JP3346809B2 - プラズマベーク炉 - Google Patents
プラズマベーク炉Info
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- JP3346809B2 JP3346809B2 JP33355692A JP33355692A JP3346809B2 JP 3346809 B2 JP3346809 B2 JP 3346809B2 JP 33355692 A JP33355692 A JP 33355692A JP 33355692 A JP33355692 A JP 33355692A JP 3346809 B2 JP3346809 B2 JP 3346809B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハやガラス基
板等の被処理物表面に塗布した膜のキュアリング等に用
いるプラズマベーク炉に関する。
板等の被処理物表面に塗布した膜のキュアリング等に用
いるプラズマベーク炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ上にＳiＯ2、ホスフォシリ
ケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンホスフォシリケートガ
ラス（ＢＰＳＧ）、チッ化膜等を、又ガラス基板表面に
ＳiＯ2膜を形成する方法として、これら基板表面に上記
被膜の形成用塗布液を塗布した後、ベーク炉でキュアリ
ングする方法が従来から行なわれている。
ケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンホスフォシリケートガ
ラス（ＢＰＳＧ）、チッ化膜等を、又ガラス基板表面に
ＳiＯ2膜を形成する方法として、これら基板表面に上記
被膜の形成用塗布液を塗布した後、ベーク炉でキュアリ
ングする方法が従来から行なわれている。
【０００３】そして、従来のベーク炉の構造は、ベース
プレート上に反応チャンバーを固定し、この反応チャン
バーの外周にヒータを配置し、更に反応チャンバー内に
は下方から多数の被処理物を収納した保持具を挿入可能
とし、反応チャンバー内を減圧することで、被処理物表
面に形成された塗膜中の溶剤を蒸発せしめて除去し、こ
の後加熱してキュアリングを行なうようにしている。
プレート上に反応チャンバーを固定し、この反応チャン
バーの外周にヒータを配置し、更に反応チャンバー内に
は下方から多数の被処理物を収納した保持具を挿入可能
とし、反応チャンバー内を減圧することで、被処理物表
面に形成された塗膜中の溶剤を蒸発せしめて除去し、こ
の後加熱してキュアリングを行なうようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のキュ
アリングを行なう場合、プラズマ雰囲気で行なうと、膜
質の改善がなされることが判明した。しかしながら従来
のプラズマ処理装置は、チャンバーの外周に筒状或いは
半割り筒状の電極を配置した構造になっている。このよ
うなプラズマ処理装置の外側にヒータを配置した場合、
ヒータからの熱が電極によって遮断されチャンバー内を
高温にすることができない。尚、ヒータの外側に電極を
配置した場合にはチャンバー内にプラズマを発生せしめ
ることが困難となる。
アリングを行なう場合、プラズマ雰囲気で行なうと、膜
質の改善がなされることが判明した。しかしながら従来
のプラズマ処理装置は、チャンバーの外周に筒状或いは
半割り筒状の電極を配置した構造になっている。このよ
うなプラズマ処理装置の外側にヒータを配置した場合、
ヒータからの熱が電極によって遮断されチャンバー内を
高温にすることができない。尚、ヒータの外側に電極を
配置した場合にはチャンバー内にプラズマを発生せしめ
ることが困難となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、ベースプレート上に設けられる処理チャンバー
の外側に加熱装置を配置するとともに、この加熱装置と
チャンバーとの間に加熱装置からチャンバーへの放射熱
を遮断しない形状のプラズマ発生用電極、例えば複数の
帯状または棒状電極からなるプラズマ発生用電極を設け
た。
発明は、ベースプレート上に設けられる処理チャンバー
の外側に加熱装置を配置するとともに、この加熱装置と
チャンバーとの間に加熱装置からチャンバーへの放射熱
を遮断しない形状のプラズマ発生用電極、例えば複数の
帯状または棒状電極からなるプラズマ発生用電極を設け
た。
【０００６】
【作用】チャンバーの外側に配置した加熱装置によりチ
ャンバー内が高温に加熱されるとともに、プラズマ発生
用電極にてチャンバー内にはプラズマが発生し、チャン
バー内の被処理物は、高真空、高温及びプラズマ雰囲気
下でキュアリング処理される。
ャンバー内が高温に加熱されるとともに、プラズマ発生
用電極にてチャンバー内にはプラズマが発生し、チャン
バー内の被処理物は、高真空、高温及びプラズマ雰囲気
下でキュアリング処理される。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマベーク
炉の縦断面図、図２はチャンバーの斜視図、図３はプラ
ズマ発生用電極の配置例を示す平面図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマベーク
炉の縦断面図、図２はチャンバーの斜視図、図３はプラ
ズマ発生用電極の配置例を示す平面図である。
【０００８】プラズマベーク炉はベースプレート１に開
口２を形成し、この開口２に真空引き装置につながる図
示しない配管を取り付け、また開口２を跨ぐように合成
石英等からなる被処理物保持具４を固定し、この被処理
物保持具４に半導体ウェハやガラス基板等の被処理物Ｗ
をセットしている。
口２を形成し、この開口２に真空引き装置につながる図
示しない配管を取り付け、また開口２を跨ぐように合成
石英等からなる被処理物保持具４を固定し、この被処理
物保持具４に半導体ウェハやガラス基板等の被処理物Ｗ
をセットしている。
【０００９】また、被処理物保持具４の外側には昇降体
５を配置している。この昇降体５は図示しないシリンダ
ユニットにより上下動可能とされ、その下面には円環状
のシール部材６を取り付けている。
５を配置している。この昇降体５は図示しないシリンダ
ユニットにより上下動可能とされ、その下面には円環状
のシール部材６を取り付けている。
【００１０】昇降体５の内側部分には合成石英等からな
るベルジャー型のチャンバー７の下端を固定し、昇降体
５の上には加熱装置８を固定している。この加熱装置８
は断熱壁９の内側面にヒータ線１０を配置し、断熱壁９
の外側をステンレスケース等で囲うようにしている。
るベルジャー型のチャンバー７の下端を固定し、昇降体
５の上には加熱装置８を固定している。この加熱装置８
は断熱壁９の内側面にヒータ線１０を配置し、断熱壁９
の外側をステンレスケース等で囲うようにしている。
【００１１】尚、図１においてはチャンバー７及び加熱
装置８をベースプレート１に対して昇降自在とし、被処
理物保持具４をベースプレート１に固定したが、チャン
バー７及び加熱装置８をベースプレート１に固定し、被
処理物保持具４をベースプレート１に形成した開口２を
介して昇降自在としてもよい。
装置８をベースプレート１に対して昇降自在とし、被処
理物保持具４をベースプレート１に固定したが、チャン
バー７及び加熱装置８をベースプレート１に固定し、被
処理物保持具４をベースプレート１に形成した開口２を
介して昇降自在としてもよい。
【００１２】一方、チャンバー７の外周にはプラズマ発
生用電極１１を配置している。このプラズマ発生用電極
１１は上下方向に伸び且つ周方向に配置される複数本
（図示例では６本）の帯状電極１１ａ…からなる。そし
て、帯状電極１１ａ…のうちの所定の本数（図示例では
４本）を高周波電源１２に接続し、残りの帯状電極（図
示例では２本）をアースしている。また帯状電極１１ａ
…の上端はチャンバー７の一部に形成した係止部１３に
嵌め込まれ、更に係止部１３の内側に入り込む部分には
熱膨張によって係止部１３を破損するのを防止するため
のスリット１１ｂを形成している。尚、帯状電極１１ａ
の本数は任意であり、またどの帯状電極を高周波電源１
２に接続するかも任意であり、更に帯状電極の代わりに
棒状電極としてもよい。
生用電極１１を配置している。このプラズマ発生用電極
１１は上下方向に伸び且つ周方向に配置される複数本
（図示例では６本）の帯状電極１１ａ…からなる。そし
て、帯状電極１１ａ…のうちの所定の本数（図示例では
４本）を高周波電源１２に接続し、残りの帯状電極（図
示例では２本）をアースしている。また帯状電極１１ａ
…の上端はチャンバー７の一部に形成した係止部１３に
嵌め込まれ、更に係止部１３の内側に入り込む部分には
熱膨張によって係止部１３を破損するのを防止するため
のスリット１１ｂを形成している。尚、帯状電極１１ａ
の本数は任意であり、またどの帯状電極を高周波電源１
２に接続するかも任意であり、更に帯状電極の代わりに
棒状電極としてもよい。
【００１３】図４及び図５はプラズマ発生用電極１１の
別実施例を示し、図４に示すプラズマ発生用電極１１に
あっては高周波電源１２に接続する帯状電極１１ａ…の
上下の端部間及びアースされた帯状電極１１ａ…の上下
の端部間を電気的に接続し、チャンバー７内にプラズマ
がより均一に発生するようにしている。また、図５に示
すプラズマ発生用電極１１は筒状のメッシュ電極として
いる。尚、メッシュ電極の代わりにパンチングメタルに
て筒状のプラズマ発生用電極１１を構成してもよい。
別実施例を示し、図４に示すプラズマ発生用電極１１に
あっては高周波電源１２に接続する帯状電極１１ａ…の
上下の端部間及びアースされた帯状電極１１ａ…の上下
の端部間を電気的に接続し、チャンバー７内にプラズマ
がより均一に発生するようにしている。また、図５に示
すプラズマ発生用電極１１は筒状のメッシュ電極として
いる。尚、メッシュ電極の代わりにパンチングメタルに
て筒状のプラズマ発生用電極１１を構成してもよい。
【００１４】図６はチャンバー７と加熱装置８とを独立
して昇降させるようにした別実施例を示す。即ち、加熱
装置８をチャンバー７を支持する昇降体５とは別の昇降
体１４上に支持し、キュアリング前に加熱装置８のみを
上昇させることで、チャンバー７内の温度を速やかに低
下せしめることができ、低温下（２００℃程度）つまり
縮合反応を起こさない温度で溶剤のみを蒸発させること
ができ、膜強度を高めることができる。
して昇降させるようにした別実施例を示す。即ち、加熱
装置８をチャンバー７を支持する昇降体５とは別の昇降
体１４上に支持し、キュアリング前に加熱装置８のみを
上昇させることで、チャンバー７内の温度を速やかに低
下せしめることができ、低温下（２００℃程度）つまり
縮合反応を起こさない温度で溶剤のみを蒸発させること
ができ、膜強度を高めることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
処理チャンバーの外周にプラズマ発生用の電極を設ける
とともに、この電極よりも外側に加熱装置を配置し、し
かも電極の形状を帯状、棒状、パンチング或いはメッシ
ュ等のように、加熱装置からチャンバーへの放射熱を遮
断しないものとしたので、プラズマ雰囲気下でキュアリ
ング処理することができ、膜質の改善等が有効に行なえ
る。なお、本発明のプラズマベーク炉を用いれば、塗布
された被膜に、まずプラズマ処理することによって被膜
を改質し、続いて加熱処理することによって被膜中の溶
剤を揮発除去せしめることもできる。
処理チャンバーの外周にプラズマ発生用の電極を設ける
とともに、この電極よりも外側に加熱装置を配置し、し
かも電極の形状を帯状、棒状、パンチング或いはメッシ
ュ等のように、加熱装置からチャンバーへの放射熱を遮
断しないものとしたので、プラズマ雰囲気下でキュアリ
ング処理することができ、膜質の改善等が有効に行なえ
る。なお、本発明のプラズマベーク炉を用いれば、塗布
された被膜に、まずプラズマ処理することによって被膜
を改質し、続いて加熱処理することによって被膜中の溶
剤を揮発除去せしめることもできる。
【図１】本発明に係るプラズマベーク炉の縦断面図
【図２】チャンバーの斜視図
【図３】プラズマ発生用電極の配置例を示す平面図
【図４】プラズマ発生用電極の別実施例を示す図２と同
様の図
様の図
【図５】プラズマ発生用電極の別実施例を示す図２と同
様の図
様の図
【図６】別実施例に係るプラズマベーク炉の縦断面図
１…ベースプレート、２…開口、４…被処理物保持具、
５，１４…昇降体、７…チャンバー、８…加熱装置、１
１…プラズマ発生用電極、１１ａ…帯状電極、１２…高
周波電源。
５，１４…昇降体、７…チャンバー、８…加熱装置、１
１…プラズマ発生用電極、１１ａ…帯状電極、１２…高
周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−160042（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−81920（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11621（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−302146（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−118434（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31
Claims (4)
- 【請求項１】 ベースプレートに対して昇降可能とされ
たチャンバーと、ベースプレートに形成した開口を介し
て前記チャンバー内に臨むかベースプレートに形成した
開口を跨ぐように固設された被処理物保持具と、前記チ
ャンバーの外側に配置される加熱装置と、前記チャンバ
ーと前記加熱装置との間に配置され且つ加熱装置からチ
ャンバーへの放射熱を遮断しない形状とされたプラズマ
発生用電極とからなることを特徴とするプラズマベーク
炉。 - 【請求項２】 前記チャンバーと加熱装置とが独立して
昇降動することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
ベーク炉。 - 【請求項３】 前記プラズマ発生用電極は上下方向に伸
びる複数本の帯状または棒状電極からなり、これら帯状
または棒状電極はチャンバーの外側面に周方向に配置さ
れ、更に帯状または棒状電極のうち高周波電源に接続さ
れる電極同士は上端部間及び下端部間が電気的に接続さ
れ、またアースされる電極同士は上端部間及び下端部間
が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に
記載のプラズマベーク炉。 - 【請求項４】 前記プラズマ発生用電極はチャンバー外
周を囲むように配置される筒状のパンチング電極または
メッシュ電極であることを特徴とする請求項１に記載の
プラズマベーク炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355692A JP3346809B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | プラズマベーク炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355692A JP3346809B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | プラズマベーク炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163390A JPH06163390A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3346809B2 true JP3346809B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=18267365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33355692A Expired - Fee Related JP3346809B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | プラズマベーク炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3346809B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006831A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Joung Yeol Cho | Method for manufacturing external electrode fluorescent lamps having various shapes and sizes and glass tube unit structure used for the method |
| JP4794360B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2011-10-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP33355692A patent/JP3346809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163390A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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