JPH05234949A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH05234949A JPH05234949A JP7293392A JP7293392A JPH05234949A JP H05234949 A JPH05234949 A JP H05234949A JP 7293392 A JP7293392 A JP 7293392A JP 7293392 A JP7293392 A JP 7293392A JP H05234949 A JPH05234949 A JP H05234949A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体の裏面側全体にプラズマ処理を行う
こと。 【構成】 ウエハボート５の爪部１２の保持面１３を内
側に向かって下がるように傾斜させ、ウエハＷの裏面１
４と保持面１３とのなす角度θを例えば４度に設定す
る。そして例えば裏面側全面にポリシリコン膜が付着し
ている半導体ウエハＷを多数枚ウエハボート５に搭載し
て、エッチトンネル６を備えた二重構造の反応管１内に
ロードする。次にＣＦ４ガスとＯ２ガスとの混合ガスを
プラズマ化し、ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜をエ
ッチングする。前記保持面１３とウエハＷの裏面１４と
の間には隙間が形成されているのでウエハ裏面全体に亘
ってエッチングすることができる。
こと。 【構成】 ウエハボート５の爪部１２の保持面１３を内
側に向かって下がるように傾斜させ、ウエハＷの裏面１
４と保持面１３とのなす角度θを例えば４度に設定す
る。そして例えば裏面側全面にポリシリコン膜が付着し
ている半導体ウエハＷを多数枚ウエハボート５に搭載し
て、エッチトンネル６を備えた二重構造の反応管１内に
ロードする。次にＣＦ４ガスとＯ２ガスとの混合ガスを
プラズマ化し、ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜をエ
ッチングする。前記保持面１３とウエハＷの裏面１４と
の間には隙間が形成されているのでウエハ裏面全体に亘
ってエッチングすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
高スループット化を図るためにウエハをバッチ処理する
ことが行われており、例えば成膜工程では、ウエハボー
トに多数枚例えば１００枚のウエハを積み重ねて搭載
し、このウエハボートを処理炉内に導入して成膜するよ
うにしている。
高スループット化を図るためにウエハをバッチ処理する
ことが行われており、例えば成膜工程では、ウエハボー
トに多数枚例えば１００枚のウエハを積み重ねて搭載
し、このウエハボートを処理炉内に導入して成膜するよ
うにしている。
【０００３】ところでこのようにして成膜を行う場合に
は、処理炉内における処理ガスの流れや温度分布の均一
化を図るために各ウエハの周縁部の数箇所を支持するよ
うにしており、このためウエハの裏面（被処理面とは反
対側の面）側にも例えばポリシリコン膜や窒化シリコン
膜がＣＶＤにより成膜される。このようにウエハの裏面
側にも成膜されると、その後ウエハが熱処理などにより
加熱されたときに表面と裏面との間の熱膨脹の差により
反りが生じ、今後ウエハが６インチから８インチ、１２
インチへと増々大口径化する傾向にあることから、ウエ
ハの反りの程度、即ちウエハ面内の高さの差も大きくな
ってしまう。
は、処理炉内における処理ガスの流れや温度分布の均一
化を図るために各ウエハの周縁部の数箇所を支持するよ
うにしており、このためウエハの裏面（被処理面とは反
対側の面）側にも例えばポリシリコン膜や窒化シリコン
膜がＣＶＤにより成膜される。このようにウエハの裏面
側にも成膜されると、その後ウエハが熱処理などにより
加熱されたときに表面と裏面との間の熱膨脹の差により
反りが生じ、今後ウエハが６インチから８インチ、１２
インチへと増々大口径化する傾向にあることから、ウエ
ハの反りの程度、即ちウエハ面内の高さの差も大きくな
ってしまう。
【０００４】一方半導体デバイスのリソグラフィー工程
においては、パターンの微細化に伴い、焦点深度が浅く
なっているので、ウエハの反りの程度が大きいと正確な
リソグラフィーができず、反りの最大許容範囲は、例え
ば前記ウエハの面内の高さの差が１５ミクロン程度と非
常に小さくなっている。従ってこのような事情から、更
には反りが大きいとウエハ内に内部歪みが生じて電気特
性に悪影響を及ぼすことなどから、ウエハの裏面側に付
着した膜を予め除去する必要がある。
においては、パターンの微細化に伴い、焦点深度が浅く
なっているので、ウエハの反りの程度が大きいと正確な
リソグラフィーができず、反りの最大許容範囲は、例え
ば前記ウエハの面内の高さの差が１５ミクロン程度と非
常に小さくなっている。従ってこのような事情から、更
には反りが大きいとウエハ内に内部歪みが生じて電気特
性に悪影響を及ぼすことなどから、ウエハの裏面側に付
着した膜を予め除去する必要がある。
【０００５】従来ウエハの裏面側の膜を除去するために
は、ウエハの表面をレジスト膜で覆い、ウエハを薬液に
浸漬して前記膜をウエットエッチングし、その後レジス
ト膜をアッシングする方法、あるいはウエハをエッチン
グ専用の反応管内にロードしてエッチングガスにより、
前記膜をドライエッチングし、その後別のアッシング専
用の反応管内にロードしてレジスト膜をアッシングする
方法などが採用されていた。
は、ウエハの表面をレジスト膜で覆い、ウエハを薬液に
浸漬して前記膜をウエットエッチングし、その後レジス
ト膜をアッシングする方法、あるいはウエハをエッチン
グ専用の反応管内にロードしてエッチングガスにより、
前記膜をドライエッチングし、その後別のアッシング専
用の反応管内にロードしてレジスト膜をアッシングする
方法などが採用されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】被処理体のプラズマ処
理例えば半導体ウエハの裏面エッチングをバッチ処理に
より行うと、ウエハ裏面全体に亘ってエッチングを行う
場合、できるだけエッチング未処理の領域を小さくする
ことが望ましいが、従来のウエハ裏面とウエハボートの
保持面とが面接触するウエハボートを用いて処理を行っ
ていたのでは、この面接触部分が大きくエッチング未処
理領域として残っていた。
理例えば半導体ウエハの裏面エッチングをバッチ処理に
より行うと、ウエハ裏面全体に亘ってエッチングを行う
場合、できるだけエッチング未処理の領域を小さくする
ことが望ましいが、従来のウエハ裏面とウエハボートの
保持面とが面接触するウエハボートを用いて処理を行っ
ていたのでは、この面接触部分が大きくエッチング未処
理領域として残っていた。
【０００７】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、被処理体の裏面のプラズマ
処理を行うにあたり、できる限り未処理部分を小さくす
ることのできるプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
たものであり、その目的は、被処理体の裏面のプラズマ
処理を行うにあたり、できる限り未処理部分を小さくす
ることのできるプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数枚の被処
理体を水平に間隔をおいて積み重ねて保持するウエハボ
ートを設けたプラズマ装置において、前記被処理体を保
持するウエハボートの保持面が前記被処理体の裏面に対
して傾斜した角度に設けられたことを特徴とする。
理体を水平に間隔をおいて積み重ねて保持するウエハボ
ートを設けたプラズマ装置において、前記被処理体を保
持するウエハボートの保持面が前記被処理体の裏面に対
して傾斜した角度に設けられたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】被処理体のプラズマ処理例えば半導体ウエハの
裏面エッチングをバッチ処理により行うと、ウエハを保
持するウエハボートの保持面からウエハ裏面が傾斜して
いるので、ウエハ裏面と前記保持面との間もエッチング
処理を行うことができ、プラズマ処理の未処理領域をな
くすことができる。
裏面エッチングをバッチ処理により行うと、ウエハを保
持するウエハボートの保持面からウエハ裏面が傾斜して
いるので、ウエハ裏面と前記保持面との間もエッチング
処理を行うことができ、プラズマ処理の未処理領域をな
くすことができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例に用いられるプラズマ
処理装置の一例を示す図である。図１において、１は反
応管であり、この反応管１は、例えば石英からなる外筒
１ａと、この外筒１ａ内に間隙を介して同心状に配列さ
れた例えば石英からなる内筒１ｂとから構成されてい
る。
処理装置の一例を示す図である。図１において、１は反
応管であり、この反応管１は、例えば石英からなる外筒
１ａと、この外筒１ａ内に間隙を介して同心状に配列さ
れた例えば石英からなる内筒１ｂとから構成されてい
る。
【００１１】前記内筒１ｂには、例えば全周を１／４等
分した４ヶ所の各位置にて穴径φ２ｍｍの穴Ｓが上下方
向に多数形成されており、また全周に亘って多数の穴が
形成された導電性円筒である例えばアルミニウムよりな
るエッチトンネル２が前記内筒１ｂの外周面を覆うよう
に設けられている。
分した４ヶ所の各位置にて穴径φ２ｍｍの穴Ｓが上下方
向に多数形成されており、また全周に亘って多数の穴が
形成された導電性円筒である例えばアルミニウムよりな
るエッチトンネル２が前記内筒１ｂの外周面を覆うよう
に設けられている。
【００１２】前記外筒１ａ及び内筒１ｂは各々その下端
にて、ステンレスなどからなる筒状のマニホールド３に
保持されており、このマニホールド３は図示しないベー
スプレート（基台）に保持された状態で固定されると共
に、マニホールド３と外筒１ａの下端部との間には、気
密性を確保するためにＯリング１Ｃが介設されている。
前記マニホールド３の下端部の開口部には、ステンレス
などからなる円盤状のキャップ部３ａが開閉自在に設け
られると共に、このキャップ部３ａの略中心部には、図
示しない回転機構により駆動される回転軸３ｂが例えば
磁気シールにより気密な状態で挿通されており、この回
転軸３ｂの上端にはターンテーブル４が固定されてい
る。
にて、ステンレスなどからなる筒状のマニホールド３に
保持されており、このマニホールド３は図示しないベー
スプレート（基台）に保持された状態で固定されると共
に、マニホールド３と外筒１ａの下端部との間には、気
密性を確保するためにＯリング１Ｃが介設されている。
前記マニホールド３の下端部の開口部には、ステンレス
などからなる円盤状のキャップ部３ａが開閉自在に設け
られると共に、このキャップ部３ａの略中心部には、図
示しない回転機構により駆動される回転軸３ｂが例えば
磁気シールにより気密な状態で挿通されており、この回
転軸３ｂの上端にはターンテーブル４が固定されてい
る。
【００１３】前記ターンテーブル４の上面には、石英か
らなる保温筒４ａが設置されており、この保温筒４ａ上
には、例えば２５または５０枚の半導体ウエハＷが各々
略水平な状態でかつ互いに所定の間隔例えば４，７６ｍ
ｍ間隔で積層して収容する石英からなるウエハボート５
が搭載されている。このウエハボート５は、各ウエハの
周縁部を周方向に沿って例えば４ヶ所保持するように構
成されており、キャップ部３ａの保温筒４ａなどと一体
となって図示しない搬送機構により反応管１内に搬入搬
出される。
らなる保温筒４ａが設置されており、この保温筒４ａ上
には、例えば２５または５０枚の半導体ウエハＷが各々
略水平な状態でかつ互いに所定の間隔例えば４，７６ｍ
ｍ間隔で積層して収容する石英からなるウエハボート５
が搭載されている。このウエハボート５は、各ウエハの
周縁部を周方向に沿って例えば４ヶ所保持するように構
成されており、キャップ部３ａの保温筒４ａなどと一体
となって図示しない搬送機構により反応管１内に搬入搬
出される。
【００１４】前記マニホールド３ａの側面には、例えば
石英よりなるインジェクタ６が気密に水平に挿入されて
おり、このインジェクタ６の内端側は、Ｌ字状に屈曲さ
れ、外筒１ａとエッチトンネル２との間において上方に
向けて垂直に伸びている。前記インジェクタ６における
垂立した管路部分には、多数のガス流出孔６ａが上下方
向に所定の間隔で形成されている。前記インジェクタ６
の外端側には、プラズマ用の処理ガスであるフロン（Ｃ
Ｆ４）ガスや酸素ガスなどの図示しないガス供給源が接
続されている。
石英よりなるインジェクタ６が気密に水平に挿入されて
おり、このインジェクタ６の内端側は、Ｌ字状に屈曲さ
れ、外筒１ａとエッチトンネル２との間において上方に
向けて垂直に伸びている。前記インジェクタ６における
垂立した管路部分には、多数のガス流出孔６ａが上下方
向に所定の間隔で形成されている。前記インジェクタ６
の外端側には、プラズマ用の処理ガスであるフロン（Ｃ
Ｆ４）ガスや酸素ガスなどの図示しないガス供給源が接
続されている。
【００１５】また前記マニホールド３の側面には反応管
１内の処理ガスを排出して当該反応管１内を所定の減圧
雰囲気に設定するための排気路７が接続されている。さ
らに前記外筒１ａの外側には、これを囲むように間隙を
介して横断面形状が円弧状の一対の電極８１、８２が設
置されており、一方の電極８１は高周波電源Ｅに接続さ
れ、他方の電極８２は接地されている。
１内の処理ガスを排出して当該反応管１内を所定の減圧
雰囲気に設定するための排気路７が接続されている。さ
らに前記外筒１ａの外側には、これを囲むように間隙を
介して横断面形状が円弧状の一対の電極８１、８２が設
置されており、一方の電極８１は高周波電源Ｅに接続さ
れ、他方の電極８２は接地されている。
【００１６】次に上述の装置を用いたプラズマ処理の一
例について述べる。図２（ａ）は、上述の装置によりプ
ラズマ処理すべき被処理体としての半導体ウエハＷの模
式図であり、このウエハＷは、シリコンウエハ９１の表
裏両面（側面も含む全面）に例えば膜厚１０００オング
ストロームのシリコン酸化膜９２、膜厚４０００オング
ストロームのポリシリコン膜９３がこの順で積層される
と共に、被処理面である表面側のポリシリコン膜９３に
パターンが形成され、更に当該表面側のポリシリコン膜
９３の全体が保護膜をなすノボラック系の膜厚例えば１
３０００〜１８０００オングストロームのレジスト膜９
４により覆われている。
例について述べる。図２（ａ）は、上述の装置によりプ
ラズマ処理すべき被処理体としての半導体ウエハＷの模
式図であり、このウエハＷは、シリコンウエハ９１の表
裏両面（側面も含む全面）に例えば膜厚１０００オング
ストロームのシリコン酸化膜９２、膜厚４０００オング
ストロームのポリシリコン膜９３がこの順で積層される
と共に、被処理面である表面側のポリシリコン膜９３に
パターンが形成され、更に当該表面側のポリシリコン膜
９３の全体が保護膜をなすノボラック系の膜厚例えば１
３０００〜１８０００オングストロームのレジスト膜９
４により覆われている。
【００１７】そしてこのような半導体ウエハＷを例えば
２５〜６６枚収納したウエハボート５を図示しない搬送
機構により反応管１内にロードする。続いて反応管１内
を例えば１×１０−３Ｔｏｒｒの真空状態まで排気した
後、インジェクタ６内に例えばフロン（ＣＦ４）ガス及
び酸素（Ｏ２）ガスの混合ガスを流量比ＣＦ４／Ｏ２＝
１１／３程度で導入してインジェクタ６のガス流出孔６
ａから噴出させると共に、反応管１内を０，２Ｔｏｒｒ
になるように圧力制御しながら排気を行い、室温の状態
で電極８１、８２間に例えば電力２Ｋｗ、周波数１３，
５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して前記混合ガスのプラ
ズマを発生させる。そしてプラズマ中のフッソラジカル
及び酸素ラジカルがエッチトンネル２を通り、更に内管
１ｂ内に入り込んで半導体ウエハＷの裏面側（側面側も
含む）のポリシリコン膜９３、即ちレジスト膜９４に覆
われていない、露出しているポリシリコン膜９３を例え
ば２０分程度エッチングし、図２（ｂ）に示すように、
当該ポリシリコン膜９３を除去する。エッチングの時間
は、例えばエンドポイントモニターにより終点検出され
適切に管理されている。
２５〜６６枚収納したウエハボート５を図示しない搬送
機構により反応管１内にロードする。続いて反応管１内
を例えば１×１０−３Ｔｏｒｒの真空状態まで排気した
後、インジェクタ６内に例えばフロン（ＣＦ４）ガス及
び酸素（Ｏ２）ガスの混合ガスを流量比ＣＦ４／Ｏ２＝
１１／３程度で導入してインジェクタ６のガス流出孔６
ａから噴出させると共に、反応管１内を０，２Ｔｏｒｒ
になるように圧力制御しながら排気を行い、室温の状態
で電極８１、８２間に例えば電力２Ｋｗ、周波数１３，
５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して前記混合ガスのプラ
ズマを発生させる。そしてプラズマ中のフッソラジカル
及び酸素ラジカルがエッチトンネル２を通り、更に内管
１ｂ内に入り込んで半導体ウエハＷの裏面側（側面側も
含む）のポリシリコン膜９３、即ちレジスト膜９４に覆
われていない、露出しているポリシリコン膜９３を例え
ば２０分程度エッチングし、図２（ｂ）に示すように、
当該ポリシリコン膜９３を除去する。エッチングの時間
は、例えばエンドポイントモニターにより終点検出され
適切に管理されている。
【００１８】次に上述の裏面エッチングのメカニズムに
ついて考察する。先ずポリシリコン膜のエッチングにつ
いては、図３に示すように、ＣＦ４から分解したＦラジ
カルがエッチングに直接関与し、Ｏ２はＣＦ４が分解し
たときに生成される、エッチングに不必要なＣをＣＯや
ＣＯ２などのの酸化物として排出するために使用され、
これによりＦラジカルがポリシリコンと効率的に反応
し、エッチングする。この場合ポリシリコン膜のエッチ
ング中は、レジスト膜表面がＦラジカルによってフッ素
化されるためアッシングされない。実験によれば混合ガ
スの流量比ＣＦ４／Ｏ２＝１１／３程度、圧力が０，２
Ｔｏｒｒ程度のときにエッチングレートが２００オング
ストローム／ｍｉｎと最大であった。
ついて考察する。先ずポリシリコン膜のエッチングにつ
いては、図３に示すように、ＣＦ４から分解したＦラジ
カルがエッチングに直接関与し、Ｏ２はＣＦ４が分解し
たときに生成される、エッチングに不必要なＣをＣＯや
ＣＯ２などのの酸化物として排出するために使用され、
これによりＦラジカルがポリシリコンと効率的に反応
し、エッチングする。この場合ポリシリコン膜のエッチ
ング中は、レジスト膜表面がＦラジカルによってフッ素
化されるためアッシングされない。実験によれば混合ガ
スの流量比ＣＦ４／Ｏ２＝１１／３程度、圧力が０，２
Ｔｏｒｒ程度のときにエッチングレートが２００オング
ストローム／ｍｉｎと最大であった。
【００１９】ここで図２に示す半導体ウエハＷにおい
て、ポリシリコン膜が窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜の
場合にも本発明を適用することができ、この場合裏面エ
ッチングを行うための処理ガスとしては、フロンガス、
酸素ガス及び窒素ガスの混合ガスを用いることができ
る。図４はＳｉ３Ｎ４膜のエッチングの様子を示す図で
あり、ＳｉはＳｉＦｘのＦ化物の形で膜から引き抜か
れ、ある程度エッチングが進行したときにＳｉ３Ｎ４膜
の表面にＮの層が現れるが、このＮと処理ガス中のＮラ
ジカルとが反応してＮ２を形成し、Ｎが膜から引き抜か
れ、これによってエッチングが効率的に進む。Ｓｉ３Ｎ
４膜のエッチングにおいては、例えば流量比ＣＦ４／Ｏ
２／Ｎ２＝５／４／１、圧力０，５Ｔｏｒｒでエッチン
グレートが１５０オングストローム／ｍｉｎと最大であ
った。
て、ポリシリコン膜が窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜の
場合にも本発明を適用することができ、この場合裏面エ
ッチングを行うための処理ガスとしては、フロンガス、
酸素ガス及び窒素ガスの混合ガスを用いることができ
る。図４はＳｉ３Ｎ４膜のエッチングの様子を示す図で
あり、ＳｉはＳｉＦｘのＦ化物の形で膜から引き抜か
れ、ある程度エッチングが進行したときにＳｉ３Ｎ４膜
の表面にＮの層が現れるが、このＮと処理ガス中のＮラ
ジカルとが反応してＮ２を形成し、Ｎが膜から引き抜か
れ、これによってエッチングが効率的に進む。Ｓｉ３Ｎ
４膜のエッチングにおいては、例えば流量比ＣＦ４／Ｏ
２／Ｎ２＝５／４／１、圧力０，５Ｔｏｒｒでエッチン
グレートが１５０オングストローム／ｍｉｎと最大であ
った。
【００２０】以上において、プラズマ処理を行う装置と
して反応管１を外筒１ａ及び内筒１ｂの二重管構造とす
ることにより、ウエハをプラズマ発生領域に近づけなが
ら当該プラズマ発生領域から完全に分離することがで
き、このためウエハへのダメージを抑制することができ
ると共に、ラジカルの消失を抑えることができ、ウエハ
載置領域内へのラジカルの導入量を制御できるので、均
一な処理を行うことができる。
して反応管１を外筒１ａ及び内筒１ｂの二重管構造とす
ることにより、ウエハをプラズマ発生領域に近づけなが
ら当該プラズマ発生領域から完全に分離することがで
き、このためウエハへのダメージを抑制することができ
ると共に、ラジカルの消失を抑えることができ、ウエハ
載置領域内へのラジカルの導入量を制御できるので、均
一な処理を行うことができる。
【００２１】そしてプラズマ処理装置としては、上述の
構成に限定されることなく、例えば処理ガスの反応管内
への導入路中にてプラズマを発生させ、そのプラズマを
例えばプラズマ導入量制御用の通孔部を備えた石英板を
通して、ラジカルのみを反応領域に導入するように構成
してもよい。
構成に限定されることなく、例えば処理ガスの反応管内
への導入路中にてプラズマを発生させ、そのプラズマを
例えばプラズマ導入量制御用の通孔部を備えた石英板を
通して、ラジカルのみを反応領域に導入するように構成
してもよい。
【００２２】上述の装置において、図５及び図６に示す
ようにウエハボート５の支持棒１１に設けられたウエハ
Ｗを保持する爪部１２の保持面１３がウエハＷの裏面１
４に対して傾斜した角度θに設けられており、このため
ウエハの裏面１４と爪部１２との接触領域は極めて小さ
いから、前記ウエハボート５に保持された複数のウエハ
Ｗは、図に示したプラズマ処理装置においてプラズマ処
理例えば裏面エッチングを行った際ウエハＷの裏面１４
の全体に亘ってプラズマ処理を行うことができる。
ようにウエハボート５の支持棒１１に設けられたウエハ
Ｗを保持する爪部１２の保持面１３がウエハＷの裏面１
４に対して傾斜した角度θに設けられており、このため
ウエハの裏面１４と爪部１２との接触領域は極めて小さ
いから、前記ウエハボート５に保持された複数のウエハ
Ｗは、図に示したプラズマ処理装置においてプラズマ処
理例えば裏面エッチングを行った際ウエハＷの裏面１４
の全体に亘ってプラズマ処理を行うことができる。
【００２３】ウエハＷを保持する爪部１２の保持面１３
と、ウエハＷの裏面１４が形成する角度θは、例えば４
度に設定することにより爪部１２の保持面１３とウエハ
Ｗの裏面１４の間も裏面エッチングすることができる。
と、ウエハＷの裏面１４が形成する角度θは、例えば４
度に設定することにより爪部１２の保持面１３とウエハ
Ｗの裏面１４の間も裏面エッチングすることができる。
【００２４】またこのプラズマ処理としては裏面エッチ
ングに限らずウエハの膜付面（半導体素子の形成面）を
下方に向けて、前記ウエハボート５に保持することによ
り行われるエッチング、アッシングなどの他のプラズマ
処理にも適用することができる。
ングに限らずウエハの膜付面（半導体素子の形成面）を
下方に向けて、前記ウエハボート５に保持することによ
り行われるエッチング、アッシングなどの他のプラズマ
処理にも適用することができる。
【００２５】なお被処理体の裏面側の膜は、裏面全面に
亘って付着しているものに限定されることなく、裏面に
点在しているものであってもよい。
亘って付着しているものに限定されることなく、裏面に
点在しているものであってもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理装置にお
いて被処理体を保持する前記被処理体の裏面全体にプラ
ズマ処理を行うことができる。
いて被処理体を保持する前記被処理体の裏面全体にプラ
ズマ処理を行うことができる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す縦断側面図である。
す縦断側面図である。
【図２】被処理体としての半導体ウエハの構造を示す説
明図である。
明図である。
【図３】半導体ウエハの裏面エッチングの様子を示す説
明図である。
明図である。
【図４】半導体の裏面エッチングの様子を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】ウエハボートの構造の一部の一例を示す斜視図
である。
である。
【図６】ウエハボートの構造の要部を示す断面図であ
る。
る。
１ 反応管 １２ 爪部 １４ ウエハ裏面 ２ エッチトンネル ３ マニホールド ４ａ 保温筒 ５ ウエハボート ６ インジェクタ ８１、８２ 電極 ９３ ポリシリコン膜 ９４ レジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿崎純一 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 青木 一二 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン相模株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 複数枚の被処理体を水平に間隔をおいて
積み重ねて保持するウエハボートを設けたプラズマ装置
において、 前記被処理体を保持するウエハボートの保持面が前記被
処理体の裏面に対して傾斜した角度に設けられたことを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7293392A JPH05234949A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7293392A JPH05234949A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234949A true JPH05234949A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13503665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7293392A Pending JPH05234949A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234949A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060163A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2004152920A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法 |
| JP2018011011A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP7293392A patent/JPH05234949A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060163A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2004152920A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法 |
| JP2018011011A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
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