JP2633432B2 - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
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- JP2633432B2 JP2633432B2 JP4031452A JP3145292A JP2633432B2 JP 2633432 B2 JP2633432 B2 JP 2633432B2 JP 4031452 A JP4031452 A JP 4031452A JP 3145292 A JP3145292 A JP 3145292A JP 2633432 B2 JP2633432 B2 JP 2633432B2
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- Japan
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- heat treatment
- reaction chamber
- base plate
- heating device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
- G05D23/1934—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces each space being provided with one sensor acting on one or more control means
-
- G—PHYSICS
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S422/00—Chemical apparatus and process disinfecting, deodorizing, preserving, or sterilizing
- Y10S422/906—Plasma or ion generation means
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハやガラス基
板等の被処理物表面に塗布した膜のキュアリング等に用
いる加熱処理装置に関する。
板等の被処理物表面に塗布した膜のキュアリング等に用
いる加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ上にＳiＯ2、ホスフォシリ
ケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンシリケートガラス（Ｂ
ＰＳＧ）、チッ化膜、有機膜等を、又ガラス基板表面に
ＳiＯ2膜を形成する方法として、これら基板表面に上記
被膜の形成用塗布液を塗布した後、加熱装置でキュアリ
ングする方法が従来から行なわれている。
ケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンシリケートガラス（Ｂ
ＰＳＧ）、チッ化膜、有機膜等を、又ガラス基板表面に
ＳiＯ2膜を形成する方法として、これら基板表面に上記
被膜の形成用塗布液を塗布した後、加熱装置でキュアリ
ングする方法が従来から行なわれている。
【０００３】そして、従来の加熱処理装置の構造は、ベ
ースプレート上に反応チャンバーを固定し、この反応チ
ャンバーの外周にヒータを配置し、更に反応チャンバー
内には下方から多数の被処理物を収納した保持具を挿入
可能とし、反応チャンバー内を減圧することで、被処理
物表面に形成された塗膜中の溶剤を蒸発せしめて除去
し、この後加熱してキュアリングを行なうようにしてい
る。しかし従来の加熱装置の構造では、真空引き装置に
つながる開口部も昇降させる必要があるため、十分な安
定を得ることができない。
ースプレート上に反応チャンバーを固定し、この反応チ
ャンバーの外周にヒータを配置し、更に反応チャンバー
内には下方から多数の被処理物を収納した保持具を挿入
可能とし、反応チャンバー内を減圧することで、被処理
物表面に形成された塗膜中の溶剤を蒸発せしめて除去
し、この後加熱してキュアリングを行なうようにしてい
る。しかし従来の加熱装置の構造では、真空引き装置に
つながる開口部も昇降させる必要があるため、十分な安
定を得ることができない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の加熱処
理装置にあっては、被処理物を収納した保持具を昇降動
させて反応チャンバー内にセットしたり、反応チャンバ
ー内から取り出すため、昇降のスピードをゆっくりしな
ければならず処理時間がかかっている。
理装置にあっては、被処理物を収納した保持具を昇降動
させて反応チャンバー内にセットしたり、反応チャンバ
ー内から取り出すため、昇降のスピードをゆっくりしな
ければならず処理時間がかかっている。
【０００５】また従来の加熱処理装置にあっては、反応
チャンバーとヒータとの位置関係が一定のため、一旦チ
ャンバー内の温度が加熱処理を行なった結果上昇すると
なかなかチャンバー内の温度が低下せず、次に被処理物
をチャンバー内にセットし溶剤を減圧して除去する際
に、縮合反応が同時に生じ、膜にクラックが発生するこ
とがある。
チャンバーとヒータとの位置関係が一定のため、一旦チ
ャンバー内の温度が加熱処理を行なった結果上昇すると
なかなかチャンバー内の温度が低下せず、次に被処理物
をチャンバー内にセットし溶剤を減圧して除去する際
に、縮合反応が同時に生じ、膜にクラックが発生するこ
とがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、真空引き装置につながる開口を形成したベース
プレートと、ベースプレートの開口上に設けられる被処
理物保持具と、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で被処理物保持具を収納する密閉空間を形成
し上昇位置で被処理物保持具を外部に露出せしめる反応
チャンバーと、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で反応チャンバーを囲み上昇位置で反応チャ
ンバーを外部に露出せしめる加熱装置とによって加熱処
理装置を構成した。
発明は、真空引き装置につながる開口を形成したベース
プレートと、ベースプレートの開口上に設けられる被処
理物保持具と、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で被処理物保持具を収納する密閉空間を形成
し上昇位置で被処理物保持具を外部に露出せしめる反応
チャンバーと、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で反応チャンバーを囲み上昇位置で反応チャ
ンバーを外部に露出せしめる加熱装置とによって加熱処
理装置を構成した。
【０００７】
【作用】反応チャンバー及び加熱装置を下降させた状態
でキュアリングを行ない、反応チャンバー及び加熱装置
を上昇させた状態で被処理物の取り出しとセットを行な
い、反応チャンバーを下降させ加熱装置を上昇させた状
態で真空引きして溶剤の蒸発を行なう。
でキュアリングを行ない、反応チャンバー及び加熱装置
を上昇させた状態で被処理物の取り出しとセットを行な
い、反応チャンバーを下降させ加熱装置を上昇させた状
態で真空引きして溶剤の蒸発を行なう。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係る加熱処理装置の
加熱装置を下げた状態の縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ
方向矢視図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係る加熱処理装置の
加熱装置を下げた状態の縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ
方向矢視図である。
【０００９】加熱処理装置はベースプレート１に開口２
を形成し、この開口２に真空引き装置につながる配管３
を取り付け、また開口２を跨ぐように合成石英或いはア
ルミニウムからなる載置台４をベースプレート１上に固
定し、この載置台４上に同じく合成石英或いはアルミニ
ウムからなる被処理物保持具５を着脱自在にセットして
いる。
を形成し、この開口２に真空引き装置につながる配管３
を取り付け、また開口２を跨ぐように合成石英或いはア
ルミニウムからなる載置台４をベースプレート１上に固
定し、この載置台４上に同じく合成石英或いはアルミニ
ウムからなる被処理物保持具５を着脱自在にセットして
いる。
【００１０】載置台４は複数本（４本）の支柱４ａに上
下方向に離間した多数の水平板４ｂを取り付けて構成さ
れ、上部における水平板４ｂ同士の間隔を下部における
間隔よりも大きくすることで、温度分布がより均等にな
るようにしている。また載置台４の上面には３本の位置
決め突部４ｃが設けられ、この位置決め突部４ｃに保持
具５の下面に設けたカラー５ｃを填め込むことで保持具
５の位置決めとセットを行なうようにしている。また、
３本の位置決め突部４ｃが全てカラー５ｃに填め込まれ
ない場合でも、載置台４はベースプレート１上に固定さ
れているので、保持具５は十分に安定を得ることができ
る。尚、３本の位置決め突部４ｃのうちの１本の長さを
他のものと異ならせたり径を異ならせることで特定のカ
ラー５ｃとのみ嵌合するようにしてセットの際の向きを
定めるようにしてもよい。
下方向に離間した多数の水平板４ｂを取り付けて構成さ
れ、上部における水平板４ｂ同士の間隔を下部における
間隔よりも大きくすることで、温度分布がより均等にな
るようにしている。また載置台４の上面には３本の位置
決め突部４ｃが設けられ、この位置決め突部４ｃに保持
具５の下面に設けたカラー５ｃを填め込むことで保持具
５の位置決めとセットを行なうようにしている。また、
３本の位置決め突部４ｃが全てカラー５ｃに填め込まれ
ない場合でも、載置台４はベースプレート１上に固定さ
れているので、保持具５は十分に安定を得ることができ
る。尚、３本の位置決め突部４ｃのうちの１本の長さを
他のものと異ならせたり径を異ならせることで特定のカ
ラー５ｃとのみ嵌合するようにしてセットの際の向きを
定めるようにしてもよい。
【００１１】保持具５は平面視で台形の頂点に位置する
４本の上下方向の支柱５ａに上下方向に離間して多数の
溝５ｂを形成しこの溝５ｂに半導体ウェハやガラス基板
等の被処理物Ｗの周縁を挿入して保持する構造になって
いる。
４本の上下方向の支柱５ａに上下方向に離間して多数の
溝５ｂを形成しこの溝５ｂに半導体ウェハやガラス基板
等の被処理物Ｗの周縁を挿入して保持する構造になって
いる。
【００１２】一方、ベースプレート１の側方には図２に
示すように昇降装置６，７が設けられ、昇降装置６のア
ーム８にて合成石英等からなるベルジャー型の反応チャ
ンバー９が支持されている。この反応チャンバー９の下
端はアーム８の下面に取り付けた円環状のシール部材１
０上面に載置され、アーム８と一体的に昇降動する。即
ち、下降位置ではシール部材１０がベースプレート１上
面に圧接して載置台４及び保持具５を収納する密閉空間
を形成し、上昇位置では保持具５を外部に露出せしめ
る。
示すように昇降装置６，７が設けられ、昇降装置６のア
ーム８にて合成石英等からなるベルジャー型の反応チャ
ンバー９が支持されている。この反応チャンバー９の下
端はアーム８の下面に取り付けた円環状のシール部材１
０上面に載置され、アーム８と一体的に昇降動する。即
ち、下降位置ではシール部材１０がベースプレート１上
面に圧接して載置台４及び保持具５を収納する密閉空間
を形成し、上昇位置では保持具５を外部に露出せしめ
る。
【００１３】更に、反応チャンバー９内の密閉空間内に
はベースプレート１に基端部を取り付けた温度測定用の
熱電対１１を臨ませ、反応チャンバー９の外周には高周
波電源に接続される電極１２を配置し、チャンバー９内
にプラズマを発生させるようにしている。
はベースプレート１に基端部を取り付けた温度測定用の
熱電対１１を臨ませ、反応チャンバー９の外周には高周
波電源に接続される電極１２を配置し、チャンバー９内
にプラズマを発生させるようにしている。
【００１４】また、昇降装置７のアーム１３は加熱装置
１４の下面を支持している。加熱装置１４はステンレス
からなるアウタケース１５と合成石英からなるインナケ
ース１６間の空間に断熱ボード１７を設け、この断熱ボ
ード１７内側空間と外部とを冷却ダクト１８で連通する
とともに断熱ボード１７内周面にヒータ１９を配置して
いる。
１４の下面を支持している。加熱装置１４はステンレス
からなるアウタケース１５と合成石英からなるインナケ
ース１６間の空間に断熱ボード１７を設け、この断熱ボ
ード１７内側空間と外部とを冷却ダクト１８で連通する
とともに断熱ボード１７内周面にヒータ１９を配置して
いる。
【００１５】ヒータ１９は独立して制御可能な複数の部
分１９ａ，１９ｂ，１９ｃから構成されている。つま
り、通常加熱装置１４の内部は下方程冷えるため、部分
１９ｃへの通電量を１９ａより多くし、加熱装置１４内
部の温度の均一化を図るようにしている。尚、前記した
ように載置台４上に保持具５を載置するようにしたのも
より均一な温度雰囲気となっている反応チャンバー９内
の上部において加熱処理を行なうためである。
分１９ａ，１９ｂ，１９ｃから構成されている。つま
り、通常加熱装置１４の内部は下方程冷えるため、部分
１９ｃへの通電量を１９ａより多くし、加熱装置１４内
部の温度の均一化を図るようにしている。尚、前記した
ように載置台４上に保持具５を載置するようにしたのも
より均一な温度雰囲気となっている反応チャンバー９内
の上部において加熱処理を行なうためである。
【００１６】以上において、被処理物Ｗにキュアリング
処理を行なう場合には図１に示すように、反応チャンバ
ー９及び加熱装置１４を下降させた状態で行なう。この
処理では既にチャンバー９内は減圧されており、被処理
物Ｗ表面に塗布された塗布膜中の溶剤は蒸発によって除
去されている。また加熱処理はプラズマ雰囲気にて行な
うようにしてもよい。
処理を行なう場合には図１に示すように、反応チャンバ
ー９及び加熱装置１４を下降させた状態で行なう。この
処理では既にチャンバー９内は減圧されており、被処理
物Ｗ表面に塗布された塗布膜中の溶剤は蒸発によって除
去されている。また加熱処理はプラズマ雰囲気にて行な
うようにしてもよい。
【００１７】次いで、加熱処理が終了したならば図３に
示すように、反応チャンバー９及び加熱装置１４を上昇
させた状態で被処理物Ｗの取り出しとセットを行なう。
取り出しとセットは被処理物Ｗを保持具５に保持させた
まま行なう。
示すように、反応チャンバー９及び加熱装置１４を上昇
させた状態で被処理物Ｗの取り出しとセットを行なう。
取り出しとセットは被処理物Ｗを保持具５に保持させた
まま行なう。
【００１８】この後、図４に示すように反応チャンバー
９を下降させ、加熱装置１４を上昇させたままの状態で
真空引きして被処理物Ｗ表面に塗布した塗布液中の溶剤
の蒸発を行なう。このとき加熱装置１４は反応チャンバ
ー９を覆っていないので、反応チャンバー９内の温度は
塗布液の縮合反応を起こさない温度に保たれる。
９を下降させ、加熱装置１４を上昇させたままの状態で
真空引きして被処理物Ｗ表面に塗布した塗布液中の溶剤
の蒸発を行なう。このとき加熱装置１４は反応チャンバ
ー９を覆っていないので、反応チャンバー９内の温度は
塗布液の縮合反応を起こさない温度に保たれる。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る加熱
処理装置は、被処理物保持具に対して反応チャンバーの
方を昇降動させるようにしたので、サイクルタイムを短
くすることができる。そして、反応チャンバーに対して
加熱装置を独立して昇降動せしめるようにしたので、チ
ャンバー内の温度を速やかに低下せしめることができ、
低温下（２００℃程度）つまり縮合反応を起こさない温
度で溶剤のみを蒸発させることができ、膜強度を高める
ことができる。
処理装置は、被処理物保持具に対して反応チャンバーの
方を昇降動させるようにしたので、サイクルタイムを短
くすることができる。そして、反応チャンバーに対して
加熱装置を独立して昇降動せしめるようにしたので、チ
ャンバー内の温度を速やかに低下せしめることができ、
低温下（２００℃程度）つまり縮合反応を起こさない温
度で溶剤のみを蒸発させることができ、膜強度を高める
ことができる。
【００２０】また、独立して制御可能な複数のヒータに
て加熱装置を構成し、更には被処理物保持具を載置台を
介してベースプレート上に配置することで、均一な温度
雰囲気で加熱処理を行なうことができる。
て加熱装置を構成し、更には被処理物保持具を載置台を
介してベースプレート上に配置することで、均一な温度
雰囲気で加熱処理を行なうことができる。
【００２１】更に、反応チャンバーの外周に高周波電源
に接続される電極を配置することでプラズマ雰囲気での
加熱処理が可能となり、更に膜強度を高めることができ
る。更にまた、真空引き装置につながる開口を形成した
ので、従来装置のように開口を昇降動させる必要がない
ので効率的に真空を行うことができる。
に接続される電極を配置することでプラズマ雰囲気での
加熱処理が可能となり、更に膜強度を高めることができ
る。更にまた、真空引き装置につながる開口を形成した
ので、従来装置のように開口を昇降動させる必要がない
ので効率的に真空を行うことができる。
【図１】本発明に係る加熱処理装置の加熱装置を下げた
状態の縦断面図
状態の縦断面図
【図２】図１のＡ−Ａ方向矢視図
【図３】本発明に係る加熱処理装置の加熱装置と反応チ
ャンバーを上昇させた状態の縦断面図
ャンバーを上昇させた状態の縦断面図
【図４】本発明に係る加熱処理装置の加熱装置のみを上
昇させた状態の縦断面図
昇させた状態の縦断面図
１…ベースプレート、２…開口、４…載置台、５…保持
具、６，７…昇降装置、８，１３…アーム、９…反応チ
ャンバー、１４…加熱装置、Ｗ…被処理物。
具、６，７…昇降装置、８，１３…アーム、９…反応チ
ャンバー、１４…加熱装置、Ｗ…被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 尚志 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 佐合 宏仁 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 真空引き装置につながる開口を形成した
ベースプレートと、ベースプレートの開口上に設けられ
る被処理物保持具と、ベースプレートに対して昇降動自
在とされ下降位置で被処理物保持具を収納する密閉空間
を形成し上昇位置で被処理物保持具を外部に露出せしめ
る反応チャンバーと、ベースプレートに対して昇降動自
在とされ下降位置で反応チャンバーを囲み上昇位置で反
応チャンバーを外部に露出せしめる加熱装置とを備えた
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項２】 前記加熱装置は独立して制御可能な複数
のヒータを上下方向に分割して配置したことを特徴とす
る請求項１に記載の加熱処理装置。 - 【請求項３】 前記被処理物保持具はベースプレート上
に設けられた載置台上に着脱自在とされていることを特
徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。 - 【請求項４】 前記反応チャンバーの外周には高周波電
源に接続される電極を配置したことを特徴とする請求項
１に記載の加熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031452A JP2633432B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 加熱処理装置 |
| US08/005,602 US5332557A (en) | 1992-01-22 | 1993-01-19 | Heating apparatus |
| KR1019930000736A KR100207756B1 (ko) | 1992-01-22 | 1993-01-21 | 가열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031452A JP2633432B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05212275A JPH05212275A (ja) | 1993-08-24 |
| JP2633432B2 true JP2633432B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=12331651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031452A Expired - Lifetime JP2633432B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 加熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5332557A (ja) |
| JP (1) | JP2633432B2 (ja) |
| KR (1) | KR100207756B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5662470A (en) * | 1995-03-31 | 1997-09-02 | Asm International N.V. | Vertical furnace |
| JP3971810B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-09-05 | 三星電子株式会社 | 縦型拡散炉 |
| JPH09237789A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 遮蔽体および熱処理装置および熱処理方法 |
| US5993591A (en) * | 1996-12-18 | 1999-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Coring of leadframes in carriers via radiant heat source |
| US6005230A (en) * | 1998-09-28 | 1999-12-21 | White, Jr.; R. Thomas | Radiant heater for analytical laboratory use with precision energy control, non contamination exterior and uniform radiation footprint |
| US6198075B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-03-06 | Yield Engineering Systems, Inc. | Rapid heating and cooling vacuum oven |
| US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
| KR100626386B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법 |
| KR100778783B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2007-11-27 | 주식회사 테라세미콘 | 배치식 반응챔버의 히팅장치 |
| US7980447B2 (en) * | 2008-12-12 | 2011-07-19 | Xerox Corporation | Jet stack brazing in a diffusion furnace |
| BR102013018017B1 (pt) * | 2013-07-15 | 2019-07-09 | Universidade Federal De Santa Catarina (Ufsc) | Instalação e processo para tratamento de peças metálicas por reator de plasma |
| US10643868B2 (en) * | 2015-12-21 | 2020-05-05 | Nps Corporation | Apparatus for processing substrate |
| KR102292706B1 (ko) * | 2019-11-25 | 2021-08-23 | 주식회사 오디텍 | 합성 반응장치 |
| CN111013515B (zh) * | 2019-12-21 | 2023-10-31 | 北京凯德石英股份有限公司 | 一种双层立式石英管载体及其加工方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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