KR20140076296A - 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140076296A
KR20140076296A KR1020120144673A KR20120144673A KR20140076296A KR 20140076296 A KR20140076296 A KR 20140076296A KR 1020120144673 A KR1020120144673 A KR 1020120144673A KR 20120144673 A KR20120144673 A KR 20120144673A KR 20140076296 A KR20140076296 A KR 20140076296A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
mask
hole
alignment
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020120144673A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102017744B1 (ko
Inventor
허명수
정석원
이정호
홍상혁
이용석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120144673A priority Critical patent/KR102017744B1/ko
Priority to TW102131741A priority patent/TWI625411B/zh
Priority to US14/020,849 priority patent/US9673265B2/en
Priority to CN201310476177.4A priority patent/CN103866261B/zh
Priority to CN201320630234.5U priority patent/CN203582967U/zh
Priority to EP13193447.3A priority patent/EP2743371B1/en
Priority to JP2013256988A priority patent/JP6343143B2/ja
Publication of KR20140076296A publication Critical patent/KR20140076296A/ko
Priority to US15/492,941 priority patent/US10214808B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102017744B1 publication Critical patent/KR102017744B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 대하여 마스크를 이용하여 증착 공정을 진행하기 위한 증착 장치에 관한 것으로서, 챔버, 상기 챔버내에 배치되고 상기 기판을 배치하도록 형성되고 제1 홀을 구비하는 지지부, 상기 기판 방향으로 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 공급부 및 상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치되고 상기 마스크를 지지한 채 운동하여 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 정렬 부재를 포함하는 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공한다.

Description

증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법{Deposition apparatus, method for forming thin film using the same and method for manufacturing organic light emitting display apparatus}
본 발명은 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 증착 공정을 효율적으로 진행할 수 있고 증착막 특성을 용이하게 향상할 수 있는 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 표시 장치 및 기타 전자 소자 등은 복수의 박막을 구비한다. 이러한 복수의 박막을 형성하는 방법은 다양한데 그 중 증착 방법이 하나의 방법이다.
증착 방법은 박막을 형성할 다양한 원료를 사용할 수 있는데, 예를들면 하나 이상의 기체를 사용한다. 이러한 증착 방법은 화학적 기상 증착(CVD: chemical vapor deposition), 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition) 기타 다양한 방법이 있다.
한편, 표시 장치들 중, 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하고, 그 외에 하나 이상의 다양한 박막을 구비한다. 이때 유기 발광 표시 장치의 박막을 형성하기 위하여 증착 공정을 이용하기도 한다.
그러나, 유기 발광 표시 장치가 대형화되고 고해상도를 요구함에 따라 대면적의 박막을 원하는 특성으로 증착하기가 용이하지 않다. 또한 이러한 박막을 형성하는 공정의 효율성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 증착 공정을 효율적으로 진행할 수 있고 증착막 특성을 용이하게 향상할 수 있는 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 기판에 대하여 마스크를 이용하여 증착 공정을 진행하기 위한 증착 장치에 관한 것으로서, 챔버, 상기 챔버내에 배치되고 상기 기판을 배치하도록 형성되고 제1 홀을 구비하는 지지부, 상기 기판 방향으로 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 공급부 및 상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치되고 상기 마스크를 지지한 채 운동하여 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 정렬 부재를 포함하는 증착 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인하는 정렬 확인 부재를 더 포함하고, 상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고, 상기 정렬 확인 부재는 상기 제2 홀을 통하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 정렬 확인 부재는 상기 기판 및 상기 마스크 각각에 구비된 정렬 마크를 확인하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 홀은 상기 제1 홀에 비하여 상기 지지부의 중앙 영역에 더 가깝도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 정렬 확인 부재는 상기 지지부에 비하여 상기 공급부로부터 더 멀리 떨어지도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부를 기준으로 상기 정렬 확인 부재는 상기 지지부의 하부에 배치되고, 상기 공급부는 상기 지지부의 상부에 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 챔버는 상기 제2 홀에 대응하는 투과창을 구비하고, 상기 정렬 확인 부재는 상기 투과창을 통하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 정렬 부재가 상기 제1 홀 내에서 3차원 운동이 가능하도록, 상기 정렬 부재의 단면적은 상기 제1 홀의 크기보다 작을 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 정렬 부재는 상기 마스크를 지지한 채, 상기 마스크의 상면과 평행한 방향으로 평면 운동 및 상기 마스크의 상면과 수직한 방향으로의 직선 운동을 통하여 상기 기판에 대한 상기 마스크의 정렬 작업을 수행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부의 상면은 굴곡된 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부의 상면의 영역 중 중앙 영역은 가장자리보다 돌출되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부의 하면은 상기 상면에 대응하도록 굴곡된 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부의 하면은 평탄면을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판을 지지하도록 배치되고 상승 및 하강 운동을 통하여 상기 기판을 상기 지지부에 배치하는 리프트핀을 더 포함하고, 상기 지지부는 제3 홀을 더 구비하고, 상기 리프트핀은 상기 제3 홀을 관통하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제3 홀은 상기 제1 홀에 비하여 상기 지지부의 중앙 영역에 더 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 공급부를 지지하고, 상기 공급부에 비하여 상기 지지부로터 더 멀리 떨어지도록 배치된 베이스 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 공급부와 상기 지지부 사이에 플라즈마를 발생하도록 전압을 인가하는 전원부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 챔버내를 세정하도록 플라즈마를 발생하여 챔버내로 주입하는 세정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 지지부는 상승 및 하강 운동을 하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 챔버는 측면에 상기 기판 및 상기 마스크의 출입을 위한 적어도 하나의 출입구를 구비할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 증착 장치를 이용하여 기판에 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 챔버내에 상기 기판을 투입하는 단계, 상기 기판을 제1 홀을 구비하는 지지부에 배치하는 단계, 상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치된 정렬 부재로 마스크를 지지한 채 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계 및 공급부로부터 상기 기판 방향으로 박막을 형성하기 위한 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고, 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계는 상기 제2 홀을 통하여 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 마스크 및 상기 기판 각각의 정렬 마크를 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판을 상기 지지부에 배치하는 단계는 상기 지지부의 제3 홀을 관통하도록 배치된 리프트핀이 상기 기판을 지지한 채 상기 지부 방향으로 하강하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬한 후에 상기 지지부가 상승 또는 하강 운동하여 상기 기판과 상기 공급부 사이의 간격을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막을 형성한 후에, 상기 챔버에 연결된 세정부로부터 리모트 플라즈마를 발생하여 상기 챔버내로 주입하여 상기 챔버를 세정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면 증착 장치를 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 챔버내에 상기 유기 발광 표시 장치를 형성하기 위한 기판을 투입하는 단계, 상기 기판을 제1 홀을 구비하는 지지부에 배치하는 단계, 상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치된 정렬 부재로 마스크를 지지한 채 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계 및 공급부로부터 상기 기판 방향으로 박막을 형성하기 위한 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고, 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계는 상기 제2 홀을 통하여 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 유기 발광 표시 장치는 기판상에 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층, 제2 전극 및 봉지층을 포함하고, 상기 박막을 형성하는 단계는 상기 봉지층을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막을 형성하는 단계는 절연막을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막을 형성하는 단계는 도전막을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 관한 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 증착 공정을 효율적으로 진행할 수 있고 증착막 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 증착 장치의 정렬 부재를 이용하여 마스크와 기판을 정렬한 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 R의 확대도이다.
도 4는 도 1의 지지부를 구체적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 지지부의 제1 홀을 구체적으로 도시한 평면도이다.
도 6a는 도 1의 지지부를 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 6b 및 도 6c는 도 1의 지지부의 다른 변형예를 도시한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 관한 증착 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 R의 확대도이다.
도 9는 도 7의 지지부를 구체적으로 도시한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 증착 장치를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 도 10의 F의 확대도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 증착 장치의 정렬 부재를 이용하여 마스크와 기판을 정렬한 상태를 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면 증착 장치(100)는 챔버(101), 지지부(110), 공급부(120), 정렬 부재(140) 및 정렬 확인 부재(150)을 포함한다.
챔버(101)는 증착 공정의 압력 분위기를 제어하도록 펌프(미도시)에 연결될 수 있고, 기판(S), 지지부(110) 및 공급부(120)를 수용 및 보호한다. 또한 챔버(101)는 기판(S) 또는 마스크(130)의 출입을 위한 하나 이상의 출입구(101a)를 구비한다.
지지부(110)상에는 증착 공정이 진행될 기판(S)이 배치된다. 지지부(110)는 기판(S)에 대한 증착 공정이 진행되는 동안 기판(S)이 움직이거나 흔들리지 않도록 한다. 이를 위하여 지지부(110)는 클램프(미도시)를 구비할 수 있다. 또한 지지부(110)와 기판(S)간의 흡착을 위하여 지지부(110)는 하나 이상의 흡착홀(미도시)을 구비할 수도 있다. 지지부(110)는 제1 홀(111) 및 제2 홀(112)을 구비하는데, 이에 대한 구체적인 내용은 후술하기로 한다.
정렬 부재(140)는 지지부(110)의 제1 홀(111)을 관통하도록 배치된다. 정렬 부재(140)는 마스크(130)의 하면을 지지한 채 이동이 가능하도록 형성된다. 구체적으로 정렬 부재(140)는 도 2에 도시한 것과 같이 Z축 방향으로 이동이 가능하다. 또한, 도 1 및 도 2의 X축 및 이와 수직한 방향으로 이동이 가능하다(구체적인 내용은 후술한다).
정렬 부재(140)는 적어도 기판(S)과 중첩되지 않고 기판(S)을 벗어나도록 배치된다.
마스크(130)는 기판(S)에 형성될 증착 패턴에 대응되는 개구부(미도시)를 갖는다. 또한 마스크(130)는 오픈 마스크일 수도 있다. 증착 공정중에는 마스크(130)와 기판(S)은 도 2에 도시한 것과 같이 최대한 근접하도록 배치되는 것이 바람직하다.
공급부(120)는 기판(S)과 대향하도록 배치되어 기판(S)에 대하여 증착 공정을 진행할 수 있도록 하나 이상의 원료, 즉 증착 원료를 기판(S)방향으로 공급한다. 즉, 공급부(120)는 지지부(110)의 상부에 배치된다. 공급부(120)의 구체적인 예로서, 공급부(120)는 하나 이상의 기체를 기판(S)방향으로 공급하는 샤워 헤드 형태를 가질 수 있다.
또한, 공급부(120)에서 기판(S)방향으로 공급된 기체 상태의 원료를 플라즈마 상태로 변화시키도록 공급부(120)와 지지부(110)사이에 전압을 인가할 수 있다. 즉, 증착 장치(100)는 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)장치일 수 있다.
전압 인가 방법의 구체적인 예로서, 공급부(120) 및 지지부(110)에 각각 전압을 인가할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 공급부(120) 및 지지부(110)사이에 플라즈마를 발생할 수 있도록 별도의 전극(미도시)을 증착 장치(100)에 배치할 수 있다.
공급부(120)는 그 크기를 제한받지 아니한다. 즉, 공급부(120)는 기판(S)보다 큰 영역을 갖도록 형성된다. 이를 통하여 기판(S) 전체에 대하여 균일한 증착막 형성이 가능하다.
도 3은 도 1의 R의 확대도이고, 도 4는 도 1의 지지부를 구체적으로 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 지지부의 제1 홀을 구체적으로 도시한 평면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면 지지부(110)는 제1 홀(111) 및 제2 홀(112)을 구비한다.
제1 홀(111)을 관통하도록 정렬 부재(140)가 배치된다. 즉, 제1 홀(111)의 개수는 정렬 부재(140)의 개수에 대응된다. 예를들면 도 4에 도시한 것과 같이 제1 홀(111)은 지지부(110)의 네 모서리에 인접하도록 배치될 수 있는데, 도시하지 않았으나 정렬 부재(140)도 네 개의 제1 홀(111)을 관통하도록 배치된다. 즉, 정렬 부재(140)의 개수와 제1 홀(111)의 개수는 동일할 수 있다.
또한, 제1 홀(111)은 적어도 정렬 부재(140)의 단면보다 크게 형성된다. 이를 통하여 정렬 부재(140)는 제1 홀(111)을 통하여 이동이 가능하다. 즉, 전술한 도 2에서와 같이 정렬 부재(140)가 제1 홀(111)을 통하여 수직 상하(도 2의 Z축 방향)운동이 가능하고, 도 5에 도시한 것과 같이 제1 홀(111)을 통하여 정렬 부재(140)의 XY평면상의 운동이 가능하다.
도 5에 도시한 것과 같이 정렬 부재(140)는 X축 방향, 즉 도 5의 X1 및 X2 화살표 방향으로 이동이 가능하고, Y축 방향, 즉 도 5의 Y1 및 Y2 화살표 방향으로 운동이 가능하다.
정렬 부재(140)는 마스크(130)의 하면과 접촉하면서 마스크(130)를 지지한다. 정렬 부재(140)는 마스크(130)를 지지한 채, X, Y 및 Z 축 방향, 즉 3차원 운동이 가능하다. 정렬 부재(140)의 이러한 운동을 통하여 정렬 부재(140)에 의하여 지지되는 마스크(130)도 X, Y 및 Z 축 방향으로 운동이 가능하다.
제2 홀(112)은 기판(S)과 대응되도록 배치된다. 제2 홀(112)은 제1 홀(111)에 비하여 지지부(110)의 중앙 영역에 더 가깝게 배치된다.
제2 홀(112)에 대응되도록 챔버(101)의 하부에는 정렬 확인 부재(150)가 배치된다. 또한, 정렬 확인 부재(150)는 지지부(110)를 벗어나지 않도록 배치된다. 이를 통하여 정렬 확인 부재(150)가 공급부(120)로부터 분사된 원료에 의하여 오염되는 것을 방지하여 정렬 확인 부재(150)의 정밀한 확인 능력을 유지할 수 있다.
정렬 확인 부재(150)는 지지부(110)의 제2 홀(112)을 통하여 기판(S) 및 마스크(130)의 정렬 상태를 확인한다. 정렬 확인 부재(150)는 예를들면 카메라 형태일 수 있다. 정렬 확인 부재(150)의 확인이 용이하도록 챔버(101)의 하부 영역 중 제2 홀(112)에 대응되는 영역은 투과창(101b)이 형성될 수 있다.
또한, 도시하지 않았으나 기판(S) 및 마스크(130)에는 각각 정렬 마크(미도시)가 형성되어 정렬 확인 부재(150)는 이러한 기판(S) 및 마스크(130) 각각의 정렬 마크들을 확인함으로써 기판(S)과 마스크(130)의 정렬 확인 상태를 확인한다.
본 실시예의 증착 장치(100)의 작동에 대하여 간략하게 설명하기로 한다.
증착 장치(100)의 챔버(101)내로 기판(S)이 투입되어 지지부(110)에 배치된다. 또한, 마스크(130)가 챔버(101)내로 투입되어 정렬 부재(140)상에 놓이게 되어 정렬 부재(140)에 의하여 지지된다.
정렬 부재(140)는 기판(S)과 평행한 평면상의 운동을 하면서 마스크(130)를 기판(S)에 대하여 정렬한다. 즉, 정렬 부재(140)는 지지부(110)의 제1 홀(111)내에서 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 운동하면서 정렬 작업을 수행한다. 이 때 정렬 확인 부재(150)는 실시간으로 마스크(130)의 정렬 마크(미도시)와 기판(S)의 정렬 마크(미도시)를 확인한다. 이를 통하여 정렬 부재(140)는 용이하게 마스크(130)를 기판(S)에 대하여 정렬한다.
이러한 XY평면 상의 정렬 작업을 수행한 후에 정렬 부재(140)는 Z 축 방향으로 운동한다. 즉, 도 2에 도시한 것과 같이 정렬 부재(140)는 기판(S)방향으로 하강하여 마스크(130)와 기판(S)을 최대한 근접시킨다.
이러한 정렬 작업 후, 공급부(120)에서 원하는 원료를 공급하여 기판(S)에 원하는 패턴의 증착막을 용이하게 형성할 수 있다.
도 6a는 도 1의 지지부를 구체적으로 도시한 단면도이고, 도 6b 및 도 6c는 도 1의 지지부의 다른 변형예를 도시한 도면들이다. 설명의 편의를 위하여 다른 부재들은 생략하고 지지부(110, 110', 110"), 기판(S) 및 마스크(130)만을 도시하였다.
도 6a에 도시한 것과 같이 지지부(110)는 평탄한 상면을 구비할 수 있다. 지지부(110)의 평탄한 상면에 기판(S) 및 마스크(130)가 배치된다.
또한, 또 다른 예로서 도 6b에 도시한 것과 같이 지지부(110')는 굴곡된 상면을 가질 수 있다. 구체적으로 지지부(110')의 상면의 영역 중 중앙 영역은 가장자리에 비하여 돌출되어 있다. 또한 지지부(110')의 하면의 영역은 상면에 대응하도록 굴곡되어 있다. 이러한 지지부(110')의 굴곡을 통하여 기판(S)이 지지부(110')에 배치 시 기판(S)도 지지부(110')의 상면에 대응하는 굴곡을 갖게 되고, 이를 통하여 기판(S)과 지지부(110')가 효과적으로 밀착하게 된다. 기판(S)과 지지부(110')가 밀착되어 기판(S)의 하면 및 지지부(110')의 상면이 공급부(120)로부터 분출된 원료로 인하여 오염되는 것을 효과적으로 방지한다. 또한 기판(S)과 마찬가지로 기판(S)에 대응되도록 마스크(130)도 굴곡되어 기판(S)과 마스크(130)가 효과적으로 밀착되도록 하여 기판(S)에 원하는 패턴으로 정밀한 증착막을 형성할 수 있다.
굴곡된 정도는 다양하게 정할 수 있으나 지지부(110')의 상면의 중앙 영역의 가장 돌출된 영역의 연장선과 지지부(110')의 상면의 가장자리 영역과의 간격은 1 밀리미터 이하가 되도록 한다. 즉, 지나치게 지지부(110')의 상면이 굴곡되면 기판(S)도 이에 대응되도록 지나치게 굴곡되고, 이로 인하여 증착 공정 진행 시 기판(S)에 형성될 증착막의 특성이 감소한다. 특히 기판(S)에 무기 증착막을 형성할 경우 증착막에 크랙등의 불량이 발생할 수 있으므로 상기와 같이 굴곡된 정도를 제어한다.
또한, 도 6b에 도시한 것과 같이 지지부(110')전체를 굴곡되도록 형성하지 않고 도 6c에 도시한 것과 같이 지지부(110")의 상면은 굴곡되도록 형성되고 하면은 평탄면을 가질 수 있다. 이를 통하여 지지부(110")의 챔버내에서의 안정적 배치를 용이하게 구현할 수 있다.
본 실시예의 증착 장치(100)는 기판(S)이 지지부(110)의 상면에 배치되고, 기판(S)과 대향하도록 지지부(110)의 상부에는 공급부(120)가 배치된다. 또한 원하는 패턴으로 증착막을 형성하도록 기판(S)상부에는 마스크(130)를 배치할 수 있는데, 이 때 정렬 부재(140)를 이용하여 마스크(130)를 용이하게 기판(S)과 정렬 할 수 있다. 특히, 지지부(110)의 제1 홀(111)을 관통하도록 정렬 부재(140)를 배치하여 공급부(120)의 영향을 받지 않으면서 마스크(130)와 기판(S)을 정렬할 수 있다. 특히, 지지부(110)의 하부에 정렬 확인 부재(150)를 배치하고, 정렬 확인 부재(150)가 지지부(110)의 제2 홀(112)을 통하여 기판(S)과 마스크(130)의 정렬 상태를 실시간으로 확인하면서 정렬 작업을 진행하므로 기판(S)과 마스크(130)의 정렬 작업이 효율적으로 수행될 수 있다.
특히, 정렬 확인 부재(150)를 지지부(110)를 기준으로 공급부(120)와 반대 방향에 배치한다. 즉, 공급부(120)는 지지부(110)의 상부에, 정렬 확인 부재(150)는 지지부(110)의 하부에 배치하여 정렬 확인 부재(150)가 공급부(120)로부터 분출되는 증착 원료들로부터 오염되는 것을 방지한다.
또한, 선택적 실시예로서 상면이 굴곡된 지지부(110', 110")를 갖는 경우 기판(S)과 마스크(130)의 밀착이 용이하도록 하여 기판(S)에 형성되는 증착막의 정밀한 패턴 형성이 가능하다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 관한 증착 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 8은 도 7의 R의 확대도이고, 도 9는 도 7의 지지부를 구체적으로 도시한 평면도이다.
도 7 내지 도 8을 참조하면 증착 장치(200)는 챔버(201), 지지부(210), 공급부(220), 정렬 부재(240), 정렬 확인 부재(250), 전원부(275), 리프트핀(260), 베이스 플레이트(225) 및 세정부(290)를 포함한다.
챔버(201)는 증착 공정의 압력 분위기를 제어하도록 펌프(미도시)에 연결될 수 있고, 기판(S), 지지부(210) 및 공급부(220)를 수용 및 보호한다. 또한 챔버(201)는 기판(S) 또는 마스크(230)의 출입을 위한 하나 이상의 출입구(201a)를 구비한다.
지지부(210)상에는 증착 공정이 진행될 기판(S)이 배치된다. 구체적으로 기판(S)이 챔버(201)의 출입구(201a)를 통하여 챔버(201)내로 유입되면 리프트핀(260)에 놓여진다. 리프트핀(260)은 상하 운동, 즉 도 7의 Z 축 방향으로의 운동이 가능하므로 기판(S)이 올려진 채 지지부(210)방향으로 하강하여 기판(S)을 지지부(210)에 배치한다. 리프트핀(260)은 지지부(210)의 제3 홀(213)을 관통하도록 배치된다. 리프트핀(260)은 제3 홀(213)을 관통하면서 수직 상하 운동을 한다.
지지부(210)는 기판(S)에 대한 증착 공정이 진행되는 동안 기판(S)이 움직이거나 흔들리지 않도록 한다. 이를 위하여 지지부(210)는 클램프(미도시)를 구비할 수 있다. 또한 지지부(210)와 기판(S)간의 흡착을 위하여 지지부(210)는 흡착홀(미도시)을 구비할 수도 있다. 지지부(210)는 제1 홀(211), 제2 홀(212) 및 제3 홀(213)을 구비한다. 또한 지지부(210)는 수직 상하 운동을 하도록 형성된다. 즉 지지부(210)는 도 7에 도시한 것과 같이 Z1 및 Z2 방향으로 운동한다. 이를 통하여 기판(S)이 지지부(210)에 배치된 후 기판(S)과 공급부(220)사이의 공간을 조절하여 증착 조건, 특히 플라즈마 발생 조건을 다양하게 설정할 수 있다.
정렬 부재(240)는 지지부(210)의 제1 홀(211)을 관통하도록 배치된다. 정렬 부재(240)는 마스크(230)의 하면을 지지한 채 이동이 가능하도록 형성된다. 구체적으로 정렬 부재(240)는 전술한 실시예와 마찬가지로 마스크(230)를 지지한 채 X, Y 및 Z축 방향으로 운동이 가능하다. 정렬 부재(240)는 적어도 기판(S)과 중첩되지 않고 기판(S)을 벗어나도록 배치된다.
마스크(230)는 마스크 본체(231) 및 마스크 프레임(232)을 구비한다. 마스크 본체(231)는 기판(S)에 형성될 증착 패턴에 대응되는 개구부(미도시)를 갖는다. 이 때 마스크 본체(231)은 복수의 패터닝된 개구부를 가질 수 있다. 또 다른 예로서 마스크(230)는 오픈 마스크 타입일 수 있는데, 구체적으로 마스크 본체(231)가 별도의 패턴 없이 연장된 형태의 하나의 개구부를 가질 수 있다. 증착 공정 중에는 마스크(230)와 기판(S)은 최대한 근접하도록 배치되는 것이 바람직하다.
공급부(220)는 기판(S)과 대향하도록 배치되어 기판(S)에 대하여 증착 공정을 진행할 수 있도록 하나 이상의 원료를 기판(S)방향으로 공급한다. 즉, 공급부(220)는 지지부(210)의 상부에 배치된다. 공급부(220)의 구체적인 예로서, 공급부(220)는 하나 이상의 기체를 기판(S)방향을 공급하는 샤워 헤드 형태를 가질 수 있다. 또한, 공급부(220)는 기판(S)의 전체면에 골고루 원료를 공급하도록 형성될 수 있는데, 디퓨저 형태를 가질 수 있다.
베이스 플레이트(225)는 공급부(220)의 상부에 배치된다. 즉, 베이스 플레이트(225)는 공급부(220)에 비하여 기판(S)으로부터 더 멀리 배치된다. 베이스 플레이트(225)는 공급부(220)를 지지한다.
또한, 공급부(220)에서 기판(S)방향으로 공급된 기체 상태의 원료를 플라즈마 상태로 변화시키도록 공급부(220)와 지지부(210)사이에 전압을 인가할 수 있다. 구체적인 예로서, 공급부(220) 및 지지부(210)에 각각 전압을 인가할 수 있다. 또 다른 선택적 예로서 베이스 플레이트(225)에 전압을 인가할 수 있다. 또한, 전압 인가 시 한쪽에는 그라운드 전압을 인가할 수 있다.
이러한 공급부(220)에서 기판(S)방향으로 공급된 기체 상태의 원료를 플라즈마 상태로 변화시키도록 전압을 제공하는 전원부(275)가 배치된다. 전원부(275)는 다양한 형태의 전압을 제공하는데 RF 전압을 제공할 수 있다. 전원부(275)는 챔버(201)의 외부에 배치될 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 공급부(220) 및 지지부(210)사이에 플라즈마를 발생할 수 있도록 별도의 전극(미도시)을 증착 장치(200)에 배치할 수 있다.
공급부(220)는 그 크기를 제한받지 아니한다. 즉, 공급부(220)는 기판(S)보다 큰 영역을 갖도록 형성된다. 이를 통하여 기판(S) 전체에 대하여 균일한 증착막 형성이 가능하다.
세정부(290)는 챔버(201)와 연결되도록 배치된다. 세정부(290)는 증착 공정을 수행함에 따라 챔버(201)가 오염되는 경우 챔버(201)를 세정한다. 세정부(290)는 챔버(201)를 세정하도록 리모트 플라즈마를 발생하여 챔버(201)내로 공급할 수 있다. 예를들면 세정부(290)는 NF3 기체를 공급받아 이를 플라즈마 상태로 변화시켜 챔버(201)내로 주입하여 챔버(201)내벽에 형성된 층들과 접하도록 하여 챔버(201)내벽을 세정할 수 있다.
정렬 부재(240), 지지부(210)등에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
지지부(210)의 제1 홀(211)을 관통하도록 정렬 부재(240)가 배치된다. 즉, 제1 홀(211)의 개수는 정렬 부재(240)의 개수에 대응된다. 예를들면 제1 홀(211)은 도 9에 도시한 것과 같이 지지부(210)의 네 모서리에 인접하도록 배치될 수 있는데, 도시하지 않았으나 정렬 부재(240)도 네 개의 제1 홀(211)을 관통하도록 배치된다.
또한, 제1 홀(211)은 적어도 정렬 부재(240)의 단면보다 크게 형성된다. 이를 통하여 정렬 부재(240)는 제1 홀(211)을 통하여 이동이 가능하다.
정렬 부재(240)는 마스크(230)의 하면과 접촉하면서 마스크(230)를 지지한다. 정렬 부재(240)는 마스크(230)를 지지한 채, X, Y 및 Z 축 방향, 즉 3차원 운동이 가능하다. 정렬 부재(240)의 이러한 운동을 통하여 정렬 부재(240)에 의하여 지지되는 마스크(230)도 X, Y 및 Z 축 방향으로 운동이 가능하다.
제2 홀(212)은 기판(S)과 대응되도록 배치된다. 제2 홀(212)은 제1 홀(211)에 비하여 지지부(210)의 중앙 영역에 더 가깝게 배치된다.
제2 홀(212)에 대응되도록 챔버(201)의 하부에는 정렬 확인 부재(250)가 배치된다. 또한, 정렬 확인 부재(250)는 지지부(210)를 벗어나지 않도록 배치된다. 이를 통하여 정렬 확인 부재(250)가 공급부(220)로부터 분사된 원료에 의하여 오염되는 것을 방지하여 정렬 확인 부재(250)의 정밀한 확인 능력을 유지할 수 있다.
정렬 확인 부재(250)는 지지부(210)의 제2 홀(212)을 통하여 기판(S) 및 마스크(230)의 정렬 상태를 확인한다. 정렬 확인 부재(250)는 예를들면 카메라 형태일 수 있다. 정렬 확인 부재(250)의 확인이 용이하도록 챔버(201)의 하부 영역 중 제2 홀(212)에 대응되는 영역은 투과창(미도시)이 형성될 수 있다.
또한, 도시하지 않았으나 기판(S) 및 마스크(230)에는 각각 정렬 마크(미도시)가 형성되어 정렬 확인 부재(250)는 이러한 기판(S) 및 마스크(230)의 정렬 마크들을 확인함으로써 기판(S)과 마스크(230)의 정렬 확인 상태를 확인한다.
제3 홀(213)은 제1 홀(211) 및 제2 홀(212)에 비하여 지지부(210)의 중앙 영역에 더 가깝도록 형성된다. 제3 홀(213)을 관통하도록 리프트핀(260)이 배치되고, 제3 홀(213)의 크기는 리프트핀(260)의 단면보다 크게 형성되어 리프트핀(260)이 제3 홀(213)을 통하여 용이하게 수직 상하 운동을 하도록 한다.
본 실시예의 증착 장치(200)의 작동에 대하여 간략하게 설명하기로 한다.
증착 장치(200)의 챔버(201)내로 기판(S)이 투입되면, 지지부(210)의 제3 홀(213)을 관통하도록 배치된 리프트핀(260)에 의하여 지지된다. 리프트핀(260)은 기판(S)을 지지한 채로 수직 운동, 즉 지지부(210)방향으로 하강하여 기판(S)을 지지부(210)의 상면에 배치한다. 이러한 리프트핀(260)의 운동을 위하여 리프트핀(260)은 챔버(201)내에 배치될 수 있고, 도 7 및 도 8에 도시한 것과 같이 리프트핀(260)의 소정의 영역이 챔버(201)를 관통하도록 배치될 수 있다.
기판(S)과 마찬가지로 마스크(230)가 챔버(201)내로 투입되어 정렬 부재(240)상에 놓이게 되어 정렬 부재(240)에 의하여 지지된다.
정렬 부재(240)는 기판(S)과 평행한 평면상의 운동을 하면서 마스크(230)를 기판(S)에 대하여 정렬한다. 즉, 정렬 부재(240)는 지지부(210)의 제1 홀(211)내에서 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 운동하면서 정렬 작업을 수행한다. 이 때 정렬 확인 부재(250)는 실시간으로 마스크(230)의 정렬 마크(미도시)와 기판(S)의 정렬 마크(미도시)를 확인한다. 이를 통하여 정렬 부재(240)는 용이하게 마스크(230)를 기판(S)에 대하여 정렬한다.
이러한 XY평면 상의 정렬 작업을 수행한 후에 정렬 부재(240)는 Z 축 방향으로, 즉 지지부(210)방향으로 운동한다. 즉, 정렬 부재(240)는 지지부(210)방향으로 하강하여 마스크(230)와 기판(S)을 최대한 근접시킨다.
이러한 정렬 작업 후, 공급부(220)에서 원하는 원료를 공급하여 기판(S)에 원하는 패턴의 증착막을 용이하게 형성할 수 있다. 이 때 원료 공급의 효율성 향상을 위하여, 지지부(210)의 상하 운동을 통하여 공급부(220)와 기판(S)간의 간격을 조절할 수 있다.
전술한 대로 원료를 플라즈마로 발생시켜 증착 공정을 진행할 수 있는데, 원
도시하지 않았으나 본 실시예의 지지부(210)도 전술한 도 6a 내지 도 6c에 도시한 것과 마찬가지로 평탄한 면을 가질 수 있고, 이와 반대로 굴곡된 면을 구비할 수 있다.
본 실시예의 증착 장치(200)는 기판(S)이 지지부(210)의 상면에 배치되고, 기판(S)과 대향하도록 지지부(210)의 상부에는 공급부(220)가 배치된다. 또한 원하는 패턴으로 증착막을 형성하도록 기판(S)상부에는 마스크(230)를 배치할 수 있는데, 이 때 정렬 부재(240)를 이용하여 마스크(230)를 용이하게 기판(S)과 정렬 할 수 있다. 특히, 지지부(210)의 제1 홀(211)을 관통하도록 정렬 부재(240)를 배치하여 공급부(220)의 영향을 받지 않으면서 마스크(230)와 기판(S)을 정렬할 수 있다. 특히, 지지부(210)의 하부에 정렬 확인 부재(250)를 배치하고, 정렬 확인 부재(250)가 지지부(210)의 제2 홀(212)을 통하여 기판(S)과 마스크(230)의 정렬 상태를 실시간으로 확인하면서 정렬 작업을 진행하므로 기판(S)과 마스크(230)의 정렬 작업이 효율적으로 수행될 수 있다.
특히, 정렬 확인 부재(250)를 지지부(210)를 기준으로 공급부(220)와 반대 방향에 배치한다. 즉, 공급부(220)는 지지부(210)의 상부에, 정렬 확인 부재(250)는 지지부(210)의 하부에 배치하여 정렬 확인 부재(250)가 공급부(220)로부터 분출되는 증착 원료들로부터 오염되는 것을 방지한다.
또한, 기판(S)을 지지부(210)에 배치 시, 지지부(210)의 제3 홀(213)을 관통하도록 배치한 리프트핀(260)을 이용하여 배치하므로 기판(S)을 지지부(210)상에 흔들리거나 움직임 없이 원하는 위치에 배치할 수 있다. 특히, 제3 홀(213)을 제1 홀(211) 및 제2 홀(212)보다 지지부(210)의 중앙 영역에 더 가깝게 배치하여 마스크(230)의 정렬 작업에 영향을 주지 아니한다.
또한, 선택적 실시예로서 지지부(210)의 상면이 굴곡된 형태를 갖는 경우 기판(S)과 마스크(230)의 밀착이 용이하도록 하여 기판(S)에 형성되는 증착막의 정밀한 패턴 형성이 가능하다.
도 10은 본 발명의 증착 장치를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 F의 확대도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면 유기 발광 표시 장치(10:organic light emitting display apparatus)는 기판(30)상에 형성된다. 기판(30)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다.
기판(30)상에는 기판(30)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(30)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(31)이 형성되어 있다.
버퍼층(31)상에는 박막 트랜지스터(40(TFT: thin film transistor)), 캐패시터(50), 유기 발광 소자(60:organic light emitting device)가 형성된다. 박막 트랜지스터(40)는 크게 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스/드레인 전극(43)을 포함한다. 유기 발광 소자(60)는 제1 전극(61), 제2 전극(62) 및 중간층(63)을 포함한다. 캐패시터(50)는 제1 캐패시터 전극(51) 및 제2 캐패시터 전극(52)을 구비한다.
구체적으로 버퍼층(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(41)이 배치된다. 활성층(41)은 실리콘과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있고, 선택적으로 p형 또는 n형의 도펀트를 주입하여 형성될 수도 있다.
활성층(41)상부에는 게이트 절연막(32)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 활성층(41)과 대응되도록 게이트 전극(42)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 제1 캐패시터 전극(51)이 형성될 수 있고, 게이트 전극(42)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성되고, 층간 절연막(33) 상에 소스/드레인 전극(43)이 형성되는 데, 활성층(41)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. 절연막(33) 상에는 제2 캐패시터 전극(52)이 형성될 수 있고, 소스/드레인 전극(43)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(43)을 덮도록 패시베이션층(34)이 형성되고, 패시베이션층(34)상부에는 박막트랜지스터(40)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.
패시베이션층(34)상에 제1 전극(61)을 형성한다. 제1 전극(61)은 소스/드레인 전극(43)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그리고, 제1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)을 형성한다. 중간층(63)상에 제2 전극(62)을 형성한다.
제2 전극(62)상에 봉지층(70)을 형성한다. 봉지층(70)은 유기물 또는 무기물을 함유할 수 있고, 유기물과 무기물을 교대로 적층한 구조일 수 있다.
구체적인 예로서 봉지층(70)은 전술한 증착 장치(100, 200)를 이용하여 형성할 수 있다. 즉 제2 전극(62)이 형성된 기판(30)을 챔버(101, 201)내로 투입한 후, 증착 장치(100, 200)를 이용하여 원하는 층을 형성할 수 있다.
특히, 봉지층(70)은 무기층(71) 및 유기층(72)을 구비하고, 무기층(71)은 복수의 층(71a, 71b, 71c)을 구비하고, 유기층(72)은 복수의 층 (72a, 72b, 72c)을 구비한다. 이 때 증착 장치(100, 200)를 이용하여 무기층(71)의 복수의 층(71a, 71b, 71c)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 유기 발광 표시 장치(10)의 버퍼층(31), 게이트 절연막(32), 층간 절연막(33), 패시베이션층(34) 및 화소 정의막(35) 등 기타 절연막을 본 발명의 증착 장치(100, 200)로 형성할 수도 있다.
또한 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스/드레인 전극(43), 제1 전극(61), 중간층(63) 및 제2 전극(62)등 기타 다양한 박막을 본 발명의 증착 장치(100, 200)로 형성하는 것도 물론 가능하다.
전술한 것과 같이 본 실시예의 증착 장치(100, 200)를 이용할 경우 유기 발광 표시 장치(10)에 형성되는 증착막 특성을 향상하여 결과적으로 유기 발광 표시 장치(10)의 전기적 특성 및 화질 특성을 향상할 수 있다.
또한, 본 실시예의 증착 장치(100, 200)를 이용하여 유기 발광 표시 장치(10)외에 액정 표시 장치에 구비된 박막 또는 기타 다양한 표시 장치에 구비된 박막을 형성할 수 있다. 물론, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 용도의 박막을 증착 장치(100, 200)를 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
S, 30: 기판
100, 200: 증착 장치
101, 201: 챔버
110, 210: 지지부
120, 220: 공급부
130, 230: 마스크
140, 240: 정렬부
150, 250: 정렬 확인 부재

Claims (31)

  1. 기판에 대하여 마스크를 이용하여 증착 공정을 진행하기 위한 증착 장치에 관한 것으로서,
    챔버;
    상기 챔버내에 배치되고 상기 기판을 배치하도록 형성되고 제1 홀을 구비하는 지지부;
    상기 기판 방향으로 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 공급부; 및
    상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치되고 상기 마스크를 지지한 채 운동하여 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 정렬 부재를 포함하는 증착 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인하는 정렬 확인 부재를 더 포함하고,
    상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고,
    상기 정렬 확인 부재는 상기 제2 홀을 통하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인하는 증착 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 정렬 확인 부재는 상기 기판 및 상기 마스크 각각에 구비된 정렬 마크를 확인하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인하는 증착 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 홀은 상기 제1 홀에 비하여 상기 지지부의 중앙 영역에 더 가깝도록 형성된 증착 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 정렬 확인 부재는 상기 지지부에 비하여 상기 공급부로부터 더 멀리 떨어지도록 배치된 증착 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 지지부를 기준으로 상기 정렬 확인 부재는 상기 지지부의 하부에 배치되고, 상기 공급부는 상기 지지부의 상부에 배치된 증착 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제2 홀에 대응하는 투과창을 구비하고,
    상기 정렬 확인 부재는 상기 투과창을 통하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 확인하는 증착 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 정렬 부재가 상기 제1 홀 내에서 3차원 운동이 가능하도록,
    상기 정렬 부재의 단면적은 상기 제1 홀의 크기보다 작은 증착 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 정렬 부재는 상기 마스크를 지지한 채, 상기 마스크의 상면과 평행한 방향으로 평면 운동 및 상기 마스크의 상면과 수직한 방향으로의 직선 운동을 통하여 상기 기판에 대한 상기 마스크의 정렬 작업을 수행하는 증착 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부의 상면은 굴곡된 형태를 갖는 증착 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 지지부의 상면의 영역 중 중앙 영역은 가장자리보다 돌출되도록 형성된 증착 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 지지부의 하면은 상기 상면에 대응하도록 굴곡된 형태를 갖는 증착 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 지지부의 하면은 평탄면을 갖는 증착 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 기판을 지지하도록 배치되고 상승 및 하강 운동을 통하여 상기 기판을 상기 지지부에 배치하는 리프트핀을 더 포함하고,
    상기 지지부는 제3 홀을 더 구비하고,
    상기 리프트핀은 상기 제3 홀을 관통하도록 배치되는 증착 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제3 홀은 상기 제1 홀에 비하여 상기 지지부의 중앙 영역에 더 가깝게 형성된 증착 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 공급부를 지지하고, 상기 공급부에 비하여 상기 지지부로터 더 멀리 떨어지도록 배치된 베이스 플레이트를 더 포함하는 증착 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 공급부와 상기 지지부 사이에 플라즈마를 발생하도록 전압을 인가하는 전원부를 더 포함하는 증착 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버내를 세정하도록 플라즈마를 발생하여 챔버내로 주입하는 세정부를 더 포함하는 증착 장치.
  19. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부는 상승 및 하강 운동을 하도록 형성된 증착 장치.
  20. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버는 측면에 상기 기판 및 상기 마스크의 출입을 위한 적어도 하나의 출입구를 구비하는 증착 장치.
  21. 증착 장치를 이용하여 기판에 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서,
    챔버내에 상기 기판을 투입하는 단계;
    상기 기판을 제1 홀을 구비하는 지지부에 배치하는 단계;
    상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치된 정렬 부재로 마스크를 지지한 채 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계; 및
    공급부로부터 상기 기판 방향으로 박막을 형성하기 위한 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고,
    상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계는
    상기 제2 홀을 통하여 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  23. 상기 제22 항에 있어서,
    상기 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 마스크 및 상기 기판 각각의 정렬 마크를 확인하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  24. 상기 제21 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 지지부에 배치하는 단계는
    상기 지지부의 제3 홀을 관통하도록 배치된 리프트핀이 상기 기판을 지지한 채 상기 지지부 방향으로 하강하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  25. 상기 제21 항에 있어서,
    상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬한 후에 상기 지지부가 상승 또는 하강 운동하여 상기 기판과 상기 공급부 사이의 간격을 제어하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  26. 상기 제21 항에 있어서,
    상기 박막을 형성한 후에,
    상기 챔버에 연결된 세정부로부터 리모트 플라즈마를 발생하여 상기 챔버내로 주입하여 상기 챔버를 세정하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법.
  27. 증착 장치를 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로서,
    챔버내에 상기 유기 발광 표시 장치를 형성하기 위한 기판을 투입하는 단계;
    상기 기판을 제1 홀을 구비하는 지지부에 배치하는 단계;
    상기 지지부의 제1 홀을 관통하도록 배치된 정렬 부재로 마스크를 지지한 채 상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계; 및
    공급부로부터 상기 기판 방향으로 박막을 형성하기 위한 하나 이상의 증착 원료 물질을 공급하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  28. 제27 항에 있어서,
    상기 지지부는 제2 홀을 더 구비하고,
    상기 마스크를 상기 기판에 대하여 정렬하는 단계는
    상기 제2 홀을 통하여 정렬 확인 부재를 이용하여 상기 기판과 상기 마스크의 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  29. 제27 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는 기판상에 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층, 제2 전극 및 봉지층을 포함하고,
    상기 박막을 형성하는 단계는 상기 봉지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  30. 제27 항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 단계는 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  31. 제27 항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 단계는 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
KR1020120144673A 2012-12-12 2012-12-12 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 Active KR102017744B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120144673A KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TW102131741A TWI625411B (zh) 2012-12-12 2013-09-03 沉積設備、使用其形成薄膜之方法及製造有機發光顯示設備之方法
US14/020,849 US9673265B2 (en) 2012-12-12 2013-09-08 Deposition apparatus, method of forming thin film using the same and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
CN201320630234.5U CN203582967U (zh) 2012-12-12 2013-10-12 沉积装置
CN201310476177.4A CN103866261B (zh) 2012-12-12 2013-10-12 沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法
EP13193447.3A EP2743371B1 (en) 2012-12-12 2013-11-19 Deposition apparatus, method of forming thin film using the same and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
JP2013256988A JP6343143B2 (ja) 2012-12-12 2013-12-12 蒸着装置、薄膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法
US15/492,941 US10214808B2 (en) 2012-12-12 2017-04-20 Deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120144673A KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140076296A true KR20140076296A (ko) 2014-06-20
KR102017744B1 KR102017744B1 (ko) 2019-10-15

Family

ID=49679330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120144673A Active KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9673265B2 (ko)
EP (1) EP2743371B1 (ko)
JP (1) JP6343143B2 (ko)
KR (1) KR102017744B1 (ko)
CN (2) CN203582967U (ko)
TW (1) TWI625411B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160025137A (ko) * 2014-08-26 2016-03-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20180007227A (ko) * 2016-07-12 2018-01-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210071181A (ko) * 2019-12-05 2021-06-16 주식회사 리페어코리아 메탈 메쉬를 이용한 투명 디스플레이 제조용 플레이트

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102227482B1 (ko) * 2014-08-22 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
EP3245311A1 (en) * 2015-01-12 2017-11-22 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a substrate carrier supporting a substrate and a mask carrier
US9490154B2 (en) * 2015-01-15 2016-11-08 Applied Materials, Inc. Method of aligning substrate-scale mask with substrate
CN107429396B (zh) * 2015-02-25 2019-06-14 Beneq有限公司 用于使基底表面经受连续表面反应的装置
CN105887010B (zh) 2016-05-13 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜集成框架及蒸镀设备
JP6486410B2 (ja) 2016-07-12 2019-03-20 ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド 基板処理システム及び基板処理方法
KR101949367B1 (ko) * 2016-12-09 2019-02-18 주식회사 아바코 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치
CN107164725A (zh) * 2017-05-15 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
CN107761051B (zh) * 2017-11-14 2019-08-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种掩模版、掩模蒸镀组件及蒸镀装置
JP7224165B2 (ja) * 2018-12-14 2023-02-17 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、蒸着装置、および、電子デバイスの製造装置
GB2588932B (en) * 2019-11-15 2022-08-24 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07102372A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Nissin Electric Co Ltd 被処理物の真空処理方法及び装置
KR20090108887A (ko) * 2008-04-14 2009-10-19 주식회사 에이디피엔지니어링 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR20100115720A (ko) * 2009-04-20 2010-10-28 주식회사 아이피에스 태양전지제조용 박막증착공정모듈, 태양전지제조용 박막증착공정시스템 및 태양전지제조용 박막증착공정모듈의 세정방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3164019B2 (ja) * 1997-05-21 2001-05-08 日本電気株式会社 酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置
US6553932B2 (en) 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
US20020078893A1 (en) 2000-05-18 2002-06-27 Applied Materials , Inc. Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US6591161B2 (en) * 2001-01-31 2003-07-08 Wafermasters, Inc. Method for determining robot alignment
US6397776B1 (en) * 2001-06-11 2002-06-04 General Electric Company Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
US6902629B2 (en) * 2002-04-12 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US7295279B2 (en) * 2002-06-28 2007-11-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. System and method for manufacturing liquid crystal display devices
JP2006045583A (ja) 2004-07-30 2006-02-16 Tokki Corp プラズマｃｖｄ装置
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
KR101173512B1 (ko) * 2005-08-25 2012-08-14 히다치 조센 가부시키가이샤 진공 증착용 얼라인먼트 장치
US7972470B2 (en) 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
US7993461B2 (en) * 2007-05-30 2011-08-09 Intermolecular, Inc. Method and system for mask handling in high productivity chamber
EP2562290A3 (en) 2008-08-29 2016-10-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
JP5277059B2 (ja) 2009-04-16 2013-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置及び成膜システム
JP5506921B2 (ja) * 2010-04-28 2014-05-28 株式会社アルバック 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
JP5783811B2 (ja) * 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
KR101716211B1 (ko) 2011-01-03 2017-03-15 주성엔지니어링(주) 박막 패턴의 제조 장치 및 제조 방법
WO2012173692A1 (en) 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Cvd mask alignment for oled processing
KR102017744B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07102372A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Nissin Electric Co Ltd 被処理物の真空処理方法及び装置
KR20090108887A (ko) * 2008-04-14 2009-10-19 주식회사 에이디피엔지니어링 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR20100115720A (ko) * 2009-04-20 2010-10-28 주식회사 아이피에스 태양전지제조용 박막증착공정모듈, 태양전지제조용 박막증착공정시스템 및 태양전지제조용 박막증착공정모듈의 세정방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160025137A (ko) * 2014-08-26 2016-03-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20180007227A (ko) * 2016-07-12 2018-01-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210071181A (ko) * 2019-12-05 2021-06-16 주식회사 리페어코리아 메탈 메쉬를 이용한 투명 디스플레이 제조용 플레이트

Also Published As

Publication number Publication date
CN103866261A (zh) 2014-06-18
JP2014118633A (ja) 2014-06-30
KR102017744B1 (ko) 2019-10-15
TW201422840A (zh) 2014-06-16
TWI625411B (zh) 2018-06-01
US9673265B2 (en) 2017-06-06
US20140162385A1 (en) 2014-06-12
US20170218508A1 (en) 2017-08-03
US10214808B2 (en) 2019-02-26
CN103866261B (zh) 2018-10-09
JP6343143B2 (ja) 2018-06-13
CN203582967U (zh) 2014-05-07
EP2743371A1 (en) 2014-06-18
EP2743371B1 (en) 2024-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102017744B1 (ko) 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102354975B1 (ko) 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
TWI506720B (zh) 用於基板對準之裝置，用於具有該基板對準之裝置的基板處理之裝置，及基板對準方法
CN103255371A (zh) 有机层沉积设备和利用其制造有机发光显示设备的方法
CN202808936U (zh) 气相沉积装置
KR20150010521A (ko) 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
US10446753B2 (en) Vapor deposition apparatus including a blocking gas flow generation unit
KR102227482B1 (ko) 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101810046B1 (ko) 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법
KR102173047B1 (ko) 기상 증착 장치
KR102191989B1 (ko) 기상 증착 장치
CN102877039B (zh) 气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法
KR102003768B1 (ko) 기상 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9012257B2 (en) Vapor deposition apparatus and method, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
KR20140117207A (ko) 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20250057213A (ko) 표시 장치의 제조장치 및 제조방법
KR20160025137A (ko) 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150055821A (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20121212

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20171030

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20121212

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20181016

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20190423

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20181016

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20190423

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20181217

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20190603

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20190523

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20190423

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20181217

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20190828

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20190829

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220721

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230801

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240723

Start annual number: 6

End annual number: 6