JP2005259989A - ガス整流部材およびドライプロセス装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減する。
【解決手段】 ガス整流部材は、基板の面の上方に反応性ガスＧを滞留させる整流壁１０を少なくとも備える。整流壁１０は、複数の側壁部からなり、前記複数の側壁部を前記基板の周縁に沿って並べることにより前記基板の面の上方における空間領域を囲む。前記側壁部の長さは、周方向に隣接する前記側壁部の間のうち少なくとも１つに隙間が生じるように設定される。前記空間領域から前記隙間を通るガスＧは抵抗を受けるように構成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、エッチングや成膜、アッシング、スパッタリングなどのドライプロセスに用いられる反応性ガスを基板の面の上方に滞留させるガス整流部材に関する。また本発明は、本発明のガス整流部材を備えたドライプロセス装置に関する。

液晶表示パネルなどの表示パネルの製造工程においては、被処理基板であるガラス基板に対してエッチングや成膜などのドライプロセスを行うために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）成膜装置などのプラズマ処理装置が用いられる（例えば特許文献１や特許文献２を参照）。

例えばプラズマエッチング装置では、所定の真空度に保たれた真空容器内に、エッチングされる基板を導入した後、基板の面上に反応性ガスを供給するとともにプラズマを発生させている。プラズマによりガス中にラジカル種が生成され、これによりエッチングが進行する。より具体的に説明すると、典型的には、真空容器の天井面からガスを供給するとともに、真空容器の床面でガスの排気を行う。基板は、天井面と床面との間に位置するように設置されている。天井面からガスが供給されると、基板の周縁では新鮮なガスが常に供給されることになるが、基板の中央付近ではガスの流れが悪い。したがって、基板の周縁と中央付近とでエッチング速度に差が生じるので、基板面内でエッチングのばらつきが発生する。

この問題に対処するために、基板の周縁に沿って側壁が設置されている。この側壁は、いわば蓋のない箱型のガス整流壁であり、基板の周縁でのガスの流れを塞き止める。したがって、基板の全面においてガス密度が略均一となるので、基板面内でのエッチングのばらつきを抑えることができる。

一方、近年の表示パネルの大型化に伴って、被処理基板であるガラス基板も大型化してきている。したがって、プラズマエッチング装置に用いられるガス整流壁をガラス基板に対応させて大型化する必要がある。

しかし、プラズマ処理によってガス整流壁にプラズマ副生成物が付着し、堆積するので、クリーニングなどのメンテナンス作業が必要となる。またガス整流壁は耐プラズマ特性を有するセラミック材料などから形成されているので、耐衝撃性が低い。したがって、クリーニングなどのメンテナンス作業が容易となるように、ガス整流壁が複数の部品に分割されることがある。
特開2001-244253 号公報 特開2003-115476 号公報

図１５は従来のガス整流壁を模式的に示す斜視図である。図１５に示すガス整流壁１００は、８つの側壁部１０ａ〜１０ｈに分割され、分割された側壁部１０ａ〜１０ｈが基板枠１１上に設けられている。ガス整流壁１００を複数の側壁部１０に分割する場合、組立てを容易にするために、周方向に隣接する２つの側壁部１０の間に隙間が生じるように、各側壁部１０の大きさが設定される。図１６は、図１５中の丸で囲まれた部分の拡大図であり、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの間を拡大して示す図である。図１６に示すように、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの間には、隙間が生じる。したがって、隙間からガスが漏れるので、基板面内でエッチングにばらつきが生じるおそれがある。また作業者の熟練度などによって、組み立てられたガス整流壁１００に生じる複数の隙間は、大きさにばらつきが生じる。あるいは複数の隙間を均一にするためには、隙間の調整に時間を要することになるので、製造効率が低下するおそれがある。

さらに、側壁部１０が設けられる基板枠１１も、ガス整流壁１００と同様の理由により、複数のベース部に分割されることがある。この場合、組立て後の基板枠１１が若干歪んだ形状となる。基板枠１１が若干歪んだ場合でも、基板枠１１上に側壁部１０を並べることが可能となるように、周方向に隣接する２つの側壁部１０の隙間をさらに大きく設定する必要がある。したがって、基板枠１１が複数のベース部に分割された場合には、基板面内でのエッチングのばらつきや製造効率の低下がより深刻となる。

本発明の目的の１つは、反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減することである。

本発明のガス整流部材は、基板の面の上方に反応性ガスを滞留させる整流壁を少なくとも備える。前記整流壁は、複数の側壁部からなり、前記複数の側壁部を前記基板の周縁に沿って並べることにより前記基板の面の上方における空間領域を囲む。前記側壁部の長さは、周方向に隣接する前記側壁部の間のうち少なくとも１つに隙間が生じるように設定される。前記空間領域から前記隙間を通る前記ガスが抵抗を受けることによって、本発明の目的の１つが達成される。

本明細書において「複数の側壁部を基板の周縁に沿って並べる」とは、基板の周縁上（基板面内）に複数の側壁部が配置される場合や、基板の周縁よりも外側に、基板の周縁に沿って複数の側壁部が配置される場合を包含する。すなわち、平面視において、基板と側壁部とが重畳する場合や重畳しない場合を包含する。また「反応性ガス」は、１種または複数種の化合物または元素ガスを包含する。

本発明のガス整流部材によれば、整流壁を構成する側壁部に囲まれた空間領域に反応性ガスを滞留させることが可能となる。前記側壁部は、基板の面の上方における空間領域を囲むように基板の周縁に沿って並べられ、側壁部の長さは、周方向に隣接する前記側壁部の間のうち少なくとも１つに隙間が生じるように設定されている。また空間領域から前記隙間を通るガスが抵抗を受けることにより、隙間からのガス漏れを抑えることができる。したがって、例えばプラズマエッチングでは、基板面内でのエッチングのばらつきを抑えることができる。また整流壁に生じる複数の隙間を調整する必要がないで、調整による製造効率の低下を抑えることができる。

本発明のガス整流部材の第１の態様では、前記基板の面に平行な面で切断された前記整流壁の断面において、前記隙間は屈曲している。隙間が屈曲することにより、隙間を通るガスが抵抗を受けるので、隙間からのガス漏れを抑えることができる。

本発明のガス整流部材の第２の態様では、周方向に隣接する２つの前記側壁部のうち一方の側壁部の長手方向端部は、隣接する他方の側壁部の外側面の一部を覆うように延出している。一方の側壁部の延出した長手方向端部が隙間を塞ぐので、隙間からのガス漏れを抑えることができる。

本発明のガス整流部材の第３の態様では、周方向に隣接する２つの前記側壁部の外側面に接することにより前記隙間を塞ぐ本体部と、前記本体部の上端から内側へ延出して前記側壁部に係合する係合部とを有するガス流出抑制部材をさらに備える。ガス流出抑制部材の本体部が隙間を塞ぐので、隙間からのガス漏れを抑えることができる。

本発明のガス整流部材の第４の態様では、前記基板を囲む基板枠と、前記基板枠上に設けられた前記側壁部を前記基板枠に固定する固定具とをさらに備える。前記基板枠は、複数のベース部からなり、前記複数のベース部を前記基板の周縁に沿って並べることにより前記基板を囲む。前記固定具は周方向に隣接する２つの前記側壁部の外側面に接することにより前記隙間を塞ぐ。これにより、隙間からのガス漏れを抑えることができる。なお、本明細書において「基板を囲む」とは、基板面の全部または一部を囲むことを指す。

本発明のドライプロセス装置は、反応性ガスを用いて基板の面をドライプロセスに付するためのドライプロセス装置であって、真空容器と、前記真空容器の内部に前記ガスを導入するためのガス導入口と、前記ガス導入口から供給された前記ガスを前記真空容器の外部へ排出するための排出口と、前記基板の面の上方に前記ガスを滞留させる本発明のガス整流部材とを備える。

本発明の半導体基板の製造方法は、基板上に少なくとも半導体層が形成された半導体基板を製造する方法であって、本発明のガス整流部材を用いて、反応性ガスを前記基板の面の上方に滞留させる工程と、前記基板の面をドライプロセスに付する工程とを含む。

本発明の表示パネルの製造方法は、本発明のガス整流部材を用いて、反応性ガスを基板の面の上方に滞留させる工程と、前記基板の面をドライプロセスに付する工程とを含む。

本発明によれば、反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、プラズマエッチング装置を例として説明する。しかし、本発明のドライプロセス装置は、光（レーザーや紫外線）、プラズマまたは熱などにより励起状態となった反応性ガスを用いてドライプロセスを行うための様々な装置に適用することができる。ドライプロセスとしては、例えば、エッチング、ＣＶＤ、アッシング、スパッタリングが挙げられる。

本実施形態のプラズマエッチング装置は、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いているが、他のプラズマ源を用いても良い。例えば、電子サイクロトン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、誘導結合型プラズマ、マイクロ波励起表面波プラズマなどが挙げられる。

なお、本明細書で用いる参照符号において、同族的な構成要素を総括的に表すために、英字を省略して数字のみを表記することがある。例えば、側壁部１０ａ〜１０ｈを総括的に側壁部１０と表記することがある。また複数の構成要素を組み合わせた構成物と、各構成要素とに同じ参照符号を付すことがある。例えば、整流壁とこれを構成する側壁部に対して参照符号１０を付すことがある。

（プラズマエッチング装置）
図１はプラズマエッチング装置の真空容器内を模式的に示す断面図であり、図２は真空容器内を模式的に示す平面図である。プラズマエッチング装置１は、真空容器２、基板設置台３、上部電極４および整流壁１０を有する。

真空容器２は、図１に示すように、略直方体状の外形形状を有し、真空容器２の上壁２ａおよび底面２ｂには、それぞれガス導入口２１および排気口２２が形成されている。ガス導入口２１はガス供給源（不図示）に接続されており、例えばドライエッチングを進行させるためのプロセスガスＧがガス導入口２１を通って真空容器２内に導入される。なお、ドライエッチングさせるためのガスＧとして、例えばフッ素ガスや塩素ガス等が利用される。ガス導入口２１および排気口２２の形成位置は、上記の場合に限定されず、ガス導入口２１が基板Ｓよりも上方に形成され、排気口２２が基板Ｓよりも下方に形成されていれば良い。例えば、ガス導入口２１が真空容器２の側壁に形成されていても良い。

真空容器２と排気口２２との間には真空ポンプ２３が介在している。真空ポンプ２３を駆動させることにより、真空容器２の内部に存在する空気あるいはガス導入口２１を通じて供給されたガスＧが排気口２２から排気され、真空容器２の内部が所望の真空度に維持される。

基板設置台３は、プラズマエッチングされる基板Ｓを載置するための基板設置面３ａを有しており、ガス導入口２１から供給されたガスＧが基板Ｓの面に効率的に送られるようにするために、基板設置面３ａの高さを調節可能とする機構を有する。なお、基板設置台３は、接地電位に保持されており、後述する上部電極４に対する下部電極を構成する。

上部電極４は、基板設置台３に対向する位置に設けられており、高周波電源（不図示）に接続されている。高周波電源により、上部電極４と基板設置台３との間には、所定の電圧が印加され、プラズマが発生する。

矩形状の基板Ｓの周縁上には、基板Ｓを囲む矩形枠状の基板枠１１が設けられている。基板枠１１は８つのベース部１１ａ〜１１ｈから構成され、８つのベース部１１ａ〜１１ｈが基板Ｓの周縁に沿って並べられている。基板枠１１の内周縁には整流壁１０が設けられている。整流壁１０は８つの側壁部１０ａ〜１０ｈから構成され、８つの側壁部１０ａ〜１０ｈは基板Ｓの周縁に沿って並べられている。整流壁１０は、基板Ｓの面に対して略垂直であり、基板Ｓの面の上方における空間領域を囲む。さらに基板枠１１上には、側壁部１０ａ〜１０ｈを固定する固定具１２が設けられている。なお、固定具１２は、分割された８つのベース部１１ａ〜１１ｈを連結させる機能も有する。

図３は図２中のIII −III 線断面図である。側壁部１０ａの下端部には段差部１１０が形成され、ベース部１１ａの内周縁には段差部１１０と係合する凸部１１１が形成されている。基板枠１１および整流壁１０の組立ては、例えば以下の手順により行うことができる。８つのベース部１１ａ〜１１ｈを矩形の枠状に配置する。ベース部１１の内周縁に形成された凸部１１１と、側壁部１０の下端部に形成された段差部１１０とを係合させて、８つの側壁部１０ａ〜１０ｈを基板Ｓの周縁に沿って並べる。側壁部１０を側面から押圧するように固定具１２を配置し、ねじ１３を用いて固定具１２をベース部１１に固定する。これにより、側壁部１０の下端部がベース部１１の凸部１１１と固定具１２に挟まれるので、側壁部１０が固定される。以上の構成を有するガス整流部材により、基板Ｓの面をプラズマエッチングするためのガスを基板Ｓの面の上方に滞留させることができる。なお、側壁部１０の高さは５〜１５ｃｍ程度であり、側壁部１０の厚みは５ｍｍ程度である。側壁部１０やベース部１１はセラミック材料などの耐プラズマ特性を有する材料から形成されている。

側壁部１０を組み立てる際に、整流壁１０の四隅角部に隙間が生じないように、８つの側壁部１０ａ〜１０ｈを配置する。この場合、周方向に隣接する側壁部１０ａ〜１０ｈの間のうち四隅角部以外の箇所に隙間が生じる。例えば図２では、１０ａと１０ｂとの間、１０ｃと１０ｄとの間、１０ｅと１０ｆとの間、１０ｇと１０ｈとの間に、それぞれ隙間が生じる。しかし、本発明では、空間領域から隙間を通るガスＧが抵抗を受けるので、隙間からのガス漏れを抑えることができる。以下、空間領域から隙間を通るガスＧが抵抗を受けるようにするためのいくつかの具体的な態様について説明する。

（第１の態様）
図４は第１の態様を示す図であり、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂを基板Ｓの面に平行な面で切断した断面図である。一方の側壁部１０ａの長手方向端面には、他方の側壁部１０ｂ側へ突出する楔状の凸部１１２が形成されている。また側壁部１０ｂの長手方向端面（一方の側壁部１０ａの端面に対向する端面）には、側壁部１０ａの凸部１１２に対応する凹部１１３が形成されている。これにより、基板Ｓの面に平行な面で切断された前記整流壁の断面において、両側壁部１０ａ，１０ｂの隙間は屈曲する。図４においては、略Ｖ字状に隙間が屈曲している。空間領域中のガスＧは、側壁部１０の内面に対して略直交する方向に流れるので、側壁部１０ａ，１０ｂの長手方向端面が平坦な場合に比して、空間領域から隙間を通るガスＧが受ける抵抗は大きい。

（第２の態様）
図５は第２の態様を示す図であり、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂを基板Ｓの面に平行な面で切断した断面図である。一方の側壁部１０ａの長手方向端部は、隣接する他方の側壁部１０ｂの外側面の一部を覆うように延出している。言い換えれば、一方の側壁部１０ａの長手方向端部には、他方の側壁部１０ｂの外側面の一部を覆うように延出する延出部１１４が接続されている。これにより、空間領域から隙間を通るガスＧは、延出部１１４の内側面に衝突するので、側壁部１０ａ，１０ｂの長手方向端面が平坦な場合に比して、空間領域から隙間を通るガスＧが受ける抵抗は大きい。なお、図５では、延出部１１４と側壁部１０ｂとの間には隙間があるが、延出部１１４の内側面と側壁部１０ｂの外側面が接していても良い。これにより隙間が塞がれるので、隙間からのガス漏れをより確実に抑えることができる。

（第３の態様）
図６は第３の態様に用いられるガス流出抑制部材の斜視図であり、図７はガス流出抑制部材の縦断面図である。ガス流出抑制部材２０は、周方向に隣接する２つの側壁部１０の外側面に接することにより隙間を塞ぐ本体部２０１と、本体部２０１の上端から内側（空間領域側）へ延出し、側壁部１０に係合する係合部２０２とを有する。本体部２０１は、側壁部１０の外側面に対して略平行な平板である。係合部２０２の下面には、側壁部１０の厚みに略等しい幅を有する溝２０３が形成されている。この溝２０３に側壁部１０の上端が嵌まることにより、係合部２０２が側壁部１０に係合する。言い換えれば、係合部２０２の垂下片２０４と本体部２０１とにより、側壁部１０の上端が厚み方向に挟まれる。

なお、本体部２０１には、ねじ穴２０５が形成されていても良い。ねじを用いて本体部２０１を側壁部１０に固定することにより、ガス流出抑制部材２０の水平方向のがたつきを防止することができる。

図８はガス流出抑制部材２０を整流壁１０に装着した状態を模式的に示す斜視図である。図９は図８中の丸で囲まれた部分の拡大図であり、隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの間を拡大して示す図である。図８および図９に示すように、ガス流出抑制部材２０は固定具１２の上に配置され、本体部２０１が側壁部１０の外側面に接している。また係合部２０２に形成された溝２０３に側壁部１０の上端が嵌まっている。言い換えれば、ガス流出抑制部材２０の係合部２０２が側壁部１０に係合している。これにより、ガス流出抑制部材２０の本体部２０１は、側壁部１０の外側面に密着するので、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの隙間を塞ぐことができる。したがって、隙間からのガス漏れを抑えることができる。

整流壁１０の四隅角部のうち少なくとも１つの角部に隙間が生じる場合には、例えば図１０に示すガス流出抑制部材を用いて、角部の隙間を塞ぐことができる。図１０は、整流壁１０の角部に用いられるガス流出抑制部材３０の斜視図である。ガス流出抑制部材３０は、平面視において略Ｌ字状の本体部３０１と、本体部３０１の上端から内側（空間領域側）へ延出し、側壁部１０に係合する係合部３０２とを有する。本体部３０１の内側面は、略直交する２つの側壁部１０により形成された角部の外側面に接する。係合部３０２の下面には、側壁部１０の厚みに略等しい幅を有する略Ｌ字状の溝３０３が形成されている。角部における側壁部１０が略Ｌ字状の溝３０３に嵌まることにより、係合部３０２が側壁部１０に係合する。なお、図６および図７に示すガス流出抑制部材２０と同様に、本体部３０１には、ねじ穴（不図示）が形成されていても良い。

（第４の態様）
図１１は第４の態様を示す図であり、固定具４０を基板枠１１上に固定した状態を示す平面図である。図１２は図１１中のXII −XII 線断面図である。図１１および図１２に示す固定具４０は、基台部４０１と基台部４０１の端部から直立する直立部４０２とを有する。基台部４０１は、周方向に隣接する２つのベース部１１ａ，１１ｂの境界を跨いで配置され、ねじ１３により２つのベース部１１ａ，１１ｂに固定されている。これにより、周方向に隣接する２つのベース部１１ａ，１１ｂが連結される。直立部４０２は、側壁部１０と略同じ高さを有する平板であり、周方向に隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの外側面に接することによって、両側壁部１０ａ，１０ｂの隙間を塞ぐ。

一方の側壁部１０ａの長手方向端部には、固定具４０の基台部４０１を挟む挟持部１１５が形成されている。ねじ１１６を用いて、挟持部１１５の外側の片を基台部４０１に固定することにより、基板枠１１上に設けられた一方の側壁部１０ａが基板枠１１に固定される。なお、図１１では、他方の側壁部１０ｂには挟持部が形成されていないが、他方の側壁部１０ｂの長手方向端部に、固定具４０の基台部４０１を挟む挟持部が形成されていても良い。

整流壁１０の四隅角部のうち少なくとも１つの角部に隙間が生じる場合には、例えば図１３に示す固定具５０を用いて、角部の隙間を塞ぐことができる。図１３は、固定具５０を基板枠１１上に固定した状態を示す平面図である。図１１および図１２に示す固定具４０と同様に、固定具５０は、基台部５０１と直立部５０２とを有する。基台部５０１は、ねじ１３により基板枠１１に固定されている。直立部５０２は、一方の側壁部１０ｈの内側面と他方の側壁部１０ａの長手方向端面とに接している。これにより、一方の側壁部１０ｈと、これに隣接する他方の側壁部１０ａとの隙間が直立部５０２により塞がれる。また角部で隣接する２つの側壁部１０ａ，１０ｂの長手方向端部には、固定具５０の基台部５０１を挟む挟持部１１５がそれぞれ形成されている。

上記の第１および第２の態様で説明した側壁部１０だけでなく、第３の態様で説明したガス流出抑制部材２０，３０および第４の態様で説明した固定具４０，５０は、いずれもセラミック材料などの耐プラズマ特性を有する材料から形成されている。上記の各部材１０，２０，３０，４０，５０は、常套の加工、接合または成形方法により作製することができる。

（プラズマエッチング装置の動作）
図１を参照しながら、プラズマエッチング装置１の動作について説明する。真空容器２内の基板設置台３上に基板Ｓを設置する。基板Ｓの周縁上に、整流壁１０が設けられた基板枠１１を載置する。真空ポンプ２３を作動させ、排気口２２を通じて真空容器２の内部の空気を排気する。真空容器２内の真空度を例えば１．３３×１０^-4Ｐａ程度とする。真空容器２内の排気を続けながら、図示しないガス供給源からガスＧを供給し、ガス導入口２１を通じて、真空容器２内にガスＧを導入する。

高周波電源（不図示）により、上部電極４と基板設置台（下部電極）３との間に所定の電圧を印加することで、基板Ｓ上にプラズマが生成される。プラズマの生成により、ガス導入口２１を通じて真空容器２の内部に導入されたガスＧの中にラジカル種が生成され、基板Ｓの面に対するエッチングが開始される。

次に、真空容器２内におけるガスＧの流れについて説明する。ガス導入口２１の出口付近から真空容器２内部に供給されたガスＧは、真空容器２の下方、すなわち基板Ｓの面へ向けて流れる。これは、真空ポンプ２３および排気口２２による排気が続行されていることによる。基板Ｓの面に至ったガスＧは、基板Ｓ上を漂いながら基板Ｓの周縁に至る。本実施形態のプラズマエッチング装置は、基板Ｓの面の上方における空間領域から整流壁１０の隙間を通るガスＧが抵抗を受けるように構成されているので、整流壁１０の隙間からのガスＧの漏れが抑制される。基板Ｓの周縁に至ったガスＧは、整流壁１０を越え、排気口２２を通じて真空容器２の外部へ排出される。したがって、本実施形態のプラズマエッチング装置によれば、基板Ｓの面内でのガスＧの密度を略均一にすることができるので、基板Ｓの面内でのエッチングのばらつきを低減することができる。

（半導体基板）
本発明において、ドライプロセスに付される基板の材質は、特に制限されない。例えばガラス基板、石英基板、シリコン基板、セラミック基板、表面に絶縁層を備えた導体基板等の無機基板のみならず、ＰＥＴ（テレフタル酸ポリエチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の有機基板（またはフィルム）を使用することができる。

本発明によれば、単結晶シリコン、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる半導体層をこれら基板上に形成することができる。またシリコンに限らず、例えばゲルマニウム（Ge）単独、ガリウム（Ga）とヒ素（As）との化合物、ガリウムと窒素（Ｎ）との化合物またはガリウムとインジウム（In）との化合物などからなる半導体層を形成することができる。

本発明において半導体基板は、これら半導体層を用いて形成された各種の素子を有していても良い。例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）やＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide
Semiconductor - Field Effect Transistor ）などのスイッチ素子、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ），ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）あるいは太陽電池などの受光素子、発光素子、集積回路素子などの素子が挙げられる。これらの素子もまたドライプロセスを用いて形成することができる。

（表示パネル）
本発明における表示パネルは、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、無機または有機エレクトロルミネッセント（ＥＬ）表示パネル、エレクトロクロミック表示パネル、発光ダイオード表示パネル、蛍光表示管、電界放出型表示パネル、電気泳動表示パネルなどの各種の表示パネルを包含する。

典型的には、表示パネルは、表示媒体層を挟む一対の電極を有する。本明細書において「表示媒体層」とは、印加される電圧あるいは供給される電流に応じて光量を調整できる層であり、光源からの光や外光（周囲光）の光透過率（または光反射率）を変調させる層や自発光型の層が含まれる。具体的な表示媒体層は、例えば液晶層、無機または有機ＥＬ層、発光ガス層、電気泳動層、エレクトロクロミック層などである。図１４を参照しながら、表示パネルの例として液晶表示パネル（ＬＣＤ）の構成について簡単に説明する。

図１４は、透過型ＬＣＤの構造を模式的に示す斜視図である。透過型ＬＣＤは、アクティブマトリクス基板５２０と、これに対向する対向基板５３０と、両基板５２０，５３０に挟持された液晶層５４０とを有する。アクティブマトリクス基板５２０は、ガラス基板５１１上に、一方向に延びる複数のゲートライン５１０と、ゲートライン５１０に略直交する複数のソースライン５２４と、ゲートライン５１０およびソースライン５２４の交差部近傍に形成され、両ライン５１０，５２４に電気的に接続されたＴＦＴと、ＴＦＴに電気的に接続され、マトリックス状に配列された透明画素電極５２６を有する。ガラス基板５１１の外側面には、偏光板５２８が積層されている。

対向基板５３０は、ガラス基板５３１上に、カラーフィルタ層５３２と、対向電極５３３とを有する。ガラス基板５３１の外側面には、偏光板５３４が積層されている。また、両基板５２０，５３０の液晶層５４０側には、配向層５２９，５３５がそれぞれ形成されている。

表示パネルは、典型的には、ＣＶＤ法やフォトリソグラフィ法を用いて形成されるので、成膜やエッチング、アッシングなどが頻繁に行われる。本発明によれば、これらの表面処理の基板面内でのばらつきを抑えることができるので、製造歩留りの向上が期待できる。

なお、液晶表示パネルは、反射表示を行う反射型ＬＣＤ、反射表示と透過表示を行う反射透過両用型ＬＣＤであっても良い。また図１４に示す透過型ＬＣＤでは、スイッチ素子として三端子素子のＴＦＴが用いられているが、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal）などの二端子素子を用いても良い。あるいはスイッチ素子を備えないパッシブ型ＬＣＤであっても良い。

本発明のガス整流部材は各種のドライプロセス装置に利用することができる。ドライプロセス装置としては、プラズマエッチング装置、反応性イオンエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、熱ＣＶＤ装置、プラズマアッシング装置、光励起アッシング装置、反応性スパッタリング装置が例示される。

プラズマエッチング装置の真空容器内を模式的に示す断面図である。 真空容器内を模式的に示す平面図である。 図２中のIII −III 線断面図である。 第１の態様を示す水平断面図である。 第２の態様を示す水平断面図である。 第３の態様に用いられるガス流出抑制部材の斜視図である。 ガス流出抑制部材の縦断面図である。 ガス流出抑制部材２０を整流壁１０に装着した状態を模式的に示す斜視図である。 図８中の丸で囲まれた部分の拡大図である。 整流壁１０の角部に用いられるガス流出抑制部材３０の斜視図である。 第４の態様を示す平面図である。 図１１中のXII −XII 線断面図である。 固定具５００を基板枠１１上に固定した状態を示す平面図である。 透過型ＬＣＤの構造を模式的に示す斜視図である。 従来のガス整流壁を模式的に示す斜視図である。 図１５中の丸で囲まれた部分の拡大図である。

符号の説明

Ｇ 反応性ガス
１ プラズマエッチング装置
２ 真空容器
３ 基板設置台
４ 上部電極
１０ 整流壁（側壁部）
１１ 基板枠（ベース部）
１２ 固定具
２０ ガス流出抑制部材
２１ ガス導入口
２２ 排気口
２３ 真空ポンプ
３０ ガス流出抑制部材
２０１，３０１ 本体部
２０２，３０２ 係合部
４０，５０ 固定具
４０１，５０１ 基台部
４０２，５０２ 直立部

Claims (8)

1. 基板の面の上方に反応性ガスを滞留させる整流壁を少なくとも備えたガス整流部材であって、
   前記整流壁は、複数の側壁部からなり、前記複数の側壁部を前記基板の周縁に沿って並べることにより前記基板の面の上方における空間領域を囲み、
   前記側壁部の長さは、周方向に隣接する前記側壁部の間のうち少なくとも１つに隙間が生じるように設定され、
   前記空間領域から前記隙間を通る前記ガスは抵抗を受けるガス整流部材。
2. 前記基板の面に平行な面で切断された前記整流壁の断面において、前記隙間は屈曲している、請求項１に記載のガス整流部材。
3. 周方向に隣接する２つの前記側壁部のうち一方の側壁部の長手方向端部は、隣接する他方の側壁部の外側面の一部を覆うように延出している、請求項１に記載のガス整流部材。
4. 周方向に隣接する２つの前記側壁部の外側面に接することにより前記隙間を塞ぐ本体部と、前記本体部の上端から内側へ延出して前記側壁部に係合する係合部とを有するガス流出抑制部材をさらに備える、請求項１に記載のガス整流部材。
5. 前記基板を囲む基板枠と、前記基板枠上に設けられた前記側壁部を前記基板枠に固定する固定具とをさらに備え、
   前記基板枠は、複数のベース部からなり、前記複数のベース部を前記基板の周縁に沿って並べることにより前記基板を囲み、
   前記固定具は、周方向に隣接する２つの前記側壁部の外側面に接することにより前記隙間を塞ぐ、請求項１に記載のガス整流部材。
6. 反応性ガスを用いて基板の面をドライプロセスに付するためのドライプロセス装置であって、真空容器と、前記真空容器の内部に前記ガスを導入するためのガス導入口と、前記ガス導入口から供給された前記ガスを前記真空容器の外部へ排出するための排出口と、前記基板の面の上方に前記ガスを滞留させる、請求項１から５のいずれか１項に記載のガス整流部材とを備えるドライプロセス装置。
7. 基板上に少なくとも半導体層が形成された半導体基板を製造する方法であって、
   請求項１から５のいずれか１項に記載のガス整流部材を用いて、反応性ガスを前記基板の面の上方に滞留させる工程と、
   前記基板の面をドライプロセスに付する工程とを含む、半導体基板の製造方法。
8. 請求項１から５のいずれか１項に記載のガス整流部材を用いて、反応性ガスを基板の面の上方に滞留させる工程と、
   前記基板の面をドライプロセスに付する工程とを含む、表示パネルの製造方法。

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