KR20150010521A - 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 가스를 기판으로 분사하는 분사부와, 상기 분사부로부터 분사된 상기 가스가 통과하는 패턴이 형성된 마스크 유닛을 지지하고, 상기 마스크 유닛을 선택적으로 승하강시키며 온도가 가변하는 리프트와, 상기 리프트가 삽입되며, 상기 마스크 유닛을 통과한 상기 가스가 증착되는 상기 기판을 선형 운동시키는 서셉터를 포함한다.

Description

기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법{Plasma enhanced chemical vapor deposition device and display appratus using the same}
본 발명은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 표시 장치 및 기타 전자 소자 등은 복수의 박막을 구비한다. 이러한 복수의 박막을 형성하는 방법은 다양한데 그 중 기상 증착 방법이 하나의 방법이다.
기상 증착 방법은 박막을 형성할 원료로서 하나 이상의 기체를 사용한다. 이러한 기상 증착 방법은 화학적 기상 증착(CVD:chemical vapor deposition), 원자층 증착(ALD:atomic layer deposition) 기타 다양한 방법이 있다.
한편, 표시 장치들 중, 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하고, 그 외에 하나 이상의 다양한 박막을 구비한다. 이때 유기 발광 표시 장치의 박막을 형성하기 위하여 증착 공정을 이용하기도 한다.
그러나, 유기 발광 표시 장치가 대형화되고 고해상도를 요구함에 따라 대면적의 박막을 원하는 특성으로 증착하기가 용이하지 않다. 또한 이러한 박막을 형성하는 공정의 효율성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명의 실시예들은 증착막 형성 시 증착물질이 기판의 일면에 형성되는 것을 방지하는 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면은, 가스를 기판으로 분사하는 분사부와, 상기 분사부로부터 분사된 상기 가스가 통과하는 패턴이 형성된 마스크 유닛을 지지하고, 상기 마스크 유닛을 선택적으로 승하강시키며 온도가 가변하는 리프트와, 상기 리프트가 삽입되며, 상기 마스크 유닛을 통과한 상기 가스가 증착되는 상기 기판을 선형 운동시키는 서셉터를 포함하는 기상 증착 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 리프트와 상기 서셉터는 서로 상대운동 가능할 수 있다.
또한, 상기 리프트는, 상기 마스크 유닛과 접촉하는 볼과, 상기 볼의 적어도 일부분이 삽입되며, 상기 볼을 선형운동시키는 샤프트와, 상기 볼 및 상기 샤프트 중 적어도 하나의 내부에 설치되는 히터부를 구비할 수 있다.
또한, 히터부는, 상기 볼의 내부에 설치되는 볼히터와, 상기 샤프트의 내부에 설치되는 샤프트히터와, 상기 볼히터 및 상기 샤프트히터에 연결되어 전력을 공급하는 전원공급부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 전원공급부는, 외부의 전원 및 상기 샤프트히터와 연결되는 제 1 전선부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 전원공급부는, 외부의 전원과 연결되는 제 2 전선부와, 상기 샤프트의 내면에 설치되며, 상기 제 2 전선부와 전기적으로 연결되는 제 1 커넥터와, 상기 제 1 커넥터와 착탈 가능하도록 결합하는 제 2 커넥터와, 상기 제 2 커넥터 및 상기 볼히터와 전기적으로 연결되는 제 3 전선부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 볼은 세라믹(Ceramic) 재질일 수 있다.
또한, 상기 리프트는 복수개 구비되며, 상기 복수개의 리프트 중 한쌍은 제 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직인 제 2 방향 및 제 1 방향과 제 2 방향에 각각 수직인 제 3 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동 가능할 수 있다.
또한, 상기 복수개의 리프트 중 다른 한쌍은 상기 제 3 방향으로 이동 가능할 수 있다.
또한, 상기 리프트 및 상기 서셉터 중 적어도 하나의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 플라즈마 발생 영역을 구비한 챔버 내부로 기판을 로딩하는 단계와, 상기 챔버에 가스를 공급하는 단계와, 상기 가스는 상기 플라즈마 발생 영역을 통과하면서 상기 챔버에 라디칼을 형성하는 단계와, 상기 라디칼이 반응하여 상기 기판상에 증착막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판 상에 증착막을 형성하는 단계에서 마스크 유닛을 선택적으로 지지하는 리프트의 온도는 가변되는 표시 장치의 제조방법를 제공할 수 있다.
또한, 상기 증착막은 절연막을 구비할 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 마스크 유닛을 얼라인(Align)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 마스크 유닛의 얼라인 시 상기 기판과 상기 마스크 유닛의 위치가 서로 어긋난 것으로 판단되면, 상기 마스크 유닛의 적어도 일부분을 제 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향 및 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향에 각각 수직인 제 3 방향 중 적어도 한 방향으로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 마스크 유닛을 접촉시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 마스크 유닛의 접촉 시 상기 마스크 유닛과 접촉한 상기 리프트의 일단은 상기 기판과 접촉하는 상기 마스크 유닛의 일면에 접촉할 수 있다.
또한, 상기 마스크 유닛과 상기 기판이 접촉 한 후 상기 리프트는 상기 기판과 동일한 속도로 상기 마스크 유닛을 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 리프트는, 상기 마스크 유닛과 접촉하는 볼과, 상기 볼의 적어도 일부가 삽입되며, 상기 볼을 선형운동시키는 샤프트와, 상기 볼 및 상기 샤프트 중 적어도 하나의 내부에 설치되는 히터부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 히터부는, 상기 볼 및 상기 샤프트의 온도를 서로 상이하게 조절 가능할 수 있다.
또한, 상기 리프트의 온도는 상승할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 증착 공정 시 리프트에 흡착되는 증착막을 최소화할 수 있고, 마스크 유닛에 흡착되는 증착막이 분리되는 것을 방지함으로써 표시 장치의 불량률을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착 장치를 보여주는 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 리프팅 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제 2 리프트를 분해하여 보여주는 개념도이다.
도 4는 도 1에 도시된 기상 증착 장치의 제 1 작동을 보여주는 작동도이다.
도 5는 도 1에 도시된 기상 증착 장치의 제 2 작동을 보여주는 작동도이다.
도 6은 도 1에 도시된 기상 증착 장치의 제 3 작동을 보여주는 작동도이다.
도 7은 도 1에 도시된 기상 증착 장치의 제 4 작동을 보여주는 작동도이다.
도 8은 도 1에 도시된 기상 증착 장치의 제 5 작동을 보여주는 작동도이다.
도 9는 도 1에 도시된 기상 증착 장치를 이용하여 제조된 표시 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
본 발명은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착 장치(100)를 보여주는 개념도이다.
도 1을 참고하면, 기상 증착 장치(100)는 내부에 공간이 형성되는 챔버(110)를 포함할 수 있다. 이때, 챔버(110)는 공정 정도에 따라서 진공 상태 또는 대기압 상태를 유지할 수 있다. 구체적으로 챔버(110)는 증착이 진행되는 동안 진공 상태를 유지하며, 기판(S)이 장입되거나 인출되는 경우 대가입 상태를 유지할 수 있다.
상기와 같은 챔버(110)는 제 1 하우징(111)과, 제 1 하우징(111)과 결합하는 제 2 하우징(112)을 포함할 수 있다. 이때, 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)은 볼트, 나사, 클램프, 플랜지, 링 등을 통하여 결합될 수 있다. 또한, 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112) 중 적어도 하나에는 기판(S)이 장입되거나 인출되는 개구부(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 개구부를 개폐하는 도어(미도시)를 구비할 수 있다. 또한, 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)이 서로 분리된 후 기판(S)이 장입되거나 인출되는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 개구부를 통하여 기판(S)이 장입되거나 인출되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 기상 증착 장치(100)는 제 1 가스와 제 2 가스를 챔버(110) 내부로 공급하는 분사부(120)를 포함할 수 있다. 이때, 분사부(120)의 일부는 챔버(110)를 관통하도록 고정되며, 분사부(120) 내부에는 제 1 가스와 제 2 가스를 유동하는 가스유동부(121)가 형성될 수 있다. 이때, 가스유동부(121)는 분사부(120)의 내부를 관통하도록 형성되며, 외부의 가스공급부(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 분사부(120)는 가스유동부(121)와 연결되며, 분사부(120)의 표면에 형성되는 가스주입부(122)를 구비할 수 있다. 이때, 가스주입부(122)는 가스유동부(121)를 통하여 유입되는 제 1 가스 또는 제 2 가스를 챔버(110)의 내부로 분사할 수 있다. 특히 가스주입부(122)는 복수개 구비될 수 있으며, 복수개의 가스주입부(122)는 서로 이격되도록 형성될 수 있다.
상기와 같은 분사부(120)는 플라즈마 발생 영역(P)을 형성할 수 있으며, 제 1 가스를 통하여 플라즈마를 형성하도록 코일부(123) 및 전원부(124)를 구비할 수 있다. 구체적으로 코일부(123)는 분사부(120)의 하부에 배치되어 전원부(124)와 연결될 수 있다. 이때, 전원부(124)는 고주파(RF, Radio Frequency) 전력을 코일부(123)에 인가하고, 코일부(123)는 일종의 유도 코일로서 제 1 가스를 플라즈마 상태로 변환시킨다. 구체적으로 코일부(123)는 가스주입부(122)를 통하여 공급되는 제 1 가스를 이용하여 플라즈마를 발생한 후 이러한 플라즈마를 통하여 가스주입부(122)를 통하여 공급되는 제 2 가스를 플라즈마 상태로 여기할 수 있다. 또한, 코일부(123)는 가스주입부(122)를 통하여 공급되는 제 2 가스를 플라즈마 상태로 여기할 수도 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 가스를 이용하여 플라즈마를 발생한 후 이러한 플라즈마를 통하여 제 2 가스를 플라즈마 상태로 여기하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
분사부(120)는 코일부(123) 상에 설치되는 커버부(125)를 포함할 수 있다. 이때, 커버부(125)는 절연 물질로 형성될 수 있으며, 코일부(123)가 플라즈마 등으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 커버부(125)는 가스주입부(122)와 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. 즉, 가스주입부(122)는 커버부(125)를 관통하도록 형성될 수 있다.
한편, 기상 증착 장치(100)는 마스크 유닛(M)을 얼라인하며, 마스크 유닛(M)을 선택적으로 이동시키는 리프팅 유닛(150)을 포함할 수 있다. 이때, 리프팅 유닛(150)은 적어도 하나 이상의 리프트(150a)와, 각 리프트(150a)를 구동시키는 리프트구동부(150b)를 구비할 수 있다. 상기와 같은 리프팅 유닛(150)에 대해서는 하기의 도 2 및 도 3에서 상세히 설명하기로 한다.
기상 증착 장치(100)는 기판(S)을 선형 운동시키는 서셉터(140)를 포함할 수 있다. 이때, 서셉터(140)는 기판(S)이 안착되어 기판(S)을 지지할 수 있다. 또한, 서셉터(140)의 내부에는 히터가 설치되어 기판(S)의 온도를 조절할 수 있다.
상기와 같은 서셉터(140)에는 후술할 리프트(150a)가 삽입되는 리프트삽입홀(141) 및 후술할 지지핀(170)이 삽입되는 지지핀삽입홀(142)이 형성될 수 있다. 또한, 서셉터(140)에는 기판(S)을 장착한 후 고정하도록 고정 수단(미도시)이 설치될 수 있다. 상기 고정 수단은 클램프, 압력 수단, 접착물질, 기타 다양한 종류일 수 있다.
기상 증착 장치(100)는 서셉터(140)와 연결되어 서셉터(140)를 선형 운동시키는 서셉터구동부(160)를 포함할 수 있다. 이때, 서셉터구동부(160)는 모터(미도시)와, 상기 모터와 연결되는 기어 유닛(미도시)을 구비할 수 있으며, 길이가 가변하는 실린더(미도시)를 구비할 수 있다. 다만, 서셉터구동부(160)는 상기에 한정되는 것은 아니며 서셉터(140)를 선형 운동시키는 모든 장치 및 구조를 포함할 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 서셉터구동부(160)가 상기 실린더를 구비하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 기상 증착 장치(100)는 기판(S)을 일시적으로 지지하는 지지핀(170)을 포함할 수 있다. 이때, 지지핀(170)은 챔버(110)의 내면에 고정되도록 설치될 수 있다. 또한, 지지핀(170)은 복수개 구비될 수 있으며, 복수개의 지지핀(170)은 서로 이격되도록 배치되어 기판(S)을 복수 지점에서 지지할 수 있다.
기상 증착 장치(100)는 챔버(110)에 연결되는 배기관(191)과, 배기관(191)에 설치되는 배기펌프(192)를 포함할 수 있다. 이때, 배기펌프(192)는 챔버(110)의 내부 상태를 진공 상태로 유지시킬 수 있다. 또한, 배기펌프(192)는 기상 증착 공정 중 발생하는 불필요한 기체를 외부로 배기할 수 있다.
한편, 기상 증착 장치(100)는 마스크 유닛(M) 상에 설치되는 쉐도우 프레임(193)을 포함할 수 있다. 쉐도우 프레임(193)은 마스크 유닛(M)의 테두리를 감싸도록 설치될 수 있다. 이때, 쉐도우 프레임(193)은 마스크 유닛(M)의 테두리로 제 2 가스가 주입되는 것을 방지하거나 마스크 유닛(M)의 테두리가 증착되는 것을 방지할 수 있다.
기상 증착 장치(100)는 리프트(150a) 및 서셉터(140) 중 적어도 하나의 온도를 제어하는 제어부(195)를 포함할 수 있다. 이때, 제어부(195)는 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제어부(195)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북, 일반적인 제어회로, 휴대용 전자기기 등 다양한 전자기기를 포함할 수 있다. 이때, 제어부(195)는 상기에 한정되지 않으며, 기상 증착 장치(100)를 제어하는 모든 장치를 포함할 수 있다.
한편, 기상 증착 장치(100)는 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 위치를 측정하는 얼라인 유닛(180)을 포함할 수 있다. 이때, 얼라인 유닛(180)은 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크를 촬영하는 카메라(미표기)를 포함할 수 있다. 특히 얼라인 유닛(180)은 제 1 카메라(181), 제 2 카메라(182), 제 3 카메라(미도시) 및 제 4 카메라(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 얼라인 유닛(180)은 상기에 한정되지 않으며, 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 위치를 측정하는 모든 장치를 포함할 수 있다.
상기와 같이 촬영된 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크는 제어부(195)로 전송될 수 있다. 제어부(195)는 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크를 근거로 마스크 유닛(M)과 기판(S) 사이의 얼라인 여부를 판별한 후 리프팅 유닛(150)을 제어하여 마스크 유닛(M)과 기판(S)을 얼라인시킬 수 있다. 특히 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 위치를 얼라인 유닛(180)으로 판별하는 방법은 일반적인 카메라를 통하여 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 위치를 판별하는 방법과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 리프팅 유닛(150)에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 도 1에 도시된 리프팅 유닛(150)을 보여주는 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 제 2 리프트(153)를 분해하여 보여주는 개념도이다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 리프팅 유닛(150)은 상기에서 설명한 바와 같이 적어도 하나 이상의 리프트(미표기) 및 상기 적어도 하나 이상의 리프트를 운동시키는 적어도 하나 이상의 리프트구동부(미표기)를 구비할 수 있다. 이때, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 리프트 및 상기 리프트구동부가 각각 4개 구비되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
리프팅 유닛(150)은 제 1 리프트(151), 제 2 리프트(153), 제 3 리프트(155) 및 제 4 리프트(157)를 구비할 수 있다. 또한, 리프팅 유닛(150)은 제 1 리프트(151)를 운동시키는 제 1 리프트구동부(152), 제 2 리프트(153)를 운동시키는 제 2 리프트구동부(154), 제 3 리프트(155)를 운동시키는 제 3 리프트구동부(156) 및 제 4 리프트(157)를 운동시키는 제 4 리프트구동부(158)를 구비할 수 있다.
상기와 같은 제 1 리프트구동부(152) 내지 제 4 리프트구동부(158)는 서로 유사하게 작동할 수 있다. 특히 제 1 리프트구동부(152) 내지 제 4 리프트구동부(158)는 각각 쌍을 이루어 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(157)를 운동시킬 수 있다.
구체적으로 제 1 리프트구동부(152) 및 제 3 리프트구동부(156)는 각각 제 1 리프트(151) 및 제 3 리프트(155)를 제 3 방향으로 운동시킬 수 있다. 이때, 상기 제 3 방향은 도 3에서의 Z축 방향일 수 있다.
또한, 제 2 리프트구동부(154) 및 제 4 리프트구동부(158)는 각각 제 2 리프트(153) 및 제 4 리프트(157)를 제 1 방향, 제 2 방향 및 제 3 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향은 서로 수직하며, 상기 제 3 방향은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향과 수직할 수 있다. 구체적으로 상기 제 1 방향은 도 3에서 X방향이며, 상기 제 2 방향은 도 3에서 Y방향이고, 상기 제 3 방향은 상기에서 설명한 바와 같이 도 3에서 Z방향일 수 있다. 이때, 상기와 같은 제 1 방향 내지 제 3 방향은 일 실시예에 불과하며 다양한 방향일 수 있다.
한편, 상기와 같은 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(157)는 서로 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1 리프트(151)와 제 3 리프트(155)는 동일하게 형성되며, 제 2 리프트(153)와 제 4 리프트(157)는 동일하게 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 리프트(151) 및 제 2 리프트(153)에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 특히, 제 2 리프트(153)를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제 2 리프트(153)는 마스크 유닛(M)과 접촉하는 제 2 볼(163a)을 포함할 수 있다. 이때, 제 2 볼(153a)는 마모에 강한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제 2 볼(153a)은 세라믹(Ceramic) 재질로 형성될 수 있다. 상기와 같은 제 2 볼(153a)은 후술할 제 2 샤프트(153b)에 회전 가능하도록 설치될 수 있다.
또한, 제 2 리프트(153)는 제 2 볼(153a)의 적어도 일부분이 삽입되며, 제 2 볼(153a)을 선형 운동시키는 제 2 샤프트(153b)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 샤프트(153b)는 제 2 리프트구동부(154)와 연결되어 제 2 리프트구동부(154)의 운동에 따라 선형운동할 수 있다. 특히 제 2 샤프트(153b)는 제 2 리프트구동부(154)의 운동에 따라 상기 제 1 방향 내지 상기 제 3 방향 중 적어도 하나의 방향으로 선형운동할 수 있다.
제 2 리프트(153)는 제 2 볼(153a) 및 제 2 샤프트(153b) 중 적어도 하나의 내부에 설치되는 제 2 히터부(153c)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 히터부(153c)는 외부의 신호에 따라서 제 2 볼(153a) 및 제 2 샤프트(153b) 중 적어도 하나의 표면 온도를 조절할 수 있다.
한편, 제 2 히터부(153c)는 제 2 볼(153a)의 내부에 설치되는 제 2 볼히터(153d) 및 제 2 샤프트(153b) 내부에 설치되는 제 2 샤프트히터(153e)를 구비할 수 있다. 또한, 제 2 히터부(153c)는 제 2 볼히터(153d) 및 제 2 샤프트히터(153e)와 연결되어 전력을 공급하는 제 2 전원공급부(153f)를 구비할 수 있다.
이때, 제 2 전원공급부(153f)는 외부의 전원(미도시) 및 제 2 샤프트히터(153e)와 연결되는 제 1 전선부(153g)를 구비할 수 있다. 또한, 제 2 전원공급부(153f)는 상기 외부의 전원과 연결되는 제 2 전선부(153h)와, 제 2 샤프트(153b) 내면에 설치되며 제 2 전선부(153h)와 전기적으로 연결되는 제 1 커넥터(153i)를 구비할 수 있다. 또한, 제 2 전원공급부(153f)는 제 1 커넥터(153i)와 착탈 가능하도록 결합하는 제 2 커넥터(153j)와, 제 2 커넥터(153j) 및 제 2 볼히터(153d)와 전기적으로 연결되는 제 3 전선부(153k)를 구비할 수 있다.
한편, 제 1 리프트(151)도 상기에서 설명한 제 2 리프트(153)와 유사하게 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1 리프트(151)는 제 1 볼(미도시), 제 1 샤프트(미도시) 및 제 1 전원공급부(미도시)를 구비할 수 있다. 이때, 상기 제 1 샤프트 및 상기 제 1 전원공급부는 상기에서 설명한 제 2 샤프트(153b) 및 제 2 전원공급부(153f)와 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제 1 볼은 제 2 볼(153a)과 유사하게 형성될 수 있다. 다만, 상기 제 1 볼은 제 2 볼(153a)과 상이하게 상기 제 1 샤프트에 고정되도록 설치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 볼은 상기 제 1 샤프트가 운동하는 경우에도 움직이지 않으면서 마스크 유닛(M)을 지지할 수 있다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같이 제 3 리프트(155)는 제 1 리프트(151)와 동일하게 형성되며, 제 4 리프트(157)는 제 2 리프트(153)와 동일하게 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성되는 리프팅 유닛(150)의 작동을 상세히 설명하면, 리프팅 유닛(150)은 마스크 유닛(M)을 지지할 수 있다. 이때, 마스크 유닛(M)은 패턴이 형성되는 마스크 슬릿(M1)과, 마스크 슬릿(M1)을 지지하는 고정프레임(M2)을 구비할 수 있다.
상기와 같은 마스크 유닛(M)은 외부로부터 챔버(미도시) 내부로 장입되어 리프팅 유닛(150)에 안착할 수 있다. 이때, 마스크 유닛(M)은 상기 챔버 내부 또는 외부에 설치된 로봇 암(Robot arm) 등을 통하여 리프팅 유닛(150)에 안착될 수 있다.
상기와 같이 안착된 마스크 유닛(M)은 증착 공정 중 기판(S)과 얼라인(Align)할 수 있다. 이때, 마스크 유닛(M)은 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(157) 중 적어도 하나를 운동시킴으로써 위치가 정렬될 수 있다.
구체적으로 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(157)는 상기 제 3 방향으로 이동하여 마스크 유닛(M)의 높이를 조절할 수 있다. 또한, 제 2 리프트(153) 및 제 4 리프트(157)를 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동하여 마스크 유닛(M)을 회전시키거나 마스크 유닛(M)의 위치를 변경할 수 있다.
이때, 제 2 리프트(153)의 제 2 볼(153a) 및 제 4 리프트(157)의 제 4 볼(미도시)은 회전함으로써 마스크 유닛(M)의 이동을 보조할 수 있다. 또한, 제 1 리프트(151)의 상기 제 1 볼 및 제 3 리프트(155)의 제 3 볼(미도시)은 회전하지 않음으로써 마스크 유닛(M)이 리프팅 유닛(150)으로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 리프팅 유닛(150)은 상기와 같은 작동 이외에도 마스크 유닛(M)의 위치를 변경하는 경우 상기의 작동을 반복하여 수행함으로써 마스크 유닛(M) 위치를 변경할 수 있다.
한편, 이하에서는 기상 증착 장치(100)의 작동 방법에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)의 제 1 작동을 보여주는 작동도이다.
도 4를 참고하면, 기상 증착 장치(100)이 작동하는 경우 리프팅 유닛(150)은 마스크 유닛(M)을 챔버(110)의 최상측에 배치할 수 있다. 뿐만 아니라 서셉터(140)는 챔버(110)의 최하측에 배치될 수 있다.
서셉터(140)와 리프팅 유닛(150)이 상기와 같이 배치되면, 기판(S)이 챔버(110) 내부로 장입될 수 있다. 이때, 기판(S)은 상기에서 설명한 바와 같이 로봇암에 의하여 외부로부터 챔버(110) 내부로 이동할 수 있으며, 챔버(110) 내부에서 지지핀(170)에 의하여 지지될 수 있다. 이때, 서셉터(140)는 상승하여 지지핀(170)의 상단과 서셉터(140)의 상면이 일치시킬 수 있다.
상기와 같이 기판(S)이 위치하면, 마스크 유닛(M)과 기판(S)은 이격되도록 배치될 수 있다. 이때, 기판(S)과 마스크 유닛(M) 사이에는 공간이 형성될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)의 제 2 작동을 보여주는 작동도이다.
도 5를 참고하면, 상기와 같이 기판(S)의 장입이 완료된 후 서셉터(140)를 일정 정도 상승하여 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 간격을 좁힐 수 있다. 이때, 서셉터(140)는 도 4보다 기판(S)과 마스크 유닛(M)의 간격이 좁도록 상승할 수 있다. 제어부(195)는 기 설정된 서셉터(140)의 위치에 근거하여 서셉터구동부(160)를 제어할 수 있다.
도 6은 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)의 제 3 작동을 보여주는 작동도이다.
도 6을 참고하면, 마스크 유닛(M)과 기판(S)을 상기와 같이 위치시킨 후 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 위치를 얼라인(Align)할 수 있다. 이때, 마스크 유닛(M)과 기판(S) 사이의 얼라인 방법은 얼라인 유닛(180)으로 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크를 촬영하여 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크가 대응되도록 제어부(195)가 리프팅 유닛(150)을 제어하여 마스크 유닛(M)이동시키는 방법일 수 있다.
구체적으로 얼라인 유닛(180)은 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크를 촬영하여 제어부(195)로 전송하고, 제어부(195)는 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크가 서로 상이한 경우 리프팅 유닛(150)을 통하여 마스크 유닛(M)의 얼라인 마크와 기판(S)의 얼라인 마크가 대응되도록 마스크 유닛(M)을 상기 제 1 방향, 상기 제 2 방향 및 상기 제 3 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동시킬 수 있다.
이때, 마스크 유닛(M)을 회전하는 방법은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 마스크 유닛(M)을 이동시켜 마스크 유닛(M)을 회전시킬 수 있다. 또한, 마스크 유닛(M)과 기판(S) 사이의 간격이 기 설정된 간격보다 큰 경우 마스크 유닛(M)을 상기 제 3 방향으로 이동시켜 마스크 유닛(M)과 기판(S)을 기 설정된 간격만큼 이격시킬 수 있다.
특히 상기와 같은 경우 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 마스크 유닛(M)을 이동시키기 위하여 제 2 리프트(153) 및 제 4 리프트(미도시)를 운동시킬 수 있다. 또한, 마스크 유닛(M)을 상기 제 3 방향으로 이동시키는 경우 제어부(195)는 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트를 동시에 운동시키도록 제 1 리프트구동부(152) 내지 제 4 리프트구동부(미도시)를 제어할 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)의 제 4 작동을 보여주는 작동도이다.
도 7을 참고하면, 상기와 같이 마스크 유닛(M)과 기판(S)의 얼라인이 완료된 후 제어부(195)는 서셉터(140)의 위치를 고정시키고, 마스크 유닛(M)을 하강시키도록 리프팅 유닛(150)을 제어할 수 있다. 이때, 기판(S)과 마스크 유닛(M)을 완전히 접촉할 수 있다. 이때, 서셉터(140)의 일부는 마스크 유닛(M)의 일부와 완전히 접촉됨으로써 마스크 유닛(M)과 기판(S)을 접촉시키고, 마스크 유닛(M)과 서셉터(140) 사이의 간격을 최소화할 수 있다.
상기와 같이 리프팅 유닛(150)이 작동하는 경우 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(미도시)는 마스크 유닛(M)과 접촉한 상태를 유지할 수 있다. 구체적으로 리프팅 유닛(150)이 작동하는 경우 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트는 도 6의 위치에서 하강할 수 있다. 이때, 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트가 서셉터(140)의 일면과 마스크 유닛(M)이 접촉하는 경계까지 하강하도록 제어부(195)는 제 1 리프트구동부(152) 내지 제 4 리프트구동부(미도시)를 제어할 수 있다. 특히 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트가 하강하는 거리는 제어부(195)에 기 설정될 수 있다.
도 8은 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)의 제 5 작동을 보여주는 작동도이다.
도 8을 참고하면, 기판(S)과 마스크 유닛(M)이 접촉한 후 제어부(195)는 서셉터구동부(160)를 작동시켜 서셉터(140)를 도 7의 위치보다 상승시킬 수 있다. 이때, 기판(S)은 서셉터(140)와 함께 상승하고, 마스크 유닛(M)은 기판(S)과 함께 상승할 수 있다.
상기와 같이 작업이 진행되는 동안, 제어부(195)는 리프팅 유닛(150)을 제어하여 마스크 유닛(M)을 상승시킬 수 있다. 이때, 제어부(195)는 제 1 리프트구동부(152) 내지 제 4 리프트구동부(미도시)를 서셉터구동부(160)와 연계하여 작동시키도록 제어할 수 있다.
구체적으로 제어부(195)는 서셉터(140)의 상승속도를 산출하여 제 1 리프트(151) 내지 제 4 리프트(미도시)가 서셉터(140)의 상승속도와 동일한 속도로 상승하도록 제 1 리프트구동부(152) 내지 상기 제 4 리프트구동부를 작동시킬 수 있다. 이때, 제 1 리프트(151)의 제 1 볼(151a) 내지 상기 제 4 리프트의 제 4 볼(미도시)은 마스크 유닛(M)에 접촉한 상태로 마스크 유닛(M)을 상승시킬 수 있다.
상기와 같은 작업이 완료되면, 챔버(110) 내부로 제 1 가스를 공급한 후 분사부(미도시)의 주변에 플라즈마를 형성한 후 상기 분사부를 통하여 제 2 가스를 공급하여 기판(S)에 증착막을 형성할 수 있다. 이때, 제 2 가스는 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 라디칼을 형성하고, 라디칼은 기판(S) 상에서 반응하여 상기 증착막을 형성할 수 있다.
한편, 상기와 같은 작업이 진행되는 동안, 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 온도가 가변할 수 있다. 구체적으로 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 온도는 챔버(110)의 내부 온도가 유사하게 유지될 수 있다.
예를 들면, 제어부(195)는 제 1 볼히터(미도시) 내지 제 4 볼히터(미도시)에 인가되는 전류를 제어하여 제 1 볼(151a)의 온도 내지 상기 제 4 볼의 온도를 각각 챔버(110) 내부의 온도와 유사하게 유지시킬 수 있다. 또한, 제어부(195)는 제 1 샤프트히터(미도시) 내지 제 4 샤프트히터(미도시)에 인가되는 전류를 제어하여 제 1 샤프트(151b)의 온도 내지 제 4 샤프트(미도시)의 온도를 각각 챔버(110) 내부의 온도와 유사하게 유지시킬 수 있다. 또한, 상기와 같이 기판(S) 상에 증착막이 형성되는 동안 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트는 마스크 유닛(M)에 접촉한 상태를 유지할 수 있다.
한편, 상기와 같이 증착 공정이 완료되면, 서셉터(140) 및 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트는 하강할 수 있다. 이때, 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트는 일정 거리에서 정지하고, 서셉터(140)는 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트가 정지한 높이 이하로 하강하여 기판(S)과 마스크 유닛(M)을 분리할 수 있다. 특히 서셉터(140)와 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트는 서로 상대 운동함으로써 마스크 유닛(M)과 기판(S)을 분리할 수 있다.
또한, 서셉터(140)는 기 설정된 거리만큼 하강한 후 챔버(110) 내부를 대기압 상태로 형성하여 증착막이 형성된 기판(S)을 외부로 인출할 수 있다.
상기와 같은 작업이 진행되는 동안 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트에 증착막이 형성될 수 있다. 특히 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 표면에 증착막이 형성되는 경우 서셉터(140)와 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 상대 운동에 따라서 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 표면에 흡착된 증착막이 분리되어 기판(S)이나 챔버(110) 내부를 오염시킬 수 있다. 또한, 증착 공정에서 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트가 마스크 유닛(M)으로부터 분리되었다가 증착 공정 완료 후 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트가 마스크 유닛(M)과 접촉하는 경우 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트의 접촉으로 인하여 마스크 유닛(M)의 표면에 흡착된 증착막이 분리됨으로써 기판(S)이나 챔버(110) 내부를 오염시킬 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 따른 기상 증착 장치(100)의 경우 상기와 같이 제 1 리프트(151) 표면의 온도 내지 상기 제 4 리프트 표면의 온도를 상승시킴으로써 제 1 리프트(151)의 표면 내지 상기 제 4 리프트의 표면에 증착막이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
뿐만 아니라 본 발명의 실시예들에 따른 기상 증착 장치(100)의 경우 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트를 마스크 유닛(M)과 접촉시킨 상태에서 증착 공정을 수행한 후 기판(S)과 마스크 유닛(M)의 최종 분리시 제 1 리프트(151) 내지 상기 제 4 리프트로 인하여 마스크 유닛(M)으로부터 분리되는 증착막을 최소화할 수 있다.
따라서 기상 증착 장치(100)는 증착 공정에서 발생하는 증착막의 분진을 최소화함으로써 증착 공정의 정밀성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 뿐만 아니라 기상 증착 장치(100)는 제 1 리프트(151)의 표면 내지 상기 제 4 리프트의 표면에 증착막이 형성되는 것을 방지함으로써 청소에 필요한 시간 및 인력을 최소화할 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 기상 증착 장치(100)를 이용하여 제조된 표시 장치(10)를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 9를 참고하면, 기상 증착 장치(100)를 이용하여 제조되는 표시 장치(10)는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)는 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등을 포함할 수 있다. 이때, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 유기 발광 표시 장치(10)를 제조 시 기상 증착 장치(100)는 기판(S) 상에 증착막을 형성할 수 있다. 이때, 증착막은 다양한 절연막을 포함할 수 있다. 이때, 상기 증착막은 후술할 유기 발광 표시 장치(10)의 버퍼층(31), 게이트 절연막(32), 층간 절연막(33), 패시베이션층(34) 및 화소정의막(35) 등 기타 절연막일 수 있다.
또한 상기 증착막은 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43), 제 1 전극(61), 중간층(63) 및 제 2 전극(62)등 기타 다양한 박막일 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기상 증착 장치(100)를 이용하여 형성하는 상기 증착막은 후술할 봉지층(70)인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
유기 발광 표시 장치(10:organic light emitting display apparatus)는 기판(S) 상에 형성된다. 기판(S)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다. 기판(S)상에는 기판(S)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(S)으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(31)이 형성되어 있다.
버퍼층(31)상에는 박막 트랜지스터(40(TFT:thin film transistor))와, 캐패시터(50)와, 유기 발광 소자(60:organic light emitting device)가 형성된다. 박막 트랜지스터(40)는 크게 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43)을 포함한다. 유기 발광 소자(60)는 제 1 전극(61), 제 2 전극(62) 및 중간층(63)을 포함한다.
구체적으로 버퍼층(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(41)이 배치된다. 활성층(41)은 p형 또는 n형의 도펀트가 주입된 반도체 물질을 함유할 수 있다. 이때, 상기와 같이 반도체 물질을 함유하는 활성층(41)은 다결정 실리콘으로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면 활성층(41)은 G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c>0의 조건을 만족시키는 실수)을 포함할 수 있다.
활성층(41)상부에는 게이트 절연막(32)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 활성층(41)과 대응되도록 게이트 전극(42)이 형성된다. 게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성되고, 층간 절연막(33) 상에 소스 전극 및 드레인 전극(43)이 형성되는 데, 활성층(41)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. 소스 전극 및 드레인 전극(43)을 덮도록 패시베이션층(34)이 형성되고, 패시베이션층(34)상부에는 박막트랜지스터(40)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.
패시베이션층(34)상에 제 1 전극(61)을 형성한다. 제 1 전극(61)은 드레인 전극(43)과 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그리고, 제 1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)을 형성한다. 중간층(63)상에 제 2 전극(62)을 형성한다.
상기 유기 발광층은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광층이 개구(64) 내부에 형성되며, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 서브 픽셀로 하나의 단위 픽셀을 이룰 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층은 픽셀의 위치에 관계 없이 화소정의막(35) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질이 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 상기 유기 발광층은 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 이때, 유기 발광 표시 장치(10)는 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
한편, 제 2 전극(62)상에 봉지층(70)을 형성한다. 봉지층(70)은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
상기 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다.
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지층(70) 중 외부로 노출된 최상층은 중간층(63)에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
봉지층(70)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다.
제 2 전극(62)과 상기 제 1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제 1 무기층을 형성할 때 제 2 전극(62)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.
봉지층(70)은 기상 증착 장치(100)를 이용하여 형성할 수 있다. 즉 제 2 전극(62)이 형성된 기판(S)을 기상 증착 장치(100)의 서셉터(140)에 장착하여 기상 증착 공정을 진행하여 봉지층(70)을 형성할 수 있다.
따라서 기상 증착 장치(100)를 이용할 경우 표시 장치(10)는 원하는 두께의 절연막, 기타 도전막, 특히 봉지층(70)과 같이 전극에 비하여 두껍게 형성할 필요가 있는 절연막을 신속하게 형성할 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되었지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위에는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
100: 기상 증착 장치 156: 제 3 리프트구동부
110: 챔버 157: 제 4 리프트
120: 분사부 158: 제 4 리프트구동부
140: 서셉터 160: 서셉터구동부
150: 리프팅 유닛 170: 지지핀
151: 제 1 리프트 180: 얼라인 유닛
152: 제 1 리프트구동부 191: 배기관
153: 제 2 리프트 192: 배기펌프
154: 제 2 리프트구동부 193: 쉐도우 프레임
195: 제어부

Claims (20)

  1. 가스를 기판으로 분사하는 분사부;
    상기 분사부로부터 분사된 상기 가스가 통과하는 패턴이 형성된 마스크 유닛을 지지하고, 상기 마스크 유닛을 선택적으로 승하강시키며 온도가 가변하는 리프트; 및
    상기 리프트가 삽입되며, 상기 마스크 유닛을 통과한 상기 가스가 증착되는 상기 기판을 선형 운동시키는 서셉터;를 포함하는 기상 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트와 상기 서셉터는 서로 상대운동 가능한 기상 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트는,
    상기 마스크 유닛과 접촉하는 볼;
    상기 볼의 적어도 일부분이 삽입되며, 상기 볼을 선형운동시키는 샤프트; 및
    상기 볼 및 상기 샤프트 중 적어도 하나의 내부에 설치되는 히터부;를 구비하는 기상 증착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 히터부는,
    상기 볼의 내부에 설치되는 볼히터;
    상기 샤프트의 내부에 설치되는 샤프트히터; 및
    상기 볼히터 및 상기 샤프트히터에 연결되어 전력을 공급하는 전원공급부;를 구비하는 기상 증착 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전원공급부는,
    외부의 전원 및 상기 샤프트히터와 연결되는 제 1 전선부;를 구비하는 기상 증착 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 전원공급부는,
    외부의 전원과 연결되는 제 2 전선부;
    상기 샤프트의 내면에 설치되며, 상기 제 2 전선부와 전기적으로 연결되는 제 1 커넥터;
    상기 제 1 커넥터와 착탈 가능하도록 결합하는 제 2 커넥터; 및
    상기 제 2 커넥터 및 상기 볼히터와 전기적으로 연결되는 제 3 전선부;를 구비하는 기상 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 볼은 세라믹(Ceramic) 재질인 기상 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트는 복수개 구비되며,
    상기 복수개의 리프트 중 한쌍은 제 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직인 제 2 방향 및 제 1 방향과 제 2 방향에 각각 수직인 제 3 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동 가능한 기상 증착 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수개의 리프트 중 다른 한쌍은 상기 제 3 방향으로 이동 가능한 기상 증착 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 및 상기 서셉터 중 적어도 하나의 온도를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 기상 증착 장치.
  11. 플라즈마 발생 영역을 구비한 챔버 내부로 기판을 로딩하는 단계;
    상기 챔버에 가스를 공급하는 단계;
    상기 가스는 상기 플라즈마 발생 영역을 통과하면서 상기 챔버에 라디칼을 형성하는 단계;
    상기 라디칼이 반응하여 상기 기판상에 증착막을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 기판 상에 증착막을 형성하는 단계에서 마스크 유닛을 선택적으로 지지하는 리프트의 온도는 가변되는 표시 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 증착막은 절연막을 구비하는 표시 장치의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 마스크 유닛을 얼라인(Align)하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 마스크 유닛의 얼라인 시 상기 기판과 상기 마스크 유닛의 위치가 서로 어긋난 것으로 판단되면, 상기 마스크 유닛의 적어도 일부분을 제 1 방향, 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향 및 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향에 각각 수직인 제 3 방향 중 적어도 한 방향으로 이동시키는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 마스크 유닛을 접촉시키는 단계;를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 마스크 유닛의 접촉 시 상기 마스크 유닛과 접촉한 상기 리프트의 일단은 상기 기판과 접촉하는 상기 마스크 유닛의 일면에 접촉하는 표시 장치의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 마스크 유닛과 상기 기판이 접촉 한 후 상기 리프트는 상기 기판과 동일한 속도로 상기 마스크 유닛을 이동시키는 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 리프트는,
    상기 마스크 유닛과 접촉하는 볼;
    상기 볼의 적어도 일부가 삽입되며, 상기 볼을 선형운동시키는 샤프트; 및
    상기 볼 및 상기 샤프트 중 적어도 하나의 내부에 설치되는 히터부;를 구비하는 표시 장치의 제조방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 히터부는,
    상기 볼 및 상기 샤프트의 온도를 서로 상이하게 조절 가능한 표시 장치의 제조방법.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 리프트의 온도는 상승하는 표시 장치의 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150160A (ko) * 2015-06-18 2016-12-29 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR20160150606A (ko) * 2015-06-22 2016-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층 밀봉막 형성 방법 및 형성 장치
KR20170070938A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치
US10480076B2 (en) 2015-06-30 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus that includes conductive mask supports

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9352943B2 (en) * 2013-03-19 2016-05-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Lift mechanism for a glass substrate in an exposure machine
NL2014864B1 (en) * 2015-05-27 2017-01-31 Suss Microtec Lithography Gmbh Device for treating a disc-shaped substrate and support adapter.
US10422030B2 (en) * 2016-02-02 2019-09-24 Advantech Global, Ltd Apparatus and method for planarizing multiple shadow masks on a common carrier frame
DE102017105379A1 (de) 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Substrathalteranordnung mit Maskenträger
DE102017105374A1 (de) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat sowie Verfahren zum Einrichten der Vorrichtung
KR102035423B1 (ko) * 2018-05-16 2019-10-22 연세대학교 산학협력단 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
CN113445015A (zh) * 2020-03-26 2021-09-28 中国科学院微电子研究所 一种集成镀膜设备的样品传输装置
US11367632B2 (en) * 2020-05-08 2022-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Heater lift assembly spring damper

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090015378A (ko) * 2007-08-08 2009-02-12 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 증착장치
WO2012086012A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 キヤノンアネルバ株式会社 基板熱処理装置
WO2012174550A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Mask management system and method for oled encapsulation

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
KR100208739B1 (ko) * 1993-07-08 1999-07-15 다나카 아키히로 작업편과 마스크의 간극설정방법 및 간극설정기구
KR100730065B1 (ko) 2000-12-20 2007-06-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 화학기상 증착장비
KR100437768B1 (ko) * 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 박막증착장치
SG114589A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
KR101119798B1 (ko) 2004-12-29 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 화학기상 증착장치
KR101402875B1 (ko) 2006-12-11 2014-06-03 엘아이지에이디피 주식회사 리프트 핀, 리프트 핀용 가열장치 및 이를 갖춘평판표시소자 제조장치
JP5236197B2 (ja) * 2007-03-28 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
US20090078202A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Neocera, Llc Substrate heater for material deposition
KR101569796B1 (ko) * 2009-06-23 2015-11-20 주성엔지니어링(주) 기판 정렬 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090015378A (ko) * 2007-08-08 2009-02-12 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 증착장치
WO2012086012A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 キヤノンアネルバ株式会社 基板熱処理装置
WO2012174550A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Mask management system and method for oled encapsulation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150160A (ko) * 2015-06-18 2016-12-29 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR20160150606A (ko) * 2015-06-22 2016-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층 밀봉막 형성 방법 및 형성 장치
US10480076B2 (en) 2015-06-30 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus that includes conductive mask supports
KR20170070938A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치

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