TW201303069A - 汽相沉積裝置及方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Abstract

一種汽相沉積裝置，其可執行薄膜沉積製程且改善所形成薄膜之特性，其包含具有排氣口之腔室；位於腔室中之平台，其包含複數個基板可安裝於其上之複數個安裝面；以及具有至少一注入口之注入單元，其係用以於該複數個基板之表面的平行方向注入氣體至腔室中。

Description

汽相沉積裝置及方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年7月13日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0069487之韓國專利申請案之優先權效益，其全部內容納於此處作為參考。
本發明係有關於一種汽相沉積裝置、汽相沉積方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。
半導體裝置、顯示裝置、以及其他電子裝置包含複數個薄膜。複數個薄膜可使用各種不同方法形成，其中之一為汽相沉積法(vapor deposition method)。
根據汽相沉積法，其係使用一種或多種氣體作為來源(source)以形成薄膜。汽相沉積法可包含化學汽相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)、原子層沉積法(atomic layer deposition, ALD)、以及各種其他方法。
在顯示裝置中，由於寬廣的視角、絕佳的對比度、以及快速的反應速度，因此有機發光顯示裝置被視為下一代的顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含中介層，其具有位於相互面對之第一電極與第二電極之間的有機發射層、以及一層或多層薄膜。沉積製程可用以形成有機發光顯示裝置之薄膜。
當有機發光顯示裝置之尺寸愈來愈大且需要高解析度時，要形成具有所需特質的大尺寸薄膜愈顯困難。此外，對於改善形成薄膜之製程的效率也有所限制。
本發明之例示性實施例提供一種汽相沉積裝置，其能夠有效地執行沉積製程且改善薄膜之特性、汽相沉積方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。
根據本發明實施例之一態樣，其係提供一種汽相沉積裝置以於複數個基板上形成薄膜，該裝置包含：具有排氣口之腔室；位於腔室中之平台，其包含複數個安裝面以適用於欲安裝於其上之複數個基板；以及具有至少一注入口之注入單元，其係以平行於複數個基板之表面的方向注入氣體至腔室中。
複數個安裝面可以平行於重力作用之方向而設置。
注入單元可設置於平台上。
複數個安裝面可包含相互平行設置之至少二安裝面。
排氣口可耦接至一泵(pump)。
來源氣體以及反應氣體可透過注入口而依序地注入。
注入單元可具有來源氣體與反應氣體各自獨立地注入之複數個注入口。
排氣口相較於基板可較接近於地面。
汽相沉積裝置可更包含具有遮罩開口之遮罩以於基板上以預定圖樣形成薄膜，其中遮罩係設置於基板上。
汽相沉積裝置可更包含驅動單元，其係設置以驅動平台，以於基板安裝於腔室中之平台上時移動基板。
驅動單元可以垂直於基板欲形成薄膜之表面方向的方向輸送基板。
驅動單元可以垂直於基板欲形成薄膜之表面方向的方向往復地輸送基板。
注入單元可具有沿著基板移動之方向相互分離的複數個注入口，以於移動基板時執行沉積製程數次。
安裝面可各別地位於平台之一側以及平台之相反側。
安裝面可位於平台之所有側。
根據本發明實施例之另一態樣，其係提供一種汽相沉積方法用以於複數個基板上形成多個薄膜，該汽相沉積方法包含：於腔室中之平台的複數個安裝面上分別安裝複數個基板；透過注入單元，以平行於基板欲形成薄膜之表面的方向注入來源氣體至腔室中；透過腔室之排氣口執行排氣；透過注入單元，以平行於基板之表面的方向注入反應氣體至腔室中；以及透過腔室之排氣口執行排氣。
可由一泵(pump)來執行排氣。
注入單元可具有注入口，且來源氣體與反應氣體可透過注入口依序地注入。
注入單元可具有複數個注入口，且來源氣體與反應氣體係透過不同之注入口而分別注入。
基板之安裝可包含放置一遮罩，該遮罩具有開口以於基板上形成預定圖樣之薄膜。
薄膜沉積可於基板安裝於平台上而以垂直於基板欲形成薄膜之表面之方向移動時而執行。
根據本發明實施例之另一態樣，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含位於複數個基板上之複數個薄膜，該複數個薄膜包含至少一第一電極、具有有機發射層之中介層、以及第二電極。該方法包含：於腔室之平台的複數個安裝面上安裝複數個基板；透過注入單元，以平行於基板欲形成薄膜之表面的方向注入來源氣體至腔室中；透過腔室之排氣口執行排氣；透過注入單元，以平行於基板之表面的方向注入反應氣體至腔室中；以及透過腔室之排氣口執行排氣。
形成薄膜可包含於第二電極上形成封裝層。
形成薄膜可包含形成絕緣層。
形成薄膜可包含形成導電層。
本發明之實施例將參閱附圖於下文中描述。
第1圖係為根據本發明一實施例之汽相沉積裝置100之剖面示意圖。
請參考第1圖，汽相沉積裝置100包含腔室110、平台120、以及注入單元130。
腔室110包含位於腔室110下部分之排氣口111 (例如排氣孔)。排氣口111係為用以排氣之出口，且可耦接(或連接)至泵(pump)以充分地執行排氣製程。
雖然並未顯示於第1圖中，腔室110係由泵所控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室110之內部的加熱單元(圖未示)可設置於腔室110之內部或外部以改善薄膜沉積製程之效率。
平台120係設置於腔室110中。平台120包含第一安裝面(mounting surface) 121以及第二安裝面122。第一安裝面121與第二安裝面122係以重力作用之方向相互平行設置。亦即，第一安裝面121與第二安裝面122係垂直於地面而設置。為此，平台120係垂直於地面而設置。
第一基板101與第二基板102係設置於平台120上。更詳細地說，第一基板101係安裝於平台120之第一安裝面121上，而第二基板102係安裝於平台120之第二安裝面122上。
第一安裝面121與第二安裝面122係相互平行。
固定單元(圖未示)可設置於第一安裝面121與第二安裝面122上，以使得第一基板101與第二基板102在安裝於第一安裝面121與第二安裝面122之後可固定。固定單元(圖未示)可為夾具、壓縮單元、貼附材料、或其他為所屬技術領域者所熟知的材料或裝置。
注入單元130係設置以耦接(或連接)至腔室110。一種或多種氣體係透過注入單元130而朝向第一基板101與第二基板102而注入。詳細地說，注入單元130包含第一注入口(例如第一注入孔) 131以及第二注入口(例如第二注入孔) 132，且第一注入口131與第二注入口132以平行於第一基板101與第二基板102之方向注入氣體。亦即，氣體係透過第一注入口131與第二注入口132以平行於重力作用之方向而注入。
更詳細地說，第一注入口131係用以注入來源氣體S，而第二注入口132係用以注入反應氣體。當來源氣體S透過第一注入口131注入時，反應氣體並未透過第二注入口132而注入，且反應氣體係於來源氣體S透過第一注入口131注入之後才經由第二注入口132注入。
然而，本發明不限於此。舉例而言，注入單元130可僅包含一個注入口。在其他實施例中，來源氣體S與反應氣體可透過單一注入口而依序注入。
此外，可設置複數個第一注入口131與複數個第二注入口132而使來源氣體S以及反應氣體可分別注入至第一基板101與第二基板102上(或附近)。
第一注入口131與第二注入口132可形成以具有各種不同形狀。舉例而言，第一注入口131與第二注入口132可根據第一基板101與第二基板102的寬度而形成為點狀、斑點狀、或線形。
現將描述根據本實施例之汽相沉積裝置100的操作。
第一基板101與第二基板102係分別地安裝於平台120之第一安裝面121與第二安裝面122上。之後，來源氣體S係透過注入單元130之第一注入口131而注入。詳細地說，來源氣體S可為包含鋁原子(aluminum atoms)的氣體。
來源氣體S係為第一基板101與第二基板102的上表面(例如相反於面對平台120之表面)所吸附。之後藉由排氣口111執行排氣，且接著由來源氣體S所形成之單層結構或多層結構之原子層係形成於第一基板101與第二基板102的上表面上。亦即，形成了單層或多層的鋁原子層。
此外，反應氣體係透過注入單元130的第二注入口132而注入。舉例而言，反應氣體可包含氧原子。反應氣體係吸附於第一基板101與第二基板102的上表面上。之後透過排氣口111執行排氣製程，且接著由反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板101與第二基板102的上表面上。亦即，形成了單層或多層的氧原子層。
因此，具有由來源氣體S以及反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板101與第二基板102的上表面上。亦即形成了鋁氧層(AlxOy，其中x與y可根據製程條件而控制)。在本實施例中係形成了鋁氧層，然而本發明不限於此。亦即，本發明之實施例可應用於形成氧化層、有機層、無機層、其他絕緣層、以及導電層之製程。
根據本實施例，氣體係以平行於第一基板101與第二基板102之上表面的方向由注入單元130而注入。具體地說，第一基板101與第二基板102係以垂直於地面之方向設置，亦即重力作用之方向。因此，當氣體透過注入單元130注入且吸附於第一基板101與第二基板102上時，可降低於第一基板101與第二基板102上之不必要的吸附量。亦即，第一基板101與第二基板102上不必要的吸附成分以及其他不平坦的隆起成分由於重力而掉落，進而降低不必要的吸附量。此外，藉由設置於第一基板101與第二基板102之下部分的排氣口111進行排氣製程，可輕易地移除不必要之氣體成分。因此在透過注入單元130之注入口131注入來源氣體S之後，係執行排氣製程而毋需使用額外的清除氣體進行清除製程。此後，反應氣體係藉由第二注入口132而注入，毋需使用額外之清除氣體進行清除製程而執行排氣製程，且接著完成沉積製程。
結果，可大幅地改善用以形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，可避免吸附不必要的氣體成分，且避免清除氣體之雜質混入形成於第一基板101與第二基板102上之薄膜中。因此可均勻地形成薄膜且具有良好的物理與化學特性。
根據本實施例，第一安裝面121與第二安裝面122係形成於平台的兩個表面上，且第一基板101與第二基板102係同步地(例如同時地)形成於平台120上。因此可進一步改善製程效率。此外，第一基板101與第二基板102係相互平行設置於平台120上，因此形成第一基板101與第二基板102的表面不會相互面對，且用以於各個表面形成薄膜之薄膜沉積製程不會相互影響。故可於兩個基板101與102上形成均勻且良好的薄膜。
第2圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖，且第3圖係為由第2圖之A方向所見之汽相沉積遮罩之示意圖。
參閱第2圖與第3圖，汽相沉積裝置200包含腔室210、平台220、注入單元230、以及遮罩241與242。
腔室210包含位於腔室210下部分之排氣口(例如排氣孔) 211。排氣口211係為排氣之出口，且可耦接(或連接)至泵以充分地執行排氣。
雖然並未顯示於第2圖與第3圖中，腔室210係由泵所控制以維持適當之壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室210之內部的加熱單元(圖未示)可設置於腔室210之內側或外側部分以改善薄膜沉積製程之效率。
平台220係設置於腔室210中。平台220包含第一安裝面221與第二安裝面222。第一安裝面221與第二安裝面222係以重力作用之方向平行設置。亦即，第一安裝面221與第二安裝面222係垂直於地面而設置。為此，平台220係垂直於地面而設置。
第一基板201與第二基板202係設置於平台220上。更詳細地說，第一基板201係安裝於平台220之第一安裝面221上，而第二基板202係安裝於平台220之第二安裝面222上。
第一安裝面221與第二安裝面222係相互平行。
固定單元(圖未示)可設置於第一安裝面221與第二安裝面222上，使得第一基板201與第二基板202可於安裝於第一安裝面221以及第二安裝面222之後固定。
第一遮罩241與第二遮罩242可設置於第一基板201與第二基板202上。更詳細地說，第一遮罩241係設置於第一基板201上，且第二遮罩242係設置於第二基板202上。
第3圖顯示第一遮罩241。第一遮罩241包含具有適當形狀(例如預定形狀)之遮罩開口241a，其於第3圖中為矩形但不限於此。遮罩開口241a具有對應至將形成於第一基板201上之薄膜的形狀。
第3圖顯示六個遮罩開口241a，然而本發明不限於此。亦即遮罩開口241a之數目可根據將形成於第一基板201上之圖樣的數目而決定。舉例來說，第一遮罩241可形成為具有一個遮罩開口241a之開放遮罩。
雖然並未顯示於第2圖與第3圖中，第二遮罩242也可包含相似於第一遮罩241的遮罩開口(圖未示)。由於遮罩開口實質上相似於第一遮罩241之遮罩開口241a，故此處將不提供遮罩開口(圖未示)之詳細描述。
注入單元230係設置以耦接(或連接)至腔室210。一種或多種氣體係透過注入單元230而朝向第一基板201與第二基板202而注入。詳細地說，注入單元230包含第一注入口(例入第一注入孔) 231以及第二注入口(例如第二注入孔) 232，且第一注入口231與第二注入口232以平行於基板第一基板201與第二基板202之表面的方向而注入氣體。亦即，氣體係以平行於重力作用之方向而透過第一注入口231與第二注入口232注入。
更詳細地說，第一注入口231係用以注入來源氣體S，且第二注入口232係用以注入反應氣體。當來源氣體S透過第一注入口231而注入時，反應氣體並未透過第二注入口232注入，而在來源氣體S由第一注入口231注入之後，反應氣體才由第二注入口232注入。
然而本發明不限於此，舉例而言，注入單元230可僅包含一個注入口。來源氣體S與反應氣體可透過單一注入口依序注入。
此外，可設置複數個第一注入口231與複數個第二注入口232以使來源氣體S與反應氣體可分別注入至第一基板201與第二基板202上(或附近)。
第一注入口231與第二注入口232可以各種不同形狀形成。亦即第一注入口231與第二注入口232可根據第一基板201與第二基板202之寬度而以點狀、斑點狀、或是線型而形成。
現將描述本實施例之汽相沉積裝置200之操作。
第一基板201與第二基板202係分別安裝於平台220之第一安裝面221以及第二安裝面222上。之後，具有對應至將形成於第一基板201上之薄膜圖樣之遮罩開口241a的第一遮罩241係設置於第一基板201上。具有對應至將形成於第二基板202上之薄膜圖樣之遮罩開口(圖未示)的第二遮罩242係設置於第二基板202上。
之後，來源氣體S係透過注入單元230之第一注入口231而注入。來源氣體S係吸附於第一基板201與第二基板202的上表面(例如相反於面對平台220之表面)上。具體地說，來源氣體S係吸附於第一基板201之上表面對應至遮罩開口241a的部分。此外，排氣製程係藉由排氣口211而執行，且接著由來源氣體S所形成之單層結構或多層結構之原子層係形成於第一基板201與第二基板202的上表面上。此後，反應氣體係透過注入單元230之第二注入口232而注入。反應氣體係吸附於第一基板201與第二基板202的上表面上。具體地說，反應氣體係吸附於第一基板201之上表面對應至遮罩開口241a的部分上。
之後，排氣製程係透過排氣口211執行，且接著單層結構或多層結構之原子層係形成於第一基板201與第二基板202之上表面上。具體而言，原子層係形成於第一基板201之上表面對應至遮罩開口241a的部分上。相似的，原子層係形成於第二基板202之上表面對應至第二遮罩242之遮罩開口(圖未示)的部分上。
因此，具有包含來源氣體S與反應氣體成分之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板201與第二基板202的上表面上。
在本實施例中，第一安裝面221與第二安裝面222係形成於平台220的兩個表面上，且第一基板201與第二基板202係同步地(例如同時地)安裝於平台220上。此外，第一遮罩241與第二遮罩242係設置於第一基板201與第二基板202上而得以輕易地形成所需之沉積圖樣。
此外，第一遮罩241與第二遮罩242之功能為阻礙物以避免當來源氣體S或反應氣體注入腔室時，來源氣體S或反應氣體成分不必要地吸附於第一基板201與第二基板202上。此外，可進一步改善汽相沉積裝置200所形成薄膜之特性。
第4圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置300之剖面示意圖。
請參閱第4圖，汽相沉積裝置300包含腔室310、平台320、注入單元330、以及驅動單元350。
腔室310包含位於腔室310之下部分的排氣口(例如排氣孔) 311。排氣口311係為排氣之出口，且可耦接(或連接)至泵以充分地執行排氣製程。
雖然並未顯示於第4圖中，腔室310係由泵所控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室310內部之加熱單元(圖未示)可設置於腔室310之內側或外側部分以改善薄膜沉積製程之效率。
平台320係設置於腔室310中。平台320包含第一安裝面321與第二安裝面322。含第一安裝面321與第二安裝面322係以平行於重力作用之方向而設置。亦即，第一安裝面321與第二安裝面322係垂直於地面而設置。為此，平台320係垂直於地面而設置。
第一基板301與第二基板302係設置於平台320上。更詳細地說，第一基板301係安裝於平台320之第一安裝面321上，且第二基板302係安裝於平台320之第二安裝面322上。
第一安裝面321與第二安裝面322係相互平行。
固定單元(圖未示)可設置於第一安裝面321與第二安裝面322上以使第一基板301與第二基板302可於安裝於第一安裝面321與第二安裝面322之後固定。固定單元(圖未示)可為夾具、壓縮單元、貼附單元、或其他材料。
驅動單元350係耦接(或連接)至平台320。驅動單元350以第4圖所示之方向M或相反於方向M之方向輸送平台320。亦即，驅動單元350以第4圖之X軸方向輸送平台320。因此第一基板301與第二基板302可以垂直於第一基板301與第二基板302之上表面(例如相反於面對平台320之方向)的方向移動，亦即將形成薄膜之方向。
注入單元330係耦接(或連接)至腔室310。一種或多種氣體係透過注入單元330朝向第一基板301與第二基板302注入。詳細地說，注入單元330包含第一注入口(例如第一注入孔) 331、第二注入口(例如第二注入孔) 332、第三注入口(例如第三注入孔) 333、第四注入口(例如第四注入孔) 334、第五注入口(例如第五注入孔) 335、第六注入口(例如第六注入孔) 336、第七注入口(例如第七注入孔) 337、以及第八注入口(例如第八注入孔) 338。
此外，第一注入口331至第八注入口338係沿著第一基板301與第二基板302之移動方向而配置。亦即，第一注入口331至第八注入口338係沿著第4圖之X軸方向而配置且相互分開。
氣體係透過第一注入口331至第八注入口338以平行於第一基板301與第二基板302表面之方向注入。亦即，氣體係透過第一注入口331至第八注入口338以平行於重力作用之方向而注入。
更詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337而注入，且反應氣體係透過第二注入口332、第四注入口334、第六注入口336、以及第八注入口338而注入。
當來源氣體S透過第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337而注入時，反應氣體並未透過第二注入口332、第四注入口334、第六注入口336、以及第八注入口338而注入。在透過第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337而注入來源氣體S之後，反應氣體才透過第二注入口332、第四注入口334、第六注入口336、以及第八注入口338而注入。
此外，來源氣體S可依序或同時透過第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337而注入。相似的，反應氣體可依序或同時透過第二注入口332、第四注入口334、第六注入口336、以及第八注入口338而注入。
然而本發明不限於上述範例。亦即來源氣體S與反應氣體可透過注入單元330之相同注入口而注入。舉例而言，注入單元330可包含第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337，而來源氣體S可依序透過第一注入口331、第三注入口333、第五注入口335、以及第七注入口337而注入，接著可注入反應氣體。
雖然並未顯示於第4圖中，第一注入口331至第八注入口338可以一定之間距相互分開。舉例而言，在注入來源氣體S之後，反應氣體可於驅動單元350移動第一基板301與第二基板302之後而注入。
此外，第一注入口331至第八注入口338可形成以具有各種不同形狀，舉例而言，其可根據第一基板301與第二基板302之寬度而以點狀或線形而形成。
現將描述本實施例之汽相沉積裝置300之操作。
第一基板301與第二基板302係安裝於平台320之第一安裝面321與第二安裝面322上。
之後，來源氣體S係透過注入單元330之第一注入口331而注入。來源氣體S係吸附至第一基板301與第二基板302之上表面(亦即相反於面對平台320之表面)上。此後，排氣製程係透過排氣口311而執行，且接著由來源氣體S所形成之單層結構或多層結構之原子層係形成於第一基板301與第二基板302之上表面上。
之後，反應氣體係透過注入單元330之第二注入口332而注入。反應氣體係吸附至第一基板301與第二基板302之上表面上。接著，排氣製程係藉由排氣口311執行，且接著由反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板301與第二基板302的上表面上。
因此，由來源氣體S與反應氣體成分所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板301與第二基板302之上表面上。
之後，平台320係藉由驅動單元350而以第4圖之X軸方向移動，亦即由箭頭M所標示之方向。來源氣體S係透過注入單元330之第三注入口333而注入。來源氣體S係吸附至第一基板301與第二基板302之上表面上。此後，排氣製程係透過排氣口311執行，且接著由來源氣體S所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板301與第二基板302之上表面上。
此外，反應氣體係透過注入單元330之第四注入口334而注入。反應氣體係吸附於第一基板301與第二基板302之上表面上。接著，排氣製程係透過排氣孔311而執行，且接著由反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板301與第二基板302之上表面上。
透過上述製程，包含來源氣體S與反應氣體成分之單層結構或多層結構的原子層係額外地形成於透過第一注入口331與第二注入口332形成於第一基板301與第二基板302之上表面的薄膜上。
接著，平台320係藉由驅動單元350以第4圖之X軸方向移動，亦即由箭頭M所指示之方向。薄膜係藉由使用類似於第一注入口331與第二注入口332之第五注入口335與第六注入口336額外地形成於第一基板301與第二基板302上。
之後，平台320係進一步藉由驅動單元350以第4圖之X軸方向移動，亦即由箭頭M所指示之方向。接著，薄膜係藉由使用類似於第一注入口331與第二注入口332之第七注入口337與第八注入口338額外地形成於第一基板301與第二基板302上。
此外，可於藉由使用驅動單元350以第4圖之X軸方向移動平台320時，亦即相反於箭頭M之方向，以上述製程之相反順序執行沉積製程。之後，可於以第4圖之X軸方向移動平台320時，亦即箭頭M所指示之方向，進一步執行沉積製程。
透過上述製程，可輕易地於單一腔室310中之第一基板301與第二基板302上形成所需厚度之薄膜。亦即，平台320之移動距離可根據薄膜所需之厚度而調整。
雖然並未顯示於第4圖中，根據本發明之實施例，第一注入口331至第八注入口338可以固定間距分離。根據上述之配置，氣體係依序透過第一注入口331至第八注入口338而注入，且接著驅動單元350可以箭頭M所指示之方向移動。
氣體係由注入單元330以平行於第一基板301與第二基板302之上表面的方向而注入。具體地說，第一基板301與第二基板302係垂直於地面而設置，亦即重力作用之方向。因此，當氣體透過注入單元330注入且吸附於第一基板301與第二基板302上時，可降低於第一基板301與第二基板302上不必要的吸附量。亦即，於基板301與302上之不必要的吸附成分與其他隆起成分由於重力而掉落，且因此降低不必要之吸附量。此外，藉由透過設置於第一基板301與第二基板302之下部分的排氣口311所進行的排氣製程可輕易地移除不必要的氣體成分。因此在透過注入單元330之第一注入口331注入來源氣體S之後，排氣製程之執行毋需使用額外的清除氣體執行清除製程。之後，反應氣體係透過第二注入口332而注入，排氣製程係執行而毋需使用額外的清除氣體執行清除製程，且接著完成沉積製程。
結果，可大幅地改善用以形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，可降低或避免不必要的氣體成分的吸附，且可降低或避免清除氣體雜質混入形成於第一基板301與第二基板302上之薄膜。因此可平整地形成薄膜且可具有良好的物理與化學特性。
根據本實施例，第一安裝面321與第二安裝面322係形成於平台320之兩個表面上，且第一基板301與第二基板302係同步地(例如同時地)形成於平台320上。因此，可進一步改善製程效率。此外，第一基板301與第二基板302係相互平行設置於平台320上，且因此形成有第一基板301與第二基板302之表面不會彼此面對，且形成於各表面上之薄膜沉積製程不會彼此影響。因此可於第一基板301與第二基板302上同時地形成均勻且良好的薄膜。
此外，在本實施例中，平台320係藉由使用驅動單元350而移動。因此沉積製程係於移動第一基板301與第二基板302時執行。亦即，沉積製程係依序透過第一注入口331至第八注入口338而執行，且因此可大幅降低形成所需厚度之薄膜所花費的時間且改善執行製程的方便性。
第5圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置400的剖面示意圖。
請參閱第5圖，汽相沉積裝置400包含腔室410、平台420、注入單元430、遮罩441與442、以及驅動單元450。
腔室410包含形成於其下部分之排氣口(例如排氣孔) 411。排氣口411係為排氣之出口，且可耦接(或連接)至泵以充分地執行排氣。
雖然並未顯示於第5圖中，腔室410可由泵所控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室410之內部的加熱單元(圖未示)可設置於腔室410之內側或外側部分以改善薄膜沉積製程之效率。
平台420係設置於腔室410中。平台420包含第一安裝面421與第二安裝面422。第一安裝面421與第二安裝面422係以平行於重力作用之方向而設置。亦即，第一安裝面421與第二安裝面422係垂直於地面而設置。為此，平台420係垂直於地面而設置。
第一基板401與第二基板402係設置於平台420上。更詳細地說，第一基板401係安裝於平台420之第一安裝面421上，且第二基板402係安裝於平台420之第二安裝面422上。
第一安裝面421與第二安裝面422係相互平行。
固定單元(圖未示)可設置於第一安裝面421以及第二安裝面422上，以使第一基板401與第二基板402可於安裝於第一安裝面421以及第二安裝面422上之後固定。固定單元(圖未示)可為夾具、壓縮單元、貼附材料、或其他已為所屬技術領域者所知悉之合適材料。
第一遮罩441與第二遮罩442係設置於第一基板401與第二基板402上。更詳細地說，第一遮罩441係設置於第一基板401上，且第二遮罩442係設置於第二基板402上。
如第3圖所示，第一遮罩441與第二遮罩442分別包含具有適當之形狀(例如預定形狀)之開口(圖未示)，其係對應至將形成於第一基板401與第二基板402上的薄膜之圖樣。
驅動單元450係耦接(或連接)至平台420。驅動單元450以第5圖中箭頭M所指示的方向或以相反於方向M之方向來輸送平台420。亦即，驅動單元450以第5圖之X軸方向輸送平台420。因此，第一基板401與第二基板402可以垂直於第一基板401與第二基板402之上表面，亦即將形成薄膜之表面的方向而移動。
注入單元430係耦接(或連接)至腔室410。一種或多種氣體係透過注入單元430而朝向第一基板401與第二基板402注入。更詳細地說，注入單元430包含第一注入口(例如第一注入孔) 431、第二注入口(例如第二注入孔) 432、第三注入口(例如第三注入孔) 433、第四注入口(例如第四注入孔) 434、第五注入口(例如第五注入孔) 435、第六注入口(例如第六注入孔) 436、第七注入口(例如第七注入孔) 437、以及第八注入口(例如第八注入孔) 438。
此外，第一注入口431至第八注入口438係沿著第一基板401與第二基板402移動之方向而配置。亦即，第一注入口431至第八注入口438係以第5圖之X軸方向配置以相互分開。
氣體係透過第一注入口431至第八注入口438以平行於第一基板401與第二基板402之表面方向注入至腔室410。亦即，氣體係透過第一注入口431至第八注入口438以平行於重力作用之方向而注入。
更詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437而注入，且反應氣體係透過第二注入口432、第四注入口434、第六注入口436、以及第八注入口438而注入。
當來源氣體S透過第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437而注入時，反應氣體並未透過第二注入口432、第四注入口434、第六注入口436、以及第八注入口438而注入。在來源氣體S透過第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437而注入之後，反應氣體才透過第二注入口432、第四注入口434、第六注入口436、以及第八注入口438而注入。
此外，來源氣體S可依序地或同步地(例如同時地)透過第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437而注入。相似的，反應氣體可依序地或同步地(例如同時地)透過第二注入口432、第四注入口434、第六注入口436、以及第八注入口438而注入。
然而，本發明不限於此，亦即，來源氣體S與反應氣體可透過注入單元430之相同注入口而注入。舉例而言，注入單元430可包含第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437，且來源氣體S係依序地透過第一注入口431、第三注入口433、第五注入口435、以及第七注入口437而注入，且接著可注入反應氣體。
現將於下文中描述本實施例之汽相沉積裝置400之操作。
第一基板401與第二基板402係安裝於平台420之第一安裝面421與第二安裝面422上。具有對應至將形成於第一基板401上之薄膜圖樣的遮罩開口(圖未示)的第一遮罩441係設置於第一基板401上。具有對應至將形成於第二基板402上之薄膜圖樣的遮罩開口(圖未示)的第二遮罩442係設置於第二基板402上。
來源氣體S係透過注入單元430之第一注入口431而注入。來源氣體S係吸附至第一基板401與第二基板402之上表面上，特別是對應至第一遮罩441與第二遮罩442之遮罩開口(圖未示)的部分。此後，透過排氣口411執行排氣製程，且接著包含來源氣體S之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板401與第二基板402的上表面上。
之後，反應氣體係透過注入單元430之第二注入口432而注入。反應氣體係吸附於第一基板401與第二基板402之上表面上，特別是對應至第一遮罩441與第二遮罩442之遮罩開口的部分。接著透過排氣口411執行排氣製程，且由反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板401與第二基板402之上表面上。
因此，由來源氣體S與反應氣體成分所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板401與第二基板402之上表面上，特別是對應至第一遮罩441與第二遮罩442之遮罩開口(圖未示)的部分。
之後，平台420係藉由使用驅動單元450而以第5圖之X軸方向移動，亦即由箭頭M所指示之方向。來源氣體S係透過注入單元430之第三注入口433而注入。來源氣體S係吸附於第一基板401與第二基板402之上表面上。此後透過排氣口411執行排氣製程，且接著由來源氣體S所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板401與第二基板402的上表面上。
此外，反應氣體係透過注入單元430之第四注入口434而注入。反應氣體係吸附於第一基板401與第二基板402之上表面上。接著透過排氣口411執行排氣製程，且接著由反應氣體所形成之單層結構或多層結構的原子層係形成於第一基板401與第二基板402之上表面上。
透過上述製程，包含來源氣體S以及反應氣體成分之單層結構或多層結構的原子層係額外地形成於對應至第一遮罩441與第二遮罩442之遮罩開口(圖未示)的部分，位於透過第一注入口431與第二注入口432而形成於第一基板401與第二基板402之上表面的薄膜上。
接著，平台420係藉由使用驅動單元450而以第5圖之X軸方向移動，亦即箭頭M所指示的方向。藉由使用相似於第一注入口431與第二注入口432之第五注入口435與第六注入口436，薄膜係額外地形成於第一基板401第二基板402之上對應至遮罩開口(圖未示)的部分上。
此後，平台420係進一步藉由使用驅動單元450而以第5圖之X軸方向移動，亦即箭頭M所指示的方向。接著，藉由使用相似於第一注入口431與第二注入口432之第七注入口437與第八注入口438，薄膜係進一步形成於第一基板401與第二基板402之上對應至遮罩開口(圖未示)的部分上。
此外，當藉由驅動單元450以第5圖之X軸方向移動平台420時，沉積製程可進一步以相反於上述製程之順序而執行，亦即相反於箭頭M所指示之方向。之後，在以第5圖之X軸方向，亦即箭頭M所指示之方向，移動平台420時可進一步執行沉積製程。
透過上述製程，可輕易地於單一腔室410中於第一基板401與第二基板402上形成所需厚度的薄膜。亦即，平台420之移動距離可根據薄膜所需之厚度而調整。
此外，在本實施例中，平台420係藉由使用驅動單元450而移動。因此，沉積製程係於移動第一基板401與第二基板402時執行。亦即，沉積製程係依序地透過第一注入口431至第八注入口438而執行，且因此可大幅地降低形成所需厚度之薄膜的時間，且改善執行製程的方便性。
第一遮罩441與第二遮罩442係設置於第一基板401與第二基板402上以輕易地形成所需之圖樣。
此外，第一遮罩441與第二遮罩442之功能為阻礙物以於來源氣體S或反應氣體注入至腔室410時，避免來源氣體S或反應氣體成分不必要地吸附於第一基板401與第二基板402上。此外，可進一步改善由汽象沉積裝置400所形成之薄膜的特性。
第6圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置500的剖面示意圖，且第7圖係為由第6圖之A方向所見之汽相沉積裝置的示意圖。
請參閱第6圖與第7圖，汽相沉積裝置500包含腔室510、平台520、以及注入單元530。
腔室510包含位於腔室510下部分之排氣口511。排氣口511係為排氣之出口，且可耦接(或連接)至泵以充分地執行排氣。
雖然未顯示於第6圖中，腔室510係由泵所控制以維持適當的壓力(例如預定壓力)。此外，用以加熱腔室510之內部的加熱單元(圖未示)可設置於腔室510之內側或外側部分以改善薄膜沉積製程之效率。
平台520係設置於腔室510中。平台520包含第一安裝面521、第二安裝面522、第三安裝面523、以及第四安裝面524。平台520具有四個側表面，且第一安裝面521至第四安裝面524係分別地設置於其上。
第一安裝面521至第四安裝面524係以平行於重力作用之方向而設置。亦即，第一安裝面521至第四安裝面524係垂直於地面而設置。為此，平台520係垂直於地面而設置。
請參閱第6圖與第7圖，平台520具有相似於長方體之形狀，然而本發明不限於此。亦即，平台520可以垂直於地面之具有複數個側表面的各種不同多邊形而形成，且安裝面係設置於側表面上。
第一基板501、第二基板502、第三基板503、以及第四基板504係設置於平台520上。更詳細地說，第一基板501係安裝於平台520之第一安裝面521上，第二基板502係安裝於平台520之第二安裝面522上，第三基板503係安裝於平台520之第三安裝面523上，以及第四基板504係安裝於平台520之第四安裝面524上。
第一安裝面521與第二安裝面522係相互平行，且第三安裝面523與第四安裝面524係相互平行。
固定單元(圖未示)可設置於第一安裝面521至第四安裝面524上，而使第一基板501至第四基板504可於安裝至第一安裝面521至第四安裝面524之後固定。固定單元(圖未示)可為夾具、壓縮單元、貼附材料、以及所屬技術領域者所知悉的其他適合材料。
注入單元530係設置以耦接(或連接)至腔室510。一種或多種氣體係透過注入單元530而朝向第一基板501與第二基板502注入。更詳細地說，注入單元530包含第一注入口(例如第一注入孔) 531與第二注入口(例如第二注入孔) 532，且第一注入口531與第二注入口532以平行於第一基板501與第二基板502之表面的方向注入氣體。亦即，氣體以平行於重力作用之方向透過第一注入口531與第二注入口532而注入。
更詳細地說，第一注入口531係用以注入來源氣體S，且第二注入口532係用以注入反應氣體。當來源氣體S透過第一注入口531而注入時，反應氣體並未透過第二注入口532而注入，且當來源氣體S透過第一注入口531而注入之後，反應氣體才透過第二注入口532而注入。
然而本發明不限於此。亦即，注入單元530可僅包含一個注入口。來源氣體S與反應氣體可透過單一注入口而依序地注入。
此外，可設置複數個第一注入口531與複數個第二注入口532，而使來源氣體S與反應氣體可分別地注入至第一基板501至第四基板504上(或附近)。
根據本實施例，氣體係由注入單元530以平行於第一基板501至第四基板504之上表面的方向而注入。具體來說，第一基板501至第四基板504係以垂直於地面之方向而設置，亦即重力作用之方向。因此當氣體透過注入單元530而注入且吸附於第一基板501至第四基板504上時，可降低第一基板501至第四基板504之不必要的吸附量。亦即，位於第一基板501至第四基板504上之不必要之吸附成分以及其他不平坦之隆起成分由於重力而掉落，因而降低不必要之吸附量。此外，藉由透過設置於第一基板501至第四基板504之下部分的排氣口511執行之排氣製程可輕易地移除不必要之氣體成分。因此，在透過注入單元530之第一注入口531注入來源氣體S之後，排氣製程無需使用額外之清潔氣體執行清潔製程而執行。之後，反應氣體係透過第二注入口532而注入，排氣製程無需使用額外之清潔氣體執行清潔製程而執行，且接著便完成沉積製程。
結果可大幅地改善用以形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，可降低或避免不必要的氣體成分之吸附，且降低或避免清潔氣體雜質混入形成於第一基板501至第四基板504上之薄膜中。因此可平整地形成薄膜且具有良好的物理與化學特性。
此外，根據本發明之實施例，第一安裝面521、第二安裝面522、第三安裝面523、以及第四安裝面524係形成於平台520之側表面上，且第一安裝面521、第二安裝面522、第三安裝面523、以及第四安裝面524係同步地(例如同時地)安裝於單一平台上。因此可進一步改善製程效率。
又，第一基板501與第二基板502係相互平行而設置於單一平台520上，而第三基板503與第四基板504係相互平行設置於平台520上。因此，其上將形成薄膜之第一基板501、第二基板502、第三基板503、以及第四基板504的表面不會相互面對，且因此分別於各基板上執行之薄膜沉積製程不會相互影響。因此可同步地(例如同時地)於第一基板501至第四基板504上形成均勻且良好的薄膜。
第8圖係為藉由根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法所製造之有機發光顯示裝置10的剖面示意圖。更詳細地說，第8圖之有機發光顯示裝置10係使用根據本發明一實施例之汽相沉積裝置100、200、300、400、或500所製造。
請參閱第8圖，有機發光顯示裝置10係形成於基板30上。基板30可由玻璃材料、塑膠材料、或金屬材料製成。緩衝層31係形成於基板30上，其係用以形成基板30之上層部分的平坦表面且包含絕緣材料以避免濕氣與雜質滲入基板30。
薄膜電晶體(TFT) 40、電容、以及有機發光裝置60係形成於緩衝層31上。薄膜電晶體40包含主動層41、閘極電極42、以及源極/汲極電極43。有機發光裝置60包含第一電極61、第二電極62、以及中介層63。
更詳細地說，主動層41 (例如具有預定圖樣之主動層)係形成於緩衝層31上。主動層41可為p型或n型半導體。閘極絕緣層32係形成於主動層41上。閘極電極42係形成於閘極絕緣層32上以對應至主動層41。層間介電質33係形成以覆蓋閘極電極42。源極/汲極電極43係形成於層間介電質33以接觸主動層41之一區域(例如預定區域)。鈍化層34係形成以覆蓋源極/汲極電極43，且絕緣層可額外地形成於鈍化層34上以平坦化鈍化層34。
第一電極61係形成於鈍化層34上。第一電極61係電性連接至源極/汲極電極43其中之一。此外，像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口(例如一預定開口) 64係形成於像素定義層35中，且包含有機發射層之中介層63係形成於由開口64所定義之部分上。第二電極62係形成於中介層63上。
封裝層70係形成於第二電極62上。封裝層70可包含有機或無機材料，或可包含交互堆疊之有機材料與無機材料。
封裝層70可藉由使用汽相沉積裝置100、200、300、400、或500而形成。亦即，其上形成有第二電極62之基板30係輸送至腔室中，且執行汽相沉積製程以形成封裝層70。
然而本發明不限於此。亦即，有機發光顯示裝置10之其他絕緣層，例如緩衝層31、閘極絕緣層32、層間介電質33、鈍化層34、以及像素定義層35可藉由使用根據本發明實施例之汽相沉積裝置而形成。
此外，各種導電薄膜，例如主動層41、閘極電極42、源極/汲極電極43、第一電極61、中介層63、以及第二電極62可藉由使用根據本發明實施例之汽相沉積裝置而形成。
根據本發明實施例之汽相沉積裝置、汽相沉積方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法，可有效率地執行沉積製程且改善所形成薄膜之特性。
當本發明以參照其例示性實施例而具體地顯現與描述，其將為所屬技術領域中具有通常知識者了解的是，在未脫離本發明之精神與範疇下所進行之任何形式上或細節的各種變化均應包含於後附之申請專利範圍及其等效物中。
10．．．有機發光顯示裝置
30．．．基板
31．．．緩衝層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間介電質
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
40．．．薄膜電晶體
41．．．主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
60．．．有機發光裝置
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．中介層
64．．．開口
70．．．封裝層
100、200、300、400、500．．．汽相沉積裝置
101、201、301、401、501．．．第一基板
102、202、302、402、502．．．第二基板
110、210、310、410、510．．．腔室
111、211、311、411、511．．．排氣口
120、220、320、420、520．．．平台
121、221、321、421、521．．．第一安裝面
122、222、322、422、522．．．第二安裝面
130、230、330、430、530．．．注入單元
131、231、331、431、531．．．第一注入口
132、232、332、432、532．．．第二注入口
241、441．．．第一遮罩
241a．．．遮罩開口
242、442．．．第二遮罩
333、433．．．第三注入口
334、434．．．第四注入口
335、435．．．第五注入口
336、436．．．第六注入口
337、437．．．第七注入口
338、438．．．第八注入口
350、450．．．驅動單元
503．．．第三基板
504．．．第四基板
523．．．第三安裝面
524．．．第四安裝面
S．．．來源氣體
M．．．方向
藉由參考附圖以詳細說明例示性實施例，本發明上述與其他特徵與態樣將會更為顯而易見，其中：
第1圖係為根據本發明一實施例之汽相沉積裝置之剖面圖；
第2圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第3圖係為由第2圖之A方向所見之汽相沉積裝置之示意圖；
第4圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第5圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第6圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第7圖係為由第6圖之A方向所見之汽相沉積裝置之示意圖；以及
第8圖係為藉由根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置製造方法所製造之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
100．．．汽相沉積裝置
101．．．第一基板
102．．．第二基板
110．．．腔室
111．．．排氣口
120．．．平台
121．．．第一安裝面
122．．．第二安裝面
130．．．注入單元
131．．．第一注入口
132．．．第二注入口
S．．．來源氣體

Claims (25)

  1. 一種汽相沉積裝置，其係用以於複數個基板上形成一薄膜，該汽相沉積裝置包含：
    一腔室，其具有一排氣口；
    一平台，其係位於該腔室中，且包含複數個安裝面以適用於欲安裝於其上之該複數個基板；以及
    一注入單元，其具有至少一注入口，而以平行於該複數個基板之表面的方向注入一氣體至該腔室中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該複數個安裝面係以平行於重力作用之方向而設置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該注入單元係設置於該平台上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該複數個安裝面包含相互平行設置之至少二安裝面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該排氣口係耦接至一泵(pump)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中一來源氣體以及一反應氣體係透過該至少一注入口而依序地注入。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該注入單元具有一來源氣體與一反應氣體各自獨立地注入之複數個注入口。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該排氣口相較於該些基板較接近於地面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，更包含具有一遮罩開口之一遮罩以於該些基板上以一預定圖樣形成該薄膜，其中該遮罩係設置於該些基板上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，更包含一驅動單元，其係設置以驅動該平台，以於該些基板安裝於該腔室中之該平台上時移動該些基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動單元以垂直於該些基板欲形成該薄膜之表面方向的方向輸送該些基板。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動單元以垂直於該些基板欲形成該薄膜之表面方向的方向往復地輸送該些基板。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之汽相沉積裝置，其中該注入單元具有複數個注入口，該複數個注入口係沿著該些基板移動之方向相互分離，以於移動該些基板時執行一沉積製程數次。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該些安裝面係各別地位於該平台之一側以及該平台之一相反側。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該些安裝面係位於該平台之所有側。
  16. 一種汽相沉積方法，其係用以於複數個基板上形成多個薄膜，該汽相沉積方法包含：
    於一腔室中之一平台的複數個安裝面上分別安裝該複數個基板；
    透過一注入單元，以平行於該些基板欲形成該些薄膜之表面的方向注入一來源氣體至該腔室中；
    透過該腔室之一排氣口執行排氣；
    透過該注入單元，以平行於該些基板之表面的方向注入一反應氣體至該腔室中；以及
    透過該腔室之該排氣口執行排氣。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之汽相沉積方法，其中藉由一泵(pump)來執行排氣。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之汽相沉積方法，其中該注入單元具有一注入口，且該來源氣體與該反應氣體係透過該注入口依序地注入。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之汽相沉積方法，其中該注入單元具有複數個注入口，且該來源氣體與該反應氣體係透過不同之該些注入口而分別注入。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之汽相沉積方法，其中安裝該些基板包含放置一遮罩，該遮罩具有一開口以於該些基板上形成預定圖樣之該些薄膜。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之汽相沉積方法，其中一薄膜沉積係於該些基板安裝於該平台上而以垂直於該些基板欲形成該些薄膜之表面之方向移動時而執行。
  22. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含位於複數個基板上之複數個薄膜，該複數個薄膜包含至少一第一電極、具有一有機發射層之一中介層、以及一第二電極，該方法包含：
    於一腔室之一平台的複數個安裝面上安裝該複數個基板；
    透過一注入單元，以平行於該些基板欲形成該些薄膜之表面的方向注入一來源氣體至該腔室中；
    透過該腔室之一排氣口執行排氣；
    透過該注入單元，以平行於該些基板之表面的方向注入一反應氣體至該腔室中；以及
    透過該腔室之該排氣口執行排氣。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中形成該些薄膜包含於該第二電極上形成一封裝層。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中形成該些薄膜包含形成一絕緣層。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中形成該些薄膜包含形成一導電層。
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