KR102448794B1 - 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

성막 처리 시작 시의 노 내의 상황을 안정화시키는 것이 가능한 기술을 제공한다.
처리로 내의 처리 환경을 정비하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 기술로서, 전처리 공정의 제1 스텝에서는 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부를 판정한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PROGRAM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시(開示)는 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 일종인 반도체 제조 장치에서 성막 처리를 실시하기 전 또는 실시한 후에는 메인터넌스 처리가 실시된다. 여기서 메인터넌스 처리란 노(爐) 내의 부생성물을 제거하는 처리나, 노 내의 환경을 특정 조건으로 유지하기 위한 퍼지 처리 등 다양하게 존재한다. 작금에는 장치 생산성을 향상하기 위해서(장치 다운타임을 단축하기 위해서) 메인터넌스 처리를 자동 실행하는 기능이 필수가 되고 있다.
예컨대 특허문헌 1에는 감시 대상의 장치 데이터의 현재값이 소정의 조건에 달하면 알람을 발생시키는 것과 함께 클리닝 레시피를 실행하는 것이 기재되어 있다. 또한 예컨대 특허문헌 2에는 성막 스텝전의 준비 스텝에서 에러가 발생해도 성막 스텝의 선두 스텝에서 에러 처리를 수행하는 것이 기재되어 있다.
하지만 현재값이 소정의 임계값에 도달하여 메인터넌스 처리가 자동으로 실행되면 성막 처리 시작 시의 노 내의 상황에 변화가 발생하는 경우가 있다.
1. 일본 특허 2019-114783호 공보 2. 일본 특허 2015-162628호 공보
본 개시의 목적은 성막 처리 시작 시의 노 내의 상황을 안정화시키는 것이 가능한 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 따르면, 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 공정과, 기판 보지구(保持具)에 기판을 장전(裝塡)하는 공정과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 전처리 공정의 제1 스텝에서는 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부를 판정하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 개시의 기술에 따르면, 노 내의 성막 전 상황을 동일 조건으로 할 수 있고, 성막 안정성을 얻을 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치를 도시하는 횡단면도(橫斷面圖)의 일례.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치를 도시하는 종단면도(縱斷面圖)의 일례.
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 처리로를 도시하는 종단면도의 일례.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 컨트롤러의 기능 구성을 설명하는 도면.
도 5는 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 처리 흐름을 도시하는 도면.
도 6은 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 메인터넌스 항목의 도시예.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 메인터넌스 처리를 설명하는 도시예.
도 8은 도 5의 처리 흐름에서의 전처리 공정의 상세를 도시하는 도면.
도 9는 도 8의 전처리 공정에서 메인터넌스 처리 판정 공정의 상세를 도시하는 도면.
도 10a는 1개의 잡(job)으로 복수 회의 성막 처리를 실행하는 경우의 비교예.
도 10b는 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 1개의 잡으로 복수 회의 성막 처리를 실행하는 경우의 처리 흐름을 도시하는 도면.
도 11은 본 개시의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 처리 흐름을 도시하는 도면.
(기판 처리 장치의 개요)
다음으로 본 개시의 실시 형태를 도 1, 도 2에 기초하여 설명한다. 본 개시가 적용되는 실시 형태에서 기판 처리 장치는 일례로서 반도체 장치(IC)의 제조 방법에서의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서 구성된다. 또한 이하의 설명에서는 기판 처리 장치로서 기판에 산화, 확산 처리나 CVD 처리 등을 수행하는 종형(縱型)의 장치(이하, 단순히 처리 장치라고 부른다)를 적용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(10)는 인접하는 2개의 후술하는 처리로(202)로서의 처리 모듈을 구비한다. 처리 모듈은 수십 매의 기판으로서의 웨이퍼(200)를 일괄해서 처리하는 종형 처리 모듈이다. 이하, 기판 처리 장치(10)를 구성하는 부품은 예컨대 처리로(202) 내를 구성하는 부품, 반송실(6)(6A, 6B), 이재실(8)에 각각 배치되는 부품 등을 포함하는 것 외에, 기판 처리 장치(10) 그 자체도 포함하는 경우가 있다.
처리로(202)의 하방(下方)에는 준비실로서의 반송실(6A, 6B)이 배치된다. 반송실(6A, 6B)의 정면측에는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 이재하는 웨이퍼 이재 기구(125)를 포함하는 이재실(8)이 반송실(6A, 6B)에 인접해서 배치된다. 또한 본 실시 형태에서는 반송실(6A, 6B)의 상방(上方)에 후술하는 처리로(202)가 각각 설치된 구성으로서 설명한다.
이재실(8)의 정면측에는 웨이퍼(200)를 복수 매 수용하는 수용 용기로서의 포드(FOUP)(110)를 수납하는 수납실(포드 반송 공간)(9)이 설치된다. 수납실(9)의 전면에는 I/O 포트로서의 로드 포트(22)가 설치되고, 로드 포트(22)를 개재하여 기판 처리 장치(10) 내외에 포드(110)가 반입 또는 반출된다.
반송실(6A, 6B)과 이재실(8)과의 경계벽(인접면)에는 격리부로서의 게이트 밸브(90A, 90B)가 설치된다. 이재실(8) 내 및 반송실(6A, 6B) 내에는 압력 검지기(미도시)가 각각 설치되고, 이재실(8) 내의 압력은 반송실(6A, 6B) 내의 압력보다 낮아지도록 설정된다. 또한 이재실(8) 내 및 반송실(6A, 6B) 내에는 산소 농도 검지기(미도시)가 각각 설치되고, 이재실(8A) 내 및 반송실(6A, 6B) 내의 산소 농도는 대기 중에서의 산소 농도보다 낮게 유지된다. 바람직하게는 30ppm 이하로 유지된다.
이재실(8)의 천장부에는 이재실(8) 내에 클린 에어를 공급하는 클린 유닛(미도시)이 설치되고, 이재실(8) 내에 클린 에어로서 예컨대 불활성 가스를 순환시키도록 구성된다. 이재실(8) 내를 불활성 가스에서 순환 퍼지하는 것에 의해 이재실(8) 내를 청정한 분위기로 할 수 있다.
이러한 구성에 의해 이재실(8) 내에 반송실(6A, 6B)의 파티클 등이 처리로(202)에 혼입되는 것을 억제할 수 있고, 이재실(8) 내 및 반송실(6A, 6B) 내에서 웨이퍼(200) 상에 자연 산화막이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
수납실(9)의 후방, 수납실(9)과 이재실(8)의 경계벽에는 포드(110)의 덮개를 개폐하는 포드 오프너(21)가 복수 대, 예컨대 3대 배치된다. 포드 오프너(21)가 포드(110)의 덮개를 여는 것에 의해 포드(110) 내의 웨이퍼(200)가 이재실(8) 내외에 반입 또는 반출된다.
도 2에 도시되는 바와 같이 실리콘 등으로 이루어지는 복수의 웨이퍼(200)를 수용하는 포드(110)가 사용되고 있는 기판 처리 장치(10)는 기판 처리 장치 본체로서 이용되는 광체(筐體)(111)를 구비한다.
광체(111)의 정면벽의 정면 전방부에는 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)로서의 정면 메인터넌스구(미도시)가 개설되고, 이 정면 메인터넌스구를 개폐하는 정면 메인터넌스 문(미도시)이 각각 설치된다. 또한 정면벽에는 포드 반입반출구(미도시)가 광체(111)의 내외를 연통하도록 개설된다. 포드 반입반출구는 프론트 셔터(미도시)에 의해 개폐되도록 구성되어도 좋다.
포드 반입반출구에는 반입반출부로서 이용되는 로드 포트(22)가 설치되고, 로드 포트(22)는 포드(110)를 재치하여 위치를 맞추도록 구성된다. 포드(110)는 로드 포트(22) 상에 공정 내 반송 장치에 의해 반입되고, 또한 로드 포트(22) 상으로부터 반출되도록 이루어진다.
광체(111)의 정면 후방측에는 포드 반입반출구의 주변의 상하 좌우에 걸쳐서 매트릭스 형상으로 수납 선반(포드 선반)(105)이 설치된다. 포드 선반(105)에는 포드를 재치하는 수납부의 일부인 재치부(140)가 설치된다. 수납부는 상기 재치부(140)와, 재치부(140)를 포드(110)가 수납되는 대기 위치와 포드(110)를 수도하는 수도 위치 사이에서 수평 이동시키는 수평 이동 기구(수용 선반 수평 이동 기구)(미도시)로 구성된다. 수평 방향의 동일 직선상에 배열되는 복수의 독립된 재치부(140)에 의해 포드 선반(105)의 일단(一段)이 구성되고, 포드 선반(105)이 수직 방향으로 복수 단 설치된다. 각 재치부(140)는 상하 또는 좌우에 인접하는 재치부(140) 및 그 외의 어느 재치부(140)와도 동기시키지 않고 독립해서 수평 이동시키는 것이 가능하다. 그리고 포드 반송 장치(130)는 로드 포트(22), 포드 선반(105), 포드 오프너(21) 사이에서 포드(110)를 반송하도록 구성된다.
광체(111) 내이자 서브 광체(119)의 정면측에는 상하 좌우에 걸쳐서 매트릭스 형상으로 포드 선반(수용 선반)(105)이 설치된다. 광체(111)의 정면 후방측의 포드 선반(105)과 마찬가지로 각 포드 선반(105)의 포드를 재치하는 수납부로서의 재치부(140)는 수평 이동 가능하도록 이루어지고, 상하 또는 좌우에 인접하는 재치부(140)와 동기시키지 않고 독립해서 수평 이동시키는 것이 가능하다. 포드 선반(105)은 복수의 재치부(140)에 포드(110)를 각각 1개씩 재치한 상태에서 보지(保持)하도록 구성된다.
서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입반출하기 위한 웨이퍼 반입반출구(120)가 한 쌍, 수직 방향에 상하 2단으로 배열되어 개설되고, 상하단의 웨이퍼 반입반출구(120)에는 한 쌍의 포드 오프너(21)가 각각 설치된다. 본 실시예에서 포드 오프너(21)는 상하 2단으로 설치되지만, 수평 방향에 좌우 2개 설치되어도 좋다. 포드 오프너(21)는 포드(110)를 재치하는 재치대(122)와, 포드(110)의 캡을 탈착하는 캡 탈착 기구(123)를 구비한다. 포드 오프너(21)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 탈착 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성된다.
서브 광체(119)는 포드 반송 장치(130)나 포드 선반(105)의 설치 공간으로부터 유체(流體)적으로 격리된 이재실(8)을 구성한다. 이재실(8)의 전측 영역에는 웨이퍼 이재 기구(125)가 설치되고, 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 내지 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(125a) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)로 구성된다. 이들 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(기판 보지체)(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로서 보트(기판 보지구)(217)에 대하여 웨이퍼(200)를 장전(裝塡, charging) 및 탈장(脫裝, discharging)하도록 구성된다.
이재실(8)의 후측 영역에는 게이트 밸브(90)를 개재하여 보트(217)를 수용해서 대기시키는 대기부로서의 반송실(6)이 구성된다. 반송실(6)의 상방에는 처리실을 내부에 구성하는 처리로(202)가 설치된다. 처리로(202)의 하단부는 노구(爐口) 셔터(147)에 의해 개폐되도록 구성된다.
보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 승강되고 처리로 내에 도입된다. 보트 엘리베이터(115)의 승강대에 연결된 연결구로서의 암(미도시)에는 개체(蓋體)로서의 씰 캡(219)이 수평하게 설치되고, 씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하고, 처리로(202)의 하단부를 폐색(閉塞) 가능하도록 구성된다. 보트(217)는 복수 개의 보지 부재를 구비하고, 복수 매의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 수평하게 보지하도록 구성된다.
(기판 처리 장치의 처리로)
도 3에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(207)를 포함한다. 히터(207)는 원통 형상이며, 보지판으로서의 히터 베이스(미도시)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다.
히터(207)의 내측에는 히터(207)와 동심원 형상으로 반응 용기(처리 용기)를 구성하는 반응관(203)이 배설(配設)된다. 반응관(203)은 하단부가 개방되고, 상단부가 평탄 형상의 벽체로 폐색된 유천장의 형상으로 형성된다. 반응관(203)의 내부에는 원통 형상으로 형성된 통부(筒部)(209)와, 통부(209)와 반응관(203) 사이에 구획된 노즐 배치실(222)과, 통부(209)에 형성된 가스 공급구로서의 가스 공급 슬릿(235)과, 통부(209)에 형성된 제1 가스 배기구(236)와, 통부(209)에 형성되고 제1 가스 배기구(236)의 하방에 형성된 제2 가스 배기구(237)를 구비한다. 통부(209)는 하단부가 개방되고, 상단부가 평탄 형상의 벽체로 폐색된 유천장의 형상으로 형성되고, 웨이퍼(200)의 직근(直近)에 웨이퍼(200)를 둘러싸도록 설치된다. 통부(209)의 내부에는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은 웨이퍼(200)를 수평 자세로 수직 방향에 다단으로 정렬한 상태에서 보유 가능한 기판 보지구로서의 보트(217)를 수용하고, 웨이퍼(200)를 처리 가능하도록 구성된다.
반응관(203)의 하단은 원통체 형상의 매니폴드(226)에 의해 지지된다. 매니폴드(226)의 상단부에는 플랜지가 형성되고, 이 플랜지 상에 반응관(203)의 하단부를 설치해서 지지한다. 이 플랜지와 반응관(203)의 하단부 사이에는 O링 등의 기밀 부재(220a)를 개재시켜서 반응관(203) 내를 기밀 상태로 한다.
매니폴드(226)의 하단의 개구부에는 씰 캡(219)이 O링 등의 기밀 부재(220b)를 개재하여 기밀하게 설치되고, 반응관(203)의 하단의 개구부측, 즉 매니폴드(226)의 개구부를 기밀하게 폐색하도록 이루어진다.
씰 캡(219) 상에는 보트(217)를 지지하는 보트 지지대(218)가 설치된다. 보트 지지대(218)는 단열부로서 기능하는 것과 함께 보트(217)를 지지하는 지지체로 이루어진다. 보트(217)는 예컨대 석영이나 SiC 등의 내열성 재료로 구성된다. 보트(217)는 미도시의 보트 지지대에 고정된 저판(底板)과, 그 상방에 배치된 천판(天板)을 포함하고, 저판과 천판 사이에 복수 개의 지주가 가설된 구성을 포함한다. 보트(217)에는 복수 매의 웨이퍼(200)가 보지된다. 복수 매의 웨이퍼(200)는 서로 일정한 간격을 두면서 수평 자세를 보지하고, 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 반응관(203)의 관축 방향에 다단으로 적재되어 보트(217)의 지주에 지지된다.
씰 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 보트를 회전시키는 보트 회전 기구(267)가 설치된다. 보트 회전 기구(267)의 회전축(265)은 씰 캡을 관통해서 보트 지지대(218)에 접속되고, 보트 회전 기구(267)에 의해 보트 지지대(218)를 개재하여 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시킨다.
씰 캡(219)은 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되고, 이에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내에 대하여 반입 또는 반출하는 것이 가능하도록 이루어진다.
매니폴드(226)에는 처리실(201) 내에 처리 가스를 공급하는 가스 노즐로서의 노즐(340a 내지 340d)을 지지하는 노즐 지지부(350a 내지 350d)가 매니폴드(226)를 관통하여 설치된다. 여기서는 4개의 노즐 지지부(350a 내지 350d)가 설치된다. 노즐 지지부(350a 내지 350c)의 반응관(203)측의 일단(一端)에는 처리실(201) 내에 가스를 공급하는 가스 공급관(310a 내지 310c)이 각각 접속된다. 또한 노즐 지지부(350d)의 반응관(203)측의 일단에는 반응관(203)과 통부(209) 사이에 형성되는 간극(S)에 가스를 공급하는 가스 공급관(310d)이 접속된다. 또한 노즐 지지부(350a 내지 350d)의 타단(他端)에는 노즐(340a 내지 340d)이 각각 접속된다.
가스 공급관(310a)에는 상류 방향부터 순서대로 제1 처리 가스를 공급하는 제1 처리 가스 공급원(360a), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(320a) 및 개폐 밸브인 밸브(330a)가 각각 설치된다. 가스 공급관(310b)에는 상류 방향부터 순서대로 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급원(360b), MFC(320b) 및 밸브(330b)가 각각 설치된다. 가스 공급관(310c)에는 상류 방향부터 순서대로 제3 처리 가스를 공급하는 제3 처리 가스 공급원(360c), MFC(320c) 및 밸브(330c)가 각각 설치된다. 가스 공급관(310d)에는 상류 방향부터 순서대로 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원(360d), MFC(320d) 및 밸브(330d)가 각각 설치된다. 가스 공급관(310a, 310b)의 밸브(330a, 330b)보다 하류측에는 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(310e, 310f)이 각각 접속된다. 가스 공급관(310e, 310f)에는 상류 방향부터 순서대로 MFC(320e, 320f) 및 밸브(330e, 330f)가 각각 설치된다.
주로 가스 공급관(310a), MFC(320a), 밸브(330a)에 의해 제1 처리 가스 공급계가 구성된다. 제1 처리 가스 공급원(360a), 노즐 지지부(350a), 노즐(340a)을 제1 처리 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 가스 공급관(310b), MFC(320b), 밸브(330b)에 의해 제2 처리 가스 공급계가 구성된다. 제2 처리 가스 공급원(360b), 노즐 지지부(350b), 노즐(340b)을 제2 처리 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 가스 공급관(310c), MFC(320c), 밸브(330c)에 의해 제3 처리 가스 공급계가 구성된다. 제3 처리 가스 공급원(360c), 노즐 지지부(350c), 노즐(340c)을 제3 처리 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 가스 공급관(310d), MFC(320d), 밸브(330d)에 의해 불활성 가스 공급계가 구성된다. 불활성 가스 공급원(360d), 노즐 지지부(350d), 노즐(340d)을 불활성 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다.
반응관(203)에는 배기구(230)가 형성된다. 배기구(230)는 제2 가스 배기구(237)보다 하방에 형성되고, 배기관(231)에 접속된다. 배기관(231)에는 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정부로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성된다. 진공 펌프(246)의 하류측의 배기관(231)은 배기 가스 처리 장치(미도시) 등에 접속된다. 또한 APC 밸브(244)는 밸브를 개폐하여 처리실(201)의 진공 배기·진공 배기 정지를 할 수 있고, 또한 밸브 개도(開度)를 조절해서 컨덕턴스를 조정하여 처리실(201)의 압력 조정을 할 수 있도록 이루어진 개폐 밸브다. 주로 배기관(231), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기부로서 기능하는 배기계가 구성된다. 또한 진공 펌프(246)를 배기계에 포함시켜도 좋다.
반응관(203) 내에는 온도 검출기로서의 온도 센서(미도시)가 설치되고, 온도 센서에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)로의 공급 전력을 조정하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 구성된다.
이상의 처리로(202)에서는 뱃치(batch) 처리 되는 복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 대하여 다단으로 적재된 상태에서 보트(217)가 보트 지지대(218)로 지지되면서 처리실(201)에 삽입되고, 히터(207)가 처리실(201)에 삽입된 웨이퍼(200)를 소정의 온도로 가열하도록 이루어진다.
(컨트롤러 구성)
도 4에 도시하는 바와 같이 제어 시스템(240)은 주제어부(메인 컨트롤러)인 컨트롤러(121)와, 레시피 실행 유닛으로서의 프로세스계 컨트롤러 PMC(Process Module Controller)와, 잡 실행 유닛으로서의 반송계 컨트롤러를 적어도 포함한다. 또한 컨트롤러(121)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되는 기억 장치(128)나 터치패널 등으로서 구성된 표시부로서의 입출력 장치(127)가 접속된다.
또한 도 4는 처리로(202)가 2개 있는 경우의 도시예다. 이하, 프로세스계 컨트롤러 PMC는 단순히 PMC라고 부른다. PMC1 및 PMC2는 각각 도 3에 도시하는 처리로(202)에 접속되지만, PMC(2)에서는 도시를 생략한다.
기억 장치(128) 내에는 기판 처리 장치(10)의 동작을 제어하는 제어 프로그램(잡)이나, 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 성막 레시피로서의 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 PMC에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 또한 메인터넌스 레시피는 웨이퍼(200)를 장치 내에 투입하지 않는 상태에서 메인터넌스 공정에서의 각 순서를 PMC에 실행시켜 예컨대 부품을 보수할 수 있는 보수 레시피다.
기억 장치(128) 내에는 또한 후술하는 메인터넌스 항목(도 6), 메인터넌스 처리(도 7)를 도시하는 테이블이 격납된다. 이 테이블은 전술한 보수 레시피에 관련된다. 컨트롤러(121)는 기억부(128)로부터 보수 레시피와 상기 보수 레시피에 관련되는 이들의 테이블을 판독하고, PMC에 각각 다운로드하도록 구성된다. PMC는 이들 테이블 내의 데이터를 보수 레시피의 실행에 이용하도록 구성된다.
기억 장치(128)에는 이 프로세스 레시피를 포함하는 잡(프로세스 잡)이 실행되는 것에 의해 장치를 구성하는 각 부품을 동작시키는 것에 의해 발생하는 장치 데이터가 격납된다. 이들 장치 데이터에는 컨트롤러(121)의 타임 스탬프 기능에 의해 시각 데이터가 부가된다. 또한 메인터넌스 레시피(보수 레시피)를 포함하는 잡(메인터넌스 잡)에 대해서도 마찬가지이다. 또한 잡(프로세스 잡이나 메인터넌스 잡)은 이하, 메인 레시피로서 다루어지는 경우가 있다. 서브 레시피는 이 메인 레시피를 보조하는 레시피이며, 예컨대 간단한 소정의 스텝을 반복해서 실행하는 경우 등에 사용된다. 이들은 프로그램으로서 기능한다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램(잡) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다.
본 실시 형태에서는 PMC가 전처리, 본처리, 후처리의 3개의 스텝으로 구성되는 메인 레시피를 실행하는 것에 의해 기판 처리에서의 일련의 처리 공정이 수행된다. 여기서 메인 레시피의 본처리가 기판 처리 공정에 해당한다. 이들 전처리, 본처리(기판 처리 공정), 후처리의 각 스텝에 대해서는 후술한다.
여기서 보수 레시피는 퍼지 레시피, 웜업 레시피, 클리닝 레시피 등을 들 수 있고, 에러의 내용에 따라 적절히 선택해서 실행된다. 또한 에러가 발생한 개소(箇所)(부품)에 따라 미리 보수 레시피가 설정되어도 좋다. 이들 보수 레시피 실행 시의 처리로(202) 내[처리실(201)]는 각각의 보수 레시피의 내용에 따라 온도, 가스 유량, 전력, 압력 등의 제어 파라미터의 각각이 임의로 설정된다.
여기서 장치 데이터는 전술한 바와 같이 잡을 실행할 때 수집되는 데이터다. 예컨대 기판 처리 장치가 웨이퍼(200)를 처리할 때(프로세스 레시피를 실행할 때)의 처리 온도, 처리 압력, 처리 가스의 유량 등 기판 처리에 관한 데이터(예컨대 설정값, 실측값)나, 제조한 제품 기판의 품질(예컨대 성막한 막 두께 및 상기 막 두께의 누적값 등)에 관한 데이터나, 기판 처리 장치(10)의 구성 부품(반응관, 히터, 밸브, MFC 등)에 관한 데이터(예컨대 설정값, 실측값) 등 기판 처리 장치가 웨이퍼(200)를 처리할 때 각 구성 부품을 동작시키는 것에 의해 발생하는 데이터가 포함된다. 마찬가지로 기판 처리 장치를 보수할 때(메인터넌스 레시피를 실행할 때)에 각 구성 부품을 동작시키는 것에 의해 발생하는 데이터가 장치 데이터에 포함된다.
컨트롤러(121)는 입출력 장치(127)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(128)로부터 프로세스 레시피(또는 보수 레시피)를 판독하도록 구성된다. 컨트롤러(121)는 PMC를 개재하여 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 MFC(320a 내지 320f)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(330a 내지 330f)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 보트 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
컨트롤러(121)는 반송계 컨트롤러를 개재하여 프로세스 잡의 내용을 따르도록 포드 반송 장치(130)에 의한 로드 포트(22), 포드 선반(105), 포드 오프너(21) 사이에서의 포드(110)의 반송 동작, 포드 오프너(21)에 의한 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡 탈착 동작, 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(기판 보지체)(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로서 보트(기판 보지구)(217)에 대한 웨이퍼(200)의 장전(charging) 동작 및 탈장(discharging) 동작 등을 제어하도록 구성된다.
(기판 처리 공정)
다음으로 도 3을 이용하여 기판 처리 공정에 대해서 설명한다. 소정 매수의 웨이퍼(200)가 재치된 보트(217)가 반응관(203) 내에 삽입(보트 로드)되고, 씰 캡(219)에 의해 반응관(203)이 기밀하게 폐색된다. 기밀하게 폐색된 반응관(203) 내에서는 웨이퍼(200)가 가열되는 것과 함께 처리 가스가 반응관(203) 내에 공급되고, 웨이퍼(200)에 소정의 처리가 이루어진다.
소정의 처리로서 예컨대 제1 처리 가스로서 PH3 가스와, 제2 처리 가스로서 SiH4 가스를 동시 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 Si막을 형성한다.
우선 제1 처리 가스 공급계의 가스 공급관(310a)으로부터 노즐(340a)의 가스 공급공(234a), 가스 공급 슬릿(235)을 개재하여 처리실(201)에 PH3 가스를 공급하는 것과 함께, 제2 처리 가스 공급계의 가스 공급관(310b)으로부터 노즐(340b)의 가스 공급공(234b), 가스 공급 슬릿(235)을 개재하여 처리실(201)에 SiH4 가스를 공급한다. 구체적으로는 밸브(330a, 330b, 330e, 330f)를 여는 것에 의해 캐리어 가스와 함께 가스 공급관(310a)으로부터 PH3 가스와 공급관(310b)으로부터 SiH4 가스의 처리실(201)로의 공급을 시작한다. 이때 APC 밸브(244)의 개도를 조정하여 처리실(201)의 압력을 소정의 압력으로 유지한다. 소정 시간이 경과하면 밸브(330a, 330b)를 닫고 SiH4 가스 및 PH3 가스의 공급을 정지한다.
처리실(201) 내에 공급된 SiH4 가스 및 PH3 가스는 웨이퍼(200)에 공급되고 웨이퍼(200) 상을 평행하게 흐른 뒤, 제1 가스 배기구(236)를 통과해서 간극(S)을 상부로부터 하부로 흐르고, 제2 가스 배기구(237), 배기구(230)를 개재하여 배기관(231)으로부터 배기된다.
밸브(330a, 330b)를 닫고 처리실(201)로의 SiH4 가스 및 PH3 가스의 공급을 정지한 후는 처리실(201)을 배기하고 처리실(201)에 잔류하는 SiH4 가스, PH3 가스나 반응 생성물 등을 배제한다. 이때 가스 공급관(310a, 310b, 310c, 310d)으로부터 N2 등의 불활성 가스를 각각 처리실(201) 및 간극(S)에 공급해서 퍼지하면 처리실(201) 및 간극(S)으로부터의 잔류 가스를 배제하는 효과를 한층 더 높일 수 있다.
웨이퍼(200)의 처리가 완료되면, 상기한 동작의 반대 순서에 의해 보트(217)가 반응관(203) 내로부터 반출(보트 언로드)된다.
여기서 Si막을 형성할 때의 프로세스 조건은 다음과 같다.
Si 소스: SiH4(모노실란)
성막 온도: 520℃
압력: 0.68Torr
가스 유량: 2.8SLM(모노실란)
성막 시간: 약 15분
전술한 실시 형태에서는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 동시에 공급하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 교호(交互)적으로 공급하는 경우에도 적용할 수 있다.
다음으로 도 5 내지 도 9를 이용하여 본 실시 형태에서의 프로세스 잡(메인 레시피)을 실행하는 처리 흐름이자, 특히 전처리 스텝의 선두 스텝에서 메인터넌스 처리를 실행 가능하게 하는 처리 흐름에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 5에 도시하는 바와 같이 프로세스 잡은 전처리(스탠바이 스텝)와 본처리(성막 스텝)와 후처리(엔드 스텝)를 포함하는 메인 레시피이며, 본 실시 형태에서는 전처리 스텝의 제1 스텝(선두 스텝)에서 알람 처리(메인터넌스 처리)를 실행 가능하도록 구성된다. 여기서 전처리 스텝은 처리 준비를 정비하는 공정이며, 처리로(202) 내의 처리 환경(처리 분위기)을 정비하는 공정, 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)하는 공정, 처리로(202)의 하측의 보트(217)와 웨이퍼(200)가 대기하는 이재 환경(이재 분위기)을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 스텝이다.
구체적으로는 전처리 스텝의 제1 스텝에서 서브 레시피를 실행하고, 이 서브 레시피의 제1 스텝에서 메인터넌스 처리를 실행하도록 구성된다. 여기서 메인터넌스 처리는 기판을 처리하는 처리로(202) 내를 구성하는 부재를 메인터넌스 하는 보수 레시피를 가리킨다. 또한 이 메인터넌스 처리에 대해서는 후술한다.
도 6에 도시하는 바와 같이 부품(부품)마다 메인터넌스 항목이 설정된다. 또한 이 메인터넌스 항목은 예컨대 표시부(127)에 표시하여 화면상에서 임의로 설정되도록 해도 좋다.
도 6에서 「FOUP」으로서의 포드(110), 「WAFER」로서의 웨이퍼(200), 「BOAT」로서의 보트(217), 「TUBE」로서의 반응관(203), 「EQUIPMENT」로서의 기판 처리 장치(10)가 각각 부품으로서 설정된다.
도 6에서 「사용 횟수」, 「사용 시간」, 「장치 내 체류 시간」, 「누적 막 두께」, 「사용 가능 잔여 매수」, 「대기 시간」, 「메인터넌스 처리 실행 횟수」, 「더미 웨이퍼의 사용 횟수」, 「더미 웨이퍼 누적 막 두께」가 각각 메인터넌스 항목으로서 설정된다. 이들 부품이나 메인터넌스 항목은 예컨대 부품 추가 메인터넌스 항목 삭제 등이 임의로 설정 가능하도록 구성된다. 또한 도 6에서 「-」은 설정 무효를 나타내고, 「0」이 설정 유효를 나타낸다. 이 유효 「0」, 무효 「-」의 설정도 적절히 편집 가능하도록 구성된다.
예컨대 대상으로 하는 부품 「EQUIPMENT」의 메인터넌스 항목이 「대기 시간」인 경우, 여기서 「대기 시간」은 기판 처리 장치(10)가 대기(IDLE)로 되어 있는 시간이며, 예컨대 연속 처리하고 있는 경우에는 「대기 시간」 0min이며, 다음으로 준비하는 로트가 없는 경우에는 처리 후에 대기(IDLE)가 된다. 이 기판 처리 장치(10)의 대기 시간이 예컨대 1시간에 도달하여 노 내 사이클 퍼지가 실행된다. 이 경우, 메인터넌스 처리를 실행하기 위한 임계값은 1시간으로 미리 설정된다.
예컨대 대상으로 하는 부품 「TUBE」의 메인터넌스 항목이 「사용 횟수」인 경우, 여기서 「사용 횟수」는 처리로(202) 내의 프로세스 처리 횟수를 의미하고, 예컨대 레시피 내의 특정 스텝을 실행하면 1회로 카운트 한다. 이 실행 횟수가 미리 결정된 임계값에 도달하면 메인터넌스 처리를 실행한다. 예컨대 메인터넌스 처리 시에 실행되는 보수 레시피로서 노 내 사이클 퍼지나 클리닝 레시피가 실행된다.
예컨대 대상으로 하는 부품 「BOAT」의 메인터넌스 항목이 「누적 막 두께」인 경우, 여기서 보트(217)의 누적 막 두께라는 것은 처리로(202) 내에 보트(217)가 삽입된 상태에서 예컨대 레시피 내의 특정 스텝이 실행된 경우, 그 스텝에 미리 등록된 막 두께 값의 누적을 나타낸다. 이 누적 막 두께가 미리 결정된 임계값에 도달하면 메인터넌스 처리를 실행한다. 예컨대 메인터넌스 처리 시에 실행되는 보수 레시피로서 클리닝 레시피가 실행된다.
그리고 도 6에서 「0」 설정된 메인터넌스 항목에 대한 메인터넌스 처리가 도 7에 정의되어 있다. 메인터넌스 처리로서는 「지정 없음」, 「알람 보고」, 「잡 실행 금지」, 「메인터넌스 잡 수동 스타트」, 「메인터넌스 잡 자동 스타트」, 「알람 레시피 호출」이 있다. 메인터넌스 처리를 실행하는 타이밍은 메인터넌스 항목이나 메인터넌스 처리에 의해 적절히 결정 가능하다. 이에 의해 성막 처리 종료 후의 후처리로서의 메인터넌스 처리, 성막 처리 시작 전의 전처리로서의 메인터넌스 처리를 구분해서 사용할 수 있고, 메인터넌스 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
도 7에 도시하는 「지정 없음」이 선택되면, 메인터넌스 처리는 수행되지 않는다. 알람이 통지된 상태에서 메인터넌스 처리를 「지정 없음」으로 변경한 경우, 알람은 회복하도록 이루어진다. 예컨대 경미한 알람이 발생한 경우에는 「지정 없음」을 선택해서 강제적으로 알람을 회복시켜서 처리를 속행시킬 수 있다.
다음으로 「알람 보고」가 선택되면 알람을 통지하도록 구성된다. 이 메인터넌스 처리에서는 대상 부품의 메인터넌스 항목의 현재값을 임계값 이하로 설정하는 것에 의해 알람을 회복할 수 있다. 통지는 필요하지만 처리를 정지할 정도도 아닌 경미한 에러로 설정된다.
「잡 실행 금지」가 선택되면, 현재 실행 중인 잡을 실행 종료한 타이밍에서 다음 잡 실행을 일시 정지하도록 구성된다. 이 메인터넌스 처리는 대상 부품의 메인터넌스 항목의 현재값을 임계값 이하로 설정하는 것에 의해 알람을 회복할 수 있고, 다음 잡을 실행할 수 있다.
「메인터넌스 잡 수동 스타트」가 선택되면, 메인터넌스 잡을 자동 생성하여 다음으로 실행하는 잡 전에 끼워 넣도록 구성된다. 이 메인터넌스 잡은 수동 스타트 지정 때문에 스타트 대기가 되고, 스타트 지시가 있으면 이 메인터넌스 잡을 실행하도록 구성된다. 메인터넌스 잡 정상 종료 시 알람을 회복한다. 한편, 메인터넌스 잡 이상 종료 시 알람을 회복하지 않는다. 이 경우, 알람 발생 대상 부품의 메인터넌스 항목의 현재값을 임계값 이하로 설정하는 것에 의해 알람을 회복할 수 있다. 또한 「메인터넌스 잡 자동 스타트」는 다른 실행 중인 잡이 없으면 메인터넌스 잡을 잡 스타트 대기 없이 자동 실행하는 것 이외는 「메인터넌스 잡 수동 스타트」와 마찬가지다.
「알람 레시피 호출」이 선택되면, 전처리 스텝으로서의 스탠바이 스텝에서 실행되는 서브 레시피의 제1 스텝에서 감시 대상의 부품에 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 임계값에 도달하고 있을 경우, 지정의 알람 레시피 처리를 실행하도록 구성된다. 그리고 알람 레시피 처리가 정상 종료 시 알람을 회복하고, 알람 레시피 처리가 이상 종료 시 알람은 회복하지 않는다. 또한 감시 대상의 부품에 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 임계값에 도달하지 않은 경우에는 아무 것도 실행하지 않고 다음 스텝을 자동 실행하도록 구성된다.
도 7에 정의되는 메인터넌스 처리의 내용은 도 6에 도시하는 메인터넌스 항목과 마찬가지로 적절한 메인터넌스 내용의 변경, 삭제, 추가가 임의로 설정 가능하도록 구성된다. 또한 도 7에 도시하는 메인터넌스 처리도 도 6에 도시하는 메인터넌스 항목과 마찬가지로 표시부(127)에 표시하고, 화면상에서 임의로 설정 가능하도록 해도 좋다. 또한 상기 알람 레시피를 포함하는 메인터넌스 레시피(보수 레시피)의 내용이 보트 로드 공정, 메인터넌스 공정, 보트 언로드 공정에 한정되지 않는다. 예컨대 보트 회전 기구(267)의 회전축(265) 부근의 파티클 제거를 위한 보수 레시피는 본처리(보트 로드 공정, N2 퍼지 공정, 보트 언로드 공정)에 쿨링 공정을 포함하도록 구성된다. 이 보수 레시피의 상세는 후술한다.
도 8은 도 5에서의 전처리에서 실행되는 서브 레시피의 제1 스텝을 구체적으로 도시하는 시퀀스다. 도 8에 도시하는 바와 같이 잡 실행 유닛 TM으로부터 제1 레시피 실행 지시가 레시피 실행 유닛 PMC에 송신된다. 레시피 실행 유닛 PMC는 레시피 본체(프로세스 레시피 본체)를 제어부(121)에 요구하고, 제어부(121)는 레시피 본체(프로세스 레시피 본체)의 데이터를 레시피 실행 유닛 PMC에 송신한다.
다음으로 본 실시 형태에서는 레시피 실행 유닛 PMC는 메인터넌스 항목의 상태를 제어부(121)에 요구하고, 제어부(121)는 메인터넌스 항목의 상태의 데이터(예컨대 현재값)를 레시피 실행 유닛 PMC에 송신하고, 레시피 실행 유닛 PMC는 메인터넌스 항목의 상태의 데이터를 접수하면 잡 실행 유닛 TM에 레시피 취득 완료를 통지하고, 이 통지를 접수한 잡 실행 유닛 TM은 레시피 실행 유닛 PMC에 제2 레시피 실행 지시를 송신한다. 여기서 메인터넌스 항목 상태 데이터의 내용은 메인터넌스 항목마다 메인터넌스 처리 방법이 격납된다. 도 7에 도시하는 「알람 레시피 호출」의 경우, 본 실시 형태에서는 메인터넌스 처리 필요 유무 정보가 격납된다. 여기서 메인터넌스 처리로서 「알람 레시피 호출」이 선택되지 않은 경우, 서브 레시피를 실행하지 않도록 구성해도 좋다. 또한 이 메인터넌스 처리 필요 유무 정보에 메인터넌스 항목의 현재값이 임계값에 도달하고 있는지의 정보를 포함시키고, 임계값에 도달되지 않았으면 서브 레시피를 실행하지 않도록 구성해도 좋다.
다음으로 도 9에 도시하는 알람 처리의 실행을 판정하는 공정이 실행된다. 레시피 실행 유닛은 알람 레시피로서의 보수 레시피의 실행의 설정 확인과, 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값과 임계값을 비교하고, 임계값에 도달하고 있는지를 확인하도록 구성된다. 레시피 실행 유닛은 이 현재값이 임계값에 도달한 경우, 보수 레시피를 실행하고, 이 현재값이 임계값에 도달하지 않은 경우, 특히 보수 레시피를 실행하지 않고 정식 본 공정을 종료한다.
도 8에 도시하는 바와 같이 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 임계값에 도달한 경우, 레시피 실행 유닛은 알람 레시피 실행 시작 시에 제어부(121)에 처리 시작하는 통지를 송신하고, 알람 레시피 실행 종료 시에 제어부(121)에 처리 종료하는 통지를 송신한다. 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 임계값에 도달하지 않은 경우, 레시피 실행 유닛은 특히 보수 레시피를 실행할 필요가 없다는 판정이므로 다음 스텝으로 이행하여 레시피를 계속하도록 구성된다.
레시피 실행 유닛은 알람 레시피가 정상적으로 종료되지 않은 경우, 소정의 에러 처리를 실행하도록 구성된다. 소정의 에러 처리는 예컨대 후처리에 강제적으로 이행(점프)하여 후처리를 하도록 구성된다. 이 경우, 레시피 실행 유닛은 도 5에 도시하는 서브 레시피(쿨링 처리나 웨이퍼 회수)는 생략(스킵)하고 일시 정지 상태로 한다. 또는 레시피 실행 유닛은 어보트 레시피를 실행하여 어보트 처리가 수행된다. 이 경우도 마찬가지로 일시 정지 상태가 된다. 어느 경우든 발생한 장해(에러)에 대한 처리를 수행하고, 그 후 생산 처리에 복구한다.
알람 레시피가 정상적으로 종료되면, 서브 레시피의 제1 스텝의 다음 스텝을 실행하도록 구성된다. 도 5에 도시하는 바와 같이 서브 레시피는 기판을 반송하는 이재 스텝을 더 포함하고, 웨이퍼(200)를 보트(217)에 이재하는 이재 스텝을 실행하도록 구성된다. 또한 이재 스텝이 이상 종료되면 전술과 같이 일시 정지 상태가 된다. 그리고 이 이재 스텝이 종료되면 서브 레시피로부터 메인 레시피의 제2 스텝이 시작된다. 그리고 본처리(성막 스텝)가 시작된다. 여기서 본처리는 전술했으므로 생략한다.
또한 제어부(121)는 알람 레시피가 정상적으로 종료되면 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값을 제로(0)로 클리어 하도록 구성된다. 이에 의해 제어부(121)는 감시 대상의 부품에 설정된 메인터넌스 항목에 의해 발생한 알람을 해제하도록 구성된다. 이에 의해 잡이 2회 연속해서 실행하도록 미리 예약된 경우, 1회째의 잡이 종료 시에 임계값에 도달해도, 2회째의 잡의 전처리의 제1 스텝에서 알람 레시피를 실행해서 정상적으로 종료되면 2회째의 잡을 처리로(202) 내의 분위기를 정비된 상태에서 실행할 수 있다.
다음으로 후처리(엔드 스텝)는 성막 후의 후처리이며, 노 내 환경을 다음 성막을 위해서 정돈하는 공정, 처리 완료된 보트(217)나 웨이퍼(200)를 냉각(쿨링)하는 공정, 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보트(217)로부터 회수(웨이퍼 디스차지)하는 공정을 적어도 포함하는 스텝이다.
구체적으로는 도 5에 도시하는 바와 같이 제어부(121)는 후처리의 제1 스텝에서 서브 레시피를 실행하고, 후처리에서 실행되는 서브 레시피는 적어도 처리 완료된 웨이퍼(200)나 보트(217)를 냉각하는 쿨링 스텝과, 보트(217)로부터 처리 완료된 웨이퍼(200)를 회수하는 이재 스텝을 포함하도록 구성된다. 그리고 서브 레시피가 종료되면 후처리 스텝으로 이행하여 다음 성막 처리를 위해서 처리로(202) 내의 처리 환경을 정비하는 처리가 수행된다.
(실시예 1)
다음으로 기판 처리 장치(10)의 동작에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는 예약되어 있었던 프로세스 잡의 실행 처리 시작 시간이 되면 제어부(121)는 기판 처리 장치(10)를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작을 제어해서 프로세스 잡을 시작한다.
전처리의 제1 스텝(선두 스텝)에서[웨이퍼(200)의 반송 처리 전에] 메인터넌스 처리를 실행할지의 여부를 판정하는 공정이 제어부(121)에 의해 실행된다. 구체적으로는 레시피 실행 유닛 PMC가 메인터넌스 처리를 실행할 필요가 있는지의 여부를 판정한다. 예컨대 레시피 실행 유닛 PMC로부터 실행되는 임계값과 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 비교된다. 본 실시 형태에서는 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값이 알람 레시피를 실행하는 임계값에 도달했는지가 비교된다. 또한 이 비교는 도 6에서 「0」 설정된 메인터넌스 항목 중 메인터넌스 처리 항목이 도 7에 도시하는 「알람 레시피 호출」에 설정된 메인터넌스 항목에 대해서 수행되도록 구성해도 좋다.
알람 레시피를 실행하는 임계값에 현재값이 도달하지 않은 경우에는 메인터넌스 처리 불필요로 판정되고, 레시피 실행 유닛 PMC는 다음 스텝으로 이행하여 서브 레시피를 계속한다. 이 경우, 레시피 실행 유닛 PMC는 잡 실행 유닛으로서의 반송계 컨트롤러에 서브 레시피의 제1 스텝의 종료를 통지한다. 알람 레시피를 실행하는 임계값에 현재값이 도달한 경우에는 메인터넌스 처리 필요로 판정되고, 레시피 실행부 PMC는 서브 레시피의 제1 스텝에서 메인터넌스 처리를(알람 레시피를 호출하여) 실행한다. 레시피 실행부 PMC는 이때 알람 처리 시작 통지 및 종료 통지를 제어부(121)에 송신한다.
알람 레시피가 정상 종료되면 전술한 바와 같이 레시피 실행부 PMC는 다음 스텝으로 이행하여 서브 레시피를 계속시킨다. 제어부(121)는 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값을 제로로 되돌리고, 발생하던 알람을 해제하도록 구성된다.
알람 레시피가 이상 종료되면 레시피 실행부 PMC는 소정의 에러 처리를 실행시켜 장치를 일시 정지 상태로 한다. 한편, 제어부(121)는 미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값을 유지하면서 그대로 알람을 보지하도록 구성된다.
제1 스텝의 종료 통지를 접수한 반송계 컨트롤러는 웨이퍼(200)를 보트(217)에 이재하는 이재 스텝을 실행하도록 구성된다. 즉 전처리의 이재 스텝으로서 웨이퍼(200)의 반송 처리가 반송계 컨트롤러에 의해 수행된다. 포드(110)가 로드 포트(22)에 공급되면 로드 포트(22) 상의 포드(110)는 포드 반입 장치에 의해 광체(111)의 내부에 포드 반입반출구로부터 반입된다. 반입된 포드(110)는 포드 선반(105)의 지정된 재치부(140)에 포드 반송 장치(130)에 의해 자동적으로 반송되어 수도(受渡)되고, 일시적으로 보관된 후 포드 선반(105)으로부터 일방(一方)의 포드 오프너(21)에 반송되어 수도되어 재치대(122)에 이재되거나, 또는 직접 포드 오프너(21)에 반송되어 재치대(122)에 이재된다.
재치대(122)에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에서의 웨이퍼 반입반출구(120)의 개구 연변부에 압부(押付)되는 것과 함께 그 캡이 캡 탈착 기구(123)에 의해 제거되어 웨이퍼 출입구가 개방된다. 포드(110)가 포드 오프너(21)에 의해 개방되면, 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통해서 픽업되어 이재실(8)의 후방에 있는 반송실(6)에 게이트 밸브(90)를 개재하여 반입되고, 보트(217)에 장전(차징)된다. 이때 미도시의 노치 맞춤 장치로 웨이퍼를 정합한 후, 차징을 수행해도 좋다. 보트(217)에 웨이퍼(200)를 수도한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)에 돌아가 다음 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 포드 오프너(21)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(하단 또는 상단)의 포드 오프너(21)에는 포드 선반(105)으로부터 다른 포드(110)가 포드 반송 장치(130)에 의해 반송되어 이재되고, 포드 오프너(21)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시 진행된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 프로세스 레시피(본처리)가 실행된다. 이 프로세스 레시피는 기판을 처리하기 위한 레시피이며, 컨트롤러(121)에 의해 제어된다. 이 프로세스 레시피가 시작되면 노구 셔터(147)에 의해 닫혀 있던 처리로(202)의 하단부가 노구 셔터(147)에 의해 개방된다. 계속해서 웨이퍼(200) 군(群)을 보지한 보트(217)는 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되는 것에 의해 처리로(202) 내에 반입(로딩)된다.
로딩 후는 프로세스계 컨트롤러에 의해 처리로(202)에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리가 실시된다. 처리 후는 전술한 반대의 순서로 웨이퍼(200) 및 포드(110)는 광체의 외부에 반출(하중 제거)된다.
(비교예)
도 10a에 도시하는 바와 같이 1개의 잡으로 복수 회의 성막 처리를 실행하는 경우[예컨대 N매의 웨이퍼(200)를 N/2매와 N/2매로 나눠서 성막 처리를 수행하는 경우], 또한 같은 처리실(201)[또는 처리로(202)]에 대하여 연속 성막 처리를 수행하는 경우, 종래의 메인터넌스 처리는 도 7에 도시하는 「알람 레시피 호출」이 없었기 때문에 「메인터넌스 잡 자동 스타트」가 설정되어 있었다고 해도 1개의 프로세스 잡을 실행할 때 2회 연속 해서 프로세스 레시피를 실행하므로 1회째의 프로세스 레시피 실행 중에 스케쥴드 메인터넌스 임계값에 도달하여 메인터넌스가 필요하다고 장치가 인식해도[제어부(121)가 판정함], 2회째의 프로세스 레시피가 실행된 후가 아니면(프로세스 잡이 종료되지 않으면) 메인터넌스 잡에 의한 보수 레시피를 실행하지 못했다. 이 때문에 기판 처리 결과가 나쁘다는 것을 알고 있어도 2회 연속해서 프로세스 레시피를 실행해야 했고, 기판 처리 결과의 신뢰성의 저하가 염려되고 있었다.
(실시예 2)
도 10b에 도시하는 바와 같이 1개의 잡으로 복수 회의 성막 처리를 실행하는 경우[예컨대 N매의 웨이퍼(200)를 N/2매와 N/2매로 나눠서 성막 처리를 수행하는 경우], 또한 같은 처리실(201)[또는 처리로(202)]에 대하여 연속 성막 처리를 수행하는 경우에도 본 실시 형태에서는 도 7에 도시하는 「알람 레시피 호출」을 설정하는 것에 의해 2회째의 프로세스 레시피의 전처리의 선두 스텝에서 메인터넌스 처리를 실행시킬 수 있다.
(실시예 3)
웨이퍼(200)에 Si막을 형성하는 경우, 뱃치 처리를 소정 횟수 수행하면, 보트 회전 기구(267)의 회전축(265) 부근에 파티클이 발생하는 경우가 있다. 본 실시 형태에서는 메인터넌스 처리는 도 7에 도시하는 알람 레시피 호출이 설정되고, 도 6에 도시하는 메인터넌스 항목은 웨이퍼(200)(WAFER) 및 반응관(203)(TUBE)의 사용 횟수가 설정된다. 구체적으로는 웨이퍼(200)(WAFER) 및 반응관(203)(TUBE) 중 적어도 일방의 사용 횟수가 임계값에 도달했을 때 이 파티클 저감을 목적으로 하는 메인터넌스 처리(알람 레시피)로서의 파티클 저감 레시피(도 11의 N2 퍼지 레시피)가 실행되도록 구성된다.
도 11에 도시하는 N2 퍼지 레시피는 본처리(보트 로드 공정, N2 퍼지 공정, 보트 언로드 공정)에 쿨링 공정을 포함하는 구성으로 이루어진다. 또한 도 11은 도 5에 도시하는 보수 레시피(메인터넌스 처리)를 구체화한 일 실시예로 이루어지고, 메인 레시피 등의 다른 레시피에 관해서는 도 5와 완전히 같다.
따라서 도 11에서 도 5와 같은 부분은 설명을 생략하고, 본 실시예에서는 메인터넌스 처리(알람 레시피)로서 도 11에 도시하는 N2 퍼지 레시피에 대해서 기재한다.
보트 로드 공정은 전술한 보트 로드 공정과 보트(217)를 처리로(202) 내에 삽입하는 동작은 변함없지만, N2 퍼지 레시피의 보트 로드 공정에서는 웨이퍼(200)를 장전되지 않은(빈) 보트(217)가 처리로(202) 내에 삽입된다. 또한 이 공정에서는 보트(217)를 탑재하지 않아도 좋고, 반대로 보트(217)에 제품이 아닌 노 내 조정용 웨이퍼(200)를 보트에 장전한 상태이어도 좋다. 이 보트(217)의 유무 및 보트(217)로의 웨이퍼(200)의 장전 유무는 임의로 설정 가능하도록 구성된다.
다음으로 처리로(202) 내[처리실(201)]의 압력을 조정하는 공정이다. 이때 압력뿐만 아니라 처리로(202) 내[처리실(201)]의 온도도 소정 온도로 조정되는 것은 말할 필요도 없다. 본 실시예에서는 다음으로 계속되는 N2 퍼지 공정이나 대기압 복귀 공정에서도 처리로(202) 내[처리실(201)]가 소정 온도, 소정 압력으로 유지되도록 구성된다.
그리고 처리로(202) 내[처리실(201)]의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서 N2 퍼지 가스 공정으로 이행된다. 여기서는 퍼지 가스가 처리로(202) 내[처리실(201)]에 공급된다. 구체적으로는 불활성 가스 공급계로부터 불활성 가스가 처리로(202) 내[처리실(201)]에 공급된다. 제1 처리 가스 공급계, 제2 처리 가스 공급계, 제3 처리 가스 공급계의 밸브(330a, 330b, 330c)가 닫힌다. 이때 제2 처리 가스 공급계, 제3 처리 가스 공급계의 밸브(330e, 330f)를 각각 열고, 불활성 가스를 처리로(202) 내[처리실(201)]에 공급해도 좋다. 또한 N2 퍼지 공정에서는 보트 회전 기구(267)의 회전축(265) 부근에 공급하는 퍼지 가스의 유량이 많게 설정된다.
여기서 N2 퍼지 레시피의 퍼지 조건은 예컨대 다음과 같다.
퍼지 가스: N2
가스 온도: 400℃
압력: 0.006Torr
그리고 처리로(202) 내[처리실(201)]의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서 일정 시간 불활성 가스가 공급되면, 대기압 복귀 공정으로 이행한다. 여기서는 처리로(202) 내[처리실(201)]의 압력이 대기압이 될 때까지 퍼지 가스가 처리로(202) 내[처리실(201)]에 공급된다. 또한 마찬가지로 처리로(202) 내[처리실(201)]의 온도도 저하된다.
어느 정도의 온도(예컨대 대기 온도)까지 저하되면 보트 언로드 공정으로 이행한다. 여기서는 보트(217)가 처리로(202) 내[처리실(201)]로부터 취출(取出)된다.
보트 언로드 후 적어도 보트(217)를 냉각하는 공정을 포함한다. 이는 N2 퍼지 시의 온도에 따라서는 보트(217)의 온도가 높은 상태에서 처리로(202) 내[처리실(201)]로부터 취출되는 경우가 있기 때문이다. 본 실시예에서는 N2 퍼지 시의 온도가 비교적 높기 때문에 냉각 공정이 설치된다. 구체적으로는 N2 퍼지 조건의 하나인 온도가 400℃로 높고, 냉각 공정을 설치하지 않고 이재 스텝으로 이행해버리면, 웨이퍼(200)를 이재 중에 반송 장해가 발생할 가능성이 있기 때문이다. 이 냉각 공정에서는 미리 설정 시간이 설치되어 있지만, 반송실(6)에 온도 센서를 설치하고 온도 센서로부터 검지되는 온도가 소정의 온도보다 낮아지면 냉각 공정을 종료해도 좋다. 또한 일례로서 N2 퍼지 레시피의 토탈 시간은 15분 정도다.
그리고 N2 퍼지 레시피가 종료되는 것과 함께 서브 레시피의 판정 공정의 다음 스텝으로 이행하도록 구성된다. 그 후 웨이퍼(200)의 이재 스텝으로 이행하도록 구성된다. 이 다음으로 이어지는 공정은 도 5와 마찬가지의 동작이기 때문에 설명은 여기에서는 생략한다.
본 실시예에서는 기판 처리 결과에 크게 영향을 미치는 파티클을 저감하기 위해서 웨이퍼(200) 및 반응관(203) 중 어느 일방의 사용 횟수가 임계값에 도달했을 때 알람 레시피를 실행하는 설정으로 한다. 하지만 이러한 설정에 한정되지 않고, 메인터넌스 목적에 따라 도 6에 도시하는 메인터넌스 항목 및 도 7에 도시하는 메인터넌스 처리가 적절히 결정된다. 또한 본 실시예에서의 보수 레시피는 본처리(보트 로드 공정, 처리 공정, 보트 언로드 공정)와 웨이퍼(200) 및 보트(217)를 각각 냉각하는 쿨링 처리의 조합으로 구성된다. 이와 같이 전처리에 편입되는 보수 레시피는 본처리(보트 로드 공정, 처리 공정, 보트 언로드 공정)의 구성에 한정되지 않고, 메인터넌스 내용에 따라 적절히 설정되도록 구성된다.
이와 같이 N2 퍼지 레시피를 실행하는 것에 의해 회전축(265) 부근의 파티클을 제거할 수 있다. 예컨대 씰 커버의 데드 스페이스에 체류하는 파티클을 대유량의 불활성 가스로 날려버릴 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 다음 (1) 내지 (6)에 나타내는 하나 이상의 효과를 갖는다.
(1) 현재의 프로세스 잡 실행 후, 보수 레시피를 실행했다고 해도 다음 프로세스 잡이 실행될 때까지의 동안의 시간(이하, 대기 시간)이 길어지면, 종래는 1뱃치째의 기판 처리 결과가 나빠지고 있었지만(2뱃치째 이후는 기판 처리 결과가 안정됨), 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 잡의 전처리의 선두 스텝에서 보수 레시피를 실행시키는 것에 의해 1뱃치째로부터 기판 처리 결과를 안정화시킬 수 있다.
(2) 본 실시 형태에서는 프로세스 잡의 전처리의 선두 스텝에서 보수 레시피를 실행시키는 것에 의해 본처리에서 실행되는 프로세스 레시피로의 영향이 미치지 않으므로 기판 처리 결과에 대한 영향을 지극히 작게 할 수 있다. 특히 연속해서 뱃치 처리를 수행하는 경우에도 상시 보수 레시피 실행 시 프로세스 레시피 실행까지의 시간이 일정해지므로 기판 처리 결과를 안정시킬 수 있다. 한편, 메인터넌스 레시피를 종료 후, 다음 프로세스 잡을 실행하는 종래 기술에서는 메인터넌스 레시피 종료 후에 프로세스 잡의 실행 지시가 있는지에 대한 여부가 불분명한 단계에서 메인터넌스 레시피가 실행되고, 프로세스 잡 실행 지시의 타이밍에 의해 프로세스 레시피의 실행까지의 시간이 불균일해져 기판 처리 결과에의 악영향이 염려된다.
(3) 본 실시 형태에서는 생산 처리하는 프로세스 잡의 전처리의 선두 스텝에 메인터넌스 처리를 편입시킬 수 있으므로 전처리에서의 사전 알람 리커버리 처리를 수행할 수 있다. 이에 의해 메인터넌스 항목의 현재값이 메인터넌스 처리를 실행하는 임계값을 확인하고 나서 프로세스 레시피를 실행할 수 있고, 예컨대 메인터넌스 항목의 현재값이 메인터넌스 처리를 실행하는 임계값을 초과해도 메인터넌스 처리를 실행하여 현재값을 제로로 하고 나서 프로세스 레시피를 실행하도록 구성되므로 기판 처리 결과를 안정시킬 수 있다.
(4) 본 실시 형태에서는 2회이상 연속해서 프로세스 레시피를 실행하고 있을 때 1회째의 프로세스 레시피 실행 중에 스케쥴드 메인터넌스 임계값에 도달하여 메인터넌스가 필요하다고 장치가 인식했다[제어부(121)가 판정했다]고 해도 2회째의 프로세스 레시피의 전처리의 선두 스텝에서 보수 레시피를 실행시킬 수 있으므로 2회째의 프로세스 레시피를 실행하기 전에 감시 대상의 메인터넌스 항목의 현재값을 제로로 할 수 있다.
(5) 본 실시 형태에서는 2회 이상 연속해서 프로세스 레시피를 실행하고 있을 때 1회째의 프로세스 레시피 실행 중에 스케줄드 메인터넌스 임계값에 도달하여 메인터넌스가 필요하다고 장치가 인식했다[제어부(121)가 판정했다]고 해도 2회째의 프로세스 레시피의 전처리의 선두 스텝에서 보수 레시피를 실행시켜서 감시 대상의 메인터넌스 항목의 현재값을 제로로 한 상태에서 2회째의 프로세스 레시피를 실행시킬 수 있으므로 기판 처리 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(6) 본 실시 형태에서는 N2 퍼지 레시피를 서브 레시피의 선두 스텝에서 실행하는 것에 의해 웨이퍼 이재 전에 씰 커버의 데드 스페이스에 체류하는 파티클 원(源)을 대유량의 불활성 가스로 날려버릴 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 본처리(보트 로드 공정, 처리 공정, 보트 언로드 공정)에서의 기판 처리 결과에 영향을 미치지 않도록 하기 위해서 본처리 시작(프로세스 레시피 시작) 시의 노 내 환경을 일정하게 하도록 전처리의 선두 스텝에 보수 레시피를 편입하도록 구성된다. 그것은 전처리의 선두 스텝은 본처리의 제1 스텝으로부터 가장 떨어져 있는 스텝이기 때문에 당연하다. 하지만 예컨대 보수 레시피 종료 후부터 본처리의 제1 스텝을 시작할 때까지의 시간을 소정 시간 이상으로 하면 본처리(보트 로드 공정, 처리 공정, 보트 언로드 공정)의 기판 처리 결과에 영향을 미치지 않는 것을 알고 있으면 요컨대 소정 시간 이상을 보지할 수 있으면 좋고, 전처리의 선두 스텝에 보수 레시피를 편입해야 한다는 것은 아니다.
본 개시의 실시 형태에서의 제어부(121)는 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있을 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치[예컨대 USB 메모리 등의 반도체 메모리 등]를 준비하고, 이 외부 기억 장치를 이용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태의 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 단, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 기억 장치(128)나 외부 기억 장치는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(128) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다.
또한 본 개시의 실시 형태에서의 기판 처리 장치(10)는 반도체를 제조하는 반도체 제조 장치뿐만 아니라, LCD(Liquid Crystal Display) 장치의 같은 유리 기판을 처리하는 장치에서도 적용 가능하다. 또한 노광 장치, 리소그래피 장치, 도포 장치, 플라즈마를 이용한 처리 장치 등의 각종 기판 처리 장치에도 적용 가능한 것은 말할 필요도 없다.
10: 기판 처리 장치

Claims (26)

  1. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 공정과, 기판 보지구(保持具)에 기판을 장전(裝塡)하는 공정과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 전처리 공정의 제1 스텝에서는 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부를 판정하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전처리 공정의 상기 제1 스텝은 서브 레시피를 실행하는 공정을 포함하고,
    상기 서브 레시피의 제1 스텝에서 상기 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부를 판정하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 서브 레시피의 상기 제1 스텝에서는,
    상기 보수 레시피를 실행하는 설정을 확인하는 공정; 및
    미리 설정된 메인터넌스 항목의 현재값과 임계값을 비교하는 공정;
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 메인터넌스 항목의 현재값이 상기 임계값에 도달한 경우, 상기 보수 레시피를 실행하고, 상기 서브 레시피의 상기 제1 스텝의 다음 스텝을 실행하도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 공정과, 기판 보지구에 기판을 장전하는 공정과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 전처리 공정의 제1 스텝에서는 서브 레시피를 실행하는 공정을 포함하고,
    상기 서브 레시피는, 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 수행하는 공정을 포함하는 제1 스텝과, 상기 기판을 반송하는 공정을 포함하는 이재 스텝을 포함하고,
    상기 서브 레시피의 상기 제1 스텝 실행 후 상기 서브 레시피의 상기 이재 스텝을 실행하도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 이재 스텝 실행 후, 상기 서브 레시피를 종료시켜서 상기 전처리 공정의 제1 스텝의 다음 스텝으로 이행하도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 보수 레시피가 정상 종료되지 않은 경우, 상기 서브 레시피를 강제적으로 종료 시켜 상기 후처리 공정을 실행시키도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 보수 레시피 종료 후, 상기 메인터넌스 항목의 현재값을 제로(0)로 하도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전처리 공정의 상기 제1 스텝에서
    소정의 메인터넌스 처리가 설정되어 있으면 서브 레시피를 실행하고,
    상기 소정의 메인터넌스 처리가 설정되어 있지 않으면 상기 서브 레시피를 실행하지 않고 상기 전처리 공정을 실행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 보수 레시피는 퍼지 레시피, 웜업 레시피, 클리닝 레시피로 이루어지는 군(群)으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 퍼지 레시피는 처리로 내의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서 퍼지 가스를 공급하는 공정이 실행되도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 공정과, 기판 보지구에 기판을 장전하는 공정과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 전처리 공정의 제1 스텝에서는 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 수행하는 공정을 포함하고,
    상기 보수 레시피는 퍼지 레시피, 웜업 레시피, 클리닝 레시피로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고,
    상기 퍼지 레시피는, 상기 처리로 내의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서 퍼지 가스를 공급하는 공정과, 기판 보지구를 상기 처리로 내에 삽입하는 공정 및 상기 처리로로부터 상기 기판 보지구를 취출(取出)하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 퍼지 레시피는 상기 기판 보지구를 냉각하기 위한 냉각 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제3항에 있어서,
    상기 메인터넌스 항목은 「사용 횟수」, 「사용 시간」, 「장치 내 체류 시간」, 「누적 막 두께」, 「사용 가능 잔여 매수」, 「대기 시간」, 「메인터넌스 처리 실행 횟수」, 「더미 웨이퍼의 사용 횟수」, 「더미 웨이퍼 누적 막 두께」로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나 이상이 선택되는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 메인터넌스 처리는 「지정 없음」, 「알람 보고」, 「잡 실행 금지」, 「메인터넌스 잡 수동 스타트」, 「메인터넌스 잡 자동 스타트」, 「알람 레시피 호출」로 이루어지는 군으로부터 하나가 선택되는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 메인터넌스 처리로서 상기 「알람 레시피 호출」이 선택되는 경우, 서브 레시피를 실행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 공정과, 기판 보지구에 기판을 장전하는 공정과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 공정을 적어도 포함하는 전처리 공정; 기판을 처리하는 성막 공정; 및 후처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 전처리 공정의 제1 스텝에서는 장치를 구성하는 부품으로서 「FOUP」으로서의 포드, 「WAFER」로서의 웨이퍼, 「BOAT」로서의 보트, 「TUBE」로서의 반응관, 「EQUIPMENT」로서의 처리 장치로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택되고, 선택된 상기 부품을 메인터넌스하는 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 수행하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 단계와, 기판을 기판 보지구에 장전하는 단계와, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 단계를 적어도 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램으로서,
    상기 전처리 스텝의 제1 스텝에서 상기 보수 레시피를 상기 레시피 실행부에 실행시킬지에 대한 여부를 판정하는 스텝을 포함하는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  20. 처리로 내의 처리 환경의 정비와, 기판 보지구로의 기판의 장전과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경의 정비를 적어도 실행 가능한 구성을 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치로서,
    상기 레시피 실행부는 상기 전처리 스텝의 제1 스텝에서 상기 보수 레시피를 실행 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  21. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 단계와, 기판 보지구에 기판을 장전하는 단계와, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 단계를 적어도 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램으로서,
    상기 기억부는 상기 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 포함하는 제1 스텝과, 기판을 반송하는 이재 스텝을 포함하는 서브 레시피를 더 격납하고,
    상기 제어부가 상기 전처리 스텝의 제1 스텝에서, 상기 레시피 실행부에 상기 서브 레시피의 제1 스텝 실행 후, 상기 서브 레시피의 상기 이재 스텝을 실행하도록 구성된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  22. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 단계와, 기판 보지구에 기판을 장전하는 단계와, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 단계를 적어도 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램으로서,
    상기 보수 레시피에서는 퍼지 레시피, 웜업 레시피, 클리닝 레시피로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 퍼지 레시피는 상기 처리로 내의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서 퍼지 가스를 공급하는 단계와, 상기 기판 보지구를 처리로 내에 삽입하는 단계 및 처리로로부터 기판 보지구를 취출하는 단계를 실행하도록 구성된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  23. 처리로 내의 처리 환경을 정비하는 단계와, 기판 보지구에 기판을 장전하는 단계와, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경을 정비하는 단계를 적어도 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램으로서,
    상기 제어부는 상기 전처리 스텝의 제1 스텝에서 장치를 구성하는 부품으로서 「FOUP」으로서의 포드, 「WAFER」로서의 웨이퍼, 「BOAT」로서의 보트, 「TUBE」로서의 반응관, 「EQUIPMENT」로서의 처리 장치로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택된 상기 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 수행하는 단계를 실행하도록 구성된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  24. 처리로 내의 처리 환경의 정비와, 기판 보지구로의 기판의 장전과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경의 정비를 적어도 실행 가능한 구성을 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치로서,
    상기 기억부는 상기 보수 레시피를 실행할지에 대한 여부의 판정을 포함하는 제1 스텝과, 기판을 반송하는 이재 스텝을 포함하는 서브 레시피를 더 격납하고,
    상기 제어부가 상기 전처리 스텝의 제1 스텝에서 상기 레시피 실행부에 상기 서브 레시피의 제1 스텝 실행 후, 상기 서브 레시피의 상기 이재 스텝을 실행하는 것이 가능하도록 구성된 기판 처리 장치.
  25. 처리로 내의 처리 환경의 정비와, 기판 보지구로의 기판의 장전과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경의 정비를 적어도 실행 가능한 구성을 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치로서,
    상기 보수 레시피에서는 퍼지 레시피, 웜업 레시피, 클리닝 레시피로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 퍼지 레시피는 상기 처리로 내의 온도나 압력이 소정값으로 유지된 상태에서, 퍼지 가스의 공급과, 상기 기판 보지구의 처리로 내로의 삽입과, 처리로로부터의 기판 보지구의 취출을 적어도 실행 가능하도록 구성된 기판 처리 장치.
  26. 처리로 내의 처리 환경의 정비와, 기판 보지구로의 기판의 장전과, 상기 기판 보지구와 상기 기판이 대기하는 이재 환경의 정비를 적어도 실행 가능한 구성을 포함하는 전처리 스텝과, 기판을 처리하는 성막 스텝과, 후처리 스텝을 포함하는 메인 레시피 및 장치를 구성하는 부품을 메인터넌스 하는 보수 레시피를 적어도 포함하는 파일을 격납하는 기억부; 및 상기 메인 레시피 및 상기 보수 레시피를 레시피 실행부에 실행시키는 제어부를 구비한 기판 처리 장치로서,
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