JP2003160899A

JP2003160899A - めっき終点検出方法およびめっき装置

Info

Publication number: JP2003160899A
Application number: JP2001357498A
Authority: JP
Inventors: Makoto Isada; 誠諫田; Mitsuru Shigemura; 満重村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-11-22
Filing date: 2001-11-22
Publication date: 2003-06-06
Anticipated expiration: 2021-11-22
Also published as: JP3745272B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ストレートウォールバンプ作成においても用
いることのできる、精度のよい、めっき終点検出方法を
提供する。【解決手段】めっき装置１は、ウエハ１０上に、めっ
きによりストレートウォールバンプを作成するためのも
のである。めっき装置１は、発光手段２と受光手段３と
検出手段４とを備えている。発光手段２はウエハ１０の
表面に所定の入射角で光を照射し、受光手段３は所定の
反射角で反射された反射光を検出し、検出手段４は前記
反射光の強度に基づいてめっき終点を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき終点検出方
法ならびにこれを用いためっき装置に関するものであ
り、さらに詳しくは、半導体集積回路に所望の厚さのバ
ンプ電極を形成する際などに、めっき終点の検出を行う
めっき終点検出方法およびめっき装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話・モバイル情報端末機器
等をはじめ、あらゆる電子情報産業の分野において、こ
れらの機器に組込まれる半導体デバイスの高密度実装化
が進んでいる。

【０００３】高密度実装を行う際には、半導体デバイス
上に形成された微細な電極パッドと、それが実装される
実装基板上に形成された配線との間で、電気的に安定
し、かつ物理的にも安定した接続を行う必要がある。

【０００４】このような、一定の強度を保証し、かつ十
分な信頼を確保できるような接続方法の一つとして、電
極パッド部に形成した金（Ａｕ）バンプを利用する方法
が広く用いられている。このバンプを利用する方法にお
いて安定した接続を行うためには、電極パッド部にバン
プを形成する際に、バンプの高さを所望の値に形成する
ことが必要とされる。

【０００５】電極パッド部へのバンプの形成は、通常め
っきによって行われる。ここで、めっきによるバンプの
形成法について説明する。めっき法には、大きく分け
て、無電解めっき法と電解めっき法の２つの方法があ
る。

【０００６】まず無電解めっき法について説明する。無
電解めっき法は、被めっき物である下地金属とめっき液
中のめっき金属との化学的な置換によって、めっきを行
うものである。この方法によれば、めっき電源などの設
備は必要としないという利点がある。しかし、その反
面、被めっき物である下地金属とめっき液との組み合わ
せに制限があり、まためっき成長速度が遅いという問題
があった。このため、半導体デバイスのバンプに必要と
される、十数μｍから数十μｍといった厚さのめっき層
の形成には、不向きであった。

【０００７】次に、電解めっき法について説明する。電
解めっき法は、下地金属とめっき液とに電流を流すこと
によって、電気化学的にめっきを行うものである。この
方法によれば、上述の無電解めっき法ではめっきができ
ない下地金属との組み合わせに対しても、めっきをする
ことができる。また、めっきの成長速度が無電解めっき
法に比べると非常に速く、このため容易に数１０μｍの
厚みのめっき層を形成することができる。したがって、
電解めっき法は半導体デバイス（以下、半導体集積回路
と称す）へのバンプ形成に適した方法である。

【０００８】そこで、以下では、電解めっき法によるバ
ンプ形成法の手順についてより詳細に説明する。まず、
半導体集積回路が組込まれた半導体基板（以下、ウエハ
と称する）の絶縁膜上に、電解めっきの際の電流を印加
するための、いわゆるカレントフィルムの役割を果たす
下地金属膜を被着させ、さらにフォトレジスト膜を披着
させる。そして、フォトリソグラフ技術により、所定の
位置つまりバンプを形成させるべき箇所のフォトレジス
ト膜を開口して下地金属膜を露出させる。

【０００９】次いで、ウエハ表面をめっき液に浸たし、
下地金属膜と別途設けてある陽極（アノード）電極との
間に電圧を印加して、フォトレジスト膜の開口部に、め
っき金属を所定の厚さ析出させ、所望の高さのバンプ電
極を形成する。

【００１０】上記手順において、バンプ電極の高さを所
望の高さに形成して接続を安定なものとするためには、
めっき工程においてめっきの終点検出を行う必要があ
る。このめっきの終点検出法について、従来から用いら
れている２つの方法を説明する。

【００１１】第１の方法は、電解めっき法の電気化学的
な原理に基づく方法である。電解めっきは、そもそも次
の電気化学式による反応を利用したものである。

【００１２】

【数１】

【００１３】上記の反応式に示されるように、結果とし
て反応生成物であるめっき金属（Ｍ）の析出量はファラ
デーの法則に従い、反応に使われた電子（ｅ^-）の量、
つまり、めっき処理に使われた電流の総量（積算電流
値）に比例する。

【００１４】したがって、めっき電流値とめっき時間の
積である積算電流値を計測し、管理することによって、
析出量（体積）を制御できる。よって、例えばバンプ形
成時のレジスト開口部の寸法が高さ方向に一定ならば、
その析出量に比例したバンプ高さを得ることができる。

【００１５】しかしながら、上記第１の方法、つまり電
解めっき法の電気化学的な原理に基づく方法では、以下
の２つの問題がある。

【００１６】まず第１に、実際のめっき液においては、
めっき電流を印加しなくてもめっき金属が幾分かは析出
するという性質があった。この析出量は、めっき液の状
態（装置、温度、流量、ｐＨ等）により変化する。この
ため、全体としての析出量を十分な精度で得ることがで
きないという問題があった。

【００１７】また、第２には、析出するめっき金属の全
てが必ずしもウエハ表面に析出するとは限らないことが
問題となる。例えば、一部はめっき装置の壁面や配管部
分等に析出することがあり、その分の析出量はバンプ形
成についてはロスとなる。このため、やはりウエハへの
全体としての析出量を十分な精度で得ることができない
という問題があった。

【００１８】以上のように、上記第１の方法を用いてめ
っき終点の検出を行った場合には、十分な精度が得られ
ないという問題があった。

【００１９】そこで、次に、めっき終点を検出するため
の第２の方法について説明する。

【００２０】第２の方法は、例えば特開平１−１３４９
５３号公報に開示された方法である。図７の概略構成図
に、第２の方法によるめっき終点検出を行うめっき装置
の１例を示す。

【００２１】めっき装置２１は、ウエハ３１にバンプ電
極を形成するためのものである。めっき装置２１は、以
下の構成によって、バンプ電極を形成しながらその終点
を検出して、所望の高さのバンプ電極を得るようになっ
ている。

【００２２】めっき装置２１は、めっき液供給口２６
と、レーザ光発振器２２と、レーザ光検知器２３と、ア
ノード電極２８とを備えている。

【００２３】また、めっき装置２１の上面には、不図示
の半導体集積回路を複数個組み込んだウエハ３１を、バ
ンプ電極が形成される表面を下向きにして装着してい
る。

【００２４】この際、ウエハ３１は、表面のみがめっき
液２５に浸すようにされている。これは、ウエハ３１全
体をめっき液の中に浸すと、ウエハ裏面へのめっき金属
の析出を抑えるために、特別な治具（ｊｉｇ）が必要と
なり、作業が煩雑となるので、それを避けるためであ
る。

【００２５】上記配置のめっき装置２１においては、め
っき液２５をめっき液吹き上けポンプ２７によりめっき
液供給口２６から吹き上げ、めっき装置２１の内部で撹
拝して、ウエハ３１のバンプ電極形成側に達するように
している。そして、めっき液２５は、ウエハ３１周辺か
らめっき装置２１の外側へ排出される。

【００２６】そして、上記のようにめっき液２５が流れ
つづけている状態で、ウエハ３１上の下地金属膜３５と
接続された（不図示の）カソード電極とアノード電極２
８との間に電圧を印可する。すると、下地金属膜３５に
めっき電流が流れて、上述した電解めっき法の原理に従
い、下地金属膜３５上にバンプが形成される。

【００２７】次に、上記構成におけるめっき終点の検出
について、図８（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図
８（ａ），（ｂ）は、ウエハ３１の表面のバンプ電極３
７を拡大して示す断面図である。

【００２８】図８（ａ）は、透過光２９Ａによってめっ
き終点の検出を行う場合の構成を示すものである。図示
するように、ウエハ３１の表面に平行に、ウエハ３１の
一端から、レーザ光発振器２２よりレーザ光を照射す
る。上記のレーザ光を、ウエハ３１の他端に設けたレー
ザ光検知器２３により観測する。そして、バンプ電極３
７の成長に伴う透過光２９Ａの強度変化を観測すること
によって、めっき終点を検出する。すなわち、上記構成
においては、めっきの進行によりバンプ電極３７が成長
すると、透過光２９Ａの強度が減少する。このため、め
っき終点を検出できる。

【００２９】また、図８（ｂ）は、反射光２９Ｂによっ
てめっき終点の検出を行う場合の構成を示すものであ
る。図示するように、ウエハ３１の表面に平行に、ウエ
ハ３１の一端から、レーザ光発振器２２によりレーザ光
を照射する。そして、ウエハ３１の前面においてレーザ
光検知器２３を設けて、バンプ電極３７からの反射光２
９Ｂを観測する。上記構成においては、めっきの進行に
よりバンプ電極３７が成長すると、反射光２９Ｂの強度
が増加する。このため、めっき終点を検出できる。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開平１
−１３４９５３号公報に記載の構成では、次のような問
題がある。

【００３１】上記構成では、レーザ光発振器２２からウ
エハ３１表面に平行にレーザ光を入射させるようになっ
ている。

【００３２】ここで、近年、バンプ電極として、バンプ
の断面形状がストレートとなっているストレートウォー
ルバンプが用いられるようになっている。このストレー
トウォールバンプにおいては、バンプの高さは、めっき
の際のマスクであるフォトレジスト膜表面より低く形成
される。

【００３３】このため、上述のようなストレートウォー
ルバンプをめっきにより作成する場合には、レーザ入射
光をウエハ表面に平行に入射すると、レーザ光がバンプ
電極表面に当たらず、透過光も反射光も強度変化が生じ
ない。したがって、上記構成を用いると、ストレートウ
ォールバンプをめっきにより作成する際には、めっき終
点を検出することはできないという問題があった。

【００３４】また、上記構成において、検出されるバン
プの高さは、せいぜい数十μｍである。一方、ウエハ
は、通常は直径が１５０ｍｍから２００ｍｍ程度のもの
が用いられている。したがって、上記構成のように、バ
ンプを検出する目的で、ウエハ表面とレーザ光の進行方
向とを平行に設定するためには、レーザ光発振器２２お
よびレーザ光検知器２３とウエハ３１との位置関係にお
いて、非常に精密な位置合わせが必要となる。すなわ
ち、レーザ光発振器２２およびレーザ光検知器２３をウ
エハ表面に極めて近接させた状態で、高い平行度でもっ
て配置する必要がある。しかしながら、ウエハは、近
年、次第に大きなものが用いられるようになっており、
また、ウエハは薄いため、その面積が大きくなる程反り
が生じやすくなっている。このため、上記のような位置
合わせは次第に困難になるという問題があった。

【００３５】さらに、上記構成のように、ウエハ表面の
みをめっき液に浸す場合には、ウエハの接液面はめっき
液の表面張力により凸型となる。このため、入射光がウ
エハ表面と平行でかつごく近い位置を通るように、レー
ザ光をめっき液の外部から入射したすると、レーザ光は
めっき液表面で反射、散乱され、めっき液内部に入射し
ない。したがって、上記構成においては、レーザ光発振
器を、さらに好ましくはレーザ光検知機をも、めっき液
中に配置する必要がある。上記構成によれば、めっき装
置の機構が複雑となり、コスト的にもメンテナンス的に
も問題があった。

【００３６】また、上記構成においては、用いるレーザ
光のビーム径は通常１０〜２０μｍの範囲である。この
ため、上記の例のようにウエハ上にバンプが一つのみの
場合はその高さを検出できるが、例えばウエハ上にバン
プが複数（通常数万〜数十万）規則的に配置されている
実際のウエハの場合には、ウエハ全域のバンプ高さを検
出することは困難である。

【００３７】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ストレートウォールバンプ作
成時や大面積のウエハにおけるめっき形成時においても
好適に用いることのできる、精度のよい、めっき終点検
出方法およびめっき装置を提供することにある。

【００３８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るめっき終点
検出方法は、上記の問題を解決するために、被めっき基
板のめっき形成面に、開口部を有するマスク（例えば、
フォトレジスト膜）が形成された状態で、該被めっき基
板に対してめっきを行い、該開口部の箇所にのみめっき
層を形成する際に、形成されためっき層が所望の厚さと
なるめっき終点を検出するめっき終点検出方法におい
て、上記めっき形成面における少なくとも開口部を含む
領域に対し、所定の入射角で光を照射し、上記めっき形
成面において所定の反射角で反射された反射光を検出
し、上記反射光の強度に基づいてめっき終点を検出する
ことを特徴としている。

【００３９】上記の構成によれば、形成されるめっき層
の厚さを検出するために、上記被めっき基板のめっき形
成面に照射される光は、該めっき形成面に対して所定の
入射角にて照射される（すなわち、上記入射光の光軸
は、めっき形成面と平行とならない）。

【００４０】さらに、上記めっき終点検出方法は、被め
っき基板のめっき形成面に、開口部を有するマスクが形
成された状態で、該被めっき基板に対してめっきを行う
際に適用される。そして、このめっきによって、例えば
ストレートウォールバンプを形成するような場合には、
該バンプを形成するめっき層は、上記マスクの開口部で
のみ成長し、該めっき層の厚みがマスクの厚みを超える
ことはない。

【００４１】この時、めっきの初期段階においてめっき
層の厚みが少ない場合は、マスクの開口部領域に照射さ
れる光は、そのほとんどがマスクによって遮られ、めっ
き層表面において反射される反射光はほとんど存在しな
い。しかしながら、めっき層が成長し、その厚みが大き
くなるとマスクによって遮られる光の割合が減少し、反
射光が増加する。

【００４２】このため、上記めっき形成面において所定
の反射角で反射された反射光を検出し、この反射光の強
度に基づいて（例えば、検出された反射光の強度が予め
設定された基準値に到達することをもって）、めっき厚
が所望の厚さとなるめっき終点を検出することができ
る。

【００４３】このように、上記めっき終点検出方法で
は、めっき層の厚みがマスクの厚みを超えることのな
い、例えば、ストレートウォールバンプの形成時等にお
いても、めっき終点を直接的に精度よく検出することが
できる。

【００４４】また、上記被めっき基板のめっき形成面に
照射される光は、該めっき形成面に対して平行とならな
いため、該被めっき基板が大面積化され、その平面度が
低下しても、本発明のめっき終点検出方法を適用するに
あたっての問題は特に生じない。このため、被めっき基
板の大面積化に対して適用性が高い。

【００４５】また、上記めっき終点検出方法は、上記め
っき形成面に照射される光の入射角と、上記めっき形成
面で反射された後にその強度が検出される光の反射角と
が等しくなるように設定されていることが好ましい。

【００４６】上記の構成によれば、上記めっき層におい
て反射される反射光の受光効率を最大とすることがで
き、その結果、めっき終点の検出精度が向上する。

【００４７】また、上記めっき終点検出方法では、上記
めっき形成面に照射される光として、めっき液における
吸収特性の低い波長の光が用いられる構成、および／ま
たは上記めっき形成面に照射される光として、上記めっ
き層を形成する金属における反射特性の高い波長の光が
用いられる構成とすることが好ましい。

【００４８】上記の構成によれば、上記被めっき基板の
めっき形成面に照射される光が、めっき液中を進行中に
吸収されたり、めっき層表面で吸収されたりして、めっ
き終点の検出に用いられる反射光の受光効率が低下する
といった不具合を回避できる。その結果、めっき終点の
検出精度が向上する。

【００４９】また、上記めっき終点検出方法では、上記
めっき終点は、上記反射光の強度の微分値が予め設定さ
れている所定の値に到達したことをもって検出される構
成とすることができる。

【００５０】上記の構成によれば、光強度変化に対する
検出感度が向上し、めっき終点の検出がより正確に行え
る。すなわち、上記のように微分することによって、信
号の変化量が得られるので、変位が小さくても、立ち上
がり、立ち下がりをパルスとして捉えることができる。

【００５１】本発明に係るめっき装置は、被めっき基板
にめっきを行う際に、形成されためっき層が所望の厚さ
となるめっき終点を検出するめっき終点検出機構を備え
ためっき装置において、上記めっき終点検出機構は、上
記被めっき基板のめっき形成面に対し、所定の入射角で
光を照射する発光手段と、上記めっき形成面において所
定の反射角で反射された反射光を受光する受光手段と、
上記受光手段の受光した反射光の強度に基づいてめっき
終点を検出する検出手段とを備えていることを特徴とし
ている。

【００５２】上記の構成によれば、上述のめっき検出検
出方法を用いてめっき終点の検出を行うことができ、め
っき層の厚みがマスクの厚みを超えることのない、例え
ば、ストレートウォールバンプの形成時等においても、
めっき終点を直接的に精度よく検出することができる。
また、被めっき基板の大面積化に対して適用性が高い。

【００５３】また、上記めっき装置は、上記発光手段を
移動させて該発光手段から照射される光の入射角を調節
する入射角調節手段、および／または、上記受光手段を
移動させて該受光手段によって受光可能な光の反射角を
調節する反射角調節手段を備えていることが好ましい。

【００５４】上記めっき装置において、発光手段から照
射される光の入射角および受光手段によって受光される
光の反射角は、マスクの膜厚、所望するめっき層の厚
さ、および該マスクにおける開口部の幅などの条件によ
ってその最適値は異なる。

【００５５】これに対して、上記の構成によれば、上記
入射角および反射角は、入射角調節手段および反射角調
節手段によって調節可能であるため、異なる種々の条件
下においても、上記入射角および反射角を容易に最適値
に設定可能となる。

【００５６】ここで、上記の入射角および反射角の最適
値とは、例えば製造を行う半導体デバイスおよびバンプ
プロセスの仕様において、レジスト膜厚、バンプ電極高
さ、開口部の幅などを設定することによって、決定され
る量である。

【００５７】上記のように、入射角調節手段および反射
角調節手段を備え、それぞれ独立に角度調節を行えば、
例えば、めっき槽自体の組み立て精度のばらつきや、経
時劣化による変形によってめっき槽の壁が平行でない場
合においても、最適値となるように微調整を行って、よ
り精度よく検出することができる。

【００５８】また、上記めっき装置は、上記発光手段が
照射する光を集光して上記被めっき基板のめっき形成面
を照射する入射集光手段、および／または、上記反射光
を集光して上記受光手段へと導く反射集光手段を備えて
いる構成とすることができる。

【００５９】上記の構成によれば、上記入射集光手段
は、上記発光手段の照射する光を集光することで、被め
っき基板の検出領域に照射される光の割合を増加させ、
該発光手段から照射される光の有効利用を図ることがで
きる。また、上記反射集光手段は、上記受光手段へと導
かれる反射光の割合を増加させ、該受光手段の検出感度
を向上させる。

【００６０】これにより、例えば、発光手段において通
常の白熱電球を使用することも可能となり、該発光手段
を安価に提供して装置のコストダウンを図ることが可能
となる。

【００６１】また、上記めっき装置では、上記検出手段
は、上記受光手段の受光した反射光の強度を入力信号と
し、その入力信号を微分することによって反射光の強度
の変化を検出し、該反射光の強度の変化に基づいてめっ
き終点を検出する構成とすることができる。

【００６２】上記の構成によれば、光強度変化に対する
検出感度が向上し、めっき終点の検出がより正確に行え
る。すなわち、上記のように微分することによって、信
号の変化量が得られるので、変位が小さくても、立ち上
がり、立ち下がりをパルスとして捉えることができる。

【００６３】また、上記めっき装置では、上記発光手段
は、照射する光の波長を設定する波長設定部を備えてい
る構成とすることができる。

【００６４】上記の構成によれば、上記発光手段は、波
長設定部の設定した波長の光を照射する。したがって、
波長選択部が、前記めっき溶液における吸収率が低い波
長を選択すれば、めっき溶液における吸収を減らして、
効果的、効率的に被めっき基板を照射できる。また、波
長選択部が、めっきによって生ずるめっき金属による反
射率が高い波長を選択すれば、めっき金属による反射を
増加させる。これにより、より効果的、かつ効率的に、
めっき終点の検出が行える。

【００６５】尚、上記構成において、照射する光の波長
を設定するとは、例えば、照射する光の波長スペクトル
全体を設定する構成であってもよいし、照射する光の波
長スペクトルのピーク波長を設定する構成であってもよ
いし、照射する光を単一スペクトルとしてその波長を設
定する構成であってもよい。

【００６６】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
を参照して説明する。なお、本発明に係るめっき装置
は、特に半導体集積回路のバンプ電極の形成において好
適に用いられるものであり、以下の説明では、本発明の
めっき装置をバンプ電極の形成に使用する場合を例示す
る。また、以下に説明する半導体集積回路の製造工程や
製造条件等は、通常の半導体集積回路の製造工程にて用
いられているものと同じであり、特段の場合を除いてそ
の詳細は省略する。

【００６７】図１（ａ）に、本実施の形態に係るめっき
装置１の概略構成図を示す。

【００６８】めっき装置１は、発光手段２、受光手段
３、検出手段４、めっき槽６、めっき吹き上げポンプ
７、カソード電極８Ａ、アノード電極（陽極）８Ｂを備
えている。なお実際のめっき装置１は、これらの他に、
めっき液を循環させるポンプや配管など、多くの付随す
る部品があるが、煩雑さを避けるために、図１（ａ）に
おいてはそれらの記載は省略した。

【００６９】発光手段２は、ウエハ１０のバンプ電極形
成面（以下、単にウエハ表面と称する）に対し、例えば
レーザ光を照射するものであり、ウエハ表面の法線方向
に対して所定の入射角θ₁でウエハ１０を照射するよう
になっている。また、発光手段２においては、後述する
ように、照射する光の波長を選択した上で、光を照射し
ている。

【００７０】受光手段３は、ウエハ表面の法線方向に対
して所定の反射角θ₂に対応する位置で、ウエハ１０よ
り反射される光を受光するためのものである。なお、本
実施形態においては、受光手段３における受光量を向上
させるために、角度θ₁、θ ₂は、θ₁＝θ₂を満たす
ように設定されることが好適であることは容易に理解で
きる。また、受光手段３は、受光した光を電気信号に変
換して、検出手段４に送信するようになっている。

【００７１】なお、上記発光手段２および受光手段３
は、めっき槽６の外側に配置されており、めっき液５と
接触することはない。このため、発光手段２および受光
手段３の構成を簡単にでき、コストダウンを図ることが
できる。また、発光手段２および受光手段３のメンテナ
ンスも容易となる。なお、この構成において、入射光お
よび反射光の光路となるめっき槽６の一部分は、ガラス
やアクリルなどの透明な材質で形成されている必要があ
る。

【００７２】検出手段４は、受光手段３の受光する光強
度の変化を検出するためのものである。検出手段４は、
受光手段３より送信される信号を増幅し、その信号強度
の変化より、光強度の変化を検出するようになってい
る。

【００７３】なお、上記の発光手段２、受光手段３、お
よび検出手段４が、特許請求の範囲に記載のめっき終点
検出機構に対応するものである。

【００７４】詳細は後述するが、上記構成において、受
光手段３によって検出される反射光の光強度は、バンプ
電極の成長に伴って変化する。このため、受光手段３に
よって検出される光強度とバンプ電極の厚みとの関係を
前もって決定しておけば、受光手段３によって検出され
る光強度に基づいてバンプ電極の厚みを検出できる。さ
らに、所望のバンプ電極厚さに対応する光強度を予め設
定しておけば、これにより、めっきの終点を検出するこ
とができる。

【００７５】上記構成のめっき装置１を用いてめっきを
行う場合には、めっき槽６にめっき液５が満たされ、被
めっき基板となるウエハ１０は、バンプ電極が形成され
る面を下向きにしてカソード電極８Ａに支持されて、め
っき装置１に装着されている。すなわち、ウエハ１０
は、めっきを行う面のみが、めっき液５に浸されてい
る。

【００７６】また、めっき装置１では、めっき槽６の下
方にめっき液供給口６ａが形成されており、めっき液５
は、めっき吹き上げポンプ７により該めっき液供給口６
ａから吹き上げられて、ウエハ１０に達した後、ウエハ
１０周辺よりめっき装置１の外側へ排出される。

【００７７】ここで、上記めっき装置１を用いてウエハ
１０にめっきを行うための準備としての、ウエハ１０の
製造工程について、図２の断面図を参照して簡単に説明
する。図２は、図１（ａ）に示すウエハ１０近傍を拡大
して示す断面図である。また、図２においては、説明の
便宜上、ウエハ１０の天地を図１（ａ）とは逆にして表
示している。

【００７８】上記ウエハ１０は、ウエハ基材１１上に、
トランジスタなどで形成される不図示の半導体集積回路
を複数個組込んでなる半導体基板である。

【００７９】まず、ウエハ基材１１の表面全面に、絶縁
膜１２を所定の厚さ堆積させる。次に、パッド電極用金
属膜として、例えばＡ１の薄膜を約１μｍの厚さ堆積さ
せる。そして、フォトリソグラフおよび金属薄膜エッチ
ング技術により、電極パッド１３を形成する。上記電極
パッド１３は、半導体集積回路の入出力端子となる。こ
の電極パッドをふくむウエハの表面上に、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition)法等を用いて、例えばＢＰＳＧ
（Boro-Phospho-Silicate Glass)膜を厚さ約１μｍ程度
に堆積させて保護膜１４を形成する。

【００８０】次いで電極パッド１３の上部の保護膜１４
を開口し、さらにその上から再度スパッタリング法によ
り、単一金属または複数種類の金属からなる下地金属膜
１５を堆積する。さらに、下地金属膜１５の上にフォト
レジスト膜（マスク）１６を形成した後、フォトレジス
ト膜１６の所定の位置に、バンプ電極（ストレートウォ
ールバンプ）１７を形成するための開口部を開口する。

【００８１】また、本実施の形態においては、ウエハ１
０に形成されるバンプ電極１７として、断面形状がスト
レートであるストレートウォールバンプを形成するよう
になっている。このため、ウエハ１０においては、後述
するように、バンプ電極１７の高さはマスクであるフォ
トレジスト膜１６の表面よりも低く形成される。言い換
えれば、上記フォトレジスト膜１６は、所望とするバン
プ電極１７の高さよりも厚く成膜される。

【００８２】この状態において、本実施形態に係るめっ
き装置１を用いることによって、上記ウエハ１０に成膜
されたフォトレジスト膜１６の開口部にバンプ電極１７
を形成できる。

【００８３】また、このとき、カソード電極８Ａは、ウ
エハ１０上に形成された下地金属膜１５と電気的に接続
されている。したがって、このような状態で、カソード
電極８Ａとアノード電極８Ｂとの間に電圧を印加する
と、アノード電極８Ｂとカソード電極８Ａに接続された
下地金属膜１５との間に電圧が印加され、下地金属膜１
５にめっき電流が流れてめっきが進行する。このとき、
上記下地金属膜１５上には、開口部の設けられたフォト
レジスト膜１６が形成されていることから、めっき金属
はこの開口部に析出してバンプ電極１７が形成される。

【００８４】図２には、ウエハ１０の上記構成に加え
て、めっき装置１に装着されたウエハ１０の表面と、発
光手段２から照射される入射光Ｐ₁と、受光手段３にて
受光される反射光Ｐ₂との位置関係が示されている。

【００８５】本実施形態にかかるめっき装置１では、図
２に示すように、発光手段２からの入射光Ｐ₁はウエハ
１０の表面に対して所定の入射角θ₁で照射され、ウエ
ハ１０表面から所定の反射角θ₂で反射される反射光Ｐ
₂は受光手段３で受光される構成である。上記入射光Ｐ
₁は、フォトレジスト膜１６もしくは形成中のバンプ電
極１７に照射されるが、フォトレジスト膜１６に照射さ
れた光は、該フォトレジスト膜１６によって散乱もしく
は吸収されるため、受光手段３によって受光される反射
光の光量は少ない。

【００８６】一方、めっきによって形成されるバンプ電
極１７の厚みは、めっきの進行に伴って増加するが、該
バンプ電極１７の厚みが小さい状態（図２に示すＡの状
態）では、バンプ電極形成領域に照射される入射光Ｐ₁
は、フォトレジスト膜１６に遮られてバンプ表面に達し
ないか、または、バンプ表面で反射されてもその後フォ
トレジスト膜１６に遮られて受光手段３に達しない（受
光手段３に達しても非常に低い強度となる）。

【００８７】しかしながら、めっきが進行し、例えば図
２に示すＢのバンプ高さになると、入射光Ｐ₁は、フォ
トレジスト膜１６に遮られることなく、バンプ電極１７
表面に達し、該バンプ電極１７の表面で反射されて受光
手段３に達するようになっている。つまり、めっきが進
行し、バンプ電極１７がある高さ以上に成長すると、受
光手段３に達する光強度が増加する。

【００８８】したがって、上記めっき装置１にてめっき
を行う際に、受光手段３で検出される反射光の光強度を
計測し、その光強度の変化を検出することによって、バ
ンプ電極１７の高さを検出することができる。つまり光
強度の変化の推移から、めっきの厚さが判別でき、めっ
きの終点を決定することができる。

【００８９】以上のように、上記めっき装置１を用いれ
ば、従来の方法では終点の検出を行うことのできなかっ
たストレートウォールバンプについてめっき終点を検出
できる。

【００９０】次に、上述のように判別を行う場合の、め
っきの厚みおよび入射角などの関係について、図３の説
明図を参照して具体的に説明する。

【００９１】図３に示すように、ウエハ１０に対する光
の入射角および反射角をθ、フォトレジスト膜１６の膜
厚をＴ、めっきにより形成されたバンプ電極１７の厚み
をＨ（＜Ｔ）とし、さらにバンプ形成のための開口部の
幅をＷとする。なお、図３においては、フォトレジスト
膜１６とウエハ基材１１との間に形成される膜について
は図示を省略している。

【００９２】上記のＴ，Ｗ，Ｈ，θについては、上記バ
ンプ電極１７表面によって反射された後、受光手段に受
光される光が存在するためには（図３の状態）、幾何学
的な考察から、以下の関係式が成立する。

【００９３】

【数２】

【００９４】したがって、フォトレジスト膜１６の膜厚
Ｔとバンプ形成のための開口部の幅Ｗとを指定した上
で、所望のバンプ電極１７の高さＨ_fを得るには、

【００９５】

【数３】

【００９６】によって算出される入射角および反射角θ
となるように、発光手段２および受光手段３を調節すれ
ば良い。

【００９７】具体例として、フォトレジスト膜１６の厚
みＴ＝３０μｍ、バンプのための開口部の幅Ｗ＝４０μ
ｍとした場合の、入射角θと所望のバンプ電極１７の高
さＨ _fとの関係を上記式に基づいて算出した結果を図４
のグラフに示す。

【００９８】また、上記のＴ，Ｗにおいて、さらに入射
角度θを４５度に設定した場合の、所望のバンプ電極１
７の高さＨ_fと反射強度（相対値）との関係を実験によ
って求めた結果を図５のグラフに示す。

【００９９】このように、上記めっき装置１は、発光手
段２から光をウエハ表面に対して所定の入射角で照射
し、該ウエハ表面で所定の反射角にて反射された反射光
を受光手段３により受光している。そして、上記入射角
および反射角は、上記図３ないし図５の説明より明らか
なように、フォトレジスト膜１６の膜厚Ｔ、所望するバ
ンプ電極１７の高さＨ_f、およびフォトレジスト膜１６
における開口部の幅Ｗなどの条件に応じて適切に設定さ
れる。すなわち、入射角および反射角について、製造を
行う半導体デバイスおよびバンププロセスの仕様に応じ
て、最適値を決定できる。

【０１００】したがって、上記めっき装置１では、上記
フォトレジスト膜１６の膜厚Ｔ、バンプ電極１７の高さ
Ｈ_f、および開口部の幅Ｗなどが異なる種々の条件下
で、バンプ電極１７の形成を行おうとすると、入射角お
よび反射角をこれらの条件に合わせて調節する調節手段
が必要となる。

【０１０１】このような調節手段は、発光手段２におけ
る入射角を調節する入射角調節手段と受光手段３におけ
る反射角を調節する反射角調節手段とを各々独立に備
え、入射角および反射角を独立して任意に変えることが
できる構成とすることが好ましい。

【０１０２】ここで、図１（ｂ）に入射角調節手段１８
の正面図を、図１（ｃ）に入射角調節手段１８の側面図
を示す。なお、上記の反射角調節手段は、入射角調節手
段１８と同じ形であるので、ここでは図示しない。

【０１０３】入射角調節手段１８は、取っ手１８ａ、固
定用ネジ１８ｂ、スリット１８ｃ、支点１８ｄ、支持板
１８ｅ、柄１８ｆよりなる。柄１８ｆは、支点１８ｄを
介して支持板１８ｅに支持されており、取っ手１８ａを
移動させると支点１８ｄを中心として回転可能になって
いる。そして柄１８ｆに、発光手段２（不図示）を備え
つけるようになっている。また、柄１８ｆに設けられた
固定用ネジ１８ｂを、支持板１８ｅのスリット１８ｃに
固定させることにより、入射角の微調整が可能となって
いる。

【０１０４】そして、上述のように、入射角調節手段１
８が発光手段２を、入射角調節手段１８と同形の反射角
調節手段が受光手段３を、それぞれ調整して、入射角お
よび反射角を独立に調整するようになっている。

【０１０５】このように、入射角および反射角をそれぞ
れ独立に角度調節を行えば、例えば、めっき槽自体の組
み立て精度のばらつきや、経時劣化による変形によって
めっき槽の壁が平行でない場合においても、最適値とな
るよう微調整を行って、より精度よく検出することがで
きる。

【０１０６】また、上記とは別の構成として、上記入射
角調節手段および反射角調節手段としては、例えば、円
弧状のレールを用い、該レール上に発光手段２および受
光手段３を設けるなどの構成によっても実現可能であ
る。このように、上記入射角調節手段および上記反射角
調節手段としては、上記例のように、通常角度を変更す
るのに従来から用いられている機構を適用可能である。

【０１０７】また、上記めっき装置１では、めっき厚の
検出に用いられるレーザ光はめっき液中を進行する。こ
こで、上記めっき液は、通常、液中を進行する光の波長
によって、その光に対する吸収率が変化する特性を有し
ている。このため、発光手段２において照射される光の
波長は、用いられるめっき液の種類に応じて適切に選択
されることが好ましい。さらに、めっきを行う金属（す
なわち、めっきによりバンプ電極を形成する金属）にお
ける光の反射率も、その波長によって異なるものであ
り、反射率の高い波長が選択されることが望ましい。

【０１０８】ここで、上述した、発光手段２における光
の波長の選択について、図６（ａ）〜（ｃ）のグラフを
参照して説明する。図６（ａ）〜（ｃ）には、可視光領
域におけるめっき液の吸収特性と、めっきを行う金属薄
膜の反射率とを示す。

【０１０９】図６（ａ）は、めっき液として亜硫酸金浴
を用いた場合の、発光手段の発光波長およびめっき液に
よる吸収率、ならびに発光手段の発光波長およびめっき
された金属の反射率を示すグラフである。

【０１１０】ここで、特定のめっき液に対する発光手段
の発光波長を選択する際には、受光手段の受光量が大き
くなるような発光波長を選択し、終点検出の精度を向上
させることが好ましい。受光手段の受光量が大きくなる
ためには、めっき液による吸収率が低く、かつ、めっき
された金属の反射率が高いことが望ましい。

【０１１１】図６（ａ）によれば、例えば波長５６０nm
以上の発光波長は、めっき液による吸収率が低く、かつ
めっきされた金属である金による反射率が高い波長であ
る。本実施形態に係るめっき装置においては、発光手段
２に不図示の波長設定部が備えられており、発光手段２
の照射する光のピーク波長を、上記の範囲に設定するよ
うになっている。

【０１１２】図６（ｂ）には、めっき液として硫酸銅浴
を用いたグラフを示す。グラフの意味については、図６
（ａ）と同様である。図６（ｂ）の場合には、例えば波
長４００nm〜６００nmの範囲を選択すれば好ましい。

【０１１３】図６（ｃ）には、めっき液としてシアン化
銀浴を用いたグラフを示す。グラフの意味については、
図６（ａ）（ｂ）と同様である。図６（ｃ）の場合に
は、例えば波長４５０nm以上の範囲を選択すれば好まし
い。

【０１１４】なお、ここでは示さないが、他のめっき浴
に対しても、めっき液による吸収率と光の波長との関
係、およびめっき金属による反射率と光の波長との関係
を利用することによって、最適な発光波長を用い、高精
度な終点検出ができる。

【０１１５】また、上記構成において、発光手段２に備
えられる波長設定部を、例えば所望の波長を透過させる
透過フィルタを用いて実現する構成も好ましい。上記構
成によれば、簡易に波長設定部を実現できる。また、こ
の構成では、透過フィルタの交換を行うことで容易に光
の波長を変更することが可能であり、同一のめっき装置
で異なるめっき液を用いた場合のめっきが行える。

【０１１６】また、本実施形態に係るめっき装置１で
は、受光手段３が反射光を受光してそれを検出手段４に
送信し、検出手段４がそれを増幅し、光強度の変化を検
出するようになっている。

【０１１７】ここで、検出手段４においては、受光手段
３からの入力信号を微分することによって、光強度変化
に対する検出精度を向上させて、より正確な終点検出を
行うことも可能である。すなわち、上記した本実施形態
においては、めっきの進行とともに受光手段の受光する
反射強度は増加する。したがって、検出手段４におい
て、入力される信号を微分して、反射強度の増加する増
加率を測定することによって、終点検出を行うこともで
きる。すなわち、上記のように微分することによって、
信号の変化量が得られるので、変位が小さくても、立ち
上がり、立ち下がりをパルスとして捉えることができ
る。この信号の微分には、通常用いられている微分回路
を用いれば良く、微分回路の構成についての詳細な説明
は省略する。

【０１１８】以上のように、本実施形態に係るめっき装
置１においては、従来技術として示した特開平１−１３
４９５３号公報記載の構成のように、発光手段２による
入射光をウエハ１０表面近傍でかつウエハ１０表面と平
行に照射する必要はない。このため、例えば、ウエハの
直径をより大きなものとした場合においても好適に適用
でき、特に装置の構成を変更する必要はない。

【０１１９】また、上記した本実施形態に係るめっき装
置１においては、入射光をウエハ１０近傍から照射する
必要はないので、例えばめっき液を変更した場合であっ
ても、ウエハとめっき液との接液によるめっき液の持ち
上がりについて考慮する必要はない。

【０１２０】また、本実施形態に係るめっき装置１にお
いては、光を照射し、反射光を計測することにより、め
っきの終点を決定する構成である。このため、例えばめ
っき溶液の温度変化などにより、ウエハ以外のめっき装
置への析出が生じても、正確にバンプ高さを所望の高さ
に制御できる。したがって、例えば、電解めっき法の電
気化学的な原理に基づく方法、すなわちめっき処理に使
われた電流の総量（積算電流値）からめっき厚さを検出
する方法と比較して、より精度よくバンプ高さを決定で
きる。

【０１２１】なお、本実施形態においては、入射光の入
射角θ₁と反射光の反射角θ₂とは等しいものとして説
明したが、異なった値とすることもできる。ただし、上
述した本実施形態のように、等しい値とすることが、光
の反射の原理より好ましい。

【０１２２】また、上記したように、本実施形態に係る
めっき装置１においては、入射する光をバンプ単体のみ
に照射するように位置合わせする必要はなく、ウエハ１
０の表面に対して所定の入射角で入射するように設定す
れば良い。また上記構成において、反射角を入射角と同
じ角度に設定すれば、反射光の強度が強くなるので、発
光手段２からの発光ビーム径を従来の方法ほど小さく
（１０〜２０μｍ）絞り込む必要がない。つまりウエハ
１０全体もしくは終点検出を行いたい領域（数ｍｍ〜十
数ｍｍ程度）の大きさに集光するだけで良い。

【０１２３】すなわち、本実施の形態の説明では、１つ
のバンプ電極のみの終点の検出を示しているが、本発明
はこれに限るものではない。具体的には、上記ウエハ１
０に照射する光を、複数のバンプ電極の存在する領域に
照射し、これら複数のバンプ電極の平均終点の検出を行
う構成とすることも可能である。

【０１２４】また、上記の実施形態で説明した構成に加
えて、入射光の光路、または反射光の光路に、例えばレ
ンズなどを用いた集光手段を備える構成も好ましい。こ
れは、例えば図１（ｄ）に示すように、レンズよりなる
入射集光手段１９ａおよび反射集光手段１９ｂによって
実現できる。上記構成によって、光強度を増大させれ
ば、より確実にめっき終点の検出を行うことができる。
上記構成によれば、集光手段と組合わせて、例えば発光
手段として通常の発熱電球を用いることもできる。した
がって、例えばレーザなどによって発光手段を実現する
必要がなく、コストを削減できる。

【０１２５】

【発明の効果】本発明に係るめっき終点検出方法は、以
上のように、被めっき基板のめっき形成面に、開口部を
有するマスク（例えば、フォトレジスト膜）が形成され
た状態で、該被めっき基板に対してめっきを行い、該開
口部の箇所にのみめっき層を形成する際に、形成された
めっき層が所望の厚さとなるめっき終点を検出するめっ
き終点検出方法において、上記めっき形成面における少
なくとも開口部を含む領域に対し、所定の入射角で光を
照射し、上記めっき形成面において所定の反射角で反射
された反射光を検出し、上記反射光の強度に基づいてめ
っき終点を検出する構成である。

【０１２６】上記の構成によれば、形成されるめっき層
の厚さを検出するために、上記被めっき基板のめっき形
成面に照射される光は、該めっき形成面に対して所定の
入射角にて照射される（すなわち、上記入射光の光軸
は、めっき形成面と平行とならない）。したがって、上
記めっき終点検出方法では、めっき層の厚みがマスクの
厚みを超えることのない、例えば、ストレートウォール
バンプの形成時等においても、めっき終点を直接的に精
度よく検出することができるという効果を奏する。

【０１２７】また、上記めっき終点検出方法は、上記め
っき形成面に照射される光の入射角と、上記めっき形成
面で反射された後にその強度が検出される光の反射角と
が等しくなるように設定されていることが好ましい。

【０１２８】上記の構成によれば、上記めっき層におい
て反射される反射光の受光効率を最大とすることがで
き、その結果、めっき終点の検出精度が向上する。

【０１２９】また、上記めっき終点検出方法では、上記
めっき形成面に照射される光として、めっき液における
吸収特性の低い波長の光が用いられる構成、および／ま
たは上記めっき形成面に照射される光として、上記めっ
き層を形成する金属における反射特性の高い波長の光が
用いられる構成とすることが好ましい。

【０１３０】上記の構成によれば、上記被めっき基板の
めっき形成面に照射される光が、めっき液中を進行中に
吸収されたり、めっき層表面で吸収されたりして、めっ
き終点の検出に用いられる反射光の受光効率が低下する
といった不具合を回避できる。その結果、めっき終点の
検出精度が向上する。

【０１３１】また、上記めっき終点検出方法では、上記
めっき終点は、上記反射光の強度の微分値が予め設定さ
れている所定の値に到達したことをもって検出される構
成とすることができる。

【０１３２】上記の構成によれば、光強度変化に対する
検出感度が向上し、めっき終点の検出がより正確に行え
る。

【０１３３】本発明に係るめっき装置は、被めっき基板
にめっきを行う際に、形成されためっき層が所望の厚さ
となるめっき終点を検出するめっき終点検出機構を備え
ためっき装置において、上記めっき終点検出機構は、上
記被めっき基板のめっき形成面に対し、所定の入射角で
光を照射する発光手段と、上記めっき形成面において所
定の反射角で反射された反射光を受光する受光手段と、
上記受光手段の受光した反射光の強度に基づいてめっき
終点を検出する検出手段とを備えている構成である。

【０１３４】上記の構成によれば、上述のめっき検出検
出方法を用いてめっき終点の検出を行うことができ、め
っき層の厚みがマスクの厚みを超えることのない、例え
ば、ストレートウォールバンプの形成時等においても、
めっき終点を直接的に精度よく検出することができる。
また、被めっき基板の大面積化に対して適用性が高い。

【０１３５】また、上記めっき装置は、上記発光手段を
移動させて該発光手段から照射される光の入射角を調節
する入射角調節手段、および／または、上記受光手段を
移動させて該受光手段によって受光可能な光の反射角を
調節する反射角調節手段を備えていることが好ましい。

【０１３６】上記の構成によれば、上記入射角および反
射角は、入射角調節手段および反射角調節手段によって
調節可能であるため、異なる種々の条件下においても、
上記入射角および反射角を容易に最適値に設定可能とな
る。

【０１３７】また、上記めっき装置は、上記発光手段が
照射する光を集光して上記被めっき基板のめっき形成面
を照射する入射集光手段、および／または、上記反射光
を集光して上記受光手段へと導く反射集光手段を備えて
いる構成とすることができる。

【０１３８】上記の構成によれば、例えば、発光手段に
おいて通常の白熱電球を使用することも可能となり、該
発光手段を安価に提供して装置のコストダウンを図るこ
とが可能となる。

【０１３９】また、上記めっき装置では、上記検出手段
は、上記受光手段の受光した反射光の強度を入力信号と
し、その入力信号を微分することによって反射光の強度
の変化を検出し、該反射光の強度の変化に基づいてめっ
き終点を検出する構成とすることができる。

【０１４０】上記の構成によれば、光強度変化に対する
検出感度が向上し、めっき終点の検出がより正確に行え
る。

【０１４１】また、上記めっき装置では、上記発光手段
は、照射する光の波長を設定する波長設定部を備えてい
る構成とすることができる。

【０１４２】上記の構成によれば、上記発光手段は、波
長設定部の設定した波長の光を照射するので、より効果
的、かつ効率的に、めっき終点の検出が行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係るめっき装
置の概略構成を示す図である。（ａ）はめっき装置全体
の概略を示す断面図である。（ｂ）は入射角調節手段の
正面図である。（ｃ）は入射角調節手段の側面図であ
る。（ｄ）は入射集光手段、反射集光手段の概略を示す
断面図である。

【図２】上記めっき装置において、被めっき基板である
ウエハ周辺の構成を詳細に示す断面図である。

【図３】本発明に係るめっき装置において入射角および
反射角を設定する構成の概略を示す断面図である。

【図４】本発明に係るめっき装置における、入射角と検
出できるバンプ高さとの関係を示すグラフである。

【図５】入射角を４５度とした場合の、バンプ高さと反
射光の強度との関係を示すグラフである。

【図６】めっき液の吸収率及びめっき金属の反射率の波
長依存性を示すグラフである。図７（ａ）は、めっき液
として亜硫酸金浴を用いた場合を示す。図７（ｂ）は、
めっき液として硫酸銅浴を用いた場合を示す。図７
（ｃ）は、めっき液としてシアン化銀浴を用いた場合を
示す。

【図７】従来におけるめっき装置の概略構成の一例を示
す断面図である。

【図８】従来におけるめっき装置のめっき終点検出を説
明する断面図である。図９（ａ）は、透過光を用いて検
出する構成を示す。図９（ｂ）は、反射光を用いて検出
する構成を示す。

【符号の説明】

１めっき装置２発光手段３受光手段４検出手段５めっき液１０ウエハ（被めっき基板）１６フォトレジスト膜（マスク）１７バンプ電極（めっき層、ストレートウォールバ
ンプ）１８入射角調節手段１９ａ入射集光手段１９ｂ反射集光手段Ｐ₁ 入射光Ｐ₂ 反射光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被めっき基板のめっき形成面に、開口部を
有するマスクが形成された状態で、該被めっき基板に対
してめっきを行い、該開口部の箇所にのみめっき層を形
成する際に、形成されためっき層が所望の厚さとなるめ
っき終点を検出するめっき終点検出方法において、上記めっき形成面における少なくとも開口部を含む領域
に対し、所定の入射角で光を照射し、上記めっき形成面において所定の反射角で反射された反
射光を検出し、上記反射光の強度に基づいてめっき終点を検出すること
を特徴とするめっき終点検出方法。
【請求項２】上記めっき形成面に照射される光の入射角
と、上記めっき形成面で反射された後にその強度が検出
される光の反射角とが等しくなるように設定されている
ことを特徴とする請求項１に記載のめっき終点検出方
法。
【請求項３】上記めっき形成面に照射される光は、めっ
き液における吸収特性の低い波長の光が用いられること
を特徴とする請求項１または２に記載のめっき終点検出
方法。
【請求項４】上記めっき形成面に照射される光は、上記
めっき層を形成する金属における反射特性の高い波長の
光が用いられることを特徴とする請求項１ないし３の何
れか１項に記載のめっき終点検出方法。
【請求項５】上記めっき終点は、上記反射光の強度の微
分値が予め設定されている所定の値に到達したことをも
って検出されることを特徴とする請求項１ないし４の何
れか１項に記載のめっき終点検出方法。
【請求項６】被めっき基板にめっきを行う際に、形成さ
れためっき層が所望の厚さとなるめっき終点を検出する
めっき終点検出機構を備えためっき装置において、上記めっき終点検出機構は、上記被めっき基板のめっき形成面に対し、所定の入射角
で光を照射する発光手段と、上記めっき形成面において所定の反射角で反射された反
射光を受光する受光手段と、上記受光手段の受光した反射光の強度に基づいてめっき
終点を検出する検出手段とを備えていることを特徴とす
るめっき装置。
【請求項７】上記発光手段を移動させて、該発光手段か
ら照射される光の入射角を調節する入射角調節手段を備
えていることを特徴とする請求項６に記載のめっき装
置。
【請求項８】上記受光手段を移動させて、該受光手段に
よって受光可能な光の反射角を調節する反射角調節手段
を備えていることを特徴とする請求項６または７に記載
のめっき装置。
【請求項９】さらに、上記発光手段が照射する光を集光
して上記被めっき基板のめっき形成面を照射する入射集
光手段を備えていることを特徴とする請求項６ないし８
の何れか１項に記載のめっき装置。
【請求項１０】さらに、上記反射光を集光して上記受光
手段へと導く反射集光手段を備えていることを特徴とす
る請求項６ないし９の何れか１項に記載のめっき装置。
【請求項１１】上記検出手段は、上記受光手段の受光し
た反射光の強度を入力信号とし、その入力信号を微分す
ることによって反射光の強度の変化を検出し、該反射光
の強度の変化に基づいてめっき終点を検出することを特
徴とする請求項６ないし１０の何れか１項に記載のめっ
き装置。
【請求項１２】上記発光手段は、照射する光の波長を設
定する波長設定部を備えていることを特徴とする請求項
６ないし１１の何れか１項に記載のめっき装置。
【請求項１３】上記被めっき基板として半導体基板を用
い、上記半導体基板に対してめっきによってストレート
ウォールバンプを形成することを特徴とする請求項６な
いし１２の何れか１項に記載のめっき装置。