CN104561935B - 气相沉积设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：基底安装单元，基底安装在基底安装单元上；多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，沿着基底安装单元的所述方向注入第二原材料；等离子体模块单元，向所述多个第二喷嘴单元提供第二原材料。第二原材料是自由基，并且基底安装单元包括静电发生部件。

Description

气相沉积设备
本申请要求于2013年10月10日提交的第10-2013-0120873号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种气相沉积设备。
背景技术
半导体装置、显示装置和其它电子装置中的每种装置包括多个薄膜。所述多个薄膜可以通过各种方法形成。在这些方法中，气相沉积方法可以是所述各种方法中的一种。
气相沉积方法使用气体作为形成薄膜的原材料。气相沉积方法的示例包括化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(ALD)方法以及其它各种方法。
在气相沉积方法中，在ALD方法中，将一种原材料注入到容器中，然后吹扫并抽出，以使单分子(例如，原子)层或多层中的一层吸附在基底上。然后，将另一种原材料注入到容器中，然后吹扫并抽出，从而最终形成期望的单原子层或多原子层。
有机发光显示装置与其它显示装置相比具有较宽的视角、较好的对比特性和较快的响应速度，因此作为下一代显示装置已经受到关注。此类有机发光显示装置包括中间层和一个或更多个各种薄膜，其中，中间层包括处于彼此相对的第一电极和第二电极之间的有机发射层。这里，可以执行沉积工艺以形成有机发光显示装置的薄膜。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例包括一种具有改善的沉积效率的气相沉积设备。
根据本发明的一个或更多个示例性实施例，一种气相沉积设备包括：基底安装单元，基底安装在基底安装单元上；多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，沿着基底安装单元的所述方向注入第二原材料；等离子体模块单元，向多个第二喷嘴单元提供第二原材料。第二原材料是自由基，基底安装单元包括静电发生部件。
所述静电发生部件可以包括被施加直流(DC)电压的电极。
第一喷嘴单元均可以沿着基底安装单元的所述方向选择性地注入第一原材料和吹扫气体。
所述气相沉积设备还可以包括选择性地提供第一原材料和吹扫气体的开关单元，第一喷嘴单元均可以连接到开关单元。
所述开关单元可以包括：流入通道，连接到所述多个第一喷嘴单元；第一原材料通道和吹扫气体通道，均连接到流入通道；设置在第一原材料通道中的第一阀和设置在吹扫气体通道中的第二阀。
所述气相沉积设备还可以包括：感测单元，感测基底安装单元的位置；以及控制单元，接收与基底安装单元的位置对应的位置信息。
所述控制单元可以根据所述位置信息控制所述开关单元的操作。
当基底安装单元设置在所述多个第一喷嘴单元的下方时，第一喷嘴单元均可以注入第一原材料。
等离子体模块单元可以包括：等离子体发生器；对应的表面，围绕所述等离子体发生器；以及等离子体发生空间，限定在等离子体发生器和所述对应的表面之间。
所述气相沉积设备还可以包括在等离子体模块单元和所述多个第二喷嘴单元之间的扩散单元。
所述气相沉积设备还可以包括位于所述多个第一喷嘴单元中的第一喷嘴单元和所述多个第二喷嘴单元中的第二喷嘴单元之间并且沿着基底安装单元的移动方向与第一喷嘴单元相邻的排气单元和吹扫单元。
所述气相沉积设备还可以包括限定多个狭缝的第一下部板，第一下部板可以可分离地结合到第一喷嘴单元的下端。
所述气相沉积设备还可以包括多个第二下部板以及限定在每个第二下部板中的多个狭缝。所述多个第二下部板可以分别结合到第二喷嘴单元和吹扫单元的下端。
根据本发明的一个或更多个示例性实施例，一种气相沉积设备包括：基底安装单元，基底安装在基底安装单元上，所述基底安装单元包括静电发生部件；多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的所述方向注入第一原材料；多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，并沿着基底安装单元的所述方向注入具有自由基形式的第二原材料；扩散单元，将第二原材料分布到所述多个第二喷嘴单元中；以及等离子体模块单元，向所述扩散单元提供第二原材料。基底安装单元的静电发生部件将第二原材料诱导至基底安装单元。
等离子体模块单元可以包括：等离子体发生器；对应的表面，围绕所述等离子体发生器；以及等离子体发生空间，限定在等离子体发生器和所述对应的表面之间。
第一喷嘴单元均可以沿着基底安装单元的方向选择性地注入第一原材料和吹扫气体。
当基底安装单元设置在所述多个第一喷嘴单元的下方时，第一喷嘴单元均可以注入第一原材料。
所述气相沉积设备还可以包括：感测单元，感测基底安装单元的位置；以及控制单元，接收与基底安装单元的位置对应的位置信息。
所述气相沉积设备还可以包括位于所述多个第一喷嘴单元中的第一喷嘴单元和所述多个第二喷嘴单元中的第二喷嘴单元之间并且沿着基底安装单元的移动方向与第一喷嘴单元相邻的排气单元和吹扫单元。
所述气相沉积设备还可以包括多个下部板以及限定在每个下部板中的多个狭缝。所述多个下部板可分离地结合到第一喷嘴单元、第二喷嘴单元和吹扫单元的各自的下端。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的以下描述，本发明的这些和/或其它特征将变得显而易见并且更容易领会，在附图中：
图1是根据本发明的气相沉积设备的示例性实施例的示意透视图；
图2是示出图1的气相沉积设备的A部分的示意剖视图；
图3是示出图1的气相沉积设备的第一喷嘴单元的一部分的示例性实施例的示意剖视图；
图4是示出图1的气相沉积设备的下部板的示例性实施例的示意平面图；
图5是根据本发明的有机发光显示装置的示例性实施例的示意剖视图；
图6是示出图5的F部分的放大视图。
具体实施方式
由于本发明可具有不同修改的实施例，所以示例性实施例在附图中示出并在具体实施方式中进行描述。然而，这不能将本发明限制在具体实施例内，而是应该理解为本发明覆盖了在本发明的思想和技术范围内的所有修改、等同和替代。在本发明的描述中，当确定与本发明相关的已知技术的详细描述可能会使本发明的要点变得模糊时，将省略其详细描述。
将理解的是，虽然在此使用术语第一和第二来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。使用术语仅为了将一种组件与其它组件区分开来。
在以下描述中，使用技术术语仅为了说明具体的示例性实施例而不限制本发明。除非提及反例，否则单数形式的术语可以包括复数形式。在附图中，为了便于描述和清楚起见，夸大、省略或示意性示出了每层的厚度或尺寸。
此外，在描述每个组成元件中，当每个组成元件被描述为形成“在……上”或“在……下”时，“在……上”或“在……下”均包括那些直接形成或者通过其它组成元件形成的元件，并且将基于附图来描述关于“在……上”或“在……下”的标准。如在此使用的，“连接”可以指元件彼此物理连接、电气连接和/或流体连接。
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，当描述附图时，相同或对应的组件被赋予相同的标号。因此，将省略其重复的描述。
在此参照作为本发明的理想实施例(以及中间结构)的示意图的剖视图来描述本发明的实施例。这样，例如由制造技术和/或公差而引起的图示的形状的变化将是预料之中的。因此，本发明的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的特定形状，而应该包括例如由制造引起的形状上的偏差。
除了这里另外指出或另外与上下文明显矛盾，否则在此描述的所有方法能以适当的次序执行。除非另外声明，否则任何和所有示例或者示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅意在更好地对本发明进行举例说明，并不对本发明的范围造成限制。在说明书没有语言应该解释为将任何未要求保护的元件指示为对如在此使用的实践本发明是必要的。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明。
图1是根据本发明的气相沉积设备的示例性实施例的示意透视图，图2是图1的示出气相沉积设备的A部分的示意剖视图，图3是示出图1的气相沉积设备的第一喷嘴单元的示例性实施例的一部分的示意剖视图，图4是示出图1的气相沉积设备的下部板的示例性实施例的示意平面图。
参照图1至图4，根据本发明的气相沉积设备100的示例性实施例可以包括：基底安装单元P，基底S安装在基底安装单元P上；多个第一喷嘴单元110，沿着基底安装单元P的方向注入第一原材料；多个第二喷嘴单元120，沿着基底安装单元P的方向注入第二原材料；等离子体模块单元150，向多个第二喷嘴单元120提供第二原材料。
虽然没有示出，但是气相沉积设备100可以包括容纳基底S和基底安装单元P的室(未示出)。，室可以连接到泵(未示出)，以控制在室中执行的沉积工艺期间室内的压力气氛。另外，室可以包括通过其将基底S装载到室或从室卸载基底S的至少一个入口(未示出)和用于传输或移动基底安装单元P的驱动单元(未示出)。
基底安装单元P可以使基底S安装在其上并且将基底S传输到室中(未示出)。基底安装单元P可以包括使基底S相对于基底安装单元P固定的固定单元(未示出)。固定单元(未示出)可以是夹板、按压单元、粘结材料或其它各种单元。基底安装单元P在沉积工艺期间沿着一个方向移动或往返运动，以调节在沉积工艺期间沉积在基底S上的薄膜的厚度。
另外，基底安装单元P可以包括静电发生部件。在一个实施例中，例如，静电发生部件可以包括在基底安装单元P内的电极W。当向静电发生部件和/或电极W施加直流(DC)电压时，电极W可以产生静电。在基底安装单元P中产生的静电可以诱导离子至基底安装单元P。详细地讲，如下所述，由于具有自由基形式的第二原材料在方向性和流动性方面提高，所以可以使第二原材料的分散最小化，另外，可以增加到达基底S的第二原材料的量以提高气相沉积设备100的沉积效率。
第一喷嘴单元110可以沿着基底安装单元P的方向注入第一原材料。第一喷嘴单元110可以被认为限定在气相沉积设备100的主体中，或者可以被认为包括用于第一原材料的流动路径或流动通道以及主体的限定所述流动路径或流动通道的部分。第一原材料可以从供给箱(未示出)提供到第一喷嘴单元110。这里，第一原材料沿着水平方向被提供到第一喷嘴单元110。水平方向可以限定在气相沉积设备的主体的平面中，诸如，在相对于图1的Y-Z平面内的Z方向上。水平方向可以平行于基底安装单元P的平面。即，平行于基底安装单元P提供到第一喷嘴单元110的第一原材料可以通过第一喷嘴单元110沿着基底安装单元P的方向注入。注入方向可以限定在相对于图1的X方向相反的方向。在一个示例性实施例中，第一原材料的注入方向可以被认为与第一原材料的提供方向正交。
第一喷嘴单元110可以沿着基底安装单元P的方向注入第一原材料并且选择性地注入吹扫气体。在一个示例性实施例中，例如，如果基底安装单元P没有设置在第一喷嘴单元110的下方，则第一喷嘴单元110可以注入吹扫气体而非第一原(例如，源)材料。即，由于第一喷嘴单元110根据基底安装单元P的位置间歇性地提供第一原材料，所以可以减少第一原材料的消耗量。
为此，使第一喷嘴单元110连接到开关单元170。开关单元170包括：流入管(例如，流入通道)172，连接到第一喷嘴单元110；第一原材料管173和吹扫气体管174，连接到流入管172；设置在第一原材料管173中的第一阀175和设置在吹扫气体管174中的第二阀176，分别将第一原材料或吹扫气体选择性地提供到第一喷嘴单元110中。
详细地讲，如果基底安装单元P设置在第一喷嘴单元110的下方，则可以打开第一阀175并且可以关闭第二阀176，以将第一原材料提供到第一喷嘴单元110。由于在第一阀175打开的同时第二阀176关闭，所以吹扫气体不会被提供到流入管172中。相反地，如果基底安装单元P没有设置在第一喷嘴单元110的下方，则可以关闭第一阀175并且可以打开第二阀176以将吹扫气体提供到第一喷嘴单元110。由于在第二阀176打开的同时第一阀175关闭，所以第一原材料不会被提供到流入管172中。
因此，由于原材料可以选择性地被提供，所以第一原材料的总消耗量可以减少，并且可以减少或者有效地防止当基底安装单元P没有设置在第一喷嘴单元110的下方时第一原材料到室(未示出)中的注入，从而使由第一原材料造成的对室(未示出)内部的污染最小化。另外，在传统的气相沉积设备中，稳定板设置在现有技术的基底安装单元的相对侧的每侧上，以防止不必要或不需要的第一原材料被注入到室中。根据本发明的气相沉积设备的一个或更多个示例性实施例，由于原材料被选择性地提供到室中，所以可以省略传统的稳定板以减小气相沉积设备100的总体长度或尺寸。
气相沉积设备100还可以包括感测基底安装单元P的位置的感测单元(未示出)。可以利用所感测的基底安装单元P的位置来根据基底安装单元P的位置控制开关单元170的操作。气相沉积设备100还可以包括从感测单元(未示出)接收基底安装单元P的位置信息的控制单元(未示出)，可以利用接收到的位置信息来进一步控制开关单元170的操作。
多个下部板160分别可分离地结合到第一喷嘴单元110的下端。下部板160可以用作喷头型元件，以分布并分散由其接收的并且穿过下部板160的材料。下部板160包括板状的主体162和限定在主体162中以从第一喷嘴单元110均匀地注入第一原材料的多个狭缝164。多个狭缝164可以将第一喷嘴单元110的流入第一原材料的内部区域暴露于第一喷嘴单元110的外部，从而使第一原材料可以从第一喷嘴单元110的内部区域流到第一喷嘴单元110的外部。单个下部板160可以是单独的、整体的、不可分割的构件，并且可以仅限定狭缝164。
虽然在图4中示出了布置在一条线上的多个离散的狭缝164，但是本发明不限于此。例如，在可选择的示例性实施例中，多个离散的狭缝164可以布置在沿着主体162的长度方向延伸的多个行并且布置在沿着与主体162的长度方向垂直的宽度方向上，或者圆形地布置和/或同心地布置。单个狭缝164的形状不限于图4的圆形平面形状，狭缝164的示例性实施例可以包括适用于在此描述的目的的各种平面形状。由于下部板160分别可分离地结合到第一喷嘴单元110，所以可以相对容易地执行其更换工艺和吹扫工艺。另外，下部板160可以分别可分离地结合到多个第二喷嘴单元120和/或吹扫单元130a和130b的下端。
第二喷嘴单元120与多个第一喷嘴单元110交替地设置，并且第二喷嘴单元120沿着基底安装单元P的方向注入具有自由基形式的第二原材料。第二喷嘴单元120可以被认为限定在气相沉积设备100的主体中，或者可以被认为包括用于第二原材料的流动路径或流动通道以及主体的限定流动路径或流动通道的部分。具有自由基形式的第二原材料可以从等离子体模块单元150提供到第二喷嘴单元120中。
等离子体模块单元150可以设置在室(未示出)的内部或外部，并且包括用于产生等离子体的等离子体产生单元(未示出)。
等离子体产生单元(未示出)可以包括被施加电压的等离子体产生器、围绕等离子体产生器的对应的表面以及限定在等离子体产生器(未示出)和对应的表面之间的等离子体产生空间。等离子体产生器可以是被施加电压的圆柱形电极，对应的表面可以是围绕等离子体产生器的接地电极。然而，本发明不限于此。例如，在一个示例性实施例中，等离子体产生器可以接地，并且电压可以施加到对应的表面。
在等离子体产生单元(未示出)中，当向等离子体产生器施加脉冲电压以在等离子体产生器和对应的表面之间产生电位差时，在等离子体产生空间中会产生等离子体。然后，当将第二原材料注入到产生等离子体的等离子产生空间(未示出)中时，第二原材料可以具有自由基形式。另外，由于等离子体产生在与执行沉积工艺的区域分隔开的等离子体模块单元150内，所以可以降低或有效地防止由于等离子体导致的基底S的损坏。
气相沉积设备100还可以包括设置在等离子体模块单元150和第二喷嘴单元120之间的扩散单元152。扩散单元152可以使从等离子体模块单元150提供的第二原材料扩散，以将第二原材料分布到多个第二喷嘴单元120中。由于等离子体模块单元150可以向多个第二喷嘴单元120共同地提供第二原材料，所以扩散单元152将第二原材料分布到多个第二喷嘴单元120中。
在一个示例性实施例中，例如，扩散单元152可以包括连接到多个第二喷嘴单元120的管或通道(未示出)。可选择地，扩散单元152可以包括多个板(未示出)。所述多个板(未示出)可以在沿着气相沉积设备100的剖面或厚度方向(例如，X方向)上设置为几个层。第二原材料所穿过的多个孔可以被限定在每个板(未示出)中，以通过扩散单元152调节第二原材料的移动路径，从而将第二原材料从等离子模块单元150均匀地提供给多个第二喷嘴单元120。
通过多个第二喷嘴单元120注入的第二原材料可以通过在基底安装单元P中产生的静电被诱导在基底安装单元P的方向。即，由于具有自由基形式的第二原材料的方向性和流动性得以提高，所以具有可以容易分散的自由基形式的第二原材料可以更容易地到达基底S。因此，可以使第二原材料的未控制或杂散的损耗最小，并且可以增加到达基底S的第二原材料的量以提高气相沉积设备100的沉积效率。
吹扫单元130a和130b以及排气单元140a和140b可以进一步设置在第一喷嘴单元110和第二喷嘴单元120之间。吹扫单元130a和130b以及排气单元140a和140b可以被认为限定在气相沉积设备100的主体中，或者可以被认为包括流动路径或流动通道以及主体的限定流动路径或流动通道的部分。
如果假设基底安装单元P沿着Y方向移动，则吹扫单元130a和130b可以包括设置在挨着第一喷嘴单元110的位置处的第一吹扫单元130a和设置在挨着第二喷嘴单元120的位置处的第二吹扫单元130b。同样地，排气单元140a和140b可以包括相对于基底安装单元P的同一Y移动方向设置在挨着第一喷嘴单元110位置处的第一排气单元140a和设置在挨着第二喷嘴单元120位置处的第二排气单元140b。
第一吹扫单元130a和第二吹扫单元130b沿着基底S的方向注入吹扫气体。吹扫气体可以是不影响沉积工艺并且对在基底S上沉积的材料没有积极作用的气体，例如，氩气或氮气。吹扫气体可以从吹扫单元130a和130b的内部区域经由限定在下部板160的主体162中的狭缝164传到吹扫单元130a和130b的外部，但是本发明不限于此。
第一排气单元140a和第二排气单元140b沿着与基底S的方向相反(例如，远离基底S)的方向在吹扫气体的作用下排放与基底S分隔的副产物以及在沉积工艺期间没有反应的额外的或未消耗的第一原材料和第二原材料。
在下文中，将参照图1至图3描述通过利用气相沉积设备100在基底S上形成薄膜的方法的示例性实施例。另外，作为示例，将描述在基底安装单元P沿着图1的Y方向移动的同时在基底S上形成AlxOy薄膜的结构的示例性实施例。然而，本发明不限于此。在一个示例性实施例中，例如，基底安装单元P可以沿着附图中指示的Y方向以及与Y方向相反的方向往返运动。
利用气相沉积设备100在基底S上形成薄膜的方法包括在基底安装单元P上安装作为在其上沉积原材料的目标的基底S。当诸如其上安装有基底的基底安装单元P设置在第一喷嘴单元110的一个或更多个下方时，通过感测单元(未示出)感测基底安装单元P的位置。在接收通过感测单元感测的位置信息的控制单元(未示出)的控制下，第一喷嘴单元110沿着基底S的方向注入第一原材料。
在一个示例性实施例中，例如，第一原材料可以是包括处于气体状态的诸如三甲基铝(TMA)的铝(Al)原子的气体。因此，可以在基底S的顶表面上形成包括吸附的铝的层。形成的吸附层可以包括化学吸附层和物理吸附层。这里，具有相对弱的分子间结合力的物理吸附层通过从第一吹扫单元130a注入的吹扫气体与基底S分离，其中，第一吹扫单元130a相对于基底S的行进方向设置在挨着第一喷嘴单元110的位置处。另外，可以通过相对于基底S的行进方向设置在挨着第一喷嘴单元110的位置处的第一排气单元140a的抽取从基底S有效地去除已经与基底S分离的物理吸附层。
接着，基底安装单元P可以沿着Y方向连续地运动，第二喷嘴单元120可以将第二原材料注入到基底S上。第二原材料具有自由基形式。第二原材料可以与由预先吸附在基底S上的第一原材料形成的化学吸附层反应，或者可以用化学吸附层的一部分取代以最终形成包括吸附材料的期望的沉积层，例如，AlxOy层。然而，多余的或剩余的第二原材料可以作为物理吸附层残留在基底S上。
由残留在基底S上的第二原材料形成的物理吸附层可以通过从第二吹扫单元130b注入的吹扫气体与基底S分离，然后通过第二排气单元140b的抽取有效地从基底S去除所述物理吸附层，其中，第二吹扫单元130b相对于基底S的行进方向设置在挨着第二喷嘴单元120的位置处，第二排气单元140b相对于基底S的运动方向设置在挨着第二喷嘴单元120的位置处。因此，在基底S上可以形成期望的单分子或原子层(例如，薄膜层)。
如上所讨论的，基底安装单元P可以包括用于将第二原材料朝基底安装单元P诱导的静电发生部件。因此，可以提高第二原材料的方向性和流动性，并且可以增加参与以上描述的化学反应的第二原材料的量以提高气相沉积设备100的沉积效率。
另外，由于基底安装单元P沿着Y方向连续移动，所以可以将基底安装单元P定位成与第一喷嘴单元110不叠置。这里，感测单元(未示出)可以感测基底安装单元P的位置，然后接收位置信息的控制单元(未示出)可以控制开关单元170注入来自第一吹扫单元130a的吹扫气体来代替来自第一喷嘴单元110的第一原材料。因此，可以减少第一原材料的损耗，以使由于第一原材料导致的对室(未示出)的内部的污染最小化。
图5是可以利用图1的气相沉积设备来制造的有机发光显示装置的示例性实施例的示意剖视图，图6是图5的示出F部分的放大视图。
详细地讲，图5和图6示出了可以利用以上描述的气相沉积设备(见图1的附图标记100)来制造的有机发光显示装置。
有机发光显示装置10设置在基底30上。基底30可以包括玻璃、塑料或金属材料。
缓冲层31在基底30上提供平坦化表面。缓冲层31可以包括用于减少或有效地防止湿气和外来物质沿着基底30的方向透过的绝缘材料。
薄膜晶体管(TFT)40、电容器50和有机发光装置60设置在缓冲层31上。TFT40包括有源层41、栅电极42以及源电极和漏电极43。有机发光装置60包括第一电极61、第二电极62和中间层63。
电容器50包括第一电容器电极51和第二电容器电极52。
详细地讲，有源层41具有预定的图案并且设置在缓冲层31的顶表面上。有源层41可以包括诸如硅的无机半导体材料、有机半导体材料或氧化物半导体材料。在制造有机发光显示装置的示例性实施例中，可以通过掺杂P型或N型掺杂剂来形成有源层41。第一电容器电极51可以与栅电极42设置在相同的层中并且包括与栅电极42相同的材料。
栅绝缘层32设置在有源层41上。栅电极42设置在栅绝缘层32上以与有源层41对应。层间电介质33设置为覆盖栅电极42。源电极和漏电极43设置在层间电介质33上，以通过限定在有机发光显示装置的各个层中的接触孔来接触有源层41的预定区域。第二电容器电极52可以与源电极和漏电极43设置在同一层(例如，相同的单层)中，并且可以包括与源电极和漏电极43相同的材料。
钝化层34设置为覆盖源电极和漏电极43。在钝化层34上还可以设置分离绝缘层(未示出)以使薄膜晶体管40平坦化。
第一电极61设置在钝化层34上。第一电极61通过限定在钝化层34中的接触孔电连接到源电极和漏电极43中的一个。另外，像素限定层35设置为覆盖第一电极61。预定的开口64被限定在像素限定层35中。包括有机发光层的中间层63设置在由开口64限制的区域内。第二电极62设置在开口64内的中间层63上。
包封层70设置在第二电极62上。包封层70可以包括有机材料或无机材料。可选择地，包封层70可以具有有机材料和无机材料彼此交替地堆叠的结构。
在制造有机发光显示装置的示例性实施例中，可以利用以上所述的气相沉积设备(见图1的附图标记100)来形成包封层70。即，包括其上设置的第二电极62的基底30可以穿过以上所述的气相沉积设备(见图1的附图标记100)以形成诸如薄膜层的期望的层。
具体地讲，包封层70可以包括无机层构件71和有机层构件72。另外，无机层构件71可以包括多个层71a、71b和71c，有机层构件72可以包括多个层72a、72b和72c。这里，无机层构件71的多个层71a、71b和71c可以分别利用气相沉积设备(见图1的附图标记100)来形成。
然而，本发明的示例性实施例不限于此。即，有机发光显示装置10的诸如缓冲层31、栅绝缘层32、层间电介质33、钝化层34和/或像素限定层35的其它层也可以利用气相沉积设备(见图1的附图标记100)来形成。
另外，诸如有源层41、栅电极42、源电极和漏电极43、第一电极61、中间层63和/或第二电极62的其它各种薄膜也可以利用气相沉积设备(见图1的附图标记100)来形成。
如上所述，当利用气相沉积设备(见图1的附图标记100)时，可以提高形成在有机发光显示装置10中的沉积膜的性质，以提高有机发光显示装置10的电性质和图像品质性质。
根据本发明的气相沉积设备的一个或更多个示例性实施例可以具有改善的沉积效率。
因此，本领域普通技术人员将从上文理解的是，各种改变和其它等同实施例也是可以的。

Claims (15)

1.一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：
基底安装单元，基底安装在基底安装单元上；
多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；
多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，沿着基底安装单元的所述方向注入第二原材料；
排气单元和吹扫单元，位于所述多个第一喷嘴单元中的一个第一喷嘴单元和所述多个第二喷嘴单元中的一个第二喷嘴单元之间，并且沿着基底安装单元的移动方向与第一喷嘴单元相邻；
等离子体模块单元，向所述多个第二喷嘴单元提供第二原材料；
限定多个狭缝的第一下部板，可分离地结合到所述多个第一喷嘴单元的下端，
其中，
所述多个第一喷嘴单元中的每个第一喷嘴单元均沿着基底安装单元的所述方向选择性地注入第一原材料和吹扫气体，
第二原材料是自由基，以及
基底安装单元包括静电发生部件。
2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中，所述静电发生部件包括被施加直流电压的电极。
3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括选择性地提供第一原材料和吹扫气体的开关单元，
其中，第一喷嘴单元均连接到开关单元。
4.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其中，所述开关单元包括：
流入通道，连接到所述多个第一喷嘴单元；
第一原材料通道和吹扫气体通道，均连接到流入通道；以及
设置在第一原材料通道中的第一阀和设置在吹扫气体通道中的第二阀。
5.根据权利要求3所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括：
感测单元，感测基底安装单元的位置；以及
控制单元，接收与基底安装单元的位置对应的位置信息。
6.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其中，控制单元根据所述位置信息控制开关单元的操作。
7.根据权利要求6所述的气相沉积设备，其中，当基底安装单元设置在所述多个第一喷嘴单元的下方时，第一喷嘴单元均注入第一原材料。
8.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中，等离子体模块单元包括：
等离子体发生器；
对应的表面，围绕所述等离子体发生器；以及
等离子体发生空间，限定在等离子体发生器和所述对应的表面之间。
9.根据权利要求8所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括处于等离子体模块单元和所述多个第二喷嘴单元之间的扩散单元。
10.根据权利要求1所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括多个第二下部板以及限定在每个第二下部板中的多个狭缝，
其中，所述多个第二下部板分别结合到第二喷嘴单元和吹扫单元的下端。
11.一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：
基底安装单元，基底安装在基底安装单元上，所述基底安装单元包括静电发生部件；
多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；
多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，并沿着基底安装单元的所述方向注入具有自由基形式的第二原材料；
排气单元和吹扫单元，位于所述多个第一喷嘴单元中的一个第一喷嘴单元和所述多个第二喷嘴单元中的一个第二喷嘴单元之间，并且沿着基底安装单元的移动方向与第一喷嘴单元相邻；
扩散单元，将第二原材料分布到所述多个第二喷嘴单元中；
等离子体模块单元，向所述扩散单元提供第二原材料；以及
多个下部板以及限定在每个下部板中的多个狭缝，
其中，所述多个第一喷嘴单元中的每个第一喷嘴单元均沿着基底安装单元的所述方向选择性地注入第一原材料和吹扫气体，
其中，所述多个下部板可分离地结合到所述多个第一喷嘴单元的下端，
其中，基底安装单元的静电发生部件将第二原材料诱导至基底安装单元。
12.根据权利要求11所述的气相沉积设备，其中，等离子体模块单元包括：
等离子体发生器；
对应的表面，围绕所述等离子体发生器；以及
等离子体发生空间，限定在等离子体发生器和所述对应的表面之间。
13.根据权利要求11所述的气相沉积设备，其中，
当基底安装单元设置在所述多个第一喷嘴单元的下方时，第一喷嘴单元均注入第一原材料。
14.根据权利要求13所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括：
感测单元，感测基底安装单元的位置；以及
控制单元，接收与基底安装单元的位置对应的位置信息。
15.根据权利要求11所述的气相沉积设备，其中，所述多个下部板还可分离地结合到第二喷嘴单元和吹扫单元的各自的下端。
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