JPS6221229A - 処理装置 - Google Patents
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- JPS6221229A JPS6221229A JP60160236A JP16023685A JPS6221229A JP S6221229 A JPS6221229 A JP S6221229A JP 60160236 A JP60160236 A JP 60160236A JP 16023685 A JP16023685 A JP 16023685A JP S6221229 A JPS6221229 A JP S6221229A
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- tube
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/005—Transport systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、処理技術、特に、半導体装置の製造における
熱酸化膜形成処理技術に適用して有効な技術に関する。
熱酸化膜形成処理技術に適用して有効な技術に関する。
［背景技術］
一般に半導体装置の製造においては、シリコンなどの半
導体からなる基板、すなわちウェハに酸化膜を形成する
ため、ウェハを酸化性雰囲気中で加熱酸化させる熱酸化
膜形成装置が用いられる場合がある。
導体からなる基板、すなわちウェハに酸化膜を形成する
ため、ウェハを酸化性雰囲気中で加熱酸化させる熱酸化
膜形成装置が用いられる場合がある。
このような熱酸化膜形成装置としては、水平に設けられ
た反応管内に、反応管の一端からウェハを挿入して位置
させ、反応管の周囲に設けられたヒータで所定の温度に
加熱しつつ、所定量の酸素を含む反応ガスを反応管内に
供給して所定時間保持することにより、ウェハ表面に所
定の厚さの酸化膜を形成することが考えられる。
た反応管内に、反応管の一端からウェハを挿入して位置
させ、反応管の周囲に設けられたヒータで所定の温度に
加熱しつつ、所定量の酸素を含む反応ガスを反応管内に
供給して所定時間保持することにより、ウェハ表面に所
定の厚さの酸化膜を形成することが考えられる。
しかしながら、上記のような装置においては、ウェハを
反応管の一端から挿入する際に、所定の温度にすでに加
熱された反応管内部と外気との温度差などによって反応
管の内部にウェハとともに外気が巻き込まれ、反応管内
に巻き込まれた外気に含まれる酸素によってウェハ表面
が無秩序に酸化され、ウェハに形成される酸化膜の品質
を劣化させるという欠点があることを本発明者は見いだ
した。
反応管の一端から挿入する際に、所定の温度にすでに加
熱された反応管内部と外気との温度差などによって反応
管の内部にウェハとともに外気が巻き込まれ、反応管内
に巻き込まれた外気に含まれる酸素によってウェハ表面
が無秩序に酸化され、ウェハに形成される酸化膜の品質
を劣化させるという欠点があることを本発明者は見いだ
した。
なお、ウェハに対する酸化膜形成技術について説明され
ている文献としては、株式会社工業調査会、昭和５８年
１１月１５日発行「電子材料」１９８４年別冊、Ｐ３９
〜Ｐ４４がある。
ている文献としては、株式会社工業調査会、昭和５８年
１１月１５日発行「電子材料」１９８４年別冊、Ｐ３９
〜Ｐ４４がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、外気の巻き込みを防止して良好な処理
結果を得ることが可能な処理技術を提供することにある
。
結果を得ることが可能な処理技術を提供することにある
。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、処理室および該処理室内に被処理物を挿入す
る挿入治具が前記加熱部に対してそれぞれ相対的に移動
可能に構成され、前記処理室への前記挿入治具による被
処理物の挿入および取り出し操作が前記加熱部の外部に
おいて行われるように構成することにより、加熱された
処理室内に被処理物とともに外気が巻き込まれることを
防止して、たとえば、外気に含まれる酸素によって被処
理物が無秩序に酸化されたり被処理物の表面に異物など
が付着されることを回避して、良好な処理結果を得るよ
−うにしたものである。
る挿入治具が前記加熱部に対してそれぞれ相対的に移動
可能に構成され、前記処理室への前記挿入治具による被
処理物の挿入および取り出し操作が前記加熱部の外部に
おいて行われるように構成することにより、加熱された
処理室内に被処理物とともに外気が巻き込まれることを
防止して、たとえば、外気に含まれる酸素によって被処
理物が無秩序に酸化されたり被処理物の表面に異物など
が付着されることを回避して、良好な処理結果を得るよ
−うにしたものである。
また、処理室の開口部を通じて該処理室内に被処理物を
挿入する挿入治具に、該挿入治具の移動方向に対して相
対的に移動可能にされ、前記処理室の開口部に着脱自在
な補助管を設けることにより、加熱された処理室内に被
処理物とともに外気が巻き込まれることを防止して、た
とえば、外気に含まれる酸素によって被処理物が酸化さ
れたり被処理物の表面に異物などが付着されることを回
避して、良好な処理結果を得るようにしたものである。
挿入する挿入治具に、該挿入治具の移動方向に対して相
対的に移動可能にされ、前記処理室の開口部に着脱自在
な補助管を設けることにより、加熱された処理室内に被
処理物とともに外気が巻き込まれることを防止して、た
とえば、外気に含まれる酸素によって被処理物が酸化さ
れたり被処理物の表面に異物などが付着されることを回
避して、良好な処理結果を得るようにしたものである。
［実施例１］
第１図（ａ）および山）は、本発明の一実施例である熱
酸化膜形成装置の動作を順に説明する略断面図である。
酸化膜形成装置の動作を順に説明する略断面図である。
同図（ａｌにおいて、ヒータ１ （加熱部）は軸が鉛直
方向となるように設けられ、さらに、前記ヒータ１の内
部には、ヒータ１の軸方向に移動されることによって、
ヒータ１の内部に挿入され、あるいはヒータ１の外部に
移動される反応管２（処理室）が昇降自在に設けられて
いる。
方向となるように設けられ、さらに、前記ヒータ１の内
部には、ヒータ１の軸方向に移動されることによって、
ヒータ１の内部に挿入され、あるいはヒータ１の外部に
移動される反応管２（処理室）が昇降自在に設けられて
いる。
この反応管２はたとえば石英で構成され、ヒータ１から
の輻射熱によって内部が所定の温度に加熱されるもので
ある。
の輻射熱によって内部が所定の温度に加熱されるもので
ある。
また反応管２の上端部には反応ガス供給管２ａが設けら
れ、たとえば所定の比率で酸素ガスが混入された反応ガ
ス（処理流体）が反応管２の内部に供給される構造とさ
れ、さらに反応管２の下端部は開放されるように構成さ
れている。
れ、たとえば所定の比率で酸素ガスが混入された反応ガ
ス（処理流体）が反応管２の内部に供給される構造とさ
れ、さらに反応管２の下端部は開放されるように構成さ
れている。
反応管２の下方には、反応管２の昇降方向に移動自在な
ウェハ支持台３（挿入治具）が位置され、複数のウェハ
４（被処理物）が保持されるカセット５が着脱自在に載
置されるように構成されている。
ウェハ支持台３（挿入治具）が位置され、複数のウェハ
４（被処理物）が保持されるカセット５が着脱自在に載
置されるように構成されている。
そして、ヒータ１の下方に位置され、複数のウェハ４を
保持するカセット５が載置されるウェハ支持台３に、上
方から反応管２が降下され、反応管２の下端の開口部か
らウェハ支持台３に載置されるウェハが挿入され、反応
管２の下端の開口部がウェハ支持台３に密着された後、
反応管２はウェハ支持台３とともに上昇され、同図ｆｂ
ｌに示される状態となって、反応管２およびウェハ支持
台３に載置された複数のウェハ４がヒータ１の内部に位
置され所定の温度に加熱されるものである。
保持するカセット５が載置されるウェハ支持台３に、上
方から反応管２が降下され、反応管２の下端の開口部か
らウェハ支持台３に載置されるウェハが挿入され、反応
管２の下端の開口部がウェハ支持台３に密着された後、
反応管２はウェハ支持台３とともに上昇され、同図ｆｂ
ｌに示される状態となって、反応管２およびウェハ支持
台３に載置された複数のウェハ４がヒータ１の内部に位
置され所定の温度に加熱されるものである。
また、ヒータ１の内周部には、ヒータ１とヒータｌの内
部に位置される反応管２との間に位置されるように均熱
管６が設けられ、ヒータ１からの熱が反応管２の内部に
均等に伝達されるように構成されている。
部に位置される反応管２との間に位置されるように均熱
管６が設けられ、ヒータ１からの熱が反応管２の内部に
均等に伝達されるように構成されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
始めに、ヒータ１は所定の温度に加熱されるとともに、
反応管２の内部雰囲気は反応ガス供給管２ａを通じて、
たとえば窒素などの不活性ガスによって置換されている
。
反応管２の内部雰囲気は反応ガス供給管２ａを通じて、
たとえば窒素などの不活性ガスによって置換されている
。
次に、ヒータ１の下方に位置されるウェハ支持台３の上
には、所定数のウェハ４が保持されたカセット５が載置
される。
には、所定数のウェハ４が保持されたカセット５が載置
される。
その後、反応管２はウェハ支持台３に向かって降下され
、ヒータ１の外部において、ウェハ支持台３に載置され
たウェハは反応管２の内部の所定の位置に相対的に移動
されて挿入され、反応管２の開口部はウェハ支持台３に
密着されて停止される。
、ヒータ１の外部において、ウェハ支持台３に載置され
たウェハは反応管２の内部の所定の位置に相対的に移動
されて挿入され、反応管２の開口部はウェハ支持台３に
密着されて停止される。
この場合、反応管２の内部にウェハ４を挿入する操作が
ヒータ１の外部で行われるため、反応管２の内部とウェ
ハ４が位置される外気との大きな温度差などに起因して
外気が反応管２の内部に巻き込まれることが防止される
。
ヒータ１の外部で行われるため、反応管２の内部とウェ
ハ４が位置される外気との大きな温度差などに起因して
外気が反応管２の内部に巻き込まれることが防止される
。
次に、反応管２は開口端に密着されたウェハ支持台３と
ともに上昇され、反応管２および反応管２の内部の所定
の位置に挿入されれたウェハ４は外気から遮断された状
態でヒータＩの内部に移動され所定の温度に加熱される
。
ともに上昇され、反応管２および反応管２の内部の所定
の位置に挿入されれたウェハ４は外気から遮断された状
態でヒータＩの内部に移動され所定の温度に加熱される
。
そして、反応管２の反応ガス供給管２ａから、たとえば
酸素ガスが所定の濃度で混入された反応ガスが流入され
、所定の温度に加熱されたウェハ４の表面に所定の酸化
膜が形成される。
酸素ガスが所定の濃度で混入された反応ガスが流入され
、所定の温度に加熱されたウェハ４の表面に所定の酸化
膜が形成される。
このように、反応管２の内部に対するウェハ４の挿入操
作に際して、外気が反応管２の内部に巻き込まれること
が防止されているため、たとえば外気中の酸素によって
ウェハ４の表面に無秩序に酸化膜が形成されたり、外気
の流入によって発生される塵埃などの異物がウェハ４の
表面に付着することが防止され、ウェハ４の表面には、
所定の良質な酸化膜が形成できる。
作に際して、外気が反応管２の内部に巻き込まれること
が防止されているため、たとえば外気中の酸素によって
ウェハ４の表面に無秩序に酸化膜が形成されたり、外気
の流入によって発生される塵埃などの異物がウェハ４の
表面に付着することが防止され、ウェハ４の表面には、
所定の良質な酸化膜が形成できる。
さらに、反応管２およびウェハ４が保持されるカセット
５が載置されるウェハ支持台３が鉛直方向に移動される
ように構成されているため、反応管２やウェハ支持台３
の自重などによって移動方向に垂直な方向に力が作用す
ることがなく、反応管２はヒータ１の内周部に設けられ
た均熱管６などに接触することなくヒータ１の内部に押
入される。
５が載置されるウェハ支持台３が鉛直方向に移動される
ように構成されているため、反応管２やウェハ支持台３
の自重などによって移動方向に垂直な方向に力が作用す
ることがなく、反応管２はヒータ１の内周部に設けられ
た均熱管６などに接触することなくヒータ１の内部に押
入される。
この結果、反応管２が均熱管６などに接触される際の衝
撃などに起因して反応管２の内面から剥離される異物な
どがウェハ４の表面に付着することが回避され、ウェハ
４の表面には良質の酸化膜が形成できる。
撃などに起因して反応管２の内面から剥離される異物な
どがウェハ４の表面に付着することが回避され、ウェハ
４の表面には良質の酸化膜が形成できる。
所定の時間経過後、反応管２はウェハ支持台３とともに
降下されヒータ１の外部において、良質の酸化膜が形成
されたウェハ４はカセット５とともに反応管２の外部に
取り出される。
降下されヒータ１の外部において、良質の酸化膜が形成
されたウェハ４はカセット５とともに反応管２の外部に
取り出される。
［実施例２］
第２図は、本発明の他の実施例である熱酸化膜形成装置
の略断面図である。
の略断面図である。
本実施例においては、反応管２はヒータ１に対して固定
されており、複数のウェハ４が収納されたカセット５ａ
を支持して昇降自在に設けられたウェハ支持台３ａ（挿
入治具）およびこのウニ／’を支持台３ａと独立に昇降
動作が可能にされ、反応管２の開口端部に着脱自在な補
助管７が設けられているところが前記実施例１と異なる
。
されており、複数のウェハ４が収納されたカセット５ａ
を支持して昇降自在に設けられたウェハ支持台３ａ（挿
入治具）およびこのウニ／’を支持台３ａと独立に昇降
動作が可能にされ、反応管２の開口端部に着脱自在な補
助管７が設けられているところが前記実施例１と異なる
。
すなわち、反応管２の下方、すなわちヒータ１の外部に
おいて補助管７と一体にされたウェハ支持台３ａの上に
ウェハ４およびウェハ４が収納されたカセット５ａが載
置され、さらに、補助管７の内部雰囲気は窒素ガスなど
の不活性ガスによって置換される。
おいて補助管７と一体にされたウェハ支持台３ａの上に
ウェハ４およびウェハ４が収納されたカセット５ａが載
置され、さらに、補助管７の内部雰囲気は窒素ガスなど
の不活性ガスによって置換される。
そして、ウェハ４が平面が鉛直方向となるように収納さ
れたカセット５ａが載置されたウェハ支持台３ａは、補
助管７とともに上昇され、補助管７の内部に反応管２の
開口端部が十分進入されて反応管２の内部への外気の巻
き込みが防止される状態が構成された後にウェハ支持台
３ａのみがなおも上昇され、ウェハ支持台３ａに１ｌＷ
ｌされたウェハ４およびカセット５ａは反応管２の中央
部に位置されて所定の温度に加熱され、反応ガス供給管
２ａからたとえば酸素ガスが所定の濃度で混入された反
応ガスが流入され、所定の温度に加熱されたウェハ４の
表面に所定の酸化膜が形成される。
れたカセット５ａが載置されたウェハ支持台３ａは、補
助管７とともに上昇され、補助管７の内部に反応管２の
開口端部が十分進入されて反応管２の内部への外気の巻
き込みが防止される状態が構成された後にウェハ支持台
３ａのみがなおも上昇され、ウェハ支持台３ａに１ｌＷ
ｌされたウェハ４およびカセット５ａは反応管２の中央
部に位置されて所定の温度に加熱され、反応ガス供給管
２ａからたとえば酸素ガスが所定の濃度で混入された反
応ガスが流入され、所定の温度に加熱されたウェハ４の
表面に所定の酸化膜が形成される。
このように、反応管２の開口部に装着される補助管７に
よって、ウェハ４が反応管２の内部に挿入される際に外
気が反応管２の内部に巻き込まれることが防止されるた
め、たとえば外気中の酸素によってウェハ４の表面に無
秩序に酸化膜が形成されたり、外気の流入によって発生
される塵埃などがウェハ４の表面に付着することが防止
され、ウェハ４の表面には、所定の良質な酸化膜が形成
される。
よって、ウェハ４が反応管２の内部に挿入される際に外
気が反応管２の内部に巻き込まれることが防止されるた
め、たとえば外気中の酸素によってウェハ４の表面に無
秩序に酸化膜が形成されたり、外気の流入によって発生
される塵埃などがウェハ４の表面に付着することが防止
され、ウェハ４の表面には、所定の良質な酸化膜が形成
される。
さらに、ウェハ支持台が鉛直方向に移動される構造であ
るため、ウェハ支持台３ａと反応管２の内面との接触が
防止され、反応管２の内面からの異物の発生が回避でき
、ウェハ４の表面には良質の酸化膜が形成される。
るため、ウェハ支持台３ａと反応管２の内面との接触が
防止され、反応管２の内面からの異物の発生が回避でき
、ウェハ４の表面には良質の酸化膜が形成される。
また、ウェハ４の平面が鉛直にされ反応ガス供給管２ａ
から下方に向かって流入される反応ガスの流れる方向と
平行になるように位置されていることにより、反応ガス
とウェハ４の表面各部との接触が均一となり、ウェハ４
の表面には均一な厚さの酸化膜が形成される。
から下方に向かって流入される反応ガスの流れる方向と
平行になるように位置されていることにより、反応ガス
とウェハ４の表面各部との接触が均一となり、ウェハ４
の表面には均一な厚さの酸化膜が形成される。
［実施例３コ
第３図は、本発明のさらに他の実施例である熱酸化膜形
成装置の略断面図である。
成装置の略断面図である。
本実施例３においては、補助管７ａが反応管２のほぼ全
長にわたって延長されているところが前記実施例２と異
なる。
長にわたって延長されているところが前記実施例２と異
なる。
すなわち、反応管２の内部へのウェハ４の挿入に先立っ
て反応管２の開口部に補助管７ａが装着されるため、反
応管２の内部への外気の巻き込みがより確実に防止され
るものであり、作用および効果は前記実施例２と同様で
ある。
て反応管２の開口部に補助管７ａが装着されるため、反
応管２の内部への外気の巻き込みがより確実に防止され
るものであり、作用および効果は前記実施例２と同様で
ある。
［効果］
（ｌ）、処理室および該処理室内に被処理物を挿入する
挿入治具が前記加熱部に対してそれぞれ相対的に移動可
能、に構成され、前記処理室への前記挿入治具による被
処理書の挿入および取り出し操作が前記加熱部の外部に
おいて行われるように構成されているため、加熱された
処理室内に被処理物とともに外気が巻き込まれることが
防止でき、たとえば、外気に含まれる酸素によって被処
理物が酸化されたり被処理物の表面に異物などが付着さ
れることが回避され、良好な処理結果を得ることができ
る。
挿入治具が前記加熱部に対してそれぞれ相対的に移動可
能、に構成され、前記処理室への前記挿入治具による被
処理書の挿入および取り出し操作が前記加熱部の外部に
おいて行われるように構成されているため、加熱された
処理室内に被処理物とともに外気が巻き込まれることが
防止でき、たとえば、外気に含まれる酸素によって被処
理物が酸化されたり被処理物の表面に異物などが付着さ
れることが回避され、良好な処理結果を得ることができ
る。
（２）、処理室および挿入治具の加熱部に対する移動方
向が、鉛直方向であることにより、処理室および挿入治
具が移動される際に加熱部に接触されることが防止され
、処理室と加熱部との接触時の衝撃によって処理室の内
部に発生される異物が被処理物の表面に付着することが
防止され、良好な処理結果を得ることができる。
向が、鉛直方向であることにより、処理室および挿入治
具が移動される際に加熱部に接触されることが防止され
、処理室と加熱部との接触時の衝撃によって処理室の内
部に発生される異物が被処理物の表面に付着することが
防止され、良好な処理結果を得ることができる。
（３）、処理室の開口部を通じて該処理室内に被処理物
を挿入する挿入治具に、該挿入治具の移動方向に対して
相対的に移動可能にされ、前記処理室の開口部に着脱自
在な補助管が設けられているため、加熱された処理室内
に被処理物が挿入される際に被処理物とともに外気が巻
き込まれることが防止でき、たとえば、外気に含まれる
酸素によって被処理物が酸化されたり被処理物の表面に
異物などが付着されることが回避され、良好な処理結果
を得ることができる。
を挿入する挿入治具に、該挿入治具の移動方向に対して
相対的に移動可能にされ、前記処理室の開口部に着脱自
在な補助管が設けられているため、加熱された処理室内
に被処理物が挿入される際に被処理物とともに外気が巻
き込まれることが防止でき、たとえば、外気に含まれる
酸素によって被処理物が酸化されたり被処理物の表面に
異物などが付着されることが回避され、良好な処理結果
を得ることができる。
（４）、挿入治具の移動方向が鉛直方向にされているこ
とにより、挿入治具の処理室に対する挿入操作に際して
、挿入治具が処理室の内部に接触されることが防止され
、挿入治具の処理室内部への接触に起因する異物の発生
が回避でき、良好な処理結果が得られる。
とにより、挿入治具の処理室に対する挿入操作に際して
、挿入治具が処理室の内部に接触されることが防止され
、挿入治具の処理室内部への接触に起因する異物の発生
が回避でき、良好な処理結果が得られる。
（５）−補助管が前記処理室の軸方向に延長されている
ことにより、処理室内への外気の巻き込みがより確実に
防止され、良好な処理結果を得ることができる。
ことにより、処理室内への外気の巻き込みがより確実に
防止され、良好な処理結果を得ることができる。
（６）、被処理物が前記処理室内に流入される前記処理
流体の流れ方向に平行に位置されていることにより、処
理流体と被処理物表面との接触が一様となり、たとえば
被処理物の表面における酸化膜形成反応が均一に行われ
、均一な膜厚の酸化膜が形成できる。
流体の流れ方向に平行に位置されていることにより、処
理流体と被処理物表面との接触が一様となり、たとえば
被処理物の表面における酸化膜形成反応が均一に行われ
、均一な膜厚の酸化膜が形成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、装置の軸は水平方向であってもよい。
また、加熱手段は赤外線または高周波加熱を用いてもよ
い。
い。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おける熱酸化膜形成技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、処理室内への外
気の侵入が存寄とされる処理技術に広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おける熱酸化膜形成技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、処理室内への外
気の侵入が存寄とされる処理技術に広く適用できる。
第１図（ａ）および（ｂｌは、本発明の一実施例である
熱酸化膜形成装置の動作を順に説明する略断面図、第２
図は、本発明の実施例２である熱酸化膜形成装置の略断
面図、 第３図は、本発明の実施例３である熱酸化膜形成装置の
略断面図である。 １・・・ヒータ（加熱部）、２・・・反応管（処理室）
、２ａ・・・反応ガス供給管、３，３ａ・・・ウェハ支
持台（挿入治具）、４・・・ウェハ（被処理物）、５．
５２・・・カセット、６・・・均熱管、７，７ａ・・・
補助管。 第 ２ 図 第 ３ 図
第 １ （ａ−） 図 （ｂン
熱酸化膜形成装置の動作を順に説明する略断面図、第２
図は、本発明の実施例２である熱酸化膜形成装置の略断
面図、 第３図は、本発明の実施例３である熱酸化膜形成装置の
略断面図である。 １・・・ヒータ（加熱部）、２・・・反応管（処理室）
、２ａ・・・反応ガス供給管、３，３ａ・・・ウェハ支
持台（挿入治具）、４・・・ウェハ（被処理物）、５．
５２・・・カセット、６・・・均熱管、７，７ａ・・・
補助管。 第 ２ 図 第 ３ 図
第 １ （ａ−） 図 （ｂン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加熱部によって所定の温度に加熱される処理室内に
被処理物を位置させ、処理流体を供給することによって
所定の処理を行う処理装置であって、前記処理室および
該処理室内に被処理物を挿入する挿入治具が前記加熱部
に対してそれぞれ相対的に移動可能に構成され、前記処
理室への前記挿入治具による被処理物の挿入および取り
出し操作が前記加熱部の外部において行われるように構
成されてなることを特徴とする処理装置。 ２、前記処理室および挿入治具の加熱部に対する移動方
向が、鉛直方向であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の処理装置。 ３、前記被処理物がウエハであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の処理装置。 ４、前記処理装置が熱酸化膜形成装置であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ５、加熱部によって所定の温度に加熱される処理室内に
被処理物を位置させ、処理流体を供給することによって
所定の処理を行う処理装置であって、前記処理室の開口
部を通じて該処理室内に被処理物を挿入する挿入治具に
、該挿入治具の移動方向に対して相対的に移動可能にさ
れ、前記処理室の開口部に着脱自在な補助管が設けられ
てなることを特徴とする処理装置。 ６、前記挿入治具の移動方向が鉛直方向であることを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の処理装置。 ７、前記補助管が前記処理室の軸方向に延長されてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の処理装置
。 ８、前記被処理物がウエハであることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の処理装置。 ９、前記処理装置が熱酸化膜形成装置であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の処理装置。 １０、前記被処理物が前記処理室内に流入される前記処
理流体の流れ方向に平行に位置されることを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載の処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160236A JPS6221229A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 処理装置 |
| US07/201,442 US4957781A (en) | 1985-07-22 | 1988-06-02 | Processing apparatus |
| US07/535,136 US5080039A (en) | 1985-07-22 | 1990-06-08 | Processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160236A JPS6221229A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221229A true JPS6221229A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15710645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160236A Pending JPS6221229A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5080039A (ja) |
| JP (1) | JPS6221229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283124A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 反応炉 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200232A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-06 | Lam Research Corporation | Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors |
| JPH04243126A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及びその制御方法 |
| JP2633432B2 (ja) * | 1992-01-22 | 1997-07-23 | 東京応化工業株式会社 | 加熱処理装置 |
| IT226255Z2 (it) * | 1992-02-18 | 1997-06-02 | Miralfin Srl | Struttura di radiatore particolarmente per il riscaldamento di locali |
| US5461214A (en) * | 1992-06-15 | 1995-10-24 | Thermtec, Inc. | High performance horizontal diffusion furnace system |
| KR100350612B1 (ko) * | 1996-07-10 | 2002-12-28 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 이중수직형열처리로(爐) |
| US5820366A (en) * | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| US6152075A (en) * | 1998-08-31 | 2000-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for heating semiconductor wafers |
| US7811503B2 (en) * | 2007-04-18 | 2010-10-12 | Coopervision International Holding Company, Lp | Devices, assemblies, and methods for extracting extractable materials from polymerized biomedical devices |
| US10170889B1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-01-01 | Lumentum Operations Llc | Controlling uniformity of lateral oxidation of wafer surface features using a vertical stack of horizontal wafers |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3828722A (en) * | 1970-05-01 | 1974-08-13 | Cogar Corp | Apparatus for producing ion-free insulating layers |
| US4436509A (en) * | 1982-05-10 | 1984-03-13 | Rca Corporation | Controlled environment for diffusion furnace |
| US4695706A (en) * | 1983-12-28 | 1987-09-22 | Denkoh Co. Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
| US4640223A (en) * | 1984-07-24 | 1987-02-03 | Dozier Alfred R | Chemical vapor deposition reactor |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60160236A patent/JPS6221229A/ja active Pending
-
1990
- 1990-06-08 US US07/535,136 patent/US5080039A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283124A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 反応炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5080039A (en) | 1992-01-14 |
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