TW201547081A - 密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機ｅｌ元件構造、其製造方法及其製造裝置 - Google Patents
密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機ｅｌ元件構造、其製造方法及其製造裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201547081A TW201547081A TW104106811A TW104106811A TW201547081A TW 201547081 A TW201547081 A TW 201547081A TW 104106811 A TW104106811 A TW 104106811A TW 104106811 A TW104106811 A TW 104106811A TW 201547081 A TW201547081 A TW 201547081A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- barrier film
- organic
- film
- forming
- inorganic material
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title abstract 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 156
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 60
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 46
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 24
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- IDYFACFOJYNFAX-UHFFFAOYSA-J tetrafluoroantimony Chemical compound F[Sb](F)(F)F IDYFACFOJYNFAX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YZBOOASCZHGWQZ-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+] YZBOOASCZHGWQZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- CMCRQEROAJPMQT-UHFFFAOYSA-N [He].F.F.F.F Chemical compound [He].F.F.F.F CMCRQEROAJPMQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetrafluoride Chemical compound F[Hf](F)(F)F QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N tetrafluorogermane Chemical compound F[Ge](F)(F)F PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBIYWHCPXHKZME-UHFFFAOYSA-J tetrafluororuthenium Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ru+4] CBIYWHCPXHKZME-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供一種可防止因水分導致發光部之有機化合物劣化之密封構造之形成方法。
以藉由ALD法所形成之氧化鋁的第1阻障膜(18)，將由依序層疊之陽極膜(14)、包含有機化合物之發光部(15)及陰極膜(16)所構成的元件層疊部(12)覆蓋，以CVD法所形成的有機膜(19)，將該第1阻障膜(18)覆蓋，且對該有機膜(19)進行異方性蝕刻，而且，以氮化矽之第2阻障膜(20)，將第1阻障膜(18)覆蓋。
Description
本發明，係關於密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機EL元件構造、其製造方法及其製造裝置。
作為電腦或移動式設備之顯示器，近年來，使用具有有機EL(Organic Electro-Luminescence)元件構造的顯示器(以下，稱為「有機EL顯示器」。)來取代LCD(Liquid Crystal Display)。
在有機EL元件中，由於施加有電壓之發光部的有機化合物(二胺類等之有機化合物)自身會發光，因此，不需要LED所需之背光，又，因為有機EL元件構造，係對電壓施加的發光響應速度快，且起因於構造簡單而呈現柔軟性，因此，有機EL顯示器，係特別適合於智慧型手機等之移動式設備的顯示器，而且適合於可撓型顯示器。
可是，由於有機EL元件構造之有機化合物吸
濕時會劣化，最嚴重時，即使施加電壓亦變得不發光，因此，在有機EL元件構造中，係必須將由有機化合物所構成的發光部與外界密封。為了應對上述問題，在有機EL元件構造中，係使用如下手法：以密封膜從環境將元件層疊部(該元件層疊部，係由使用TFT之元件驅動電路層上所層疊的陽極、發光部、陰極所構成)密封。作為密封膜，雖使用可藉由CVD法而形成之無機膜例如氮化矽(SiN)膜或氮氧化矽(SiON)膜等，但由於藉由CVD法所形成之膜的覆蓋性低，因此，在元件層疊部之各層，例如作為最上層的陰極上存在有微粒時，無法以密封膜將該微粒(特別是成為下切之微粒的下部)完全覆蓋，結果，密封膜之一部分中斷，而有無法防止發光部之吸濕之虞。
因此，近年來，如圖4所示，提出如下技術：以微粒P與有機膜44一起將由陽極40、發光部41及陰極42所構成的元件層疊部43覆蓋，然後，以無機膜45將有機膜44覆蓋(例如，參閱專利文獻1。)。在關於專利文獻1之技術中，係由於微粒P被埋沒於有機膜44，因此，無機膜45，係不需將微粒P之下部覆蓋，且即使無機膜45之覆蓋性低，無機膜45之一部分亦不會中斷。
又，如圖5所示，亦提出如下技術：在元件層疊部43及有機膜44之間進一步設置無機膜46，使有機膜44具有去耦層的功能，藉由此，相較於關於專利文獻1之技術更提升密封之勢能。
[專利文獻1]日本特表2011-508374號公報
然而，在有機EL元件中，為了確保陽極40或陰極42之導通，而必須在有機EL元件構造之端部E，將有機膜44或無機膜45去除而使陽極40或陰極42露出。此時，由於有機膜44之端部亦露出，因此，有水分從有機膜44之端部進入，透濕該有機膜44而到達發光部41之虞。又，在有機膜44與發光部41之間雖存在有陰極42，但由於陰極42是被形成為薄膜狀，且相較於密封性，將重點置於導電性的材料是使用於陰極42，因此，陰極42不充分具有防止透濕之效果。
又，在形成無機膜45之際，於有機膜44上存在有微粒P，或在形成無機膜46之際，當於陰極42上存在有微粒P時，則有覆蓋微粒P之無機膜45、46的一部分中斷而產生間隙，從該間隙進入的水分透濕有機膜44而到達發光部41之虞。亦即，依然有因水分而導致發光部之有機化合物劣化之虞。
本發明之目的，係提供一種可防止因水分導致發光部之有機化合物劣化之密封構造之形成方法、密封
構造之製造裝置和有機EL元件構造、其製造方法及其製造裝置。
為了達成上述目的，而本發明之密封構造之形成方法，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成之元件層疊部之密封構造之形成方法，其特徵係，具有：第1阻障膜形成步驟，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋；有機膜形成步驟，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋；有機膜蝕刻步驟，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻；及第2阻障膜形成步驟，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
為了達成上述目的，而本發明之密封構造之製造裝置，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成之元件層疊部之密封構造之製造裝置，其特徵係，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
為了達成上述目的，而本發明之有機EL元件構造之製造方法，係具有元件層疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成)之有機EL元件構造之製造方法，其特徵係，具有：第1阻障膜形成步驟，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋；有機膜形成步驟，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋；有機膜蝕刻步驟，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻；及第2阻障膜形成步驟，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
為了達成上述目的，而本發明之有機EL元件構造，係具有元件層疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成)與密封構造(該密封構造，係將該元件層疊部密封)，該有機EL元件構造，其特徵係，前述密封構造，係構成為依該順序層疊：無機材料的第1阻障膜，藉由ALD法所形成；及無機材料的第2阻障膜，係與至少將前述第1阻障膜之一部分覆蓋之形成前述第1阻障膜的無機材料相同或不同，在前述有機EL元件構造之端部中，前述第1阻障膜及前述第2阻障膜密接。
為了達成上述目的，而本發明之有機EL元件構造之製造裝置，係具有元件層疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2
電極所構成)之有機EL元件構造之製造裝置，其特徵係，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻，以與至少形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，進行覆蓋。
根據本發明，雖以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜來將元件層疊部覆蓋，但由於藉由ALD法所形成之膜的覆蓋性高，因此，即使在元件層疊部上存在有異物，第1阻障膜亦不會中斷而可將該異物覆蓋，且水分不會從第1阻障膜之間隙進入。又，雖以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將第1阻障膜覆蓋，且藉由異方性蝕刻來對該有機膜進行蝕刻，然後，以無機材料之第2阻障膜，至少將第1阻障膜覆蓋，但由於在第1阻障膜或第2阻障膜之端部中，有機膜，係藉由蝕刻來予以去除，因此，在第1阻障膜及第2阻障膜之間不夾雜有機膜，第1阻障膜及第2阻障膜密接，水分不會從有機膜之端部進入。其結果，可防止因水分所導致之發光部之有機化合物劣化。
P‧‧‧微粒
12‧‧‧元件層疊部
13‧‧‧密封構造
18‧‧‧第1阻障膜
19‧‧‧有機膜
20‧‧‧第2阻障膜
[圖1]概略地說明本發明實施形態之有機EL元件構造之構成的剖面圖。
[圖2]概略地表示圖1之形成密封構造之有機EL元件構造之製造裝置之構成的剖面圖。
[圖3]本實施形態之密封構造之形成方法的工程圖。
[圖4]概略地說明具有以往之密封構造之有機EL元件構造之構成的剖面圖。
[圖5]概略地說明具有以往之其他密封構造之有機EL元件構造之構成的剖面圖。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。
首先，說明本發明之第1實施形態的有機EL元件構造。本實施形態之有機EL元件構造，係在發光面板中配置有多數個，且各有機EL元件構造個別發光，藉由此，該發光面板具有顯示器或照明設備的功能。
圖1，係概略地說明關於本實施形態之有機EL元件構造之構成的剖面圖。
在圖1中，有機EL元件構造10，係具有：元件層疊部12，形成於基板11上；及密封構造13，形成為將該元件層疊部12覆蓋。
元件層疊部12，係由從基板11側依序層疊之陽極膜14(第1電極)，例如包含二胺類等之有機化合物的
發光部15及陰極膜16(第2電極)所構成，且發光部15之有機化合物，係因從陽極膜14或陰極膜16所注入之電洞或電子之再結合而發光。
陽極膜14，係例如由藉由濺鍍成膜法所形成之ITO膜(氧化銦錫)的薄膜所構成。陰極膜16，係由藉由框緣掩模蒸鍍法所形成之工作函數小且易氧化之金屬所構成的薄膜，例如由鋁或銀．鎂合金等的薄膜所構成。發光部15，係由藉由FMM(Fine Metal Mask)蒸鍍法所形成之有機化合物的膜所構成，詳細而言，係由電洞注入層、電洞輸送層、有機化合物之發光層、電子輸送層、電子注入層之層積構造所構成。由於發光部15之有機化合物，係調整為能夠發出紅色、綠色、藍色之任一的光，因此，元件層疊部12會發出紅色、綠色、藍色之任一的光。
又，元件層疊部12，係形成為包圍發光部15，且例如具有由樹脂所構成之堤17。堤17，係用於規定發光部15之位置，並且在發光部15的周圍使陽極膜14及陰極膜16絕緣。
密封構造13，係由下述者所構成，其包括：第1阻障膜18，以直接將元件層疊部12覆蓋的方式，由藉由ALD(Atomic Layer Deposition)法所形成的無機材料，例如氧化鋁(Al2O3)所構成；有機膜19，以將第1阻障膜18覆蓋的方式，由藉由等向性之成膜手法例如蒸鍍法所形成的有機材料所構成；及第2阻障膜20，以將有機膜19覆蓋的方式，由藉由CVD(Chemical Vapor
Deposition)法所形成的無機材料，例如氮化矽(SiN)所構成。
由於ALD法，係例如在使三甲基鋁(TMA)氣體與H2O氣體或臭氧(O3)氣體等之氧化劑氣體產生反應，而形成氧化鋁(Al2O3)膜時，藉由不具有指向性而進行運動的TMA分子與氧化劑之分子，反複進行TMA分子向被成膜物的吸附與氧化，藉由此，逐層堆疊氧化鋁之分子，因此，可等向性(以高覆蓋性)地形成非常薄的密封膜。因此，由ALD法所形成之密封構造13的第1阻障膜18，係可完全將存在於元件層疊部12上的微粒P全面覆蓋，而不會中斷。
在密封構造13中，係如後述之密封構造之形成方法所示，由於在第2阻障膜20形成之前，有機膜19被異方性蝕刻，因此，除了微粒P之周圍以外，有機膜19被去除，在有機EL元件構造10的端部E中，在第1阻障膜18及第2阻障膜20之間不夾雜有機膜19，第1阻障膜18及第2阻障膜20是相互密接。
又，在有機EL元件構造10的端部E中，元件層疊部12之堤17被去除，陽極膜14，係朝向一方之端部E延伸，陰極膜16，係朝向另一方之端部E延伸。在各端部E中，密封構造13並沒有將陽極膜14或陰極膜16完全覆蓋，陽極膜14或陰極膜16露出，從而確保與外部之電源之導通。另外，由於陽極膜14或陰極膜16，係與第1阻障膜18或基板19密接，而在相互的接觸面之
間具有充分的密封效果，因此，即使陽極膜14或陰極膜16從密封構造13露出，亦不會損害有機EL元件構造10作為全體的密封效果。
根據有機EL元件構造10，雖以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜18，將元件層疊部12覆蓋，但由於藉由ALD法所形成之膜的覆蓋性高，因此，即使在元件層疊部12上存在有微粒P，第1阻障膜18亦可將該微粒P覆蓋而不會中斷，且水分不會從第1阻障膜18之間隙進入。又，在密封構造13中，係在端部E中，在第1阻障膜18及第2阻障膜20之間不夾雜有機膜19，第1阻障膜18及第2阻障膜20密接，而水分不會從有機膜19之端部進入。其結果，可防止因水分所導致發光部15之有機化合物劣化。
而且，由於密封構造13，係具有夾層構造(該夾層構造，係在2個無機材料之膜(第1阻障膜18、第2阻障膜20)夾有有機膜19)，因此具有可撓性。其結果，可藉由將可撓式之基材使用於基板11的方式，來製造可撓式之發光面板。
另外，在上述的有機EL元件構造10中，雖藉由CVD法來形成第2阻障膜20，但亦可以ALD法來形成第2阻障膜20。
圖2，係概略地表示形成圖1之密封構造之有機EL元件構造之製造裝置之構成的剖面圖。
圖2之製造裝置21，係具備有：殼體狀之腔
室22，可對內部進行減壓；載置台23，被配置於該腔室22之底部，且載置形成有有機EL元件構造10的基板11；電極板24，在腔室22之內部，配置為與載置台23相對向，且接地；無機材料氣體供給部25，對腔室22之內部供給形成阻隔膜的無機材料氣體，例如用於形成第1阻障膜18之三甲基鋁氣體或氧化劑氣體，及用於形成第2阻障膜20之四氟化矽(SiF4)氣體；有機材料氣體供給部26，對腔室22之內部供給形成有機膜19之有機材料的氣體；沖洗氣體供給部27，對腔室22之內部供給沖洗氣體，例如氮氣(N2)；氧氣供給部28，對腔室22之內部供給蝕刻氣體，例如氧氣(O2)；及排氣裝置29，對腔室22之內部進行排氣。
在製造裝置21中，係構成供給系統為較佳，該供給系統，係使用作為氧化劑氣體之H2O氣體或臭氧氣體等，將三甲基鋁氣體的供給源與H2O氣體或臭氧氣體等之氧化劑氣體的供給源連接於無機材料氣體供給部25，從而可交替地供給三甲基鋁氣體與氧化劑氣體。又，在以四氟化矽氣體與氮氣來形成第2阻障膜20時，雖可使從沖洗氣體供給部27所供給之氮氣兼作為第2阻障膜20之材料氣體中的一個，但亦可將與沖洗氣體供給部27獨立的氮氣供給源連接於無機材料氣體供給部25，而將四氟化矽氣體與氮氣的混合氣體供給至腔室22。又，在對於有機膜19之形成必須有複數種材料氣體時，係將複數個有機材料氣體供給單元併設．連接於有機材料氣體供
給部26為較佳。
在載置台23，係連接有高頻電源30。在製造裝置21中，係高頻電源30對載置台23施加高頻電力，在載置台23及電極板24之間使電場產生，而從各氣體生成電漿。藉由所生成之電漿，進行異方性蝕刻或CVD成膜。另外，在載置台23，係連接有未圖示之直流電源或其他高頻電源，從而可施加偏壓電壓。
製造裝置21，係在形成密封構造13之第1阻障膜18時，從無機材料氣體供給部25，將三甲基鋁氣體及氧化劑氣體交替地供給至腔室22之內部，藉由ALD法使三甲基鋁氣體與氧化劑氣體產生反應，而形成由氧化鋁所構成的第1阻障膜18。此時，因在無機材料氣體供給部25與腔室22之間的未圖示之氣體供給系統殘留有三甲基鋁氣體或氧化劑氣體，故為了防止該些氣體產生反應而生成沈積物，而亦可進一步將沖洗氣體例如氮氣的供給源連接於氣體供給部25，且為了在供給三甲基鋁氣體與供給氧化劑氣體之間，進行氣體供給系統的沖洗，而將氮氣供給至氣體供給系統。
又，製造裝置21，係在形成密封構造13之有機膜19時，從有機材料氣體供給部26將有機材料之氣體供給至腔室22的內部，藉由使用了熱之不同的有機材料彼此之化學反應或使用了由包含有機材料之氣體而生成之電漿自由基的化學反應等之CVD法，來形成有機膜19，在形成第2阻障膜20時，從無機材料氣體供給部25將四
氟化矽氣體供給至腔室22之內部，並且從沖洗氣體供給部27將氮氣供給至腔室22之內部，使用由四氟化矽氣體或氮氣而生成的電漿自由基，藉由CVD法來形成由氮化矽所構成的第2阻障膜20。另外，亦可與第1阻障膜18相同地使用ALD法，以氧化鋁形成第2阻障膜20。
而且，製造裝置21，係在形成第2阻障膜20之前，在對密封構造13之有機膜19進行蝕刻時，從氧氣供給部28將氧氣供給至腔室22之內部，藉由由氧氣而生成之氧氣電漿中的氧離子，來對有機膜19進行異方性蝕刻。此時，為了朝向載置台23異向性地引入氧離子，而對載置台23施加偏壓電壓。另外，在對有機膜19進行蝕刻時，為了使有機膜19之蝕刻最佳化，而亦可將CF4氣體、Cl2氣體或H2氣體等添加於作為蝕刻氣體的氧氣。
根據製造裝置21，由於可在相同之腔室22的內部形成密封構造13之第1阻障膜18、有機膜19及第2阻障膜20，因此，在形成第1阻障膜18至形成第2阻障膜20的期間，不需將基板11從腔室22搬入搬出，且可減低隨著基板11之搬入搬出所導致之微粒P附著的可能性，而且，可顯著地使存在於第1阻障膜18及有機膜19之間或有機膜19及第2阻障膜20之間的微粒P個數減少。
另外，製造裝置21，雖係一種具備有載置台23(該載置台，係施加有高頻電力)與電極板24(該電極板，係與該載置台23相對向)的平行板型電漿處理裝置，
但製造裝置21之構成並不限於此，亦可為將高頻電力供給至電極板24而載置台23被接地的平行板型電漿處理裝置，或者，亦可為從共用的高頻電源或個別的高頻電源，將高頻電力供給至載置台23及電極板24的平行板型電漿處理裝置，而且，亦可為使用ICP的電漿處理裝置。
圖3，係本實施形態之密封構造之形成方法的工程圖。另外，圖3之密封構造之形成方法，雖係以在元件層疊部12上存在有微粒P為前提，但在元件層疊部12上不存在有微粒P時，亦可使用圖3之密封構造之形成方法來形成密封構造13。在有機EL元件構造10之製造工程中，雖難以在每次製造有機EL元件構造10時確認有無微粒P，但本實施形態之密封構造之形成方法，係只要存在有微粒P，即可防止微粒P所產生之缺陷發生，另一方面，即使不存在有微粒P，亦不會有任何不良影響，從而可提升密封效果。
在圖3中，首先，將基板11載置於製造裝置21的載置台23，該基板11，係在元件層疊部12上存在有微粒P(圖3(A))。
接下來，藉由排氣裝置29對腔室22之內部進行減壓，從無機材料氣體供給部25將三甲基鋁氣體及氧化劑氣體交替地供給至腔室22之內部，且藉由ALD法，使三甲基鋁氣體與氧化劑氣體產生反應，而形成由氧化鋁所構成的第1阻障膜18(圖3(B))(第1阻障膜形成步驟)。此時，第1阻障膜18，係將存在於元件層疊部12上
之微粒P的整個面完全覆蓋而不會中斷。
接下來，在沖洗氣體供給部27供給氮氣而對腔室22之內部進行沖洗之後，從有機材料氣體供給部26將有機材料之氣體供給至腔室22的內部，藉由使用了熱之不同的有機材料彼此之化學反應或使用了由包含有機材料之氣體而生成之電漿自由基的化學反應等之CVD法，來形成有機膜19(圖3(C))(有機膜形成步驟)。在CVD法中，由於有機膜19是以等向性的方式而形成，因此，有機膜19之覆蓋微粒P之部分的表面形狀，係呈現使微粒P之表面形狀僅偏移第1阻障膜18或有機膜19之厚度的表面形狀。
接下來，在沖洗氣體供給部27供給氮氣而對腔室22之內部進行沖洗之後，從氧氣供給部28對腔室22之內部供給氧氣，且藉由由氧氣而生成之氧氣電漿中的氧離子，對有機膜19進行蝕刻(有機膜蝕刻步驟)。此時，由於偏壓電壓被施加至載置台23而氧離子被引入至載置台23，故有機膜19被異方性(僅朝向圖中之下方向)蝕刻(圖3(D))。其結果，由於微粒P具有掩模的功能，因此，在從上方凝望元件層疊部12時，被微粒P隱藏之部位的有機膜19不會被蝕刻。
又，在有機膜19之蝕刻中，由於構成第1阻障膜18之氧化鋁具有難蝕刻性，因此，第1阻障膜18，係具有蝕刻中止膜的功能，而保護元件層疊部12，且可防止因過蝕刻而造成元件層疊部12受損傷。
而且，如上述，由於有機模19之蝕刻為異向性蝕刻，因此，有機膜19，雖係維持其表面形狀而被削減，但本實施形態，係在實際上藉由異向性蝕刻去除有機膜19時，亦即，在除了存在有微粒P之部分以外去除有機膜19，而第1阻障膜18露出時，停止有機膜19之蝕刻。藉此，在從上方眺望元件層疊部12時，被微粒P隱藏之部分的有機膜19不會被過蝕刻，有機膜19會確實地殘存於微粒P之周圍，作為結果，微粒P附近的有機膜19，係呈現平緩的表面形狀。若完全不存在有微粒P的情況下，係在實際上藉由異向性蝕刻去除有機膜19時，有機膜19被完全去除，而第1阻障膜18露出。
另外，蝕刻之停止，係根據電漿之發光頻譜分析的結果或異方性蝕刻的經過時間而予以執行。
接下來，在沖洗氣體供給部27供給氮氣而對腔室22之內部進行沖洗之後，從無機材料氣體供給部25對腔室22之內部供給四氟化矽氣體，並且從沖洗氣體供給部27對腔室22之內部供給氮氣，使用由四氟化矽氣體或氮氣而生成之電漿自由基，藉由CVD法來形成由氮化矽所構成的第2阻障膜20(圖3(E))(第2阻障膜形成步驟)。另外，氮氣，係亦可從無機材料氣體供給部25供給為與四氟化矽氣體所混合之混合氣體的一部分，而非從沖洗氣體供給部27。又，亦可與第1阻障膜18相同地藉由ALD法，以氧化鋁來形成第2阻障膜20。在該情形下，由於不需要四氟化矽氣體之供給源，因此，可使製造裝置
21之裝置構成更加簡化。
此時，藉由殘存之有機膜19，由於微粒P附近是呈現平緩的表面形狀，因此，即使第2阻障膜20之覆蓋性低，第2阻障膜20亦可覆蓋微粒P而不會中斷。又，在除了微粒P附近之外，由於藉由蝕刻去除有機膜19而第1阻障膜18露出，因此，第1阻障膜18及第2阻障膜20之間不會夾雜有機膜19，第1阻障膜18及第2阻障膜20密接。
根據本實施形態之密封構造之形成方法，由於在第1阻障膜18露出時停止有機膜19之蝕刻，因此，可防止在除了微粒P附近以外，在第1阻障膜18及第2阻障膜20之間夾雜有機膜19，且可確實地使第1阻障膜18及第2阻障膜20密接，而防止水分從有機膜19之端部進入。
另一方面，由於蝕刻為異向性蝕刻，因此，被微粒P隱藏之部分的有機膜19會確實殘存於微粒P之周圍，該殘存之有機膜19，係可抑制微粒P之移動，從而防止因微粒P之移動所產生之第1阻障膜18的缺損。
以上，使用上述各實施形態，說明本發明，但本發明並不限定為上述各實施形態者。
11‧‧‧基板
12‧‧‧元件層疊部
14‧‧‧陽極膜
15‧‧‧發光部
16‧‧‧陰極膜
18‧‧‧第1阻障膜
19‧‧‧有機膜
20‧‧‧第2阻障膜
P‧‧‧微粒
Claims (12)
- 一種密封構造之形成方法，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成之元件層疊部之密封構造之形成方法，其特徵係，具有：第1阻障膜形成步驟，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋；有機膜形成步驟，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋；有機膜蝕刻步驟，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻；及第2阻障膜形成步驟，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
- 如申請專利範圍第1項之密封構造之形成方法，其中，在前述有機膜蝕刻步驟中，在前述第1阻障膜露出時，前述第1阻障膜保護前述元件層疊部。
- 如申請專利範圍第1或2項之密封構造之形成方法，其中，前述第1阻障膜、前述有機膜及前述第2阻障膜，係構成密封構造，在前述密封構造之端部中，前述第1阻障膜及前述第2阻障膜密接。
- 如申請專利範圍第1或2項之密封構造之形成方 法，其中，在前述第1阻障膜形成步驟之前，在前述元件層疊部上存在有異物，在前述第1阻障膜形成步驟中，前述異物，係被前述第1阻障膜覆蓋。
- 如申請專利範圍第4項之密封構造之形成方法，其中，在前述有機膜蝕刻步驟中，前述有機膜，係維持其表面形狀而被削減，前述有機膜，係僅殘存於前述異物之周圍，而保持前述異物。
- 如申請專利範圍第1或2項之密封構造之形成方法，其中，前述第2阻障膜，係藉由ALD法而形成。
- 一種密封構造之製造裝置，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成之元件層疊部之密封構造之製造裝置，其特徵係，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
- 一種有機EL元件構造之製造方法，係具有元件層 疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成)之有機EL元件構造之製造方法，其特徵係，具有：第1阻障膜形成步驟，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋；有機膜形成步驟，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋；有機膜蝕刻步驟，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻；及第2阻障膜形成步驟，以與形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，至少將前述第1阻障膜覆蓋。
- 一種有機EL元件構造，係具有元件層疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成)與密封構造(該密封構造，係將該元件層疊部密封)，該有機EL元件構造，其特徵係，前述密封構造，係構成為依該順序層疊：無機材料的第1阻障膜，藉由ALD法所形成；及無機材料的第2阻障膜，係與至少將前述第1阻障膜之一部分覆蓋之形成前述第1阻障膜的無機材料相同或不同，在前述有機EL元件構造之端部中，前述第1阻障膜及前述第2阻障膜密接。
- 如申請專利範圍第9項之有機EL元件構造，其中， 在前述元件層疊部上存在有異物，前述異物，係被前述第1阻障膜覆蓋。
- 如申請專利範圍第10項之有機EL元件構造，其中，而且，有機膜僅存在於前述異物之周圍，而保持前述異物。
- 一種有機EL元件構造之製造裝置，係具有元件層疊部(該元件層疊部，係由依序層疊之第1電極、包含有機化合物之發光部及第2電極所構成)之有機EL元件構造之製造裝置，其特徵係，以藉由ALD法所形成之無機材料的第1阻障膜，將前述元件層疊部覆蓋，以藉由等向性之成膜手法所形成之有機材料的有機膜，將前述第1阻障膜覆蓋，藉由異方性蝕刻來對前述有機膜進行蝕刻，以與至少形成前述第1阻障膜之無機材料相同或不同之無機材料的第2阻障膜，進行覆蓋。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-051694 | 2014-03-14 | ||
| JP2014051694A JP6374188B2 (ja) | 2014-03-14 | 2014-03-14 | 封止構造の形成方法、封止構造の製造装置、並びに有機ｅｌ素子構造の製造方法、及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201547081A true TW201547081A (zh) | 2015-12-16 |
| TWI674690B TWI674690B (zh) | 2019-10-11 |
Family
ID=54085650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104106811A TWI674690B (zh) | 2014-03-14 | 2015-03-04 | 密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機ｅｌ元件構造之製造方法及其製造裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6374188B2 (zh) |
| KR (1) | KR20150107648A (zh) |
| CN (1) | CN104916787B (zh) |
| TW (1) | TWI674690B (zh) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101801545B1 (ko) * | 2016-05-18 | 2017-12-20 | 주식회사 테스 | 발광소자의 보호막 증착방법 |
| JP6640034B2 (ja) | 2016-06-17 | 2020-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP6636865B2 (ja) | 2016-06-24 | 2020-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
| JP6560452B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2019-08-14 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司Ｈｏｎ Ｈａｉ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US11056673B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-07-06 | Pioneer Corporation | Light emitting device |
| WO2018142490A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| WO2018163338A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法および成膜装置 |
| WO2018167923A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法、成膜方法および成膜装置 |
| JP6301042B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-03-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| US10991910B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and production method therefor |
| CN114899346A (zh) | 2017-06-13 | 2022-08-12 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备的制造方法及薄膜密封结构形成装置 |
| US10581028B2 (en) * | 2017-11-29 | 2020-03-03 | Sakai Display Products Corporation | Method for producing organic electroluminescent display device |
| US10950682B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-03-16 | Sakai Display Products Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent device |
| US10637003B2 (en) * | 2017-11-29 | 2020-04-28 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| US10693104B2 (en) | 2017-12-26 | 2020-06-23 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent device and method for producing same |
| WO2019142261A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP6983084B2 (ja) | 2018-02-07 | 2021-12-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP6654270B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2020-02-26 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| JP6563055B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-08-21 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイス |
| US20210066660A1 (en) * | 2018-03-28 | 2021-03-04 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| JP6567121B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-08-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜封止構造形成装置 |
| US20210005843A1 (en) * | 2018-03-28 | 2021-01-07 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| JP6759287B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-09-23 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| CN110783492A (zh) * | 2018-07-27 | 2020-02-11 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光显示装置及其制造方法 |
| CN109546006B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
| KR20200128309A (ko) * | 2019-05-03 | 2020-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2020098792A (ja) * | 2020-01-29 | 2020-06-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| CN117646193B (zh) * | 2024-01-30 | 2024-03-26 | 辽宁拓邦鸿基半导体材料股份有限公司 | 一种原子层沉积的装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052863A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| US20100330748A1 (en) * | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| JP2004362912A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2007103350A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sharp Corp | シリコン基板上のＺｎＯナノチップ電極電界発光素子、およびその製造方法 |
| CN101395733B (zh) * | 2006-03-03 | 2010-09-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光装置 |
| JP2007250370A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Canon Inc | 有機発光素子及びその製造方法 |
| KR101292297B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2013-08-01 | 주성엔지니어링(주) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US8174187B2 (en) * | 2007-01-15 | 2012-05-08 | Global Oled Technology Llc | Light-emitting device having improved light output |
| KR101149433B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| FR2958795B1 (fr) * | 2010-04-12 | 2012-06-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation. |
| WO2013000797A1 (de) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes |
| FR2977720A1 (fr) * | 2011-07-08 | 2013-01-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation. |
| KR101658822B1 (ko) * | 2011-07-14 | 2016-09-22 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 광전자 컴포넌트를 위한 캡슐화 구조 및 광전자 컴포넌트를 캡슐화시키기 위한 방법 |
| KR101717333B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2017-03-16 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광소자 및 발광소자의 제조 방법 |
| KR101809659B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2017-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101970361B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2019-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| US9246036B2 (en) * | 2012-08-20 | 2016-01-26 | Universal Display Corporation | Thin film deposition |
-
2014
- 2014-03-14 JP JP2014051694A patent/JP6374188B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-04 TW TW104106811A patent/TWI674690B/zh active
- 2015-03-11 KR KR1020150033901A patent/KR20150107648A/ko active Search and Examination
- 2015-03-13 CN CN201510111672.4A patent/CN104916787B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104916787B (zh) | 2017-06-20 |
| CN104916787A (zh) | 2015-09-16 |
| JP2015176717A (ja) | 2015-10-05 |
| JP6374188B2 (ja) | 2018-08-15 |
| TWI674690B (zh) | 2019-10-11 |
| KR20150107648A (ko) | 2015-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI674690B (zh) | 密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機ｅｌ元件構造之製造方法及其製造裝置 | |
| JP6232277B2 (ja) | 有機ｅｌ素子構造、その製造方法及び発光パネル | |
| US8659224B1 (en) | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same | |
| JP2015187928A5 (zh) | ||
| JP6788935B2 (ja) | 有機ｅｌ素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法 | |
| US20190048469A1 (en) | Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus | |
| KR20170118019A (ko) | 유기 디바이스의 제조 방법 및 유기 디바이스의 제조 장치 | |
| WO2014196107A1 (ja) | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置 | |
| JP2006024530A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP2011528156A (ja) | カプセル封入されたオプトエレクトロニクスデバイスおよびカプセル封入されたオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法 | |
| TWI559589B (zh) | 有機發光二極體之薄膜封裝 | |
| JP2005222778A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP6615001B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| KR20150049990A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102351003B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2017129799A (ja) | 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法 | |
| KR102102913B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치 | |
| JP2007294416A (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
| KR20140113386A (ko) | 유기 디바이스의 제조 방법, 유기 디바이스의 제조 장치 및 유기 디바이스 | |
| JP2007299662A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| KR102090928B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR102263253B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 표시장치 | |
| US9745657B2 (en) | Deposition apparatus, method of forming thin film by using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus | |
| KR20150064302A (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2005259989A (ja) | ガス整流部材およびドライプロセス装置 |