JP2018012132A - 付着物除去方法及びベベルエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止することを目的とする。
【解決手段】レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第1の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、を有する付着物除去方法が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第1の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、を有する付着物除去方法が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、付着物除去方法及びベベルエッチング装置に関する。
半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)のベベル部(ウェハ端部の面取りされた部分)や裏面に付着したベベル/バックサイドポリマーは、デバイスの表面を汚染したり、製品の歩留まりに影響を与えたりする。そこで、ウェハのベベル部にレーザ光を照射し、ベベル/バックサイドポリマーを除去することが知られている(例えば、特許文献1を参照)。
また、被照射物による反射光が戻り光として半導体レーザに再入射し、この戻り光によって半導体レーザが劣化又は破損することが知られている。この対策として、レーザ光を被照射物に対して斜めに照射することが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
しかしながら、レーザ光をウェハ裏面に対して斜めに照射しても、戻り光の大小によっては半導体レーザが破損してしまう場合がある。すなわち、ウェハのように水平部(ウェハの裏面)と傾斜部(ベベル部)とを有する物体にレーザを照射した場合、ウェハ裏面に対しては戻り光が発生しない又は戻り光の光量が少なく問題にならない角度に照射角度を設定したとしても、ベベル部において戻り光の光量が多くなり、レーザ発振器を破損する場合がある。
上記課題に対して、一側面では、本発明は、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第1の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、を有する付着物除去方法が提供される。
一の側面によれば、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止できる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
(はじめに)
半導体集積回路の製造では、ウェハに対してプラズマエッチングが行われると、プラズマ中で発生するラジカルやイオンがウェハの裏面の水平部やベベル部(ウェハの端部の傾斜部)に回り込み、ポリマーがウェハの裏面やベベル部に付着する。この付着物は、ベベル/バックサイドポリマー(Bevel/Backside Polymer、以下、「BSP」という)といわれる。BSPは、半導体集積回路に対してデバイスの表面を汚染したり、製品の歩留まりに影響を与えたりするため除去することが好ましい。そこで、以下に説明するベベルエッチング装置1は、レーザ光とオゾンガスを用いた熱処理によりBSPを除去する。
半導体集積回路の製造では、ウェハに対してプラズマエッチングが行われると、プラズマ中で発生するラジカルやイオンがウェハの裏面の水平部やベベル部(ウェハの端部の傾斜部)に回り込み、ポリマーがウェハの裏面やベベル部に付着する。この付着物は、ベベル/バックサイドポリマー(Bevel/Backside Polymer、以下、「BSP」という)といわれる。BSPは、半導体集積回路に対してデバイスの表面を汚染したり、製品の歩留まりに影響を与えたりするため除去することが好ましい。そこで、以下に説明するベベルエッチング装置1は、レーザ光とオゾンガスを用いた熱処理によりBSPを除去する。
[ベベルエッチング装置の全体構成]
一実施形態に係るベベルエッチング装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。図1には、ウェハWの裏面及びベベル部にBSP2が付着している様子が示されている。ベベルエッチング装置1は、レーザ照射ヘッド18からレーザ光を照射してウェハWの裏面及びベベル部に付着するBSP2を除去する。
一実施形態に係るベベルエッチング装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。図1には、ウェハWの裏面及びベベル部にBSP2が付着している様子が示されている。ベベルエッチング装置1は、レーザ照射ヘッド18からレーザ光を照射してウェハWの裏面及びベベル部に付着するBSP2を除去する。
図2に示す領域Aは、ウェハWの末端部から概ね0.5mm〜1.0mmの範囲に形成されたベベル部の領域であり、所定の傾斜を有する。図2に示す領域Bは、べベル部から10mm程度内側のウェハW裏面のエッジ部の領域であり、フラットな形状を有する。ベベルエッチング装置1は、主に領域A及び領域Bに付着したBSPを除去する。
図1に戻り、ベベルエッチング装置1は、ウェハWを収容するチャンバ11を備えている。チャンバ11の内部には、ウェハWを回転可能にかつ水平に保持するスピンチャック12が設けられている。スピンチャック12は、チャンバ11の下方に設けられたモータ13に接続されている。スピンチャック12は、例えば真空吸着によりウェハWを保持した状態でウェハWを回転させる。
チャンバ11の内部には、ウェハWの周縁部に対応する位置にBSP除去部14が設けられている。BSP除去部14には、ウェハWの周縁部が回転しながら通過するように切り欠き部16が設けられている。切り欠き部16の下方部分には、レーザ照射ヘッド18が設けられている。レーザ照射ヘッド18は、光ファイバ15によりレーザ発振器30に接続されている。
図2に示すように、レーザ発振器30は、レーザダイオード37とモニタダイオード36とを有する。レーザダイオード37は、レーザダイオード37に流す電流値によって所定の光量に制御されたレーザ光を出射する。出射されたレーザ光は、光ファイバ15を介してレーザ照射ヘッド18から出射され、ウェハWの裏面やベベル部に照射される。レーザ光の少なくとも一部は、ウェハWで反射してレーザダイオード37に戻ってくる。レーザ発振器30は、レーザダイオード37に戻った戻り光によってダメージを受け、破損する場合がある。
そこで、本実施形態では、モニタダイオード36は、ウェハWにて反射したレーザ光の反射光に対応するレーザダイオード37の漏れ光(散乱光)を検出する。図1の制御装置50のモニタ部51は、モニタダイオード36が検出した漏れ光をモニタする。制御部52は、漏れ光の検出値からレーザ光の反射光を測定する。測定の結果、レーザ光の反射光が予め定められた閾値を超えた場合、ヘッド調整機構17を制御してレーザ照射ヘッド18の角度を変えて、レーザ光を照射させることで、レーザダイオード37への戻り光を減らすことができる。これにより、レーザ光発振器30の破損を防止できる。
レーザ照射ヘッド18は、ヘッド調整機構17により水平移動と照射角度とを調整可能になっている。つまり、ヘッド調整機構17によりレーザ照射ヘッド18を水平方向に移動させることで、レーザ発振器30から出力されたレーザ光をウェハWの裏面やベベル部に照射する。また、ヘッド調整機構17によりレーザ照射ヘッド18の角度を制御することで、レーザ光のウェハWへの照射角度が変わる。
BSP除去部14には、BSP2にオゾンガスを吐出するオゾンガス吐出ノズル20と、オゾンガスをほぼ100%吸引するオゾンガス吸引ノズル19とが設けられている。オゾンガス吐出ノズル20はオゾンガスを供給する供給ライン(配管)21を介してオゾンガス発生器22に接続されている。オゾンガス発生器22から出力されたオゾンガスは、供給ライン21を介してオゾンガス吐出ノズル20からチャンバ11内に導入される。オゾンガス吸引ノズル19には、主にオゾンガスを排気する排気流路を構成する排気配管31が接続されている。排気配管31は、工場酸排気配管(図示せず)に接続されている。排気配管31には、オゾンガスを分解するオゾンキラー41が接続されている。
チャンバ11の上部には大気を吸引してチャンバ11の内部に取り入れるためのファン32と、ファン32により吸引された大気のパーティクルを除去するフィルタ33とが設けられている。
チャンバ11の底部には、排気口34が設けられている。ファン32によりフィルタ33を介してチャンバ11内に大気が取り込まれ、排気口34から排気されることによりチャンバ11内に清浄空気のダウンフローが形成されるようになっている。排気口34には排気配管35が接続されており、排気配管35は工場酸排気配管に接続されている。
チャンバ11の側壁には、ウェハ搬入出口11aが設けられており、ウェハ搬入出口11aはゲートバルブ23により開閉可能となっている。ゲートバルブ23は、弁体24と弁体24を開閉するエアシリンダ26とを有している。弁体24を閉じたとき、弁体24とチャンバ11との間はシールリング25によりシールされるようになっている。
ベベルエッチング装置1は、制御装置50を有する。制御装置50は、ベベルエッチング装置1の全体を制御する。制御装置50は、モニタ部51、制御部52、記憶部53及び入出力I/F(インターフェース)部54を有する。モニタ部51は、モニタダイオード36の検出値を所定期間毎に取得し、モニタリングする。
制御部52は、レーザ照射ヘッド18をウェハWの裏面に対して第1の照射角度に傾けるようにヘッド調整機構17を制御し、レーザ照射ヘッド18からウェハWの裏面にレーザ光を照射させる。例えば、図2の位置aにおいて、レーザ照射ヘッド18からウェハWの裏面にレーザ光が照射されている。これにより、第1の照射角度に応じてレーザ光が照射された範囲にて、ウェハWの裏面に付着したBSPを除去することができる。
制御部52は、レーザ照射ヘッド18をベベル部に向けて水平移動させるようにヘッド調整機構17を制御する。これにより、レーザ照射ヘッド18は、ウェハWの裏面とベベル部とを移動しながら、レーザ光を照射することができる。
制御部52は、ウェハWからのレーザ光の反射光を測定した結果に基づき、レーザ照射ヘッド18を第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾けるようにヘッド調整機構17を制御し、ベベル部にレーザ光を照射させる。制御部52は、測定したレーザ光の反射光が閾値を超えた場合、ヘッド調整機構17を制御してレーザ照射ヘッド18の角度を変える。
例えば、レーザ照射ヘッド18が図2の位置aから位置bに水平移動したとき、測定したレーザ光の反射光が閾値を超えた場合、制御部52は、レーザ照射ヘッド18の角度を第1の照射角度から第2の照射角度に変える。第2の照射角度に傾けた状態でベベル部にレーザ光を照射することでレーザダイオード37に戻る戻り光を減らし、レーザ発振器30の破損を防止できる。
図1に戻り、制御部52は、入出力I/F部54に接続され、入出力I/F部54を介してキーボード62、ディスプレイ60及びスピーカ61と接続される。オペレータは、キーボード62を用いてベベルエッチング装置1を管理するためのコマンド等の入力操作を行う。ディスプレイ60には、所定の情報が表示される。
記憶部53には、本実施形態に係る付着物除去方法を実行するためのプログラムやレシピが格納されている。閾値は、レーザ発振器30の破損が防止できる値に予め設定され、記憶部53に記憶されている。
制御装置50は、マイクロプロセッサ、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等を有する。制御部52の機能は、マイクロプロセッサによって実現される。記憶部53の機能は、ROM又はRAMによって実現される。マイクロプロセッサは、ROM等の記憶領域に格納されたレシピに従って、オゾンガスの供給、レーザ光の強度等を制御し、BSPの付着物除去方法を実行する。なお、制御部52の機能は、ソフトウエアを用いて実現されてもよく、ハードウエアを用いて実現されてもよい。
[付着物除去処理]
次に、一実施形態に係る付着物除去処理の一例について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図3に示す処理が開始されると、制御部52は、ヘッド調整機構17を制御してウェハW裏面のエッジ部の領域Bにレーザ照射ヘッド18を移動させる(ステップS10)。
次に、一実施形態に係る付着物除去処理の一例について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図3に示す処理が開始されると、制御部52は、ヘッド調整機構17を制御してウェハW裏面のエッジ部の領域Bにレーザ照射ヘッド18を移動させる(ステップS10)。
次に、制御部52はヘッド調整機構17を制御してレーザ照射ヘッド18を第1の照射角度に制御し、レーザ光をウェハW裏面のエッジ部の領域Bに照射する(ステップS12)。これにより、例えば、図4に示すように、レーザ照射ヘッド18の角度は、ウェハWの裏面平坦部(領域B)の径方向に対して初期角度θ0=90°から第1の照射角度θ1=75°に傾けられる。ただし、第1の照射角度θ1は、75°に限らず、60°〜80°の範囲のいずれかの角度に制御してもよい。
次に、制御部52は、レーザ照射ヘッド18をベベル部へ向けて水平移動させる(ステップS14)。次に、制御部52は、レーザ照射ヘッド18がベベル部の領域Aまで移動したかを判定する(ステップS16)。制御部52は、レーザ照射ヘッド18がベベル部の領域Aまで移動したと判定するまで、ステップS14及びS16の処理を繰り返す。
次に、制御部52は、更にレーザ照射ヘッド18を水平移動させる(ステップS20)。制御部52は、モニタダイオード36が検出した、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かを判定する(ステップS22)。本実施形態では、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かの判定は、レーザ光の反射光(戻り光)が閾値を超えたか否かの判定に相当する。つまり、モニタダイオード36の出力は、レーザダイオード37からの漏れ光の光量であり、レーザダイオード37からの漏れ光は、レーザ光の反射光に比例する。したがって、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かを判定することで、レーザ光の反射光が所定の閾値を超えたか否かを判定することができる。
制御部52は、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えていないと判定した場合、直ちにステップS26に進む。一方、制御部52は、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、レーザ照射ヘッド18を第1の照射角度と異なる第2の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Aに照射する(ステップS24)。これにより、例えば、図4に示すように、レーザ照射ヘッド18の角度は、ウェハWの裏面平坦部(領域B)の径方向に対して第1の照射角度θ1=75°と異なる第2の照射角度θ2=45°に傾けられる。ただし、第2の照射角度θ2は、45°に限らず、35°〜55°の範囲のいずれかの角度に制御してもよい。
例えば、図5にモニタダイオード36の出力値の一例が示されている。この例では、領域Aおよび領域Bともに第1の照射角度により照射している。図2に示すエッジ部の領域Bでは、モニタダイオード36の出力値は閾値よりも小さい。これに対して、ベベル部の領域Aでは、領域Bでは発生しなかった戻り光が発生し、モニタダイオード36の出力値は閾値を超える。よって、制御部52は、ベベル部の領域Aでは、レーザ照射ヘッド18を第2の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Aに照射する。これにより、モニタダイオード36が検出する出力値が閾値よりも小さくなり、レーザ発振器30の破損を防止できる。
このようにして、本実施形態では、レーザダイオード37への戻り光の変化をモニタダイオード36で検知する。これにより、戻り光が閾値を超えたときにレーザ照射ヘッド18の角度を変化させることで、戻り光を少なくするように制御することができる。この結果、レーザ発振器30の破損を防止できる。
[付着物除去処理(変形例1)]
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図6を参照しながら説明する。図6は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図6に示す変形例に係る付着物除去処理のステップS10〜S26は、図3に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップS10〜S26と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図6を参照しながら説明する。図6は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図6に示す変形例に係る付着物除去処理のステップS10〜S26は、図3に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップS10〜S26と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本変形例では、ステップS22おいて、制御部52は、モニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、ステップS30の処理を実行した後、ステップS24の処理を実行する。
ステップS30では、制御部52は、ヘッド調整機構17を制御してレーザ照射ヘッド18をベベル部よりも外側まで水平移動させる。これによれば、図7(a)に示すベベル部にレーザ照射ヘッド18が位置するときにモニタダイオード36の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、図7(b)に示すように、レーザ照射ヘッド18はウェハWの外側に退避される。その状態で、図7(c)に示すように、レーザ照射ヘッド18の角度を変化させ、図7(d)に示すように、ベベル部へのレーザ光の照射が再開される。
これによれば、レーザ照射ヘッド18の角度を変化させる間、レーザ光がベベル部に照射されない。これにより、レーザ照射ヘッド18の角度を変化させる間のレーザ光の反射光が戻り光としてレーザダイオード37に戻り、レーザ発振器30がダメージを受けることを回避できる。特に、本変形例に係る付着物除去処理によれば、戻り光が多いときにより高い効果を得ることができる。
[付着物除去処理(変形例2)]
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図8を参照しながら説明する。図8は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図8に示す変形例に係る付着物除去処理のステップS18およびS24以外は、図3に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップS10〜S26と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図8を参照しながら説明する。図8は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図8に示す変形例に係る付着物除去処理のステップS18およびS24以外は、図3に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップS10〜S26と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本変形例では、ステップS18おいて、予め第2の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Aに照射する。
第2の照射角度による領域Aへのレーザ光照射により、ステップS22においてモニタダイオード36の出力が予め定められた閾値を超えていると判定した場合、レーザ照射ヘッド18を第2の照射角度と異なる第3の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Aに照射する(ステップS24)。これにより、例えば、図4に示すように、レーザ照射ヘッド18の角度は、ウェハWに対して第2の照射角度θ2=45°と異なる第3の照射角度θ3=30°に傾けられる。第3の照射角度θ3は、第2の照射角度θ2と異なればよいので、第1の照射角度θ1と同じ角度に戻してもよい。
これによれば、領域Aによる戻り光が少ないと想定される第2の照射角度に、レーザ照射ヘッド18の角度を予め変化させているため、レーザ光の反射光が戻り光としてレーザダイオード37に戻る可能性を低減させることができる。また、仮に戻り光が発生しても、ステップS22およびステップS24により、レーザ発振器30がダメージを受けることを回避できる。
以上に説明したように、本実施形態及び変形例に係る付着物除去方法及びベベルエッチング装置1によれば、レーザ光を照射してウェハWの裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止できる。
(おわりに)
以上、付着物除去方法及びベベルエッチング装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる付着物除去方法及びベベルエッチング装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
以上、付着物除去方法及びベベルエッチング装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる付着物除去方法及びベベルエッチング装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、上記実施形態及び変形例では、モニタダイオード36の出力が閾値を超えた場合、レーザ照射ヘッド18の角度を変えた。しかし、これに限らず、モニタダイオード36の出力が閾値を超えた場合、レーザ照射ヘッド18の角度を変える間、レーザ発振器30の出力を停止したり、レーザ発振器30の出力を下げたりしてもよい。
また、レーザ照射ヘッド18の角度は、上記実施形態及び変形例ではウェハWの径方向に傾けたが、ウェハWの回転方向に傾けてもよい。さらに、第1の照射角度をウェハWの径方向とし、第2の照射角度をウェハWの回転方向としてもよい。また、逆に第1の照射角度をウェハWの回転方向とし、第2の照射角度をウェハWの径方向としてもよい。これらの場合、ウェハWの径方向における角度の大きさと、ウェハWの回転方向における角度の大きさは、同じでも構わない。また、図8のステップS18を、図6に示す変形例1において実施してもよい。
1:ベベルエッチング装置
2:BSP
11:チャンバ
11a:ウェハ搬入出口
12:スピンチャック
13:モータ
14:BSP除去部
15:光ファイバ
17:ヘッド調整機構
18:レーザ照射ヘッド
22:オゾンガス発生器
23:ゲートバルブ23
24:弁体
25:シールリング
26:エアシリンダ
30:レーザ発振器
32:ファン
33:フィルタ
36:モニタダイオード
37:レーザダイオード
50:制御装置
51:モニタ部
52:制御部
53:記憶部
54:入出力I/F部
A:ベベル部の領域
B:ウェハW裏面のエッジ部の領域
2:BSP
11:チャンバ
11a:ウェハ搬入出口
12:スピンチャック
13:モータ
14:BSP除去部
15:光ファイバ
17:ヘッド調整機構
18:レーザ照射ヘッド
22:オゾンガス発生器
23:ゲートバルブ23
24:弁体
25:シールリング
26:エアシリンダ
30:レーザ発振器
32:ファン
33:フィルタ
36:モニタダイオード
37:レーザダイオード
50:制御装置
51:モニタ部
52:制御部
53:記憶部
54:入出力I/F部
A:ベベル部の領域
B:ウェハW裏面のエッジ部の領域
Claims (6)
- レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、
レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第1の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、
前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、
前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、
前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、
を有する付着物除去方法。 - 前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程では、
前記第1の照射角度を、前記基板の裏面に対して60°〜80°の範囲のいずれかの角度に制御する、
請求項1に記載の付着物除去方法。 - 前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
前記第2の照射角度を、前記基板の裏面に対して35°〜55°の範囲のいずれかの角度に制御する、
請求項1又は2に記載の付着物除去方法。 - 前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部よりも外側に退避させた後、前記レーザ照射ヘッドを前記2の照射角度に傾ける、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の付着物除去方法。 - 前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
測定した前記レーザ光の反射光が予め定められた閾値を超えている場合、前記レーザ照射ヘッドを前記2の照射角度に傾ける、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の付着物除去方法。 - レーザ光を照射するレーザ照射ヘッドと、前記レーザ照射ヘッドの水平移動と照射角度とを調整可能なヘッド調整機構と、前記ヘッド調整機構を制御する制御部とを有し、前記レーザ照射ヘッドからレーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去するベベルエッチング装置であって、
前記制御部は、
前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第1の照射角度に傾け、前記レーザ照射ヘッドから前記基板の裏面にレーザ光を照射させ、
前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動させ、
前記基板からのレーザ光の反射光を測定し、
前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度に傾け、前記レーザ照射ヘッドから前記ベベル部にレーザ光を照射させる、
ベベルエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016143932A JP2018012132A (ja) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 付着物除去方法及びベベルエッチング装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016143932A JP2018012132A (ja) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 付着物除去方法及びベベルエッチング装置 |
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ID=61020617
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2018012132A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021070617A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-07-22 JP JP2016143932A patent/JP2018012132A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021070617A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
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