TW201534919A - 基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法，穩定地檢測正確臭氧氣體濃度。 本發明之基板處理裝置，具有產生臭氧氣體的臭氧產生器與檢測臭氧氣體濃度的臭氧感測器，使用自該臭氧產生器供給之臭氧氣體處理基板，具備：監控部，監控該臭氧感測器檢測的臭氧氣體濃度、與該臭氧產生器的放電功率；以及控制部，依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，偵測出該臭氧氣體濃度之異常。
Description
本發明係關於一種基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法。
吾人已知一種利用臭氧感測器所檢測的臭氧氣體濃度，判定產生臭氧氣體之機器或分解臭氧氣體之機器的狀態之技術（例如參考專利文獻1）。專利文獻1中，以臭氧感測器檢測供給至機器的臭氧氣體濃度，判定是否將適當臭氧氣體的量供給至機器，藉而判斷分解臭氧氣體之機器是否到達使用年限。 【習知技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】：日本特開2011－5360號公報
【本發明所欲解決的問題】
然而，專利文獻1中，若臭氧感測器未正常運作，偵測出的臭氧氣體濃度非正常値則於上述判斷產生錯誤，成為問題的主要原因。特別是臭氧感測器的定期維修，例如為一日一次的高頻度，實際上難以實行的情況亦不在少數。
對於上述問題，本發明之一態樣的目的在於提供一種，可藉由偵測臭氧氣體濃度之異常而穩定地供給臭氧氣體的基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法。 【解決問題之技術手段】
為了解決上述課題，若依照本發明之一態樣，則提供一種基板處理裝置，具有產生臭氧氣體的臭氧產生器與檢測臭氧氣體濃度的臭氧感測器，使用自該臭氧產生器供給之臭氧氣體處理基板，具備： 監控部，監控該臭氧感測器檢測的臭氧氣體濃度、與該臭氧產生器的放電功率；以及 控制部，依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，偵測出該臭氧氣體濃度之異常。
此外，為了解決上述課題，若依照本發明之另一態樣，則提供一種臭氧氣體濃度之異常偵測方法，在使用產生臭氧氣體的臭氧產生器處理基板之基板處理裝置中使用，其包含如下步驟： 監控以臭氧感測器檢測出之供給至基板處理裝置的臭氧氣體濃度； 監控該臭氧產生器的放電功率；以及 依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，偵測出該臭氧氣體濃度之異常。 【本發明之效果】
若依本發明之一態樣，則可藉由偵測臭氧氣體濃度之異常，而穩定地供給臭氧氣體。
【實施本發明之最佳形態】
以下，參考附圖而對實施本發明之最佳形態加以說明。另，本說明書及附圖中，對於實質上相同的構成給予相同符號，藉而省略重複之說明。
（引言） 在半導體積體電路的製造中，若對半導體晶圓（以下稱作「晶圓」）等基板施行電漿蝕刻，則電漿中產生之自由基、離子迴流至晶圓的斜角面及背面，聚合物附著於斜角面及背面上。將此等附著物，稱作斜角／背面聚合物（Bevel／Backside Polymer，以下稱作「BSP」）。BSP，有對半導體積體電路造成不良影響的疑慮。而吾人已知一種藉由利用雷射與臭氧氣體的熱處理將BSP去除之BSP去除裝置。
BSP去除裝置，在未對裝置內供給適當臭氧氣體的量之情況，去除BSP時之蝕刻率降低。而進行如下程序：檢測以臭氧感測器供給至裝置內的臭氧氣體濃度，判定是否將適當臭氧氣體的量供給至裝置內。
此時，若臭氧感測器未正常運作，則偵測到相異的臭氧氣體濃度。然而，使用臭氧感測器時，必須進行定期（例如一日一次）修正0點之調整作業。此一定期維修的頻度高，難以遵照維修手冊地進行臭氧感測器的保養之情況亦不在少數。
此外，臭氧感測器，係檢測使氣體流通於石英管而來自配置在該石英管上下之UV燈的紫外線(UV light)之衰減率。臭氧感測器，利用若使臭氧氣體流通於石英管則來自UV燈的紫外線之透射降低的現象，測定臭氧氣體濃度。因此，若石英管本身模糊不清則在臭氧感測器所檢測出的臭氧氣體濃度上產生誤差。
臭氧氣體濃度之偵測値，若與實際上供給至BSP去除裝置內的臭氧氣體濃度偏離，則如同前述地去除BSP時的性能降低。而以下內容中，提供可穩定地檢測正確臭氧氣體濃度的基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法的一實施形態。
本實施形態之基板處理裝置，包含使用產生臭氧氣體的臭氧產生器處理基板之全部裝置。以下，首先，作為本實施形態之基板處理裝置的一例，對藉由臭氧將附著於晶圓之背面與斜角面的BSP去除之BSP去除裝置加以說明。而後，對本實施形態的臭氧氣體濃度之異常偵測方法加以說明。
［BSP去除裝置的全體構成］ 首先，參考圖1，並對本實施形態之BSP去除裝置的全體構成加以說明。圖1顯示，一實施形態之BSP去除裝置1的全體構成之一例。
BSP去除裝置1，具備係收納附著有BSP2之晶圓W的容器之腔室11。於腔室11內部，設置可旋轉晶圓W並將晶圓W水平地保持之旋轉吸盤12。旋轉吸盤12，與設置在腔室11下方的旋轉馬達13相連接。旋轉吸盤12，例如在藉由真空吸附而保持晶圓W的狀態下旋轉，藉以使旋轉吸盤12所吸附保持的晶圓W旋轉。
於腔室11之內部，在與晶圓W之邊緣部對應的位置設置BSP去除部14。於構成BSP去除部14之本體15設置缺口部16，以使晶圓W之邊緣部旋轉並通過。在缺口部16之下方部分15a，設置對附著在晶圓W的BSP2照射雷射之雷射照射頭18。雷射照射頭18，可沿著本體15之下方部分15a而於晶圓W的徑方向移動，此外，雷射照射頭18角度為可調節。藉此，可因應BSP2的附著狀況而調節雷射照射位置。另外，於本體15設置：臭氧氣體噴吐噴嘴20，對BSP2噴吐臭氧氣體；以及臭氧氣體抽吸噴嘴19，幾近100%地抽吸臭氧氣體。臭氧氣體噴吐噴嘴20，藉由供給臭氧氣體的供給線（配管）21而與臭氧產生器22相連接。臭氧氣體，自臭氧產生器22輸出，通過供給線21被導入至腔室11內，而自臭氧氣體噴吐噴嘴20噴吐出。於臭氧氣體抽吸噴嘴19，連接構成主要將臭氧氣體排出之排氣流路的排氣配管31。排氣配管31，與工廠酸排氣配管（未圖示）相連接。於排氣配管31，連接將臭氧氣體分解的臭氧分解器41。
於腔室11之上部，設置：風扇32，用於抽吸大氣並導入腔室11之內部；以及過濾器33，將以風扇32抽吸之大氣的微粒去除。另一方面，於腔室11之底部設置排氣口34。而藉由風扇32，使大氣通過過濾器33而導入至腔室11內，自排氣口34排出，藉以於腔室11內形成潔淨空氣的降流。在排氣口34連接排氣配管35，並將排氣配管35與工廠酸排氣配管（未圖示）相連接。
於腔室11之側壁，設置晶圓搬出入口11a，晶圓搬出入口11a可藉由閘閥23開閉。閘閥23，具有將閥體24與閥體24開閉的氣壓缸26。關閉閥體24時，使閥體24與腔室11之間藉由密封環25密封。
將臭氧感測器43，連接在供給線21與臭氧氣體噴吐噴嘴20之間的任一位置，檢測供給至腔室11的臭氧氣體濃度D。然則，亦可將臭氧感測器43，與排氣配管31連接。此一情況，臭氧感測器43，檢測自腔室11排出的臭氧氣體濃度。
作為臭氧感測器43，若能夠高精度地偵測臭氧濃度則無論何種方式皆可。作為臭氧感測器43之一例，可適當地使用利用下述等JIS所規定的方式之臭氧感測器：自中性碘化鉀溶液以氧化劑測定游離之碘離子的吸光度之定量方式、測定臭氧之紫外線區域的吸光度之定量方式。
BSP去除裝置1，具有控制裝置50。控制裝置50，主要控制BSP去除裝置1之各構成部。控制裝置50，具有監控部51、控制部52、記憶部53、輸出入I／F（介面）部54及計時器55。
監控部51，監控臭氧感測器43所檢測出的臭氧氣體濃度D。具體而言，監控部51，自臭氧感測器43定期或不定期地輸入臭氧氣體濃度D，並往控制部52輸出。
監控部51，同樣地監控臭氧產生器22的放電功率P。臭氧產生器22，對平行平板之電極22a的空間供給O2
氣體，轉換為臭氧氣體O3
而輸出。此時，對電極22a施加25kHz程度之低頻電力。監控部51，定期或不定期地輸入自臭氧產生器22內之電源22b輸出的電力之功率P，並往控制部52輸出。
控制部52，具有微處理器。控制部52，與輸出入I／F部54相連接，藉由輸出入I／F部54，而與操作者進行供管理BSP去除裝置1所用之指令等輸入操作的鍵盤62、輸出資訊的顯示器60及揚聲器61等相連接。於控制部52連接記憶部53，記憶部53收納有供施行既定控制所用的控制程式、及處理配方。處理配方記憶於記憶部53中之記憶媒體。控制部52，視須要，依照來自輸出入I／F部54之指示等自記憶部53叫出任意的處理配方而予以實行，藉以控制BSP之去除處理。
於記憶部53，預先記憶表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的資訊（以下亦單稱作「相關資訊」）。臭氧氣體濃度與放電功率具有比例關係。因此，記憶部53，預先記憶該比例式。控制部52，依據監控的臭氧氣體濃度D與放電功率P，因應相關資訊而偵測臭氧感測器43所偵測的臭氧氣體濃度是否異常。計時器55，計算臭氧產生器22的運作時間。
圖3顯示，藉由記憶部53記憶的，表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的相關資訊之一例的圖表。直線NL，係將臭氧感測器43正常之情況的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性（理想値）的比例式圖表化的直線。閾値Th1及閾値Th2的直線，表示可將臭氧感測器43判斷為正常的容許範圍。亦即，對於監控的臭氧氣體濃度D，監控的放電功率P雖理想上係直線NL上的値，但亦容許為閾値Th1及閾値Th2之直線範圍的値。藉此，控制使偵測臭氧氣體濃度之異常的處理，不變得過度嚴格。
因此，監控的臭氧濃度D為「D1」時，不僅在監控的放電功率為P1之情況，若偵測出的放電功率具有PL～PH之範圍內（容許値之範圍內）的任意値，則判斷為藉由臭氧感測器43檢測出的臭氧氣體濃度正常。另一方面，臭氧感測器43偵測出的臭氧濃度D為「D1」時，若偵測出的放電功率為PL～PH之範圍外，則判斷為藉由臭氧感測器43檢測出的臭氧氣體濃度異常。例如，偵測出的放電功率為P2時，判斷為檢測出的臭氧氣體濃度異常。
另，表示閾値Th1及閾値Th2之直線的比例式，與表示直線NL的比例式一同預先記憶在記憶部53。在BSP去除裝置1實行的蝕刻，有蝕刻率依臭氧濃度的變化而急遽降低的特點。而閾値Th1及閾値Th2，係表示蝕刻率依臭氧濃度的變化而急遽降低前之臭氧的濃度與放電功率之相關性的相關資訊，由表示所容許的最大值之相關資訊的値預先決定。
控制部52，因應記憶部53所記憶的相關資訊，依據監控部51所監控的臭氧氣體濃度D與放電功率P，而偵測臭氧氣體濃度之異常。更詳而言之，控制部52，依據記憶部53所記憶的相關資訊，在對於所監控的臭氧氣體濃度D，所監控的放電功率P為預先決定之閾値Th1至閾値Th2之範圍外時，偵測到臭氧氣體濃度之異常。
控制部52，可在偵測到臭氧氣體濃度之異常的情況，藉由輸出入I／F部54將警告顯示於顯示器60。此外，控制部52，亦可在偵測到臭氧氣體濃度之異常的情況，藉由輸出入I／F部54使揚聲器61發出警告音。
回到圖1，在此一構成之BSP去除裝置1中，首先，開啟閘閥23的閥體24，藉由未圖示之搬運臂將晶圓W通過搬出入口11a而搬入腔室11內，真空吸附於旋轉吸盤12。而後，關閉閘閥23之閥體24，將腔室11氣密性地密封。
其次，藉由旋轉馬達13使旋轉吸盤12旋轉，藉此使吸附保持在旋轉吸盤12的晶圓W旋轉。接著，如此地使晶圓W旋轉，並自BSP去除部14之雷射照射頭18對附著在晶圓W的BSP2照射雷射，同時自臭氧氣體噴吐噴嘴20噴吹臭氧氣體，以臭氧氣體抽吸噴嘴19抽吸臭氧氣體。藉此，藉由雷射照射所產生的熱與臭氧氣體所產生的氧化，將BSP2去除。此時，以使雷射照射至期望位置的方式，使照射頭18於晶圓W的徑方向移動，並進行雷射照射頭18的角度調節。進行此一BSP去除處理時，自臭氧氣體噴吐噴嘴20供給臭氧氣體，自臭氧氣體抽吸噴嘴19經過作為排氣流路的排氣配管31而排氣。
本實施形態中，自供給臭氧氣體之供給線21以臭氧感測器43偵測採樣的臭氧氣體濃度D，藉由監控部51監控該臭氧氣體濃度D。此外，本實施形態中，偵測臭氧產生器22的放電功率P，並以監控部51進行監控。
控制部52，將監控部51所監控的臭氧氣體濃度D及放電功率P、與記憶部53所記憶的相關資訊比較。控制部52，在相對於監控的臭氧氣體濃度D，監控的放電功率P落在預先決定之閾値Th1～閾値Th2的範圍外之情況，偵測出監控的臭氧氣體濃度異常，輸出警告。確認警告的操作者，停止BSP去除裝置1，實行臭氧感測器43之0點修正（調整）等的維修。
控制裝置50，具有未圖示之CPU（Central Processing Unit, 中央處理單元）、ROM（Read Only Memory, 唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory, 隨機存取記憶體）等。控制部52的功能，係藉由CPU實現。記憶部53的功能，藉由ROM或RAM實現。CPU，依據收納在ROM等記憶區域的配方，而控制低頻電力的施加、臭氧氣體的供給、雷射光的入射等，實行BSP之去除處理。此外，CPU，因應收納在ROM等記憶區域的相關資訊，而偵測出監控的臭氧氣體濃度之異常。
另，控制部52的功能，可使用軟體運作而藉以實現，亦可使用硬體運作而藉以實現。
以上，對本實施形態之BSP去除裝置1的全體構成之一例進行說明。接著，參考圖2而說明藉由BSP去除裝置1之控制裝置50實行的臭氧氣體濃度之異常偵測處理的一例。
[臭氧氣體濃度之異常偵測處理] 若開始圖2的臭氧氣體濃度之異常偵測處理，則控制部52，自監控部51取得臭氧氣體濃度D（步驟S10）。接著，控制部52，自監控部51取得放電功率P（步驟S12）。另，步驟S10、S12的取得時間點與取得順序並不限為此一形態。
而後，控制部52，自記憶部53取得表示NL之比例式的相關資訊及表示閾値Th1、Th2之比例式的相關資訊（步驟S14）。接著，控制部52，判定相對於取得的臭氧氣體濃度D，取得的放電功率P是否落在閾値Th1～Th2之範圍內（步驟S16）。例如，圖3中，判定相對於取得的臭氧氣體濃度D1，取得的放電功率P1是否落在PL～PH之範圍內。
相對於臭氧氣體濃度D的放電功率P落在閾値Th1～Th2之範圍內的情況，控制部52，偵測出所監控的臭氧氣體濃度正常。例如，圖3中，相對於取得的臭氧氣體濃度D1，取得的放電功率P為「P1」時，控制部52，偵測出所監控的臭氧氣體濃度正常。此一情況，判斷為臭氧感測器43正常運作，判定可繼續BSP去除處理時之臭氧氣體的監控。因此，經過既定時間後（步驟S18），控制部52，回到步驟S10，實行依據新的臭氧氣體濃度D與放電功率P之監控値的下一個異常偵測處理（步驟S10～S16）。
另一方面，步驟S16中，對於臭氧氣體濃度D的放電功率P落在閾値Th1～Th2之範圍外之情況，控制部52，偵測出所監控的臭氧氣體濃度異常（步驟S20）。例如，圖3中，相對於取得的臭氧氣體濃度D1，取得的放電功率P為「P2」時，控制部52，偵測出所監控的臭氧氣體濃度異常。偵測到異常之情況，控制部52，進行控制以將警告輸出（步驟S22），結束本臭氧氣體濃度之異常偵測處理。作為輸出之警告的一例，可列舉：於顯示器60顯示「臭氧感測器43需進行維修（0點修正）」，或自揚聲器61輸出警告音。
以上，說明藉由本實施形態的BSP去除裝置1之控制裝置50實行的臭氧氣體濃度之異常偵測處理的一例。
若臭氧感測器43未正常運作，則偵測到與實際供給至BSP去除裝置1之臭氧氣體濃度相異的臭氧氣體濃度。特別是臭氧感測器的定期維修，例如為一日一次之高頻度，實際上難以實行之情況亦不在少數。
而本實施形態的臭氧氣體濃度之異常偵測處理，係自臭氧感測器43的偵測値與臭氧產生器22的放電功率，監控臭氧氣體濃度有無異常。此外，依據所監控的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性，是否落在預先決定的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的容許範圍內，而判定臭氧感測器43是否正確測定臭氧氣體濃度。如此地，可判定藉由臭氧感測器43偵測出的臭氧氣體濃度之偵測値是否異常。
藉此，早期發現臭氧感測器43的異常，促使操作者進行臭氧感測器43之維修（0點修正），可迅速保養臭氧感測器43的故障或0點的偏移。藉由此等操作者的迅速對應，而可實現穩定的臭氧氣體之供給，防止BSP處理裝置1所進行之BSP去除的處理性能之降低，避免批次不良。
[變形例] 因應臭氧產生器22之伴隨時間的變化，而有臭氧氣體濃度與放電功率之比例式的斜率改變之情況。例如，吾人認為因應臭氧產生器22之伴隨時間的變化，而有臭氧氣體濃度與放電功率之比例式的斜率變小之傾向。
另，以下所說明之本實施形態的變形例中，記憶部53預先記憶複數相關資訊，該相關資訊表示隨著臭氧產生器22之運作時間而改變的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性。具體而言，記憶部53，預先記憶表示臭氧氣體濃度與放電功率之比例關係的複數個比例式。而控制部52，自記憶在記憶部53的複數相關資訊，選擇表示因應臭氧產生器22的運作時間為最佳的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的相關資訊。
具體而言，臭氧產生器22的運作時間，藉由計時器55予以計時。控制部52，依據計時之臭氧產生器22的運作時間，自記憶在記憶部53之複數相關資訊中選擇最適合的相關資訊，並依據選出的相關資訊，偵測臭氧氣體濃度之異常。以下，參考圖4，並對自表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的複數相關資訊選出相關資訊之處理加以說明。
[相關資訊之選擇處理] 圖4為，顯示一實施形態的相關資訊之選擇處理的一例之流程圖。
圖4的相關資訊之選擇處理一開始，則控制部52，取得計時器55所計時之臭氧產生器22的運作時間（步驟S30）。控制部52，判定臭氧產生器22的運作時間是否經過預先決定的時間t1（步驟S32）。
臭氧產生器22的運作時間未經過時間t1之情況，控制部52，自記憶部53選出相關資訊1（步驟S34）。藉此，如圖5所示，在表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的直線NL1～NL4之中，選擇以斜率最大的直線NL1表示之相關資訊1。選出後，結束本相關資訊選擇處理。
另一方面，臭氧產生器22的運作時間經過時間t1之情況，控制部52，判定臭氧產生器22的運作時間是否經過預先決定的時間t2（步驟S36）。
臭氧產生器22的運作時間未經過時間t2之情況，控制部52，自記憶部53選出相關資訊2（步驟S38）。藉此，如圖5所示地，選擇以斜率第二大的直線NL2表示之相關資訊2。選擇後，結束本相關資訊選擇處理。
另一方面，臭氧產生器22的運作時間經過時間t2之情況，控制部52，判定臭氧產生器22的運作時間是否經過預先決定的時間t3（步驟S40）。
臭氧產生器22的運作時間未經過時間t3之情況，控制部52，自記憶部53選出相關資訊3（步驟S42）。藉此，如圖5所示，選擇以斜率第三大的直線NL3表示之相關資訊3。選擇後，結束本相關資訊選擇處理。
另一方面，臭氧產生器22的運作時間經過時間t3之情況，控制部52，自記憶部53選出相關資訊4（步驟S44）。藉此，如圖5所示地，選擇以斜率最小的直線NL4表示之相關資訊4。選擇後，結束本相關資訊選擇處理。
以上，對本實施形態之變形例加以說明。藉此，則因應臭氧產生器22之伴隨時間的變化，而選擇最適當之臭氧氣體濃度與放電功率的相關資訊。藉此，依據因應臭氧產生器22的運作時間而選出之臭氧氣體濃度與放電功率的相關資訊，而可精度更佳地判定是否正確測定臭氧氣體濃度。
例如，臭氧產生器22的運作時間經過時間t1，未經過時間t2之情況，若不考慮臭氧產生器22的運作時間，則依據相關資訊1，亦即依據圖5的直線NL1，判定臭氧氣體濃度之偵測値有無異常。此一結果，例如，在監控的臭氧濃度D為D1，放電功率為P1時，放電功率P1為NL1上的値，判斷為藉由臭氧感測器43檢測出的臭氧氣體濃度之偵測値正常。
另一方面，本變形例中，因應臭氧產生器22的運作時間，依據相關資訊2，亦即依據圖5的直線NL2，而判定臭氧氣體濃度之偵測値有無異常。此一情況，例如，在監控的臭氧濃度D為D1，放電功率為P3之情況，本變形例中，依據相關資訊2，偵測出的放電功率P3為NL2上之値，判斷為臭氧氣體濃度正常。
相對於此，監控的臭氧濃度D為D1，放電功率為P1之情況，本變形例中，依據相關資訊2，由於偵測出的放電功率P1落在PL～PH（圖5中未圖示）之範圍外，故判斷為臭氧氣體濃度之偵測値異常。
如此地，本實施形態之變形例中，依據因應臭氧產生器22的運作時間選出之臭氧氣體濃度與放電功率的相關資訊，而可精度更佳地判定是否正確測定臭氧氣體濃度。
以上，雖藉由上述實施形態說明基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法，但本發明並未限定於上述實施形態，可在本發明之範圍內進行各種變形及改良。此外，可將上述實施形態及變形例在不矛盾之範圍內予以組合。
例如，本發明的臭氧氣體濃度之異常偵測方法，可應用於監視臭氧氣體之供給的所有系統。此外，本發明的臭氧氣體濃度之異常偵測方法，可應用於監視臭氧氣體之排出的所有系統。
例如，圖1雖未圖示，但亦可將臭氧感測器43與連結臭氧分解器41的排氣配管31相連接，使用臭氧感測器偵測通過排氣配管31採樣之排出氣體中的臭氧氣體濃度。此一情況，本發明的臭氧氣體濃度之異常偵測方法，可藉由監控部51監控排出氣體中的臭氧氣體濃度與放電功率，依據臭氧氣體濃度與放電功率，判定臭氧氣體濃度之偵測値是否異常。
另，本發明中施行處理的基板，並未限於上述實施形態中用於說明的晶圓，例如，亦可為平板顯示器（Flat Panel Display)用之大型基板、EL元件或太陽電池用之基板。
1‧‧‧BSP去除裝置
2‧‧‧BSP
11‧‧‧腔室
11a‧‧‧晶圓搬出入口
12‧‧‧旋轉吸盤
13‧‧‧旋轉馬達
14‧‧‧BSP去除部
15‧‧‧本體
15a‧‧‧下方部分
16‧‧‧缺口部
18‧‧‧雷射照射頭
19‧‧‧臭氧氣體抽吸噴嘴
20‧‧‧臭氧氣體噴吐噴嘴
21‧‧‧供給線
22‧‧‧臭氧產生器22
22a‧‧‧電極
22b‧‧‧電源
23‧‧‧閘閥
24‧‧‧閥體
25‧‧‧密封環
26‧‧‧氣壓缸
31‧‧‧排氣配管
32‧‧‧風扇
33‧‧‧過濾器
34‧‧‧排氣口
35‧‧‧排氣配管
41‧‧‧臭氧分解器
43‧‧‧臭氧感測器
50‧‧‧控制裝置
51‧‧‧監控部
52‧‧‧控制部
53‧‧‧記憶部
54‧‧‧輸出入I／F部
55‧‧‧計時器
60‧‧‧顯示器
61‧‧‧揚聲器
62‧‧‧鍵盤
D‧‧‧臭氧濃度
P‧‧‧放電功率
W‧‧‧晶圓
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22‧‧‧步驟
2‧‧‧BSP
11‧‧‧腔室
11a‧‧‧晶圓搬出入口
12‧‧‧旋轉吸盤
13‧‧‧旋轉馬達
14‧‧‧BSP去除部
15‧‧‧本體
15a‧‧‧下方部分
16‧‧‧缺口部
18‧‧‧雷射照射頭
19‧‧‧臭氧氣體抽吸噴嘴
20‧‧‧臭氧氣體噴吐噴嘴
21‧‧‧供給線
22‧‧‧臭氧產生器22
22a‧‧‧電極
22b‧‧‧電源
23‧‧‧閘閥
24‧‧‧閥體
25‧‧‧密封環
26‧‧‧氣壓缸
31‧‧‧排氣配管
32‧‧‧風扇
33‧‧‧過濾器
34‧‧‧排氣口
35‧‧‧排氣配管
41‧‧‧臭氧分解器
43‧‧‧臭氧感測器
50‧‧‧控制裝置
51‧‧‧監控部
52‧‧‧控制部
53‧‧‧記憶部
54‧‧‧輸出入I／F部
55‧‧‧計時器
60‧‧‧顯示器
61‧‧‧揚聲器
62‧‧‧鍵盤
D‧‧‧臭氧濃度
P‧‧‧放電功率
W‧‧‧晶圓
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22‧‧‧步驟
【圖1】係顯示一實施形態的BSP去除裝置之全體構成的一例之圖。 【圖2】係顯示一實施形態的臭氧氣體濃度之異常偵測處理的一例之流程圖。 【圖3】係顯示示意一實施形態的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的圖表之一例的圖。 【圖4】係顯示一實施形態的相關資訊之選擇處理的一例之流程圖。 【圖5】係顯示示意一實施形態的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的圖表之一例的圖。
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22‧‧‧步驟
Claims (6)
- 一種基板處理裝置，具有產生臭氧氣體的臭氧產生器與檢測臭氧氣體濃度的臭氧感測器，使用自該臭氧產生器供給之臭氧氣體處理基板，具備： 監控部，監控該臭氧感測器檢測的臭氧氣體濃度、與該臭氧產生器的放電功率；以及 控制部，依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，偵測出該臭氧氣體濃度之異常。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 具有記憶部，預先記憶有表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的相關資訊； 該控制部， 依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，因應該記憶部所記憶的表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的相關資訊，而偵測出該監控的臭氧氣體濃度之異常。
- 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 該控制部， 因應該記憶部所記憶的表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的相關資訊，在相對於該監控的臭氧氣體濃度，該監控的放電功率落在預先決定之容許値的範圍外之情況，偵測出該監控的臭氧氣體濃度異常。
- 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中， 該記憶部預先記憶複數之相關資訊，該相關資訊表示隨著該臭氧產生器之運作時間而改變的臭氧氣體濃度與放電功率之相關性； 具備將該臭氧產生器的運作時間計時之計時器； 該控制部， 依據該計時的臭氧產生器之運作時間，自該記憶部所記憶的表示臭氧氣體濃度與放電功率之相關性的複數相關資訊中選擇任意相關資訊，因應選出的相關資訊，偵測出該監控的臭氧氣體濃度之異常。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中， 該臭氧感測器，與自該臭氧產生器對該基板處理裝置供給臭氧氣體之供給線相連接。
- 一種臭氧氣體濃度之異常偵測方法，使用於採用產生臭氧氣體的臭氧產生器以處理基板之基板處理裝置中，其包含如下步驟： 監控以臭氧感測器檢測出之供給至基板處理裝置的臭氧氣體濃度； 監控該臭氧產生器的放電功率；以及 依據該監控的臭氧氣體濃度與放電功率，偵測出該臭氧氣體濃度之異常。
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