JP5722861B2 - 検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Description
本発明のいくつかの実施例は、励起ビームの直径よりも小さな特徴部からのX線放射を計測する方法及びシステムを提供している。励起ビームと比べて特徴部のサイズが小さいため、特徴部に入射するビームの一部に起因し、結果的に、対象の放射信号が周辺領域からのバックグラウンド放射と混合することになる。この問題は、高エネルギーの狭いX線ビームを生成するべくすぐに利用可能なX線源及びオプティクスが欠如していることに起因し、例えば、高エネルギーのXRFアプリケーションにおいて特に顕著である。
本発明については、添付図面との関連において、その実施例に関する以下の詳細な説明を参照することにより、更に十分に理解することができよう。
図1は、本発明の一実施例によるマイクロ蛍光X線アナライザ20の概略図である。アナライザ20の態様については、前述の米国特許第6,108,398号に詳細に記述されている。アナライザ20は、ウエハ製造プロセスにおける不良を識別するために、後述する方法を使用して半導体ウエハ22などのサンプルを検査するべく構成されている。
図3A及び図3Bは、本発明の一実施例に従ってアナライザ20のX線ビームによって照射されるウエハ22のエリアの細部を概略的に示している。図3Aは、平面図であり、図3Bは、図3AのラインIIIB−IIIBに沿って取得した断面図である。この例においては、複数のハンダバンプ50がウエハ上の基板52上に形成されている。この種のバンプは、一般に、半導体チップを(チップの製造が完了した後に)回路基板に装着する際に使用されている。一般的な製造プロセスにおいては、バンプは、直径が約150μmであり、基板52の表面上に約80〜100μmだけ突出している。チップの装着対象である回路基板との良好な接着及び電気的な接触のために、バンプ50は、通常、錫(Sn)と、数パーセントの銀(Ag)から製造されている。錫バンプ内部における銀のパーセンテージは、限度に近接した状態に維持されることが望ましい。
前述の実施例は、X線源によって形成されるスポットがウエハ上の対象のターゲット特徴部と正確にアライメントしていることを前提としていた。このようなアライメントは、例えば、米国特許第6,345,086号又は米国特許第7,023,954号に記述されているものなどの光学画像生成法を使用することにより、実現可能であり、これらの開示内容は、本引用により、本明細書に包含される。
前述の方法は、(半導体ウエハ上の特定タイプの構造内における特定元素の濃度の)特定タイプの計測に関するものであるが、本発明の原理は、サンプルの表面上におけるその他のタイプの微細な特徴部のXRF計測と、その他のタイプのX線放射計測を使用するその他のサンプル特性の判定に、一般的に適用可能である。例えば、前述の方法は、必要な変更を加えることにより、半導体の製造、並びに、地質学、フォレンジクス(forensics)、及び考古学などのその他の分析の領域におけるRu、Rh、Pd、Cd、及びInなどのその他の重い元素のマイクロ分析に適用可能である。
Claims (8)
- X線ビームを使用してサンプルを照射する段階であって、前記X線ビームは、前記サンプルの表面上においてスポットを画定するべく合焦される、段階と、
前記表面上の特徴部を横断する複数の非平行スキャンラインを有する2次元スキャンパターンに沿って前記スポットをスキャンするべく、前記サンプル及び前記X線ビームの中の少なくとも1つをシフトさせる段階と、
前記スポットがそれぞれ異なった程度で前記特徴部と重なる、前記スキャンパターンに沿った複数の場所において前記X線ビームに応答して前記サンプルから放射される蛍光X線の個々の強度を計測する段階であって、前記個々の強度を計測する段階は、前記スキャンパターンの第1のラインに沿った第1の複数の場所において前記X線ビームに応答して前記サンプルから放射される蛍光X線の個々の強度を計測するとともに、前記蛍光X線の強度が最大値を有する前記第1のラインの上の場所を見出すことと、前記第1のラインと非平行であるとともに前記蛍光X線の強度が最大値を有した前記第1のラインの上の場所を通過する前記スキャンパターンの第2のラインに沿った第2の複数の場所において前記X線ビームに応答して前記サンプルから放射される蛍光X線の個々の強度を計測することと、を有する段階と、
前記スキャンパターン上における前記放射蛍光X線の強度の修正された値を演算するべく、前記第1の複数の場所及び前記第2の複数の場所において計測された前記強度を処理する段階と、
前記修正された値に基づいて前記特徴部の厚さを推定する段階と、
を有する検査方法。 - 前記修正された値は、前記スキャンパターン上における前記放射蛍光X線の最大値である請求項1記載の方法。
- 前記強度を処理する段階は、前記場所の関数として計測された前記個々の強度に対して曲線をフィッティングする段階を有する請求項2記載の方法。
- 前記強度を処理する段階は、前記特徴部のエリアにわたって強度関数を積分する段階を有する請求項2記載の方法。
- 前記サンプルは、その上部にスクライブラインが画定された半導体ウエハを有しており、前記特徴部は、前記スクライブライン内において前記ウエハ上に形成された金属試験ターゲットを有しており、前記サンプル及び前記X線ビームの中の少なくとも1つをシフトさせる段階は、前記スクライブラインを横断して前記スポットをスキャンする段階を有する請求項1記載の方法。
- 前記サンプル及び前記X線ビームの中の少なくとも1つをシフトさせる段階は、前記スクライブラインを横断して前記スポットをスキャンする段階の前に前記X線ビームを前記ウエハとアライメントさせる段階と、前記スクライブラインを横断して前記スポットをスキャンする際に前記試験ターゲットに対する前記X線ビームのアライメントの調節を停止する段階と、を有している請求項5記載の方法。
- 前記サンプル及び前記X線ビームの中の少なくとも1つをシフトさせる段階は、前記X線ビームの焦点深度を変更する段階を有しており、前記個々の強度を計測する段階は、複数の異なる焦点深度において前記個々の強度を判定する段階を有する請求項1記載の方法。
- サンプルの表面上においてスポットを画定するべく合焦されるX線ビームによって前記サンプルを照射するべく構成されたX線源と、
前記表面上の特徴部を横断する複数の非平行スキャンラインを有する2次元スキャンパターンに沿って前記スポットをスキャンするべく前記サンプル及び前記X線ビームの中の少なくとも1つをシフトさせるべく結合されたモーションアセンブリと、
前記スポットがそれぞれ異なった程度で前記特徴部と重なる、前記スキャンパターンに沿った複数の場所において前記X線ビームに応答して前記サンプルから放射される蛍光X線の個々の強度を計測するべく構成された検出器アセンブリと、
前記蛍光X線の強度が最大値を有する前記スキャンパターンの第1のラインの上の場所を見出し、前記第1のラインと非平行であるとともに前記蛍光X線の強度が最大値を有した前記第1のラインの上の場所を通過する前記スキャンパターンの第2のラインに沿って前記スポットを前記モーションアセンブリによってスキャンさせ、前記スキャンパターン上における前記放射蛍光X線の強度の修正された値を演算するべく前記スキャンパターンの前記第1のライン及び前記第2のラインに沿った前記複数の場所において計測された前記強度を処理し、かつ、前記修正された値に基づいて前記特徴部の厚さを推定するべく構成されたプロセッサと、
を有する検査装置。
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