TWI761418B - 用於防止水氣滲透的薄膜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種防潮膜，包含一第一防潮膜；形成在第一防潮膜上的一第二防潮膜；以及形成在第二防潮膜的一第三防潮膜，其中該第二防潮膜的氧濃度(O)高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度；一種製造防潮膜的方法以及包含防潮膜的一種有機發光裝置。

Description

用於防止水氣滲透的薄膜及其製造方法
本發明涉及一種防潮膜，更具體地說是涉及一種應用於有機發光裝置的防潮膜及其製造方法。
有機發光裝置是具有在注入電子的陰極和注入電洞的陽極之間設置發光層的結構的裝置，其中當從陰極供應的電子和從陽極供應的電洞被注入到發光層中時，電子和電洞結合產生激子，產生的激子從激發態轉移到基態而發光。
在有機發光裝置中，如果水分侵入發光層時，發光層容易劣化，因此裝置特性降低且壽命縮短。因此，在有機發光裝置的頂部設置有用於防止水分滲透到發光層的防潮膜。
在下文中，將參照圖式描述習知技術的有機發光裝置。
圖1是習知技術有機發光裝置的示意性橫截面圖。
如圖1所示，習知技術的有機發光裝置包含基板1、發光部2和防潮膜3。
發光部2設置在基板1上。發光部2包含陽極、陰極以及設置在陽極和陰極之間的有機發光層。
防潮膜3設置在發光部2上以防止水分侵入發光部2。
先前技術的有機發光裝置使用無機絕緣材料作為防潮膜3的材料，但是由於在形成防潮膜3的過程中存在限制，因而降低防潮效果。
無機絕緣材料通過化學氣相沉積(CVD)製程形成。但是，當在沉積過程中在薄膜中發生如針孔這樣的缺陷時，由於薄膜會增長，因而如針孔的 缺陷也會一起生長。也就是說，由於從防潮膜3的下部到上部連續形成如針孔的缺陷，所以外部的水分容易從發生缺陷的部位侵入到發光部2內，造成發光部2容易劣化的問題。
此外，在通過原子層沉積(ALD)製程沉積無機絕緣材料的案例中，防潮防滲效果增強但沉降速度卻降低，這會導致生產率下降。
本發明旨在解決習知技術的上述問題，本發明的目的是提供一種防潮膜及其製造方法，以及包含該防潮膜的有機發光裝置，其中防止了從下部到上部連續形成如針孔的缺陷，因而防潮防滲效果好，且沉積速率提高，從而提高了生產率。
為實現該目的，本發明提供一種防潮膜，包含：一第一防潮膜；在第一防潮膜上的一第二防潮膜；以及在第二防潮膜上的一第三防潮膜，其中該第二防潮膜的氧濃度(O)高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度。
此外，該第二防潮膜的氮濃度(N)可以比該第一防潮膜和該第三防潮膜低。
此外，該第二防潮膜的一濕蝕刻速率可以高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的一濕蝕刻速率，且該第二防潮膜的該濕蝕刻速率可以高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的該濕蝕刻速率10倍至100倍。
此外，該第二防潮膜的厚度可以小於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的厚度，該第一防潮膜和該第二防潮膜之間沒有形成一結晶層，且該第二防潮膜和該第三防潮膜之間沒有形成一結晶層。
本發明也提供一種有機發光裝置，包含：一基板；在該基板上的一發光部；以及在該發光部上的一防潮膜，其中在該防潮膜中，從該防潮膜的一下部至該防潮膜的一上部所包含的一氧濃度逐漸增加然後降低，且一氮濃度(N)逐漸降低然後增加。
此外，該防潮膜可以由一單層構成，且該防潮膜中的該氧濃度和該氮濃度可以逐漸變化。
本發明也提供一種製造防潮膜的方法，該方法包含：通過一化學氣相沉積製程形成一第一防潮膜的一第一防潮膜形成製程；通過一原子層沉積程在該第一防潮膜上形成一第二防潮膜一第二防潮膜形成製程；以及通過一化學氣相沉積製程在該第二防潮膜上形成一第三防潮膜一第三防潮膜形成製程。
此外，該第一防潮膜至該第三防潮膜可以在一腔室中形成。
此外，該第二防潮膜可通過包含矽的一源氣體與包含氧化二氮(N2O)的一第二反應氣體的一反應而形成；且該第一防潮膜和該第三防潮膜可以各自通過包含矽的一源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的一第一反應氣體的一反應而形成。
此外，該第二防潮膜的一沉積速率可以低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的一沉積速率，且該第二防潮膜的該沉積速率可以低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的該沉積速率4倍至10倍。
此外，該方法可僅在該第一防潮膜形成製程之前更包含一乾燥製程(seasoning process)。
本發明也提供一種製造防潮膜的方法，該方法包含通過包含矽的一源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的一第一反應氣體的一反應而形成一薄膜的一第一製程；通過包含矽的一源氣體與包含氧化二氮(N2O)的一第二反應氣體的一反應而形成一薄膜的一第二製程；以及通過包含矽的該源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的該第一反應氣體的一反應而形成一薄膜的一第三製程。
根據本發明，獲得以下效果。
由於根據本發明實施例的防潮膜是通過CVD製程和ALD製程形成的，所以在第一防潮膜中如針孔的缺陷可以在第二防潮膜中被消除，從而可以提高防潮防滲效果並提高沉積速度，從而提高生產率。
此外，在根據本發明實施例的防潮膜中，由於CVD製程和ALD製程可以在一個腔室中進行，不需要真空排氣和乾燥的單獨製程，因而減少了製程時間，從而提高了生產率。並且，在通過CVD製程和ALD製程形成的防潮膜被裝載到單獨的腔室中的情況下，可能產生顆粒等物。另一方面，根據本發明，可以減少所產生的顆粒的量，從而提高防潮防滲效果。
1:基板
2:發光部
3:防潮膜
10:基板
20:發光部
30:防潮膜
31:第一防潮膜
32:第二防潮膜
33:第三防潮膜
100:區域
200:區域
圖1是習知技術有機發光裝置的示意性橫截面圖。
圖2是根據本發明一實施例的有機發光裝置的示意性橫截面圖。
圖3A是顯示根據本發明一實施例的氧濃度相對於防潮膜的深度的圖。
圖3B是顯示根據本發明一實施方式的氮濃度相對於防潮膜的深度的圖。
圖4A是根據本發明一實施例的防潮膜在多個防潮膜之間的透射電子顯微鏡(TEM)照片。
圖4B是繪示出圖4A中由TEM拍攝的位置的橫截面圖。
圖5是在單獨的腔室中施行一製程時的製程流程的圖表。
圖6是根據本發明一實施例在一腔室中施行一製程時的製程流程圖。
本發明的優點和特徵及其實現方法將通過參照圖式描述的以下實施例來闡明。但是，本發明可以以不同的形式實施，不應該被解釋為限於在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本發明揭示透徹和完整，並且將本發明的範圍充分地傳達給本領域通常知識者。此外，本發明僅由申請專利範圍的範圍限定。
用於描述本發明實施例的圖式中公開的形狀、尺寸、比率、角度和數字僅僅是示例，因此，本發明不限於所繪示出的細節。相同的圖式符號始終表示相同的元件。在以下描述中，當相關的已知功能或配置的詳細描述將確定為不必要地模糊本發明的重點時，將省略詳細描述。在使用本說 明書中描述的「包含」、「具有」和「包含」的情況下，除非使用「僅」，否則可以添加另一部分。除非相反提及，單數形式的術語可以包含複數形式。
在構造一個元件時，元件被解釋為包含一個誤差範圍，儘管沒有明確的描述。
在描述位置關係時，例如，當兩個部分之間的位置關係被描述為「之上」、「之下」和「下一個」時，除非使用「恰好」或「直接」，一個或多個其他部分可以設置在兩個部分之間。
在描述時間關係時，例如，當時間順序被描述為「之後」、「後續」、「下一個」和「之前」時，除非使用「恰好」或「直接」，否則可以包含不連續的情況。
應該理解的是，雖然術語「第一」、「第二」等在此可以用於描述各種元件，但是這些元件不應該被這些術語限制。這些術語僅用於區分一個元件和另一個元件。例如，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件，而不背離本發明的範圍。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或整體地耦合到彼此或者彼此組合，並且如本領域通常知識者可以充分理解的那樣，可以彼此不同地相互操作並且在技術上被驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地執行，或者可以以相互依賴的關係一起執行。
在下文中，將參照圖式詳細描述本發明的示例性實施例。
圖2是根據本發明一實施例的有機發光裝置的示意性橫截面圖。
參照圖2，根據本發明實施例的有機發光裝置可以包含基板10、發光部20和防潮膜30。
基板10可以由玻璃或塑膠形成。
發光部20形成在基板10的一個表面(例如基板10的頂部) 上。發光部20包含第一電極、有機發光層以及第二電極。第一電極可以被形成為如氧化銦錫(ITO)的陽極。有機發光層可以由依次堆疊在第一電極的頂部上的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的組合形成，但是不限於此。第二電極可以形成為堆疊在有機發光層的頂部上的如銀(Ag)或鋁(Al)的陰極。發光部20的詳細結構和形成發光部20的過程可以改變為本領域通常知識者已知的各種結構和製程。
儘管未繪示出，但是在基板10和發光部20之間另外形成薄膜電晶體，因此可以通過薄膜電晶體來調節來自發光部20的光的發射。如上所述，包含薄膜電晶體的有機發光裝置可以用作顯示圖像的顯示裝置。
防潮膜30包含第一防潮膜31、第二防潮膜32和第三防潮膜33。
第一防潮膜31形成在發光部20的頂部上。第一防潮膜31可以由矽(Si)基的絕緣材料形成。第一防潮膜31可以通過化學氣相沉積(CVD)製程形成。第一防潮膜31可以通過包含矽(Si)的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣((N2)的第一反應氣體的反應而形成。包含矽的源氣體可以由下述氣體的至少一種組成，氣體為矽烷(SiH4)、乙矽烷(Si2H6)、三矽烷(Si3H8)、原矽酸四乙酯(tetraethylorthosilicate，TEOS)、二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)、六氯矽烷(hexachlorosilane，HCD)、三二甲基氨基矽烷(tri-dimethylaminosilane，TriDMAS)、三甲矽烷基胺(trisilylamine，TSA)和由六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)和六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane，HMDSN)組成的氣體，但不限於此。由於第一防潮膜31通過包含矽(Si)的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應而形成，第一防潮膜31的氮濃度(N)可能較高。
第二防潮膜32形成在第一防潮膜31的頂部上。第二防潮膜32可以由矽(Si)基的絕緣材料形成。第二防潮膜32可以通過原子層沉積(ALD)製程形成。第二防潮膜32可以通過包含矽(Si)的源氣體與包含一 氧化二氮(N2O)的第二反應氣體的反應而形成。由於第二防潮膜32是通過包含矽(Si)的源氣體與包含一氧化二氮(N2O)的第二反應氣體反應而形成的，所以第二防潮膜32的氧濃度(O)可能較高。
第三防潮膜33形成在第二防潮膜32的頂部上。第三防潮膜33可以由矽(Si)基的絕緣材料形成。第三防潮膜33可以通過化學氣相沉積(CVD)製程形成。第三防潮膜33可以通過包含矽(Si)的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應而形成。由於第三防潮膜33是通過包含矽(Si)的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體反應而形成的，所以第三防潮膜33的氮濃度(N)可能較高。
因此，第二防潮膜32可以形成在第一防潮膜31上，第三防潮膜33可以形成在第二防潮膜32上，且第二防潮膜32的氧濃度可以高於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的氧濃度。而且，第二防潮膜32的氮濃度可以低於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的氮濃度。
第二防潮膜32的厚度可以小於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的厚度。由於第二防潮膜32通過ALD製程而形成，且第一防潮膜31和第三防潮膜33通過CVD製程而形成，因而會花費更長的時間在形成第二防潮膜32。因此，為了提高生產率，可以將第二防潮膜32的厚度設定為小於第一防潮膜31和第三防潮膜33的厚度。
第二防潮膜32的濕蝕刻速率可以高於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的濕蝕刻速率。更具體而言，第二防潮膜32的濕蝕刻速率可以比第一防潮膜31和第三防潮膜33的濕蝕刻速率高10倍至100倍。
濕蝕刻速率表示每小時進行濕蝕刻的程度，且由於第二防潮膜32比第一防潮膜31和第三防潮膜33具有更高的氧濃度和更低的氮濃度，第二防潮膜32的濕蝕刻速率可能較高。在第二防潮膜32的濕蝕刻速率小於第一防潮膜31和第三防潮膜33的10倍的情況下，可以降低第二防潮膜32的防潮防滲能力，並且在第二防潮膜32的濕蝕刻速率高於第一防潮膜31和 第三防潮膜33的100倍的情況下，可能難以形成第二防潮膜32。
第二防潮膜32的沉積速度可以低於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的沉積速度。更詳細地說，第二防潮膜32的沉積速度可以低於第一防潮膜31和第三防潮膜33各別的沉積速率4至10倍。
由於第二防潮膜32是通過ALD製程形成的，第二防潮膜32的沉積速度可以低於通過CVD製程形成的第一防潮膜31和第三防潮膜33。在第二防潮膜32的沉積速度低於第一防潮膜31和第三防潮膜33的4倍的情況下，第一防潮膜31和第三防潮膜33的沉積速度低，為此，可能降低生產率。在第二防潮膜32的沉積速度高於第一防潮膜31和第三防潮膜33的10倍的情況下，第二防潮膜32的沉積速度高，為此，可能降低防潮防滲能力。
與形成第一防潮膜31和第三防潮膜33相比，第二防潮膜32可以以較弱的電漿強度形成。
圖3A是顯示根據本發明一實施例的氧濃度相對於防潮膜的深度的圖，而圖3B是顯示根據本發明一實施方式的氮濃度相對於防潮膜的深度的圖。
參照圖3A和圖3B，在氧和氮的濃度各自相對於防潮膜30的深度中，第二防潮膜32的氧濃度可以是最大的，而第二防潮膜32的氮濃度可以是最小的。
此外，在一個腔室中形成第一防潮膜31到第三防潮膜33的情況下，在第一防潮膜31和第二防潮膜32之間以及第二防潮膜32和第三防潮膜33之間可以不形成結晶層(crystallized layer)。由於在第一防潮膜31和第二防潮膜32之間以及在第二防潮膜32和第三防潮膜33之間不形成結晶層，氧和氮會從其中一個防潮膜擴散到另一個防潮膜，因此，氧和氮各別的濃度可以逐漸地改變而不會快速地改變。防潮膜30的氧濃度可自第一防潮膜31的下部至第二防潮膜32逐漸增加，並且自第二防潮膜32至第三防潮膜33的上部逐漸減少。防潮膜30的氮濃度可自第一防潮膜31的下部至第二防潮膜 32逐漸減少，並且自第二防潮膜32至第三防潮膜33的上部逐漸增加。
因此，在包含根據本發明實施例的防潮膜30的有機發光裝置中，如果在一個腔室中形成防潮膜30，第一防潮膜31到第三防潮膜33可能會形成像其間沒有邊界的單層，因此，可以僅改變氧和氮各別的濃度。
圖4A是根據本發明一實施例的防潮膜30在多個防潮膜之間的透射電子顯微鏡(TEM)照片，而圖4B是繪示出圖4A中由TEM拍攝的位置的橫截面圖。
參考圖4A和4B，可以在圖4B中確認由TEM拍攝的在第一防潮膜31和第二防潮膜32之間的區域200，以及在第二防潮膜32與第三防潮膜33之間的區域100的橫截面的照片。
因此，可以確定的是在第一防潮膜31和第二防潮膜32形成在獨立的腔室(即，分離的腔室)中的情況下，第一防潮膜31與第二防潮膜32在之間的邊界進行結晶化(crystallization)。因此，可以確認的是，由於在第一防潮膜31和第二防潮膜32之間的邊界中進行結晶化，所以結晶顯示為小點狀(small dots)。另一方面，可以確定的是，在第一防潮膜31和第二防潮膜32形成在腔室(即，一個腔室)中的情況下，在第一防潮膜31與第二防潮膜32之間的邊界不進行結晶化。因此，由於在第一防潮膜31與第二防潮膜32的邊界不進行結晶化，與在單獨的腔室中形成第一防潮膜31和第二防潮膜32的情況不同，不會有小點狀。
圖5是表示在單獨的腔室施行一製程時的製程流程的圖表，而圖6是繪示出根據本發明一實施例的在一腔室施行一製程時的處製程流程圖。
參照圖5和圖6，圖5繪示了第一防潮膜31到第三防潮膜33形成在不同的腔室中的例子，圖6繪示了第一防潮膜31至第三防潮膜33形成在同一腔室中的例子。
在圖5中，首先，可以進行一乾燥製程(seasoning process)，然 後，第一防潮膜31可以通過CVD製程在第一腔室中形成在其上形成有發光部20的基板10上。第一防潮膜31可以通過包含矽的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應而形成。
在基板10上形成第一防潮膜31之後，為了將基板10從第一腔室移動到第二腔室，可以真空排氣，使得基板10可以移動。在將基板10移動到第二腔室之前，可以在第二腔室中再次執行一乾燥製程(seasoning process)，並且可以在第二腔室中通過ALD過程形成第二防潮膜32。第二防潮膜32可以通過包含矽(Si)的源氣體與包含一氧化二氮(N2O)的第二反應氣體的反應而形成。第二防潮膜32可以形成在第一防潮膜31上。在第一防潮膜31從第一腔室移動到第二腔室的過程中，可以在第一防潮膜31的薄膜表面上進行結晶化(crystallization)。第二防潮膜32可以形成在第二腔室中，然後基板10可以再次移動到第一腔室。
可以將第二腔室的真空排氣以將其上形成有第二防潮膜32的基板10再次移動到第一腔室。在將基板10移動到第一腔室之前，可以在第一腔室中執行乾燥製程。隨後，第三防潮膜33可以形成在第一腔室中的基板10上。第三防潮膜33可以通過包含矽的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應而形成。第三防潮膜33可以形成在第二防潮膜32上。在第二防潮膜32從第二腔室移動到第一腔室的過程中，可以在第二防潮膜32的薄膜表面上進行結晶化。
另一方面，在圖6中，在第一防潮膜31至第三防潮膜33形成於一個腔室的情況下，可能不需要用於移動基板10的乾燥製程(seasoning process)和真空排氣處理(vacuum venting process)。因此，在第一防潮膜31至第三防潮膜33形成於一個腔室的情況下，製程時間和製程數減少，從而提高生產率。並且，也可以僅在形成第一防潮膜31的操作之前施行乾燥製程。
此外，可以通過包含矽的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應形成薄膜的第一製程、通過包含矽(Si)的源 氣體與包含一氧化二氮(N2O)的第二反應氣體反應形成薄膜的第二製程、以及通過包含矽的源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的第一反應氣體的反應形成薄膜的第三製程來形成防潮膜30。
以上，參照圖式更詳細地描述了本發明的實施例，但是本發明不限於這些實施例，並且可以在不脫離本發明的技術精神的範圍內進行各種修改。因此，應當理解的是，上述實施例從各個方面是示例性的，而不是限制性的。應該認為，本發明的範圍是由下面的申請專利範圍限定，而不是由詳細的說明限定，並且申請專利範圍的含義和範圍以及從它們的等同概念推斷出的所有變化或修改形式都包含在本發明的範圍內。
31‧‧‧第一防潮膜
32‧‧‧第二防潮膜
33‧‧‧第三防潮膜
100‧‧‧區域
200‧‧‧區域

Claims (16)

  1. 一種防潮膜，包含：一第一防潮膜；一第二防潮膜，在該第一防潮膜上；以及一第三防潮膜，在該第二防潮膜上；其中，該第二防潮膜的氧濃度高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度，該防潮膜的氧濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸增加且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸減少，該第二防潮膜的氮濃度低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氮濃度，該防潮膜的氮濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸減少且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸增加。
  2. 如請求項1所述之防潮膜，其中該第二防潮膜的一濕蝕刻速率高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的一濕蝕刻速率。
  3. 如請求項2所述之防潮膜，其中該第二防潮膜的該濕蝕刻速率高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的該濕蝕刻速率10倍至100倍。
  4. 如請求項1所述之防潮膜，其中該第二防潮膜的一厚度小於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的一厚度。
  5. 如請求項1所述之防潮膜，其中該第一防潮膜和該第二防潮膜之間沒有形成一結晶層。
  6. 如請求項1所述之防潮膜，其中該第二防潮膜和該第三防潮膜之間沒有形成一結晶層。
  7. 一種有機發光裝置，包含： 一基板；一發光部，在該基板上；以及一防潮膜，在該發光部上，其中該防潮膜包含一第一防潮膜、一第二防潮膜在該第一防潮膜上以及一第三防潮膜在該第二防潮膜上，其中，該第二防潮膜的氧濃度高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度，該防潮膜的氧濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸增加且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸減少，該第二防潮膜的氮濃度低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氮濃度，該防潮膜的氮濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸減少且該自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸增加。
  8. 如請求項7所述之有機發光裝置，其中該防潮膜由一單層形成，而該防潮膜的氧濃度和氮濃度逐漸地變化。
  9. 一種製造一防潮膜的方法，該方法包含：通過一化學氣相沉積製程形成一第一防潮膜的一第一防潮膜製程；通過一原子層沉積製程在該第一防潮膜上形成一第二防潮膜的一第二防潮膜製程；以及通過一化學氣相沉積製程在該第二防潮膜上形成一第三防潮膜的一第三防潮膜製程，其中，該第二防潮膜的氧濃度高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度，該防潮膜的氧濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸增加且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸減少，該第二防潮膜的氮濃度低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氮濃度，該防潮膜的氮濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸減少且自 該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸增加。
  10. 如請求項9所述之製造防潮膜的方法，其中該第一防潮膜至該第三防潮膜在一腔室中形成。
  11. 如請求項9所述之製造防潮膜的方法，其中該第二防潮膜通過包含矽的一源氣體與包含氧化二氮(N2O)的一第二反應氣體的一反應而形成。
  12. 如請求項9所述之製造防潮膜的方法，其中該第一防潮膜和該第三防潮膜各自通過包含矽的一源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的一第一反應氣體的一反應而形成。
  13. 如請求項9所述之製造防潮膜的方法，其中該第二防潮膜的一沉積速率低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的一沉積速率。
  14. 如請求項13所述之製造防潮膜的方法，其中該第二防潮膜的該沉積速率低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的該沉積速率的4倍至10倍。
  15. 如請求項9所述之製造防潮膜的方法，更包含僅在該第一防潮膜形成製程之前進行一乾燥製程(seasoning process)。
  16. 一種製造一防潮膜的方法，該方法包含：通過包含矽的一源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的一第一反應氣體的一反應而形成一第一防潮膜的一第一製程；通過包含矽的一源氣體與包含氧化二氮(N2O)的一第二反應氣體的一反應而形成一第二防潮膜的一第二製程；以及通過包含矽的該源氣體與包含氨(NH3)和氮氣(N2)的該第一反應氣體的一反應而形成一第三防潮膜的一第三製程，其中，該第二防潮膜的氧濃度高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別 的氧濃度，該防潮膜的氧濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸增加且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸減少，該第二防潮膜的氮濃度低於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氮濃度，該防潮膜的氮濃度自該第一防潮膜的下部至該第二防潮膜逐漸減少且自該第二防潮膜至該第三防潮膜的上部逐漸增加。
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