KR20200108368A - 기판 프로세싱 시스템의 ESC로부터 기판의 부분적 언클램핑 (unclamping) 검출 - Google Patents

기판 프로세싱 시스템의 ESC로부터 기판의 부분적 언클램핑 (unclamping) 검출 Download PDF

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Abstract

부분적인 언클램핑 검출 시스템이 제공되고, 발광 회로, 분광계 및 시스템 제어기를 포함한다. 발광 회로는 기판이 기판 프로세싱 시스템의 정전 척에 정전기적으로 클램핑되는 동안 기판의 영역에서 광을 방출하도록 구성된다. 분광계는 기판으로부터 반사된 광을 검출하고, 검출된 광에 기초하여 제 1 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 시스템 제어기는: 제 1 출력 신호의 변화들을 검출하고, 기판의 후면에 공급된 가스의 플로우 레이트의 변화들을 검출하고, 그리고 제 1 출력 신호의 변화들 및 플로우 레이트의 변화들 모두에 기초하여, 기판의 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하도록 구성된다.

Description

기판 프로세싱 시스템의 ESC로부터 기판의 부분적 언클램핑 (unclamping) 검출
관련된 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2018년 2월 6일에 출원된 미국 실용신안 출원 번호 제 15/889,625 호의 우선권을 주장한다. 상기 참조된 본 출원의 전체 개시는 참조로서 본 명세서에 인용된다.
본 개시는 기판 프로세싱 시스템들에서 정전 척들로부터 기판들의 부분적 언클램핑을 검출하는 것에 관련된 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시하기 위한 목적이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 에칭, 증착, 및/또는 다른 처리를 수행하도록 사용될 수도 있다. 기판 상에서 수행될 수도 있는 예시적인 프로세스들은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 프로세스, PVD (Physical Vapor Deposition) 프로세스, 이온 주입 프로세스, 및/또는 다른 에칭, 증착, 및 세정 프로세스들을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.
에칭 프로세스 동안, 기판 상의 박막이 에칭된다. 에칭은 보통 습식 화학적 에칭 또는 건식 에칭을 포함한다. 건식 에칭은 ICP (Inductively-Coupled Plasma) 를 생성함으로써 수행될 수도 있다. ICP는 유전체 윈도우에 인접한 프로세싱 챔버의 외부에 배열된 코일들에 의해 생성될 수도 있다. 프로세싱 챔버 내부에 흐르는 프로세스 가스가 ICP를 생성하도록 점화된다. 에칭되는 동안, 기판은 대응하는 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버에서 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 상에 배열될 수도 있다.
부분적인 언클램핑 검출 시스템이 제공되고, 발광 회로, 분광계 및 시스템 제어기를 포함한다. 발광 회로는 기판이 기판 프로세싱 시스템의 정전 척에 정전기적으로 클램핑되는 (clamped) 동안 기판의 영역에서 광을 방출하도록 구성된다. 분광계는 기판으로부터 반사된 광을 검출하고, 검출된 광에 기초하여 제 1 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 시스템 제어기는: 제 1 출력 신호의 변화들을 검출하고, 기판의 후면에 공급된 가스의 플로우 레이트의 변화들을 검출하고, 그리고 제 1 출력 신호의 변화들 및 플로우 레이트의 변화들 모두에 기초하여, 기판의 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 부분적인 언클램핑 검출 방법이 제공되고, 기판이 기판 프로세싱 시스템의 정전 척에 정전기적으로 클램핑되는 동안 기판의 영역에서 광을 방출하는 단계; 기판으로부터 반사된 광을 검출하고 검출된 광에 기초하여 제 1 출력 신호를 생성하는 단계; 제 1 출력 신호의 변화들을 검출하는 단계; 기판의 후면에 공급된 가스의 플로우 레이트의 변화들을 검출하는 단계; 및 제 1 출력 신호의 변화들 및 플로우 레이트의 변화들 모두에 기초하여, 기판의 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하는 단계를 포함한다.
본 개시의 적용가능성의 추가 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 명백해질 것이다. 상세한 기술 및 특정한 예들은 예시의 목적들만을 위해 의도되었고, 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않았다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부한 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 부분적인 언클램핑 검출 시스템을 포함하는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 기판 프로세싱 시스템의 일 예의 기능적 블록도이다.
도 2는 완전히 클램핑된 상태의 검출을 예시하는 도 1의 부분적인 언클램핑 검출 시스템의 기능적 블록도이다.
도 3은 부분적으로 클램핑된 상태를 예시하는 도 1의 부분적인 언클램핑 검출 시스템의 기능적 블록도이다.
도 4는 부분적인 언클램핑 이벤트 동안의 변화들을 예시하는 스펙트럼 반사계의 출력 및 후면 가스의 플로우 레이트의 예시적인 플롯들을 포함하는 그래프이다.
도 5는 본 개시의 실시예에 따른 부분적인 언클램핑 검출 방법을 예시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
에칭 프로세스 동안, 스펙트럼 반사계 (spectral reflectometer) 가 예를 들어, 기판의 에칭된 구조체들의 깊이들을 모니터링하도록, 그리고 미리 결정된 깊이들에 도달되었을 때 에칭을 중단하도록 사용될 수도 있다. 스펙트럼 반사계는 에칭되는 기판의 표면에 걸쳐 컬러 패턴들을 모니터링하도록 사용될 수도 있다. 제어기가 이후 검출된 패턴들에 기초하여 에칭 프로세스 지속기간들을 조정할 수도 있다. 또한, 가스 (예를 들어, 헬륨) 가 에칭 프로세스 동안 기판의 온도 제어를 위해 기판의 후면에 제공될 수도 있다. 가스는 기판과 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 사이의 인클로징된 (enclosed) 영역에 제공된다. 기판의 후면에 걸쳐 가스를 지향시킴으로써, 대응하는 기판 프로세싱 시스템은 기판에 걸쳐 온도들을 균일하게 제어할 수 있다. 후면 마노미터 (manometer) 및 플로우 밸브가 기판의 후면에서 가스의 압력을 모니터링하고 유지하도록 사용될 수도 있다.
프로세싱 동안, 종종 ESC의 상단 표면 근방에 배치된 하나 이상의 전극들을 포함하는, ESC 상에 기판이 위치된다. 전류는 ESC 상의 타겟 위치에서 그리고 완전히 고정된 상태로 기판을 홀딩하는, 정전 클램핑 힘을 생성하도록 전극들에 공급된다. 타겟 위치 및 완전히 클램핑된 상태에 있는 동안, 기판의 후면에 제공된 가스의 압력 및 플로우 레이트는 설정된 압력 및 플로우 레이트 값들의 미리 결정된 범위들 내에 남는다. 기판과 ESC 사이에, 예를 들어 기판의 주변 에지를 따라 작은 누설 (예를 들어, 2 SCCM (Standard Cubic Centimeters per Minute)) 이 존재할 수도 있다. 가스의 플로우 레이트가 이 누설을 처리하기 위해 그리고 가스의 설정된 미리 결정된 압력을 유지하기 위해 조정된다.
특정한 상황들에서, 기판은 타겟 위치로부터 부분적으로 언클램핑된 위치로 이동할 수도 있고, 더 이상 완전히 클램핑된 상태가 아닐 수도 있다. 이 이동은 예를 들어: 부적절한 프로세싱 챔버 시즈닝 레시피 (seasoning recipe) 가 이전에 적용된 컨디셔닝 막을 완전히 제거하지 않고, 결과로서 ESC 상에 과도한 양의 증착 재료를 남기고; 기판의 후면 상에 입자들이 존재하고; ESC의 하드웨어가 결함이 있고 그리고/또는 부정확하게 설치되고; 그리고/또는 적용된 그리고/또는 검출된 파라미터들 (예를 들어, 클램핑 전압 및/또는 기판 바이어스 보상 전압 레벨들) 이 정확하지 않아 부정확한 정전 클램핑 힘을 발생시킬 때 유발될 수도 있다. 부분적인 언클램핑 (partial unclamping) 은 기판의 프로세싱에 부정적으로 영향을 미치고 스크랩핑되는 기판을 발생시킬 수 있고, 이에 따라 폐기물 및 상승된 비용을 야기한다.
타겟 위치로부터 제거될 때, 기판은 부분적으로 언클램핑된 상태 또는 완전히 언클램핑된 상태에 있을 수도 있다. 부분적으로 언클램핑된 상태는 기판이 (i) 측면으로 약간 오정렬되고 (또는 제 1 미리 결정된 양 이상이지만 제 2 미리 결정된 양 이하로 타겟 위치로부터 이동되고), 또는 (ii) 약간 상승된 부분을 가질 (예를 들어, ESC의 상단 표면과 기판의 일부 사이 거리가 제 1 미리 결정된 거리 이상이지만, 제 2 미리 결정된 거리 이하임) 때를 지칭한다. 기판의 일부의 리프팅은 기판 및 ESC의 마주보는 표면들이 더 이상 서로 평행하지 않고 그리고/또는 마주보는 표면들 사이의 각도들이 증가되도록, 기판과 ESC 사이의 “평행성의 시프팅 (shift in parallelism)”로 지칭된다. 이 이동 (또는 부분적인 언클램핑 이벤트) 은 기판과 ESC 사이 가스 누설 및/또는 기판과 ESC 사이 가스 누설의 양의 증가를 발생시킬 수도 있다. 제어기는 기판과 ESC 사이로부터의 가스 누설의 증가된 양의 결과로서 설정된 미리 결정된 압력을 유지하기 위해 가스의 플로우 레이트를 상승시킬 수도 있다. 예로서, 기판의 부분적인 언클램핑은 부분적인 언클램핑 이벤트 전에 제공된 플로우 레이트의 25 ％ 이상이지만, 60 ％보다 작은 후면 가스의 플로우 레이트의 상승과 연관될 수도 있다.
완전히 언클램핑된 상태는 기판이 가스의 플로우 레이트가 미리 결정된 양 이상 상승되는 (예를 들어, 60 ％ 이상 상승됨) 정도 (즉, 제 2 미리 결정된 양보다 많거나 ESC로부터 제 2 미리 결정된 거리보다 멀리 분리됨) 까지 이동될 때를 지칭한다. 언급된 백분율 및 본 명세서에 개시된 다른 백분율들 및 값들은 예들로서 제공되고, 적용예 (예를 들어, 동작 환경, 프로세싱 시스템, 사용된 ESC, 정전 클램핑 힘들, 후면 가스 압력들, 온도들, 등) 에 따라 상이할 수도 있다. 종래에, 부분적인 언클램핑 이벤트는 인지되지 않고 경보를 작동시키지 (trigger) 않았다.
본 명세서에 제시된 예들은 ESC들로부터 기판들의 부분적인 언클램핑을 검출하기 위한 부분적인 언클램핑 검출 시스템들 및 방법들을 포함한다. 부분적인 언클램핑 검출 시스템들은: 기판들의 제 1 측면들에 지향된 반사된 광의 변화들을 검출하기 위한 스펙트럼 반사계들; 및 기판들의 후면들에 공급된 가스의 플로우 레이트들의 변화들을 검출하기 위한 제어기들 및/또는 센서들을 포함한다. 기판들의 후면들은 기판들의 제 1 측면들이 아니라 기판들의 반대편 측면들 상에 있다. 부분적인 언클램핑 검출 시스템들은 검출된 반사된 광의 변화들 및 플로우 레이트들의 변화들에 기초하여, 기판들의 부분적인 언클램핑을 검출한다.
도 1은 부분적인 언클램핑 검출 시스템 (12) 을 포함하는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 기판 프로세싱 시스템 (10) 을 도시한다. 부분적인 언클램핑 검출 시스템은 광 프로세싱 회로 (14) 및 후면 가스 회로 (16) 를 포함한다. 광 프로세싱 회로 (14) 는 스펙트럼 반사계 (18), 시준기 (collimator) (20), 및 시스템 제어기 (22) 를 포함할 수도 있다. 후면 가스 회로 (16) 는 시스템 제어기 (22), 제 1 가스 전달 시스템 (24), 및 후면 마노미터 (26) 를 포함할 수도 있다. 스펙트럼 반사계 (18) 는 기판 (28) 에 광 신호들을 지향하는 시준기 (20) 에 광 신호들을 출력한다. 광 신호들은 기판 (28) 으로부터 반사되고, 시준기 (20) 를 통해 스펙트럼 반사계 (18) 로 돌아간다. 스펙트럼 반사계 (18) 는 시준기 (20) 에 의해 스펙트럼 반사계 (18) 로 중계된 반사된 광 신호들에 기초하여 출력 신호를 생성한다. 출력 신호는 시스템 제어기 (22) 에 제공된다.
제 1 가스 전달 시스템 (24) 은 가스 소스 (30) 및 밸브 (32) 를 포함한다. 시스템 제어기 (22) 는 제 1 가스 전달 시스템 (24) 으로부터 기판 (28) 과 ESC (34) 사이의 영역 A로 공급되는 후면 가스 (예를 들어, 헬륨) 의 미리 결정된 압력을 유지하기 위해 밸브 (32) 의 동작을 제어한다. 예시적인 ESC (34) 가 도시되지만, 본 명세서에 개시된 예들은 다른 ESC들에 적용 가능하다. 시스템 제어기 (22) 는 미리 결정된 압력을 유지하기 위해 마노미터 (26) 에 의해 검출된 후면 가스의 압력에 기초하여 밸브 (32) 의 위치 (또는 개방) 를 조정한다. 시스템 제어기 (22) 는 기판 (28) 의 온도를 조정하기 위해 후면 가스의 압력 및/또는 플로우 레이트를 조정할 수도 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 온도 센서들이 후면 가스의 온도들을 검출하도록 사용될 수도 있다. 두 개의 예시적인 온도 센서들 (36, 38) 이 도시된다. 후면 가스의 압력 및/또는 플로우 레이트는 검출된 온도들에 기초하여 조정될 수도 있다.
시스템 제어기 (22) 는 스펙트럼 반사계 (18) 로부터 수신된 출력 신호 및 밸브 (32) 의 위치에 기초하여 기판 (28) 이 부분적으로 언클램핑된 상태에 있는지 여부를 결정한다. 일 실시예에서, 시스템 제어기 (22) 는 후면 가스의 플로우 레이트 (예를 들어, 절대 플로우 레이트 및/또는 질량 플로우 레이트) 를 결정한다. 질량 플로우 레이트가 결정되면, 질량 플로우 레이트는 온도 센서들 (36, 38) 에 의해 검출된 온도들에 기초하여 결정될 수도 있다. 부분적으로 언클램핑된 상태는 스펙트럼 반사계 (18) 로부터 수신된 출력 신호 및 결정된 플로우 레이트에 기초하여 검출될 수도 있다.
도 1이 ICP 기판 프로세싱 시스템을 도시하지만, 본 명세서에 개시된 실시예들은 TCP (Transformer Coupled Plasma) 시스템들, ECR (Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 시스템들, CCP (Capacitive Coupled Plasma) 시스템들 및/또는 다른 기판 프로세싱 시스템들에 적용 가능하다. 실시예들은 프로세스들, CEPVD (Chemically Enhanced Plasma Vapor Deposition) 프로세스들, 이온 주입 프로세스들, 및/또는 다른 에칭, 증착, 및 세정 프로세스들에 적용 가능하다.
기판 프로세싱 시스템 (10) 은 코일 구동 회로 (40) 를 더 포함한다. 일부 예들에서, 코일 구동 회로 (40) 는 RF 소스 (42), 펄싱 회로 (44), 및 튜닝 회로 (46) 를 포함할 수도 있다. 펄싱 회로 (44) 는 동작 동안 RF 신호의 TCP 엔벨로프 (envelope) 를 제어하고, TCP 엔벨로프의 듀티 사이클 (duty cycle) 을 가변시킨다.
튜닝 회로 (46) 는 하나 이상의 유도 코일들 (48) 에 직접 연결될 수도 있다. 대안적으로, 튜닝 회로 (46) 는 선택 가능한 역전 (reversing) 회로 (50) 에 의해 하나 이상의 코일들 (48) 에 연결될 수도 있다. 튜닝 회로 (46) 는 RF 소스 (42) 의 출력을 설정된 주파수 및/또는 설정된 위상으로 튜닝하고, 코일들 (48) 의 임피던스를 매칭시키며 코일들 (48) 사이에 전력을 분할한다. 역전 회로 (50) 는 하나 이상의 코일들 (48) 을 통해 전류의 극성을 선택적으로 스위칭하도록 사용된다.
일부 예들에서, 뜨거운 그리고/또는 차가운 공기 흐름으로 유전체 윈도우 (62) 의 온도를 제어하기 위해 코일들 (48) 과 유전체 윈도우 (62) 사이에 플레넘 (plenum) (60) 이 배열될 수도 있다. 유전체 윈도우 (62) 는 프로세싱 챔버 (64) 의 일 측면을 따라 배열된다. 프로세싱 챔버 (64) 는 ESC (34) 를 포함한다. 프로세스 가스가 프로세싱 챔버 (64) 에 공급되고 플라즈마 (66) 가 프로세싱 챔버 (64) 의 내부에 생성된다. 플라즈마 (66) 는 기판 (28) 의 노출된 표면을 에칭한다. 기판 프로세싱 시스템 (10) 은 RF 바이어스 회로 (70) 를 더 포함할 수도 있다. RF 바이어스 회로 (70) 는 RF 소스 (72), 펄싱 회로 (74) 및 ESC (34) 를 바이어싱하도록 사용될 수도 있는 바이어스 매칭 회로 (76) 를 포함할 수도 있다.
가스 전달 시스템 (80) 이 프로세싱 챔버 (64) 에 프로세스 가스 혼합물을 공급하도록 사용될 수도 있다. 가스 전달 시스템 (80) 은 프로세스 및 불활성 가스 소스들 (82), 밸브들 및 질량 유량 제어기들과 같은 가스 계량 (metering) 시스템 (84), 및 매니폴드 (86) 를 포함할 수도 있다. 또 다른 가스 전달 시스템 (90) 이 가스 소스 (92) 로부터 밸브 (94) 를 통해 플레넘 (60) 으로 가스를 전달하도록 사용될 수도 있다. 가스는 코일들 (48) 및 유전체 윈도우 (62) 를 냉각시키기 위해 사용되는 냉각 가스 (공기) 를 포함할 수도 있다. 배기 시스템 (96) 이 퍼징 또는 배출에 의해 프로세싱 챔버 (64) 로부터 반응물질들을 제거하기 위해 밸브 (98) 및 펌프 (100) 를 포함한다.
전압 (V) 및 전류 (I) 프로브 (probe) (또는 VI 프로브) (102) 가 플라즈마 (66) 의 전압 및 전류를 검출하기 위해 프로세싱 챔버 (64) 내에 배열된다. 또한, 위상/크기 검출기 (104) 가 플라즈마 (66) 의 위상 및 크기를 검출하기 위해 프로세싱 챔버 (64) 내에 배열된다.
시스템 제어기 (22) 는 기판 (28) 의 프로세싱을 제어하도록 사용될 수도 있다. 시스템 제어기 (22) 는 시스템 파라미터들을 모니터링하며 가스 혼합물의 전달, 플라즈마 (66) 의 스트라이킹, 유지 및 소화, 반응물질들의 제거, 냉각 가스의 공급, 등을 제어한다. 부가적으로, 시스템 제어기 (22) 는 코일 구동 회로 (40) 및 RF 바이어스 회로 (70) 의 다양한 양태들을 제어할 수도 있다.
ESC (34) 는 하나 이상의 전극들 (또는 전극 어레이) (110) 을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 전극들 (110) 은 시스템 제어기 (22) 에 의해 제어될 수도 있는 전력 소스 (112) 에 연결되고 전력 소스 (112) 로부터 전력을 수용할 수도 있다. 하나 이상의 전극들 (110) 은 ESC (34) 에 기판 (28) 을 클램핑하기 위해 생성된 정전력의 양을 제어하도록 사용될 수도 있다.
도 2는 도 1의 부분적인 언클램핑 검출 시스템 (12) 을 도시하고, 기판 (150) 의 완전히 클램핑된 상태의 검출을 예시한다. 부분적인 언클램핑 검출 시스템 (12) 은 스펙트럼 반사계 (18), 시준기 (20), 시스템 제어기 (22), 후면 마노미터 (26), 밸브 (32), 및 ESC (34) 를 포함한다. 스펙트럼 반사계 (18) 는 검출기 제어기 (152), 광원 (154), 분광계 (또는 절대 단위들이 모니터링될 때 분광광도계 (spectrophotometer)) (156), 인터페이스 (158), 및/또는 광 신호들의 방출 및 수신을 위한 다른 하드웨어를 포함할 수도 있다. 다른 하드웨어는 반사기들, 광섬유들 및/또는 번들 (bundles), 등을 포함할 수도 있다. 광원 (154), 인터페이스 (158), 시준기 (20) 및/또는 다른 대응하는 하드웨어는 광 방출 회로의 일부이다. 검출기 제어기 (152) 는 인터페이스 (158) 로부터 시준기 (20) 로 광섬유 번들 (160) 을 통해 광 신호들의 형태로 광을 방출시키도록 광원 (154) 의 동작을 제어한다. 광은 화살표 (162) 에 의해 나타낸 바와 같이, 시준기 (20) 로부터 방출되고, 기판 (150) 의 중심부로 지향된다. 광은 화살표 (164) 에 의해 나타낸 바와 같이, 기판 (150) 으로부터 반사되고, 시준기 (20) 에 의해 검출된다. 기판 (150) 이 타겟 위치에 있고 완전히 클램핑된 상태에 있을 때, 광은 기판 (150) 으로 광을 방출하기 위해 원래 사용되었던, 대략 동일한 경로를 따라 다시 반사된다. 반사된 광은 반사된 광이 수용된 것을 나타내는 제 1 출력 신호를 생성하는, 분광계 (156) 에 수용된다. 검출기 제어기 (152) 는 분광계 (156) 로부터의 제 1 출력 신호를 시스템 제어기 (22) 에 제공되는 제 2 출력 신호로 변환할 수도 있다. 예로서, 제 1 출력 신호는 반사된 광의 (나노미터) 파장들에 대한 광 강도 레벨들 (또는 수치들) 의 스펙트럼을 포함할 수도 있다. 이 정보 (즉, 파장들에 대한 수치들) 는 제 2 출력 신호로서 제공될 수도 있고 또는 시간 신호에 대한 단일 수의 수치들을 제공하도록 결합될 수도 있다. 예로서, 제 1 출력 신호의 파장들 중 하나 이상의 선택된 파장들의 수치들의 평균, 합산, 가중치 및/또는 다른 프로세싱 수행에 의해 제 2 출력 신호가 생성될 수도 있다.
일 실시예에서, 스펙트럼 반사계 (18) 는 검출기 제어기 (152) 를 포함하지 않는다. 이 실시예에서, 시스템 제어기 (22) 는 광원 (154) 을 직접 제어하고, 분광계 (156) 의 출력을 수신한다.
기판 (150) 은 ESC (34) 의 링 (170) 상에 배치될 수도 있다. ESC (34) 는 메사들 (mesas) (172) 을 포함할 수도 있다. 메사들 (172) 은 ESC (34) 와 기판 (150) 사이의 콘택트 면적을 최소화한다. 메사들 (172) 은 다양한 사이즈, 형상, 배치, 및 수량 패턴들을 가질 수도 있다. 기판 (150) 은 정전 클램핑에 의해 메사들 (172) 상에 배치되고 메사들 (172) 에 대고 홀딩된다. 후면 가스가 기판 (150) 과 ESC (34) 사이의 영역 (174) 에 공급된다. 후면 가스는 ESC (34) 의 상부 표면, 메사들 (172), (포함된다면) 링 (170) 및 기판 (150) 에 의해 규정된 볼륨 (또는 캐비티 (cavity)) 을 충진한다. 링 (170) 은 ESC (34) 의 일부로서 일체로 형성될 수도 있다.
ESC (34) 는 영역 (174) 에 후면 가스를 공급하기 위한 하나 이상의 채널들 (178) 을 포함할 수도 있다. 후면 가스는 밸브 (32) 및 마노미터 (26) 를 통해 ESC (34) 에 공급될 수도 있다. 시스템 제어기 (22) 는 밸브 (32) 의 동작을 제어하고, 본 명세서에 개시된 바와 같이 ESC (34) 상의 기판이 부분적으로 언클램핑된 상태인지 여부의 지표들 중 하나인 밸브 (32) 의 위치들의 변화들을 모니터링한다. 상기 언급한 바와 같이, 시스템 제어기 (22) 는 또한 ESC (34) 상의 기판이 부분적으로 언클램핑된 상태에 있는지 여부의 또 다른 지표인 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력을 모니터링한다.
이제 도 3을 또한 참조하면, 부분적인 언클램핑 검출 시스템 (12) 을 도시하고 부분적으로 클램핑된 상태를 예시한다. 도시된 바와 같이, 부분적인 언클램핑 검출 시스템 (12) 은 스펙트럼 반사계 (18), 시준기 (20), 시스템 제어기 (22), 후면 마노미터 (26), 밸브 (32), 및 ESC (34) 를 포함한다. 스펙트럼 반사계 (18) 는 검출기 제어기 (152), 광원 (154), 분광계 (156), 인터페이스 (158), 및/또는 광 신호들의 방출 및 수신을 위한 다른 하드웨어를 포함할 수도 있다.
도시된 바와 같이, 기판 (150) 은 일 예시적인 부분적으로 언클램핑된 상태를 예시한다. 본 명세서에 개시된 부분적으로 언클램핑된 검출 시스템들은 다른 부분적으로 언클램핑된 상태들을 검출할 수도 있다. 이 예에서, 화살표 (180) 에 의해 나타낸 바와 같이 광이 시준기 (20) 로부터 방출될 때, 광은 기판 (150) 이 배치되는 각도로 인해 광을 방출하도록 원래 사용되었던 대략 동일한 경로를 따라 다시 반사되지 않는다. 이는 화살표 (182) 에 의해 나타난다. 도시된 바와 같이, 기판 (150) 의 일부 (184) 가 ESC (34) 위로 리프팅되었고, ESC (34) 및/또는 링 (170) 과 콘택트하지 않는다.
도 2에 도시된 바와 같이, 타겟 위치 및 완전히 클램핑된 상태로부터 도 3에 도시된 부분적으로 언클램핑된 상태로의 기판 (150) 의 위치의 이 시프팅은, 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력의 변화들 및 후면 가스의 상승된 플로우 레이트를 유발한다. 변화들은 이들 변화들에 기초하여 부분적으로 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는, 시스템 제어기 (22) 에 의해 검출된다.
측정되고, 검출되고, 결정되고 그리고/또는 계산된 파라미터들은 메모리 (176) 에 저장될 수도 있다. 경보 신호들이 생성될 수도 있고, 예를 들어 디스플레이 (179) 또는 다른 경보 디바이스 (예를 들어, 들을 수 있는 경보를 제공하는 스피커) 를 통해 시스템 오퍼레이터에게 나타낼 수도 있다.
도 4는 각각 부분적인 언클램핑 이벤트로 인한 변화들을 예시하는 스펙트럼 반사계의 출력 및 후면 가스의 플로우 레이트의 플롯들 (190, 192) 을 포함하는 그래프를 도시한다. 부분적인 언클램핑 이벤트가 시작될 때를 나타내는 제 1 수직 라인 (194) 이 도시된다. 대응하는 기판이 디척킹되고 (dechucked) (즉, 미리 결정된 기준에 기초하여 ESC로부터 충분히 제거되거나 분리됨) 후면 가스가 차단될 (shutoff) 때를 나타내는 제 2 수직 라인 (196) 이 도시된다. 도시된 바와 같이, 대응하는 기판의 부분적인 언클램핑 동안 그리고 후속하여 수치들의 수는 감소할 수도 있고, 후면 가스의 플로우 레이트는 증가할 수도 있다. 감소하는 것처럼 도시되었지만, 수치들의 수는 방출된 광과 수용된 반사된 광 사이의 파장들의 변화들에 따라 증가할 수도 있다. 플롯 (190) 과 연관된 출력 신호는 단일 파장의 광에 대한 변화들을 나타낼 수도 있고, 또는 복수의 파장들의 광에 대한 집합적인 전체 변화를 나타낼 수도 있다.
기판이 디척킹되고 후면 가스가 차단될 때, 스펙트럼 반사계의 출력은 기판이 완전히 클램핑된 상태에 있을 때와 유사한 상태로 되돌아갈 수도 있다. 도시된 바와 같이, 라인 (196) 과 연관된 시간의 지점에 후속하는 스펙트럼 반사계의 출력은, 부분적인 언클램핑 이벤트 전과 동일하거나 유사한 레벨로 다시 상승할 수도 있다. 후면 가스가 차단될 때 후면 가스의 플로우 레이트는 0으로 떨어지고, 이는 예를 들어, 도 1 내지 도 3의 밸브 (32) 가 폐쇄될 때 발생할 수도 있다.
본 명세서에 개시된 시스템들은 수많은 방법들을 사용하여 동작될 수도 있고, 예시적인 방법이 도 5에 예시된다. 도 5에서, 부분적인 언클램핑 검출 시스템을 동작시키는 부분적인 언클램핑 검출 방법이 도시된다. 이하의 동작들이 도 1 내지 도 3의 구현예들에 대해 주로 기술되지만, 동작들은 본 개시의 다른 구현예들에 적용하기 위해 쉽게 수정될 수도 있다. 동작들은 반복적으로 수행될 수도 있다.
방법은 (200) 에서 시작될 수도 있다. (202) 에서, 기판이 정전 척 (예를 들어, ESC (34)) 상에 배열된다. (204) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 기판을 ESC (34) 에 정전기적으로 클램핑하기 위해 전력 소스 (112) 를 통해 ESC (34) 에 전력을 공급한다.
(206) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 기판과 ESC (34) 사이의 영역 (예를 들어, 영역 (174)) 에 후면 가스를 공급하기 위해 밸브 (32) 를 개방한다. 시스템 제어기 (22) 는 미리 결정되거나 설정된 압력을 매칭하기 위해 후면 가스의 압력을 조절 및/또는 설정하도록 밸브 (32) 의 위치를 조정할 수도 있다. 플로우 레이트 및 압력은 기판의 미리 결정된 양의 냉각을 제공하기 위해 그리고/또는 하나 이상의 미리 결정된 온도들로 기판의 하나 이상의 온도들을 설정하기 위해 설정될 수도 있다.
(208) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 후면 가스의 플로우 레이트, 압력 및/또는 온도를 설정하거나 조정할 수도 있고 그리고/또는 현재 프로세싱 단계에 대한 다른 프로세스 파라미터들을 설정할 수도 있다. 이는 현재 프로세싱 단계에 대한 레시피에 기초할 수도 있다. 예로서, 다른 프로세싱 파라미터들은: RF 바이어스 전압들; 반응 가스들 및/또는 다른 프로세스 가스들의 압력들 및/또는 플로우 레이트들; 및/또는 다른 프로세싱 파라미터들을 포함할 수도 있다.
(210) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력을 수용한다. 시스템 제어기 (22) 는 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력에 기초하여 제 1 파라미터를 결정할 수도 있다. 예로서, 제 1 파라미터는 스펙트럼 반사계 (18) 에서 수용된 반사된 광의 하나 이상의 파장들에 대한 다수의 수치들일 수도 있다. 또 다른 예로서, 반사된 광의 복수의 파장들에 대한 수치들 (또는 제 1 세트의 파라미터들) 은 스펙트럼 반사계 (18) 에서 수신된다. 파라미터들은 기판의 상태의 제 1 표시를 제공한다.
(212) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 후면 마노미터 (26) 의 출력 및 밸브 (32) 의 위치에 기초하여 제 2 파라미터 (또는 제 2 세트의 파라미터들) 를 결정할 수도 있다. 제 2 파라미터는 후면 가스의 플로우 레이트일 수도 있다. 이는 기판의 상태의 제 2 표시를 제공한다.
(214) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 동일한 파라미터들에 대한 이전에 결정된 값들 및/또는 이력 값들과 동작들 (210, 212) 동안 결정된 파라미터들의 값들을 비교할 수도 있다. 이전에 결정된 값들 및/또는 이력 값들은 기판이 초기 타겟 위치에 그리고 완전히 클램핑된 상태에 있는 동안 이전에 결정된 값들 및/또는 부분적으로 언클램핑된 상태와 연관된 값들일 수도 있다. 이력 값들은 기판에 대한 또는 다른 기판들에 대한 이전에 수행된 프로세싱 단계들에 대해 결정되고 메모리 (176) 에 저장된 값들일 수도 있다. 일 실시예에서, 파라미터들의 값들은 파라미터들에 대해 미리 결정된 값들과 비교될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 파라미터들의 값들은 동일한 프로세싱 단계에 대해 다른 프로세싱 시스템들에 의해 결정된 값들과 비교될 수도 있다.
(216) 에서, (214) 에서 수행된 비교들의 결과들에 기초하여, 시스템 제어기 (22) 는 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정한다. 이는 예를 들어, 제 1 파라미터 (또는 제 1 세트의 파라미터들) 및 제 2 파라미터 (또는 제 2 세트의 파라미터들) 가 부분적인 언클램핑 상태를 나타내는지 여부를 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 이는: (Ai) 제 1 파라미터 및/또는 제 1 세트의 파라미터들이 제 1 미리 결정된 양(들)보다 많이 변화될 때 및 (Aii) 제 2 파라미터 및/또는 제 2 세트의 파라미터들이 제 2 미리 결정된 양보다 많이 증가될 때; (Bi) 제 1 파라미터 및/또는 제 1 세트의 파라미터들이 제 1 미리 결정된 문턱값(들)을 초과할 때 및 (Bii) 제 2 파라미터 및/또는 제 2 세트의 파라미터들이 제 2 미리 결정된 문턱값을 초과할 때; (Ci) 제 1 파라미터 및/또는 제 1 세트의 파라미터들이 제 1 미리 결정된 범위(들)를 넘을 때 및 (Cii) 제 2 파라미터 및/또는 제 2 세트의 파라미터들이 제 2 미리 결정된 문턱값(들)을 초과할 때; 및/또는 (Di) 제 1 파라미터 및/또는 제 1 세트의 파라미터들과 대응하는 이전 값(들) 간의 차가 제 3 미리 결정된 문턱값들보다 클 때 (즉, (210) 에서 수행된 비교들의 결과들이 제 3 미리 결정된 문턱값들을 초과함) 및 (Dii) 제 2 파라미터 및/또는 제 2 세트의 파라미터들과 대응하는 이전 값(들) 간의 차가 제 4 미리 결정된 문턱값(들)보다 클 때 (즉, (212) 에서 수행된 비교들의 결과들이 제 4 미리 결정된 문턱값들을 초과함) 발생할 수도 있다. 이전 값들 및/또는 이력 값들은 현재 기판을 프로세싱하기 위해 사용된 것과 동일한 레시피에 따라 프로세싱되는 다른 기판들의 프로세싱과 연관될 수도 있다.
부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었을 때, 반사된 광들 및 후면 가스의 플로우 레이트에서 검출된 변화들은 기판이 완전히 클램핑된 채로 남아있을 때 보통 경험되는 변화들과 다르다. 반사된 광 및 후면 가스의 플로우 레이트에서의 변화들은 프로세싱 동안 기판 표면 구조체들에서의 변화들로 인해 발생할 수 있다. 이들 변화들은 부분적인 언클램핑 이벤트 동안 경험된 변화들과 동일한 순서일 수도 있다.
일 실시예에서, 부분적으로 언클램핑된 상태는 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력이 10 ％ (±3 ％) 이상 변화하고 후면 가스의 플로우 레이트가 25 ％ (±5 ％) 이상 상승할 때 검출된다. 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력이 예를 들어, 10 ％ 이상 변화하고 후면 가스의 플로우 레이트가 25 ％ 이상 상승하지 않으면, 부분적인 언클램핑 상태가 발생되지 않을 수도 있다. 유사하게, 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력이 예를 들어, 10 ％ 이상 변화하지 않고 후면 가스의 플로우 레이트가 25 ％ 이상 상승하면, 부분적인 언클램핑 상태가 발생하지 않을 수도 있다. 부분적으로 언클램핑된 이벤트가 발생되었으면, 동작 (218) 이 수행되고, 그렇지 않으면 동작 (224) 이 수행된다.
동작들 (214, 216) 은 기판의 부분적인 언클램핑 상태를 검출하기 위한 제 1 세트의 규칙들과 함께 제 1 예시적인 알고리즘을 제공한다. 다른 알고리즘들, 규칙들의 세트들, 및/또는 기법들이 부분적인 언클램핑 이벤트를 검출하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 부분적으로 언클램핑된 상태를 검출하기 위해 머신 러닝이 스펙트럼 반사계 (18) 의 출력들, 후면 마노미터 (15) 의 출력들, 밸브 (32) 의 위치들, 및/또는 후면 가스의 온도들과 같은, 다른 대응하는 파라미터들의 패턴들을 검출하고, 이전에 저장된 패턴들과 비교하도록 사용될 수도 있다. 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하기 위해 본 명세서에 개시된 일 세트의 파라미터들의 검출된 패턴이 이전 패턴들과 비교될 수도 있다.
(218) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다는 것을 나타내는 경보 신호를 생성할 수도 있다. 이는 디스플레이 (179) 상에 표시를 제공하는 것을 포함할 수도 있다. 시스템 제어기 (22) 는 기판의 프로세싱을 계속할지 여부를 요청하기 위한 요청 신호를 생성할 수도 있고 그리고/또는 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생하면 프로세싱을 계속할지 여부를 나타내는 메모리 (176) 에 저장된 프리셋 플래그 (preset flag) (또는 비트 (bit)) 를 확인할 수도 있다. 시스템 오퍼레이터는 예를 들어, 스크랩핑되는 기판들의 수를 최소화하기 위해 추가 프로세싱을 중단함으로써 이 문제를 해결할 수도 있다.
(220) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 기판의 프로세싱을 진행할지 또는 프로세싱을 중단할지 여부를 나타내는 응답 신호 또는 사용자 입력을 수신할 수도 있다. 사용자 입력은 디스플레이 (179) 또는 다른 입력 디바이스를 통해 제공될 수도 있다.
(222) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 응답 신호, 사용자 입력, 및/또는 프리셋 플래그의 상태에 기초하여 기판 프로세싱을 계속할지 여부를 결정한다. 동작 (224) 은 프로세싱이 계속되면 수행되고, 그렇지 않으면 방법은 (228) 에서 종료될 수도 있다.
(224) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 현재 프로세싱 단계가 완료되는지 여부를 결정한다. 현재 프로세싱 단계가 완료되면, 동작 (226) 이 수행되고, 그렇지 않으면 동작들 (210, 212) 이 수행될 수도 있다.
(226) 에서, 시스템 제어기 (22) 는 또 다른 프로세싱 단계가 수행될지 여부를 결정한다. 동작 (208) 은 또 다른 프로세싱 단계가 수행되면 수행될 수도 있고, 그렇지 않으면 방법은 (228) 에서 종료될 수도 있다.
상기 기술된 동작들은 예시적인 예들로 여겨진다. 동작들은 적용예에 따라 중첩되는 시간 기간 동안 순차적으로, 동기하여 (synchronously), 동시에 (simultanelusly), 계속해서 또는 상이한 순서로 수행될 수도 있다. 또한, 임의의 동작들은 구현예 및/또는 이벤트들의 시퀀스에 따라 수행되지 않거나 스킵될 수도 있다.
전술한 기술은 본질적으로 단지 예시이고, 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 적용예, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 학습시 분명해질 것이기 때문에 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시예에 대해 기술된 이들 피처들 중 임의의 하나 이상은, 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 임의의 다른 실시예들의 피처들에서 그리고/또는 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시예들의 또 다른 실시예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, “연결된 (connected)”, “인게이지된 (engaged)”, “커플링된 (coupled)”, “인접한 (adjacent)”, “옆에 (next to)”, “상단에 (on top of)”, “위에 (above)”, “아래에 (below)”, 및 “배치된 (disposed)” 을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. “직접적 (direct)” 인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 그 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트들이 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에서 사용될 때, 구 (phrase) A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, “적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C” 를 의미하도록 해석되지 않아야 한다.
일부 구현예들에서, 제어기는, 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 후에 그들의 동작을 제어하기 위해 전자장치들에 통합될 수도 있다. 전자장치들은 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 “제어기”로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 프로세싱 조건들 및/또는 시스템의 유형에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드 포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치들로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSPs), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 으로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 “클라우드” 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 유형 및 수행될 프로세스의 유형에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산된 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, 원격으로 위치한 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (Physical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (Chemical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (Atomic Layer Deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (Atomic Layer Etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터 그리고 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (20)

  1. 기판이 기판 프로세싱 시스템의 정전 척에 정전기적으로 클램핑되는 (clamped) 동안 상기 기판의 영역에서 광을 방출하도록 구성된 발광 회로;
    상기 기판으로부터 반사된 광을 검출하고 상기 검출된 광에 기초하여 제 1 출력 신호를 생성하도록 구성된 분광계; 및
    시스템 제어기로서,
    상기 제 1 출력 신호의 변화들을 검출하고,
    상기 기판의 후면에 공급된 가스의 플로우 레이트의 변화들을 검출하고, 그리고
    상기 제 1 출력 신호의 상기 변화들 및 상기 플로우 레이트의 상기 변화들 모두에 기초하여, 상기 기판의 부분적인 언클램핑 (unclamping) 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하도록 구성된, 상기 시스템 제어기를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다면,
    상기 기판의 적어도 일부가 완전히 클램핑된 상태에 대응하는 초기 타겟 위치로부터 부분적으로 언클램핑된 상태에 대응하는 부분적으로 언클램핑된 위치로 이동되고, 그리고
    상기 기판의 상기 적어도 일부에 대해, 상기 초기 타겟 위치와 상기 부분적으로 언클램핑된 위치 사이의 가로 또는 세로 차가, 상기 부분적으로 언클램핑된 상태와 연관된 미리 결정된 양보다 크거나 미리 결정된 범위 내에 있는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스의 상기 플로우 레이트를 조정하도록 구성된 밸브; 및
    상기 기판의 상기 후면에 공급된 상기 가스의 압력을 검출하도록 구성된 마노미터 (manometer) 를 더 포함하고,
    상기 시스템 제어기는, 상기 가스의 상기 압력에 기초하여, 상기 밸브의 위치를 조정함으로써 상기 가스의 상기 플로우 레이트를 조정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    스펙트럼 반사계 (spectral reflectometer) 를 더 포함하고, 상기 스펙트럼 반사계는,
    광원 및 시준기 (collimator) 를 포함하는 상기 발광 회로;
    상기 분광계; 및
    검출기 제어기를 포함하고,
    상기 검출기 제어기는 상기 광원의 동작을 제어하고 상기 제 1 출력 신호에 기초하여 제 2 출력 신호를 생성하도록 구성되고, 그리고
    상기 시스템 제어기는 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 발생되었는지 여부를 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 2 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양보다 많이 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양보다 크게 상승될 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 2 출력 신호의 파라미터가 변경되고, 제 1 미리 결정된 양 이상이거나 미리 결정된 범위를 넘고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트는 상승하고 제 2 미리 결정된 양 이상일 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 2 출력 신호 및 상기 플로우 레이트를 이전 값들과 비교하고, 그리고 (ii) 상기 비교들의 결과에 기초하여, 상기 부분적인 언클램핑 이벤트들이 발생되었는지 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 1 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양보다 많이 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양보다 크게 상승될 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 1 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양 이상이도록 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양 이상이도록 상승될 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템 제어기는 (i) 상기 제 1 출력 신호 및 상기 플로우 레이트를 이전 값들과 비교하고, 그리고 (ii) 상기 비교들의 결과들에 기초하여, 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 결정하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척; 및
    전력 소스를 더 포함하고,
    상기 시스템 제어기는 상기 정전 척에 상기 기판을 정전기적으로 클램핑하기 위해 상기 정전 척에 전력을 공급하도록 구성되는, 부분적인 언클램핑 검출 시스템.
  12. 기판이 기판 프로세싱 시스템의 정전 척에 정전기적으로 클램핑되는 동안 상기 기판의 영역에서 광을 방출하는 단계;
    상기 기판으로부터 반사된 광을 검출하고 상기 검출된 광에 기초하여 제 1 출력 신호를 생성하는 단계;
    상기 제 1 출력 신호의 변화들을 검출하는 단계;
    상기 기판의 후면에 공급된 가스의 플로우 레이트의 변화들을 검출하는 단계; 및
    상기 제 1 출력 신호의 상기 변화들 및 상기 플로우 레이트의 상기 변화들 모두에 기초하여, 상기 기판의 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 여부를 결정하는 단계를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다면,
    상기 기판의 적어도 일부가 완전히 클램핑된 상태에 대응하는 초기 타겟 위치로부터 부분적으로 언클램핑된 상태에 대응하는 부분적으로 언클램핑된 위치로 이동되고, 그리고
    상기 기판의 상기 적어도 일부에 대해, 상기 초기 타겟 위치와 상기 부분적으로 언클램핑된 위치 사이의 가로 또는 세로 차가, 상기 부분적으로 언클램핑된 상태와 연관된 미리 결정된 양보다 크거나 미리 결정된 범위 내에 있는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 영역에서 상기 광을 방출하기 위해 광원의 동작을 제어하는 단계;
    상기 제 1 출력 신호에 기초하여 제 2 출력 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 제 2 출력 신호에 기초하여 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 결정하는 단계를 더 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    (i) 상기 제 2 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양보다 많이 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양보다 크게 상승될 때 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    (i) 상기 제 2 출력 신호의 파라미터가 변화되고, 제 1 미리 결정된 양 이상이거나 미리 결정된 범위를 넘고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 증가되고, 제 2 미리 결정된 양 이상일 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 출력 신호와 상기 플로우 레이트를 이전 값들과 비교하는 단계; 및
    상기 비교들의 결과들에 기초하여, 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는 단계를 더 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    (i) 상기 제 1 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양보다 많이 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양보다 크게 상승될 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  19. 제 12 항에 있어서,
    (i) 상기 제 1 출력 신호의 파라미터가 제 1 미리 결정된 양 이상이도록 변화되고, 그리고 (ii) 상기 가스의 상기 플로우 레이트가 제 2 미리 결정된 양 이상이도록 상승될 때 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 신호와 상기 플로우 레이트를 이전 값들과 비교하는 단계; 및
    상기 비교들의 결과들에 기초하여, 상기 부분적인 언클램핑 이벤트가 발생되었는지 결정하는 단계를 더 포함하는, 부분적인 언클램핑 검출 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269854A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の除電方法，基板処理装置，プログラム
KR100976648B1 (ko) * 2003-05-16 2010-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 헬스 인덱스 처리 시스템 및 이를 이용한 방법
KR20170031292A (ko) * 2015-09-10 2017-03-21 세메스 주식회사 기판 척킹 장치 및 방법
KR20170113339A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들 내에 측정 디바이스를 정렬시키기 위한 시스템들 및 방법들

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
TW525213B (en) * 2000-02-16 2003-03-21 Hitachi Ltd Process monitoring methods in a plasma processing apparatus, monitoring units, and a sample processing method using the monitoring units
TW492106B (en) * 2000-06-20 2002-06-21 Hitachi Ltd Inspection method for thickness of film to be processed using luminous beam-splitter and method of film processing
US7535688B2 (en) * 2005-03-25 2009-05-19 Tokyo Electron Limited Method for electrically discharging substrate, substrate processing apparatus and program

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100976648B1 (ko) * 2003-05-16 2010-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 헬스 인덱스 처리 시스템 및 이를 이용한 방법
JP2006269854A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の除電方法，基板処理装置，プログラム
KR20170031292A (ko) * 2015-09-10 2017-03-21 세메스 주식회사 기판 척킹 장치 및 방법
KR20170113339A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들 내에 측정 디바이스를 정렬시키기 위한 시스템들 및 방법들

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