CN111218660A - 成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111218660A
CN111218660A CN201910478784.1A CN201910478784A CN111218660A CN 111218660 A CN111218660 A CN 111218660A CN 201910478784 A CN201910478784 A CN 201910478784A CN 111218660 A CN111218660 A CN 111218660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
movable
film forming
substrate
rail
forming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910478784.1A
Other languages
English (en)
Inventor
土田隆
相泽雄树
阪上裕介
北上悟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN111218660A publication Critical patent/CN111218660A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法,成膜装置的特征在于,包括:容器;支承单元,支承被配置在所述容器内的被移动体;驱动机构,使所述支承单元在第1方向上移动;以及引导机构,对所述支承单元在所述第1方向上的移动进行引导,所述引导机构包括:多个轨道部,被设置成在所述第1方向上延伸;以及多个可移动部,相对于所述多个轨道部中的任一个能够在所述第1方向上移动地设置,且相对于所述支承单元,分别被设置成在所述第1方向上固定,所述多个可移动部中的至少两个可移动部相对于所述支承单元在第1方向上的设置位置不同。

Description

成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中,在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件;OLED)时,使从成膜装置的蒸镀源蒸发了的蒸镀材料隔着形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上,由此形成有机物层或金属层。
在向上蒸镀方式(向上淀积)的成膜装置中,蒸镀源设置于成膜装置的真空容器的下部,基板配置于真空容器的上部,向基板的下表面蒸镀。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内,基板由基板保持架保持,但在蒸镀时,基板保持架为了使基板与掩模贴紧而朝向掩模下降,一旦蒸镀完成,基板保持架上升以使基板从掩模离开。
这样的基板保持架的升降移动通过对基板保持架或连接有基板保持架的基板Z载置台施加Z轴方向的升降驱动力的升降驱动部(例如,马达和滚珠丝杠)和对基板保持架或基板Z载置台的升降进行引导的线性引导部而进行。
例如,在专利文献1(日本特开2005-248249号公报)中,公开了在与基板保持架的升降轴连接的引导板被马达和滚珠丝杠升降驱动时,引导板被固定于成膜装置的上表面的导轨引导的结构。
可是,随着有机EL显示装置的分辨率变高,要求进一步提高在基板升降时由线性引导件引导的基板保持架或基板Z载置台的姿势的稳定性。
另外,在使用静电吸盘保持基板的结构中,要求进一步提高吸附基板的静电吸盘的姿势的稳定性等,要求提高在成膜装置内升降的被升降体升降时的姿势的稳定性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种使被移动体移动时的被移动体的姿势的稳定性进一步提高的成膜装置、使用该成膜装置的成膜方法及电子器件制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明的第1方式的成膜装置的特征在于,该成膜装置包括:容器;支承单元,支承被配置在所述容器内的被移动体;驱动机构,使所述支承单元在第1方向上移动;以及引导机构,对所述支承单元在所述第1方向上的移动进行引导,所述引导机构包括:多个轨道部,被设置成在所述第1方向上延伸;以及多个可移动部,相对于所述多个轨道部中的任一个能够在所述第1方向上移动地设置,且相对于所述支承单元,分别被设置成在所述第1方向上固定,所述多个可移动部中的至少两个可移动部相对于所述支承单元在第1方向上的设置位置不同。
本发明的第2方式的成膜方法是在基板上隔着掩模成膜蒸镀材料的成膜方法,其特征在于,使用本发明的第1方式的成膜装置进行成膜工序。
本发明的第3方式的电子器件制造方法的特征在于,使用本发明的第2方式的成膜方法来制造电子器件。
发明效果
根据本发明,能够进一步提高使被移动体移动时的被移动体的姿势的稳定性。
附图说明
图1是有机EL显示装置的生产线的一部分的示意图。
图2是本发明的实施例的成膜装置的示意图。
图3是本发明的实施例的成膜装置的水平驱动机构及升降驱动机构的示意图。
图4是表示本发明的一实施例的升降引导机构的结构的示意图。
图5是表示本发明的另一实施例的升降引导机构的结构的示意图。
图6是表示本发明的又一实施例的升降引导机构的结构的示意图。
图7是有机EL显示装置的整体图及有机EL元件的剖视图。
附图标记说明
21:真空容器
22:基板支承单元
23:掩模支承单元
24:静电吸盘
30:对准载置台
31:基板支承单元升降驱动机构
32:静电吸盘升降驱动机构
33:掩模支承单元升降驱动机构
314:导轨
315:导块
317:柱
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选的实施方式以及实施例进行说明。但是,以下的实施方式及实施例仅是例示性地表示本发明的优选的结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等,只要没有特别地特定记载,本发明的范围就不仅限定于它们。
本发明能够应用于使各种材料堆积在基板的表面而进行成膜的装置,能够优选应用于通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料,基板例如可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。另外,作为蒸镀材料,也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。另外,除了在以下的说明中说明的真空蒸镀装置以外,在包含溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)装置在内的成膜装置中,也能够应用本发明。本发明的技术具体可应用于有机电子器件(例如,有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中,通过使蒸镀材料蒸发而隔着掩模蒸镀到基板上从而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
[电子器件的制造装置]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下,例如,在4.5代的基板(约700mm×约900mm)或6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上进行用于形成有机EL元件的成膜后,将该基板切下来制作成多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置通常包括多个集群装置1和在集群装置之间连接的中继设备。
群组装置1具备进行对基板S的处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储存装置12、以及配置于其中央的搬送室13。如图1所示,搬送室13分别与多个成膜装置11以及掩模储存装置12连接。
在搬送室13内配置有搬送基板S以及掩模M的搬送机器人14。搬送机器人14将基板S从配置于上游侧的中继装置的路径室15向成膜装置11搬送。另外,搬送机器人14在成膜装置11与掩模储存装置12之间搬送掩模M。搬送机器人14例如是在多关节臂上安装有保持基板S或掩模M的机器人手的结构的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中,收纳于蒸镀源的蒸镀材料被加热器加热而蒸发,隔着掩模被蒸镀到基板上。利用成膜装置11进行与搬送机器人14交接基板S/掩模M、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一连串成膜工艺。
在掩模储存装置12中,将成膜装置11中的成膜工序所使用的新的掩模和使用完的掩模分开地收纳于两个盒。搬送机器人14将使用完的掩模从成膜装置11向掩模储存装置12的盒搬送,并将收纳于掩模储存装置12的其它的盒内的新的掩模向成膜装置11搬送。
在集群装置1上连结有路径室15和缓冲室16,该路径室15在基板S的流动方向上将来自上游侧的基板S向该集群装置1传递,该缓冲室16用于将在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S向下游侧的其它的集群装置传递。搬送室13的搬送机器人14从上游侧的路径室15接受基板S,并向该集群装置1内的成膜装置11之一(例如成膜装置11a)搬送。另外,搬送机器人14从多个成膜装置11之一(例如成膜装置11b)接受在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S,并向连结于下游侧的缓冲室16搬送。
在缓冲室16与路径室15之间设置有改变基板的朝向的回转室17。在回转室17设置有搬送机器人18,该搬送机器人18用于从缓冲室16接受基板S并使基板S旋转180°向路径室15搬送。由此,在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置中,基板S的朝向相同,基板处理变得容易。
路径室15、缓冲室16、回转室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置,被设置在集群装置的上游侧和/或下游侧的中继装置包括路径室、缓冲室、回转室中的至少一个。
成膜装置11、掩模储存装置12、搬送室13、缓冲室16、回转室17等在有机发光元件的制造过程中被维持为高真空状态。路径室15通常被维持在低真空状态,但也可以根据需要被维持在高真空状态。
在本实施例中,参照图1对电子器件的制造装置的结构进行了说明,但本发明并不限定于此,也可以具有其它种类的装置、腔室,这些装置、腔室间的配置也可以改变。
例如,本发明也能够应用于如下的串联式的制造装置:使基板S和掩模M不在成膜装置11中而是在其它的装置或腔室中贴紧后,将它们放置在载体上,一边通过排成一列的多个成膜装置搬送一边进行成膜工序。
[成膜装置]
图2是表示本发明的实施例的成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中,使用以铅垂方向为Z方向(第1方向)的XYZ正交坐标系。在成膜时基板S以与水平面(XY平面)成为平行的方式被固定的情况下,将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向(第3方向),将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向(第2方向)。另外,用θ(旋转方向)表示绕Z轴的旋转角。
图2的(a)所示的成膜装置11包括被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛的真空容器21、以及被设置在真空容器21的内部的基板支承单元22、掩模支承单元23、冷却板27和蒸镀源25。本实施例的成膜装置11还能够包括固定地设置于真空容器21的框架状的掩模台26。
基板支承单元22是接受并保持由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的基板S的部件,也被称为基板保持架。
掩模支承单元23是接受由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的掩模M并保持到将掩模M载置于掩模台26的部件,也被称为掩模保持架。
掩模M具有与在基板S上形成的薄膜图案对应的开口图案,并被支承在掩模支承单元23之上。特别是为了制造智能手机用的有机EL元件而使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模,也称为FMM(Fine Metal Mask:精细金属掩模)。
掩模台26是在成膜工序的期间载置掩模M的部件。由搬送机器人14搬入真空容器21内的掩模M从掩模支承单元23传递到掩模台26,在成膜工序中被载置在掩模台26上。
冷却板27是抑制基板S的温度上升的冷却机构,在成膜工序的期间与基板S的成膜面的相反侧的面贴紧,冷却基板S。由此,能够抑制堆积在基板S上的有机材料的变质或劣化。另外,冷却板27具有通过其重量使基板S贴紧于掩模M的功能。
冷却板27也能够包括磁铁。磁铁隔着基板S对掩模M施加磁力,使基板S与掩模M贴紧。
蒸镀源25包括收纳要在基板上成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、阻止蒸镀材料向基板飞散直到来自蒸镀源的蒸发率恒定的挡板(未图示)等。蒸镀源25能够根据点(point)蒸镀源、线形(linear)蒸镀源等用途而具有多种结构。
虽然在图2中未图示,但成膜装置11包括用于测量蒸镀于基板的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)及膜厚计算单元(未图示)。
在成膜装置11的真空容器21的外部(大气侧)上表面,设置有用于使基板支承单元22、掩模支承单元23、冷却板27/磁铁等在铅垂方向(Z方向、第1方向)上升降的升降驱动机构、和为了进行基板S与掩模M之间的相对的位置调整(对准),与水平面平行地(在X方向、Y方向、θ方向中的至少一个方向上)使基板支承单元22和/或掩模支承单元23移动或旋转的水平驱动机构(对准载置台)等。关于本实施例的成膜装置的升降驱动机构及水平驱动机构,参照图3后述。
在真空容器21的外侧上表面,除了上述的升降驱动机构及水平驱动机构以外,也可以设置用于隔着设置于真空容器21的上表面的透明窗(未图示)对形成于基板S及掩模M的对准标记进行拍摄的对准用照相机(未图示)。
成膜装置11具备控制部28。控制部28具有基板S/掩模M的搬送、对准、蒸镀源25的控制、成膜的控制等功能。控制部28例如能够由具有处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在这种情况下,通过处理器执行存储在存储器或储存装置中的程序来实现控制部28的功能。作为计算机,既可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller:可编程逻辑控制器)。或者,控制部28的功能的一部分或全部也可以由ASIC或FPGA这样的电路构成。另外,既可以针对每个成膜装置设置控制部,也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
图2的(b)表示本发明的另一实施例的成膜装置11的结构。图2的(b)的成膜装置11在包括用于利用静电引力吸附基板S和/或掩模M的静电吸盘24这一点上,与图2的(a)的成膜装置11不同。以下,对于与图2的(a)的成膜装置11共通的构成要素,使用相同的附图标记来表示,省略重复的说明。
图2的(b)所示的成膜装置11包括真空容器21、基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24和蒸镀源25。本实施例的成膜装置11也能够进一步包括掩模台26。
静电吸盘24利用静电引力吸附并固定基板S和/或掩模M。通过利用静电吸盘24吸附基板S的成膜面(例如,下表面)的相反侧(例如,上表面),从而降低由基板支承单元22支承基板S的下表面的周缘部时产生的由基板S的自重引起的挠曲。静电吸盘24具有在电介质(例如,陶瓷材料)基体内埋设有金属电极等的电路的构造。静电吸盘24既可以是库仑力类型的静电吸盘,也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘,还可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘,即使在基板S为绝缘性基板的情况下,也能够通过静电吸盘24良好地进行吸附。
静电吸盘24既可以由一个板形成,也可以形成为具有多个副板。另外,在由一个板形成的情况下,也可以在其内部包含多个电路,以在一个板内根据位置不同而使静电引力不同的方式进行控制。
在图2的(b)所示的成膜装置11的真空容器21的外部(大气侧)上表面,设置有用于使基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24等在铅垂方向(Z方向、第1方向)上升降的升降驱动机构、和为了进行基板S与掩模M之间的相对的位置调整(对准),与水平面平行地(在X方向、Y方向、θ方向中的至少一个方向上)使基板支承单元22和/或掩模支承单元23移动或旋转的水平驱动机构(对准载置台)等。关于本实施例的成膜装置的升降驱动机构及水平驱动机构,参照图3后述。
虽然在图2的(b)中未图示,但也可以在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置冷却板,也可以设置用于通过磁力使掩模M贴紧于基板S的磁铁。
[水平驱动机构和升降驱动机构]
以下,参照图3说明本发明的实施例的成膜装置的水平驱动机构和升降驱动机构的结构。图3所示的实施例是将水平驱动机构及升降驱动机构用于成膜装置11的例子,但本发明并不限定于此,也可以用于不进行成膜工序的装置。例如,也可以用于与成膜装置11分开设置的对准装置、用于将基板S以及掩模M装载到载体的装载装置。
图3的(a)所示的实施例的水平驱动机构包括为了进行基板S与掩模M之间的水平方向(XYθ方向)上的相对的位置调整(对准)而使基板支承单元22和/或掩模支承单元23在水平方向(XYθ方向)上移动的对准载置台30。
本实施例的升降驱动机构包括用于使基板支承单元22在Z轴方向上升降的基板支承单元升降驱动机构31、用于使冷却板27/磁铁在Z轴方向上升降的冷却板升降驱动机构34、以及用于使掩模支承单元23在Z轴方向上升降的掩模支承单元升降驱动机构33。
对准载置台30包括对准载置台底板302,对准载置台底板302从固定于真空容器21的外部上表面的多个对准载置台驱动用马达301通过滚珠丝杠及线性引导件而受到沿水平方向(XYθ方向)的驱动力。
基板支承单元升降驱动机构31和/或掩模支承单元升降驱动机构33如后述那样装载于对准载置台30。因此,随着对准载置台30在水平方向(XYθ方向)上移动,基板支承单元22以及掩模支承单元23与分别被它们支承的基板S以及掩模M一起在水平方向(XYθ方向)上移动。
基板支承单元升降驱动机构31是使基板支承单元22在Z轴方向上升降的机构,被设置在对准载置台底板302上。真空容器21内的基板支承单元22通过真空容器21的外部上表面与基板支承单元升降驱动机构31连接。基板支承单元升降驱动机构31包括与基板支承单元22连结的基板Z载置台311、作为产生用于使基板Z载置台311升降的驱动力的驱动力产生源的基板支承单元升降驱动用马达312、以及作为用于将基板支承单元升降驱动用马达312的驱动力传递至基板Z载置台311的基板支承单元升降驱动力传递机构的滚珠丝杠313。即,来自基板支承单元升降驱动用马达312的驱动力经由滚珠丝杠313和基板Z载置台311传递至基板支承单元22,由此使基板S在铅垂方向上升降。
另外,基板支承单元升降驱动机构31还包括用于在基板Z载置台311的升降驱动时引导基板Z载置台311而使基板Z载置台311的姿势稳定的基板Z载置台升降引导机构。基板Z载置台升降引导机构包括:固定在对准载置台底板302上并沿Z方向设置的4个柱317以及导轨314、能够在导轨314上沿Z方向移动地设置的4个导块315(可移动部)、和用于将各个导块315固定于基板Z载置台311的固定托架316(固定部)。关于基板Z载置台升降引导机构,参照图4后述。冷却板升降驱动机构34包括连结有冷却板27的冷却板Z载置台341、用于使冷却板Z载置台341在Z方向上升降驱动的冷却板升降驱动用马达342、和作为冷却板升降驱动力传递机构的滚珠丝杠343。冷却板27和冷却板Z载置台341通过轴349连结,轴349以能够升降的方式支承冷却板27。
在图3的(a)所示的实施例中,冷却板升降驱动机构34不装载于对准载置台30,而被设置在固定于真空容器21的外部上表面的冷却板升降驱动机构底板345上。因此,即使对准载置台30在水平方向(XYθ方向)上移动,冷却板升降驱动机构34和冷却板27也不追随其移动,而是在水平方向(XYθ方向)上相对于真空容器21固定。由此,能够调整冷却板27/磁体与基板S或掩模M之间的在水平方向(XYθ方向)上的相对的位置偏移。但是,本发明并不限定于此,冷却板升降驱动机构34也可以装载在对准载置台30上。
为了使冷却板Z载置台341更稳定地升降,冷却板升降驱动机构34还能够包括对冷却板Z载置台341的升降移动进行引导的引导机构。例如,对冷却板Z载置台341的升降移动进行引导的冷却板升降引导机构包括:固定于冷却板升降驱动机构底板345并在Z方向上设置的柱344以及导轨346;能够在导轨346上沿Z方向移动地设置的导块347;以及用于将导块347固定于冷却板Z载置台341的固定托架348。
在冷却板升降驱动机构34装载在对准载置台30上的情况下,也可以不设置冷却板Z载置台升降用的另外的柱,而在基板Z载置台升降引导机构的柱317上设置导轨346,通过将连结于冷却板Z载置台341的导块347设置于导轨346来共用基板Z载置台升降用的柱317。由此,能够使整体的升降驱动机构更加简单化。在这样的变形例中,与基板Z载置台311连结的导块315和与冷却板Z载置台341连结的导块347被设置在四棱柱状的柱317的相互不同的侧面。由此,导块315的设置面与导块347的设置面相互交叉。
在图3的(a)所示的实施例中,说明了冷却板升降驱动机构34包括升降引导机构的情况,但本发明不限于此,冷却板升降驱动机构34也可以不包括升降引导机构。
掩模支承单元升降驱动机构33是用于使掩模支承单元23在Z轴方向上升降的机构,用于进行在更换掩模M时将使用完的掩模M搬出到搬送机器人14,并从搬送机器人14接受新的掩模M,直到将掩模M载置于掩模台26为止的动作。
掩模支承单元升降驱动机构33装载于对准载置台30。真空容器21内的掩模支承单元23通过真空容器21的外部上表面与掩模支承单元升降驱动机构33连接。掩模支承单元升降驱动机构33包括掩模支承单元升降驱动用马达331和滚珠丝杠332,执行使掩模支承单元23升降的功能。
在图3的(a)所示的实施例中,图示了掩模支承单元升降驱动机构33作为掩模支承单元升降驱动用马达331和滚珠丝杠332的直动机构而动作的结构,但本发明并不限定于此,也可以与基板支承单元升降驱动机构31同样地形成为包括升降引导机构的结构。
在图3的(a)所示的实施例中,以使用掩模台26为前提,图示了利用对准载置台30使基板支承单元22和掩模支承单元23这双方沿水平方向移动的结构,但本发明并不限定于此,也可以利用对准载置台30仅使基板支承单元22和掩模支承单元23中的任一个水平移动。即,也可以将基板支承单元升降驱动机构31和掩模支承单元升降驱动机构33中的任一个装载于对准载置台30,另一个与对准载置台30分离、独立地设置。在这样的实施例中,装载于对准载置台30的升降驱动机构为了使被驱动体(例如,基板Z载置台)的姿势稳定化,优选使用线性引导件(导轨以及导块)。
以下,参照图3的(b),对图2的(b)的成膜装置11所使用的水平驱动机构和升降驱动机构进行说明。图3的(b)所示的水平驱动机构和升降驱动机构仅在代替冷却板升降驱动机构34而包括静电吸盘升降驱动机构32这一点上,与图3的(a)所示的升降驱动机构存在差异,其余的结构是类似的。
在图3的(b)所示的实施例中,静电吸盘升降驱动机构32包括与静电吸盘24连结的静电吸盘Z载置台321、用于使静电吸盘Z载置台321在Z方向上升降驱动的静电吸盘升降驱动用马达322、和作为静电吸盘升降驱动力传递机构的滚珠丝杠323。静电吸盘24和静电吸盘Z载置台321通过轴325连结,轴325以能够升降的方式支承静电吸盘24。由此,来自静电吸盘升降驱动用马达322的驱动力经由滚珠丝杠323、静电吸盘Z载置台321、轴325传递至静电吸盘24。
在图3的(b)所示的实施例中,静电吸盘升降驱动机构32不装载于对准载置台30,而设置于固定于真空容器21的外部上表面的静电吸盘升降驱动机构底板324。因此,静电吸盘升降驱动机构32及静电吸盘24不追随于对准载置台30,而在水平方向(XYθ方向)上相对于真空容器21固定。由此,能够调整静电吸盘24与基板S或掩模M之间的在水平方向(XYθ方向)上的相对的位置偏移。但是,本发明并不限定于此,静电吸盘升降驱动机构32也可以装载于对准载置台30。
为了使静电吸盘Z载置台321更稳定地升降,静电吸盘升降驱动机构32还能够包括对静电吸盘Z载置台321的升降移动进行引导的引导机构。例如,对静电吸盘Z载置台321的升降移动进行引导的静电吸盘升降引导机构包括固定于静电吸盘升降驱动机构底板324并在Z方向上设置的柱329以及导轨326、能够在导轨326上沿Z方向移动地设置的导块327、和用于将导块327固定于静电吸盘Z载置台321的固定托架328。
在静电吸盘升降驱动机构32装载在对准载置台30上的情况下,也可以不设置静电吸盘Z载置台升降用的另外的柱,而在基板Z载置台升降引导机构的柱317上设置导轨326,通过在导轨326上设置与静电吸盘Z载置台321连结的导块327来共用基板Z载置台升降用的柱317。由此,能够使整体的升降驱动机构更加简单化。在这样的变形例中,与基板Z载置台311连结的导块315和与静电吸盘Z载置台321连结的导块327设置于四棱柱状的柱317的相互不同的侧面。由此,导块315的设置面与导块347的设置面相互交叉。
在图3的(b)中图示了基板支承单元升降驱动机构31和掩模支承单元升降驱动机构33装载于对准载置台的结构,但本发明并不限定于此,也可以设置成,静电吸盘升降驱动机构32装载于对准载置台30,基板支承单元升降驱动机构31和掩模支承单元升降驱动机构33与对准载置台30分离独立地固定于成膜装置11的真空容器21。在这样的实施例中,为了使静电吸盘Z载置台321的升降的姿势更稳定,静电吸盘升降驱动机构32优选使用线性引导件(导轨以及导块)。
[升降引导机构]
以下,参照图4,对本发明的一实施方式的成膜装置11所使用的升降引导机构的各种实施例进行说明。在图4中,以基板支承单元升降驱动机构31所使用的升降引导机构为中心进行说明,但本发明并不限定于此,也能够用于使其它的被移动体或被移动体的支承单元升降的其它的升降驱动装置,例如冷却板升降驱动机构34、静电吸盘升降驱动机构32、掩模支承单元升降驱动机构33。
如上述那样,图4的(a)所示的本发明的一实施方式的升降驱动装置所使用的升降引导机构、例如基板Z载置台升降引导机构包括:在Z方向上固定地设置于对准载置台底板302的多个(例如4个)柱317;在Z方向上固定地设置于各个柱317的多个(例如4个)导轨314(以下,将柱和导轨也合称为轨道部);能够在各个导轨314上沿Z方向移动地设置的多个(例如4个)导块315;以及用于将各个导块315固定于基板Z载置台311的固定托架316。
在本发明的一个实施方式中,被设置成至少两个导块315a、315b在Z方向(第1方向)上相对于基板Z载置台311的高度不同。参照图3,如上所述,基板Z载置台311和基板支承单元22相互连结,因此,导块315相对于基板Z载置台311的设置位置不同意味着导块315相对于基板支承单元22的设置位置不同。例如,第1导块315a相对于基板Z载置台311或者基板支承单元22的设置高度比第2导块315b相对于基板Z载置台311或者基板支承单元22的设置高度高。
由此,即使在基板Z载置台311以与滚珠丝杠313连结的地点为中心摆动的情况下,也能够减少基板Z载置台311的摆动范围,能够使升降驱动时的基板Z载置台311或基板支承单元22的姿势更稳定。
以往,由于基板Z载置台升降引导机构所使用的多个导块相对于基板Z载置台以相同的高度设置于基板Z载置台,因此,在基板Z载置台被马达和滚珠丝杠升降驱动时,基板Z载置台和基板支承单元以基板Z载置台与滚珠丝杠连结的地点为中心相对较大地摆动。
与此相对,在本发明中,通过使固定于基板Z载置台311的多个导块315中的至少两个以上的导块相对于基板Z载置台311或者基板支承单元22的设置位置不同,即,通过将至少一个导块设置得比其它的导块相对于基板Z载置台311或者基板支承单元22高,能够降低基板Z载置台311或基板支承单元22的摆动。
在本发明的一个实施方式中,导块315的设置位置以导块315的中心点为基准来决定。即,在本发明的一个实施方式中,以第1导块315a的中心点的位置比第2导块315b的中心点的位置相对于基板Z载置台311或者基板支承单元22高的方式将第1导块315a设置在基板Z载置台311上。但是,本发明并不限定于此,只要能够降低基板Z载置台的摆动,也可以以导块在Z方向上的其它的位置(例如最上面或最低面)为基准来定义导块的设置位置。
因此,在本发明的一个实施方式中,使导块315固定于基板Z载置台311的固定托架316的高度互不相同。例如,使第1导块315a固定于基板Z载置台311的第1固定托架316a的长度比其它的固定托架、例如用于固定第2导块315b的第2固定托架316b在Z方向上长。但是,其它的本发明并不限定于此,只要至少两个导块相对于基板Z载置台311或基板支承单元22在Z方向上的设置位置不同,具体的固定方法及部件也可以不同。
但是,若与其它的导块相比设置位置相对高的导块(例如,第1导块315a)的高度过高,则基板Z载置台311的可升降范围变小,或者为了确保相同的可升降范围,导轨314的长度变长,升降驱动装置的高度整体变高。因此,优选考虑基板Z载置台311的摆动的程度、基板Z载置台311的可升降范围、成膜装置11的整体高度等来选择设置位置比其它的导块高的第1导块315a的设置位置。
在本发明的一个实施方式中,优选向基板Z载置台311的设置位置不同的至少两个导块315a、315b设置于导轨314的设置面平行。另外,优选上述两个设置面平行且至少一部分相向。另外,这里所说的“平行”,包括数学上不严格意义上的平行,是指实质上平行。具体而言,两个设置面所成的角优选为0°以上且5°以下,更优选为0°以上且3°以下。例如,如图4的(a)所示,在第1导块315a的设置面与XZ平面平行的情况下,优选将第2导块315b的设置面也设置成与XZ平面平行。由此,能够有效地降低基板Z载置台311或基板支承单元22以X轴为中心摆动的范围。另外,这里所说的“导块设置于导轨的设置面”或者“导块的设置面”,是指导轨的上表面(载置导块的面)中的与导块接触的部分。
以下,参照图4~6,对本发明的几个实施例进行说明。图4的(b)~(e)以及图5、6是本发明的各种实施例的成膜装置的升降引导机构的俯视配置图。
(实施例1)
图4的(b)所示的升降引导机构包括从第1柱317a分别沿X方向(第2方向)和Y方向(第3方向)以规定间隔分离的第2柱317b以及第3柱317c。还包括配置于从第2柱317b沿Y方向分离且从第3柱317c沿X方向分离的位置的第4柱317d。
在第1柱317a~第4柱317d,在各个柱的一侧面分别固定地设置有第1导轨314a~第4导轨314d。在图4的(b)所示的实施例中,第1导轨314a设置于四棱柱状的第1柱317a的左侧面,第2导轨314b设置于第2柱317b的右侧面。由此,第1导轨314a相对于第1柱317a的设置面与第2导轨314b相对于第2柱317b的设置面相向。另外,这里所说的“导轨相对于柱的设置面”是指导轨的下表面、即导轨的与柱接触的面。另外,第3导轨314c设置在第3柱317c的左侧面,由此,第3导轨314c相对于第3柱317c的设置面被配置在与第1导轨314a相对于第1柱317a的设置面实质上相同的平面上。同样地,第4导轨314d相对于第4柱317d的设置面与第3导轨314c相对于第3柱317c的设置面相向,且被配置在与第2导轨314b相对于第2柱317b的设置面实质上相同的平面上。
在第1导轨314a~第4导轨314d上分别设置有能够沿Z方向移动的第1导块315a~第4导块315d。第1导块315a~第4导块315d以规定的高度固定连结于基板Z载置台311,但这些导块中的至少两个导块315相对于基板Z载置台311的固定位置被设置成相互不同。例如,第1导块315a比第2导块315b在Z方向上相对于基板Z载置台311设置在较高的位置。另外,第1导块315a比第3导块315c在Z方向上相对于基板Z载置台311设置在较高的位置,第4导块315d设置在比第2导块315b及第3导块315c高的位置。在图4的(b)所示的实施例中,第1导块315a和第4导块315d设置在相同的高度,第2导块315b和第3导块315c设置在相同的高度,但是本发明不限定于此,例如,第1导块315a和第4导块315d的高度也可以相互不同,第2导块315b和第3导块315c的高度也可以相互不同。
第1导块315a相对于第1导轨314a的设置面(第1设置面)与Y方向垂直,且与第2导块315b相对于第2导轨314b的设置面(第2设置面)至少一部分相向。即,第1设置面和第2设置面与XZ平面平行,但Z方向的高度彼此不同,因此,具有至少一部分相向的位置关系。这样,通过配置成第1设置面与第2设置面的至少一部分相向,能够降低基板Z载置台311或基板支承单元22以X轴为中心摆动。特别是,基板S以长边与Y轴平行的方式支承于成膜装置11内的基板支承单元21,因此,通过降低基板Z载置台311或基板支承单元22以X轴为中心摆动,能够降低距基板S的中心远的两短边的摆动范围。
同样地,第3导块315c相对于第3导轨314c的设置面(第3设置面)与第4导块315d相对于第4导轨314d的设置面(第4设置面)至少相向。由此,能够更有效地降低基板Z载置台311或基板支承单元22以X轴为中心摆动。
但是,本发明并不限定于这样的实施例,例如,如图4的(c)所示,也可以被配置成,第1设置面~第4设置面全部与X方向垂直、第1设置面与第3设置面彼此至少一部分相向、第2设置面与第4设置面的至少一部分相向。根据这样的图4的(c)的实施例,能够有效地降低基板Z载置台311或基板支承单元22以Y轴为中心摆动。
根据本发明人的实验结果,通过将基板Z载置台311以及基板支承单元22的升降机构设为本实施例的结构,与使4个导块的设置面的高度全部相同的情况相比,能够使基板Z载置台311以及基板支承单元22的位移减小大致30%左右。
(实施例2)
在图4的(c)所示的实施例中,也是第1导块315a设置在比第2导块315b及第3导块315c在Z方向上相对于基板Z载置台311高的位置,第4导块315d设置在比第2导块315b及第3导块315c高的位置。即,与以往的技术相比,通过提高第1导块315a和第4导块315d的设置位置,能够有效地减少基板Z载置台311或基板支承单元22的摆动范围。
(实施例3)
在图4的(d)所示的实施例中,也是第1导块315a设置在比第2导块315b以及第3导块315c在Z方向上相对于基板Z载置台311高的位置,第4导块315d设置在比第2导块315b及第3导块315c高的位置,但与图4的(b)、(c)所示的实施例不同,至少两个导块的设置面的方向相互不同(即,设置在柱的互不相同的侧面)。例如,第1设置面和第4设置面与X方向垂直且相互平行,第2设置面和第3设置面与Y方向垂直且相互平行。
这样,在图4的(d)所示的实施例中,在X方向或Y方向上相邻的导块之间的Z方向的设置高度互不相同,但通过以设置面相互交叉的方式将导轨314及导块315设置于柱317,不仅能够降低以基板Z载置台311或基板支承单元22的X轴为中心的摆动,还能够降低以Y轴为中心的摆动。
(实施例4)
在图4的(e)所示的实施例中,不是在一个柱317设置一个导轨314以及一个导块315,而是在一个柱317的互不相同的侧面设置两个以上的导轨314以及两个以上的导块315。
例如,在第1柱317a的左侧面和前方侧面分别设置第1导轨314a和第1导轨314a’,在第1导轨314a和第1导轨314a’设置第1导块315a和第1导块315a’。由此,第1导块315a和第1导块315a’的第1设置面与第1’设置面相互交叉。
另外,第1导块315a和第1导块315a’相对于基板Z载置台311的设置高度被设置为彼此实质上相同的高度,比第2导块315b和第2导块315b’的设置位置高。
同样地,第1导块315a和第1导块315a’相对于基板Z载置台311的设置高度比第3导块315c和第3导块315c’的设置位置高。
另外,第4导块315d和第4导块315d’的设置位置比第2导块315b和第2导块315b’的设置位置、第3导块315c和第3导块315c’的设置位置高。
在图4的(e)所示的实施例中,第1设置面与第2设置面、第3设置面与第4设置面全部与Y方向垂直,且彼此至少一部分相向,第1’设置面与第2’设置面、第3’设置面与第4’设置面全部与X方向垂直,且彼此至少一部分相向。由此,能够有效地降低以基板Z载置台311或基板支承单元22的X轴为中心的摆动以及以Y轴为中心的摆动,而且,也能够有效地降低向以Z轴为中心旋转的方向的摆动。
在图4的(e)所示的实施例中,设置于一个柱317的两个以上的导块315具有相同的高度,但本发明并不限定于此,也可以设置成具有相互不同的高度。
在图4的(b)~(e)所示的实施例1~4中,作为基板升降用驱动力传递机构的滚珠丝杠313优选以通过基板Z载置台311的重心的方式设置。例如,优选在将柱317、导轨314、导块315投影到与Z轴垂直的平面上时,以在由其投影位置形成的图形的重心上存在滚珠丝杠313的投影位置的方式配置滚珠丝杠313。由此,能够提高基板Z载置台311的姿势的稳定性。
在图4所示的实施例中,以柱317为四个的情况为中心进行了说明,但本发明并不限定于此,既可以如图5所示的实施例那样,柱317是两个,也可以如图6所示,柱317是三个。
(实施例5)
在图5的(a)所示的实施例中,第1柱317a和第2柱317b在Y方向上隔开规定的距离而设置,第1导轨314a和第1导块315a设置在第1柱317a的左侧面,第2导轨314b和第2导块315b设置在第2柱317b的右侧面。
由此,第1导块315a的设置面(第1设置面)和第2导块315b的设置面(第2设置面)与Y轴垂直,且至少一部分相向。
第1导块315a与第2导块315b相比,设置在比基板Z载置台311或基板支承单元22高的位置。
根据图5的(a)所示的实施例,能够减少设置的导块的数量(由此,能够降低装置的费用),并且降低以X轴为中心的基板Z载置台311或基板支承单元22的摆动范围。
(实施例6)
图5的(b)所示的实施例在第1导块315a的设置面(第1设置面)和第2导块315b的设置面(第2设置面)与X轴垂直这一点上与图5的(a)的实施例不同。
根据图5的(b)所示的实施例,能够减少设置的导块的数量,并且能够降低以Y轴为中心的基板Z载置台311或基板支承单元22的摆动范围。
(实施例7、8)
图5的(c)以及(d)所示的实施例与图5的(a)、(b)的实施例的不同之处在于,在一个柱317上设置有两个以上的导轨314以及导块315。
根据图5的(c)以及(d)所示的实施例,能够减少设置的导块的数量,并且能够降低以X轴以及Y轴为中心的基板Z载置台311或基板支承单元22的摆动范围。
在图5所示的实施例中,作为基板支承单元升降用驱动力传递机构的滚珠丝杠313优选以通过基板Z载置台311的重心的方式设置。例如,优选在将柱317、导轨314、导块315投影到与Z轴垂直的平面上时,以在由其投影位置形成的图形的重心上存在滚珠丝杠313的投影位置的方式配置滚珠丝杠313。由此,能够提高基板Z载置台311或基板支承单元22的姿势的稳定性。
(实施例9)
在图6的(a)所示的实施例中,第1柱317a和第2柱317b以在Y方向上以规定的距离隔开的方式设置,第3柱317c设置在从第1柱317a和第2柱317b的中间点沿X方向隔开的距离。
第1导轨314a和第1导块315a设置在第1柱317a的左侧面,第2导轨314b和第2导块315b设置在第2柱317b的右侧面,第3导轨314c和第3导块315c设置在第3柱317c的后方侧面。第1导块315a被设置成,相对于基板Z载置台311或基板支承单元22的高度比第2导块315b、第3导块315c高。
由于第1导块315a的设置面(第1设置面)和第2导块315b的设置面(第2设置面)与Y轴垂直且至少一部分相向,因此能够减少导块315的数量,并且能够降低基板Z载置台311或基板支承单元22以X轴为中心摆动。另外,由于第3导块315c的设置面(第3设置面)与X轴垂直且与第1设置面、第2设置面交叉,因此能够减少基板Z载置台311或基板支承单元22沿X轴方向移动。
(实施例10)
在图6的(b)所示的实施例中,第1设置面和第2设置面与X轴垂直,且实质上存在于同一平面上,第3设置面与X轴垂直,且与第1设置面以及第2设置面平行,这一点与图6的(a)的实施例不同。
由此,既能够减少导块315的数量,又能够更有效地降低基板Z载置台311或基板支承单元22以Y轴为中心摆动。
(实施例11)
图6的(c)所示的实施例在一个柱317上设置两个以上的导块315这一点上与图6的另一实施例不同。另外,柱317的截面形状不是长方形或正方形,而是菱形,这一点也与另一实施例不同。
导轨314以及导块315分别设置于菱形的柱317的相邻的面,设置于一个柱317的两个导块315的设置面所成的角度与另一实施例不同,小于90度。
通过这样的结构,还能够降低以X轴和Y轴为中心的摆动、以Z轴为中心的旋转方向上的摆动。
在图6所示的实施例中,作为基板支承单元升降用驱动力传递机构的滚珠丝杠313优选以通过基板Z载置台311的重心的方式设置。例如,优选在将柱317、导轨314、导块315投影到与Z轴垂直的平面上时,以在由其投影位置形成的图形的重心上存在滚珠丝杠313的投影位置的方式配置滚珠丝杠313。由此,能够提高基板Z载置台311或基板支承单元22的姿势的稳定性。
本发明并不限定于图4~图6所示的升降引导机构,只要具备多个导轨(轨道部)和分别设置于多个轨道部的多个导块(可移动部),且多个导块中的至少两个导块相对于基板Z载置台311或基板支承单元22的设置高度互不相同,就能够具体化为其它的变形例。例如,能够多样地变更柱317的数量、柱317的截面形状、柱317的平面配置、导轨314向柱317的设置位置等。
[成膜方法]
参照图2~图4,对在基板上隔着掩模成膜蒸镀材料的成膜方法进行说明。
当成为掩模的更换时期时,由掩模支承单元升降驱动机构33沿Z轴方向升降驱动掩模支承单元23,使使用完的掩模从掩模台26上的蒸镀位置上升到搬送机器人14能够接受掩模的搬出位置。搬送机器人14从掩模支承单元23接受使用完的掩模,搬出到真空容器21外,将新的掩模搬入真空容器21内,将新的掩模交给停留在搬出位置的掩模支承单元23。
接着,使用设置在真空容器21的外部上表面的对准用照相机,测量新搬入的掩模M与冷却板27/磁铁之间的水平方向(XYθ方向)上的相对位置。
在判明为冷却板27/磁体和由掩模支承单元23支承的掩模M的相对位置在水平方向(XYθ方向)上偏移的情况下,通过对准载置台30使掩模支承单元23在水平方向(XYθ方向)上移动,相对于冷却板27/磁体对掩模M进行位置调整。由于冷却板升降驱动机构34与对准载置台30分离且独立地设置,因此能够使冷却板27/磁铁相对于保持于掩模支承单元23的掩模M相对移动,从而调整它们的位置。
如果掩模对准完成,则通过掩模支承单元升降驱动机构33使掩模支承单元23下降,使掩模M从搬出位置在掩模台26上的蒸镀位置下降,在掩模台26上载置掩模M。
若基板S被搬送机器人14搬入成膜装置2的真空容器21内并载置于在搬入位置待命的基板支承单元22,则基板支承单元22通过基板支承单元升降驱动机构31而在Z轴方向上下降,并移动到掩模M的上方的确定的高度的测量位置。
在这样的基板S向对准测量位置的下降中,能够通过本发明的一个实施方式的升降引导机构使基板支承单元22的姿势稳定,因此使基板S的姿势稳定,能够提高基板对准工序的精度,缩短所需时间。即,在使基板支承单元22下降到对准测量位置的过程中,由于基板支承单元22的摆动,基板S的位置可能偏移,但通过本发明的基板支承单元升降驱动机构31,能够抑制下降期间基板支承单元22的摆动,使其姿势稳定化,能够更精密且在短时间内完成接下来的位置调整。
接着,通过对准用照相机对基板的对准标记和掩模M的对准标记进行拍摄,测量基板与掩模的相对的位置偏移。
在基板S与掩模M的相对位置偏移量超过规定的阈值的情况下,使装载有基板支承单元升降驱动机构31的对准载置台30沿水平方向(XYθ方向)移动,从而调整基板S与掩模M的相对位置。
如果基板S相对于掩模M的对准完成,则基板支承单元22利用基板支承单元升降驱动机构31下降到掩模M上,将基板S卸下到掩模M上。
根据本发明的一个实施方式的升降引导机构,即使在这样的基板S的下降过程中,也能够稳定地维持基板支承单元22的姿势,能够防止基板S的姿势的偏移。
接着,通过冷却板升降驱动机构34的驱动,冷却板27和磁铁下降,被置于基板S的上表面上。此时,金属性的掩模M被磁铁的磁力拉近,基板S与掩模M贴紧。
在该过程中,也能够利用冷却板升降驱动机构34的升降引导机构稳定地维持冷却板27/磁铁的姿势,能够高精度地将冷却板27/磁铁载置于基板S/掩模M上。由此,能够提高后续的蒸镀工序中的基板S的冷却效率,能够提高基板S与掩模M的贴紧度。
在该状态下,蒸镀源25的挡板打开,从蒸镀源25的坩埚蒸发的蒸镀材料通过掩模M的微细图案开口蒸镀到基板S上。
如果蒸镀于基板S的蒸镀材料的膜厚达到规定的厚度,则关闭蒸镀源25的挡板,之后,搬送机器人14将基板从真空容器21搬出至搬送室13。对于规定张数的基板,反复进行从基板搬入到基板搬出的工序之后,将堆积蒸镀材料而变得无法再使用的掩模M从成膜装置11搬出,将新的掩模搬入成膜装置。
在使用图2的(b)和图3的(b)所示的成膜装置11的成膜方法中,在通过静电吸盘24吸附基板S的状态下,通过静电吸盘升降驱动机构32使基板S升降这一点存在差异。例如,若要成膜蒸镀材料的基板S被搬入真空容器21内,并被基板支承单元22支承,则在该状态下,进行基板S相对于静电吸盘24的预对准工序。在基板S的预对准工序中,首先,测量基板S相对于静电吸盘24的相对位置偏移量。
在判明静电吸盘24与基板S的相对置偏移的情况下,使对准载置台30在水平方向(XYθ方向)上移动,对静电吸盘24与基板S的水平方向(XYθ方向)上的相对位置进行调整。
在本实施例中,如参照图3所说明的那样,基板支承单元升降驱动机构31装载于对准载置台30上,静电吸盘升降驱动机构32与对准载置台30分离/独立地设置,因此能够通过使对准载置台30在水平方向(XYθ方向)上移动来调整静电吸盘24与基板S的相对位置。
若基板S相对于静电吸盘24的位置调整(基板预对准)完成,则利用静电吸盘升降驱动机构32使静电吸盘24下降,对静电吸盘24施加规定的电压(ΔV1),使基板S吸附于静电吸盘24。
接着,驱动静电吸盘升降驱动机构32,使吸附于静电吸盘24的基板S下降到对准测量位置。
根据本发明的一个实施方式的静电吸盘升降驱动机构32,在这样的静电吸盘24的下降(由此,吸附于该静电吸盘24的基板S的下降)的期间,能够稳定地维持静电吸盘24的姿势。
当吸附于静电吸盘24的基板S下降到对准测量位置时,使用对准用照相机对基板S和掩模M的对准标记进行拍摄,测量其相对的位置偏移量。若基板S与掩模M的相对的位置偏移量超过阈值,则使装载有掩模支承单元升降驱动机构33的对准载置台30在水平方向(XYθ方向)上移动,调整基板S与掩模M的相对位置。
由此,如果基板S与掩模M的相对位置偏移收纳于阈值内,则驱动静电吸盘升降驱动机构32,使静电吸盘24下降到掩模M上。对下降到掩模M上的静电吸盘24施加规定的电压(ΔV2),将掩模M向基板S侧拉近,由此使基板S与掩模M贴紧。
接着,打开蒸镀源25的挡板,将从蒸镀源25蒸发的蒸镀材料隔着掩模蒸镀到基板的下表面上。
另外,在上述的说明中,成膜装置11形成为在基板S的成膜面朝向铅垂方向下方的状态下进行成膜的、所谓的向上蒸镀方式(向上淀积)的结构,但并不限定于此,也可以是基板S以与真空容器21的侧面侧垂直地立起的状态被配置,在基板S的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。
[电子器件制造方法]
接着,说明使用本实施方式的成膜装置的电子器件制造方法的一例。以下,作为电子器件的例子,例示有机EL显示装置的结构和制造方法。
首先,说明要制造的有机EL显示装置。图7的(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图7的(b)表示1像素的截面构造。
如图7的(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下,通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图7的(b)是图7的(a)的A-B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第1电极(阳极)64、空穴搬送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子搬送层67、第2电极(阴极)68。它们当中的空穴搬送层65、发光层66R、66G、66B、电子搬送层67相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色光的有机EL层,发光层66G是发出绿色光的有机EL层,发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第1电极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴搬送层65、电子搬送层67和第2电极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第1电极64和第2电极68因异物而短路,在第1电极64间设有绝缘层69。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
在图7的(b)中,空穴搬送层65和电子搬送层67以一个层表示,但是根据有机EL显示元件的构造,也可以以包括空穴阻挡层和电子阻挡层在内的多个层形成。此外,也能够在第1电极64与空穴搬送层65之间形成空穴注入层,该空穴注入层具有能够从第1电极64向空穴搬送层65顺利地进行空穴的注入的能带构造。同样地,也能够在第2电极68与电子搬送层67之间形成电子注入层。
接着,具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第1电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1有机材料成膜装置,由基板支承单元22和/或静电吸盘24保持基板,将空穴搬送层65作为在显示区域的第1电极64之上共同的层而成膜。空穴搬送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴搬送层65被形成为比显示区域61大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。
接着,将形成有空穴搬送层65为止的基板63搬入第2有机材料成膜装置,由基板支承单元22和/或静电吸盘24保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板63的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层66R。
根据本发明,通过基板支承单元升降驱动机构31的升降引导机构,在基板支承单元22等升降时,能够抑制基板支承单元22的摆动,并能够更稳定地维持其姿势。与发光层66R的成膜同样地,利用第3有机材料成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G,而且利用第4有机材料成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后,利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子搬送层67。电子搬送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子搬送层67为止的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置,成膜第2电极68。
之后,将基板移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70,完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,本例中,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
上述实施例表示本发明的一个例子,但本发明并不限定于上述实施例的结构,也可以在其技术思想的范围内适当地变形。

Claims (29)

1.一种成膜装置,其特征在于,
该成膜装置包括:
容器;
支承单元,支承被配置在所述容器内的被移动体;
驱动机构,使所述支承单元在第1方向上移动;以及
引导机构,对所述支承单元在所述第1方向上的移动进行引导,
所述引导机构包括:多个轨道部,被设置成在所述第1方向上延伸;以及多个可移动部,相对于所述多个轨道部中的任一个能够在所述第1方向上移动地设置,且相对于所述支承单元,分别被设置成在所述第1方向上固定,
所述多个可移动部中的至少两个可移动部相对于所述支承单元在第1方向上的设置位置不同。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部中的第1可移动部被设置成,被固定在与第2可移动部相比在所述第1方向上远离所述支承单元的位置。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
所述第1可移动部被设置成,所述第1可移动部的所述第1方向上的中心与所述第2可移动部的所述第1方向上的中心相比在所述第1方向上远离所述支承单元。
4.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
设置所述至少两个可移动部的至少两个轨道部在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开规定的距离地设置。
5.根据权利要求4所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部设置于所述至少两个轨道部的设置面与所述第2方向垂直。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部设置于所述至少两个轨道部的设置面的至少一部分相向。
7.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部包括第1可移动部和在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1可移动部隔开规定距离地设置的第2可移动部,
所述第1可移动部和所述第2可移动部相对于所述支承单元在所述第1方向上的设置位置互不相同。
8.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个轨道部包括:第1轨道部,被设置成能够供所述第1可移动部移动;以及第2轨道部,被设置成能够供所述第2可移动部移动,
所述第1可移动部设置于所述第1轨道部的第1设置面与所述第2可移动部设置于所述第2轨道部的第2设置面的至少一部分相向。
9.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部还包括:第3可移动部,在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述第1可移动部隔开地设置;以及第4可移动部,设置于在所述第3方向上与所述第2可移动部隔开且在所述第2方向上与所述第3可移动部隔开的位置,
所述第1可移动部和所述第3可移动部相对于所述支承单元在所述第1方向上的设置位置不同,
所述第4可移动部与所述第2可移动部及所述第3可移动部相对于所述支承单元在所述第1方向上的设置位置不同。
10.根据权利要求9所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个轨道部包括:第1轨道部,被设置成能够供所述第1可移动部移动;第2轨道部,被设置成能够供所述第2可移动部移动;第3轨道部,被设置成能够供所述第3可移动部移动;以及第4轨道部,被设置成能够供所述第4可移动部移动,
所述第1可移动部设置于所述第1轨道部的第1设置面与所述第2可移动部设置于所述第2轨道部的第2设置面的至少一部分相向,
所述第3可移动部设置于所述第3轨道部的第3设置面与所述第4可移动部设置于所述第4轨道部的第4设置面的至少一部分相向。
11.根据权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,
所述第1设置面与所述第3设置面位于实质上相同的平面上,
所述第4设置面与所述第2设置面位于实质上相同的平面上。
12.根据权利要求9所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个轨道部包括:第1轨道部,被设置成能够供所述第1可移动部移动;第2轨道部,被设置成能够供所述第2可移动部移动;第3轨道部,被设置成能够供所述第3可移动部移动;以及第4轨道部,被设置成能够供所述第4可移动部移动,
所述第1可移动部设置于所述第1轨道部的第1设置面与所述第4可移动部设置于所述第4轨道部的第4设置面实质上平行,
所述第2可移动部设置于所述第2轨道部的第2设置面与所述第3可移动部设置于所述第3轨道部的第3设置面实质上平行。
13.根据权利要求12所述的成膜装置,其特征在于,
所述第1设置面与所述第2设置面交叉,
所述第3设置面与所述第4设置面交叉。
14.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述至少两个可移动部还包括第3可移动部,该第3可移动部在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述第1可移动部隔开地设置,
所述第3可移动部被设置成,在所述第2方向上也与所述第1可移动部隔开,
所述第3可移动部与所述第1可移动部或所述第2可移动部相对于所述支承单元在所述第1方向上的设置位置不同。
15.根据权利要求14所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个轨道部包括:第1轨道部,被设置成能够供所述第1可移动部移动;第2轨道部,被设置成能够供所述第2可移动部移动;以及第3轨道部,被设置成能够供所述第3可移动部移动,
所述第1可移动部设置于所述第1轨道部的第1设置面与所述第2可移动部设置于所述第2轨道部的第2设置面的至少一部分相向,
所述第1设置面以及所述第2设置面与所述第3可移动部设置于所述第3轨道部的第3设置面交叉。
16.根据权利要求14所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个轨道部包括:第1轨道部,被设置成能够供所述第1可移动部移动;第2轨道部,被设置成能够供所述第2可移动部移动;以及第3轨道部,被设置成能够供所述第3可移动部移动,
所述第1可移动部设置于所述第1轨道部的第1设置面以及所述第2可移动部设置于所述第2轨道部的第2设置面与所述第3可移动部设置于所述第3轨道部的第3设置面实质上平行。
17.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
在所述多个轨道部中的至少一个轨道部设置有两个以上的可移动部,
设置于所述至少一个轨道部的所述两个以上的可移动部与设置于其它的轨道部的可移动部相对于所述支承单元在所述第1方向上的设置位置不同。
18.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
该成膜装置还包括载置台,该载置台设置在所述容器的外部,经由所述容器的一个面与所述支承单元连结,
所述驱动机构使所述载置台在所述第1方向上移动,
所述多个可移动部被设置成,相对于所述载置台在所述第1方向上固定,
所述至少两个可移动部相对于所述载置台在第1方向上的设置位置不同。
19.根据权利要求18所述的成膜装置,其特征在于,
该成膜装置包括分别将所述多个可移动部中的每一个固定于所述载置台的多个固定部,
所述至少两个可移动部的向所述固定部的设置位置在所述第1方向上不同。
20.根据权利要求15所述的成膜装置,其特征在于,
所述多个固定部中的、使所述至少两个可移动部固定在所述载置台的至少两个固定部在所述第1方向上长度不同。
21.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述驱动机构包括:驱动力产生源,产生用于在所述第1方向上驱动所述支承单元的驱动力;以及驱动力传递部,用于将来自所述驱动力产生源的驱动力传递至所述支承单元。
22.根据权利要求21所述的成膜装置,其特征在于,
所述驱动力产生源包括马达,所述驱动力传递部包括滚珠丝杠。
23.根据权利要求22所述的成膜装置,其特征在于,
以使所述滚珠丝杠的与所述第1方向垂直的平面上的投影位置位于由将所述多个可移动部投影到所述平面上的位置构成的图形的重心的方式设置所述滚珠丝杠。
24.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述被移动体是基板,所述支承单元是基板支承单元。
25.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述被移动体是冷却板,所述支承单元是从所述驱动机构与所述冷却板连结的轴。
26.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述被移动体是静电吸盘,所述支承单元是从所述驱动机构与所述静电吸盘连结的轴。
27.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述被移动体是掩模,所述支承单元是掩模支承单元。
28.一种成膜方法,该成膜方法是在基板上隔着掩模成膜蒸镀材料的成膜方法,其特征在于,
使用权利要求1~27中任一项所述的成膜装置进行成膜工序。
29.一种电子器件制造方法,其特征在于,
使用权利要求28所述的成膜方法制造电子器件。
CN201910478784.1A 2018-11-27 2019-06-04 成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法 Pending CN111218660A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180149054A KR102017626B1 (ko) 2018-11-27 2018-11-27 성막장치, 성막방법 및 전자 디바이스 제조방법
KR10-2018-0149054 2018-11-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111218660A true CN111218660A (zh) 2020-06-02

Family

ID=67951807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910478784.1A Pending CN111218660A (zh) 2018-11-27 2019-06-04 成膜装置、成膜方法及电子器件制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7450372B2 (zh)
KR (1) KR102017626B1 (zh)
CN (1) CN111218660A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113005403B (zh) * 2019-12-20 2023-06-20 佳能特机株式会社 成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法
KR102664485B1 (ko) * 2020-12-31 2024-05-08 주식회사 선익시스템 기판 처리 설비에서 기판의 얼라인 장치 및 얼라인 방법
KR102439012B1 (ko) * 2022-04-20 2022-09-01 주식회사 조인솔루션 컨택 구조를 포함하는 증착 장치
KR102508688B1 (ko) * 2022-04-29 2023-03-14 주식회사 조인솔루션 증착 장치 및 이를 포함하는 증착 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03177617A (ja) * 1989-12-06 1991-08-01 Sumitomo Heavy Ind Ltd 垂直可動ベアリング装置およびそれを用いた垂直可動ステージ装置
JP2010015174A (ja) * 2009-10-09 2010-01-21 Seiko Epson Corp ワークのリフトアップ方法及びワークのセット方法
JP2012235093A (ja) * 2011-04-22 2012-11-29 Shibaura Mechatronics Corp 基板の搬送装置及び搬送方法
JP2013237914A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置及び成膜方法
CN107541711A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 佳能特机株式会社 基板的夹持装置、成膜装置、基板载置装置及其方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4549697B2 (ja) 2004-03-04 2010-09-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP4624236B2 (ja) 2005-10-25 2011-02-02 日立造船株式会社 真空蒸着用アライメント装置
JP2014134646A (ja) 2013-01-09 2014-07-24 Hitachi High-Technologies Corp 液晶露光装置及びステージ装置
JP2017190598A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 シロキ工業株式会社 車両用ウインドレギュレータ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03177617A (ja) * 1989-12-06 1991-08-01 Sumitomo Heavy Ind Ltd 垂直可動ベアリング装置およびそれを用いた垂直可動ステージ装置
JP2010015174A (ja) * 2009-10-09 2010-01-21 Seiko Epson Corp ワークのリフトアップ方法及びワークのセット方法
JP2012235093A (ja) * 2011-04-22 2012-11-29 Shibaura Mechatronics Corp 基板の搬送装置及び搬送方法
JP2013237914A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置及び成膜方法
CN107541711A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 佳能特机株式会社 基板的夹持装置、成膜装置、基板载置装置及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7450372B2 (ja) 2024-03-15
JP2020084329A (ja) 2020-06-04
KR102017626B1 (ko) 2019-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7429723B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法
JP7450372B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102427823B1 (ko) 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
KR102128888B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN113106395B (zh) 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法
CN113106387B (zh) 成膜装置及电子器件的制造方法
CN112680696B (zh) 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法
KR102501609B1 (ko) 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
CN111118445A (zh) 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法
KR102459872B1 (ko) 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법
KR102590797B1 (ko) 흡착 시스템, 흡착 방법, 및 이를 이용한 성막 장치, 성막 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
JP7078694B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
KR20220112236A (ko) 흡착장치, 위치 조정 방법, 및 성막 방법
KR102421610B1 (ko) 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법
CN110777332B (zh) 静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法
KR102430370B1 (ko) 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
CN113088870B (zh) 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
CN113005397B (zh) 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
KR102481907B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
KR102129435B1 (ko) 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
KR20210109998A (ko) 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
CN113005403A (zh) 成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination