JP3165928B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ある種のガスを放電させ
て得られたプラズマ中には、イオン、錯イオン、ラジカ
ルなどの活性種が存在し、これら活性種の利用分野の一
つとして半導ウエハの表面処理が挙げられる。プラズマ
による処理は、高精度なプロセス制御ができることなど
の理由から、半導体ウエハの製造プロセスでは、各種の
膜のエッチングや成膜などを行うためにプラズマ処理が
行われている。
て得られたプラズマ中には、イオン、錯イオン、ラジカ
ルなどの活性種が存在し、これら活性種の利用分野の一
つとして半導ウエハの表面処理が挙げられる。プラズマ
による処理は、高精度なプロセス制御ができることなど
の理由から、半導体ウエハの製造プロセスでは、各種の
膜のエッチングや成膜などを行うためにプラズマ処理が
行われている。
【０００３】プラズマ処理には処理の方向性を持った異
方性エッチングやその他種々の処理が含まれるが、その
中でも処理の方向性を持たない等方性エッチングやレジ
スト膜のアッシングを行う装置としては、例えば、従来
図４に示すような装置が知られている。図４の装置は、
処理ガスを導入するためのインジェクタ１１が貫通さ
れ、かつ排気管１２が接続された例えばステンレス製の
マニホールド１３をベースプレート１３ａに固定すると
共に、マニホールド１３上に例えば石英からなる縦型の
反応管１４を支持させて設置し、高周波電源Ｅに接続し
た電極１５と接地した電極１６とを、各々反応管１４の
管壁に沿ってかつ反応管１４の中央を介して互いに対向
するように配置し、更にマニホールド１３の下端閉口部
には、ウエハボート１７を反応管１４内にロードしたと
きにシールするようにキャップ部１８を設けて構成され
ている。
方性エッチングやその他種々の処理が含まれるが、その
中でも処理の方向性を持たない等方性エッチングやレジ
スト膜のアッシングを行う装置としては、例えば、従来
図４に示すような装置が知られている。図４の装置は、
処理ガスを導入するためのインジェクタ１１が貫通さ
れ、かつ排気管１２が接続された例えばステンレス製の
マニホールド１３をベースプレート１３ａに固定すると
共に、マニホールド１３上に例えば石英からなる縦型の
反応管１４を支持させて設置し、高周波電源Ｅに接続し
た電極１５と接地した電極１６とを、各々反応管１４の
管壁に沿ってかつ反応管１４の中央を介して互いに対向
するように配置し、更にマニホールド１３の下端閉口部
には、ウエハボート１７を反応管１４内にロードしたと
きにシールするようにキャップ部１８を設けて構成され
ている。
【０００４】このような装置においては、反応管１４内
を所定の真空度に排気した後、電極１５、１６間に高周
波電圧を印加すると共に、インジェクタ１１から反応管
１４内に処理ガスを導入すると、プラズマが発生し、こ
のプラズマによりウエハボート１７上のウエハに対して
等方性エッチングなどのプラズマ処理が行われる。
を所定の真空度に排気した後、電極１５、１６間に高周
波電圧を印加すると共に、インジェクタ１１から反応管
１４内に処理ガスを導入すると、プラズマが発生し、こ
のプラズマによりウエハボート１７上のウエハに対して
等方性エッチングなどのプラズマ処理が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電極１６や
高周波電源Ｅはベースプレート１３ａに接続されること
により接地されており、またマニホールド１３もベース
プレート１３ａに保持されていることから、電源Ｅ→電
極１５→放電空間→電極１６→電源Ｅのループの他に、
電源Ｅ→電極１５→放電空間→マニホールド１３→電源
Ｅのループが形成されることになる。従って前者のルー
プに比べて後者のループの回路抵抗が小さい場合、例え
ば反応管１４の下部側領域のガス圧が低い場合などに
は、電極１５とマニホールド１３との間で放電が起こっ
てしまう。しかしながらこのような放電が起こると反応
管１４の下部側のプラズマが強くなるので、ウエハボー
ト１７に積層されたウエハについて上部側と下部側との
ウエハ間で均一な処理ができなくなる上、マニホールド
１３から重金属が蒸散してウエハを汚染してしまうこと
になる。
高周波電源Ｅはベースプレート１３ａに接続されること
により接地されており、またマニホールド１３もベース
プレート１３ａに保持されていることから、電源Ｅ→電
極１５→放電空間→電極１６→電源Ｅのループの他に、
電源Ｅ→電極１５→放電空間→マニホールド１３→電源
Ｅのループが形成されることになる。従って前者のルー
プに比べて後者のループの回路抵抗が小さい場合、例え
ば反応管１４の下部側領域のガス圧が低い場合などに
は、電極１５とマニホールド１３との間で放電が起こっ
てしまう。しかしながらこのような放電が起こると反応
管１４の下部側のプラズマが強くなるので、ウエハボー
ト１７に積層されたウエハについて上部側と下部側との
ウエハ間で均一な処理ができなくなる上、マニホールド
１３から重金属が蒸散してウエハを汚染してしまうこと
になる。
【０００６】そこでこうした放電を避けるために、従来
では電極１５、１６を高い位置に設けて電極１５とマニ
ホールド１３との離間距離を大きくし、この間の抵抗を
大きくするようにしていたが、このような構成では、処
理領域が狭くなるのでウエハの許容処理枚数が少なくな
り、スループットが低くなるという問題点があるし、ま
た反応管１４内のガスの状態によっては放電するおそれ
もあることから、確実にマニホールド１３への放電を防
止できるものではなかった。
では電極１５、１６を高い位置に設けて電極１５とマニ
ホールド１３との離間距離を大きくし、この間の抵抗を
大きくするようにしていたが、このような構成では、処
理領域が狭くなるのでウエハの許容処理枚数が少なくな
り、スループットが低くなるという問題点があるし、ま
た反応管１４内のガスの状態によっては放電するおそれ
もあることから、確実にマニホールド１３への放電を防
止できるものではなかった。
【０００７】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的とするところは、マニホールドな
どの保持部材への放電を確実に防止することができるプ
ラズマ処理装置を提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、マニホールドな
どの保持部材への放電を確実に防止することができるプ
ラズマ処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属製の保持
部材の上に保持され、下端が開口している縦型の反応管
と、多数の被処理体が積層されて前記反応管内に下方側
から搬入されるボ−トと、前記反応管の周方向に沿って
前記ボ−トにおける被処理体の積層領域の高さ位置に配
置されたプラズマ発生用電極と、を備え、 前記反応管内
に処理ガスを導入し、前記プラズマ発生用電極間に電圧
を印加してプラズマを発生させ、反応管内の被処理体を
プラズマ処理する装置において、前記プラズマ発生用電
極と前記保持部材との間に反応管の周方向に沿って設け
られ、接地された放電トラップ電極と、 前記処理ガスに
接する前記保持部材の内面を密着して又は狭い間隙を介
して覆った絶縁カバーと、を備えたことを特徴とする。
部材の上に保持され、下端が開口している縦型の反応管
と、多数の被処理体が積層されて前記反応管内に下方側
から搬入されるボ−トと、前記反応管の周方向に沿って
前記ボ−トにおける被処理体の積層領域の高さ位置に配
置されたプラズマ発生用電極と、を備え、 前記反応管内
に処理ガスを導入し、前記プラズマ発生用電極間に電圧
を印加してプラズマを発生させ、反応管内の被処理体を
プラズマ処理する装置において、前記プラズマ発生用電
極と前記保持部材との間に反応管の周方向に沿って設け
られ、接地された放電トラップ電極と、 前記処理ガスに
接する前記保持部材の内面を密着して又は狭い間隙を介
して覆った絶縁カバーと、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】反応管内に所定の減圧状態で処理ガスを導入し
てプラズマ発生用電極間に高周波電圧を印加するとプラ
ズマ発生用電極間で放電するが、この電極間のループよ
りも保持部材例えばマニホールドを含むループの抵抗が
小さくなると、一方の電極とマニホールドとの間で放電
しようとする。ここで放電トラップ電極がマニホールド
よりもプラズマ発生用電極に対して近くに位置している
ので、放電はプラズマ発生用電極及び放電トラップ電極
間で起こり、マニホールドには放電しない。また絶縁カ
バーが分極しても絶縁カバーの裏面側の電荷がマニホー
ルドの逆の電荷と再結合するため絶縁カバーには蓄電さ
れず、従ってマニホールドへの放電 が確実に防止でき
る。
てプラズマ発生用電極間に高周波電圧を印加するとプラ
ズマ発生用電極間で放電するが、この電極間のループよ
りも保持部材例えばマニホールドを含むループの抵抗が
小さくなると、一方の電極とマニホールドとの間で放電
しようとする。ここで放電トラップ電極がマニホールド
よりもプラズマ発生用電極に対して近くに位置している
ので、放電はプラズマ発生用電極及び放電トラップ電極
間で起こり、マニホールドには放電しない。また絶縁カ
バーが分極しても絶縁カバーの裏面側の電荷がマニホー
ルドの逆の電荷と再結合するため絶縁カバーには蓄電さ
れず、従ってマニホールドへの放電 が確実に防止でき
る。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例に用いられるプラズマ
処理装置の一例を示す図である。図１において、１は反
応管であり、この反応管１は、例えば石英からなる外筒
１ａと、この外筒１ａ内に間隙を介して同心状に配列さ
れ、多数のガス流入孔Ｔを有する例えば石英からなる内
筒１ｂとから構成されている。
処理装置の一例を示す図である。図１において、１は反
応管であり、この反応管１は、例えば石英からなる外筒
１ａと、この外筒１ａ内に間隙を介して同心状に配列さ
れ、多数のガス流入孔Ｔを有する例えば石英からなる内
筒１ｂとから構成されている。
【００１１】前記外筒１ａ及び内筒１ｂは各々その下端
にて、ステンレスなどからなる筒状の保持部材をなすマ
ニホールド２に保持されており、このマニホールド２は
ベースプレート（基台）２０に保持された状態で固定さ
れると共に、マニホールド２と外筒１ａの下端部との間
には、気密性を確保するためにＯリング１ｃが介設され
ている。前記マニホールド２の下端部の開口部には、ス
テンレスなどからなる円盤状のキャップ部２ａが開閉自
在に設けられると共に、このキャップ部２ａの略中心部
には、図示しない回転機構により駆動される回転軸２ｂ
が例えば磁気シールにより気密な状態で挿通されてお
り、この回転軸２ｂの上端にはターンテーブル３が固定
されている。
にて、ステンレスなどからなる筒状の保持部材をなすマ
ニホールド２に保持されており、このマニホールド２は
ベースプレート（基台）２０に保持された状態で固定さ
れると共に、マニホールド２と外筒１ａの下端部との間
には、気密性を確保するためにＯリング１ｃが介設され
ている。前記マニホールド２の下端部の開口部には、ス
テンレスなどからなる円盤状のキャップ部２ａが開閉自
在に設けられると共に、このキャップ部２ａの略中心部
には、図示しない回転機構により駆動される回転軸２ｂ
が例えば磁気シールにより気密な状態で挿通されてお
り、この回転軸２ｂの上端にはターンテーブル３が固定
されている。
【００１２】また前記マニホールド２の側面には反応管
１内の処理ガスを排出して当該反応管１内を所定の減圧
雰囲気に設定するための排気管２ｃが接続されている。
１内の処理ガスを排出して当該反応管１内を所定の減圧
雰囲気に設定するための排気管２ｃが接続されている。
【００１３】前記ターンテーブル３の上面には、石英か
らなる保温筒３ａが設置されており、この保温筒３ａ上
には、例えば２５または６６枚の半導体ウエハＷが各々
略水平な状態でかつ互いに所定の間隙例えば４. ７６ｍ
ｍ間隔で積層して収容する石英からなるウエハボート４
が搭載されている。このウエハボート４は、各ウエハの
周縁部を周方向に沿って例えば４ヶ所保持するように構
成されており、キャップ部２ａや保温筒３ａなどと一体
となって図示しない搬送機構により反応管１内に搬入搬
出される。
らなる保温筒３ａが設置されており、この保温筒３ａ上
には、例えば２５または６６枚の半導体ウエハＷが各々
略水平な状態でかつ互いに所定の間隙例えば４. ７６ｍ
ｍ間隔で積層して収容する石英からなるウエハボート４
が搭載されている。このウエハボート４は、各ウエハの
周縁部を周方向に沿って例えば４ヶ所保持するように構
成されており、キャップ部２ａや保温筒３ａなどと一体
となって図示しない搬送機構により反応管１内に搬入搬
出される。
【００１４】前記外筒１ａの外周面には、夫々高周波電
源Ｅの一端側及び他端側に接続されたプラズマ発生用電
極５、６が互いに外筒１ａの中心部を介して対向して配
置されており、高周波電源Ｅの他端部側はベ−スプレ−
ト２０に接続されることにより接地されている。前記電
極５、６は例えばアルミニウムにより構成されると共
に、各々横断面形状が外筒１ａの外周面に沿った円弧状
に形成されかつ上下両端がそれぞれウエハボート４の上
下両端の高さレベルに対応して位置している。
源Ｅの一端側及び他端側に接続されたプラズマ発生用電
極５、６が互いに外筒１ａの中心部を介して対向して配
置されており、高周波電源Ｅの他端部側はベ−スプレ−
ト２０に接続されることにより接地されている。前記電
極５、６は例えばアルミニウムにより構成されると共
に、各々横断面形状が外筒１ａの外周面に沿った円弧状
に形成されかつ上下両端がそれぞれウエハボート４の上
下両端の高さレベルに対応して位置している。
【００１５】前記内筒１ｂの外側には多数の孔部７ａを
備えた導電性円筒である材質例えばアルミニウムよりな
る円筒状シールド体（以下「エッチトンネル」という）
７が前記内筒１ｂの外周面を囲むように設けられてお
り、エッチトンネル７の下端は内筒１ｂの下部側の筒壁
に固定されている。
備えた導電性円筒である材質例えばアルミニウムよりな
る円筒状シールド体（以下「エッチトンネル」という）
７が前記内筒１ｂの外周面を囲むように設けられてお
り、エッチトンネル７の下端は内筒１ｂの下部側の筒壁
に固定されている。
【００１６】前記マニホールド２の側面には、例えば石
英よりなるインジェクタ８が気密に水平に挿入されてお
り、このインジェクタ８の内端側は、Ｌ字状に屈曲さ
れ、外筒１ａとエッチトンネル７との間において上方に
向けて垂直に伸びている。前記インジェクタ８における
垂立した管路部分には、多数のガス噴射孔８ａが上下方
向に所定の間隔で形成されている。前記インジェクタ８
の外端側には、プラズマ用のガスであるフロン（ＣＦ
４）ガスや酸素ガスなどの図示しないガス供給源が接続
されている。
英よりなるインジェクタ８が気密に水平に挿入されてお
り、このインジェクタ８の内端側は、Ｌ字状に屈曲さ
れ、外筒１ａとエッチトンネル７との間において上方に
向けて垂直に伸びている。前記インジェクタ８における
垂立した管路部分には、多数のガス噴射孔８ａが上下方
向に所定の間隔で形成されている。前記インジェクタ８
の外端側には、プラズマ用のガスであるフロン（ＣＦ
４）ガスや酸素ガスなどの図示しないガス供給源が接続
されている。
【００１７】前記プラズマ発生用電極５、６の下端とマ
ニホールド２との間における外筒１ａの外周面には、帯
状の放電トラップ電極９が当該外周面を囲撓するように
設けられている。この放電トラップ電極９は、ベースプ
レート２０に接続されることにより接地されており、電
源Ｅ→電極５→放電空間→放電トラップ電極９→電源Ｅ
のループの抵抗は、電源Ｅ→電極５→放電空間→マニホ
ールド２→電源Ｅのループの抵抗よりも小さくなるよう
に設定されている。
ニホールド２との間における外筒１ａの外周面には、帯
状の放電トラップ電極９が当該外周面を囲撓するように
設けられている。この放電トラップ電極９は、ベースプ
レート２０に接続されることにより接地されており、電
源Ｅ→電極５→放電空間→放電トラップ電極９→電源Ｅ
のループの抵抗は、電源Ｅ→電極５→放電空間→マニホ
ールド２→電源Ｅのループの抵抗よりも小さくなるよう
に設定されている。
【００１８】またこの実施の形態では、キャップ部２ａ
及び排気管２ｃの開口部付近を含む マニホ−ルド２の内
面全体を、絶縁材例えば石英よりなる絶縁カバ−２１に
より略密着した状態で覆うようにしている。
及び排気管２ｃの開口部付近を含む マニホ−ルド２の内
面全体を、絶縁材例えば石英よりなる絶縁カバ−２１に
より略密着した状態で覆うようにしている。
【００１９】次に上述の装置を用いたプラズマ処理の一
例について述べる。図２（ａ）は、上述の装置によりプ
ラズマ処理すべき被処理体としての半導体ウエハＷの表
面の模式図であり、このウエハＷでは、ポリシリコン膜
９１上にパタ−ンを有する酸化シリコン膜９２が積層さ
れ更に当該酸化シリコン膜９２の表面にレジスト膜９３
が形成されると共に、エッチング時の方向性イオンの衝
撃などによる損傷部９４が形成されている。
例について述べる。図２（ａ）は、上述の装置によりプ
ラズマ処理すべき被処理体としての半導体ウエハＷの表
面の模式図であり、このウエハＷでは、ポリシリコン膜
９１上にパタ−ンを有する酸化シリコン膜９２が積層さ
れ更に当該酸化シリコン膜９２の表面にレジスト膜９３
が形成されると共に、エッチング時の方向性イオンの衝
撃などによる損傷部９４が形成されている。
【００２０】そしてこのような半導体ウエハＷを例えば
２５または５０枚収納したウエハボ−ト４を図示しない
搬送機構により反応管１内にロ−ドする。続いて反応管
１内を排気路２ｃに接続した真空ポンプなどにより所定
の真空度まで排気した後、インジェクタ８内にフロンガ
ス（ＣＦ４）及び酸素ガスの混合ガスよりなる処理ガス
を導入してインジェクタ８のガス噴射孔８ａから噴出さ
せると共に、反応管１内を所定の圧力になるように圧力
制御しながら排気を行い、室温の状態で電極５、６間に
例えば電力２ｋｗ、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電
圧を印加して前記混合ガスのプラズマを発生させる。
２５または５０枚収納したウエハボ−ト４を図示しない
搬送機構により反応管１内にロ−ドする。続いて反応管
１内を排気路２ｃに接続した真空ポンプなどにより所定
の真空度まで排気した後、インジェクタ８内にフロンガ
ス（ＣＦ４）及び酸素ガスの混合ガスよりなる処理ガス
を導入してインジェクタ８のガス噴射孔８ａから噴出さ
せると共に、反応管１内を所定の圧力になるように圧力
制御しながら排気を行い、室温の状態で電極５、６間に
例えば電力２ｋｗ、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電
圧を印加して前記混合ガスのプラズマを発生させる。
【００２１】これによりインジェクタ８から噴射された
処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のフッ素ラジカ
ルや酸素ラジカルなどがエッチトンネル７を通り更に内
筒１ｂのガス流入孔Ｔを介して内筒１ｂに入り込み、半
導体ウエハＷの損傷部９４（図２（ａ）参照）に対して
等方性エッチングを施し、図２（ｂ）に示すように損傷
部９４を除去する。
処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のフッ素ラジカ
ルや酸素ラジカルなどがエッチトンネル７を通り更に内
筒１ｂのガス流入孔Ｔを介して内筒１ｂに入り込み、半
導体ウエハＷの損傷部９４（図２（ａ）参照）に対して
等方性エッチングを施し、図２（ｂ）に示すように損傷
部９４を除去する。
【００２２】ここで図３は上述実施例において、電極
５、６、９及びマニホ−ルド２を含む等価回路図であ
り、Ｒ１は電源Ｅ及びプラズマ発生用電極５、６を含む
ル−プの抵抗、Ｒ２は電源Ｅ及び放電トラップ電極９を
含むル−プの抵抗、Ｒ３は電源Ｅ及びマニホ−ルド２を
含む抵抗を夫々等価的に示したものである。従って例え
ば反応管１の下部付近のガス圧が低くなるなどの理由に
よりＲ３がＲ１より小さくなったとしても、Ｒ２はＲ３
よりも小さいため、放電は電極５とマニホ−ルド２との
間で起こらずに電極５と放電トラップ電極９との間で起
こる。このためプラズマは放電トラップ電極５よりも上
方位置にて発生するので、マニホ−ルド２付近における
強いプラズマ発生を避けることができ、従って広い領域
に亘って均一な処理を施すことができると共に、マニホ
−ルド２からの重金属の蒸散を抑えることができる。
５、６、９及びマニホ−ルド２を含む等価回路図であ
り、Ｒ１は電源Ｅ及びプラズマ発生用電極５、６を含む
ル−プの抵抗、Ｒ２は電源Ｅ及び放電トラップ電極９を
含むル−プの抵抗、Ｒ３は電源Ｅ及びマニホ−ルド２を
含む抵抗を夫々等価的に示したものである。従って例え
ば反応管１の下部付近のガス圧が低くなるなどの理由に
よりＲ３がＲ１より小さくなったとしても、Ｒ２はＲ３
よりも小さいため、放電は電極５とマニホ−ルド２との
間で起こらずに電極５と放電トラップ電極９との間で起
こる。このためプラズマは放電トラップ電極５よりも上
方位置にて発生するので、マニホ−ルド２付近における
強いプラズマ発生を避けることができ、従って広い領域
に亘って均一な処理を施すことができると共に、マニホ
−ルド２からの重金属の蒸散を抑えることができる。
【００２３】更に電極５とマニホ−ルド２の電位差によ
り絶縁カバ−２１が分極しても絶縁カバ−２１はマニホ
−ルド２の内面に略密着しているため、絶縁カバ−２１
の裏面側の電荷はマニホ−ルド２（ステンレス）の逆の
電荷と再結合して消失し、この結果電極５とマニホ−ル
ド２との間には放電は起こらない。このように絶縁カバ
−２１を用いる構造においては、絶縁カバ−２１を必ず
しもマニホ−ルド２の内面に密着させなくともよいが、
間隙が形成される場合には絶縁カバ−２１の分極による
電荷がマニホ−ルド２内の反対の電荷と再結合できる程
度に間隙を設定することが必要である。
り絶縁カバ−２１が分極しても絶縁カバ−２１はマニホ
−ルド２の内面に略密着しているため、絶縁カバ−２１
の裏面側の電荷はマニホ−ルド２（ステンレス）の逆の
電荷と再結合して消失し、この結果電極５とマニホ−ル
ド２との間には放電は起こらない。このように絶縁カバ
−２１を用いる構造においては、絶縁カバ−２１を必ず
しもマニホ−ルド２の内面に密着させなくともよいが、
間隙が形成される場合には絶縁カバ−２１の分極による
電荷がマニホ−ルド２内の反対の電荷と再結合できる程
度に間隙を設定することが必要である。
【００２４】また本発明は反応管１をマニホ−ルド２で
保持する代わりに、金属よりなる保持部材で保持し、ガ
ス供給系と排気系とを反応管の上部など別の場所に設置
する構造に対して適用してもよい。
保持する代わりに、金属よりなる保持部材で保持し、ガ
ス供給系と排気系とを反応管の上部など別の場所に設置
する構造に対して適用してもよい。
【００２５】そして本発明では、実施例のプラズマ処理
に限らず、ウエハの裏面エッチングやレジスト膜のアッ
シング、更には反応管内の洗浄のためのエッチングなど
を行う場合に適用してもよいし、被処理体としては半導
体ウエハに限らずＬＣＤ基板などであってもよい。
に限らず、ウエハの裏面エッチングやレジスト膜のアッ
シング、更には反応管内の洗浄のためのエッチングなど
を行う場合に適用してもよいし、被処理体としては半導
体ウエハに限らずＬＣＤ基板などであってもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明では、プラズマ発生用電極とマニ
ホ−ルド２などの保持部材との間に放電トラップ電極を
設けており、また絶縁カバ−により保持部材の内面を覆
っているため、既述したように例えば反応管１の下部付
近のガス圧が低くなっても保持部材に対する放電を確実
に防止することができる。従って本発明によれば、保持
部材からの汚染物の飛散を抑えることができ、また反応
管の下部側における強いプラズマの発生を避けることが
できることから広い処理領域に亘って均一なプラズマ処
理を行うことができる。
ホ−ルド２などの保持部材との間に放電トラップ電極を
設けており、また絶縁カバ−により保持部材の内面を覆
っているため、既述したように例えば反応管１の下部付
近のガス圧が低くなっても保持部材に対する放電を確実
に防止することができる。従って本発明によれば、保持
部材からの汚染物の飛散を抑えることができ、また反応
管の下部側における強いプラズマの発生を避けることが
できることから広い処理領域に亘って均一なプラズマ処
理を行うことができる。
【図１】本発明の実施例を示す縦断面図である。
【図２】被処理体としての半導体ウエハの表面構造を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】本発明の実施例の等価回路図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の一例を示す縦断面図
である。
である。
１ 反応管 ２ マニホ−ルド ４ ウエハボ−ト ５、６ プラズマ発生用電極 ８ インジェクタ ９ 放電トラップ電極 ２０ ベ−スプレ−ト ２１ 絶縁カバ−
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 一二 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番 41号 東京エレクトロン相模株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−174225（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−63420（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−105996（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−25229（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製の保持部材の上に保持され、下端
が開口している縦型の反応管と、多数の被処理体が積層
されて前記反応管内に下方側から搬入されるボ−トと、
前記反応管の周方向に沿って前記ボ−トにおける被処理
体の積層領域の高さ位置に配置されたプラズマ発生用電
極と、を備え、 前記反応管内に処理ガスを導入し、前記プラズマ発生用
電極間に電圧を印加してプラズマを発生させ、反応管内
の被処理体をプラズマ処理する装置において、 前記プラズマ発生用電極と前記保持部材との間に反応管
の周方向に沿って設けられ、接地された放電トラップ電
極と、 前記処理ガスに接する前記保持部材の内面を密着して又
は狭い間隙を介して覆った絶縁カバーと、を備えたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07293492A JP3165928B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07293492A JP3165928B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234950A JPH05234950A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3165928B2 true JP3165928B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=13503696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07293492A Expired - Lifetime JP3165928B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3165928B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3541846B2 (ja) * | 1992-05-22 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP4855029B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-01-18 | 財団法人電力中央研究所 | 半導体結晶の成長装置 |
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| KR102139296B1 (ko) * | 2019-05-02 | 2020-07-30 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP07293492A patent/JP3165928B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234950A (ja) | 1993-09-10 |
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