JP2021040076A - 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 - Google Patents

環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021040076A
JP2021040076A JP2019161499A JP2019161499A JP2021040076A JP 2021040076 A JP2021040076 A JP 2021040076A JP 2019161499 A JP2019161499 A JP 2019161499A JP 2019161499 A JP2019161499 A JP 2019161499A JP 2021040076 A JP2021040076 A JP 2021040076A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
annular member
edge ring
detector
substrate processing
marker layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019161499A
Other languages
English (en)
Inventor
宏史 長池
Hiroshi Nagaike
宏史 長池
直樹 須川
Naoki Sugawa
直樹 須川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019161499A priority Critical patent/JP2021040076A/ja
Priority to US16/999,451 priority patent/US20210066053A1/en
Publication of JP2021040076A publication Critical patent/JP2021040076A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】消耗を検出可能な環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法を提供する。【解決手段】基板処理装置内の基板Ｗの周囲に載置される環状部材（エッジリング）１５本体と、環状部材（エッジリング）１５本体内に設けられ、環状部材（エッジリング）１５本体の材料とは異なる異種材料から形成される異種材料部（マーカー層）５３と、を備える。異種材料をエッチングした際に生成される生成物を検知することにより消耗度を検知する。【選択図】図２

Description

本開示は、環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法に関する。
基板にエッチング処理等の所望の処理を施す処理装置において、基板を吸着する載置台が知られている。
特許文献１には、エッジリングにマイクロチャンバを設け、ボアスコープでエッジリングを撮像してホールを検出することによりすることにより、エッジリングの消耗を検知することが開示されている。
米国特許第１００４１８６８号明細書
一の側面では、本開示は、消耗を検出可能な環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板処理装置内の基板の周囲に載置される環状部材本体と、前記環状部材本体内に設けられ、前記環状部材本体の材料とは異なる異種材料から形成される異種材料部と、を備える、環状部材が提供される。
一の側面によれば、消耗を検出可能な環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法を提供することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。 一例に係るエッジリング付近の部分拡大断面模式図。 一例に係るエッジリングにおける検出器の検出結果の一例を示すグラフ。 他の例に係るエッジリング付近の部分拡大断面模式図。 他の例に係るエッジリングにおける検出器の検出結果の一例を示すグラフ。 更に他の例に係るエッジリングの片側断面図。 エッジリングの平面図の一例。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［プラズマ処理装置］
一実施形態に係るプラズマ処理装置（基板処理装置）１０について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０の一例として、平行平板型の容量結合（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）プラズマ処理装置１０の断面模式図を示す。
最初に、図１に示すプラズマ処理装置１０の構成について説明する。プラズマ処理装置１０は、処理容器１１と、その内部に配置された載置台１２とを有する。処理容器１１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形の容器であり、接地されている。載置台１２は、基台１６と、基台１６の上に配置された静電チャック１３とを有する。載置台１２は、絶縁部材の保持部１４を介して処理容器１１の底部に配置されている。
基台１６は、アルミニウム等で形成されている。静電チャック１３は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の誘電体で形成され、ウエハＷを静電吸着力で保持するための機構を有する。静電チャック１３には、中央にてウエハＷが載置され、外周にてウエハＷの周囲を囲む環状のエッジリング１５（フォーカスリングともいう）が載置される。換言すれば、エッジリング１５は、プラズマ処理装置１０の処理容器１１内で、ウエハＷの周囲に配置され、静電チャック１３に載置される。
処理容器１１の側壁と載置台１２の側壁の間には、環状の排気路２３が形成され、排気口２４を介して排気装置２２に接続されている。排気装置２２は、ターボ分子ポンプやドライポンプ等の真空ポンプから構成される。排気装置２２は、処理容器１１内のガスを排気路２３及び排気口２４に導き、排気する。これにより、処理容器１１内の処理空間を所定の真空度に減圧する。
排気路２３には、処理空間と排気空間とを分け、ガスの流れを制御するバッフル板２７が設けられている。バッフル板２７は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜（例えば酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３））を被覆した環状部材であり、複数の貫通孔が形成されている。
載置台１２は、整合器１７ａを介して第１の高周波電源１７に接続され、整合器１８ａを介して第２の高周波電源１８に接続される。第１の高周波電源１７は、例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力（以下、「ＨＦパワー」ともいう。）を載置台１２に印加する。整合器１７ａは、負荷側（載置台１２側）のインピーダンスを第１の高周波電源１７の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有している。第２の高周波電源１８は、例えば４０ＭＨｚのイオン引き込み用の高周波電力（以下、「ＬＦパワー」ともいう。）を載置台１２に印加する。整合器１８ａは、負荷側（載置台１２側）のインピーダンスを第２の高周波電源１８の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有している。これにより、載置台１２は下部電極としても機能する。
処理容器１１の天井の開口には、外周にリング状の絶縁部材２８を介してシャワーヘッド２０が設けられている。ＨＦパワーが載置台１２とシャワーヘッド２０との間に容量的に印加され、主にＨＦパワーによりガスからプラズマが生成される。
プラズマ中のイオンは載置台１２に印加されたＬＦパワーにより載置台１２に引き込まれ、載置台１２に載置されたウエハＷに衝突し、これにより、ウエハＷ上の所定膜が効率的にエッチング等される。
ガス供給源１９は、エッチング工程、クリーニング工程、シーズニング工程等の各プラズマ処理工程のプロセス条件に応じたガスを供給する。ガスは、ガス配管２１を介してシャワーヘッド２０内に入り、ガス拡散室２５を経て多数のガス通気孔２６から処理容器１１内にシャワー状に導入される。
制御部３０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。制御部３０は、ＲＡＭに記憶されたレシピに設定された手順に従い、各種のプラズマ処理工程の制御や装置全体の制御を行う。
かかる構成のプラズマ処理装置１０においてプラズマ処理を行う際、まず、ウエハＷが、搬送アーム上に保持された状態で図示しないゲートバルブから処理容器１１内に搬入される。ウエハＷは、静電チャック１３上に載置される。ゲートバルブは、ウエハＷを搬入後に閉じられる。静電チャック１３の図示しない電極に直流電圧を印加することで、ウエハＷは、クーロン力によって静電チャック１３に吸着及び保持される。
処理容器１１内の圧力は、排気装置２２により設定値に減圧され、処理容器１１の内部が真空状態に制御される。所定のガスがシャワーヘッド２０からシャワー状に処理容器１１内に導入される。ＨＦパワー及びＬＦパワーが載置台１２に印加される。図１（ａ）では、ＨＦパワーは、載置台１２に印加されるため、プラズマ生成領域Ｐは、ウエハＷの近傍になる。
主にＨＦパワーにより、導入されたガスからプラズマが生成され、プラズマの作用によりウエハＷにエッチング等のプラズマ処理が実行される。プラズマ処理が終了した後、ウエハＷは、搬送アーム上に保持され、処理容器１１の外部に搬出される。この処理を繰り返すことで連続してウエハＷが処理される。
ウエハＷをプラズマ処理している間、処理容器１１の内部で発光した光が、側壁に設けられた窓４１を介して、検出器４０に入射される。検出器４０の光軸は、ウエハＷ近傍のプラズマ生成領域Ｐを通るように配置されている。
検出器４０は、後述するエッジリング１５の異種材料に起因する生成物を検出する。例えば、検出器４０は、発光分光分析装置であって、発光分光法（ＯＥＳ：Optical Emission Spectroscopy）を用いてプラズマの状態をモニタする。ＯＥＳでは、試料中の対象元素を放電プラズマによって蒸発気化励起し、得られる元素固有の輝線スペクトル（原子スペクトル）の波長を定性し、発光強度から定量を行う。ただし、ＯＥＳは、プラズマの状態をモニタする手法の一例であり、検出器４０は、プラズマの状態をモニタできれば、使用する手法はＯＥＳに限られない。
次に、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０が備えるエッジリング１５の一例について、図２を用いて説明する。図２は、一例に係るエッジリング１５付近の部分拡大断面模式図である。
図２（ａ）に示すように、エッジリング１５は、断面が多段形状を有する環状部材である。エッジリング１５は、内環部５０と、外環部５１と、を有する。内環部５０は、円環形状を有している。外環部５１は、内環部５０の径方向外側に一体に形成され、円環形状を有している。内環部５０の底面と外環部５１の底面とは、一致している。内環部５０の上面は、外環部５１の上面よりも高さが低くなっている。図２（ａ）に示すように、ウエハＷ及びエッジリング１５を載置台１２の静電チャック１３に載置した際、内環部５０はウエハＷの外縁部の下方に配置され、外環部５１はウエハＷの径方向外側に配置される。
外環部５１は、基体部５２と、マーカー層５３と、上部層５４と、を有している。基体部５２は、内環部５０と一体に形成される。マーカー層５３は、基体部５２の上に形成される。上部層５４は、マーカー層５３の上に形成される。ここで、内環部５０、基体部５２、上部層５４は、例えば、シリコンで形成される。マーカー層５３は、シリコンとは異なる異種材料（例えば、タングステン）で形成される。換言すれば、エッジリング１５は、シリコンで形成されており、シリコンとは異なる異種材料（例えば、タングステン）で形成されるマーカー層５３が外環部５１に埋め込まれている。
ここで、プラズマ処理装置１０は、ウエハＷにエッチング処理を施すエッチングプロセスや、ウエハＷ処理間において処理容器１１内をクリーニングするクリーニングプロセスを行う。図２（ｂ）に示すように、エッチングプロセスやクリーニングプロセスによって、外環部５１の上面に設けられた上部層５４がエッチングされて消耗する。なお、図２において、エッチング方向を白抜き矢印で示している。なお、エッジリング１５の外周側には、他の保護部材（図示せず）が配置されており、外環部５１の外周円筒面からのエッチングは抑制されている。
図２（ｃ）に示すように、外環部５１の上部層５４が更にエッチングされて消耗すると、外環部５１の上面にマーカー層５３が露出する。マーカー層５３が露出することで、マーカー層５３がエッチングされ、マーカー層５３の異種材料に起因する生成物が発生する。なお、図２において、異種材料に起因する生成物の発生を黒矢印で示している。
異種材料に起因する生成物は、プラズマ生成領域Ｐにおいてラジカル発光する。ここで、図１に示す発光分光分析装置である検出器４０は、処理容器１１内のプラズマ生成領域Ｐに生成されるエッチングプラズマの発光を分光器を通してモニタリングすることで、マーカー層５３の異種材料に起因するラジカル発光を検出する。検出器４０の検出結果は、制御部３０に送られる。制御部３０は、検出器４０でマーカー層５３の異種材料に起因するラジカル発光を検出したか否かを判定する。マーカー層５３の異種材料に起因するラジカル発光を検出した場合、エッジリング１５が消耗したと判定する。このように、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０によれば、処理容器１１からエッジリング１５を取り出すことなく、エッジリング１５の消耗をモニタリングすることができる。
マーカー層５３を形成する異種材料は、例えば、金属（例えば、Ｗ、Ａｌ、Ｆｅ（ＳＵＳ）、Ｃｏ、Ｎｉ）、金属酸化物、金属窒化物、半導体、等を用いることができる。
ここで、マーカー層５３を形成する異種材料は、少なくともエッジリング１５の主材料であるシリコンと異なっている。
更に、プラズマ処理装置１０の処理において、マーカー層５３の異種材料に起因する生成物と、エッジリング１５の主材料に起因する生成物とが、異なっている。即ち、マーカー層５３を形成する異種材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＮの様なエッジリング１５の主材料（Ｓｉ）に起因する生成物と同じ生成物（例えば、ＳｉＦ４）が発生する材料とは異なる材料を用いることが好ましい。なお、金属シリサイド（例えば、タングステンシリサイド）の様な、エッジリング１５の主材料（Ｓｉ）に起因する生成物と同じ生成物（例えば、ＳｉＦ４）の他に、エッジリング１５の主材料（Ｓｉ）に起因する生成物とは異なる生成物（例えば、ＷＦ５）が発生する材料は、マーカー層５３を形成する異種材料として用いることができる。
また、マーカー層５３を形成する異種材料は、ウエハＷ及び処理容器１１内のプラズマに曝される部材の表面素材（例えば、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ、ＡｌＯ３）とは異なる材料を用いることが好ましい。これにより、マーカー層５３の異種材料に起因する生成物を検知する際、バックグラウンドの値を小さくすることができるので、検出器４０による検知性を向上させることができる。更に、プラズマ処理装置１０の処理において、マーカー層５３の異種材料に起因する生成物と、表面素材に起因する生成物とが、異なっている。
また、マーカー層５３を形成する異種材料は、プラズマ処理装置１０の処理において、エッチングされる材料を用いることが好ましい。これにより、マーカー層５３の外環部５１の上面に露出したこと、換言すればエッジリング１５の外環部５１の上面が消耗したことを検出器４０で検出することができる。即ち、エッジリング１５を処理容器１１から搬出することなく、エッジリング１５の状態を検出することができる。
また、エッジリング１５を形成する主材料と比較して、マーカー層５３を形成する異種材料の方が、エッチングレートが低い材料を使用した場合は、マーカー層５３の異種材料に起因する生成物の発生を抑制して、ウエハＷへの処理における影響を低減させることができる。
また、エッジリング１５を形成する主材料と比較して、マーカー層５３を形成する異種材料の方が、エッチングレートが高い材料を使用した場合は、検出器４０による検知性を向上させ、エッジリング１５の消耗を速やかに検出することができる。
なお、検出器４０は、処理容器１１内のプラズマ生成領域Ｐに生成されるエッチングプラズマをモニタリングする発光分光分析装置（ＯＥＳ）であるものとして説明したが、これに限られるのではない。
例えば、検出器４０は、自己プラズマ生成型の発光分光分析装置（ＯＥＳ）であってもよい。この場合、検出器４０は、ガス成分を引き込む配管（図示せず）で接続される。なお、接続位置は、プラズマ生成領域Ｐと連通する位置（バッフル板２７よりも上流側）としてもよい。また、接続位置は、排気路２３（バッフル板２７よりも下流側）としてもよい。また、接続位置は、排気装置２２よりも下流側の排気ライン（図示せず）としてもよい。
自己プラズマ生成型の発光分光分析装置である検出器４０は、配管を介してガスを引き込む。また、検出器４０は、計測に適したプラズマを自ら生成し、分光器を通して、引き込んだガスの成分をモニタリングする。検出器４０は、異種材料に起因する生成物（ガス）に起因するラジカル発光を検出する。これにより、制御部３０は、エッジリング１５が消耗したか否かを判定することができる。また、検出器４０として、自己プラズマ生成型の発光分光分析装置を用いることにより、検出器４０の取り付け位置の設計の自由度を向上させることができる。
また、例えば、検出器４０は、四重極型質量分析計（ＱＭＳ）であってもよい。この場合、検出器４０は、ガス成分を引き込む配管（図示せず）で接続される。なお、接続位置は、プラズマ生成領域Ｐと連通する位置（バッフル板２７よりも上流側）としてもよい。また、接続位置は、排気路２３（バッフル板２７よりも下流側）としてもよい。また、接続位置は、排気装置２２よりも下流側の排気ライン（図示せず）としてもよい。
四重極型質量分析計である検出器４０は、配管を介してガスを引き込む。また、検出器４０は、異種材料に起因する生成物に該当する質量数の分子をモニタリングすることで、エッジリング１５の消耗を検出することができる。
図３は、一例に係るエッジリング１５における検出器４０の検出結果の一例を示すグラフである。図３では、検出器４０として、四重極型質量分析計を用いた場合の結果を示す。なお、図３において、横軸は時間（エッチング時間）を示し、縦軸は異種材料に起因する生成物に該当する質量数の分子をモニタリングした際の検出値である。
例えば、マーカー層５３の異種材料としてタングステンを用い、エッチングガスとしてフッ素を含むガスを用いた場合を例に説明する。タングステンがエッチングされることで、ＷＦ５ガスが生成される。四重極型質量分析計である検出器４０は、ＷＦ５ガス（分子量２７９）を検出する。
図３のグラフに示すように、実線で示す上部層５４がエッチングされている間は、検出器４０の検出値は上昇しない。一方、破線で示すマーカー層５３が露出してエッチングされることにより、検出器４０の検出値も上昇する。これにより、制御部３０は、検出器４０の検出値が所定の閾値を超えた場合、エッジリング１５が消耗したと判定することができる。
また、例えば、検出器４０は、赤外線吸収分光計（ＩＲ）であってもよい。この場合、検出器４０は、エッチングプラズマ中のガス成分を引き込む配管（図示せず）で接続される。なお、接続位置は、プラズマ生成領域Ｐと連通する位置（バッフル板２７よりも上流側）としてもよい。また、接続位置は、排気路２３（バッフル板２７よりも下流側）としてもよい。また、接続位置は、排気装置２２よりも下流側の排気ライン（図示せず）としてもよい。
赤外線吸収分光計である検出器４０は、配管を介してガスを引き込む。また、検出器４０は、光源からの入射光と、ガスを透過した透過光と、から異種材料に起因する生成物に該当する光の吸収をモニタリングする。これにより、制御部３０は、検出器４０の検出結果に基づいて、エッジリング１５が消耗したと判定することができる。
なお、検出器４０を用いたエッジリング１５の消耗を検知するタイミングは、ウエハＷの処理プロセス（エッチングプロセス）中に行ってもよい。また、ウエハＷの処理プロセス間に行ってもよい。また、ウエハＷの処理プロセス間に行うウエハレスドライクリーニング処理中に行ってもよい。また、ウエハＷの処理が所定枚数行われた後に行うドライクリーニング処理中に行ってもよい。
また、制御部３０は、エッジリング１５が消耗したと判定した場合、処理容器１１内のメンテナンスを行うと判定してもよい。例えば、制御部３０は、エッジリング１５のメンテナンスを指示する。これにより、エッジリング１５のメンテナンス時期を適切に判断することができる。なお、エッジリング１５のメンテナンスは、新しいエッジリング１５に交換することによって行われてもよい。また、エッジリング１５のメンテナンスは、消耗部分の修復によって行われてもよい。例えば、エッジリング１５の外環部５１の上面に、成膜プロセスにより上部層５４を形成することにより消耗部分を修復してもよい。また、消耗部分が不均一の場合は、不要部分（消耗した上部層５４の残部）を除去した後に、成膜プロセスにより上部層５４を形成してもよい。これにより、エッジリング１５を再利用することができるので、メンテナンスコストを低減することができる。
また、制御部３０は、エッジリング１５が消耗したと判定した場合、ウエハＷの処理プロセス（エッチングプロセス）のレシピを変更してもよい。例えば、エッジリング１５の外環部５１の上面の高さが減少すると、ウエハＷ上のシースと、エッジリング１５上のシースに段差が生じることで、ウエハＷの外縁部においてイオンの入射角が変化し、ホールや配線パターンが傾くチルティング現象が発生する。
例えば、プラズマ処理装置１０は、エッジリング１５を昇降する昇降部（図示せず）を備えていてもよい。この構成において、エッジリング１５が消耗したと判定した場合、制御部３０は、昇降部（図示せず）を介して、エッジリング１５を消耗した厚さに相当する分、エッジリング１５を上昇させる。これにより、ウエハＷ上のシースと、エッジリング１５上のシースを平坦にして、ウエハＷへのイオンの入射角をエッジリング１５が消耗する前の状態に戻し、チルティング現象を抑制することができる。
また、例えば、プラズマ処理装置１０は、エッジリング１５に直流電圧を印加する電圧印加部（図示せず）を備えていてもよい。この構成において、制御部３０は、エッジリング１５が消耗したと判定した場合、エッジリング１５に電圧を印加する。これにより、ウエハＷ上のシースと、エッジリング１５上のシースを平坦にして、ウエハＷへのイオンの入射角をエッジリング１５が消耗する前の状態に戻し、チルティング現象を抑制することができる。
次に、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０が備えるエッジリング１５の他の例について、図４を用いて説明する。図４は、他の例に係るエッジリング１５Ａ付近の部分拡大断面模式図である。
図４（ａ）に示すように、エッジリング１５Ａは、断面が多段形状を有する環状部材である。エッジリング１５Ａは、内環部５０Ａと、外環部５１Ａと、を有する。内環部５０Ａは、円環形状を有している。外環部５１Ａは、内環部５０Ａの径方向外側に一体に形成され、円環形状を有している。内環部５０Ａの底面と外環部５１Ａの底面とは、一致している。内環部５０Ａの上面は、外環部５１Ａの上面よりも高さが低くなっている。図４（ａ）に示すように、ウエハＷ及びエッジリング１５Ａを載置台１２の静電チャック１３に載置した際、内環部５０ＡはウエハＷの外縁部の下方に配置され、外環部５１ＡはウエハＷの径方向外側に配置される。
外環部５１Ａは、基体部５２Ａと、マーカー層５３Ａと、上部層５４Ａと、を有している。基体部５２Ａは、内環部５０Ａと一体に形成される。マーカー層５３Ａは、基体部５２Ａの上に形成される。上部層５４Ａは、マーカー層５３Ａの上に形成される。ここで、内環部５０Ａ、基体部５２Ａ、上部層５４Ａは、例えば、シリコンで形成される。マーカー層５３Ａは、シリコンとは異なる異種材料（例えば、タングステン）で形成される。換言すれば、エッジリング１５Ａは、シリコンで形成されており、シリコンとは異なる異種材料（例えば、タングステン）で形成されるマーカー層５３Ａが外環部５１Ａに埋め込まれている。
ここで、エッジリング１５Ａのマーカー層５３Ａは、外環部５１Ａの上面から深さ方向に見て、水平幅が広がるように形成されている。
図４（ｂ）に示すように、エッチングプロセスやクリーニングプロセスによって、外環部５１Ａの上面に設けられた上部層５４Ａがエッチングされて消耗し、外環部５１Ａの上面にマーカー層５３Ａの一部が露出する。なお、図４において、エッチング方向を白抜き矢印で示している。異種材料に起因する生成物が発生する。マーカー層５３Ａの一部が露出することで、マーカー層５３Ａがエッチングされ、マーカー層５３Ａの異種材料に起因する生成物が発生する。なお、図４において、異種材料に起因する生成物が発生を黒矢印で示している。
図４（ｃ）に示すように、外環部５１Ａの上部層５４Ａが更にエッチングされて消耗すると、外環部５１Ａの上面で露出するマーカー層５３Ａの面積も増加する。マーカー層５３Ａの露出面積が増加することで、異種材料に起因する生成物の発生も増加する。これにより、生成物の発生量に応じてエッジリング１５の消耗した厚さを検出することができる。
図５は、他の例に係るエッジリング１５Ａにおける検出器４０の検出結果の一例を示すグラフである。図５では、検出器４０として、四重極型質量分析計を用いた場合の結果を示す。なお、図５において、横軸は時間（エッチング時間）を示し、縦軸は異種材料に起因する生成物に該当する質量数の分子をモニタリングした際の検出値である。
図５のグラフに示すように、実線で示す上部層５４がエッチングされている間は、検出器４０の検出値は上昇しない。一方、破線で示すマーカー層５３Ａが露出してエッチングされることにより、検出器４０の検出値も徐々に上昇する。これにより、制御部３０は、検出器４０の検出値が所定の閾値を超えた場合、エッジリング１５が消耗したと判定することができる。また、エッジリング１５の消耗の度合を検出することができる。
また、検出値の検出結果に伴って、処理を異ならせてもよい。例えば、検出器４０の検出値が第１閾値を超えた場合、制御部３０は、エッジリング１５を昇降する昇降部（図示せず）を介して、エッジリング１５を消耗した厚さに相当する分、エッジリング１５を上昇させる。また、検出器４０の検出値が第１閾値よりも大きい第２閾値を超えた場合、制御部３０は、エッジリング１５に直流電圧を印加する電圧印加部（図示せず）を介して、エッジリング１５に電圧を印加する。これにより、ウエハＷ上のシースと、エッジリング１５上のシースを平坦にして、ウエハＷへのイオンの入射角をエッジリング１５が消耗する前の状態に戻すことができる。また、検出器４０の検出値が第２閾値よりも大きい第３閾値を超えた場合、制御部３０は、エッジリング１５を交換すると判定してもよい。
また、制御部３０は、新規のエッジリング１５を設置してから異種材料に起因する生成物を検知するまでの時間を、エッジリング１５ごとに記録してもよい。そして、制御部３０は、現在設置されているエッジリング１５における異種材料に起因する生成物を検知するまでの時間が過去の記録と比較して短い場合、または、長い場合、プラズマ処理装置１０に異常が発生していると判定してもよい。例えば、プラズマ生成領域Ｐに生成されるプラズマに偏りがある場合、異常消耗が発生して、異種材料に起因する生成物を検知するまでの時間が過去の記録と比較して短くなる。この場合、消耗したエッジリング１５をメンテナンスするとともに、プラズマ処理装置１０に発生した異常（例えば、プラズマの偏り）を対策する作業を追加してもよい。
次に、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０が備えるエッジリング１５の他の例について、図６を用いて説明する。図６は、更に他の例に係るエッジリング１５Ｂ〜１５Ｈの片側断面図である。
図６（ａ）に示すエッジリング１５Ｂは、図２（ａ）に示すエッジリング１５と比較して、マーカー層が多層（３層）となっている点で相違する。即ち、エッジリング１５Ｂは、内環部５０Ｂと、外環部５１Ｂと、を有する。外環部５１Ｂは、基体部５２Ｂと、マーカー層５３Ｂと、中間層５４Ｂと、マーカー層５５Ｂと、中間層５６Ｂと、マーカー層５７Ｂと、上部層５８Ｂと、を有している。基体部５２Ｂは、内環部５０Ｂと一体に形成される。マーカー層５３Ｂは、基体部５２Ｂの上に形成される。中間層５４Ｂは、マーカー層５３Ｂの上に形成される。マーカー層５５Ｂは、中間層５４Ｂの上に形成される。中間層５６Ｂは、マーカー層５５Ｂの上に形成される。マーカー層５７Ｂは、中間層５６Ｂの上に形成される。上部層５８Ｂは、マーカー層５７Ｂの上に形成される。内環部５０Ｂ、基体部５２Ｂ、中間層５４Ｂ，５６Ｂ、上部層５８Ｂは、例えば、シリコンで形成される。マーカー層５３Ｂ，５５Ｂ，５７Ｂは、シリコンとは異なる異種材料（例えば、タングステン）で形成される。
この様な構成を有することにより、エッジリング１５Ｂにおける検出器４０の検出結果は、外環部５１Ｂの上面における消耗の進行に伴って、検出と非検出を繰り返す。この繰り返しの回数をカウントすることにより、エッジリング１５Ｂの消耗の度合を検出することができる。
また、検出値の検出結果に伴って、処理を異ならせてもよい。例えば、検出器４０が１回目に異種材料をした場合、マーカー層５７Ｂが露出していると判定する。この場合、制御部３０は、エッジリング１５Ｂを昇降する昇降部（図示せず）を介して、エッジリング１５Ｂを消耗した厚さに相当する分、エッジリング１５Ｂを上昇させる。また、検出器４０が２回目に異種材料をした場合、マーカー層５５Ｂが露出していると判定する。この場合、制御部３０は、エッジリング１５Ｂに直流電圧を印加する電圧印加部（図示せず）を介して、エッジリング１５Ｂに電圧を印加する。これにより、ウエハＷ上のシースと、エッジリング１５Ｂ上のシースを平坦にして、ウエハＷへのイオンの入射角をエッジリング１５Ｂが消耗する前の状態に戻すことができる。また、検出器４０が３回目に異種材料をした場合、マーカー層５３Ｂが露出していると判定する。この場合、制御部３０は、エッジリング１５を交換すると判定してもよい。
図６（ｂ）に示すエッジリング１５Ｃは、図２（ａ）に示すエッジリング１５と比較して、マーカー層が外周側に片寄って設けられている点で相違する。即ち、エッジリング１５Ｃは、内環部５０Ｃと、外環部５１Ｃと、を有する。外環部５１Ｃは、基体部５２Ｃと、マーカー層５３Ｃと、上部層５４Ｃと、を有している。
図６（ｃ）に示すエッジリング１５Ｄは、図６（ａ）に示すエッジリング１５Ｂと比較して、マーカー層が外周側に片寄って設けられている点で相違する。即ち、エッジリング１５Ｄは、内環部５０Ｄと、外環部５１Ｄと、を有する。外環部５１Ｄは、基体部５２Ｄと、マーカー層５３Ｄと、中間層５４Ｄと、マーカー層５５Ｄと、中間層５６Ｄと、マーカー層５７Ｄと、上部層５８Ｄと、を有している。
図６（ｄ）に示すエッジリング１５Ｅは、図４（ａ）に示すエッジリング１５Ａと比較して、マーカー層が外周側に片寄って設けられている点で相違する。即ち、エッジリング１５Ｅは、内環部５０Ｅと、外環部５１Ｅと、を有する。外環部５１Ｅは、基体部５２Ｅと、マーカー層５３Ｅと、上部層５４Ｅと、を有している。また、マーカー層５３Ｅは、外環部５１Ｅの上面から深さ方向に見て、水平幅が広がるように形成されている。
図６（ｂ）から図６（ｄ）に示すエッジリング１５Ｃ〜エッジリング１５Ｅによれば、異種材料に起因する生成物が発生する位置をウエハＷより遠ざけることができる。これにより、異種材料に起因する生成物（ガス）がウエハＷの処理に影響を及ぼすことを低減することができる。
図６（ｅ）に示すエッジリング１５Ｆは、図２（ａ）に示すエッジリング１５と比較して、マーカー層が外周側に片寄って設けられている点で相違する。また、マーカー層５３Ｆが外環部５１Ｆの底面まで形成されている。
図６（ｆ）に示すエッジリング１５Ｇは、図４（ａ）に示すエッジリング１５Ａと比較して、マーカー層が外周側に片寄って設けられている点で相違する。また、マーカー層５３Ｇが外環部５１Ｇの底面まで形成されている。
図６（ｇ）に示すエッジリング１５Ｈは、図２（ａ）に示すエッジリング１５と比較して、マーカー層が外環部５１の内部に埋め込まれている点で相違する。即ち、エッジリング１５Ｈは、内環部５０Ｈと、外環部５１Ｈと、を有する。外環部５１Ｈは、基体部５２ＨＨと、マーカー層５３Ｈと、上部層５４Ｈと、埋め込み部５５Ｈと、を有している。
外環部５１Ｈの底面から有底の穴部が形成され、穴部内に異種材料が埋め込まれることでマーカー層５３Ｈが形成される。さらに、外環部５１Ｈの底面には、シリコンからなる埋め込み部５５Ｈで埋め込まれる。
図６（ｅ）から図６（ｇ）に示すエッジリング１５Ｆ〜１５Ｈによれば、異種材料の膜を形成する場合と比較して、機械加工により製作することができるので、加工コストを低減することができる。
また、図７は、エッジリングの平面図の一例である。ここで、エッジリングの外環部の上面には、マーカー層は露出していない。このため、マーカ層を隠れ線（破線）で図示し、更に、位置が明確となるように網掛けを付して強調表示している。
図７（ａ）に示すように、エッジリング１５Ｉは、内環部５０Ｉと、外環部５１Ｉと、を有する。マーカー層５３Ｉは、全周に亘って設けられていてもよい。なお、断面形状は、図２（ａ）に示すエッジリング１５、図４（ａ）に示すエッジリング１５Ａ、図６（ａ）に示すエッジリング１５Ｂのようにしてもよい。また、径方向においては、図６（ｂ）〜（ｆ）に示すエッジリング１５Ｃ〜１５Ｇのように、外周側に偏って設けられていてもよい。
図７（ｂ）に示すように、エッジリング１５Ｊは、内環部５０Ｊと、外環部５１Ｊと、を有する。マーカー層５３Ｊは、周方向に対して９０度ごとに等間隔に４つ設けられていてもよい。また、周方向において、所定の角度ごとに等間隔に設けるものに限られず、非等間隔に設けてもよい。また、マーカー層５３Ｊの数は、４つに限られるものではなく、１以上であればよい。なお、断面形状は、図２（ａ）に示すエッジリング１５、図４（ａ）に示すエッジリング１５Ａ、図６（ａ）に示すエッジリング１５Ｂのようにしてもよい。また、径方向においては、図６（ｂ）〜（ｆ）に示すエッジリング１５Ｃ〜１５Ｇのように、外周側に偏って設けられていてもよい。また、径方向においては、図６（ｂ）等に示すように、外周側に偏って設けられていてもよい。
図７（ｃ）に示すように、エッジリング１５Ｋは、内環部５０Ｋと、外環部５１Ｋと、を有する。マーカー層５３Ｋは、周方向に対して所定の角度ごとに等間隔に４つ設けられていてもよい。また、周方向において、等間隔に設けるものに限られず、非等間隔に設けてもよい。また、マーカー層５３Ｋの数は、４つに限られるものではなく、１以上であればよい。なお、断面形状は、図６（ｇ）に示すエッジリング１５Ｈのようにしてもよい。
また、図６（ａ）及び図６（ｃ）の様に、厚さ方向に複数のマーカー層を備える場合、マーカー層ごとに異種材料を変更してもよい。これにより、エッチングの進行状態を確実に検出することができる。
また、図７（ｂ）及び図７（ｃ）の様に、周方向に複数のマーカー層を備える場合、マーカー層ごとに異種材料を変更してもよい。これにより、エッチングの偏りを検出することができる。
以上、プラズマ処理装置１０の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
Ｗ ウエハ
Ｐ プラズマ生成領域
１０ プラズマ処理装置（基板処理装置）
１１ 処理容器
１２ 載置台
１３ 静電チャック
１４ 保持部
１５ エッジリング
１６ 基台
１７ 第１の高周波電源
１８ 第２の高周波電源
１９ ガス供給源
２０ シャワーヘッド
２１ ガス配管
２２ 排気装置
２３ 排気路
２４ 排気口
２５ ガス拡散室
２６ ガス通気孔
２７ バッフル板
２８ 絶縁部材
３０ 制御部
４０ 検出器
４１ 窓
５０ 内環部
５１ 外環部
５２ 基体部
５３ マーカー層（異種材料部）
５４ 上部層

Claims (10)

  1. 基板処理装置内の基板の周囲に載置される環状部材本体と、
    前記環状部材本体内に設けられ、前記環状部材本体の材料とは異なる異種材料から形成される異種材料部と、を備える、
    環状部材。
  2. 前記異種材料部は、前記環状部材の外周側に設けられる、
    請求項１に記載の環状部材。
  3. 前記異種材料部は、上面から深さ方向に見て、水平幅が広がるように形成される、
    請求項１または請求項２に記載の環状部材。
  4. 前記異種材料部は、上面から深さ方向に見て、複数の層で形成される、
    請求項１または請求項２に記載の環状部材。
  5. 前記環状部材の軸方向にみて、
    前記異種材料部は、前記環状部材の周方向全体に設けられる、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の環状部材。
  6. 前記環状部材の軸方向にみて、
    前記異種材料部は、前記環状部材の周方向の一部に設けられる、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の環状部材。
  7. 前記異種材料をエッチングした際に生成される生成物と、
    前記環状部材本体をエッチングした際に生成される生成物とは、異なる、
    請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の環状部材。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の環状部材と、
    前記異種材料に起因する生成物を検出する検出器と、を備える、
    基板処理装置。
  9. 制御部を備え、
    前記制御部は、前記検出器の検出値に基づいて、前記環状部材の消耗状態を判定する、
    請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 基板処理装置内の基板の周囲に載置される環状部材本体と、前記環状部材本体内に設けられ、前記環状部材本体の材料とは異なる異種材料から形成される異種材料部と、を有する環状部材と、
    前記異種材料に起因する生成物を検出する検出器と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
    前記検出器の検出値に基づいて、前記環状部材の消耗状態を判定する、
    基板処理装置の制御方法。
JP2019161499A 2019-09-04 2019-09-04 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 Pending JP2021040076A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019161499A JP2021040076A (ja) 2019-09-04 2019-09-04 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
US16/999,451 US20210066053A1 (en) 2019-09-04 2020-08-21 Annular member, substrate processing apparatus and method of controlling substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019161499A JP2021040076A (ja) 2019-09-04 2019-09-04 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021040076A true JP2021040076A (ja) 2021-03-11

Family

ID=74681745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019161499A Pending JP2021040076A (ja) 2019-09-04 2019-09-04 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210066053A1 (ja)
JP (1) JP2021040076A (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6894769B2 (en) * 2002-12-31 2005-05-17 Tokyo Electron Limited Monitoring erosion of system components by optical emission
JP2009245988A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法
US10041868B2 (en) * 2015-01-28 2018-08-07 Lam Research Corporation Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module

Also Published As

Publication number Publication date
US20210066053A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190121864A (ko) 에칭 메트릭 향상을 위한 표면 개질 제어
US20130149866A1 (en) Baffle plate for semiconductor processing apparatus
JP4884047B2 (ja) プラズマ処理方法
US20030188685A1 (en) Laser drilled surfaces for substrate processing chambers
JP2009245988A (ja) プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法
KR102520779B1 (ko) 제조 공정에서 입자 유도 아크 검출을 위한 조성 발광 분광법
JP2007515804A (ja) プラズマ装備のシーズニング方法及びそのための装備
JP2011233713A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
SG194879A1 (en) High pressure bevel etch process
US10074550B2 (en) Plasma stability determination method and plasma processing apparatus
US20240096715A1 (en) In-situ etch material selectivity detection system
US20050161435A1 (en) Method of plasma etching
KR102229990B1 (ko) 플라즈마 처리 장치용 부재 및 플라즈마 처리 장치
JP2021040076A (ja) 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
WO2020163132A1 (en) Plasma resistant component for a plasma processing chamber
KR101124795B1 (ko) 플라즈마 처리장치, 챔버내 부품 및 챔버내 부품의 수명 검출 방법
JP7183090B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP5160393B2 (ja) プラズマ処理方法，プラズマ処理装置，プラズマ処理装置の水分量検出方法
JP2007066935A (ja) プラズマ処理装置
US20220051953A1 (en) In-situ etch rate and etch rate uniformity detection system
KR20190050254A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 모니터링 방법
KR102607077B1 (ko) 에칭 방법 및 기판 처리 장치
TWI416998B (zh) Plasma processing device
JP2008141146A (ja) 基材処理装置および基材処理方法
JP2021061380A (ja) クリーニング条件の決定方法及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200904