
置許容範囲規定ウィンドウ内に一定以上の面積の高輝度
領域を生じているか否かに基づいて容易に判別すること
ができる。

【００１９】次に、検査情報生成手段は、バンプ要部存
在領域の幾何学的重心位置を、対応するバンプの中心位
置として算出するバンプ中心算出手段を備えたものとす
ることができる。この場合、検査情報としてバンプの中
心位置座標を生成するように構成することができる。ま
た、検査情報生成手段は、バンプ要部存在領域の寸法に
基づいて、対応するバンプの寸法を演算するバンプ寸法
演算手段を備えたものとすることができる。この場合、
検査情報としてバンプのバンプ寸法情報を生成するよう
に構成することができる。

【００２０】例えば前記公報に記載された従来技術にお
いては、バンプ径やバンプ中心位置をバンプのシルエッ
ト像に基づいて求めるようにしていたが、レーザー光が
基板表面に斜めに入射する関係上、該シルエット像は、
一般には実際のバンプ形状を正確に反映したものにはな
らない。また、バンプの周囲にパッド部や溝等が形成さ
れていたり、バンプ周囲部分の基板の表面状態が一定し
ない場合等においては、その影響を受けてシルエット像
の形が変化することもある。従って、このようなシルエ
ット像を用いて決定されたバンプ寸法や中心位置には、
しかるべき補正を行わないかぎり、少なからぬ誤差を生
じてしまう問題がある。しかしながら、反射光により形
成されるバンプ要部存在領域は、バンプ形状を直接反映
したプロファイルとしての意味を持つので、これを用い
ることによりバンプ中心位置やバンプ寸法をより正確に
求めることができる。

【００２１】なお、バンプ中心算出手段は、バンプ要部
存在領域に外接する四辺形状領域（例えば長方形状領
域）の対角線交点位置を、対応するバンプの中心位置と
して算出するものとして構成することができる。例えば
重心位置をバンプ中心として算出する方法は、中心決定
の方法としてより正確ではあるが、算出に際しては高輝
度領域を構成する多数の輝度データの位置座標値を使用
するため、演算回数は若干多くなる。しかしながら、上
記のようにバンプ要部存在領域に外接する四辺形状領域
（及び、その対角線交点位置）を求める方法では、その
領域決定の演算処理が重心座標演算に比べるとずっと簡
単であり、処理速度の向上を図ることができる。

【００２２】また、検査情報生成手段は、バンプ中心算
出手段が決定した各バンプの中心位置間距離に基づい
て、バンプの配列間隔を演算するバンプ配列間隔演算手
段を備えたものとすることができる。この場合、検査情
報として、バンプの配列間隔情報を生成するように構成
することができる。この演算結果を用いることにより、
基板上のバンプの配列間隔の検査を容易に行うことがで
きる。

【００２３】なお、バンプ付基板は、基板保持体に保持
させた状態でその検査面に検査光を照射することができ
る。この場合、バンプ高さ演算手段は、各バンプの高さ
を、基板保持体との間で一定の位置関係を満たす基準高
さレベルからの高さ（コプラナリティ決定用高さ）とし
て演算するものとすることができる。そして、検査情報
生成手段は、その演算された各バンプのコプラナリティ
決定用高さのうち、その最大値ｚ’maxと最小値ｚ’min
とに基づいて、バンプ付基板の各バンプの高さの不均一
性を反映した情報であるコプラナリティ情報を生成する
コプラナリティ情報生成手段を含むものとして構成する
ことができる。

【００２４】基板上に設けられた個々のバンプは、接続
対象となる集積回路チップ（例えばフリップチップの場
合）やプリント基板（例えばＢＧＡ基板の場合）との接
続性等を高めるために、その高さができる限り揃ってい
ることが望ましいとされる。この場合、簡易なパラメー
タとしては上記ｚ’maxとｚ’minとの差（ｚ’max−
ｚ’min）の値が小さいほどバンプ高さは揃っているこ
とを意味し、バンプ高さの不均一性を表す指標となる。

【００２５】本発明においては、上記ｚ’max−ｚ’min
を含め、ｚ’maxとｚ’minとを用いて算出される、バン
プ高さの不均一性を表す指標を広義にコプラナリティと
称する。例えば、本発明においては、ｚ’max−ｚ’min
のほか、各バンプの頂点位置（平バンプの場合はバンプ
頂面上の所定位置：例えば、前述のバンプ中心位置に対
応する頂面上の位置）に対応する最小二乗平面を頂点基
準面Ｐ0とし、その頂点基準面Ｐ0と平行でかつ高さ最大
のバンプの頂点を通る平面をＰmax、同じく高さ最小の
バンプの頂点を通る平面をＰminとしたときのＰmaxとＰ
minの面間距離として定義される狭義のコプラナリティ
など、各種指標を採用することができる。また、基板上
に形成された多数のバンプのうち、最も距離が大きくな
るもの同士（例えば長方形ないし正方形状の領域にマト
リックス状にバンプが配置される場合は、その領域の対
角線の両端にそれぞれ位置するバンプ同士）のバンプ間
距離ＬDにて上記指標となる距離を割った、単位長さ辺
りのコプラナリティを用いてもよい。いずれにしろ、上
記のようなコプラナリティ情報生成手段を設けること
で、バンプ付基板のコプラナリティ評価を簡単に行うこ
とができるようになる。

【００２６】なお、バンプ高さは、基準レベルから見た
バンプ頂点（あるいは頂面）までの高さとして表現でき
るが、例えば基準レベルをバンプが突出形成されている
基板本体の表面に設定した場合、バンプ高さは該表面か
らの突出高さを意味することとなる。しかしながら、図
１９（ａ）に示すように、基板本体表面が反っていたり
すると、基板本体表面からのバンプ突出高さが揃ってい
ても、バンプ頂点位置が該反りの影響で不揃いになり、
コプラナリティ不良となることもある。従って、上記構
成では、コプラナリティに及ぼす上記のような基板保持
体側からの影響も考慮できるよう、バンプ高さは、基板
保持体との間で一定の位置関係を満たす基準高さレベル
からの高さにより表したものを用いるのである。

【００２７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の検査装置の検査
対象となるバンプ付基板１の一例を示している。該バン
プ付基板１は、例えば約２５ｍｍ角、板厚約１ｍｍのプ
ラスチック製の基板本体２上の中央部に例えば正方形状
に形成されたバンプ配列領域ＢＰに対し、Ｓｎ−Ｐｂ二
元合金等からなる半田合金により構成されたバンプ３が
多数、例えば格子状あるいは千鳥状に２次元的に配列・
固着された構造を有する、フリップチップ基板として構
成されている。そして、検査面はこのバンプ配列領域Ｂ
Ｐを包含する形で設定される。

【００２８】本実施例では、各バンプ３は、図６に示す
ように、頂面が平坦に形成された平バンプとして形成さ
れているものとする。基板本体２上には、各バンプ３の
配置位置に対応して凹所２ａが形成され、その底面に例
えば無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層とこれを覆う無電解Ａｕメ
ッキ層とからなる下地導電性パッド（以下、単にパッド
と称する）４が形成されるとともに、このパッド４上に
バンプ３が固着されている。また、バンプ３と凹所２ａ
の側面との間は幅Ｗの環状の溝部６となっている。な
お、基板本体２のその他の表面部位には、アクリル樹脂
やエポキシ樹脂等により、図示しないソルダーレジスト
層が形成されている。

【００２９】このようなバンプ付基板は各種公知の方法
で得ることができるが、一例として、半田ペーストをス
クリーンマスク（あるいはメタルマスク）を介して基板
本体２上の所定位置に印刷し、さらにこれを加熱して半
田ペーストを溶融させることにより基板状にバンプを形
成する半田ペースト印刷法がある。

【００３０】図２は、本発明の装置の一実施例におけ
る、測定系１０の要部の構成を模式的に示したものであ
る。測定系１０は、半導体レーザ光源１２、ビームエキ
スパンダ１４、ポリゴンミラー１６、ｆ・θレンズ１
８、結像レンズ２０、半導体位置検出器（ＰＳＤ）２２
（受光部）を含んで構成される。半導体レーザ光源１２
からのレーザー光（入射光）ＬＢが回転するポリゴンミ
ラー１６で反射され、バンプ付き基板１の検査面ＣＰに
対し、その縦横のバンプ配列のいずれか一方に沿う方向
（以下、これをｘ方向という）に振られながら照射され
る。照射された入射光ＬＢは検査面ＣＰで反射されて反
射光ＲＢとなり、結像レンズ２０を経てＰＳＤ２２によ
り受光される。

【００３１】図３は、測定系１０の具体的な構成例を示
している（（ａ）は側面図、（ｂ）は背面図である）。
この構成においては、（ｂ）に示すように、縦長のケー
ス３６内においてその上部には半導体レーザ光源１２が
配置され、（ａ）に示すように、その下端面に形成され
たビーム孔から斜め前方下向きにレーザ光ＬＢを出射す
るようになっている。レーザ光ＬＢは、コリメータレン
ズ２４を経て第一の光路変更ミラー２６により後方下向
きに反射され、その光路上に配置されたビームエキスパ
ンダ１４を経て、（ｂ）に示すように第二の光路変更ミ
ラー２８により、側方上向きに反射される。

【００３２】第二の光路変更ミラー２８で反射されたレ
ーザ光ＬＢは、ケース３６の幅方向において、その側方
やや上寄りに配置されたポリゴンミラー１６に入射され
る。同図（ａ）に示すように、ポリゴンミラー１６は、
ケース３６の内部においてその下部後方に形成された傾
斜壁３６ａに対し、回転軸ＲＡが前方上向きに傾いた形
となるように取り付けられている。そして、このポリゴ
ンミラー１６で反射されたレーザ光ＬＢは、該ポリゴン
ミラー１６の斜め下方に配置されたｆ・θレンズ１８を
通って、ケース３６の底面に形成された開口部６ａか
ら、その下側においてワークホルダ（基板保持体）３８
によりほぼ水平に保持されたバンプ付基板（以下、ワー
クともいう）１の検査面ＣＰに入射される。

【００３３】そして、レーザ光ＬＢは検査面ＣＰで斜め
前方上向きに反射されて反射光ＲＢとなり、ｆ・θレン
ズ１８の前方において、ほぼ直立形態で配置された第三
の光路変更ミラー３０により斜め後方上向きに反射され
る。そして、ｆ・θレンズ１８の斜め前方上側に配置さ
れた結像レンズ２０を通り、ポリゴンミラー１６の斜め
前方上側に配置された第四の光路変更ミラー３２により
前方に反射され、ケース３６の前面内側に配置されたＰ
ＳＤ２２により受光される。

【００３４】ここで、ケース３６内において、半導体レ
ーザ光源１２、コリメータレンズ２４及びビームエキス
パンダ１４を含む第一の光学系グループ（本実施例で
は、上側から順に配列された半導体レーザ光源１２、コ
リメータレンズ２４、第一の光路変更ミラー２６、ビー
ムエキスパンダ１４、第二の光路変更ミラー２８）は、
該ケース３６の幅方向において一方の側に寄せた形で配
置されている。他方、ポリゴンミラー１６、ｆ・θレン
ズ１８、結像レンズ２０及びＰＳＤ２２を含む第二の光
学系グループ（本実施例では、ポリゴンミラー１６、ｆ
・θレンズ１８、第三の光路変更ミラー３０、結像レン
ズ２０、第四の光路変更ミラー３２及びＰＳＤ２２から
なる）が、ケース３６の幅方向において上記第一の光学
系グループに隣接する形で配置されている。そして、第
一の光学系グループからのレーザ光ＬＢは、光路変更ミ
ラー２８により第二の光学系グループ側に導かれるよう
になっている。このようなレイアウトを採用することに
より、ケース３６内に生ずるデッドスペースを効果的に
削減でき、装置全体を極めてコンパクトに構成すること
が可能となっている。

【００３５】次に、検査対象となるワーク１は、凹所等
の形でワークホルダ３８（基板保持体）に形成されたワ
ーク装着部３８ａに装着される。本実施例では、１つの
ワークホルダ３８に対し複数のワーク１を、縦横所定数
ずつのマトリックス状に装着するようにしている。そし
て、図４に示すように、そのワークホルダ３８が、例え
ばｘ駆動ねじ軸４３及びｘ駆動モータ４２（以下、ｘ駆
動系という）と、ｙ駆動ねじ軸４５及びｙ駆動モータ４
４（以下、ｙ駆動系という）とによりｘ方向及びｙ方向
にそれぞれ独立に駆動されるｘ−ｙテーブル４０に着脱
可能に装着される。ここで、そのｙ方向は、ワーク１の
検査面ＣＰに沿う平面内において前述のｘ方向、すなわ
ち図２において、ｆ・θレンズ１８を介したポリゴンミ
ラー１６によるレーザ光ＬＢの走査方向と直交する向き
に定められている。そして、図４において、ポリゴンミ
ラー１６によりレーザ光をｘ方向に走査しつつ、テーブ
ル４０をｙ方向に所定の間隔で寸動させることにより、
該レーザ光ＬＢは、ワーク１の検査面ＣＰにて二次元的
に走査されることになる。従って、本実施例では、ポリ
ゴンミラー１６とｘ−ｙテーブル４０のｙ駆動系が光走
査手段を構成する。他方、ｘ駆動系は、例えばワークホ
ルダ３８にワーク１が、ｘ方向に複数列隣接する形で配
置されるようになっている場合、次列のワーク１をレー
ザ光の照射位置まで移動させるために使用される。

【００３６】図５に、本発明の検査装置の制御系の構成
例を示す。該制御系５０は、大きく分けて測定系制御部
５１と、データ解析部８１とからなる。測定系制御部５
１の中央制御ユニット５２は、Ｉ／Ｏポート５４と、こ
れに接続されたＣＰＵ５６、ＲＡＭ５８、ＲＯＭ６０及
び高さ・輝度検出部７５とを主体に構成される。また、
該Ｉ／Ｏポート５４にはこの他に、レーザ発生部６１、
ポリゴンミラー作動部６３、ｘ−ｙテーブル作動部６９
がそれぞれ接続されている。なお、ＣＰＵ５６は、後述
の高さ演算部７６及び輝度演算部７７とともに、高さ情
報生成手段、反射光輝度情報生成手段の主体をなすもの
である。

【００３７】レーザ発生部６１は、半導体レーザ光源１
２と、中央制御ユニット５２からの指令を受けることに
より、該半導体レーザ光源１２にレーザ光ＬＢを発生さ
せるレーザドライバ６２とを備えて構成される。また、
ポリゴンミラー作動部６３は、ポリゴンミラー１６（図
３）を回転駆動するポリゴンミラー駆動モータ１７と、
中央制御ユニット５２からの指令を受けてその作動制御
を司るサーボ駆動ユニット６４と、ポリゴンミラー駆動
モータ１７すなわちポリゴンミラー１６の回転速度及び
回転角度位置を検出するロータリエンコーダ（本実施例
ではアブソリュート型のものを使用する：以下、ＡＢＳ
と略記する）６６とを備える。サーボ駆動ユニット６４
は、ＡＢＳ６６からフィードバックされる回転速度情報
に基づいて、ポリゴンミラー駆動モータ１７の作動制御
を行う。他方、ＡＢＳ６６による回転角度位置は、レー
ザ光ＬＢによる走査点のｘ座標を特定するｘ座標特定情
報、及びポリゴンミラー１６の使用中のミラー面を特定
するミラー面特定情報として使用される。

【００３８】また、ｘ−ｙテーブル作動部６９は、ｘ駆
動モータ４２、ｙ駆動モータ４４、及び中央制御ユニッ
ト５２からの指令を受けてそれらの作動制御を司るサー
ボ駆動ユニット６８及び７２と、各モータ４２，４４の
回転角度位置を検出するロータリーエンコーダ（本実施
例ではインクリメント型のものを使用する：以下、ＩＮ
Ｃと略記）７０，７４とを備える。サーボ駆動ユニット
６８，７２は、各々ＩＮＣ７０，７４からフィードバッ
クされる回転速度情報に基づいて、ｘ駆動モータ４２及
びｙ駆動モータ４４の作動制御を行う。また、ｙ駆動モ
ータ４４側のＩＮＣ７４による回転角度位置は、レーザ
光ＬＢによる走査点のｙ座標を特定するｙ座標特定情報
としても使用される。

【００３９】次に、高さ・輝度検出部７５は、前述のＰ
ＳＤ２２と、その各電極からの出力をデジタル変換する
Ａ／Ｄ変換器７８，７９と、それらＡ／Ｄ変換器７８，
７９によりデジタル変換されたＰＳＤ２２の出力を用い
て高さ及び輝度を演算し、結果を中央制御ユニット５２
に出力する高さ演算部７６及び輝度演算部７７等を含ん
で構成される。以下、レーザ光による高さ検出原理につ
いて説明する。

【００４０】すなわち、図６に示すように、基板本体２
の板面とほぼ平行に高さ基準面ＳＬＰを設定し、この高
さ基準面ＳＬＰに対して一定の入射角θでレーザ光ＬＢ
を入射させるようにする。ここで、この高さ基準面ＳＬ
Ｐにて反射が起こった場合には、ＰＳＤ２２は基準受光
位置ＤＰ0でその反射光を受けることとなる。しかしな
がら、バンプ３等の存在により反射面位置が高さｚ’だ
け高くなると、受光位置はＤＰ1にずれる。該受光位置
ＤＰ1の基準受光位置ＤＰ0までのずれ量Ｌ、換言すれば
反射面の高さｚ’は、ＰＳＤ２２の２つの出力端子Ａ及
びＢの出力電流をＩA，ＩBに基づいて測定できる。な
お、以下においては、高さ基準面ＳＬＰを基準とした高
さｚ’を高さレベルｚ’と呼ぶことにする。

【００４１】ここで、基準受光位置ＤＰ0で受光したと
きの出力端子Ａの出力電流をＩA0、同じく出力端子Ｂの
出力電流をＩB0として、ＩA0＝ＩB0となるようにＰＳＤ
２２の受光位置を調整しておけば、上記ずれ量Ｌは、
（ＩA−ＩB）／（ＩA＋ＩB）に比例して大きくなる。図
５に示すように高さ演算部７６は、デジタル変換された
ＩA，ＩBの情報から（ＩA−ＩB）／（ＩA＋ＩB）に相当
する値を演算し、これを高さレベル信号として出力す
る。他方、ＰＳＤ２２の両端子の出力電流の和ＩA＋ＩB
は、受光する光の強さ（輝度）にほぼ比例して大きくな
るので、輝度演算部７７は、同じく（ＩA＋ＩB）に相当
する値を演算し、これを輝度信号として出力する。

【００４２】また、中央制御ユニット５２のＣＰＵ５６
は、ＲＯＭ６０に格納された制御プログラム６０ａに基
づき、ＲＡＭ５８をワークエリアとして、レーザ発生部
６１、ポリゴンミラー作動部６３及びｘ−ｙテーブル作
動部６９の作動制御を行う。他方、クロックパルス（図
示しないクロック回路が発生する）が与えるタイミング
に従い、レーザ光の走査位置のｘ座標を与えるＡＢＳ６
６からの出力値ＸABSと、同じくｙ座標を与えるＩＮＣ
７４のパルスカウント値ＹINCとを取り込んで、位置デ
ータ（ＸABS，ＹINC）を生成するとともに、高さ・輝度
検出部７５からのデジタル化された高さレベル信号及び
輝度信号を順次取り込むことにより、該位置に対応する
高さレベルデータｚ”及び輝度データＩを生成する。そ
して、各走査位置毎に得られる高さレベルデータｚ”、
輝度データＩ及び位置データ（ＸABS，ＹINC）の組を、
Ｉ／Ｏポート５４からデータ解析部８１に転送する。

【００４３】なお、図３において、検査面ＣＰに対する
ｘ方向の走査開始点に対応する位置には、ポリゴンミラ
ー１６からのレーザ光ＬＢの光路中間位置に対応してプ
リズム２５と光検出器２７とが設けられている。これら
プリズム２５と光検出器２７とは、レーザ光ＬＢに基づ
く高さデータ及び輝度データのｘ方向のデータサンプリ
ング開始タイミングを検出するためのものである。すな
わち、ポリゴンミラー１６の回転に伴い、レーザ光ＬＢ
がワーク１上のデータサンプリング開始位置に到来する
とこれがプリズム２５に入射して、その分岐光がビーム
検出器２７で検出される。測定系制御部５１はこれを受
けてｘ方向のデータサンプリングを開始することとな
る。

【００４４】図５に戻り、データ解析部８１は、Ｉ／Ｏ
ポート８４とこれに接続されたＣＰＵ８６、ＲＡＭ８
８、ＲＯＭ９０等を備える解析用のコンピュータ８２を
主体に構成され、そのコンピュータ８２のＩ／Ｏポート
８４には、測定系制御部５１から受信する高さレベルデ
ータｚ”、輝度データＩ及び位置データ（ＸABS，ＹIN
C）の組を一次格納するための受信データ格納ＲＡＭ９
２と、ハードディスク装置等で構成された記憶装置９
４、モニタ制御部９６とこれにつながれたモニタ９８、
キーボードやマウス等の入力部１００、プリンタ１０２
等が接続される。なお、モニタ９８とプリンタ１０２等
は検査結果出力手段として機能する。また、ＣＰＵ８６
は、後述のデータ解析／検査プログラムに基づき、高輝
度領域特定手段、バンプ要部存在領域認識手段、検査情
報生成手段、高さ決定領域設定手段、バンプ高さ演算手
段、高さ決定用高輝度領域抽出手段、位置許容範囲規定
ウィンドウ設定手段、面積算出手段、判定手段、バンプ
配列間隔演算手段、バンプ寸法演算手段、コプラナリテ
ィ情報生成手段の主体として機能する。

【００４５】また、記憶装置９４には、データ解析／検
査プログラム記憶部９４ａ、補正済データ記憶部９４
ｂ、補正用データ群記憶部９４ｃ、検査標準データ記憶
部９４ｄ及び検査結果データ記憶部９４ｅが形成され、
それぞれ対応するプログラムないしデータが記憶されて
いる。なお、各データの内容とプログラム処理の内容に
ついては後述する。

【００４６】以下、測定系制御部５１における制御処理
の流れについて、図２１のフローチャートを用いて説明
する。まず、Ｄ１０において、ワーク１を装着したワー
クホルダ３８をｘ−ｙテーブル４０にセットする（図４
参照）。Ｄ２０では、ｘ−ｙテーブル４０を最初のワー
クの走査開始位置へ移動させる。なお、測定系の立ち上
げ時に、図示しない原点位置センサによりｘ−ｙテーブ
ル４０の原点位置を確認し、以降の各種位置決め処理の
基準とする。そして、Ｄ４０にてレーザ光ＬＢをワーク
の検査面ＣＰに照射し、同時にｘ−ｙテーブル４０のｙ
駆動とポリゴンミラー１６の回転を開始する。そして、
Ｄ５０では、各走査点毎に前述の高さレベルデータ
ｚ”、輝度データＩ及び位置データ（ＸABS，ＹINC）の
組を生成し、これをデータ解析部８１へ転送する。

【００４７】なお、後の解析処理の簡略化を図るため、
ｙ方向のデータサンプリング距離をｘ方向のそれよりも
大きくして（あるいはその逆も可能）、取り込むデータ
組の数を削減することができる。この場合、例えばｙ方
向のデータサンプリング距離を大きくするために、ｘ方
向及びｙ方向のデータサンプリングの時間間隔はほぼ同
じとし、ｙ方向の走査速度をｘ方向の走査速度よりも大
きくするようにしてもよいし、逆にｙ方向の走査速度と
ｘ方向の走査速度とをほぼ同じとし、ｙ方向のデータサ
ンプリングの時間間隔をｘ方向のそれよりも長くするよ
うにしてもよい。また、別の方法として、ｘ方向とｙ方
向とをほぼ同じデータサンプリング距離にてデータ取込
みを行い、解析時にｘ方向あるいはｙ方向の少なくとも
いずれかにおいて取り込んだデータ組を間引き、使用す
るデータ組の数を削減するようにしてもよい。

【００４８】次に、そのワークに対するデータの取込み
／転送が終了すれば、ｙ方向に並ぶ次のワークの走査開
始位置へ移動し（Ｄ６０→Ｄ６１）、Ｄ４０に戻って以
下同様の処理を繰り返す。こうして、ｙ方向に並ぶワー
ク列について、上記データの組が順次取り込まれ、その
列のワークが尽きればｘ−ｙテーブル４０のｘ駆動を行
って次列先頭のワークの走査開始位置へ移動し、さらに
同様の処理を繰り返す（Ｄ６２→Ｄ６３→Ｄ４０の流
れ）。そして、全てのワークについてのデータの生成・
転送が完了すれば、処理を終了する。

【００４９】データ解析部８１側では測定系制御部５１
からのデータを受け、図１２（ａ）に示すように、
ｚ”、Ｉ及び（ＸABS，ＹINC）のデータの組ＯＤを、各
走査点と対応付けた形で受信データ格納ＲＡＭ９２（図
５）に格納する。以下、データ解析部８１側での処理の
流れについて、図２２〜図２９のフローチャートを用い
て説明する。なお、この処理は、コンピュータ８２（図
５）のＣＰＵ８６が、記憶装置９４に記憶されたデータ
解析／検査プログラムに基づき、ＲＡＭ８８をワークエ
リアとして実行するものである。

【００５０】まず、図２２のＳ１において、最初のワー
クのデータの組ＯＤのデータを読み出し、Ｓ２に進んで
位置データ解析処理となる。その詳細を図２３に示して
いる。まず、（ＸABS，ＹINC）は、エンコーダからの出
力値あるいはパルスカウント値になっているので、これ
を各ワーク毎にその検査面ＣＰ毎に設定される位置座標
（以下、検査面座標という）上での座標値（ｘ’，
ｙ’）に変換する（なお、測定系制御部５１側で予めこ
の変換を行い、（ｘ’，ｙ’）のデータの形でこれをデ
ータ解析部８１へ転送するようにしてもよい）。

【００５１】次に、図６に示すように、検査面に対して
レーザ光ＬＢは入射角θで斜めに入射する関係上、高さ
基準面ＳＬＰと、そこから高さｚだけ隔たった面とで
は、同じ入射光でもΔｂだけ反射位置が異なることにな
る。ここで、図からも明らかなように、 Δｂ＝Ｌ・ｃｏｓθ／ｓｉｎφ‥‥‥(1) φ＝１８０°−２θ‥‥‥(2) であるから、θとＬの値からΔｂを求めることができ
る。このΔｂにより、座標値（ｘ’，ｙ’）を、例えば
高さ基準面ＳＬＰに対する入射状態を基準とした座標値
に補正する。ここで、図７に示すように、レーザ光源１
２からの光は、ポリゴンミラー１６によりｙ方向とのな
す角度δが変化しながらｘ方向に走査されるので、Δｂ
によるｘ方向への補正量はΔｂ・ｓｉｎδ、同じくｙ方
向への補正量はΔｂ・ｃｏｓδで求められる。なお、入
射角θの値は、例えば図１０に示すように、補正用デー
タ群記憶部９４ｃに格納されたものを適宜読み出して使
用する。

【００５２】他方、図１１に示すように、ポリゴンミラ
ー１６に面倒れ角の誤差Δλがあると、検査面ＣＰに対
するレーザ光ＬＢの照射位置に、ずれΔｄが生ずる。こ
のずれΔｄの大きさは、使用するｆ・θレンズ１８の焦
点距離をｆとすると、ｆ・２Δλで求めることができ
る。他方、この照射位置のずれにより、高さの計測誤差
Δｈも生ずる。この計測誤差Δｈは、前述の角度φ（＝
１８０°−２θ）を用いて、Δｄ／ｔａｎφで求めるこ
とができる。

【００５３】そこで、図１０に示すように、補正用デー
タ群記憶部９４ｃに、ポリゴンミラー１６の各面毎の面
倒れ角に基づくずれ量Δｄを格納しておき、前述のＸAB
Sの値から使用中のポリゴンミラー１６の面を特定し
て、対応するずれ量Δｄを読み出すようにする（図２
３：Ｓ２０３）。そして、図２３のＳ２０４において、
このずれ量Δｄからｘ及びｙの各方向の補正量と、高さ
レベルｚ”に対する補正量を求め、これにより補正され
た座標値と高さレベルとを、検査面座標における補正済
座標値（ｘ，ｙ）及び高さレベルｚ’の組ＡＤとして、
各走査点と対応付けた形で補正済データ記憶部９４ｂに
格納し（図１２（ｂ）は、その格納状態を示してい
る）、位置データ解析処理を終了する。

【００５４】図２２に戻り、次いで、Ｓ３のバンプデー
タ解析処理に進む。図２４にその詳細な流れを示してい
る。まず、Ｓ３０１で、各データ組の位置座標（ｘ，
ｙ）を、例えばＲＡＭ８８（図５）のアドレス空間内に
設定したデータビット平面の各ビットに一対一に対応付
け、輝度Ｉが閾値ＩSH以上となっているか否かによりビ
ットマップデータを生成する。

【００５５】図８は、バンプ３を横切るようにレーザ光
ＬＢを走査することにより得られる、高さレベルｚ’及
び輝度Ｉのプロファイルの一例を示している。すなわ
ち、プラスチック製の基板本体２は金属製のバンプ３よ
りも反射率が低いため、輝度Ｉはバンプ３の頂面に対応
する領域で高く、基板本体２の露出領域で低くなる。な
お、バンプ頂面の表面状態が同じであれば、図中一点鎖
線で表すように、バンプ高さが低くなっても、輝度Ｉの
レベルはほぼ同じとなる。

【００５６】そして、基板本体２の平均的な反射光輝度
レベルよりも高く上記閾値ＩSHを定めれば、検査面上に
おけるバンプ３の存在領域を、上記ビットマップデータ
上で特定することが可能となる。例えば、図１４に示す
ように、閾値ＩSH以上のビットを「１」（ハッチングを
施したビット）、そうでないビットを「０」（ハッチン
グを施さないビット）で表せば、「１」ビットが集合し
て現われる領域がバンプの存在領域（請求項でいう高輝
度領域に対応）を表すこととなる。以下、本実施例で
は、バンプ存在領域のビットを「１」、そうでない領域
のビットを「０」で表すものとする。

【００５７】他方、図８において、バンプ３の側面と溝
部６に対応する領域は、斜めに入射するレーザ光ＬＢが
乱反射されたり遮られたりするので反射光がほとんど生
じず、輝度Ｉは非常に小さい値となっている。また、こ
の領域では、反射光がほとんど生じないため、高さデー
タは欠損した形になっている（実際の処理上では、例え
ば高さゼロに近い値として扱うことができる）。従っ
て、上記ビットマップデータ上で特定されるバンプ存在
領域は、バンプ頂面領域を表しているものともいえる。

【００５８】次いで、図２４のＳ３０２に進み、ビット
マップデータ上において個々のバンプの存在領域に分離
する処理を行う。すなわち、図１４に示すように、ビッ
トマップデータを所定の方向（例えばｘ方向）に走査
し、「１」ビットの途切れが一定数（例えば３ビット）
以上生じたか否かにより、同一のバンプ存在領域である
か別のバンプ存在領域であるかを判別しながら、各ビッ
トにラベリング符号（本実施例では、１、２‥‥等の数
字で表している）を施してゆく。なお、走査２列目以降
は、「０」ビットの検出状態から「１」ビットの検出に
転じた時に、その「１」ビットを取り囲む例えば８つの
ビットのラベリング状態を判別し、既に認識済のビット
のラベリング符号が検出されれば、これと同一のラベリ
ング符号を施し、何も検出されなければ新たなラベリン
グ符号を施すようにする。そして、異なるラベリング符
号が付されたビットの集合同士は、異なるバンプ存在領
域として認識することとなる。

【００５９】例えば、図１３（ａ）のように高さレベル
データｚ’が分布し、輝度データＩが同図（ｂ）のよう
に分布したデータ組の場合、輝度閾値ＩSHを７に設定す
ることで、バンプ存在領域は（ｃ）に示すような形でビ
ットマップデータ上に現われる（ただし、この図では、
各位置のｚ’の値を対応する各ビットに書き込んだ形で
表している）。なお、輝度閾値ＩSHの値は、例えば図１
０に示すように、補正用データ群記憶部９４ｃに格納さ
れたものを適宜読み出して使用する。

【００６０】図２４に戻り、次のＳ３０３では、図１６
（ａ）に示すように、互いに分離されたバンプ存在領域
のうち、適宜に設定された基準面積Ｓ0以上のものを抽
出し、これを、個々のバンプ頂面の主要部が存在してい
る領域、すなわちバンプ要部存在領域（図では、ＢＡ1
〜ＢＡ3）として識別する。各領域の面積は、該領域に
属するビットの個数により求めることができる。なお、
ビット数が基準面積Ｓ0に対応するビット数よりも小さ
いある閾値（例えば３ビット）に満たない領域は、ノイ
ズとして除去するようにする（例えば図１６（ａ）のＢ
Ａ5、ＢＡ6）。

【００６１】そして、図２４のＳ３０７〜Ｓ３１１で
は、抽出された各バンプ要部存在領域の幾何学的な重心
位置の座標を算出し、これを各バンプの中心Ｇの座標と
して決定する処理がなされる。具体的には図１５に示す
ように、各ビットに対応付けられる検査平面上の座標Ｐ
のｘ座標値及びｙ座標値を、領域内の全てのビットにつ
いて合計し、そのｘ座標値の合計（Ｌx）と、ｙ座標値
の合計（Ｌy）とをそれぞれビット総数ＮTで割ることに
より求めることができる。

【００６２】なお、図３０に示すように、バンプ要部存
在領域に対し、これに外接する四辺形領域を求め、その
四辺形領域の対角線交点位置としてバンプ中心Ｇの座標
を算出することもできる。この場合、例えばｘ方向の直
線をｙ軸に沿って平行移動させ、バンプ要部存在領域と
接点を生ずる２直線Ｌｘ1，Ｌｘ2を決定する。次いで、
ｙ方向の直線をｘ軸に沿って平行移動させ、バンプ要部
存在領域と接点を生ずる２直線Ｌｙ1，Ｌｙ2を決定す
る。これにより、上記四辺形領域は長方形領域として設
定され、その対角線交点座標は、いずれか一方の対角線
の中点座標として演算することができる。このようにす
ることで、各ビットのｘ座標及びｙ座標の加算処理が不
要となり、バンプ中心座標の算出処理を簡略化すること
ができるようになる。

【００６３】また、各バンプの中心Ｇの座標が算出され
るとＳ３１２に進み、バンプ径Ｄの算出処理となる。す
なわち、図１７に示すように、中心Ｇからバンプ要部存
在領域の周縁までの距離の平均値（本実施例では、等角
度間隔で並ぶ８方向の平均値としている）ｒmを求め、
バンプ径Ｄを２ｒmにより算出する。この処理は、各バ
ンプ要部存在領域のそれぞれに対する処理の形で反復し
て行われる（図２４：Ｓ３０４〜Ｓ３０６）。なお、決
定されたＧの座標及びバンプ径Ｄの値は、図５の検査結
果データ記憶部９４ｅ（図１８にその内容の詳細を示
す）に記憶される。

【００６４】ここで、図１６（ａ）において、おおむね
正常なバンプであれば、ＢＡ1あるいはＢＡ2のようにバ
ンプ要部存在領域は、バンプ頂面の形状をほぼ反映した
ものとなる。一方、表面が荒れていたり、欠損が生じて
いたりすると、ＢＡ3，ＢＡ4のように、同じバンプに由
来する２以上のバンプ存在領域が現われることもある。
この場合、同図（ｂ）に示すように、基準面積Ｓ0以上
のＢＡ3のみがバンプ要部存在領域として識別され、基
準面積Ｓ0を下回るＢＡ4は、バンプ中心の設定対象から
除外される。これにより、ＢＡ4を別のバンプと誤認す
るトラブルが回避される。一方、同一バンプに由来する
バンプ存在領域が、いずれも基準面積Ｓ0以下の領域に
分裂した場合は、該バンプに対応するバンプ要部存在領
域は認識されないことになる。しかしながら、このよう
な結果は、もともとバンプ表面状態等が良好でないため
に生じたのであり、逆にこれを利用して不良バンプの存
在を推定することができる。

【００６５】図２０にその方法の一例を示している。す
なわち、バンプ付基板１の検査面ＣＰに対し、（ｂ）に
示すように各バンプの形成位置の許容範囲を規定する位
置許容範囲規定ウィンドウＰＷの組を設定する。そし
て、その設定された各位置許容範囲規定ウィンドウＰＷ
内のバンプ存在領域（高輝度領域）ＢＡの面積を求め、
その面積がウィンドウＰＷの面積に対して一定比率以下
となっているものは、そのウィンドウＰＷ内に不良バン
プが存在していると判定することができる。なお、位置
許容範囲規定ウィンドウＰＷの組は、バンプ付基板の品
種が同一であれば、検査面に対する設定位置も同じとな
る。そこで、（ａ）に示すようにウィンドウＰＷの組を
グループ化したウィンドウグループＰＷＧと、検査面Ｃ
Ｐとの位置関係を規定するターゲットマークを基板１上
に形成しておき、検査時にはこのターゲットマークを目
印としてウィンドウグループＰＷＧを位置合わせするよ
うにすればよい。

【００６６】なお、ターゲットマークに代えて、基板１
上の特定バンプの中心（例えば基板１上の４隅のバンプ
の中心）を目印にウィンドウグループＰＷＧを位置合わ
せするようにしてもよい。

【００６７】以上でバンプデータ解析処理は終了し、図
２２のＳ４に進んで検査データ生成処理となる。図２５
に示すように、検査データ生成処理は、本実施例では、
バンプ高さ演算処理（Ｓ４１０）、バンプ間隔演算処理
（Ｓ４２０）、コプラナリティ演算処理（Ｓ４３０）の
３つのステップからなる。

【００６８】図２６にバンプ高さ演算処理の流れを示
す。処理の要部はＳ４１０３〜Ｓ４１０９であり、Ｓ４
１０３で、上記決定されたバンプ要部存在領域に対し、
Ｇを中心とするバンプ高さ決定ウィンドウ（バンプ高さ
決定領域）を、そのバンプ要部存在領域が包含される大
きさで設定する。例えば、図１６（ｃ）に示す例では、
バンプ高さ決定ウィンドウＨＷを、バンプ要部存在領域
の寸法よりも大きい所定半径ｒwの円として設定してい
る。そして、以下のＳ４１０２〜Ｓ４１０７において
は、基板本体２の表面を基準としたバンプ高さ（すなわ
ち、基板本体２からのバンプの突出高さ）ｚを、次のよ
うにして算出している。すなわち、上記バンプ高さ決定
ウィンドウＨＷ内に存在する全てのバンプ存在領域（図
１６（ｃ）ではＢＡとＢＡ’）について、各ビットに対
応する高さレベルｚ’を加算し、その加算値Ｌｚをビッ
ト総数ＮTで割ることにより、バンプ頂面の高さレベル
ｚ’の平均値ｚ’m＝Ｌz／ＮTを求める。そして、別途
測定した基板本体表面の高さレベルＨSをこれから減ず
ることにより、 ｚ＝ｚ’m−ＨS‥‥‥(4) として、ｚを求める。なお、上記処理は、各バンプ要部
存在領域のそれぞれに対する処理の形で反復して行われ
る（Ｓ４１００〜Ｓ４１０２）。こうして求められた各
バンプ（あるいはバンプ要部存在領域）毎の高さｚは、
図５あるいは図１８に示す検査結果データ記憶部９４ｅ
に記憶される。ここで、後述するコプラナリティを求め
る処理のために、各バンプ要部存在領域毎のバンプ頂面
の高さレベルの平均値ｚ’mの値（コプラナリティ決定
用高さ）も合わせて記憶しておくようにする。

【００６９】次に、図１９（ｂ）に示すように、基板１
上のバンプ３の配列状態（Ｂ11、Ｂ12‥‥等）は、前記
特定された各バンプ要部存在領域の中心Ｇによって特定
することができる。図２７は、バンプ間隔演算処理の流
れを示すものである。該処理の要部はＳ４２０３〜Ｓ４
２０５であり、Ｓ４２０３で現在着目しているバンプの
中心Ｇの座標を読み込む。次いで、Ｓ４２０４で、図１
９（ｂ）に示すように、そのバンプ中心をＧ0として、
これに近接する４つのバンプの中心座標Ｇ1〜Ｇ4を読み
込む。そして、Ｓ４２０５で、近接する各バンプとの間
の間隔を、その中心間距離として算出する（Ｋ1〜Ｋ
4）。こうして求められた各バンプ（あるいはバンプ要
部存在領域）毎のバンプ間隔Ｋ1〜Ｋ4は、図５あるいは
図１８に示す検査結果データ記憶部９４ｅに記憶され
る。なお、上記処理は、各バンプ要部存在領域のそれぞ
れに対する処理の形で反復して行われる（Ｓ４１００〜
Ｓ４１０２）。

【００７０】そして、図２８は、コプラナリティ演算処
理の流れを示している。この処理では、Ｓ４３０１〜Ｓ
４３１０において、各バンプ要部存在領域のバンプ頂面
の高さレベルの平均値ｚ’mの値を逐次的に比較するこ
とによって、その最大値MAXと最小値MINを求め、Ｓ４３
１１でコプラナリティＣを両者の差MAX−MINの値として
算出している。この値は、図５あるいは図１８に示す検
査結果データ記憶部９４ｅに記憶される。

【００７１】なお、コプラナリティＣとして次のような
値を算出するようにしてもよい。例えば、図３１（ａ）
に示すように、各バンプ３の頂点位置に対応する最小二
乗平面を頂点基準面Ｐ0とし、その頂点基準面Ｐ0と平行
でかつ高さ最大のバンプ３の頂点を通る平面をＰmax、
同じく高さ最小のバンプ３の頂点を通る平面をＰminと
したときのＰmaxとＰminとの面間距離をコーポラナリテ
ィＣとする。なお、頂点位置の座標は、バンプ頂面内に
て高さレベルが最高となる位置の３次元座標（ｘ，ｙ，
ｚ）を用いてもよいし、例えばバンプ中心Ｇの位置座標
を（ｘp，ｙp）と、前記算出されたバンプ頂面の高さレ
ベルｚ’の平均値ｚ’mとを組み合わせて、（ｘp，ｙ
p，ｚ’m）を用いるようにしてもよい。

【００７２】他方、図３１（ｂ）に示すように、バンプ
の高さレベルの順位において、最も高さの大きいものか
ら順に３つのものMAX1，MAX2，MAX3を抽出し、その３つ
のバンプの頂点が定める平面Ｐmaxから、最も高さの小
さいもの（MIN）の頂点までの距離（あるいはその頂点
を通ってＰmaxと平行な平面をＰminとしたときの、Ｐma
xとＰminとの面間距離）をコーポラナリティＣとするこ
ともできる。また、この逆に、バンプの高さレベルの順
位において、最も高さの小さいものから順に３つのもの
MIN1，MIN2，MIN3を抽出し、その３つのバンプの頂点が
定める平面Ｐminから、最も高さの大きいもの（MAX）の
頂点までの距離（あるいはその頂点を通ってＰminと平
行な平面をＰmaxとしたときの、ＰmaxとＰminとの面間
距離）をコーポラナリティＣとすることもできる。

【００７３】なお、コーポラナリティＣを算出するに当
たっては、基板１上の全てのバンプ３の高さを用いて算
出してもよいし、演算を簡略化するために、一部のバン
プ３の高さのみを用いて演算を行うようにしてもよい。

【００７４】図２２に戻り、以上で検査データ生成処理
は終了する。この状態における検査データ記憶部９４ｅ
の記憶内容は図１８に示す通りである。まず、品番はワ
ークの種類を特定するためのものであり、検査品Ｎｏは
検査された複数のワーク（検査品）を個々に特定するた
めのものである。いずれも、例えば入力部１００（図
５）等から、処理に先立って入力されるものである。そ
して、各バンプ（あるいはバンプ要部存在領域）毎に、
得られた検査データＤＢ11、ＤＢ12‥‥等が記憶されて
いる。各検査データは、バンプ中心Ｇの座標、バンプ径
Ｄ、バンプ高さｚ、バンプ面積（バンプ要部存在領域の
面積である）Ｓ、バンプ間隔Ｋ1〜Ｋ4を含んでいる。ま
た、基板１上のバンプ配列に対して算出されたコプラナ
リティＣの値も記憶されている。

【００７５】そして、図２２においてはＳ５の判定／結
果出力処理に進む。図２９にその流れを示している。ま
ず、図５及び図９の検査標準データ記憶部９４ｄには、
判定対象となる各検査パラメータ（ここでは、Ｄ、Ｚ、
Ｓ、Ｋ1〜Ｋ4、Ｃ）の合格範囲のデータが、基板１の品
番毎に記憶されているので、対応する品番のものを読み
出す。そして、図２９のＳ５０１〜Ｓ５０８の処理で
は、ワークの全てのバンプについて、上記得られた検査
パラメータのうちＤ、Ｚ、Ｓ、Ｋ1〜Ｋ4の各値が、合格
範囲に入っていれば良バンプと判定し、入っていなけれ
ば不良バンプとして判定する。この判定結果は、図１８
の検査結果データ記憶部９４ｅに、各バンプのデータと
対応付けた形で記憶してゆく（図では、良を○、不良を
×で表している）。また、Ｓ５０８では、不良バンプの
検出個数を不良バンプカウンタＮDにより計数し、これ
も同様に検査データ記憶部９４ｅに記憶する。この不良
バンプの個数が所定数（本実施例では、例えば１として
いる）以上となったものを不可（×）、該所定数未満の
ものを可（○）と判定する。

【００７６】こうして、全てのバンプについて判定が終
了すればＳ５０３からＳ５１０に進んでコプラナリティ
の判定が行われる。すなわち、そのワークについて測定
されたコプラナリティＣの値が、許容値Ｃmaxを超えて
いる場合は不可（×）、超えていない場合は可（○）と
判定し、結果を検査結果データ記憶部９４ｅに記憶す
る。そして、Ｓ５１４に進み、総合判定となる。ここで
は、不良バンプの個数判定とコプラナリティ判定とが、
いずれも可となっているものを総合判定合格（○）、一
方でも不可となっているものを不合格と判定している。
この結果も検査結果データ記憶部９４ｅに記憶する。以
上の結果は、検査結果データ記憶部９４ｅの記憶内容に
基づき、例えば図５のモニタ９８あるいはプリンタ１０
２から出力される（Ｓ５１２）。以上で、判定／結果出
力処理が終了する。このような図２２のＳ１〜Ｓ７の各
処理が、検査を行った各ワークに順次行われ、全てのワ
ークについての処理が完了すれば、データ解析／検査判
定処理は終了となる。

【００７７】なお、以上においては、本発明をフリップ
チップ基板の検査に適用した例について説明したが、バ
ンプを有する基板であれば、ＢＧＡ基板等、他の種類の
基板についても本発明を適用できることはもちろんであ
る。また、バンプの形状は頂面が平坦な平バンプに限ら
れるものではなく、輝度閾値等を適当な値に設定するこ
とにより、球状バンプにも本発明は適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の検査装置の検査対象となるバンプ付基
板の一例を示す斜視図。

【図２】本発明の検査装置における測定系の要部の構成
を模式的に示す図。

【図３】その具体的な構成例を示す側面図及び背面図。

【図４】ｘ−ｙテーブルの平面模式図。

【図５】本発明の検査装置の制御系の構成を示すブロッ
ク図。

【図６】レーザー光による高さ検出原理を示す説明図。

【図７】補正量の説明図。

【図８】バンプを横切るようにレーザ光を走査すること
により得られる高さレベル及び輝度のプロファイル。

【図９】検査標準データ記憶部のデータ内容を示す説明
図。

【図１０】補正用データ群記憶部のデータ内容を示す説
明図。

【図１１】走査面に対するレーザ光の照射位置のずれ及
び計測誤差の説明図。

【図１２】受信データ格納ＲＡＭの内容を示す説明図、
及び補正済データ記憶部の内容を示す説明図。

【図１３】バンプ存在領域をビットマップデータ上に現
わした状態の一例を示す説明図。

【図１４】バンプの存在領域をビットマップデータ上で
特定する場合の一例を示す説明図。

【図１５】各バンプの中心の座標を求める説明図。

【図１６】バンプ要部存在領域を識別する際の説明図。

【図１７】バンプ要部存在領域の中心から周縁までの距
離の平均値及びバンプ径を求める説明図。

【図１８】検査結果データ記憶部の内容の一例を示す説
明図。

【図１９】コプラナリティの説明図及びバンプの配列状
態を特定する処理の説明図。

【図２０】不良バンプの存在を推定する方法の一例を示
す説明図。

【図２１】測定系駆動部における制御処理の流れを示す
フローチャート。

【図２２】データ解析／判定処理の流れを示すフローチ
ャート。

【図２３】その位置データ解析処理の詳細を示すフロー
チャート。

【図２４】図２２のバンプデータ解析処置の詳細を示す
フローチャート。

【図２５】同じく検査データ生成処置の詳細を示すフロ
ーチャート。

【図２６】そのバンプ高さ演算処置の詳細を示すフロー
チャート。

【図２７】同じくバンプ間隔演算処理の詳細を示すフロ
ーチャート。

【図２８】同じくコプラナリティ演算処理の詳細を示す
フローチャート。

【図２９】図２２の判定／結果出力処理の詳細を示すフ
ローチャート。

【図３０】バンプ中心座標の演算方式の変形例を示す説
明図。

【図３１】コプラナリティＣの別の概念をいくつか例示
して説明する図。

【符号の説明】

１ バンプ付基板 ２ 基板本体 ３ バンプ １２ 半導体レーザ光源（光源） １６ ポリゴンミラー（光走査手段） ２２ 半導体位置検出器（受光部） ３８ ワークホルダ（基板保持体） ５６ ＣＰＵ（高さ情報生成手段、反射光輝度生成手
段） ７６ 高さ演算部（高さ情報生成手段） ７７ 輝度演算部（反射光輝度生成手段） ８６ ＣＰＵ（高輝度領域特定、バンプ要部存在領域認
識手段、検査情報生成手段、高さ決定領域設定手段、バ
ンプ高さ演算手段、高さ決定用高輝度領域抽出手段、位
置許容範囲規定ウィンドウ設定手段、面積算出手段、判
定手段、バンプ中心算出手段、バンプ配列間隔演算手
段、バンプ寸法演算手段、コプラナリティ情報生成手
段） ９８ モニタ（検査情報出力手段） １０２ プリンタ（検査情報出力手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０５ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ (72)発明者 松原 洋一 長野県上伊那郡宮田村137 タカノ株式 会社内 (72)発明者 小田切 章 長野県上伊那郡宮田村137 タカノ株式 会社内 (56)参考文献 特開 平６−167322（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−13802（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−310807（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−350506（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−12683（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−159721（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−196625（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01N 21/84 - 21/91 H05K 3/00 H05K 3/32 H05K 3/34 H01L 23/12

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板本体上に複数のバンプが二次元的に
   配列されたバンプ付基板の検査装置であって、 前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配
   列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射
   する光源と、 前記検査光に基づく前記検査面からの反射光を受光する
   受光部と、 前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走
   査手段と、 前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位
   置の高さに関する情報を生成する高さ情報生成手段と、 前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位
   置における前記反射光の輝度情報を生成する反射光輝度
   情報生成手段と、 その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面に
   おいて所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、
   高輝度領域という）を特定する高輝度領域特定手段と、 その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上の
   ものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在
   領域として識別するバンプ要部存在領域識別手段と、 その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情
   報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプ
   の高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成する検査
   情報生成手段と、 その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、 を備えたことを特徴とするバンプ付基板の検査装置。
2. 【請求項２】 前記検査情報生成手段は、前記検査面に
   対し、各バンプ要部存在領域と所定の位置関係を満足
   し、かつ該バンプ要部存在領域を個々に包含する所定寸
   法のバンプ高さ決定領域を設定するバンプ高さ決定領域
   設定手段と、 その設定されたバンプ高さ決定領域内の各位置の高さ情
   報に基づいて前記バンプの高さを演算するバンプ高さ演
   算手段とを備える請求項１記載の検査装置。
3. 【請求項３】 設定された前記バンプ高さ決定領域内に
   存在する前記高輝度領域のうち、前記バンプ要部存在領
   域を含め、前記基準面積よりも小さく設定された所定の
   閾面積以上のものをバンプ高さ決定用高輝度領域として
   抽出するバンプ高さ決定用高輝度領域抽出手段を備え、 前記バンプ高さ演算手段は、前記バンプ高さ決定領域内
   の各位置のうち、前記抽出されたバンプ高さ決定用高輝
   度領域内に属するものの高さ情報に基づいて、対応する
   バンプの高さを演算するものである請求項２に記載のバ
   ンプ付基板の検査装置。
4. 【請求項４】 前記バンプ高さ決定領域設定手段は、前
   記バンプ高さ決定領域を、前記バンプ要部存在領域の幾
   何学的重心位置を中心とする円状領域、該幾何学的重心
   位置を対角線交点位置とする四辺形状領域、及びバンプ
   要部存在領域に外接する四辺形状領域のいずれかとして
   設定するものである請求項３記載の検査装置。
5. 【請求項５】 前記バンプ高さ演算手段は、前記バンプ
   高さ決定用高輝度領域内の各位置の高さを該領域内にお
   いて平均化することにより得られる平均高さ、前記各位
   置の高さの最大値である最大高さ、同じく最小値である
   最小高さ、及び前記各位置の高さの最頻値である最頻高
   さの少なくともいずれかを対応するバンプの高さとして
   演算するものである請求項３又は４に記載のバンプ付基
   板の検査装置。
6. 【請求項６】 前記バンプ付基板の検査面に対し、各バ
   ンプの形成位置の許容範囲を規定する位置許容範囲規定
   ウィンドウを設定する位置許容範囲規定ウィンドウ設定
   手段と、 その設定された位置許容範囲規定ウィンドウ内の前記高
   輝度領域の面積、又は該位置許容範囲規定ウィンドウ内
   に占める前記高輝度領域の面積率を算出する面積算出手
   段と、 その面積算出手段が算出する前記高輝度領域の面積又は
   面積率に基づいて、該位置許容範囲規定ウィンドウに対
   応するバンプの形成状態の良否を判定する判定手段と、 を含む請求項１ないし５のいずれかに記載の検査装置。
7. 【請求項７】 前記検査情報生成手段は、前記バンプ要
   部存在領域の幾何学的重心位置を、対応するバンプの中
   心位置として算出するバンプ中心算出手段を備えるもの
   である請求項１ないし６のいずれかに記載のバンプ付基
   板の検査装置。
8. 【請求項８】 前記検査情報生成手段は、前記バンプ要
   部存在領域に外接する四辺形状領域の対角線交点位置
   を、対応するバンプの中心位置として算出するバンプ中
   心算出手段を備えるものである請求項１ないし６のいず
   れかに記載のバンプ付基板の検査装置。
9. 【請求項９】 前記検査情報生成手段は、前記バンプ中
   心算出手段が決定した各バンプの中心位置間距離に基づ
   いて、前記バンプの配列間隔を演算するバンプ配列間隔
   演算手段を備えるものである請求項７又は８に記載の検
   査装置。
10. 【請求項１０】 前記検査情報生成手段は、前記バンプ
    要部存在領域の寸法に基づいて、対応するバンプの寸法
    を演算するバンプ寸法演算手段を備えるものである請求
    項１ないし９のいずれかに記載の検査装置。
11. 【請求項１１】 前記バンプ付基板は、基板保持体によ
    り所定位置に保持された状態で前記検査面に前記検査光
    が照射されるようになっており、 前記バンプ高さ演算手段は前記各バンプの高さを、前記
    基板保持体との間で一定の位置関係を満たす基準高さレ
    ベルからの高さ（以下、コプラナリティ決定用高さとい
    う）として演算するものであり、 前記検査情報生成手段は、その演算された各バンプのコ
    プラナリティ決定用高さのうち、その最大値ｚ’maxと
    最小値ｚ’minとに基づいて、前記バンプ付基板の各バ
    ンプの高さの不均一性を反映した情報であるコプラナリ
    ティ情報を生成するコプラナリティ情報生成手段を含む
    ものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の検査
    装置。
12. 【請求項１２】 基板本体上に複数のバンプが二次元的
    に配列されたバンプ付基板の検査方法であって、 前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配
    列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を
    照射するとともに、前記検査面からの前記検査光に基づ
    く反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を前記検
    査面内にて二次元的に走査し、 そのときの受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内
    の各位置の高さに関する情報を生成し、 他方、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上
    の各位置における前記反射光の輝度情報を生成し、その
    生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面におい
    て所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝
    度領域という）を特定し、 その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上の
    ものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在
    領域として識別し、 その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情
    報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプ
    の高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を得るようにし
    たことを特徴とするバンプ付基板の検査方法。
13. 【請求項１３】 基板本体上に複数のバンプが二次元的
    に配列されたバンプ付基板の製造方法であって、 前記基板本体上に前記バンプを形成する工程と、 前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配
    列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を
    照射するとともに、前記検査面からの前記検査光に基づ
    く反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を前記検
    査面内にて二次元的に走査し、 そのときの受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内
    の各位置の高さに関する情報を生成し、 他方、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上
    の各位置における前記反射光の輝度情報を生成し、その
    生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面におい
    て所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝
    度領域という）を特定し、 その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上の
    ものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在
    領域として識別し、 その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情
    報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプ
    の高さを測定し、 該バンプの高さが所定の範囲内にあるバンプ付基板のみ
    を検査・選別する工程と、 を含むことを特徴とするバンプ付基板の製造方法。