TWI525868B - 氣相沉積裝置及方法以及製造有機發光顯示裝置的方法 - Google Patents

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Description

氣相沉積裝置及方法以及製造有機發光顯示裝置的方法
相關專利申請的交互參照
此申請案主張於2011年7月13日向韓國智慧財產局所提交的韓國專利申請號10-2011-0069488的優先權及效益，其所揭露之內容全部在此被納入以供參考。
本發明有關一種氣相沉積裝置、氣相沉積方法以及製造有機發光顯示裝置的方法。
半導體元件、顯示器裝置及其他電子元件包含複數個薄膜。此些複數個薄膜可使用各種方法形成，其中一個方法是氣相沉積法。
根據氣相沉積法，使用一或多種氣體作為形成薄膜的來源。氣相沉積法可包含化學氣相沉積(CVD)法、原子層沉積(ALD)法及各種其他方法。
在顯示裝置中，有機發光顯示裝置因其廣視角、優良的對比以及快速的應答速度而被認為是下一代顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含在彼此相對之第一電極與第二電極之間並具有有機發射層之中間層，以及一或多個薄膜。此處，可使用沉積製程形成有機發光顯示裝置的薄膜。
然而，因為有機發光顯示裝置尺寸增加且需要高解析度，所以形成具有期望性質之大尺寸薄膜是困難的。此外，在改善用於形成薄膜的製程之效率是有限的。
本發明的一實施例之觀點是指向能有效率地執行沉積製程並改善薄膜特性之氣相沉積裝置、氣相沉積方法以及製造有機發光顯示裝置的方法。
根據本發明之一實施例，提供了一種用於在基板上形成薄膜之氣相沉積裝置。此裝置包含：具有排氣口之腔室；設置在腔室之平台，其包括可安裝基板於其上之安裝表面；具有至少一注入口之注入單元，用於以平行待形成薄膜於其上之基板的表面的方向注入氣體至腔室中；面對基板之導引件，以在基板與導引件之間提供預定空間；以及用以輸送平台與導引件之驅動單元。
導引件可與基板平行設置。
導引件的尺寸可等於或大於基板的尺寸。
導引件可具有一包括複數個凸部及複數個凹部且面對基板之不規則表面。
此些凸部及此些凹部可以重力作用的方向延伸。
設置在導引件與基板之間的空間可具有一對應待形成於基板上的薄膜的圖案之形狀，以及導引件可包含至此空間的路徑，且自注入單元注入之氣體係通過此路徑。
此路徑可至少包含形成在導引件的上端上之第一貫穿部以及形成在導引件的下端上之第二貫穿部。
第一貫穿部或第二貫穿部可被延長以便對應該空間。
第一貫穿部第二貫穿部可包含複數個對應該空間之貫穿口。
該空間可形狀上對應形成在面對基板的導引件的表面之溝槽。
導引件可包含覆蓋該空間之外罩。
在基板安裝在平台上的狀態中，驅動單元可以垂直將形成薄膜於其上之基板的表面的方向輸送平台及導引件。
驅動單元可往復移動。
驅動單元可同時輸送平台及導引件。
驅動單元可包含移動平台之第一驅動單元及移動導引件之第二驅動單元。
該安裝表面可以平行重力作用的方向設置。
注入單元可設置在平台之上。
排氣口可連接泵浦。
來源氣體及反應氣體可透過注入口依序注入。
注入單元可包含來源氣體及反應氣體透過其獨立注入之複數個注入口。
排氣口可比基板更接近地面。
此裝置可更包含具有遮罩口之遮罩，用於以一期望圖案形成薄膜於基板上，其中遮罩設置在基板上。
注入單元可包含複數個注入口，係以垂直將形成薄膜於其上之基板的表面的方向排列，且彼此分離以便在基板上執行複數次之沉積製程。
根據本發明之另一觀點，提供了一種用於在基板上形成薄膜之氣相沉積方法。此方法包含：安裝該基板於設置在腔室中之平台的安裝表面上；透過注入單元以平行待形成薄膜於其上之基板的表面的方向，朝在基板與平行基板的導引件之間的空間注入來源氣體；透過腔室的排氣口執行排氣；透過注入單元以平行基板的表面的方向，注入反應氣體至腔室中；以及透過腔室的排氣口執行排氣。
排氣可藉由泵浦執行。
注入單元可具有注入口，以及來源氣體及反應氣體透過注入口依序注入。
注入單元可具有複數個注入口，以及來源氣體及反應氣體透過不同的注入口而分別注入。
基板的安裝可包含放置具有開口的遮罩，用以在基板上形成期望圖案的薄膜。
在基板安裝在腔室中的平台上的狀態中，當基板以垂直形成薄膜於其上之基板的表面的方向移動時，可執行薄膜沉積。
根據本發明之另一觀點，提供了一種製造有機發光顯示裝置的方法。此有機發光顯示裝置可包含至少包含第一電極、含有有機發射層之中間層及第二電極之複數個薄膜於基板上，其中薄膜的形成包含：安裝基板於設置在腔室中之平台的安裝表面上；透過注入單元以平行待形成薄膜於其上之基板的表面的方向，朝在面對基板的導引件與基板之間的空間注入來源氣體；透過腔室的排氣口執行排氣；透過注入單元以平行基板的表面的方向，注入反應氣體至腔室中；以及透過腔室的排氣口執行排氣。
薄膜的形成可包含在第二電極上形成封裝層。
薄膜的形成可包含形成絕緣層。
薄膜的形成可包含形成導電層。
下文中，本發明之實施例現在將參照附圖來描述。
第1圖係為根據本發明之一實施例之氣相沉積裝置100之剖面示意圖。
參照第1圖，氣相沉積裝置100包含腔室110、平台120、注入單元130、導引件140、第一驅動單元151與第二驅動單元152。
腔室110在其下部包含一排氣口 (例如洞) 111。排氣口111是排放氣體的出口，且可連接至泵浦以便輕易地執行排氣製程。
雖然未顯示在第1圖中，腔室110是藉由泵浦控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室110裡面的加熱單元(未顯示)可設置在腔室110的內部或外部以便改善薄膜沉積製程的效率。
平台120設置在腔室110中。平台120包含安裝表面121。安裝表面121是以平行重力作用的方向設置。也就是，安裝表面121是垂直於地面設置。要做到這一點，平台120是垂直於地面設置。
基板101設置在平台120上。更詳細地，基板101是安裝在平台120的安裝表面121上。
固定單元(未顯示)可設置在安裝表面121上使得基板101可在安裝至安裝表面121上之後被固定。固定單元(未顯示)可為夾板、壓縮單元、黏合材料或其他適合的材料或元件。
導引件140是設置以面對基板101。因此，空間(例如空隙)G形成在基板101與導引件140之間。導引件140可與基板101平行設置。此外，導引件140是形成為具有等於或大於基板101尺寸的尺寸之平板。
第一驅動單元151與第二驅動單元152連接至平台120與導引件140。更詳細地，第一驅動單元151連接至平台120，而第二驅動單元152連接至導引件140。在第1圖中，第一驅動單元151與第二驅動單元152是彼此分開形成的，然而，本發明並不限於此。也就是，合併或同時移動平台120與導引件140兩者的驅動單元可被使用。
第一驅動單元151以第1圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送平台120。也就是，第一驅動單元151以第1圖的X軸方向輸送平台120。因此，基板101可以垂直於基板101的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
此外，第二驅動單元152以第1圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送導引件140。也就是，第二驅動單元152以第1圖的X軸方向輸送導引件140。因此，導引件140可以垂直於基板101的表面，也就是在將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
第一驅動單元151與第二驅動單元152被控制以維持在基板101與導引件140之間的空間G。
注入單元130連接至腔室110。一或更多氣體透過注入單元130朝基板101注入。更詳細地，注入單元130包含第一注入口(例如洞)131、第二注入口132、第三注入口133、第四注入口134、第五注入口135及第六注入口136。
此外，第一注入口131至第六注入口136是沿著基板101的移動方向而排列。也就是，第一注入口131至第六注入口136是以第1圖的X軸方向排列且彼此分離。
此外，第一注入口131至第六注入口136可被形成以具有不同的形狀，舉例來說，可形成為對應於基板101之寬度的點或線。
氣體是以平行基板101的表面方向透過第一注入口131至第六注入口136注入腔室110。也就是，氣體是以平行重力作用的方向透過第一注入口131至第六注入口136注入。
更詳細地，來源氣體S是透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135注入，而反應氣體是透過第二注入口132、第四注入口134及第六注入口136注入。
當來源氣體S正在透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135注入時，反應氣體未透過第二注入口132、第四注入口134及第六注入口136注入。在透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135注入來源氣體S之後，反應氣體透過第二注入口132、第四注入口134及第六注入口136注入。
此外，來源氣體S可透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135依序地、合併地或同時地注入。同樣地，反應氣體可透過第二注入口132、第四注入口134及第六注入口136依序地、合併地或同時地注入。
然而，本發明並不限於上述例子。也就是，來源氣體S與反應氣體可透過注入單元130的同一注入口注入。舉例來說，注入單元130可僅包含第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135，而來源氣體S透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135依序地注入，然後反應氣體可透過第一注入口131、第三注入口133及第五注入口135注入。
雖然沒有在第1圖中顯示，第一注入口131至第六注入口136可以規則間距彼此分離。也就是，在注入來源氣體S之後，反應氣體可在藉由使用驅動單元151與152移動基板101之後注入。
此外，如第1圖所示，六個注入口形成在注入單元130中；然而，本發明並不限於此，也就是，二或更多注入口可形成在注入單元130中。
現在將描述根據本實施例之氣相沉積裝置100的操作。
基板101安裝在平台120的安裝表面121上。在那之後，來源氣體S透過注入單元130的第一注入口131注入。此處，來源氣體S朝向在基板101與導引件140之間的空間注入。
更詳細地，來源氣體S可包含鋁(Al)原子。
來源氣體S被吸附在基板101的上表面上(例如在面對平台120之表面的對面之表面)。在那之後，排氣製程透過排氣口111執行，然後由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板101的上表面上。也就是，形成單層或多層的鋁原子。
在那之後，反應氣體透過注入單元130的第二注入口132注入。如上所述，當注入口131至136是以規則間距排列時，在透過第一注入口131注入來源氣體S之後，平台120與導引件140藉由使用驅動單元151與152以第1圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動，使得反應氣體可透過第二注入口132注入。
反應氣體可朝向在基板101與導引件140之間的空間G注入。更詳細地，反應氣體可包含氧(O)原子。反應氣體被吸附在基板101的上表面上。然後，排氣製程透過排氣口111執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板101的上表面上。也就是，形成單層或多層的氧原子。
因此，由來源氣體S及反應氣體成分形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板101的上表面上。也就是，形成氧化鋁層(AlxOy，其x與y可根據加工條件而變化)。在本實施例中，形成氧化鋁層；然而，本發明並不限於此。也就是，本發明的實施例可應用於形成包含氧化層之各種絕緣層與導電層的製程。
在那之後，平台120與導引件140藉由使用第一驅動單元151與第二驅動單元152以第1圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。因此，在基板101與導引件140之間的空間G可被維持。
來源氣體S透過注入單元130的第三注入口133而朝向在基板101與導引件140之間的空間G注入。來源氣體S被吸附在基板101的上表面上。在那之後，排氣製程藉由使用排氣口111執行，然後，由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板101的上表面上。
反應氣體可透過注入單元130的第四注入口134而朝向在基板101與導引件140之間的空間G注入。反應氣體被吸附在基板101的上表面上。然後，排氣製程透過排氣口111執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板101的上表面上。
因此，包含來源氣體S及反應氣體成分的單層原子層或多層原子層額外地形成在透過第一注入口131與第二注入口132形成在基板101的上表面上之薄膜上。
在那之後，平台120與導引件140藉由使用第一驅動單元151與第二驅動單元152以第1圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。
來源氣體S與反應氣體透過第五注入口135與第六注入口136朝向在基板101與導引件140之間的空間G注入，使得另外的薄膜可形成在基板101上，像是透過第一注入口131與第二注入口132所形成的薄膜。
透過上述製程，期望厚度的薄膜可輕易地形成在一腔室110中的基板101上。也就是，平台120與導引件140的移動距離可根據薄膜的期望厚度而被控制。
根據本實施例，氣體以平行基板101的上表面的方向自注入單元130注入。尤其是，基板101以垂直地面的方向設置，也就是重力作用的方向。因此，當氣體透過注入單元130注入且吸附在基板101上時，在基板101上之不必要的吸附量可被減少。也就是，在基板101上之不必要的吸附成分及其它不均勻地結塊成分由於重力而落下，因此減少不必要的量。此外，不必要的氣體成分可輕易地藉由排氣製程透過設置在基板101之下部的排氣口111移除。因此，在透過注入單元130的第一注入口131注入來源氣體S之後，不需使用額外的清除氣體執行清除製程就能夠執行排氣製程。在那之後，反應氣體透過第二注入口132注入，不需使用額外的清除氣體執行清除製程就能夠執行排氣製程，然後，沉積製程完成。
此外，根據本實施例，導引件140係設置以面對基板101。因此，不純物可被導引件140阻擋。舉例來說，當來源氣體S透過第三注入口133注入時，在先前的製程中在基板101上形成薄膜之後殘留在透過第一注入口131與第二注入口132注入的來源氣體或反應氣體之中剩餘的不純物氣體可能不會完全地透過排氣口111排出。在這種情況下，藉由使用透過第三注入口133注入的來源氣體S形成薄膜的製程受到不純物氣體的影響，因而降低形成在基板101上之薄膜的特性。然而，根據本實施例，空間G是形成在基板101與導引件140之間，且來源氣體S透過第三注入口133而朝向該空間注入，使得導引件140可防止或阻擋不純物以遠離基板101。
此外，透過第三注入口133注入的來源氣體S不是分散的，而是有效率地吸附在基板101與導引件140之間的基板101上，因而改善薄膜沉積效率。
因此，用以形成期望薄膜之沉積製程的效率可大大改善。此外，不必要氣體成分的吸附可被減少或被防止，且進入形成在基板101上的薄膜之清除氣體不純物的混合物可被減少或被防止。因此，薄膜可均勻地形成，且具有極好的物理與化學特性。
此外，根據本實施例，當藉由使用驅動單元151與152移動平台120與導引件140時執行沉積製程。同樣地，沉積製程可透過第一注入口131至第六注入口136依序地執行，因此，用以形成期望厚度的薄膜所需的時間可大大減少且改善沉積製程的便利。
第2圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置200之剖面示意圖，以及第3圖係為從第2圖的A方向所見之氣相沉積裝置之圖。
參照第2圖與第3圖，氣相沉積裝置200包含腔室210、平台220、注入單元230、導引件240、第一驅動單元251與第二驅動單元252以及遮罩260。
腔室210在其下部包含一排氣口211。排氣口211是排放氣體的出口，且可連接至泵浦以便輕易地執行排氣製程。
雖然未顯示在第2圖與第3圖中，腔室210是藉由泵浦控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室210裡面的加熱單元(未顯示)可設置在腔室210的內部或外部以改善薄膜沉積製程的效率。
平台220設置在腔室210中。平台220包含安裝表面221。安裝表面221是以平行重力作用的方向設置。也就是，安裝表面221是垂直於地面設置。要做到這一點，平台220是垂直於地面設置。
基板201設置在平台220上。更詳細地，基板201是安裝在平台220的安裝表面221上。
固定單元(未顯示)可設置在安裝表面221上使得基板201可在安裝至安裝表面221上之後被固定。固定單元(未顯示)可為夾板、壓縮單元、黏合材料或其他材料。
遮罩260設置在基板201上。參照第3圖，遮罩260包含具有適當形狀(例如一預定形狀)的遮罩口260a，其在第3圖中是矩形，但不限於此。遮罩口260a對應於將被形成在基板201上之薄膜的圖案。
第3圖顯示六個遮罩口260a；然而，本發明並不限於此。也就是，遮罩口260a的數量與形狀可根據想在基板201上形成之圖案的數量決定。舉例來說，遮罩260可為具有一遮罩口260a的開口遮罩(open mask)。
導引件240是設置以面對基板201。因此，空間G形成在基板201與導引件240之間。導引件240可平行基板201設置。此外，導引件240是形成為具有等於或大於基板201尺寸的尺寸之平板。
第一驅動單元251與第二驅動單元252連接至平台220與導引件240。更詳細地，第一驅動單元251連接至平台220，而第二驅動單元252連接至導引件240。
第一驅動單元251以第2圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送平台220。也就是，第一驅動單元251以第2圖的X軸方向輸送平台220。因此，基板201可以垂直於基板201的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
此外，第二驅動單元252以第2圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送導引件240。也就是，第二驅動單元252以第2圖的X軸方向輸送導引件240。因此，導引件240可以垂直於基板201的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
第一驅動單元251與第二驅動單元252被控制以維持在基板201與導引件240之間的空間G。
注入單元230連接至腔室210。一或更多氣體透過注入單元230朝基板201注入。更詳細地，注入單元230包含第一注入口231、第二注入口232、第三注入口233、第四注入口234、第五注入口235及第六注入口236。
此外，第一注入口231至第六注入口236是沿著基板201的移動方向而排列。也就是，第一注入口231至第六注入口236是以第2圖的X軸方向排列且彼此分離。
此外，第一注入口231至第六注入口236可被形成以具有不同的形狀，舉例來說，可形成為對應於基板201之寬度的點或線。
氣體是以平行基板201的表面方向透過第一注入口231至第六注入口236注入腔室210。也就是，氣體是以平行重力作用的方向透過第一注入口231至第六注入口236注入。
更詳細地，來源氣體S是透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235注入，而反應氣體是透過第二注入口232、第四注入口234及第六注入口236注入。
當來源氣體S透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235注入時，反應氣體未透過第二注入口232、第四注入口234及第六注入口236注入。在透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235注入來源氣體S之後，反應氣體透過第二注入口232、第四注入口234及第六注入口236注入。
此外，來源氣體S可透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235依序地、合併地或同時地注入。同樣地，反應氣體可透過第二注入口232、第四注入口234及第六注入口236依序地、合併地或同時地注入。
然而，本發明並不限於上述例子。也就是，來源氣體S與反應氣體可透過注入單元230的同一注入口注入。舉例來說，注入單元230可僅包含第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235，而來源氣體S透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235依序地注入，然後反應氣體可透過第一注入口231、第三注入口233及第五注入口235注入。
雖然沒有在第2圖中顯示，第一注入口231至第六注入口236可以規則間距彼此分離。也就是，在注入來源氣體S之後，反應氣體可在藉由使用驅動單元251與252移動基板201之後注入。
現在將描述根據本實施例之氣相沉積裝置200的操作。
基板201安裝在平台220的安裝表面221上。具有對應於將形成在基板201上之薄膜圖案之開口260a的遮罩260係設置在基板201上。
在那之後，來源氣體S透過注入單元230的第一注入口231注入。此處，來源氣體S朝向在基板201與導引件240之間的空間G注入。
來源氣體S被吸附在基板201的上表面上。尤其是，來源氣體S被吸附在基板201之上表面的一部分上，係對應於遮罩260的開口260a。
在那之後，排氣製程透過排氣口211執行，然後由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板201的上表面上。
在那之後，反應氣體透過注入單元230的第二注入口232注入。此處，反應氣體是朝向在基板201與導引件240之間的空間G注入。反應氣體是吸附在基板201的上表面上，尤其是在對應於遮罩260的開口260a的部分。
然後，排氣製程透過排氣口211執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板201的上表面上。
因此，由來源氣體S與反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層是形成在基板201的上表面上以便對應到遮罩260的開口260a。
在那之後，平台220與導引件240藉由使用第一驅動單元251與第二驅動單元252以第2圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。在移動平台220與導引件240之後，在基板201與導引件240之間的空間G可被維持。
來源氣體S透過注入單元230的第三注入口233而朝向在基板201與導引件240之間的空間G注入。來源氣體S被吸附在基板201的上表面上，尤其是在對應於遮罩260的開口260a的部分。然後，排氣製程透過排氣口211執行，以及包含來源氣體S之單層原子層或多層原子層形成在基板201的上表面上。
然後，反應氣體透過注入單元230的第四注入口234而朝向在基板201與導引件240之間的空間G注入。反應氣體被吸附在基板201的上表面的部分上，係對應於遮罩260的開口260a。在那之後，排氣製程透過排氣口211執行，然後，具有反應氣體之單層結構或多層結構的原子層形成在基板201的上表面上。
因此，包含來源氣體S及反應氣體成分的單層原子層或多層原子層額外地形成在透過第一注入口231與第二注入口232形成在基板201的上表面上之薄膜上。
在那之後，平台220與導引件240藉由使用第一驅動單元251與第二驅動單元252以第2圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。
來源氣體S與反應氣體透過第五注入口235與第六注入口236朝向在基板201與導引件240之間的空間G注入，使得另外的薄膜可形成在基板201上，像是透過第一注入口231與第二注入口232所形成的薄膜。
透過上述製程，期望厚度的薄膜可輕易地形成在一腔室210中的基板201上。也就是，平台220與導引件240的移動距離可根據薄膜的期望厚度而被控制。
在本實施例中，遮罩260設置在基板201上以便輕易地在基板201上形成期望圖案的薄膜。
根據本實施例，氣體以平行基板201的上表面的方向自注入單元230注入。尤其是，基板201以垂直地面的方向設置，也就是重力作用的方向。因此，當氣體透過注入單元230注入且吸附在基板201上時，在基板201上之不必要的吸附量可被減少。也就是，在基板201上之不必要的吸附成分及其它不均勻地結塊成分由於重力而落下，因此減少不必要的量。此外，不必要的氣體成分可輕易地藉由排氣製程透過設置在基板201之下部的排氣口211移除。因此，在透過注入單元230的第一注入口231注入來源氣體S之後，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程。在那之後，反應氣體透過第二注入口232注入，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程，然後，沉積製程完成。
此外，根據本實施例，導引件240係設置以面對基板201。因此，不純物可被導引件240阻擋。此外，透過注入單元230注入的來源氣體S不是分散的，而是有效率地吸附在基板201與導引件240之間的基板201上，因而改善薄膜沉積效率。
因此，用以形成期望薄膜之沉積製程的效率可大大改善。此外，不必要氣體成分的吸附可被減少或被防止，且進入形成在基板201上的薄膜之清除氣體不純物的混合物可被減少或被防止。因此，薄膜可均勻地形成，且具有極好的物理與化學特性。
此外，根據本實施例，當藉由使用驅動單元251與252移動平台220與導引件240時執行沉積製程。因此，用以形成期望厚度的薄膜所花的時間可大大減少且改善沉積製程的便利。
第4圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置300之前視圖。第5圖係為第4圖所示之基板及導引件之透視示意圖，而第6圖係為沿著第5圖之VI-VI線所截取之基板及導引件之剖面圖。
氣相沉積裝置300包含腔室310、平台320、注入單元330、導引件340、以及第一驅動單元351與第二驅動單元352。
腔室310在其下部包含一排氣口311。排氣口311是排放氣體的出口，且可連接至泵浦以便輕易地執行排氣製程。
雖然未顯示在第4圖中，腔室310是藉由泵浦控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室310裡面的加熱單元(未顯示)可設置在腔室310的內部或外部以便改善薄膜沉積製程的效率。
平台320設置在腔室310中。平台320包含安裝表面321。安裝表面321是以平行重力施加的方向設置。也就是，安裝表面221是垂直於地面設置。要做到這一點，平台320是垂直於地面設置。
基板301設置在平台320上。更詳細地，基板301是安裝在平台320的安裝表面321上。
固定單元(未顯示)可設置在安裝表面321上使得基板301可在安裝至安裝表面321上之後被固定。固定單元(未顯示)可為夾板、壓縮單元、黏合材料或其他材料。
導引件340是設置以面對基板301。因此，空間G形成在基板301與導引件340之間。導引件340可平行基板301設置。
此外，導引件340是形成而具有等於或大於基板301尺寸的尺寸以便對應於基板301。
導引件340具有一面對基板301之不規則表面。也就是，導引件340包含面對基板301的凸部341與凹部342。凹部342設置在兩相鄰的凸部341之間。此外，凸部341與凹部342是沿著重力作用的方向自上部朝向下部延伸。
第一驅動單元351與第二驅動單元352連接至平台320與導引件340。更詳細地，第一驅動單元351連接至平台320，而第二驅動單元352連接至導引件340。
第一驅動單元351以第4圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送平台320。也就是，第一驅動單元351以第4圖的X軸方向輸送平台320。因此，基板301可以垂直於基板301的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
此外，第二驅動單元352以第4圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送導引件340。也就是，第二驅動單元352以第4圖的X軸方向輸送導引件340。因此，導引件340可以垂直於基板301的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。
第一驅動單元351與第二驅動單元352被控制以維持在基板301與導引件340之間的空間G。
注入單元330連接至腔室310。一或更多氣體透過注入單元330朝基板301注入。更詳細地，注入單元330包含第一注入口331、第二注入口332、第三注入口333、第四注入口334、第五注入口335及第六注入口336。
此外，第一注入口331至第六注入口336是沿著基板301的移動方向而排列。也就是，第一注入口331至第六注入口336是以第4圖的X軸方向排列且彼此分離。
此外，第一注入口331至第六注入口336可被形成以具有不同的形狀，舉例來說，可形成為對應於基板301之寬度的點或線。也就是，在第5圖中，第一注入口331是形成為線；然而，本發明並不限於此，也就是，第一注入口331可形成為點。
氣體是以平行基板301的表面方向透過第一注入口331至第六注入口336注入腔室310。也就是，氣體是以平行重力作用的方向透過第一注入口331至第六注入口336注入。
更詳細地，來源氣體S是透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335注入，而反應氣體是透過第二注入口332、第四注入口334及第六注入口336注入。
當來源氣體S透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335注入時，反應氣體未透過第二注入口332、第四注入口334及第六注入口336注入。在透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335注入來源氣體S之後，反應氣體透過第二注入口332、第四注入口334及第六注入口336注入。
此外，來源氣體S可透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335依序地、合併地或同時地注入。同樣地，反應氣體可透過第二注入口332、第四注入口334及第六注入口336依序地、合併地或同時地注入。
然而，本發明並不限於上述例子。也就是，來源氣體S與反應氣體可透過注入單元330的同一注入口注入。舉例來說，注入單元330可僅包含第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335，而來源氣體S透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335依序地注入，然後反應氣體可透過第一注入口331、第三注入口333及第五注入口335注入。
雖然沒有在圖中顯示，第一注入口331至第六注入口336可以規則間距彼此分離。也就是，在注入來源氣體S之後，反應氣體可在藉由使用驅動單元351與352移動基板301之後注入。
現在將描述根據本實施例之氣相沉積裝置300的操作。
基板301安裝在平台320的安裝表面321上。在那之後，來源氣體S透過注入單元330的第一注入口331注入。此處，來源氣體S朝向在基板301與導引件340之間的空間G注入。
來源氣體S被吸附在基板301的上表面上。在那之後，排氣製程透過排氣口311執行，然後由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板301的上表面上。
在那之後，反應氣體透過注入單元330的第二注入口332注入。此處，反應氣體是朝向在基板301與導引件340之間的空間G注入。
反應氣體吸附在基板301的上表面上。然後，排氣製程透過排氣口311執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板301的上表面上。也就是，單層或多層的氧原子形成在基板301上。
透過上述製程，由來源氣體S及反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板301的上表面上。
在那之後，平台320與導引件340藉由使用第一驅動單元351與第二驅動單元352以第4圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。在移動平台320與導引件340之後，在基板301與導引件340之間的空間G可被維持。
來源氣體S與反應氣體透過注入單元330的第三注入口333與第四注入口334朝向在基板301與導引件340之間的空間G注入，以便形成另外的薄膜在基板301上，像是藉由使用第一注入口331與第二注入口332所形成的薄膜。
在那之後，平台320與導引件340藉由使用第一驅動單元351與第二驅動單元352以第4圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。來源氣體S與反應氣體透過注入單元330的第五注入口335與第六注入口336朝向在基板301與導引件340之間的空間G注入，以便形成另外的薄膜在基板301上，像是藉由使用第一注入口331與第二注入口332所形成的薄膜。
透過上述製程，期望厚度的薄膜可輕易地形成在一腔室310中的基板301上。
根據本實施例，氣體以平行基板301的上表面的方向自注入單元330注入。尤其是，基板301以垂直地面的方向設置，也就是重力作用的方向。因此，當氣體透過注入單元330注入且吸附在基板301上時，在基板301上之不必要的吸附量可被減少。因此，在透過注入單元330的第一注入口331注入來源氣體S之後，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程。在那之後，反應氣體透過第二注入口332注入，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程，然後，沉積製程完成。
此外，不必要氣體成分的吸附可被防止，且進入形成在基板301上的薄膜之清除氣體不純物的混合物可被防止。因此，薄膜可均勻地形成，且具有極好的物理與化學特性。
此外，根據本實施例，導引件340係設置以面對基板301。因此，不純物可被導引件340阻擋。此外，透過注入單元330注入的來源氣體S不是分散的，而是有效率地吸附在基板301與導引件340之間的基板301上，因而改善薄膜沉積效率。舉例來說，當來源氣體S透過第三注入口333注入時，在先前的製程中在基板301上形成薄膜之後殘留在透過第一注入口331與第二注入口332注入的來源氣體或反應氣體之中剩餘的不純物氣體可能不會完全地透過排氣口311排出。在這種情況下，藉由使用透過第三注入口333注入的來源氣體S形成薄膜的製程受到不純物氣體的影響，因而降低形成在基板301上之薄膜的特性。然而，根據本實施例，空間G是形成在基板301與導引件340之間，且來源氣體S是透過第三注入口333而朝向該空間注入，使得導引件340可防止或阻擋不純物以遠離基板301。
此外，透過第三注入口333注入的來源氣體S不是分散的，而是有效率地吸附在基板301與導引件340之間的基板301上，因而改善薄膜沉積效率。
此外，本實施例之導引件340進一步包含具有凸部341與凹部342且面對基板301的不規則表面。更詳細地，凸部341與凹部342是以重力作用的方向，也就是，縱向延長。凸部341與凹部342構成一路徑，在其中由注入單元330注入的氣體可繼續朝向基板301而沒有被分散。也就是，在第5圖與第6圖中，凸部341與凹部342使注入的氣體以Z軸方向向下直線移動而不會過度分散在Y軸方向，使得在注入的氣體與基板301之間的反應效率可被改善。
因此，用以形成期望厚度的薄膜之沉積製程的效率是大大改善，且因而改善薄膜特性。
此外，根據本實施例，在藉由使用驅動單元351與352移動平台320與導引件340時，依序地執行沉積製程。因此，藉由透過第一注入口331至第六注入口336依序地執行沉積製程，用以形成期望厚度的薄膜所花的時間可大大減少且改善沉積製程的便利。
第7圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置400之剖面示意圖，第8圖係為第7圖所示之導引件460之投影透視圖，以及第9圖係為沿著第8圖之IX-IX線所截取之導引件之剖面圖。
參照第7圖至第9圖，氣相沉積裝置400包含腔室410、平台420、注入單元430、導引件460及驅動單元451。
腔室410在其下部包含一排氣口411。排氣口411是排放氣體的出口，且可連接至泵浦以便輕易地執行排氣製程。
雖然未顯示在第7圖至第9圖中，腔室410藉由泵浦控制以維持適當的壓力(例如一預定壓力)。此外，用以加熱腔室410裡面的加熱單元(未顯示)可設置在腔室410的內部或外部以改善薄膜沉積製程的效率。
平台420設置在腔室410中。平台420包含安裝表面421。安裝表面421是以平行重力施加的方向設置。也就是，安裝表面421是垂直於地面設置。要做到這一點，平台420是垂直於地面設置。
基板401設置在平台420上。更詳細地，基板40是安裝在平台420的安裝表面421上。
固定單元(未顯示)可設置在安裝表面421上使得基板401可在安裝至安裝表面421上之後被固定。固定單元(未顯示)可為夾板、壓縮單元、黏合材料或其他適合的材料或元件。
導引件460是設置以面對基板401。導引件460可與平台420耦合。也就是，導引件460的邊緣可與平台420耦合。
導引件460設置在基板401上。此外，導引件460具有等於或大於基板401尺寸的尺寸以便對應於基板401。
導引件460包含自注入單元430注入的氣體可通過的路徑461。路徑461包含第一貫穿部(例如一通道)461a與第二貫穿部461c。更詳細地，第一貫穿部461a形成在導引件460的上端上，而第二貫穿部461c形成在導引件460的下端上。一連接貫穿部461b是形成在第一貫穿部461a與第二貫穿部461c之間。
此外，導引件460包含形成為適當形狀(例如一預定形狀)的空間G。空間G可為藉由移除導引件460的表面至一適當深度(例如一預定深度)而形成的溝槽。空間G具有對應於將形成在基板401上之薄膜圖案的形狀。此外，空間G接觸基板401的上表面。
也就是，空間G是形成在基板401與導引件460之間。透過路徑461注入的氣體在空間G與基板401反應。
尤其是，導引件460包含設置在空間G上的外罩462以使空間G不會曝露至外罩462外。在第8圖與第9圖中，外罩462是形成為導引件460的一部分；然而，本發明並不限於此。也就是，外罩462可與導引件460個別地形成。
第8圖顯示六個空間G；然而，本發明並不限於此。也就是，空間G的數量與形狀可根據待形成於基板401上之圖案的數量而決定。舉例來說，導引件460可形成為具有一空間G的開口遮罩。
空間G連接至路徑461。因此，氣體透過注入單元430注入空間G以便形成具有相對應於空間G之圖案的薄膜。
第一貫穿部461a與第二貫穿部461c可被形成為具有不同形狀。也就是，如第8圖所示，第一貫穿部461a與第二貫穿部461c可被延長以對應於空間G，或可包含複數個貫穿口。上述兩者形狀是顯示在第8圖中；然而，本發明並不限於此。也就是，第一貫穿部461a與第二貫穿部461c可被形成為僅具有一種形狀。
驅動單元451連接至平台420。驅動單元451以第7圖所示之箭頭M表示的方向，或箭頭M表示的方向之相反方向輸送平台420。也就是，驅動單元451以第7圖的X軸方向輸送平台420。因此，基板401可以垂直於基板401的表面，也就是，將形成薄膜於其上的表面的方向移動。因此，導引件460與平台420是合併地或同時地移動。
注入單元430連接至腔室410。一或更多氣體透過注入單元430朝基板401注入。更詳細地，注入單元430包含第一注入口431、第二注入口432、第三注入口433、第四注入口434、第五注入口435及第六注入口436。
此外，第一注入口431至第六注入口436是沿著基板401的移動方向而排列。也就是，第一注入口431至第六注入口436是以第7圖的X軸方向排列且彼此分離。
此外，第一注入口431至第六注入口436可被形成以具有不同的形狀，舉例來說，可形成為對應於基板401之寬度的點或線。也就是，在第8圖中，第一注入口431形成為線；然而，本發明並不限於此，也就是，第一注入口431可形成為點。
氣體是以平行基板401的表面方向透過第一注入口431至第六注入口436注入腔室410。也就是，氣體是以平行重力作用的方向透過第一注入口431至第六注入口436注入。
更詳細地，來源氣體S是透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435注入，而反應氣體是透過第二注入口432、第四注入口434及第六注入口436注入。
當來源氣體S透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435注入時，反應氣體未透過第二注入口432、第四注入口434及第六注入口436注入。在透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435注入來源氣體S之後，反應氣體透過第二注入口432、第四注入口434及第六注入口436注入。
此外，來源氣體S可透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435依序地或同時地注入。同樣地，反應氣體可透過第二注入口432、第四注入口434及第六注入口436依序地或同時地注入。
然而，本發明並不限於上述例子。也就是，來源氣體S與反應氣體可透過注入單元430的同一注入口注入。舉例來說，注入單元430可包含第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435，而來源氣體S透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435依序地注入，然後反應氣體可透過第一注入口431、第三注入口433及第五注入口435注入。
雖然沒有顯示在圖中，第一注入口431至第六注入口436可以規則間距彼此分離。也就是，在注入來源氣體S之後，反應氣體可在藉由使用驅動單元451移動基板401之後注入。
現在將描述根據本實施例之氣相沉積裝置400的操作。
基板401安裝在平台420的安裝表面421上。具有相對應於待形成於基板401上之薄膜圖案的空間G之導引件460設置在基板401上。
在那之後，來源氣體S透過注入單元430的第一注入口431注入。此處，來源氣體S朝向在基板401與導引件460之間的空間G注入。更詳細地，來源氣體S是透過第一貫穿部461a注入以繼續在路徑461上進行。
來源氣體S被吸附在基板401的上表面上，尤其是相對於空間G的部分。
在那之後，排氣製程透過排氣口411執行，然後由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板401的上表面上。
此外，反應氣體透過注入單元430的第二注入口432注入。此處，反應氣體是朝在基板401與導引件460之間的空間G注入。更詳細地，反應氣體是透過第一貫穿部461a注入以繼續在路徑461上進行。
反應氣體被吸附在基板401的上表面上，尤其是在相對於空間G的部分上。
然後，排氣製程透過排氣口411執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板401的上表面上。
透過上述製程，由來源氣體S與反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板401的上表面。
在那之後，平台420與導引件460藉由使用驅動單元451以第7圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。在移動平台420與導引件460之後，在基板401與導引件460之間的空間G可被維持。
來源氣體S與反應氣體透過注入單元430的第三注入口433朝向在基板401與導引件460之間的空間G注入。更詳細地，來源氣體S透過第一貫穿部461a注入以繼續在路徑461上進行。
來源氣體S被吸附在基板401的上表面上，尤其是對應於空間G的部分。在那之後，排氣製程透過排氣口411執行，然後由來源氣體S形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板401的上表面上。
在那之後，反應氣體透過注入單元430的第四注入口434朝向在基板401與導引件460之間的空間G注入。更詳細地，反應氣體透過第一貫穿部461a注入以繼續在路徑461上進行。
反應氣體被吸附在基板401的上表面上，尤其是對應於空間G的部分。然後，排氣製程透過排氣口411執行，接著由反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層形成在基板401的上表面上。
透過上述製程，由來源氣體S與反應氣體形成之單層結構或多層結構的原子層額外地在基板401的上表面上形成在藉由透過第一注入口431與第二注入口432注入的氣體所形成的薄膜上。
在那之後，平台420與導引件460藉由使用驅動單元451以第7圖的X軸方向，也就是，箭頭M表示的方向移動。
來源氣體S與反應氣體透過注入單元430的第五注入口435與第六注入口436朝向在基板401與導引件460之間的空間G注入以便另外的薄膜可形成在基板401上，像是藉由使用第一注入口431與第二注入口432所形成的薄膜。
透過上述製程，期望厚度的薄膜可輕易地形成在一腔室410中的基板401上。也就是，平台420與導引件460的移動距離可根據薄膜的期望厚度而控制。
根據本實施例，氣體以平行基板401的上表面的方向自注入單元430注入。尤其是，基板401以垂直地面的方向設置，也就是，重力作用的方向。因此，當氣體透過注入單元430注入且吸附在基板401上時，在基板401上之不必要的吸附量可被減少。因此，在透過注入單元430的第一注入口431注入來源氣體S之後，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程。在那之後，反應氣體透過第二注入口432注入，不需執行使用額外的清除氣體之清除製程就能夠執行排氣製程，然後，沉積製程完成。
尤其是，根據本實施例，導引件460係設置以面對基板401。因此，不純物可被導引件460阻擋。此外，透過注入單元430注入的來源氣體S不是分散的，而是有效率地吸附在基板401與導引件460之間的基板401上，因而減少或改善薄膜沉積效率。
此外，自注入單元430注入的氣體穿過在導引件460中之路徑461的第一貫穿部461a，且氣體在連接至路徑461的空間G中與基板401反應。然後，氣體透過第二貫穿部461c自導引件460排出，且在那之後，氣體透過排氣口411排出，因而防止不純物干擾薄膜沉積製程。
此外，具有對應於期望的薄膜圖案之空間G的導引件460設置在基板401上，因此期望的圖案可輕易地形成。
因此，用以形成期望圖案的薄膜之薄膜沉積製程的效率是大大改善。此外，不必要氣體成分的吸附可被減少或被防止，且進入形成在基板401上的薄膜之清除氣體不純物的混合物可被減少或被防止。因此，薄膜可均勻地形成，且具有極好的物理與化學特性。
此外，根據本實施例，在藉由使用驅動單元451移動平台420與導引件460時，依序地執行沉積製程。因此，用以形成期望厚度的薄膜所花的時間可大大減少且改善沉積製程的便利。
第10圖係為根據本發明之一實施例之藉由有機發光顯示裝置製造方法所製得之有機發光顯示裝置10之剖面示意圖。更詳細地，第10圖的有機發光顯示裝置10是藉由使用根據本發明之一實施例的氣相沉積裝置100、200、300或400所製造。
參照第10圖，有機發光顯示裝置10形成在基板30上。基板30可由玻璃材料、塑膠材料或金屬材料所形成。在基板30的上部上形成平面且包含用以防止溼氣與不純物滲入基板30的緩衝層31是形成在基板30上。
薄膜電晶體(TFT)40、電容50以及有機發光元件60形成在緩衝層31上。薄膜電晶體40包含主動層41、閘極電極42以及源極/汲極電極43。有機發光元件60包含第一電極61、第二電極62以及中間層63。
更詳細地，具有適當圖案(例如一預定圖案)的主動層41形成在緩衝層31上。主動層41可為p型或n型半導體。閘極絕緣層32是形成在主動層41上。閘極電極42形成在閘極絕緣層32以對應於主動層41。層間介電質33是形成以覆蓋閘極電極42。源極/汲極電極43形成在層間介電質33上以便接觸主動層41的適當區域(例如一預定區域)。鈍化層34是形成以覆蓋源極/汲極電極43，而絕緣層可另外形成在鈍化層34上以平坦化鈍化層34。
第一電極61形成在鈍化層34上。第一電極61電性連接至汲極電極43。此外，像素定義層35是形成以覆蓋第一電極61。一固定或預定開口64形成在像素定義層35中，且包含有機發射層的中間層63是形成在藉由開口64定義的部分上。第二電極62形成在中間層63上。
封裝層70形成在第二電極62上。封裝層70可包含有機或無機材料，或可包含交替堆疊的有機及無機材料。
封裝層70可藉由使用氣相沉積裝置100、200、300或400而形成。也就是，第二電極62形成於其上之基板30被輸送至腔室，且執行氣相沉積製程以形成封裝層70。
然而，本發明並不限於此。也就是，有機發光顯示裝置10的其他絕緣層，像是緩衝層31、閘極絕緣層32、層間介電質33、鈍化層34及像素定義層35可藉由使用根據本發明之實施例的氣相沉積裝置而形成。
並且，各種導電薄膜，像是主動層、閘極電極42、源極/汲極電極43、第一電極61、中間層63及第二電極62可藉由使用根據本發明之實施例的氣相沉積裝置而形成。
根據本發明之實施例的氣相沉積裝置、氣相沉積方法及製造有機發光顯示裝置的方法，沉積製程可有效率地執行且所形成之薄膜的特性可被改善。
雖然本發明已參照其例示性實施例而特別地顯示與描述，那些熟知該技術領域者將理解的是，可在未脫離下述專利申請範圍及其均等物所定義之本發明的精神與範疇之下做各種形式或內容的改變。
10．．．有機發光顯示裝置
30．．．基板
31．．．緩衝層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間介電質
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
40．．．薄膜電晶體
41．．．主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
50．．．電容
60．．．有機發光元
61．．．第一電極
62．．．第二電極6
63．．．中間層
64．．．開口
70．．．封裝層
100、200、300、400．．．氣相沉積裝置
101、201、301、401．．．基板
110、210、310、410．．．腔室
111、211、311、411．．．排氣口
120、220、320、420．．．平台
121、221、321、421．．．安裝表面
130、230、330、430．．．注入單元
131、231、331、431．．．第一注入口
132、232、332、432．．．第二注入口1
133、233、333、433．．．第三注入口
134、234、33﹑4、434．．．第四注入口1
135、235、335、435．．．第五注入口
136、236、336、436．．．第六注入口
140、240、340、460．．．導引件
151、251、351．．．第一驅動單元
152、252、352．．．第二驅動單元
260．．．遮罩
260a．．．遮罩口
341．．．凸部
342．．．凹部
451．．．驅動單元
461．．．路徑
461a．．．第一貫穿部
461b．．．連接貫穿部
461c．．．第二貫穿部
462．．．外罩
A、M．．．方向
G．．．空間
IX-IX、VI-VI．．．截取線
以及
S．．．來源氣體
本發明的上述及其他特性及觀點藉由詳細描述其例示性實施例並參照附圖將變得更加明白，其中：
第1圖係為根據本發明之一實施例之氣相沉積裝置之剖面示意圖；
第2圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置之剖面示意圖；
第3圖係為從第2圖的A方向所見之氣相沉積裝置之圖；
第4圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置之剖面示意圖；
第5圖係為第4圖所示之基板及導引件之透視示意圖；
第6圖係為沿著第5圖之VI-VI線所截取之基板及導引件之剖面示意圖；
第7圖係為根據本發明之另一實施例之氣相沉積裝置之剖面示意圖；
第8圖係為第7圖所示之導引件之投影透視示意圖；
第9圖係為沿著第8圖之IX-IX線所截取之導引件之剖面示意圖；以及
第10圖係為根據本發明之一實施例之藉由有機發光顯示裝置製造方法所製得之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
100．．．氣相沉積裝置
101．．．基板
110．．．腔室
111．．．排氣口
120．．．平台
121．．．安裝表面
130．．．注入單元
131．．．第一注入口
132．．．第二注入口1
133．．．第三注入口
134．．．第四注入口1
135．．．第五注入口
136．．．第六注入口
140．．．導引件
151．．．第一驅動單元
152．．．第二驅動單元
G．．．空間
M．．．方向
以及
S．．．來源氣體

Claims (33)

  1. 一種氣相沉積裝置，用於在一基板上形成一薄膜，該裝置包括：
    一腔室，具有一排氣口；
    一平台，係在該腔室中且包括一配置以安裝該基板於其上之安裝表面；
    一注入單元，具有至少一注入口，用於以平行待形成該薄膜於其上之該基板的一表面的方向注入一氣體至該腔室中；
    一導引件，係面對該基板以在該基板與該導引件之間提供一空間；以及
    一驅動單元，用以輸送該平台與該導引件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該導引件與該基板平行設置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該導引件的尺寸等於或大於該基板的尺寸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該導引件具有一包括複數個凸部及複數個凹部且面對該基板之不規則表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中該些凸部及該些凹部係以重力作用的方向延伸。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中設置在該導引件與該基板之間的該空間具有一對應待形成於該基板上的該薄膜的一圖案之形狀，以及該導引件包括至該空間的一路徑，自該注入單元注入之該氣體係通過該路徑。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該路徑至少包括一形成在該導引件的一上端上之第一貫穿部以及一形成在該導引件的一下端上之第二貫穿部。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該第一貫穿部或該第二貫穿部被延長以便對應該空間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該第一貫穿部或該第二貫穿部包括複數個對應該空間之貫穿口。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該空間形狀上對應一形成在面對該基板的該導引件的一表面之溝槽。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該導引件包括一覆蓋該空間之外罩。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該驅動單元係配置以在該基板安裝在該平台上的狀態中，以垂直將形成該薄膜於其上之該基板的該表面的方向輸送該平台及該導引件。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該驅動單元配置以往復移動。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該驅動單元配置以同時輸送該平台及該導引件。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該驅動單元包括一用以移動該平台之第一驅動單元及一用以移動該導引件之第二驅動單元。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該安裝表面係以平行重力作用的方向設置。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該注入單元設置在該平台之上。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該排氣口連接一泵浦。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中一來源氣體及一反應氣體透過該注入口依序注入。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該注入單元包括一來源氣體及一反應氣體透過其獨立注入之複數個該注入口。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該排氣口比該基板更接近地面。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括一具有一遮罩口之遮罩，用於以一期望圖案形成該薄膜於該基板上，其中該遮罩設置在該基板上。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該注入單元包括複數個該注入口，係以垂直將形成該薄膜於其上之該基板的該表面的方向排列，且彼此分離以便在該基板上執行複數次之沉積製程。
  24. 一種氣相沉積方法，用於在一基板上形成一薄膜，該方法包括：
    安裝該基板於一腔室中的一平台的一安裝表面上；
    透過一注入單元以平行待形成該薄膜於其上之該基板的一表面的方向，朝在該基板與一平行該基板的導引件之間的一空間注入一來源氣體；
    透過該腔室的一排氣口執行排氣；
    透過該注入單元以平行該基板的該表面的方向，注入一反應氣體至該腔室中；以及
    透過該腔室的該排氣口執行排氣。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中排氣係藉由一泵浦執行。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該注入單元具有一注入口，以及該來源氣體及該反應氣體透過該注入口依序注入。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該注入單元具有複數個注入口，以及該來源氣體及該反應氣體透過不同的該些注入口而分別注入。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該基板的安裝包括放置具有一開口的遮罩，用以在該基板上形成期望圖案的該薄膜。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中在該基板安裝在該腔室中的該平台上的狀態中，當該基板以垂直形成該薄膜於其上之該基板的該表面的方向移動時，執行一薄膜沉積。
  30. 一種製造一有機發光顯示裝置的方法，該有機發光顯示裝置包括至少包含一第一電極、一包括一有機發射層之中間層及一第二電極之複數個薄膜於一基板上，該方法包括：
    安裝該基板於一腔室中的一平台的一安裝表面上；
    透過一注入單元以平行待形成該些薄膜於其上之該基板的一表面的方向，朝在一面對該基板的導引件與該基板之間的一空間注入一來源氣體；
    透過該腔室的一排氣口執行排氣；
    透過該注入單元以平行該基板的該表面的方向，注入一反應氣體至該腔室中；以及
    透過該腔室的該排氣口執行排氣。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該些薄膜的形成包括在該第二電極上形成一封裝層。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該些薄膜的形成包括形成一絕緣層。
  33. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該些薄膜的形成包括形成一導電層。
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