JP2010106303A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置1は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部2と、出し入れ口を介して本体部2に搬入され若しくは出し入れ口を18介して本体部2から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード/アンロード部3と、出し入れ口18を開閉する開閉機構16と、本体部2の気圧を検出する第1センサ26と、基板ロード/アンロード部3の気圧を検出する第2センサ29と、第1センサ26および第2センサ29からの情報に基づいて、開閉機構16を制御する制御部24とを備えたものである。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の半導体製造装置1は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部2と、出し入れ口を介して本体部2に搬入され若しくは出し入れ口を18介して本体部2から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード/アンロード部3と、出し入れ口18を開閉する開閉機構16と、本体部2の気圧を検出する第1センサ26と、基板ロード/アンロード部3の気圧を検出する第2センサ29と、第1センサ26および第2センサ29からの情報に基づいて、開閉機構16を制御する制御部24とを備えたものである。
【選択図】図2
Description
本発明は、シリコンウエハ等の半導体基板に絶縁膜や導電膜等を成膜する半導体製造装置に関する。
化学気相成長(CVD)法によりシリコンウエハ等の半導体基板上に絶縁膜や導電膜を形成する半導体製造装置として減圧化学気相成長(LP−CVD)装置がある(例えば、特許文献1参照)。この装置には、半導体基板に対して成膜処理を行う処理室と、装置外部から搬入された半導体基板を処理室にロードし、また処理室からアンロードするための移載室とが設けられている。処理室には、種々のガスを供給するガス供給手段が接続されていると共に、処理室内を排気する排気手段が接続されている。
減圧化学気相成長装置においては、成膜処理に伴い処理室の内部及び排気ラインに膜が堆積し、この堆積膜の膜厚が厚くなるとダストの発生数量の増加、及びその発生頻度の増加が起こる。半導体基板を処理室にロード、または処理室からアンロードする際、処理室の内部及び排気ラインに堆積した膜がダストとして飛散すると、パーティクルとして半導体基板上に付着する恐れがある。特許文献1に記載された装置では、装置に装置の外部の気圧、即ち、大気圧を検出する大気圧検出装置と処理室内の気圧を検出する内部気圧検出装置とを設け、大気圧検出装置および内部気圧検出装置の検出結果に基づいて処理室内の圧力を大気圧に戻した後、半導体基板を移載室から処理室内へロードし、また、処理室内から移載室にアンロードすることでパーティクルの発生を抑制している。
さて、上記した特許文献1に記載された半導体装置では、半導体基板のロード及びアンロード時に移載室と処理室との間の圧力差が大きいと、パーティクルの発生が顕著となり、製品歩留まりの低下という問題点を起こした。また、この問題は処理室の内部及び排気ラインに堆積する膜の膜厚が厚くなるほど顕著であった。
特開2008−72054号公報
本発明は、パーティクルの発生を抑制できる半導体製造装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体製造装置は、半導体基板に成膜処理を行う半導体製造装置であって、前記半導体基板への成膜処理が行われる本体部と、前記出し入れ口を介して前記本体部に搬入され若しくは前記出し入れ口を介して前記本体部から搬出される前記半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード/アンロード部と、前記出し入れ口を開閉する開閉機構と、前記本体部の気圧を検出する第1センサと、前記基板ロード/アンロード部の気圧を検出する第2センサと、前記第1センサおよび前記第2センサからの情報に基づいて、前記開閉機構を制御する制御部とを備えたところに特徴を有する。
本発明によれば、パーティクルの発生を抑制できる。
以下、本発明を減圧気相成長(以下、LP−CVDと称する)装置に適用した場合の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、図1は、本実施形態のLP−CVD装置1の全体構成を概略的に示す縦断面図である。図1に示すように、LP−CVD装置1は、本体部2と、本体部2を載置し、密閉された基板ロード/アンロード部3で構成されている。本体部2には基板保持部であるボート13後述する処理室15が設けられている。また、基板ロード/アンロード部3には、ポッド載置部5、カセット昇降装置9、ウエハ移載機構11、ボート待機部14が設けられている。
ポッド4は、内部にウエハカセット6を収容する密閉式の基板収納容器であり、ウエハカセット6を載置する底板部4a上に蓋部4bが取り付けられており、底板部4aが蓋部4bからが取り外し可能な構成となっている。ウエハカセット6内には、例えば25枚のウエハ(半導体基板)が収容される。
ポッド載置部5は、基板ロード/アンロード部3の前側上面に設けられており、出し入れ口7aが形成された載置台7と、出し入れ口7aを開閉する開閉機構8とを備えている。
この構成の場合、蓋部4bが付いた状態のポッド4が図示しない搬送装置によりポッド載置部5に搬送され、ポッド載置部5上に載置された状態で、開閉機構8により出し入れ口7aが開放される。続いて、図示しないロック解除手段によりポッド4の底板部4aと蓋部4bと閉塞状態(ロック状態)が解除され、ウエハカセット6を載置する底板部4aが昇降装置9上に載せられる。その後、昇降装置9が下降し、ウエハカセット6(および底板部4a)が基板ロード/アンロード部3内に収容される(図1に示す状態)。尚、ウエハカセット6を基板ロード/アンロード部3から搬出する場合は、図1に示す状態から昇降装置9を上昇させて、ウエハカセット6(および底板部4a)を蓋部4b内に収容した後、図示しないロック手段によりポッド4の底板部4aと蓋部4bとをロックし、ポッド4を閉塞状態とする。その後、開閉機構8により出し入れ口7aが閉じられ、ポッド4が図示しない搬送装置によりポッド載置部5から搬送される。
ウエハ移載機構11は、ウエハを載置する所要枚数(図1中においては例えば5枚)のウエハ載置プレート12を備えている。ウエハ移載機構11は、基板ロード/アンロード部3に収納されたウエハカセット6からウエハを取り出してウエハ載置プレート12に載せ、ウエハ載置プレート12を介して基板保持部であるボート13にウエハを移載する(またはボート13からウエハカセット6へ移載する)
ボート13は例えば100枚のウエハを保持可能である。処理室15下方の基板ロード/アンロード部3には、処理室15からアンロードされたボート13が待機するボート待機部14が設けられている。処理室15の下端部には、出し入れ口部18が設けられており、この出し入れ口部18はシャッタ(開閉機構)16により開閉されるように構成されている。
ボート13は例えば100枚のウエハを保持可能である。処理室15下方の基板ロード/アンロード部3には、処理室15からアンロードされたボート13が待機するボート待機部14が設けられている。処理室15の下端部には、出し入れ口部18が設けられており、この出し入れ口部18はシャッタ(開閉機構)16により開閉されるように構成されている。
また、ボート待機部14において、ボート13の下部に設けられたシールキャップ17は、ボート13と共にボートエレベータ(図示しない)によりボート待機部14と処理室15との間で昇降されるように構成されている。この場合、シャッタ16により処理室15の出し入れ口部18を開放した状態で、ボートエレベータによりシールキャップ17およびボート13を上昇させると、ボート13が処理室15内に収容されると共に、シールキャップ17により処理室15の出し入れ口部18が気密に閉塞される構成となっている(図2参照)。
尚、基板ロード/アンロード部3内には、クリーンユニット(図示しない)が配設されており、このクリーンユニットは、基板ロード/アンロード部3外のエアーを清浄化し、清浄化したクリーンエアを基板ロード/アンロード部3内に供給する。上記クリーンユニットから供給されたクリーンエアは、基板ロード/アンロード部3内を流通した後、図示しない排気ダクトを通って排気されるか、若しくは、クリーンユニットの吸込み側に戻される(循環される)ように構成されている。そして、基板ロード/アンロード部3の内部は、正圧となるように構成されている。
次に、ウエハ(半導体基板)を処理する処理室15について、図2を参照して説明する。図2に示すように、処理室15は、気密なチャンバであるアウタチューブ31と、上端が開放されたインナチューブ19と、筒状のヒータ20等から構成されている。アウタチューブ31の内部にインナチューブ19が同心状に配設されている。インナチューブ19の内部に反応室が形成され、アウタチューブ31とインナチューブ19との間に下端が閉塞された円筒空間21が形成されている。アウタチューブ31の周囲にヒータ20が同心状に配設されている。
上記構成の場合、インナチューブ19の下端部22の底面に上述した出し入れ口部18が設けられている。シャッター16によりこの出し入れ口部18を開放した状態で、ボート待機部14に位置したシールキャップ17およびボート13をボートエレベータにより上昇させると、ボート13が処理室15のインナチューブ19内に収容されると共に、シールキャップ17によりインナチューブ19の出し入れ口部18が気密に閉塞される構成となっている。
インナチューブ19の下端部22の側面には、開閉弁および流量制御器(図示せず)を有するガス供給系23が接続されており、このガス供給系23は処理ガス源( 図示せず)または窒素ガス等の不活性ガスの供給源(図示せず)に接続されている。開閉弁および流量制御器が制御装置(制御手段)24により制御されることにより、所要流量の処理ガスまたは不活性ガスがインナチューブ19内に導入されるように構成されている。
また、インナチューブ19の下端部22の側面には、排気管25が円筒空間21に連通するように接続されており、この排気管25には第1気圧センサ(第1センサ)26、排気開閉弁27および排気ポンプ28が設けられている。排気管25は、排気ガス処理装置( 図示せず) に接続されている。この第1気圧センサはインナチューブ19内の気圧と等価である排気管25内の気圧を検出する。第1気圧センサ26によって検出されたインナチューブ19内の気圧は、第1検出信号として制御装置24に送出される。排気開閉弁27および排気ポンプ28は、制御装置24により制御される。また、制御装置24はシャッタ16を制御する。
上記構成の場合、制御装置24は、第1気圧センサ26からの第1検出信号(インナチューブ19内の気圧を示す)に基づいて、ガス供給系23の開閉弁および流量制御器を制御する(即ち、処理ガス(または不活性ガス)のインナチューブ19内への導入量を制御する)と共に、排気開閉弁27および排気ポンプ28を制御する(即ち、排気ガスの流量を制御する)。この制御により、インナチューブ19内の気圧を所望の気圧に保持制御することが可能な構成となっている。この場合、ガス供給系23、制御装置24、第1気圧センサ26、排気開閉弁27および排気ポンプ28等から気圧設定装置が構成されている。
また、基板ロード/アンロード部3には、第2気圧センサ(第2センサ)29が配設されている。なお、基板ロード/アンロード部3は気密化されているため、第2気圧センサ29は基板ロード/アンロード部3のいずれの箇所においても構わないが、ボート待機部14内に若しくはボート待機部14に隣接して設けられることが望ましい。この第2気圧センサ29は基板ロード/アンロード部3内の気圧を検出する。第2気圧センサ29によって検出された基板ロード/アンロード部3内の気圧は、第2検出信号として制御装置24に送出される。制御装置24は、第2気圧センサ29によって検出された第2検出信号と、第1気圧センサ26によって検出された第1検出信号とに基づいて、基板ロード/アンロード部3内の気圧とインナチューブ19内の気圧とがほぼ一致したとき(即ち、気圧差がほぼ0のとき)に、インナチューブ19下端の出し入れ口部18を開放してボート13を出し入れするように制御信号を出力する。この制御信号にしたがい、シャッター16が出し入れ口部18を開放し、ボートエレベータによりボート13インナチューブ19に搬入され、またインナチューブ19から搬出される。
このような構成の本実施形態によれば、第2気圧センサ29によって基板ロード/アンロード部3内の気圧を検出し、第1気圧センサ26によってインナチューブ19内の気圧を検出し、基板ロード/アンロード部3内の気圧とインナチューブ19内の気圧とがほぼ一致したとき(即ち、気圧差がほぼ0のとき)に、インナチューブ19下端の出し入れ口部18を開放してボート13を出し入れするように構成したので、インナチューブ19内に付着したダストが出し入れ口部18を開放した際の気圧差によって飛散することを抑制でき、粒径0.20μm未満(特に0.15μm以上)のパーティクル発生を抑制することができ、ウエハ製造の歩留まりの低下を防止することができる。
ここで、図3に、処理室の内部及び排気ラインに堆積したシリコン窒化膜の累積膜厚が6μmの場合における、インナチューブ19内の気圧(A)を基準にして、基板ロード/アンロード部3内の気圧(B)を変化させ、差圧(A−B)を−300〜300Paとしたときに、ウエハに付着した0.15μm以上のパーティクルの個数を測定した結果を示す。この図3から、上記気圧差を、±50Pa以内に設定すれば、0.15μm以上のパーティクルの発生を抑制できることがわかる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
上記実施形態においては、複数枚のウエハを1度に処理するバッチ式のLP−CVD装置1に適用したが、これに代えて、ウエハを1枚ずつ処理する枚葉式のLP−CVD装置に適用しても良い。
図面中、1はLP−CVD装置、2は本体部、3は基板ロード/アンロード部、4はポッド、8は開閉機構、11はウエハ移載機構、13はボート、14はボート待機部、15は処理室、16はシャッタ、18は出し入れ口部、19はインナチューブ、23はガス供給系、24は制御装置(制御部)、25は排気管、26は第1気圧センサ(第1センサ)、27は排気開閉弁、28は排気ポンプ、29は第2気圧センサ(第2センサ)である。
Claims (5)
- 半導体基板に成膜処理を行う半導体製造装置であって、
前記半導体基板への成膜処理が行われる本体部と、
前記出し入れ口を介して前記本体部に搬入され若しくは前記出し入れ口を介して前記本体部から搬出される前記半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード/アンロード部と、
前記出し入れ口を開閉する開閉機構と、
前記本体部の気圧を検出する第1センサと、
前記基板ロード/アンロード部の気圧を検出する第2センサと、
前記第1センサおよび前記第2センサからの情報に基づいて、前記開閉機構を制御する制御部と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記制御部は、前記基板ロード/アンロード部の気圧と前記本体部の気圧との差が50Pa以下のときに、前記開閉機構を介して前記出し入れ口を開放することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 化学気相成長法によりボートに保持された半導体基板上に成膜処理を行う半導体製造装置であって、
アウタチューブおよびインナチューブを有し、前記インナチューブ内に前記ボートが置かれた状態で成膜処理が行われる本体部と、
出し入れ口を介して前記インナチューブ内に搬入され若しくは前記インナチューブから搬出されるボートが待機する待機エリアを有する基板ロード/アンロード部と、
前記出し入れ口を開閉する開閉機構と、
前記インナチューブ内の気圧を検出する第1センサと、
前記基板ロード/アンロード部内の気圧を検出する第2センサと
を具備し、前記第1センサおよび第2センサからの情報に基づき、前記インナチューブ内の気圧と前記基板ロード/アンロード部内の気圧差が所定値以下のときに、前記開閉機構を介して前記出し入れ口を解放し、前記ボートを前記インナチューブから前記待機エリアに搬出することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記インナチューブには成膜処理に用いられたガスを排気する排気管が接続されており、前記第1センサは前記排気管内に設けられていることを特徴とする請求項3記載の半導体製造装置。
- 前記第2センサは前記待機エリアに設けられていることを特徴とする請求項1または3記載の半導体製造装置。
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JP2008278171A JP2010106303A (ja) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 半導体製造装置 |
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JP2008278171A Pending JP2010106303A (ja) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 半導体製造装置 |
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