TW201422840A - 沉積設備、使用其形成薄膜之方法及製造有機發光顯示設備之方法 - Google Patents

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Abstract

一種藉由對於基板使用光罩而執行沉積過程的沉積設備，沉積設備包含腔室；位於腔室的支撐單元，支撐單元包含第一孔並安裝以支撐基板；安裝以朝向基板供給至少一沉積原料的供給單元；以及可透過支撐單元的第一孔的移動的對準單元，對準單元安裝以支撐光罩，並使光罩相對於基板對準。

Description

沉積設備、使用其形成薄膜之方法及製造有機發光顯示設備之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年12月12日向韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請案第10-2012-0144673號之效益，其揭露係全部於此併入以作為參考。
例示的實施例是有關於一種沉積設備、使用其形成薄膜之方法及製造有機發光顯示設備之方法。更特別是，例示的實施例是有關於提供有效的沉積過程及具有改良特性的沉積膜的沉積設備、使用其形成薄膜之方法以及製造有機發光顯示設備之方法。
半導體裝置，顯示裝置及其它電子裝置包含複數個薄膜。可使用各種方法以形成複數個薄膜，其中之一是沉積法。
沉積法使用各種原料，例如一種或多種氣體，以形成薄膜。沉積方法包含化學氣相沉積法(CVD)、原子層沉積法(ALD)等等。
在顯示設備中，有機發光顯示設備由於其廣視角、高對比度及快速的反應速度，有望成為下一代顯示設備。傳統的有機發光顯示設備包含具有有機發射層之中間層於彼此面對的第一及第二電極之間，並且還包含一或多層各種薄膜。在這一點上，沉積過程係用來形成有機發光顯示設備的薄膜。
例示的實施例提供一種沉積設備，其可用來有效地執行沉積過程，並輕易地改良沉積膜的特性、使用沉積設備製造薄膜的方法、以及製造有機光發光顯示設備的方法。
根據例示的實施例之一態樣，提供一種藉由對於基板使用光罩而執行沉積過程的沉積設備，沉積設備包含腔室；位於腔室的支撐單元，支撐單元包含第一孔並安裝以支撐基板；安裝以朝向基板供給至少一沉積原料的供給單元；以及可經由支撐單元的第一孔移動的對準單元，對準單元安裝以支撐光罩，並使光罩相對於基板對準。
沉積設 備可進一步包含安裝以經由在支撐單元的第二孔確認基板與光罩的對準狀態之對準確認構件。
對準確認構件可安裝以檢驗在基板上的對準標記及在光罩上的對準標記的對準，以確認基板及光罩的對準狀態。
位於支撐單元內的第二孔可較第一孔更接近支撐單元的中心區域。
對準確認構件可較支撐單元更遠離供給單元。
支撐單元可介於對準確認構件及供給單元之間。
腔室可包含重疊於第二孔之透明窗，對準確認構件係安裝以經由透明窗確認基板與光罩的對準狀態。
對準單元的橫截面面積可小於第一孔的尺寸，對準單元在第一孔中可於三度空間中移動。
對準單元可安裝以在第一孔內垂直地及水平地移動，同時支撐光罩。
支撐單元的上表面可為彎曲的。
支撐單元的上表面的中心區域可相對於支撐單元的上表面的末端區域向上突出。
支撐單元的下表面係根據支撐單元的上表面的彎曲度彎曲。
支撐單元的下表面可為平坦的。
沉積設備可進一步包含通過支撐單元之第三孔的升降銷，升降銷係安裝以支撐基板並在第三孔垂直地移動，以設置基板於支撐單元上。
第三孔可較第一孔更接近支撐單元的中心區域。
沉積設備可進一步包含安裝以支撐供給單元之基底板，基底板係設置較供給單元更遠離支撐單元。
沉積設備可進一步包含安裝以在供給單元及支撐單元之間施加電壓以產生電漿之動力單元。
沉積設備可進一步包含安裝以產生電漿，並插入電漿進腔室中，以清潔腔室內部的清潔單元。
支撐單元可沿著其法線為可移動的。
腔室可包含至少一出入口，基板或光罩經由此至少一出入口插入至腔室中。
根據例示的實施例之另一態樣，提供一種藉由使用沉積設備在基板上形成薄膜之方法，其中方法包含插入基板至腔室中；設置基板於支撐單元上，支撐單元包含第一孔；藉由移動對準單元而使光罩相對於基板對準，對準單元延伸通過支撐單元的第一孔以支撐光罩；以及朝向基板提供至少一沉積原料，以在基板上形成薄膜。
使光罩相對於基板對準可包含藉由使用即時對準確認構件通過支撐單元內的第二孔，確認基板及光罩的對準狀態。
使用對準確認構件可包含檢驗光罩及基板中的每一個的對準標記。
使光罩相對於基板對準可包含朝向支撐元件移動升降銷，同時支撐基板，升降銷穿透支撐單元的第三孔。
方法可進一步包含在光罩相對於基板對準後，藉由垂直地上下移動支撐元件，控制介於基板及供給單元之間的距離。
方法可進一步包含藉由從連接至腔室的清潔單元產生圓成電漿，並在形成薄膜之後插入遠層電漿至腔室中的腔室清潔。
根據例示的實施例之另一態樣，提供一種製造有機發光顯示設備之方法，方法包含插入基板進腔室；設置基板於支撐單元上，支撐單元包含第一孔；藉由使用設置以穿透支撐單元的第一孔，同時支撐光照的對準單元使光罩相對於基板對準；以及從供給單元朝向基板供給一或多種沉積原料，使有機發光元件的至少一薄膜形成於基板上。
光罩相對於基板對準可包含藉由使用即時對準確認構件通過支撐單元的第二孔，確認基板及光罩的對準狀態。
形成有機發光元件於基板上可包含形成第一電極、具有有機發光層的中間層、第二電極及封裝層於基板上，至少封裝層為有機發光元件的薄膜。
形成有機發光元件的薄膜可包含形成絕緣層。
形成有機發光元件的薄膜可包含形成導電膜。
10．．．有機發光顯示設備
30、S．．．基板
31．．．緩衝層
32．．．閘極絕緣膜
33．．．層間絕緣層
34．．．保護層
35．．．像素定義膜
40．．．薄膜電晶體
41．．．主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
50．．．電容器
51．．．第一電容電極
52．．．第二電容電極
60．．．有機發光裝置
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．中間層
64．．．開口
70．．．封裝層
71．．．無機層
71a、71b、71c、72a、72b、72c．．．層
72．．．有機層
100、200．．．沉積設備
101、201．．．腔室
101a、201a．．．出入口
101b．．．透明窗
110、110'、110''、210．．．支撐單元
111、211．．．第一孔
112、212．．．第二孔
120、220．．．供給單元
130．．．對準光罩
140、240．．．對準單元
150、250．．．對準確認構件
213．．．第三孔
225．．．基底板
230．．．光罩
231．．．光罩主體
232．．．光罩框
260．．．升降銷
275．．．動力單元
290．．．清潔單元
F、R．．．部分
X、Y、Z．．．軸
X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2．．．方向
對於所屬技術領域中具有通常知識者來說，藉由參照附圖的詳細描述例示的實施例，將使特徵變得顯而易見，其中：
第1圖 係為描繪根據一實施例之沉積設備的示意圖；
第2圖 係為描繪藉由使用第1圖的沉積設備的對準單元而對準之光罩及基板的圖；
第3圖 係為描繪第1圖的部分R的放大圖；
第4圖 係為詳細描繪第1圖的支撐單元的平面圖；
第5圖 係為詳細描繪第4圖的支撐單元的第一孔的其中之一的平面圖；
第6A圖 係為描繪第1圖的支撐單元的橫截面圖；
第6B圖及第6C圖 係為描繪第1圖的支撐單元的修改例示之圖；
第7圖 係為描繪根據另一實施例之沉積設備的示意圖；
第8圖 係為描繪第7圖的部分R的放大圖；
第9圖 係為詳細描繪第7圖的支撐單元的平面圖；
第10圖 係為描繪根據一實施例顯示使用沉積設備製造有機發光顯示設備的橫截面示意圖；
第11圖 係為顯示第10圖的部分F的放大圖。
例示的實施例現在將參考附圖而於下文中更充分地描述，然而，其可以不同的形式實施，不應解釋為限於本文所列舉的實施例。相反的，提供這些實施例以使本公開將徹底及完整，並將充分地對所屬技術領域中具有通常知識者傳達例示的實施方式。
在附圖中，層及區域的尺寸為了清楚顯示起見可誇大。還應當理解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板「上(on)」時，其可直接地在另一層或基板上，或亦可有中間層存在。此外，其亦將被理解的是，當層被稱為介於兩層「間 (between)」時，其可為介於兩層間唯一的層，或亦可有一或多個中間層存在。全文中相似的參考標號代表相似的元件。
以下，例示的實施例將參考其中顯示出例示的實施例之示範性實施例之附圖而更充分地描述。
第1圖係為根據一實施例的沉積設備100的示意圖。第2圖係為藉由使用沉積設備100的對準單元140而對準之光罩130及基板S的圖。
參考第1圖及第2圖，沉積設備100可包含腔室101、支撐單元110、供給單元120、對準單元140及對準確認構件150。
腔室101可連接至泵(未顯示)，以控制沉積過程中的大氣壓力，並可容納及保護基板S、支撐單元110及供給單元120。另外，腔室101可包含至少一個基板S或光罩130可通過其移進及移出的出入口101a。
用於沉積過程的基板S係設置於支撐單元110上。支撐單元110使基板S在於基板S上進行之沉積過程中不移動或不搖動。就這一點來說，支撐單元110可包含一個夾子(未顯示)。此外，支撐單元110可包含用以吸附之一或多個吸附孔(未顯示)在支撐單元110及基板S之間。支撐單元110包含第一孔111及第二孔112，其將於下更詳細地描述。
對準單元140係放置以穿透支撐單元110的第一孔111。對準單元140，例如線性構件，係形成為可移動同時支撐光罩130的下表面。特別是，對準單元140可沿Z軸移動，如第2圖所示。另外，對準單元140可在第1圖及第2圖的X軸方向以及垂直於X軸的方向移動(詳細情況將在後面描述)。對準單元140係設置於基板S的外部，例如，每個對準單元140可水平地與基板S的相鄰邊緣空間上隔開，以至少不沿著垂直方向重疊於基板S。
光罩130具有一個開口單元(未繪出)，對應於沉積圖案，即形成於基板S上的圖案。另外，光罩130可以是開口光罩。在沉積過程中，光罩130及基板S可極為靠近的設置，如第2圖所示。
供給單元120係設置相對於基板S，以便朝向基板S的方向提供一或多種原料，即沉積材料，以促進對於基板S的沉積過程。也就是說，供給單元120係放置於支撐單元110的上方，以重疊於基板S。舉例來說，供給單元120可為在朝向基板S的方向上提供一或多種氣體之一種蓮蓬頭類型( showerhead type )。
此外，電壓可施加至供給單元120及支撐單元110之間，以轉變從供給單元120朝向基板S的方向以氣相提供之原料為電漿相。也就是說，沉積設備100可為電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)設備。例如，電壓可施加到每個供給單元120及支撐單元110。然而，例示的實施例並不限於此，並且單獨的電極(未繪出)可設置於沉積設備100，以在供給單元120及支撐單元110之間產生電漿。
供給單元120的尺寸沒有限制，只要供給單元120可形成具有比基板S更大的面積，例如，面對基板S的供給單元120的表面面積可能大於面對供給單元120的基板S的表面面積。因此，可形成於基板S的整個表面係從頭到尾均勻的沉積層。
第3圖係為第1圖的部分R的放大圖。第4圖係為詳細的第1圖的支撐單元110的平面圖。第5圖係為第4圖的支撐單元110的第一孔111的其中之一的詳細平面圖。
參考第3圖及第4圖，支撐單元110包含第一孔111及第二孔112。
每個對準單元140係設置以貫通第一孔111的其中之一。也就是說，第一孔111的數目對應於對準單元140的數目。舉例來說，如第4圖所示，第一孔111可設置於，例如相鄰於支撐單元110的四個角，而對準單元140可設置成貫通四個第一孔111，如第3圖所示。也就是說，對準單元140的數量與第一孔111的數目可以 是相同的。
此外，第一孔111形成至少大於對準單元140的橫截面面積。也就是說，如第5圖所示，每個第一孔111的直徑可大於相應的對準單元140的橫截面的直徑，例如，可界定對準單元140的外側壁與對應的第一孔111的內壁之間的空間(第3圖)。因此，對準單元140可通過第一孔111移動。亦即，如第2圖所示，對準單元140可 通過第一孔111 垂直地移動(沿第 2圖的Z軸)，並如第5圖所示，對準單元140亦可在第一孔111內平行於XY平面移動，即沿著第5圖的X1方向、X2方向、Y1方向及Y2方向。
對準單元140與光罩130的下表面接觸，以支撐光罩130。對準單元140可沿X軸、Y軸或Z軸移動，即在三維空間移動，同時支撐光罩130。因此，被對準單元140所支撐的光罩130亦可藉由對準單元140的移動，沿X軸、Y軸或Z軸方向移動。
第二孔112係設置以重疊，例如對應於，基板S。舉例來說，如第3圖所示，基板S可覆蓋第二孔112。第二孔112可設置於比第一孔111更接近支撐單元110的中心區域。例如，如第4圖所示，每個第二孔112可在支撐單元110的中心及相應的第一孔111之間，以形成通過支撐單元的中心的對角線。
對準確認構件150設置於腔室101之下以重疊，例如，對應於第二孔112。此外，對準確認構件150設置以不會移動至支撐單元110的外部，例如，支撐單元110可設置以完全地覆蓋及重疊於對準確認件150的上表面。因此，對準確認構件150可防止被從供給單元120噴出之原料污染，從而可保持對準確認構件150的精確的確認能力。
對準確認構件150可通過支撐單元110的第二孔112確認基板S及光罩130的對準狀態。對準確認構件150可以是，例如，照像機。透明窗101b可重疊，例如，對應於的第二孔112之區域，形成於腔室101的下部分，以簡化對準確認構件150的確認性能。舉例來說，對準確認構件150可在基板S通過透明窗101b及第二孔112的光軸( optical axis ，第3圖中的虛線)上。此外，儘管未顯示，對準標記(未顯示)係形成於每個基板S及光罩130，因此對準確認構件150可藉由檢驗每個基板S及光罩130的對準標記而確認基板S及光罩130的對準狀態。
以下，將簡短地敘述根據一實施例的沉積設備100的操作。
基板S插入至沉積設備100的腔室101中，並設置於支撐單元110上。此外，光罩130係插入至腔室101中，並設置於對準單元140上以被對準單元140支撐。
對準單元140使光罩130相對於基板S對準，同時平行於基板S以平面運行的移動。也就是說，對準單元140執行對準任務的同時在支撐單元110的第一孔111內沿著X軸或Y軸移動。此處，對準確認構件150即時地確認光罩130的對準標記(未顯示)及基板S的對準標記(未顯示)。就這點而言，對準單元140可輕易地使光罩130相對於基板S對準。
執行完在XY平面上的對準任務後，對準單元140沿著Z軸移動。也就是說，如第2圖所示，對準單元140朝向基板S往下移動，並使光罩130及基板S極為接近的設置。對準任務之後，從供給單元120提供所需的原料，因此所需的圖案的沉積層可輕易地在基板S上形成。
第6A圖係為第1圖的支撐單元110的橫截面圖。第6B圖及第6C圖係為支撐單元110 ' 及110 '' 的修改例示之圖。為了便於敘述，省略了支撐單元110、110 ' 、110 '' 、基板S及光罩130以外的其他元件。
如第6A圖所示，舉例來說，支撐單元110可具有平坦的上表面。基板S及光罩130係設置於支撐單元110的平坦的上表面上。
同時，如第6B圖所示，支撐單元110 '可具有彎曲的上表面。特 別是，相較於支撐單元110'的上表面的尾端區域，中心區域可往上凸出。此外，支撐單元110'的下表面亦可彎曲以對應於支撐單元110'的上表面。由於支撐單元110'這樣的曲線，當基板S設置於支撐單元110'時，基板S亦可具有對應於支撐單元110'的上表面的曲線。因此，基板S及支撐單元110'可有效地彼此黏附。當基板S及支撐單元110'彼此黏附時，可有效地防止供給單元120所噴出的原料污染基板S的下表面及支撐單元110'的上表面。此外，光罩130亦可彎曲以對應基板S，使基板S及光罩130可有效地彼此黏附，從而促進在基板S上所需圖案的沉積層的精確控制。
彎曲的程度可能不等，但在支撐單元110'的上表面的中心區域最突出的部分與支撐單元110'的上表面的尾端區域之間的距離為約1公釐(mm)或更小。也就是說，當支撐單元110'的上表面彎曲太多時，基板S可能會彎曲太多，因此導致其上的沉積層在沉積過程中退化。特別地，當無機沉積層形成於基板S上時，可能會發生如裂紋等缺陷，因此需要如上所述的控制彎曲的程度。
此外，如第6C圖所示，支撐單元110 '' 的上表面可以是彎曲的，同時支撐單元110 '' 的下表面可以是平坦的。就這一點來說，支撐單元110 ''的穩定的定位可輕易地在腔室101中進行。
根據目前實施例的沉積設備100，基板S係設置於支撐單元110的上表面，而供給單元120係設置於支撐單元110之上，並相對於基板S。而且，光罩130可設置於基板S的上表面以形成所需的圖案的沉積層。光罩130可藉由使用對準單元140而輕易地與基板S對準。特別地，藉由在三維空間中移動貫通支撐單元110的第一孔111以接觸光罩130的對準單元140而將光罩130與基板S對準，可對準光罩130及基板S而不會有供給單元120的影響。
另外，配置在支撐單元110下之對準確認構件150可通過支撐單元110的第二孔112即時檢查並確認基板S及光罩130的對準狀態，使得基板S及光罩130的對齊任務可有效地執行。特別是，對準確認構件150可以支撐單元110於其間相對於供給單元120設置。也就是說，供給單元120係設置於支撐單元110之上，而對準確認構件150係設置於支撐單元110之下。因此，可隔離對準確認構件150與供給單元120，從而可防止或大幅地減少由供給單元120所噴出的沉積原料對於對準確認構件150所造成的污染。
此外，當使用具有彎曲的上表面的支撐單元110'或110 ''時，基板S及光罩130可輕易地彼此黏附。因此，可提供基板S上沉積層精確圖案的形成。
第7圖係為根據另一實施例的沉積設備200的示意圖。第8圖係為第7圖的部分R的放大圖。第9圖係為第7圖的支撐單元210的詳細平面圖。
參考第7圖及第8圖，沉積設備200可包含腔室201、支撐單元210、供給單元220、對準單元240、對準確認構件250、動力單元275、升降銷260、基底板225及清潔單元290。
腔室201可連接到泵(未顯示)，以控制沉積過程中的大氣壓力，並可容納及保護基板S、支撐單元210及供給單元220。另外，腔室201可包含至少一個通過其基板S或光罩230可移進及移出的出入口201a。
用於沉積過程的基板S係設置於支撐單元210上。特別是，當基板S通過腔室201的出入口201a而插入至腔室201時，基板S係設置於升降銷260上。升降銷260可垂直地移動，即沿著第7圖的Z軸，從而具有基板S於其上之升降銷260朝向支撐單元210的方向往下移動，以放置基板S於支撐單元210上。升降銷260係設置以貫通支撐單元210的第三孔213。升降銷260貫通第三孔213在垂直方向移動。
支撐單元210使基板S在於基板S上進行沉積過程中不移動或不搖動。就這一點來說，支撐單元210可包含夾子(未顯示)。此外，支撐單元210可包含用以吸附之一或多個吸附孔(未顯示)，在支撐單元210及基板S之間。支撐單元210包含第一孔211、第二孔212及第三孔213。此外，支撐單元210形成以垂直地移動。也就是說，支撐單元210在如第7圖所示之方向Z1或方向Z2移動。就這一點來說，在基板S設置於支撐單元210之後，可控制基板S及供給單元220之間的空間，從而可以改變沉積條件，特別是電漿生成條件。
對準單元240放置以穿透支撐單元210的第一孔211。對準單元240係形成為可移動的，同時支撐光罩230的下表面。特別是，對準單元240可沿著X軸、Y軸或Z軸移動，同時以前面實施例中所述的相同方式支撐光罩130。對準單元240係設置於基板S外部，至少不重疊於基板S。
光罩230包含光罩主體231及光罩框232。光罩主體231具有對應於將形成在基板S上的沉積圖案的開口單元(未顯示)。此處，光罩主體231可具有複數個圖案化的開口單元。在另一個實施例中，光罩230可為開口光罩，特別是光罩主體231可具有一個延展型的開口單元，而無分開的圖案。在沉積過程中，光罩230及基板S可以極為靠近地設置。
供給單元220相對於基板S設置，以在往基板S的方向提供一或多種原料，以對於基板S進行沉積過程。也就是說，供給單元220係設置於支撐單元210之上。舉例來說，供給單元220可為在朝向基板S的方向上提供一或多種氣體的蓮蓬頭式( showerhead )。並且，供給單元220可形成以均勻地提供原料至基板S的整個表面，且可為擴散器型( diffuser type )。
基底板225可設置於供給單元220之上。也就是說，基底板225可設置較供給單元220更遠離基板S。基底板225支撐供給單元220。
此外，電壓可施加至供給單元220及支撐單元210之間，以轉變從供給單元220朝向基板S的方向以氣相提供之原料為電漿相。舉例來說，電壓可施加至每個供給單元220及支撐單元210。在另一個例子中，電壓可施加至基底板225。此外，當施加電壓時，可施加接地電壓到一側。
動力單元275提供用於轉變從供給單元220朝向基板S的方向以氣相提供之原料為電漿相的電壓。動力單元275可提供各種類型的電壓，例如，無線射頻( radio frequency , RF)電壓。動力單元275可設置於腔室201的外部。然而，例示的實施例並不限於此，且分開的電極(未顯示)可設置於沉積設備200，以在供給單元220及支撐單元210之間產生電漿。
供給單元220的尺寸沒有限制，只要供給單元220可形成具有比基板S更大的面積。因此，可形成在基板S的整個表面係從頭到尾均勻的沉積層。
清潔單元290可設置為與腔室201連接。當進行沉積過程中腔室201被污染時，清潔單元290清潔腔室201。清潔單元290可產生並提供遠程電漿至腔室201中，以清潔腔室201。舉例來說，當清潔單元290提供三氟化氮(NF3)的氣體，該氣體轉化成電漿相，將電漿插入至腔室201中，使得電漿可與形成於腔室201的內壁的層接觸，並因此腔室201的內壁可被清潔。
將詳細說明對準單元240、支撐單元210等。
對準單元240的其中之一係設置以貫通第一孔211的其中之一。也就是說，第一孔211的數目對應於對準單元240的數目。舉例來說，如第9圖所示，第一孔211可設置相鄰於支撐單元210的四個角，且即使未顯示，對準單元240亦可設置成貫通四個第一孔211。此外，第一孔211形成至少大於對準單元240的橫截面積。因此，對準單元240可通過第一孔211移動。
對準單元240與光罩230的下表面接觸，以支撐光罩230。對準單元240可沿著X軸、Y軸或Z軸，即在三度空間中移動，同時支撐光罩230。因此，被對準單元240所支撐的光罩230亦可藉由對準單元240的移動沿著X、Y或Z軸移動。
第二孔212係設置對應於基板S。第二孔212可設置比第一孔211更接近支撐單元210的中心區域。
對準確認構件250係設置於腔室201之下，以與第二孔212相對應。此外，對準確認構件250設置以不移動至支撐單元210的外部。因此，可防止對準確認構件250被從供給單元220噴出之原料污染，從而可保持對準確認構件250的精確的確認能力。
對準確認構件250可通過支撐單元210的第二孔212確認基板S及光罩230的對準狀態。對準確認構件250可以是，例如，照像機。透明窗(未顯示)可對應於第二孔212的區域形成在腔室201的下部分，以簡化對準確認構件250的確認性能。此外，儘管未顯示，對準標記(未顯示)係形成於每個基板S及光罩230，而因此對準確認構件250藉由檢驗每個基板S及光罩230的對準標記而確認基板S及光罩230的對準狀態。
第三孔213係設置比第一孔211及第二孔212更接近支撐單元210的中心區域。升降銷260係設置以貫通第三孔213，而第三孔213的尺寸可形成大於升降銷260的橫截面積。因此，升降銷260可輕易地通過第三孔213而垂直移動，即不接觸第三孔213的側壁。
以下，將簡短地敘述根據另一實施例的沉積設備200的操作。
當基板S插入至沉積設備200的腔室201時，基板S被設置成貫通支撐單元210的第三孔213的升降銷所支撐。升降銷260向下移動，同時朝向支撐單元210支撐基板S，並設置基板S於支撐單元210的上表面。為了允許升降銷260垂直移動，升降銷260可設置於腔室201內，或如顯示於第7圖及第8圖，升降銷260的某些區域可設置以穿透腔室201。
並且，光罩230插入至腔室201中，並設置於對準單元240上以被對準單元240所支撐。對準單元240使光罩230相對於基板S對準，同時平行於基板S以平面運行的移動。也就是說，對準單元240執行對準的任務的同時在支撐單元210的第一孔211內沿著X軸或Y軸移動。此處，對準確認構件250即時地確認光罩230的對準標記(未顯示)及基板S的對準標記(未顯示)。就這點而言，對準單元240可輕易地使光罩230相對於基板S對準。
執行完在XY平面上的對準任務後，對準單元240沿著Z軸向支撐單元210移動。也就是說，對準單元240往下朝支撐單元210移動，並使光罩230及基板S極為接近的設置。對準任務之後，從供給單元220提供所需的原料，因此所需圖案的沉積層可輕易地在基板S上形成。此處，為了增加原料供給的效率，供給單元220及基板S之間的距離可藉由支撐單元210的垂直移動而控制。
如上所述，可產生電漿以用於沉積過程。
雖然未顯示，目前實施例的支撐單元210亦可具有平坦表面或彎曲表面，如參照第6A圖至第6C圖所述。
根據目前實施例的沉積設備200，基板S設置於支撐單元210的上表面上，而供給單元220設置於支撐單元210之上，並相對於基板S。同時，光罩230可設置於基板S的上表面上，以形成所需圖案的沉積層。光罩230可藉由使用對準單元240輕易地與基板S對準。特別地，藉由於支撐單元210的第一孔211內移動對準單元240，光罩230及基板S可對準而不會有供給單元220的影響。另外，當對準確認構件250配置在支撐單元210之下，對準確認構件250藉由通過支撐單元210的第二孔212即時確認基板S及光罩230的對準狀態而促進對準的任務，基板S及光罩230的對準任務可有效地執行。
特別是，對準確認構件250可以支撐單元210於其間相對於供給單元220設置。也就是說，供給單元220係設置於支撐單元210之上，而對準確認構件250係設置於支撐單元210之下。因此，對準確認構件250防止由供給單元220所噴出的沉積原料所造成的污染。
同時，當基板S設置於支撐單元210上時，基板S藉由使用貫通支撐單元210的第三孔213的升降銷260而設置。因此，基板S可不移動或不搖動的以所需位置設置於支撐單元210上。特別地，第三孔213可設置成比第一孔211及第二孔212更接近支撐單元210的中心區域，使得升降銷260不影響光罩230的對準任務。此外，如果支撐單元210的上表面彎曲，基板S及光罩230可彼此黏附，因此，精確的圖案可形成於基板S的沉積層上。
第10圖係為根據一實施例使用沉積設備100及沉積設備200任何之一製造有機發光顯示設備10的橫截面示意圖。第11圖係為第10圖的部分F的放大圖。
參考第10圖及第11圖，有機發光顯示設備10可包含基板30。基板30可由例如玻璃材料、塑膠材料或金屬形成。緩衝層31可形成於基板30​​，以提供平坦化的表面，並防止濕氣及異物朝向基板30侵入。
薄膜電晶體(TFT)40、電容器50及有機發光裝置60可形成於緩衝層31上。薄膜電晶體40可包含主動層(active layer)41​​、閘極電極42及源極/汲極電極43。有機發光裝置60可包含第一電極61、第二電極62及中間層63。電容器50可包含第一電容電極51及第二電容電極52。
更具體地，形成為預定圖案的主動層41可設置於緩衝層31的上表面上。主動層41可包含無機半導體材料，如矽、有機半導體材料、或氧化物半導體材料，且可藉由選擇性地摻雜p型摻質或n型摻質而形成。
閘極絕緣膜32可形成於主動層41上。閘極電極42可形成於閘極絕緣膜32上，以對應於主動層41。第一電容電極51可藉由使用與使用於形成閘極電極42相同的材料而形成於閘極絕緣膜32上。
可形成覆蓋閘極電極42的層間絕緣層33，而源極/汲極電極43可形成在層間絕緣層33上以接觸主動層41的預設區域。第二電容電極52可藉由使用與使用於形成源極/汲極電極43相同的材料而形成於層間絕緣層33上。
可形成覆蓋源極/汲極電極43的保護層(passivation layer)34，而可進一步層形成附加的絕緣層於保護層34上，以平坦化薄膜電晶體40。
第一電極61可形成於保護層34上。第一電極61可形成為電性連接至源極/汲極電極43的其中之一。之後，可形成覆蓋第一電極61的像素定義膜35。在於像素定義膜35形成預設的開口64以後，包含有機發光層的中間層63可形成於被開口64所定義的區域。第二電極62可形成於中間層63上。
封裝層70可形成於第二電極62上。封裝層70可包含有機材料或無機材料，並可具有其中有機材料及無機材料交替地堆疊之結構。舉例來說，封裝層70可藉由使用沉積設備100或沉積設備200形成。也就是說，在插入其上形成第二電極62的基板30至腔室101或腔室201以後，藉由使用的沉積設備100或沉積設備200可形成所需的層。
特別是，封裝層70可包含無機層71及有機層72。無機層71可包含複數個層71a、71b及71c，而有機層72可包含複數個層72a、72b及72c。在這一點，無機層71的層71a、71b及71c可藉由使用沉積設備100或沉積設備200而形成。
然而，例示的實施例不限於此。也就是說，緩衝層31、閘極絕緣膜32、層間絕緣層33、保護層34、像素定義膜35及其他絕緣層亦可藉由使用根據例示的實施例的沉積設備100或沉積設備200而形成。此外，主動層41、閘極電極42、源極/汲極電極43、第一電極61、中間層63、第二電極62及其他各種薄膜可藉由使用根據例示的實施例的沉積設備100或沉積設備200而形成。
如上所述，當使用根據例示的實施例的沉積設備100或沉積設備200時，形成於有機發光顯示設備10的沉積薄膜的特性提高，例如，電特性及圖像品質特性增加。此外，包含在液晶顯示(LCD)設備的薄膜，以及包含在除了有機發光顯示設備10以外的各種顯示設備的薄膜可藉由使用根據例示的實施例的沉積設備100或沉積設備200而形成。
與此相反，當傳統的有機發光顯示設備的尺寸增加並預計將有高清晰度時，可能難以沉積具有所需特性之大薄膜。而且，還可能在提高大薄膜的形成過程的效率上受到限制。
例示的實施例已揭露於本文中，雖然採用了特定用語，其僅用於一般與描述性意義的解釋，並非用以限制的目的。在某些情況下，所提出的本申請案對所屬技術領域中具有通常知識者將是顯而易見的，結合特定的實施例描述的特徵、特性、及/或元件可被單獨使用或與其他實施例描述的特徵、特性、及/或元件組合，除非另有具體說明。因此，其將被所屬技術領域中具有通常知識者理解的是，可在形式及細節上作出各種改變，而不脫離下列申請專利範圍中例示的實施例的精神與範疇。
100．．．沉積設備
101．．．腔室
101a．．．出入囗
110．．．支撐單元
111．．．第一孔
120．．．供給單元
130．．．對準光罩
140．．．對準單元
150．．．對準確認構件
S．．．基板
R．．．部分
X、Z．．．軸

Claims (31)

  1. 【第1項】
    一種沉積設備，藉由對於一基板使用一光罩而執行一沉積過程，該沉積設備包含：
    一腔室；
    一支撐單元，位於該腔室內，該支撐單元包含一第一孔並安裝以支撐該基板；
    一供給單元，安裝以朝向該基板供給至少一沉積原料；以及
    對準單元，透過該支撐單元的該第一孔而為可移動的，該對準單元安裝以支撐該光罩，並使該基板相對於該光罩對準。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，進一步包含安裝以經由在該支撐單元的一第二孔確認該基板與該光罩的對準狀態之一對準確認構件。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第2項所述之沉積設備，其中該對準確認構件係安裝以檢驗在該基板上的一對準標記及在該光罩上的一對準標記的對準，以確認該基板及該光罩的對準狀態。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第2項所述之沉積設備，其中位於該支撐單元的該第二孔係較該第一孔更接近該支撐單元的中心區域。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第2項所述之沉積設備，其中該對準確認構件係較該支撐單元更遠離該供給單元。
  6. 【第6項】
    如申請專利範圍第2項所述之沉積設備，其中該支撐單元係介於該對準確認構件及該供給單元之間。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第2項所述之沉積設備，其中該腔室包含重疊於該第二孔之一透明窗，該對準確認構件係安裝以經由該透明窗確認該基板與該光罩的對準狀態。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，其中該對準單元的橫截面面積係小於該第一孔的尺寸，該對準單元在該第一孔內的三度空間中係可移動的。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，其中該對準單元係安裝以在該第一孔內垂直地及水平地移動，同時支撐該光罩。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，其中該支撐單元的一上表面係彎曲的。
  11. 【第11項】
    如申請專利範圍第10項所述之沉積設備，其中該支撐單元的該上表面的中心區域相對於該支撐單元的該上表面的末端區域向上突出。
  12. 【第12項】
    如申請專利範圍第11項所述之沉積設備，其中該支撐單元的一下表面係根據該支撐單元的該上表面的彎曲度彎曲。
  13. 【第13項】
    如申請專利範圍第11項所述之沉積設備，其中該支撐單元的一下表面係平坦的。
  14. 【第14項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，進一步包含通過該支撐單元之一第三孔的一升降銷，該升降銷係安裝以支撐該基板並在該第三孔垂直地移動，以設置該基板於該支撐單元上。
  15. 【第15項】
    如申請專利範圍第14項所述之沉積設備，其中該第三孔係較該第一孔更接近該支撐單元的中心區域。
  16. 【第16項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，進一步包含安裝以支撐該供給單元之一基底板，該基底板係設置較該供給單元更遠離該支撐單元。
  17. 【第17項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，進一步包含安裝以在該供給單元及該支撐單元之間施加電壓以產生電漿之一動力單元。
  18. 【第18項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，進一步包含安裝以產生電漿，並插入電漿進該腔室中以清潔該腔室的內部之一清潔單元。
  19. 【第19項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，其中該支撐單元沿著其法線為可移動的。
  20. 【第20項】
    如申請專利範圍第1項所述之沉積設備，其中該腔室包含至少一出入口，該基板或該光罩經由該至少一出入口插入至該腔室中。
  21. 【第21項】
    一種藉由使用一沉積設備在一基板上形成一薄膜之方法，其中該方法包含：
    插入該基板至一腔室中；
    設置該基板於一支撐單元上，該支撐單元包含一第一孔；
    藉由移動一對準單元而使一光罩相對於該基板對準，該對準單元延伸通過該支撐單元的該第一孔以支撐該光罩；以及
    朝向該基板提供至少一沉積原料，以在該基板上形成該薄膜。
  22. 【第22項】
    如申請專利範圍第21項所述之方法，其中使該光罩相對於該基板對準包含藉由使用即時之一對準確認構件通過該支撐單元內的第二孔，確認該基板及該光罩的對準狀態。
  23. 【第23項】
    如申請專利範圍第22項所述之方法，其中使用該對準確認構件包含檢驗該光罩及該基板的每一個的一對準標記。
  24. 【第24項】
    如申請專利範圍第21項所述之方法，其中使該光罩相對於該基板對準包含朝向該支撐元件移動一升降銷，同時支撐該基板，該升降銷穿透該支撐單元的第三孔。
  25. 【第25項】
    如申請專利範圍第21項所述之方法，進一步包含在對應於該基板的該光罩之對準後，藉由垂直地上下移動該支撐元件，控制介於該基板及該供給單元之間的距離。
  26. 【第26項】
    如申請專利範圍第21項所述之方法，進一步包含藉由從連接至該腔室的一清潔單元產生遠程電漿，並在形成該薄膜之後插入遠程電漿至該腔室中的該腔室之清潔。
  27. 【第27項】
    一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含：
    插入一基板進一腔室；
    設置該基板於一支撐單元上，該支撐單元包含一第一孔；
    藉由使用設置以穿透該支撐單元的該第一孔，同時支撐該光罩的一對準單元，使一光罩相對於該基板對準；以及
    從一供給單元朝向該基板供給一或多種沉積原料，使至少一有機發光元件的至少一薄膜係形成於該基板上。
  28. 【第28項】
    如申請專利範圍第27項所述之方法，其中使該光罩相對於該基板對準包含藉由使用即時之一對準確認構件通過該支撐單元內的一第二孔確認該基板及該光罩的對準狀態。
  29. 【第29項】
    如申請專利範圍第27項所述之方法，其中形成該有機發光元件於該基板上包含形成一第一電極、具有一有機發光層的一中間層、一第二電極及一封裝層於該基板上，至少該封裝層為該有機發光元件的薄膜。
  30. 【第30項】
    如申請專利範圍第27項所述之方法，其中形成該有機發光元件的該薄膜包含形成一絕緣層。
  31. 【第31項】
    如申請專利範圍第27項所述之方法，其中形成該有機發光元件的該薄膜包含形成一導電膜。
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