CN102877039B - 气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents

气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种能够执行薄膜沉积工艺并提高所形成的薄膜的特性的气相沉积装置、一种气相沉积方法和一种制造有机发光显示装置的方法，所述气相沉积装置包括：室，具有排放开口；架台，设置在所述室内，并包括安装表面，所述基底可以安装在所述安装表面上；注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口用于将气体沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室内；引导构件，面向所述基底，以在所述基底和所述引导构件之间提供设定的或预定的空间；驱动单元，用于传送所述架台和所述引导构件。

Description

气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法
本申请要求于2011年7月13日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0069488号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种气相沉积装置、一种气相沉积方法和一种制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
半导体器件、显示装置和其它电子器件包括多个薄膜。可以使用各种方法来形成多个薄膜，其中之一是气相沉积方法。
根据气相沉积方法，使用一种或多种气体作为用于形成薄膜的源。气相沉积方法可以包括化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(ALD)方法和各种其它方法。
在显示装置中，由于有机发光显示装置的宽视角、优异的对比度和快速的响应速度，所以有机发光显示装置被视为下一代显示装置。
有机发光显示装置包括位于彼此面对的第一电极和第二电极之间的具有有机发射层的中间层以及一个或多个薄膜。这里，可以使用沉积工艺来形成有机发光显示装置的薄膜。
然而，因为有机发光显示装置在尺寸方面增大，并需要高分辨率，所以难以形成具有期望的性能的大尺寸的薄膜。另外，在提高用于形成薄膜的工艺的效率方面存在局限性。
发明内容
本发明实施例的一方面涉及一种能够有效地执行沉积工艺并提高薄膜的特性的气相沉积装置、一种气相沉积方法和一种制造有机发光显示装置的方法。
根据本发明的实施例，提供了一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，所述装置包括：室，具有排放开口；架台，设置在所述室中，并包括安装表面，所述基底可以安装在所述安装表面上；注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口用于将气体沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室内；引导构件，面向所述基底，以在所述基底和所述引导构件之间提供预定的空间；驱动单元，用于传送所述架台和所述引导构件。
所述引导构件可以与所述基底平行地设置。
所述引导构件可以在尺寸上等于或大于所述基底的尺寸。
所述引导构件可以具有包括多个凸起部分和多个凹入部分并面向所述基底的不规则表面。
凸起部分和凹入部分可以沿重力作用的方向延伸。
设置在所述引导构件和所述基底之间的所述空间可以具有与将形成在所述基底上的所述薄膜的图案对应的形状，所述引导构件可以包括通往所述空间的通路，从所述注入单元注入的所述气体穿过所述通路。
所述通路可以至少包括形成在所述引导构件的上端上的第一穿透部分和形成在所述引导构件的下端上的第二穿透部分。
所述第一穿透部分或所述第二穿透部分可以延长以对应于所述空间。
所述第一穿透部分或所述第二穿透部分可以包括与所述空间对应的多个穿透开口。
所述空间可以在形状上对应于形成在所述引导构件的面向所述基底的表面中的凹槽。
所述引导构件可以包括覆盖所述空间的盖。
所述驱动单元可以在所述基底安装在所述架台的状态下沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向传送所述架台和所述引导构件。
所述驱动单元可以往复地移动。
所述驱动单元可以同时传送所述架台和所述引导构件。
所述驱动单元可以包括移动所述架台的第一驱动单元和移动所述引导构件的第二驱动单元。
所述安装表面可以沿与重力作用的方向平行地设置。
所述注入单元可以设置在所述架台上方。
所述排放开口可以连接到泵。
源气和反应气体可以通过注入开口顺序地注入。
所述注入单元可以包括源气和反应气体独立地注入所通过的多个注入开口。
与所述基底相比，所述排放开口可以更靠近地面。
所述装置还可以包括具有用于在所述基底上以期望的图案形成薄膜的掩模开口的掩模，其中，所述掩模设置在所述基底上。
所述注入单元可以包括多个注入开口，所述多个注入开口沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向布置并且彼此隔开，从而对所述基底多次执行沉积工艺。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，所述方法包括：将所述基底安装在设置在室内的架台的安装表面上；通过注入单元沿与所述基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向朝所述基底和与所述基底平行地设置的引导构件之间的空间注入源气；通过所述室的排放开口执行排放；通过所述注入单元沿与所述基底的所述表面平行的方向朝所述室中注入反应气体；通过所述室的所述排放开口执行排放。
可以通过泵执行所述排放。
所述注入单元可以具有注入开口，所述源气和所述反应气体可以通过所述注入开口顺序地注入。
所述注入单元可以具有多个注入开口，所述源气和所述反应气体可以通过不同的注入开口分别注入。
安装基底的步骤可以包括：将具有用于形成期望图案的薄膜的开口的掩模放置在所述基底上。
可以在所述基底安装在所述室内的所述架台上的状态下，在沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向移动所述基底的同时执行薄膜沉积。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置可以包括位于基底上的多个薄膜，所述多个薄膜至少包括第一电极、中间层和第二电极，所述中间层包括有机发射层，其中，形成薄膜的步骤包括：将所述基底安装在设置在室内的架台的安装表面上；通过注入单元沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向朝面对所述基底的引导构件和所述基底之间的空间注入源气；通过所述室的排放开口执行排放；通过所述注入单元沿与所述基底的所述表面平行的方向将反应气体注入到所述室中；通过所述室的所述排放开口执行排放。
形成薄膜的步骤可以包括在所述第二电极上形成封装层。
形成薄膜的步骤可以包括形成绝缘层。
形成薄膜的步骤可以包括形成导电层。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征及方面将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；
图2是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；
图3是从图2的方向A看到的气相沉积装置的示图；
图4是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；
图5是在图4中示出的基底和引导构件的示意性透视图；
图6是沿图5中的线VI-VI截取的基底和引导构件的示意性剖视图；
图7是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；
图8是在图7中示出的引导构件的示意性投影透视图；
图9是沿图8中的线IX-IX截取的引导构件的示意性剖视图；
图10是通过根据本发明实施例的有机发光显示装置制造方法制造的有机发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图描述本发明的实施例。
图1是根据本发明实施例的气相沉积装置100的示意性剖视图。
参照图1，气相沉积装置100包括室110、架台120、注入单元130、引导构件140以及第一驱动单元151和第二驱动单元152。
室110包括位于室110的下部上的排放开口(例如，孔)111。排放开口111是用于排放气体的出口，并可以连接到泵，从而容易地执行排放工艺。
尽管在图1中未示出，但是室110由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室110的内部的加热单元(未示出)可以设置在室110的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。
架台120设置在室110内。架台120包括安装表面121。安装表面121与重力作用的方向平行地设置。即，安装表面121与地面垂直地设置。为此，架台120与地面垂直地设置。
基底101设置在架台120上。更详细地说，基底101安装在架台120的安装表面121上。与基底101相比，排放开口111更靠近地面。
固定单元(未示出)可以设置在安装表面121上，以使基底101可在被安装在安装表面121上之后被固定。固定单元(未示出)可以是夹具、压缩单元、粘附材料或者其它合适的材料或装置。
引导构件140被设置为面向基底101。因此，在基底101和引导构件140之间形成空间(例如，间隙)G。引导构件140可以与基底平行地设置。另外，引导构件140被形成为尺寸等于或大于基底101的尺寸的平板。
第一驱动单元151和第二驱动单元152分别连接到架台120和引导构件140。更详细地说，第一驱动单元151连接到架台120，第二驱动单元152连接到引导构件140。在图1中，第一驱动单元151和第二驱动单元152彼此分开地形成；然而，本发明不限于此。即，可以使用使架台120和引导构件140两者并发地或同时地移动的一个驱动单元。
第一驱动单元151沿由在图1中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送架台120。即，第一驱动单元151沿图1中的X轴方向传送架台120。因此，基底101可以沿与基底101的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
此外，第二驱动单元152沿由在图1中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送引导构件140。即，第二驱动单元152沿图1中的X轴方向传送引导构件140。因此，引导构件140可以沿与基底101的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
控制第一驱动单元151和第二驱动单元152，以保持基底101和引导构件140之间的空间G。
注入单元130连接到室110。一种或多种气体通过注入单元130朝基底101注入。更详细地说，注入单元130包括第一注入开口(例如，孔)131、第二注入开口132、第三注入开口133、第四注入开口134、第五注入开口135和第六注入开口136。
此外，第一注入开口131至第六注入开口136沿基底101的移动方向布置。即，第一注入开口131至第六注入开口136沿图1中的X轴方向布置，并彼此隔开。
此外，第一注入开口131至第六注入开口136可以被形成为具有各种形状，例如，可以被形成为与基底101的宽度对应的点或线。
通过第一注入开口131至第六注入开口136将气体与基底101的表面方向平行地注入到室110内。即，通过第一注入开口131至第六注入开口136将气体与重力作用的方向平行地进行注入。
更详细地说，通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135注入源气S，并通过第二注入开口132、第四注入开口134和第六注入开口136注入反应气体。
在通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135注入源气S的同时，不通过第二注入开口132、第四注入开口134和第六注入开口136注入反应气体。在通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135注入源气S之后，通过第二注入开口132、第四注入开口134和第六注入开口136注入反应气体。
此外，可以通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135顺序地、并发地或同时地注入源气S。同样，可以通过第二注入开口132、第四注入开口134和第六注入开口136顺序地、并发地或同时地注入反应气体。
然而，本发明不限于以上示例。即，可以通过注入单元130的相同注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元130可以仅包括第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135，通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135顺序地注入源气S，然后可以通过第一注入开口131、第三注入开口133和第五注入开口135注入反应气体。
虽然在图1中未示出，但是第一注入开口131至第六注入开口136可以以规则的间隔彼此隔开。即，在注入源气S之后，可以在通过使用驱动单元151和152移动基底101和引导构件140之后注入反应气体。
此外，在注入单元130中形成六个注入开口，如图1所示；然而，本发明不限于此，即，可以在注入单元130中形成两个或更多个注入开口。
现在将描述根据本实施例的气相沉积装置100的操作。
将基底101安装在架台120的安装表面121上。之后，通过注入单元130的第一注入开口131注入源气S。这里，朝基底101和引导构件140之间的空间G注入源气S。
更详细地说，源气S可以包括铝(Al)原子。
源气S被吸附在基底101的上表面(例如，与面向架台120的表面相对的表面)上。之后，通过排放开口111执行排放工艺，然后，在基底101的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。即，形成Al原子的单个层或多个层。
之后，通过注入单元130的第二注入开口132注入反应气体。如上所述，当注入单元130的注入开口131至136以规则的间隔布置时，在通过第一注入开口131注入源气S之后，通过使用驱动单元151和152沿图1中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台120和引导构件140，从而可以通过第二注入开口132注入反应气体。
可以朝基底101和引导构件140之间的空间G注入反应气体。更详细地说，反应气体可以包括氧(O)原子。反应气体被吸附在基底101的上表面上。然后，通过排放开口111执行排放工艺，然后，在基底101的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。即，形成氧原子的单个层或多个层。
因此，在基底101的上表面上形成由源气S和反应气体组分形成的单层结构或多层结构的原子层。即，形成氧化铝层(AlxOy，其中，x和y可根据工艺条件而改变)。在本实施例中，形成氧化铝层；然而，本发明不限于此。即，本发明的实施例可以应用于形成包括氧化物层的各种导电层和绝缘层的工艺。
之后，通过使用第一驱动单元151和第二驱动单元152沿图1中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台120和引导构件140。因此，可以保持基底101和引导构件140之间的空间G。
通过注入单元130的第三注入开口133朝基底101和引导构件140之间的空间G注入源气S。源气S被吸附在基底101的上表面上。之后，通过使用排放开口111执行排放工艺，然后，在基底101的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。
可以通过注入单元130的第四注入开口134朝基底101和引导构件140之间的空间G注入反应气体。反应气体被吸附在基底101的上表面上。然后，通过排放开口111执行排放工艺，然后，在基底101的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
因此，在通过第一注入开口131和第二注入开口132形成于基底101的上表面上的薄膜上另外形成包括源气S和反应气体组分的单层原子层或多层原子层。
之后，通过使用第一驱动单元151和第二驱动单元152沿图1中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台120和引导构件140。
通过第五注入开口135和第六注入开口136朝基底101和引导构件140之间的空间G注入源气S和反应气体，从而可以在基底101上形成另外的薄膜，如通过第一注入开口131和第二注入开口132形成的薄膜。
通过以上工艺，可以在一个室110内在基底101上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根据薄膜的期望厚度来控制架台120和引导构件140的移动距离。
根据本实施例，从注入单元130沿与基底101的上表面平行的方向注入气体。具体地说，基底101沿与地面垂直的方向(即，重力作用的方向)设置。因此，当通过注入单元130注入气体并且气体被吸附在基底101上时，可以减少基底101上的不必要地吸附的量。即，基底101上的不必要地吸附的组分或者其它不均匀地集中的组分由于重力而落下，因此，减少了不必要的量。此外，可以通过设置在基底101的下部上的排放开口111经由排放工艺容易地去除不必要的气体组分。因此，在通过注入单元130的第一注入开口131注入源气S之后，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺。之后，通过第二注入开口132注入反应气体，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺，然后，完成沉积工艺。
此外，根据本实施例，引导构件140被设置为面对基底101。因此，引导构件140可以阻挡杂质。例如，当通过第三注入开口133注入源气S时，在先前的工艺中通过第一注入开口131和第二注入开口132注入的源气或反应气体中的在基底101上形成薄膜之后残留的剩余杂质气体可能不会通过排放开口111被完全地排出。在这种情况下，通过使用经由第三注入开口133注入的源气S形成薄膜的工艺受到杂质气体的影响，由此使得形成在基底101上的薄膜的特性劣化。然而，根据本实施例，在基底101和引导构件140之间形成空间G，并通过第三注入开口133朝该空间注入源气S，从而引导构件140可以防止或阻挡杂质以远离基底101。
此外，通过第三注入开口133注入的源气S没有分散，并且在基底101和引导构件140之间被有效地吸附在基底101上，由此提高了薄膜沉积效率。
结果，可以极大地提高用于形成期望的薄膜的沉积工艺的效率。此外，可以减少或防止不必要的气体组分的吸附，并且可以减少或防止进入形成在基底101上的薄膜中的吹扫气体杂质的混合物。因此，可以均匀地形成薄膜，并且该薄膜可以具有优异的物理和化学特性。
此外，根据本实施例，在通过使用驱动单元151和152移动架台120和引导构件140的同时执行沉积工艺。这样，可以通过第一注入开口131至第六注入开口136顺序地执行沉积工艺，因此，可以极大地减少用于形成期望厚度的薄膜所需的时间，并提高沉积工艺的便利性。
图2是根据本发明另一实施例的气相沉积装置200的示意性剖视图，图3是从图2中的方向A看到的气相沉积装置的示图。
参照图2和图3，气相沉积装置200包括室210、架台220、注入单元230、引导构件240、第一驱动单元251和第二驱动单元252以及掩模260。
室210包括位于室210的下部的排放开口211。排放开口211是排放气体的出口并可以连接到泵，从而充分地执行排放。
虽然在图2和图3中未示出，但室210由泵来控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。此外，用于加热室210的内部的加热单元(未示出)可以设置在室210的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。
架台220设置在室210内。架台220包括安装表面221。安装表面221与重力施加的方向平行地设置。即，安装表面221与地面垂直地设置。为此，架台220与地面垂直地设置。
基底201设置在架台220上。更详细地说，基底201安装在架台220的安装表面221上。
固定单元(未示出)可以设置在安装表面221上，从而基底201可以在被安装在安装表面221上之后被固定。固定单元(未示出)可以是夹具、压缩单元、粘附材料或其它材料。
掩模260设置在基底201上。参照图3，掩模260包括掩模开口260a，掩模开口260a具有合适的形状(例如，预定形状)，在图3中为矩形，但不限于此。掩模开口260a对应于将形成在基底201上的薄膜的图案。
图3示出了六个掩模开口260a；然而，本发明不限于此。即，可以根据想要形成在基底201上的图案的数量来确定掩模开口260a的数量和形状。例如，掩模260可以是具有一个掩模开口260a的开口掩模。
引导构件240被设置为面向基底201。因此，在基底201和引导构件240之间形成空间G。引导构件240可以与基底平行地设置。此外，引导构件240被形成为尺寸等于或大于基底201的尺寸的平板。
第一驱动单元251和第二驱动单元252分别连接到架台220和引导构件240。更详细地说，第一驱动单元251连接到架台220，第二驱动单元252连接到引导构件240。
第一驱动单元251沿由在图2中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送架台220。即，第一驱动单元151沿图2中的X轴方向传送架台220。因此，基底201可以沿与基底201的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
此外，第二驱动单元252沿由在图2中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送引导构件240。即，第二驱动单元252沿图2中的X轴方向传送引导构件240。因此，引导构件240可以沿与基底201的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
控制第一驱动单元251和第二驱动单元252，以保持基底201和引导构件240之间的空间G。
注入单元230连接到室210。一种或多种气体通过注入单元230朝基底201注入。更详细地说，注入单元230包括第一注入开口231、第二注入开口232、第三注入开口233、第四注入开口234、第五注入开口235和第六注入开口236。
此外，第一注入开口231至第六注入开口236沿基底201的移动方向布置。即，第一注入开口231至第六注入开口236沿图2中的X轴方向布置，并彼此隔开。
此外，第一注入开口231至第六注入开口236可以被形成为具有各种形状，例如，可以被形成为与基底201的宽度对应的点或线。
通过第一注入开口231至第六注入开口236将气体与基底201的表面方向平行地注入到室210内。即，通过第一注入开口231至第六注入开口236将气体与重力作用的方向平行地进行注入。
更详细地说，通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235注入源气S，并通过第二注入开口232、第四注入开口234和第六注入开口236注入反应气体。
在通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235注入源气S的同时，不通过第二注入开口232、第四注入开口234和第六注入开口236注入反应气体。在通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235注入源气S之后，通过第二注入开口232、第四注入开口234和第六注入开口236注入反应气体。
此外，可以通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235顺序地、并发地或同时地注入源气S。同样，可以通过第二注入开口232、第四注入开口234和第六注入开口236顺序地、并发地或同时地注入反应气体。
然而，本发明不限于以上示例。即，可以通过注入单元230的相同注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元230可以仅包括第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235，通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235顺序地注入源气S，然后可以通过第一注入开口231、第三注入开口233和第五注入开口235注入反应气体。
虽然在图2中未示出，但是第一注入开口231至第六注入开口236可以以规则的间隔彼此隔开。即，在注入源气S之后，可以在通过使用驱动单元251和252移动基底201和引导构件240之后注入反应气体。
现在将描述根据本实施例的气相沉积装置200的操作。
将基底201安装在架台220的安装表面221上。将具有与将形成在基底201上的薄膜的图案对应的开口260a的掩模260设置在基底201上。
之后，通过注入单元230的第一注入开口231注入源气S。这里，朝基底201和引导构件240之间的空间G注入源气S。
源气S被吸附在基底201的上表面上。具体地说，源气S被吸附在基底201的上表面的与掩模260的开口260a对应的部分上。
之后，通过排放开口211执行排放工艺，然后，在基底201的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过注入单元230的第二注入开口232注入反应气体。这里，朝基底201和引导构件240之间的空间G注入反应气体。反应气体被吸附在基底201的上表面上，具体地说，被吸附在与掩模260的开口260a对应的部分上。
然后，通过排放开口211执行排放工艺，然后，在基底201的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
因此，在基底201的上表面上形成由源气S和反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层，以对应于掩模260的开口260a。
之后，通过使用第一驱动单元251和第二驱动单元252沿图2中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台220和引导构件240。在移动架台220和引导构件240之后，可以保持基底201和引导构件240之间的空间G。
通过注入单元230的第三注入开口233朝基底201和引导构件240之间的空间G注入源气S。源气S被吸附在基底201的上表面上，具体地说，被吸附在与掩模260的开口260a对应的部分上。然后，通过排放开口211执行排放工艺，并在基底201的上表面上形成包括源气S的单层原子层或多层原子层。
然后，通过注入单元230的第四注入开口234朝基底201和引导构件240之间的空间G注入反应气体。反应气体被吸附在基底201的上表面的与掩模260的开口260a对应的部分上。之后，通过排放开口211执行排放，然后，在基底201的上表面上形成具有反应气体的单层结构或多层结构的原子层。
因此，在通过第一注入开口231和第二注入开口232形成于基底201的上表面上的薄膜上另外形成包括源气S和反应气体组分的单层原子层或多层原子层。
之后，通过使用第一驱动单元251和第二驱动单元252沿图2中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台220和引导构件240。
通过第五注入开口235和第六注入开口236朝基底201和引导构件240之间的空间G注入源气S和反应气体，从而可以在基底201上形成另外的薄膜，如通过第一注入开口231和第二注入开口232形成的薄膜。
通过以上工艺，可以在一个室210内在基底201上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根据薄膜的期望厚度来控制架台220和引导构件240的移动距离。
在本实施例中，将掩模260设置在基底201上，从而在基底201上容易地形成期望的图案的薄膜。
根据本实施例，沿与基底201的上表面平行的方向从注入单元230注入气体。具体地说，基底201沿与地面垂直的方向(即，重力作用的方向)设置。因此，当气体通过注入单元230注入并吸附在基底201上时，可以减少基底201上的不必要地吸附的量。即，基底201上的不必要地吸附的组分或者其它不均匀地集中的组分由于重力而落下，因此，减少了不必要的量。此外，可以通过设置在基底201的下部上的排放开口211经由排放工艺容易地去除不必要的气体组分。因此，在通过注入单元230的第一注入开口231注入源气S之后，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺。之后，通过第二注入开口232注入反应气体，并在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺，然后，完成沉积工艺。
此外，根据本实施例，引导构件240被设置为面向基底201。因此，引导构件240可以阻挡杂质。此外，通过注入单元230注入的源气S没有分散，并且在基底201和引导构件240之间被有效地吸附在基底201上，由此提高了薄膜沉积效率。
结果，可以极大地提高用于形成期望的薄膜的沉积工艺的效率。此外，可以减少或防止不必要的气体组分的吸附，并且可以减少或防止进入形成在基底201上的薄膜中的吹扫气体杂质的混合物。因此，可以均匀地形成薄膜，并且该薄膜可以具有优异的物理和化学特性。
此外，根据本实施例，在通过使用驱动单元251和252移动架台220和引导构件240的同时顺序执行沉积工艺。因此，可以极大地减少用于形成期望厚度的薄膜所用的时间，并提高沉积工艺的便利性。
图4是根据本发明另一实施例的气相沉积装置300的示意性剖视图。图5是图4中示出的基底和引导构件的示意性透视图，图6是沿图5中的线VI-VI截取的基底和引导构件的剖视图。
气相沉积装置300包括室310、架台320、注入单元330、引导构件340以及第一驱动单元351和第二驱动单元352。
室310包括位于室310的下部上的排放开口311。排放开口311是排放气体的出口并可以连接到泵，从而充分地执行排放。
尽管在图4中未示出，但是室310由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。此外，用于加热室310的内部的加热单元(未示出)可以设置在室310的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。
架台320设置在室310内。架台320包括安装表面321。安装表面321与重力施加的方向平行地设置。即，安装表面321与地面垂直地设置。为此，架台320与地面垂直地设置。
基底301设置在架台320上。更详细地说，基底301安装在架台320的安装表面321上。
固定单元(未示出)可以设置在安装表面321上，以使基底301可在被安装在安装表面321上之后被固定。固定单元(未示出)可以是夹具、压缩单元、粘附材料或其它材料。
引导构件340被设置为面向基底301。因此，在基底301和引导构件340之间形成空间G。引导构件340可以与基底平行地设置。
另外，引导构件340被形成为具有等于或大于基底301的尺寸的尺寸，以对应于基底301。
引导构件340具有面向基底301的不规则表面。即，引导构件340包括面向基底301的凸起部分341和凹入部分342。凹入部分342设置在两个相邻的凸起部分341之间。此外，凸起部分341和凹入部分342沿重力作用的方向从上部朝下部延伸。
第一驱动单元351和第二驱动单元352分别连接到架台320和引导构件340。更详细地说，第一驱动单元351连接到架台320，第二驱动单元352连接到引导构件340。
第一驱动单元351沿由在图4中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送架台320。即，第一驱动单元351沿图4中的X轴方向传送架台320。因此，基底301可以沿与基底301的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
此外，第二驱动单元352沿由在图4中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送引导构件340。即，第二驱动单元352沿图4中的X轴方向传送引导构件340。因此，引导构件340可以沿与基底301的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。
控制第一驱动单元351和第二驱动单元352，以保持基底301和引导构件340之间的空间G。
注入单元330连接到室310。一种或多种气体通过注入单元330朝基底301注入。更详细地说，注入单元330包括第一注入开口331、第二注入开口332、第三注入开口333、第四注入开口334、第五注入开口335和第六注入开口336。
此外，第一注入开口331至第六注入开口336沿基底301的移动方向布置。即，第一注入开口331至第六注入开口336沿图4中的X轴方向布置，并彼此隔开。
此外，第一注入开口331至第六注入开口336可以被形成为具有各种形状，例如，可以被形成为与基底301的宽度对应的点或线。即，在图5中，第一注入开口331被形成为线；然而，本发明不限于此，即，第一注入开口331可以被形成为点。
通过第一注入开口331至第六注入开口336将气体与基底301的表面方向平行地注入到室310内。即，通过第一注入开口331至第六注入开口336将气体与重力作用的方向平行地进行注入。
更详细地说，通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335注入源气S，并通过第二注入开口332、第四注入开口334和第六注入开口336注入反应气体。
在通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335注入源气S的同时，不通过第二注入开口332、第四注入开口334和第六注入开口336注入反应气体。在通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335注入源气S之后，通过第二注入开口332、第四注入开口334和第六注入开口336注入反应气体。
此外，可以通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335顺序地、并发地或同时地注入源气S。同样，可以通过第二注入开口332、第四注入开口334和第六注入开口336顺序地、并发地或同时地注入反应气体。
然而，本发明不限于以上示例。即，可以通过注入单元330的相同注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元330可以仅包括第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335，通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335顺序地注入源气S，然后可以通过第一注入开口331、第三注入开口333和第五注入开口335注入反应气体。
虽然在附图中未示出，但是第一注入开口331至第六注入开口336可以以规则的间隔彼此隔开。即，在注入源气S之后，可以在通过使用驱动单元351和352移动基底301和引导构件340之后注入反应气体。
现在将描述根据本实施例的气相沉积装置300的操作。
将基底301安装在架台320的安装表面321上。之后，通过注入单元330的第一注入开口331注入源气S。这里，朝基底301和引导构件340之间的空间G注入源气S。
源气S被吸附在基底301的上表面上。之后，通过排放开口311执行排放工艺，然后，在基底301的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过注入单元330的第二注入开口332注入反应气体。这里，朝基底301和引导构件340之间的空间G注入反应气体。
反应气体被吸附在基底301的上表面上。然后，通过排放开口311执行排放工艺，然后，在基底301的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。即，在基底301上形成氧原子的单个层或多个层。
通过以上工艺，在基底301的上表面上形成由源气S和反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过使用第一驱动单元351和第二驱动单元352沿图4中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台320和引导构件340。在移动架台320和引导构件340之后，可以保持基底301和引导构件340之间的空间G。
通过注入单元330的第三注入开口333和第四注入开口334朝基底301和引导构件340之间的空间G注入源气S和反应气体，从而在基底301上形成另外的薄膜，与通过使用第一注入开口331和第二注入开口332形成的薄膜类似。
之后，通过使用第一驱动单元351和第二驱动单元352沿图4中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台320和引导构件340。通过注入单元330的第五注入开口335和第六注入开口336朝基底301和引导构件340之间的空间G注入源气S和反应气体，从而在基底301上形成另外的薄膜，与通过使用第一注入开口331和第二注入开口332形成的薄膜类似。
通过以上工艺，可以在一个室310内在基底301上容易地形成期望厚度的薄膜。
根据本实施例，沿与基底301的上表面平行的方向从注入单元330注入气体。具体地说，基底301沿与地面垂直的方向(即，重力作用的方向)设置。因此，当气体通过注入单元330注入并被吸附在基底301上时，可以减少基底301上的不必要地吸附的量。因此，在通过注入单元330的第一注入开口331注入源气S之后，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺。之后，通过第二注入开口332注入反应气体，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺，然后，完成沉积工艺。
此外，可以防止不必要的气体组分的吸附，并且可以防止进入形成在基底301上的薄膜中的吹扫气体杂质的混合物。因此，可以均匀地形成薄膜，并且该薄膜可以具有优异的物理和化学特性。
此外，根据本实施例，引导构件340被设置为面向基底301。因此，引导构件340可以阻挡杂质。此外，通过注入单元330注入的源气S没有分散，并且在基底301和引导构件340之间被有效地吸附在基底301上，由此提高了薄膜沉积效率。例如，当通过第三注入开口333注入源气S时，在先前的工艺中通过第一注入开口331和第二注入开口332注入的源气或反应气体中的在基底301上形成薄膜之后残留的剩余杂质气体可能不会通过排放开口311完全地排出。在这种情况下，通过使用经由第三注入开口333注入的源气S形成薄膜的工艺受到杂质气体的影响，由此使得形成在基底301上的薄膜的特性劣化。然而，根据本实施例，在基底301和引导构件340之间形成空间G，并通过第三注入开口333朝该空间注入源气S，从而引导构件340可以防止或阻挡杂质以远离基底301。
此外，通过第三注入开口333注入的源气S没有分散，并且在基底301和引导构件340之间被有效地吸附在基底301上，由此提高了薄膜沉积效率。
而且，本实施例的引导构件340还包括具有凸起部分341和凹入部分342且面向基底301的不规则表面。更详细地说，凸起部分341和凹入部分342沿重力作用的方向(即，纵向方向)伸长。凸起部分341和凹入部分342表现为从注入单元330注入的气体可以在没有分散的情况下朝基底301行进的路径。即，在图5和图6中，凸起部分341和凹入部分342使得注入的气体在没有沿Y轴方向过度分散的情况下沿Z轴方向直线地向下移动，从而可以提高注入的气体和基底301之间的反应效率。
因此，可以极大地提高用于形成期望厚度的薄膜的沉积工艺的效率，由此提高薄膜特性。
此外，根据本实施例，在通过使用驱动单元351和352移动架台320和引导构件340的同时顺序地执行沉积工艺。因此，可以极大地减少用于形成期望厚度的薄膜所用的时间，并通过第一注入开口331至第六注入开口336顺序地执行沉积工艺来提高沉积工艺的便利性。
图7是根据本发明另一实施例的气相沉积装置400的示意性剖视图，图8是图7中示出的引导构件460的投影透视图，图9是沿图8中的线IX-IX的截取的引导构件的剖视图。
参照图7至图9，气相沉积装置400包括室410、架台420、注入单元430、引导构件460和驱动单元451。
室410包括位于其下部上的排放开口411。排放开口411是排放气体的出口并可以连接到泵，从而充分地执行排放。
虽然在图7至图9中未示出，室410由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。此外，用于加热室410的内部的加热单元(未示出)可以设置在室410的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。
架台420设置在室410内。架台420包括安装表面421。安装表面421与重力施加的方向平行地设置。即，安装表面421与地面垂直地设置。为此，架台420与地面垂直地设置。
基底401设置在架台420上。更详细地说，基底401安装在架台420的安装表面421上。
固定单元(未示出)可以设置在安装表面421上，以使基底401在被安装在安装表面421上之后被固定。固定单元(未示出)可以是夹具、压缩单元、粘附材料或其它合适的材料或装置。
引导构件460被设置为面向基底401。引导构件460可以结合到架台420。即，引导构件460的边缘可以结合到架台420。
引导构件460设置在基底401上。此外，引导构件460具有等于或大于基底401的尺寸的尺寸，以对应于基底401。
引导构件460包括从注入单元430注入的气体可以经过的通路461。通路461包括第一穿透部分(例如，通道)461a和第二穿透部分461c。更详细地说，第一穿透部分461a形成在引导构件460的上端上，第二穿透部分461c形成在引导构件460的下端上。连接穿透部分461b形成在第一穿透部分461a和第二穿透部分461c之间。
此外，引导构件460包括形成为适当的形状(例如，预定的形状)的空间G。空间G可以是通过将引导构件460的表面去除到适当的深度(例如，预定的深度)形成的槽。空间G具有与将形成在基底401上的薄膜的图案对应的形状。此外，空间G接触基底401的上表面。
即，空间G形成在基底401和引导构件460之间。通过通路461注入的气体与空间G中的基底401反应。
具体地说，引导构件460包括设置在空间G上的盖462，从而不将空间G暴露到盖462的外部。在图8和图9中，盖462形成为引导构件460的一部分；然而，本发明不限于此。即，盖462可以与引导构件460分开地形成。
图8示出了六个空间G；然而，本发明不限于此。即，空间G的数量和形状可以根据将要形成在基底401上的图案的数量来确定。例如，引导构件460可以被形成为具有一个空间G的开口掩模。
空间G连接到通路461。因此，气体通过注入单元430注入到空间G中，从而形成具有与空间G对应的图案的薄膜。
第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以被形成为具有各种形状。即，如图8所示，第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以延长以对应于空间G，或者可以包括多个穿透开口。在图8中示出了以上两种形状；然而，本发明不限于此。即，第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以被形成为仅具有一种形状。
驱动单元451连接到架台420。驱动单元451沿由在图7中示出的箭头M指示的方向或与由箭头M指示的方向相反的方向传送架台420。即，驱动单元451沿图7中的X轴方向传送架台420。因此，基底401可以沿与基底401的表面(即，其上将形成薄膜的表面)垂直的方向移动。因此，引导构件460和架台420并发地或同时地移动。
注入单元430连接到室410。一种或多种气体通过注入单元430朝基底401注入。更详细地说，注入单元430包括第一注入开口431、第二注入开口432、第三注入开口433、第四注入开口434、第五注入开口435和第六注入开口436。
此外，第一注入开口431至第六注入开口436沿基底401的移动方向布置。即，第一注入开口431至第六注入开口436沿图7中的X轴方向布置，从而彼此隔开。
此外，第一注入开口431至第六注入开口436可以被形成为具有各种形状，例如，可以被形成为与基底401的宽度对应的点或线。即，在图8中，第一注入开口431被形成为线；然而，本发明不限于此，即，第一注入开口431可以被形成为点。
通过第一注入开口431至第六注入开口436将气体与基底401的表面方向平行地注入到室410中。即，通过第一注入开口431至第六注入开口436将气体与重力作用的方向平行地进行注入。
更详细地说，通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435注入源气S，并通过第二注入开口432、第四注入开口434和第六注入开口436注入反应气体。
在通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435注入源气S的同时，不通过第二注入开口432、第四注入开口434和第六注入开口436注入反应气体。在通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435注入源气S之后，通过第二注入开口432、第四注入开口434和第六注入开口436注入反应气体。
此外，可以通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435顺序地或同时地注入源气S。同样，可以通过第二注入开口432、第四注入开口434和第六注入开口436顺序地或同时地注入反应气体。
然而，本发明不限于以上示例。即，可以通过注入单元430的相同注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元430可以包括第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435，通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435顺序地注入源气S，然后可以通过第一注入开口431、第三注入开口433和第五注入开口435注入反应气体。
虽然在附图中未示出，但是第一注入开口431至第六注入开口436可以以规则的间隔彼此隔开。即，在注入源气S之后，可以在通过使用驱动单元451移动基底401之后注入反应气体。
现在将描述根据本实施例的气相沉积装置400的操作。
将基底401安装在架台420的安装表面421上。将具有与将形成在基底401上的薄膜的图案对应的空间G的引导构件460设置在基底401上。
之后，通过注入单元430的第一注入开口431注入源气S。这里，朝基底401和引导构件460之间的空间G注入源气S。更详细地说，源气S通过第一穿透部分461a来注入，从而沿通路461行进。
源气S被吸附在基底401的上表面上，具体地说，被吸附在与空间G对应的部分上。
之后，通过排放开口411执行排放工艺，然后，在基底401的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。
此外，通过注入单元430的第二注入开口432注入反应气体。这里，朝基底401和引导构件460之间的空间G注入反应气体。更详细地说，反应气体通过第一穿透部分461a来注入，从而沿通路461行进。
反应气体被吸附在基底401的上表面上，具体地说，被吸附在与空间G对应的部分上。
然后，通过排放开口411执行排放工艺，然后，在基底401的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
通过以上工艺，在基底401的上表面上形成由源气S和反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过使用驱动单元451沿图7中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台420和引导构件460。在移动架台420和引导构件460之后，可以保持基底401和引导构件460之间的空间G。
通过注入单元430的第三注入开口433朝基底401和引导构件460之间的空间G注入源气S和反应气体。更详细地说，源气S通过第一穿透部分461a来注入，从而沿通路461行进。
源气S被吸附在基底401的上表面上，具体地说，被吸附在与空间G对应的部分上。之后，通过排放开口411执行排放工艺，然后，在基底401的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过注入单元430的第四注入开口434朝位于基底401和引导构件460之间的空间G注入反应气体。更详细地说，反应气体通过第一穿透部分461a来注入，从而沿通路461行进。
反应气体被吸附在基底401的上表面上，具体地说，被吸附在与空间G对应的部分上。然后，通过排放开口411执行排放工艺，然后，在基底401的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
通过以上工艺，在通过第一注入开口431和第二注入开口432注入的气体在基底401的上表面上形成的薄膜上另外地形成由源气S和反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。
之后，通过使用驱动单元451沿图7中的X轴方向(即，由箭头M指示的方向)移动架台420和引导构件460。
通过注入单元430的第五注入开口435和第六注入开口436朝基底401和引导构件460之间的空间G注入源气S和反应气体，从而在基底401上形成另外的薄膜，与通过使用第一注入开口431和第二注入开口432形成的薄膜类似。
通过以上工艺，可以在一个室410中在基底401上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根据薄膜的期望厚度来控制架台420和引导构件460的移动距离。
根据本实施例，沿与基底401的上表面平行的方向从注入单元430注入气体。具体地说，基底401沿与地面垂直的方向(即，重力作用的方向)设置。因此，当气体通过注入单元430注入并吸附在基底401上时，可以减少基底401上的不必要地吸附的量。因此，在通过注入单元430的第一注入开口431注入源气S之后，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺。之后，通过第二注入开口432注入反应气体，在没有使用另外的吹扫气体执行吹扫工艺的情况下执行排放工艺，然后，完成沉积工艺。
具体地说，根据本实施例，引导构件460被设置为面向基底401。因此，引导构件460可以阻挡杂质。此外，通过注入单元430注入的源气S没有分散，并且在基底401和引导构件460之间被有效地吸附在基底401上，由此提高了薄膜沉积效率。
此外，从注入单元430注入的气体穿过引导构件460中的通路461的第一穿透部分461a，并且气体与连接到通路461的空间G中的基底401反应。然后，通过第二穿透部分461c将气体从引导构件460排出，之后，通过排放开口411排放气体，由此防止杂质干扰薄膜沉积工艺。
此外，将具有与薄膜的期望图案对应的空间G的引导构件460设置在基底401上，因此，可以容易地形成期望的图案。
因此，可以极大地提高用于形成期望图案的薄膜的薄膜沉积工艺的效率。此外，可以减少或防止不必要的气体组分的吸附，并且可以减少或防止进入形成在基底401上的薄膜中的吹扫气体杂质的混合物。因此，可以均匀地形成薄膜，并该薄膜具有优异的物理和化学特性。
此外，根据本实施例，在通过使用驱动单元451移动架台420和引导构件460的同时顺序执行沉积工艺。因此，可以极大地减少用于形成期望厚度的薄膜所用的时间，并提高沉积工艺的便利性。
图10是通过根据本发明实施例的有机发光显示装置制造方法制造的有机发光显示装置10的示意性剖视图。更详细地说，通过使用根据本发明实施例的气相沉积装置100、200、300或400来制造图10中的有机发光显示装置10。
参照图10，有机发光显示装置10形成在基底30上。基底30可以由玻璃材料、塑料材料或金属材料形成。缓冲层31形成在基底30上，其中，缓冲层31在基底30的上部上形成平坦表面并包括用于防止湿气和杂质渗透到基底30中的绝缘材料。
薄膜晶体管(TFT)40、电容器50和有机发光器件60形成在缓冲层31上。TFT 40包括有源层41、栅电极42和源/漏电极43。有机发光器件60包括第一电极61、第二电极62和中间层63。
更详细地说，具有适当的图案(例如，预定的图案)的有源层41形成在缓冲层31上。有源层41可以是p型或n型半导体。栅极绝缘层32形成在有源层41上。栅电极42形成在栅极绝缘层32上，以对应于有源层41。层间电介质33被形成为覆盖栅电极42。源/漏电极43形成在层间电介质33上，以接触有源层41的适当的区域(例如，预定的区域)。钝化层34被形成为覆盖源/漏电极43，绝缘层可以另外地形成在钝化层34上，以将钝化层34平坦化。
第一电极61形成在钝化层34上。第一电极61电连接到漏电极43。此外，像素限定层35被形成为覆盖第一电极61。设定的或预定的开口64形成在像素限定层35中，包括有机发射层的中间层63形成在由开口64限定的部分上。第二电极62形成在中间层63上。
封装层70形成在第二电极62上。封装层70可以包括有机材料或无机材料，或可以包括交替地堆叠的有机材料和无机材料。
可以通过使用气相沉积装置100、200、300或400形成封装层70。即，将其上形成有第二电极62的基底30传送到室，并执行气相沉积工艺，以形成封装层70。
然而，本发明不限于此。即，可以通过使用根据本发明实施例的气相沉积装置形成有机发光显示装置10的其它绝缘层，例如缓冲层31、栅极绝缘层32、层间电介质33、钝化层34和像素限定层35。
另外，可以通过使用根据本发明实施例的气相沉积装置形成各种导电薄膜，例如有源层41、栅电极42、源/漏电极43、第一电极61、中间层63和第二电极62。
根据本发明实施例的制造有机发光显示装置的方法、气相沉积方法和气相沉积装置，可以有效地执行沉积工艺，并可以提高所形成的薄膜的特性。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解到，在不脱离如由权利要求及其等价物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在这里做出形式和细节方面的各种改变。

Claims (33)

1.一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，所述装置包括：
室，具有排放开口；
架台，在所述室内，并包括安装表面，所述安装表面被构造为用于使所述基底安装在其上；
注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口用于将气体沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室内；
引导构件，面向所述基底，以在所述基底和所述引导构件之间提供空间；
驱动单元，用于传送所述架台和所述引导构件，
其中，设置在所述引导构件和所述基底之间的所述空间具有与将形成在所述基底上的所述薄膜的图案对应的形状。
2.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述引导构件与所述基底平行地设置。
3.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述引导构件在尺寸上等于或大于所述基底的尺寸。
4.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述引导构件具有包括多个凸起部分和多个凹入部分并面向所述基底的不规则表面。
5.根据权利要求4所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，凸起部分和凹入部分沿重力作用的方向延伸。
6.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述引导构件包括通往所述空间的通路，从所述注入单元注入的所述气体穿过所述通路。
7.根据权利要求6所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述通路至少包括形成在所述引导构件的上端上的第一穿透部分和形成在所述引导构件的下端上的第二穿透部分。
8.根据权利要求7所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述第一穿透部分或所述第二穿透部分延长以对应于所述空间。
9.根据权利要求7所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述第一穿透部分或所述第二穿透部分包括与所述空间对应的多个穿透开口。
10.根据权利要求6所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述空间在形状上对应于形成在所述引导构件的面向所述基底的表面中的槽。
11.根据权利要求6所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述引导构件包括覆盖所述空间的盖。
12.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述驱动单元被构造为在所述基底安装在所述架台的状态下沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向传送所述架台和所述引导构件。
13.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述驱动单元被构造为往复地移动。
14.根据权利要求12所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述驱动单元被构造为同时传送所述架台和所述引导构件。
15.根据权利要求12所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述驱动单元包括用于移动所述架台的第一驱动单元和用于移动所述引导构件的第二驱动单元。
16.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述安装表面沿与重力作用的方向平行地设置。
17.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述注入单元设置在所述架台上方。
18.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述排放开口连接到泵。
19.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。
20.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述注入单元包括源气和反应气体独立地注入所通过的多个注入开口。
21.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，与所述基底相比，所述排放开口更靠近地面。
22.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，所述装置还包括具有用于在所述基底上以期望的图案形成所述薄膜的掩模开口的掩模，
其中，所述掩模设置在所述基底上。
23.根据权利要求1所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其中，所述注入单元包括多个注入开口，所述多个注入开口沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向布置并且彼此隔开，从而对所述基底多次执行沉积工艺。
24.一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，所述方法包括：
将所述基底安装在室内的架台的安装表面上；
通过注入单元沿与所述基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向朝所述基底和与所述基底平行地设置的引导构件之间的空间注入源气；
通过所述室的排放开口执行排放；
通过所述注入单元沿与所述基底的所述表面平行的方向将反应气体注入到所述室中；
通过所述室的所述排放开口执行排放，
其中，所述基底和所述引导构件之间的所述空间具有与将形成在所述基底上的所述薄膜的图案对应的形状。
25.根据权利要求24所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，其中，通过泵执行所述排放。
26.根据权利要求24所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，其中，所述注入单元具有注入开口，所述源气和所述反应气体通过所述注入开口顺序地注入。
27.根据权利要求24所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，其中，所述注入单元具有多个注入开口，所述源气和所述反应气体通过不同的注入开口分别注入。
28.根据权利要求24所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，其中，安装基底的步骤包括：将具有用于形成期望图案的薄膜的开口的掩模放置在所述基底上。
29.根据权利要求24所述的用于在基底上形成薄膜的气相沉积方法，其中，在所述基底安装在所述室中的所述架台上的状态下，在沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向移动所述基底的同时执行薄膜沉积。
30.一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括位于基底上的多个薄膜，所述多个薄膜至少包括第一电极、中间层和第二电极，所述中间层包括有机发射层，所述方法包括：
将所述基底安装在室内的架台的安装表面上；
通过注入单元沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向朝面向所述基底的引导构件和所述基底之间的空间注入源气；
通过所述室的排放开口执行排放；
通过所述注入单元沿与所述基底的所述表面平行的方向将反应气体注入到所述室内；
通过所述室的所述排放开口执行排放。
31.根据权利要求30所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，形成薄膜的步骤包括在所述第二电极上形成封装层。
32.根据权利要求30所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，形成薄膜的步骤包括形成绝缘层。
33.根据权利要求30所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，形成薄膜的步骤包括形成导电层。
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