JPH07102372A

JPH07102372A - 被処理物の真空処理方法及び装置

Info

Publication number: JPH07102372A
Application number: JP24706393A
Authority: JP
Inventors: Koji Matsuda; 耕自松田; Yoshitaka Sasamura; 義孝笹村
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1993-10-01
Filing date: 1993-10-01
Publication date: 1995-04-18

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理物とそれに配置するホルダとの間に温
度制御用ガスを介在させて被処理物の温度制御を行うこ
とができ、しかもホルダ上に被処理物を配置固定して直
ちに目的とする処理の条件を設定して、該処理を実施で
き、併せて、ホルダ上のゴミ付着を抑制できる被処理物
の真空処理方法及び装置を提供する。【構成】被処理物Ｓ１を真空容器１内のホルダ上に配
置して所定真空下で目的とする処理を施す被処理物の真
空処理方法及び装置であって、ホルダとして被処理物配
置面２１に開口するガス供給孔２２を有するホルダ２ａ
を採用し、ホルダ２ａ上に被処理物Ｓ１を配置固定して
該被処理物に目的とする処理を実施する一方、被処理物
Ｓ１のホルダ２ａ上への配置前から配置固定及びそれに
続く目的とする処理の間を通じて前記ホルダ２ａのガス
供給孔２２から常時温度制御用ガスを供給し続ける被処
理物の真空処理方法及び装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は被処理物を真空容器内の
ホルダ上に配置して所定真空下で該被処理物に目的とす
る処理を施す被処理物の真空処理方法及び装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の真空処理の代表的なものとして
次のような処理を例示することができる。半導体を利用した薄膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽
電池等の各種デバイスを製造するにあたり、基板上に形
成された金属膜を配線パターン、電極パターン等を残し
てエッチングしたり、基板上に形成された半導体膜を所
定パターンを残してエッチングしたりするイオンビーム
エッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
るドライエッチング処理。半導体利用の各種デバイスを製造するにあたり半導
体膜を形成したり、配線形成用、電極形成用等の金属膜
や絶縁膜を形成したり、或いは機械部品、工具等に耐磨
耗性膜、耐食性膜等を形成するための、プラズマＣＶＤ
法等のＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法等によ
る膜形成処理。機械部品、工具等の表面をそれらの用途に適した性
質に改質したり、半導体デバイス製造にあたりウェル注
入、各種ドーパントの注入等を行うためのイオン注入処
理。

【０００３】このようなエッチング処理においては、例
えばエッチングパターン形成のためのレジストの損傷を
防止したり、エッチング条件を安定化させる等のため
に、膜形成処理においては、成膜速度を制御する等のた
めに、また、イオン注入処理等においては、イオン注入
される被処理物自体を保護したり、処理を円滑化する等
のために、被処理物の温度を制御することが要求され
る。

【０００４】ここで半導体ウェハの反応性エッチングに
よるエッチング処理を例にとって説明すると、図５に示
すように、被エッチングウェハＳ４が真空容器１内に搬
入され、該容器内の高周波電極を兼ねるホルダ２上に配
置される。次いで該容器１内が排気装置３におけるコン
ダクタンスバルブ３１及びゲート弁３２を介して真空ポ
ンプ３３にて排気され、バルブ３１の制御にて所定真空
度とされるとともに該容器内にガス導入部４からエッチ
ング用ガスが導入される。

【０００５】そして、導入されたエッチングガスは、電
極兼ホルダ２にマッチングボックス５１を介して高周波
電源５２から高周波電圧が印加されることでプラズマＰ
化し、それによって発生したイオン、ラジカルといった
活性種がウェハＳ４をエッチングする。なお、この例で
は容器１は接地されている。また、図中７は圧力計であ
る。

【０００６】このようなドライエッチングにおいては、
高周波電圧印加時に真空容器１内に投入されたパワーが
ウェハＳ４にも流れ込んで熱に変換される。このように
ウェハＳ４が加熱されるため、蓄熱が進むと、ウェハＳ
４上に形成したパターン形成レジストが損傷し易くなっ
たり、損傷したりして、あるいはエッチング条件が不安
定になり、所望のパターンで精度良くエッチングできな
くなるが、ウェハＳ４の裏面のホルダ２ａと接している
部分及びウェハＳ４とホルダ２の間隙に入り込んだエッ
チングガスを通してホルダ２へ熱が逃がされる。また、
これだけでは熱を十分逃がせないときは、ホルダ２に水
等の冷媒を供給循環させるチラー６が接続され、このチ
ラー６へ熱が逃がされる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、被処理物の真空処理において、被処理物とそのホル
ダとの間に介在するプロセスガスはそれ自体熱伝導度が
低かったり、それ自体の熱伝導度が良かったとしても十
分な熱伝導を可能とする圧力を有していないことが殆ど
であり、また、被処理物裏面のホルダと接触する部分
は、その部分をもってホルダ側へ被処理物の熱を逃がし
たり、逆にホルダ側から被処理物を加熱して被処理物の
温度を制御できるに十分なものではない。

【０００８】前記半導体ウェハＳ４のＲＩＥエッチング
においても、このことが当てはまり、ホルダ２ａに印加
する高周波電力を変えると、ウェハＳ４の温度が変わっ
てしまい、印加する高周波電力とウェハＳ４の温度を独
立して制御し難い。この問題を解決しようとして真空容
器１内のエッチングガス圧を、大きい熱伝導度を得よう
として高くすると、同様のＤＣバイアスを得るためには
それだけ高周波電力を高くしなければならず、そのため
にウェハＳ４の温度がそれだけ上昇してしまうという問
題がある。

【０００９】このような問題を解決する手段として、特
公平２−２７７７８号公報は、被処理物とこれを支持す
るホルダの間に、該ホルダに予め設けたオリフィスを介
して高熱伝導率のガスを加圧下に送給して封じ込め、こ
の封じ込められた加圧ガスを通して被処理物とホルダと
の間で熱の授受を行わせ、それによって被処理物温度を
所望のプロセス温度に制御することを教えている。しか
しこの温度制御の手法によると、温度制御用のガスは被
処理物をホルダ上に固定したのちに供給開始され、所定
圧力下に封じ込められ、被処理物の処理が終了すると、
ガス供給が停止され、被処理物がホルダかち取り外さ
れ、この作業が被処理物ごとに繰り返される。従って、
被処理物をホルダ上に配置固定して直ちに目的とする処
理を実施することができず、温度制御用ガスの封じ込め
時間を要し、それだけ被処理物の処理時間が長くなると
いう問題がある。

【００１０】そこで本発明は、被処理物とそれに配置す
るホルダとの間に温度制御用ガスを介在させて被処理物
の温度制御を行うことができ、しかもホルダ上に被処理
物を配置固定して直ちに目的とする処理の条件を設定し
て、該処理を実施でき、併せて、ホルダ上のゴミ付着を
抑制できる被処理物の真空処理方法及び装置を提供する
ことを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明による真空処理方法は、被処理物を真空容器内のホル
ダ上に配置して所定真空下で被処理物に目的とする処理
を施す被処理物の真空処理方法であって、前記ホルダと
して被処理物配置面に開口するガス供給孔を有するホル
ダを採用し、該ホルダ上に被処理物を配置固定して該被
処理物に目的とする処理を実施する一方、該被処理物の
ホルダ上への配置前から配置固定及びそれに続く目的と
する処理の間を通じて前記ホルダのガス供給孔から常時
温度制御用ガスを供給し続けることを特徴とするもので
ある。

【００１２】また、本発明による被処理物の真空処理装
置は、真空排気装置が接続された真空容器と、被処理物
を配置する面を有し、該面に開口する温度制御用ガスの
供給孔を形成した被処理物のホルダと、前記ホルダのガ
ス供給孔に温度制御用ガスを連続的に供給できるガス供
給手段と、前記ホルダ上に配置される被処理物を該ホル
ダに押さえ固定する手段と、前記被処理物に目的とする
処理を実施する手段とを備えたことを特徴とするもので
ある。

【００１３】この真空処理方法及び装置において、被処
理物に施す目的とする処理としては代表的にはドライエ
ッチング処理を挙げることができる。そして、そのため
の処理手段を設けることができる。このほか、膜形成処
理やイオン注入処理等も考えられる。この真空処理方法
及び装置において、前記ホルダの熱容量が小さい等の理
由で、単に被処理物とホルダとの間に温度制御用ガスを
供給するだけでは被処理物の温度制御を行い難い場合に
は、前記目的とする処理の実施においてホルダの温度
を、被処理物温度を所定温度に維持する方向に制御して
もよく、そのために、ホルダに対しチラー、加熱ヒータ
等のホルダ温度制御手段を設けてもよい。

【００１４】前記温度制御用ガスは、それがプロセスガ
スの全部又は一部を兼ねている場合も考えられ、そのよ
うな場合も含めて、該ガスとしては、熱伝導率の良い窒
素ガス、希ガス（アルゴンガス、ネオンガス、ヘリウム
ガス、キセノンガス）、水素ガス等を例示できる。前記
被処理物の前記ホルダへの固定は、目的とする処理を実
施するのに邪魔にならない範囲で被処理物の適当な部分
を押圧して固定すればよいが、代表的には被処理物の周
辺部をホルダへ押圧して全体を固定することが考えら
れ、そのための押圧部材を含む固定手段を設けることが
できる。

【００１５】また、このように被処理物の周辺部を押圧
固定する場合、被処理物のホルダへの密着性を向上させ
るために、ホルダの被処理物配置面を凸曲面に形成し、
該凸曲面に沿って押圧固定するようにしてもよい。前記
ホルダにおけるガス供給孔はホルダの被処理物支持面の
全体又は略全体にわたり分散形成されていることが、ま
た、できるだけ均等間隔で形成されていることが、被処
理物各部を均等に温度制御できるうえで好ましい。

【００１６】前記ホルダのガス供給孔に温度制御用ガス
を供給する手段は、該ガスを連続して供給できるもので
あれば何でもよいが、例えば、ホルダのガス供給孔に順
次接続されるマスフローコントローラ、開閉弁等及びガ
ス源を含むものを挙げることができる。

【００１７】

【作用】本発明真空処理方法及び装置によると、被処理
物を設置するホルダのガス供給孔に該ホルダへの被処理
物の配置固定前から温度制御用ガスが供給され続け、そ
の状態で該ホルダ上に被処理物が配置固定され、そのあ
とすぐに真空容器内が目的とする処理のための条件に設
定され、被処理物に目的とする処理がなされる。この処
理中もホルダへ温度制御用ガスが供給され続ける。

【００１８】前記目的とする処理に合った条件とは、例
えば反応性イオンエッチング処理の場合は、容器内に所
定量のエッチングガスを配置し、これを放電下にプラズ
マ化できる条件であり、プラズマＣＶＤ処理では容器内
に所定量の成膜用ガスを配置し、これを放電下にプラズ
マ化できる条件であり、イオン注入処理では、予め設け
たイオン源に原料ガスを導入し、これをイオン化して、
所望のイオンを引き出せる条件等である。

【００１９】いずれにしても目的とする処理が実施され
る間、被処理物とホルダとの間で、そこに介在する温度
制御用ガスを通して、或いはさらに被処理物とホルダと
の接触部を通じて熱の授受が行われ、該被処理物の温度
が制御される。必要に応じホルダの温度を制御する場合
には、該ホルダ温度制御のもとに、被処理物温度が制御
される。

【００２０】また、被処理物の処理中も温度制御用ガス
が供給され続けることにより、該ガスがホルダと被処理
物との間に閉じ込められて温度制御の目的を達し難くな
るほど蓄熱するという恐れが回避される。さらに、被処
理物の設置前からホルダの被処理物配置面よりガスが吹
き出しているので、該面上のゴミが吹き飛ばされ、ゴミ
の付着堆積が抑制される。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるＲＩＥによるエッ
チング装置を示しており、図（Ａ）はその全体の概略構
成を示す図、図（Ｂ）は被処理物支持ホルダの平面図で
ある。このエッチング装置は、図５に示す従来装置にお
いて高周波電極を兼ねるホルダ２に代え、ホルダ２ａを
採用したものである。

【００２２】ホルダ２ａは被処理物である半導体ウェハ
Ｓ１を載置する面２１に開口する、多数の略均等分散配
置のガス供給孔２２を備えており、これらガス供給孔２
２はホルダ内の共通のガス通路２３に連通しており、こ
のガス通路２３には温度制御用ガスの供給装置９が接続
されている。ガス供給装置９はガス通路２３に開閉弁９
１、マスフローコントローラ９２、開閉弁９３及び温度
制御用ガス源９４をこの順序で接続して構成したもので
ある。

【００２３】また、ホルダ２ａには半導体ウェハＳ１を
図示しない搬送装置から受け取り、又はそれへ渡すため
のウェハ受け渡し装置８が設けられている。装置８はホ
ルダ２ａのウェハ支持面２１の中央凹所に嵌脱可能に嵌
装されたペディスタル８１、上端でペディスタル８１を
支持してホルダ２ａ内を昇降できる支持ロッド８２、該
ロッド８２のホルダ２ａ下面より下方へ突出した部分の
下端に固定されたベローズ支持板８４、上端をホルダ２
ａ下面に、下端を支持板８４にそれぞれ気密に固定さ
れ、ロッド８２を囲む筒体ベローズ８３及び真空容器１
に支持され、ピストンロッドが支持板８４に連結された
エアシリンダ装置８５からなっている。

【００２４】この装置８によると、エアシリンダ装置８
５のピストンロッドを突出させることで支持板８４及び
ペディスタル支持ロッド８２を上昇させてペディスタル
８１をホルダ２ａから上昇させ、ウェハＳ１を受け渡し
する位置へ持ち上げることができ、ピストンロッドの後
退により、ペディスタル８１をホルダ２ａ内へ納めるこ
とができる。ペディスタル８１がホルダ２ａに納められ
ているとき、ペディスタル上面はホルダ２ａの上面２１
と同一又はそれより若干低い（内側へ入った）位置にお
かれる。

【００２５】また、ホルダ２ａに関連してウェハＳ１の
周辺部をホルダ上面２１に押圧固定するためのクランプ
装置１００が設けられている。クランプ装置１００は、
ウェハＳ１の周辺部を上方からホルダ２ａの上面２１に
押圧固定するための押さえリング１０１と、これを支持
し、昇降させるエアシリンダ装置１０２からなってお
り、エアシリンダ装置１０２は容器１に支持されてい
る。

【００２６】その他の構成は図５のエッチング装置と実
質上同一である。すなわち、ホルダ２ａ内には冷却水循
環通路６１が形成されており、これにチラー６が接続さ
れている。また、ホルダ２ａにはマッチングボックス５
１を介して高周波電源５２が接続され、容器１には排気
装置３が接続され、ホルダ２ａの上方はエッチングガス
導入部４が設けられている。７は圧力計である。

【００２７】以上説明したエッチング装置による本発明
方法の実施の例を説明する。まず、容器１の入口を開け
るとともにクランプ装置１００においてウェハ押さえリ
ング１０１をペディスタル８１の上昇位置よりさらに高
位置まで上昇させる。この状態で図示しないウエハ搬送
装置により半導体ウェハＳ１を容器１内のホルダ２ａの
上方まで搬入する。

【００２８】次いで、ウェハ受け渡し装置８においてペ
ディスタル８１を上昇させ、ウェハＳ１を若干持ち上げ
る。そのあと搬送装置を容器外へ移動させ、容器を密閉
する。また搬送装置が容器１外へ移動したあと、ペディ
スタル８１を下降させ、ウェハＳ１をホルダ２ａの上面
２１に直接載置する。但し、ウェハＳ１をホルダ２ａに
載置するに先立ち、温度制御用ガス供給装置９において
弁９１、９３を開き、ホルダ２ａへガスを供給開始し、
ホルダのガス供給孔２２からガスを吹き出させておく。
これによってホルダ２ａのウェハ支持面２１上のゴミが
吹き飛ばされ、ゴミの付着堆積が抑制される。そして、
このようにホルダ上面から温度制御用ガスを吹き出させ
たままの状態でウェハＳ１を載置する。

【００２９】ウェハＳ１をホルダ２ａ上に載置したあ
と、クランプ装置１００において押さえリング１０１を
下降させ、ウェハＳ１の周辺部をホルダ２ａに押圧固定
する一方、排気装置３においてポンプ３３を運転し、圧
力計７にて容器内圧力を計測しつつコンダクタンスバル
ブ３１のコントロールのもとに容器１内を所定のエッチ
ング処理のための真空度にし、エッチングガス導入部４
から容器１内へエッチングガスを導入し、ホルダ２ａに
電源５２からマッチングボックス５１を介して高周波電
圧を印加し、導入したエッチングガスをプラズマ化す
る。このプラズマのもとでウェハＳ１における被エッチ
ング面をドライエッチングする。このエッチング処理中
も温度制御用ガスをホルダ２ａのガス供給孔２２へ常時
供給し続ける。このガス供給はマスフローコントローラ
９２による流量制御のもとに行われ、ホルダ２ａとこれ
に押圧固定されたウェハＳ１との間に介在せしめられる
温度制御用のガスの圧力は、このガスを介してウェハＳ
１の熱をチラー６で冷やされたホルダ２ａへ逃がすに適
当な圧力に維持される。

【００３０】かくして、ウェハＳ１のエッチング処理
中、ウェハＳ１とホルダ２ａとの間で、そこに介在する
温度制御用ガスを通して、或いはさらにウェハＳ１裏面
とホルダ２ａとの接触部を通して、熱の授受を行わせ、
ウェハＳ１の温度を所望温度に制御する。以上説明した
エッチング方法では、ウェハＳ１のエッチング中も温度
制御用ガスがホルダ２ａへ供給され続ける。そして該ガ
スの一部はホルダ２ａとこれに固定されたウェハＳ１と
の隙間から漏出する。従って、温度制御用のガスがホル
ダ２ａとウェハＳ１との間に封じ込められ、流動しない
とすれば発生するガスの異常昇温、そのためのウェハ温
度制御不能という問題が回避される。

【００３１】なお、ウェハＳ１はホルダ２ａに押圧固定
されるので、ウェハＳ１とホルダ２ａとの間から漏出す
るガスは少量であり、エッチング処理上問題にならな
い。また、前記エッチング処理では、ウェハＳ１をホル
ダ２ａ上に載置するに先立って既にホルダ２ａへ温度制
御用ガスが供給され、ウェハＳ１がホルダ２ａに押圧固
定されたときにはウェハＳ１とホルダ２ａとの間に該ガ
スが介在するので、ウェハＳ１をホルダ２ａに設置固定
してから温度制御用ガスを供給する場合と比べると、そ
れだけ処理時間を節約、短縮できる。また、ウエハＳ１
はペディスタル８１の下降によりその自重でホルダ上に
載るだけであるから、ウエハ裏面への温度制御用ガス圧
の急激な作用が回避され、ガス圧によるウエハＳ１の損
傷の恐れがそれだけ少ない。

【００３２】エッチング処理終了後は、押さえリング１
０１を上昇させ、ペディスタル８１も上昇させて処理済
のウェハＳ１をホルダ２ａから上昇させ、図示しない搬
送装置に搬出させる。各ウェハＳ１について以上の操作
を繰り返し行い、所定枚数のウェハＳ１を処理する。

【００３３】なお、１枚のウェハ処理終了後、温度制御
用ガスの供給を一旦停止し、次のウェハＳ１をホルダ２
ａに載置するに先立ちガス供給を再開してもよいが、エ
ッチング処理に支障が無ければ、そのまま供給を続けて
いてもよい。次に、図１に示すエッチング装置による本
発明エッチング方法の具体例について説明する。

【００３４】先ず、表面に厚さ０．３μｍの酸化シリコ
ン（ＳｉＯ₂）膜を、その上に厚さ０．８μｍのシリコ
ン２％及び銅０．５％含有アルミニウム（Ａｌ）膜を形
成し、さらにその上にレジストにて配線パターンを描い
た直径１５０ｍｍのシリコンウェハＳ１を容器１内に搬
入し、該ウェハＳ１をホルダ２ａに載置するに先立ち、
ホルダ２ａに温度制御用ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）ガ
スをマスフローコントローラ流量１０ｓｃｃｍの設定の
もとに供給しておき、その状態でウェハＳ１をホルダ２
ａ上に載置し、押圧固定した。引き続き、エッチングガ
スとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）ガス（５０ｓｃｃ
ｍ）、塩素（Ｃｌ₂）ガス（２０ｓｃｃｍ）、クロロホ
ルム（ＣＨＣｌ₃）ガス（９ｓｃｃｍ）、窒素（Ｎ₂）
ガス（５０ｓｃｃｍ）を容器１内に導入するとともに容
器１内圧力を２×１０^-1Ｔｏｒｒとし、ホルダ２ａに１
３．５６ＭＨｚ、４００Ｗの高周波電力を印加してエッ
チングガスをプラズマ化させ、ウェハＳ１上のＡｌ膜を
エッチングした。このエッチング中も温度制御用ガスを
ホルダ２ａに供給し続け、ホルダ２ａ自身はチラー６に
て約８０度に制御した。この結果、エッチング中、ウェ
ハＳ１の温度は１００℃〜１１０℃の範囲に制御され、
レジストの損傷を抑制する状態で、所望パターンで精度
よくエッチングできた。なお、ウェハＳ１の温度はその
表面に予め設けた温度測定用サーモラベルにより確認し
た。

【００３５】以上説明したエッチング装置において、ホ
ルダ２ａに代えて図２に示すホルダ２ａ１を採用しても
よい。ホルダ２ａ１はその上面（ウェハ載置面）２１０
が上方への凸曲面（本例でみゆるやかな球面）に形成さ
れている。その他の構成は図１の装置と同様である。こ
のホルダ２ａ１を採用すると、ウェハＳ１はホルダ上面
に沿って湾曲した状態で押圧固定され、ホルダ２ａの場
合よりホルダへ一層密着され、それだけウェハＳ１の温
度制御が精度よく行われる。

【００３６】以上、エッチング処理について説明した
が、温度制御用ガスの被処理物とホルダとの隙間からの
漏出等が処理上問題とならないのであれば、本発明はイ
オン注入や各種膜形成処理等もに適用できる。例えば、
図３は本発明の他の実施例であるイオン注入装置を示し
ている。この装置は図１に示すエッチング装置におい
て、ホルダ２ａに接続された高周波電力供給部が取り除
かれ、エッチングガス導入部４に代えてイオン源４０を
設けたものである。

【００３７】このイオン注入装置によると、図１のエッ
チング装置のときと同様にウェハＳ２をホルダ２ａに載
置する前からイオン注入処理の間を通してホルダ２ａに
温度制御用ガスが供給され続け、ウェハＳ１がホルダ２
ａに押圧固定された状態で容器１内が所定真空度とさ
れ、イオン源４０からウェハＳ２にイオン注入される。
イオン注入処理の間、加速されたイオンが有するエネル
ギは熱エネルギとしてウェハＳ２に蓄積されようとする
が、主として温度制御用ガスを介してホルダ２ａに逃が
され、さらにチラー６に逃がされる。

【００３８】以上の操作によりウェハＳ２の熱損傷が低
減され、良好なイオン注入が行われる。また、図４は本
発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶＤ装置を示
している。この装置は図１のエッチング装置において、
ホルダ２ａから高周波電力印加部及び冷却手段を除き、
代わりに加熱用ヒータＨを設け、接地する一方、ホルダ
２ａ上方に成膜用ガスを吹き出す電極兼ノズル４１を設
け、これに成膜用ガス源４２を接続するとともに、マッ
チングボックス４３を介して高周波電源４４を接続した
もので、他の構成は図１の装置と実質上同じである。

【００３９】このプラズマＣＶＤ装置によると、図１の
エッチング装置のときと同様に、ウェハＳ３をホルダ２
ａに載置する前から膜形成処理の間を通してホルダ２ａ
に温度制御用ガスが供給され続け、ウェハＳ３がホルダ
２ａに押圧固定された状態で、容器１内を所定成膜真空
度とするとともに成膜ガス源４２から容器１内に成膜用
ガスを導入し、これにマッチングボックス４３を介して
高周波電源４４から高周波電圧を印加してプラズマ化す
ることで、ウェハＳ３上に所望の膜を形成できる。そし
て、膜形成中、ウェハＳ３の温度は、主として温度制御
用ガスを介してヒータ加熱されたホルダ２ａから加熱さ
れ、膜形成に適する温度に制御される。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、被
処理物とそれに配置するホルダとの間に温度制御用ガス
を介在させて被処理物の温度制御を行うことができ、し
かもホルダ上に被処理物を配置固定して直ちに目的とす
る処理の条件を設定して、該処理を実施でき、併せて、
ホルダ上のゴミ付着を抑制できる被処理物の真空処理方
法及び装置を提供することができる。

【００４１】被処理物のホルダを温度制御するときは、
一層精度良く被処理物の温度を制御できる。ホルダの被
処理物配置面を凸曲面に形成し、被処理物周辺部を該ホ
ルダに押圧固定するときは、被処理物のホルダへの密着
性が向上し、一層精度良く被処理物を温度を制御でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図（Ａ）は本発明の１実施例である反応性イオ
ンエッチング装置の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）
は図（Ａ）の装置におけるホルダの平面図である。

【図２】本発明の他の実施例である反応性イオンエッチ
ング装置におけるホルダ及びその周辺部を示す図であ
る。

【図３】本発明のさらに他の実施例であるイオン注入装
置の概略構成を示す図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示す図である。

【図５】従来の反応性イオンエッチング装置の１例の概
略構成を示す図である。

【符号の説明】

１真空容器２ａ被処理物支持ホルダ２１、２１０ホルダ上面２２ホルダのガス供給孔３排気装置３１コンダクタンスバルブ３２ゲート弁３３真空ポンプ４エッチング用ガスの導入部５１マッチングボックス５２高周波電源６チラー７圧力計８ウェハ受け渡し装置８１ペディスタル８２ペディスタル支持ロッド８３ベローズ８４ベローズ支持板８５エアシリンダ装置９温度制御用ガス供給装置９１、９３開閉弁９２マスフローコントローラ９４温度制御用ガス源１００クランプ装置１０１押さえリング１０２エアシリンダ装置４０イオン源４１成膜用ガスノズル４２成膜用ガス源４３マッチングボックス４４高周波電源Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ウェハＰプラズマ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/265 21/3065

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物を真空容器内のホルダ上に配置
して所定真空下で被処理物に目的とする処理を施す被処
理物の真空処理方法であって、前記ホルダとして被処理
物配置面に開口するガス供給孔を有するホルダを採用
し、該ホルダ上に被処理物を配置固定して該被処理物に
目的とする処理を実施する一方、該被処理物の前記ホル
ダ上への配置前から配置固定及びそれに続く目的とする
処理の間を通じて前記ホルダのガス供給孔から常時温度
制御用ガスを供給し続けることを特徴とする被処理物の
真空処理方法。
【請求項２】前記被処理物の目的とする処理中、前記
ホルダの温度を制御する請求項１記載の真空処理方法。
【請求項３】前記温度制御用ガスが、窒素ガス、アル
ゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、キセノンガス及
び水素ガスのうちからから選ばれた少なくとも一種であ
る請求項１又は２記載の真空処理方法。
【請求項４】前記被処理物の前記ホルダへの固定を該
被処理物の周辺部をホルダへ押圧して行う請求項１、２
又は３記載の真空処理方法。
【請求項５】前記ホルダとして被処理物配置面を凸曲
面に形成したものを採用し、前記被処理物を該凸曲面に
沿って押圧固定する請求項４記載の真空処理方法。
【請求項６】前記被処理物の目的とする処理がドライ
エッチング処理である請求項１から５のいずれかに記載
の被処理物の真空処理方法。
【請求項７】真空排気装置が接続された真空容器と、被処理物を配置する面を有し、該面に開口する温度制御
用ガスの供給孔を形成した被処理物のホルダと、前記ホルダのガス供給孔に温度制御用ガスを連続的に供
給できるガス供給手段と、前記ホルダ上に配置される被処理物を該ホルダに押さえ
固定する手段と、前記被処理物に目的とする処理を実施
する手段とを備えたことを特徴とする被処理物の真空処
理装置。
【請求項８】前記ホルダの温度を制御する手段を設け
てある請求項７記載の真空処理装置。
【請求項９】前記ホルダ上に被処理物を押さえ固定す
る手段が、該被処理物の周辺部を前記ホルダに押圧固定
する部材を含むものである請求項７又は８記載の真空処
理装置。
【請求項１０】前記ホルダの被処理物配置面が凸曲面
に形成されている請求項９記載の真空処理装置。
【請求項１１】前記目的とする処理を実施する手段が
被処理物のドライエッチング処理手段である請求項７か
ら１０のいずれかに記載の真空処理装置。