CN114318283A - 成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种抑制基板与掩模的对准的精度的降低的成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：腔室，其将内部保持为真空；吸附板，其设置在腔室的内部，吸附基板；掩模台，其设置在腔室的内部，载置掩模；以及对准部件，其进行吸附于吸附板的基板与载置于掩模台的掩模的对准。另外，成膜装置具备调整部件，所述调整部件在腔室的内部保持为真空的状态下，调整吸附板与掩模台的相对倾斜。

Description

成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示器等的制造中，使用掩模在基板上对蒸镀物质进行成膜。作为成膜的预处理，进行掩模与基板的对准，使两者重叠。在专利文献1中公开了在静电吸盘等吸附板吸附有基板的状态下，使基板与掩模接近来进行对准。另外，在专利文献2中公开了在使支承于基板支承部的基板吸附于静电吸盘的过程中，为了减少基板的挠曲的影响而使多个基板支承部的高度不同。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019－099910号公报
专利文献2：日本特开2019－102802号公报
发明内容
发明要解决的课题
在上述现有技术中，基板与掩模的对准是在保持为真空的腔室的内部进行的。但是，当使腔室的内部为真空状态时，由于腔室外部的压力(大气压)与腔室内部的压力之差而在腔室产生形变，由此，有时在吸附基板的吸附板与载置掩模的掩模台之间发生相对倾斜。该相对倾斜有时会对对准的精度造成影响。
本发明提供一种抑制基板与掩模的对准的精度的降低的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明的一方面，提供一种成膜装置，所述成膜装置具备：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述成膜装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。
另外，根据本发明的其他方面，提供一种调整装置，所述调整装置安装于成膜装置，所述成膜装置包括：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述调整装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。
另外，根据本发明的其他方面，提供一种调整方法，所述调整方法是成膜装置的调整方法，所述成膜装置具备：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述调整方法包括在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜的调整工序。
另外，根据本发明的其他方面，提供一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有：
通过上述的调整方法来调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜的调整工序；
进行吸附于所述吸附板的基板与载置于所述掩模台的掩模的对准的对准工序；以及
经由所述掩模在所述基板上成膜的成膜工序。
发明的效果
根据本发明，能够抑制基板与掩模的对准的精度的降低。
附图说明
图1是电子器件的生产线的一部分的示意图。
图2是一实施方式的成膜装置的概略图。
图3是基板支承单元和吸附板的说明图。
图4是吸附板的电气配线的说明图。
图5是测量单元的说明图。
图6是调整单元的说明图。
图7是使用吸附板的基板与掩模的重叠的过程的说明图。
图8(A)～图8(C)是吸附板15与掩模台5之间的相对倾斜的说明图。
图9是表示控制处理例的流程图。
图10是表示显示部的显示画面的例子的图。
图11是表示控制处理例的流程图。
图12(A)是有机EL显示装置的整体图，图12(B)是表示1像素的截面构造的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不限定权利要求书涉及的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征，但不一定这多个特征全部是发明所必需的，另外，多个特征也可以任意组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
＜电子器件的生产线＞
图1是表示能够应用本发明的成膜装置的电子器件的生产线的结构的一部分的示意图。图1的生产线例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造，基板100被依次输送到成膜模块301，在基板100上进行有机EL的成膜。
在成膜模块301中，在具有俯视时呈八边形的形状的输送室302的周围，配置有对基板100进行成膜处理的多个成膜室303a～303d和收纳使用前后的掩模的掩模储存室305。在输送室302中，配置有输送基板100的输送机器人302a。输送机器人302a包括保持基板100的机械手和使机械手在水平方向上移动的多关节臂。换言之，成膜模块301是以包围输送机器人302a的周围的方式配置有多个成膜室303a～303d的集群型的成膜单元。此外，在将成膜室303a～303d进行统称的情况下或者不进行区别的情况下表记为成膜室303。
在基板100的输送方向(箭头方向)上，在成膜模块301的上游侧、下流侧分别配置有缓冲室306、回旋室307、交接室308。在制造过程中，各室维持为真空状态。此外，在图1中仅图示了1个成膜模块301，但本实施方式的生产线具有多个成膜模块301，多个成膜模块301具有通过由缓冲室306、回旋室307、交接室308构成的连结装置连结而成的结构。此外，连结装置的结构并不限定于此，例如也可以仅由缓冲室306或交接室308构成。
输送机器人302a进行从上游侧的交接室308向输送室302的基板100的送入、成膜室303之间的基板100的输送、掩模储存室305与成膜室303之间的掩模的输送、以及从输送室302向下流侧的缓冲室306的基板100的送出。
缓冲室306是用于根据生产线的运转状况而暂时储存基板100的室。在缓冲室306设置有也被称为盒体的基板收纳架和升降机构。基板收纳架具有能够将多张基板100保持基板100的被处理面(被成膜面)朝向重力方向下方的水平状态不变地进行收纳的多层构造。升降机构为了使送入或送出基板100的层与输送位置对齐而使基板收纳架升降。由此，能够在缓冲室306中暂时收容多个基板100，使其滞留在缓冲室306。
回旋室307具备变更基板100的方向的装置。在本实施方式中，回旋室307通过设置于回旋室307的输送机器人使基板100的方向旋转180度。设置于回旋室307的输送机器人在支承着在缓冲室306接收到的基板100的状态下回旋180度并将其向交接室308移送，从而在缓冲室306内和交接室308之间基板的前端和后端调换。由此，向成膜室303送入基板100时的方向在各成膜模块301中成为相同的方向，因此，能够使相对于基板S的成膜的扫描方向、掩模的方向在各成膜模块301中一致。通过采用这样的结构，能够使各成膜模块301中向掩模储存室305设置掩模的方向一致，掩模的管理得以简化，能够提高可用性。
生产线的控制系统包括作为主机对整个生产线进行控制的上位装置300和对各结构进行控制的控制装置14a～14d、309、310，它们能够经由有线或无线的通信线路300a进行通信。控制装置14a～14d与成膜室303a～303d对应地设置，对后述的成膜装置1进行控制。此外，在将控制装置14a～14d进行统称的情况下或者不进行区别的情况下表记为控制装置14。
控制装置309对输送机器人302a进行控制。控制装置310对回旋室307的装置进行控制。上位装置300将与基板100相关的信息、输送时机等指示发送到各控制装置14、309、310，各控制装置14、309、310基于接收到的指示来控制各结构。
＜成膜装置的概要＞
图2是一实施方式的成膜装置1的概略图。设置于成膜室303的成膜装置1是在基板100上对蒸镀物质进行成膜的装置，使用掩模101形成规定的图案的蒸镀物质的薄膜。由成膜装置1进行成膜的基板100的材质能够适当选择玻璃、树脂、金属等材料，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材料。作为蒸镀物质，是有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置1能够应用于制造例如显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜拍摄元件)等电子器件或光学元件等的制造装置，特别是能够应用于制造有机EL面板的制造装置。在以下的说明中，对成膜装置1通过真空蒸镀在基板100上进行成膜的例子进行说明，但本发明并不限定于此，能够应用溅射、CVD等各种成膜方法。此外，在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X及箭头Y表示相互正交的水平方向。
成膜装置1具有能够将内部保持为真空的箱型的真空腔室3(也简称为腔室)。真空腔室3的内部空间3a维持为真空环境或氮气等非活性气体环境。在本实施方式中，真空腔室3与未图示的真空泵连接。此外，在本说明书中，“真空”是指充满比大气压低的压力的气体的状态，换言之，是指减压状态。在真空腔室3的内部空间3a配置将基板100以水平姿势进行支承的基板支承单元6、支承掩模101的掩模台5、成膜单元4、板单元9、吸附板15。掩模101是具有与要在基板100上形成的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模，载置在掩模台5之上。此外，掩模台5能够置换为将掩模101固定于规定的位置的其他方式的部件。作为掩模101，能够使用具有在框状的掩模框架焊接固定有几μm～几十μm左右的厚度的掩模箔的构造的掩模。掩模101的材质没有特别限定，但优选使用因瓦合金等热膨胀系数小的金属。成膜处理在基板100载置于掩模101之上且基板100与掩模101相互重叠的状态下进行。
板单元9具备冷却板10和磁铁板11。冷却板10以能够相对于磁铁板11在Z方向上位移的方式悬挂在磁铁板11之下。冷却板10具有通过在成膜时与后述的吸附板15接触而在成膜时对吸附于吸附板15的基板100进行冷却的功能。冷却板10并不限定于具备水冷机构等而积极地冷却基板100的结构，也可以是虽然未设置水冷机构等但通过与吸附板15接触来吸收基板100的热这样的板状构件。磁铁板11是利用磁力吸引掩模101的板，载置于基板100的上表面，在成膜时提高基板100与掩模101的紧贴性。
此外，也可以适当省略冷却板10和磁铁板11。例如，在吸附板15设置有冷却机构的情况下，也可以没有冷却板10。另外，在吸附板15吸附掩模101的情况下，也可以没有磁铁板11。
成膜单元4是由加热器、挡板、蒸发源的驱动机构、蒸发速率监视器等构成，将蒸镀物质蒸镀到基板100上的蒸镀源。更具体而言，在本实施方式中，成膜单元4是多个喷嘴(未图示)在X方向上排列配置，从各个喷嘴放出蒸镀材料的线性蒸发源。例如，线性蒸发源通过蒸发源移动机构(未图示)而在Y方向(装置的进深方向)上往复移动。在本实施方式中，成膜单元4设置在与后述的对准装置2相同的真空腔室3。但是，在与进行对准的真空腔室3不同的腔室中进行成膜处理的实施方式中，成膜单元4不配置于真空腔室3。
＜对准装置＞
成膜装置1具备进行基板100与掩模101的对准的对准装置2。对准装置2具备基板支承单元6、吸附板15、位置调整单元20、距离调整单元22、板单元升降单元13、测量单元7、8、调整单元17、浮动部19、检测单元16。以下，说明对准装置的各结构。
(基板支承单元)
对准装置2具备对基板100的周缘部进行支承的基板支承单元6。除了图2之外还参照图3进行说明。图3是基板支承单元6和吸附板15的说明图，是从下侧观察基板支承单元6和吸附板15的图。
基板支承单元6具备构成其外框的多个底座部61a～61d和从底座部61a～61d向内侧突出的多个载置部62及63。此外，载置部62及63有时也称为“承接爪”或“指状件”。底座部61a～61d分别由支承轴R3支承。多个载置部62以承接基板100的周缘部的长边侧的方式隔开间隔地配置于底座部61a～61d。另外，多个载置部63以承接基板100的周缘部的短边侧的方式隔开间隔地配置于底座部61a～61d。由输送机器人302a送入到成膜装置1的基板100由多个载置部62及63支承。以下，在将底座部61a～61d进行统称的情况下或者不进行区别的情况下表记为底座部61。
在本实施方式中，多个载置部62及63由板簧构成，在使由多个载置部62及63支承的基板100吸附于吸附板15时，能够利用板簧的弹性力将基板100向吸附板15按压。
此外，在图3的例子中，由4个底座部61构成局部地具有切口的矩形的框体，但并不限定于此，底座部61也可以是包围矩形的基板100的外周这样的无缝隙的矩形框体。但是，通过由多个底座部61设置切口，在输送机器人302a向载置部62及63交接基板100时，输送机器人302a能够避开底座部61而进行退避。由此，能够提高基板100的输送及交接的效率。
此外，也可以采用如下方式：在基板支承单元6中，与多个载置部62及63对应地设置多个夹紧部，通过夹紧部夹持载置于载置部62及63的基板100的周缘部来进行保持。
(吸附板)
接着参照图2及图3。对准装置2具备吸附板15，该吸附板15设置在真空腔室3的内部，能够吸附基板100。在本实施方式中，吸附板15设置在基板支承单元6与板单元9之间，由1个或多个支承轴R1支承。在本实施方式中，吸附板15由4个支承轴R1支承。在一实施方式中，支承轴R1是圆柱形状的轴。
另外，在本实施方式中，吸附板15是利用静电力吸附基板100的静电吸盘。例如，吸附板15具有在陶瓷材质的基质(也称为基体)的内部埋设有金属电极等电路的构造。例如，当向配置于电极配置区域151的金属电极施加正(+)及负(－)电压时，通过陶瓷基质在基板100感应出极化电荷，在基板100与吸附板15之间的静电引力(静电力)的作用下，基板100被吸附固定于吸附板15的吸附面150。
此外，电极配置区域151能够适当设定。例如，在本实施方式中多个电极配置区域151相互分离地设置，但也可以在吸附板15的吸附面150的大致整个面上形成1个电极配置区域151。
另外，在吸附板15埋设有对吸附板15与基板100的接触进行检测的多个接触传感器1621。在本实施方式中，设置有合计9个接触传感器1621。在吸附板15的周缘部，沿着两个长边分别各设置有4个，在吸附板15的中央部设置有1个。这样，在吸附板15的多处设置接触传感器1621，从而能够确认基板100的整个面被吸附于吸附面150。此外，接触传感器1621的数量、配置能够适当变更。
另外，在本实施方式中，接触传感器1621机械性地检测自身与对象的接触。作为一例，接触传感器1621设置成其前端部被弹簧等施力，在前端部没有与基板100等接触的状态下前端部从吸附面150突出。而且，构成为当基板100与接触传感器1621的前端部接触时，前端部被基板100推动而向吸附板15侧缩回，与内部的接点接触，从而输出规定的电信号。此外，前端部的形状没有特别限定，可以是按钮形状或棒形状。通过适当设定没有与对象接触的状态的前端部从吸附面150突出的长度，接触传感器1621能够实质上检测出吸附板15与基板100的接触。另外，如后所述，多个接触传感器1621构成对吸附板15和掩模台5之间的平行度进行检测的检测单元16(参照＜检测单元＞)。
另外，在本实施方式中，在吸附板15设置有确认基板100向吸附板15的吸附状态的光纤传感器1622。光纤传感器1622包括发光部1622a和受光部1622b。发光部1622a和受光部1622b设置成在吸附板15的下方、例如吸附板15的几mm～几十mm下方形成光路1622c。在基板100的一部分没有吸附于吸附板15的情况下，在重力的作用下该一部分向下方挠曲。在进行了向吸附板15吸附基板100的吸附处理之后基板100发生了挠曲的情况下，该挠曲的部分会遮挡光路1622c，从而检测出基板100的挠曲。即，能够检测出没有恰当地进行基板100的吸附。此外，也可以省略光纤传感器1622。
另外，在吸附板15形成有多个开口152，后述的测量单元(第1测量单元7及第2测量单元8)经由多个开口152对后述的掩模标记进行拍摄。
同时参照图4。图4示意性地示出了从吸附板15到支承轴R1的构造。另外，图4是吸附板的电气配线的说明图，示出了用于向配置于吸附板15的电极配置区域151的电极供电的配线。在本实施方式的情况下，支承吸附板15的多个支承轴R1形成为中空的筒状。而且，用于施加正(+)及负(－)电压的电线153以在其内部通过的方式进行配线。在图4的例子中，用于施加正(+)及负(－)电压的电线153分别示出了各1条，合计2条。另外，从支承轴R1的下部向真空腔室3伸出的电线153沿着吸附板15的短边延伸，与设置于短边的大致中央的电连接部154连接。也就是说，电线153经由支承轴R1从真空腔室3的外部向内部引导，与电连接部154连接。另外，从电线153向电连接部154供给的电力向配置于电极配置区域151的各电极供给。
另外，在本实施方式中，设置有4根支承轴R1，通过这些支承轴R1，各种电线(电缆)向真空腔室3的内部引导。在一实施方式中，向吸附板15供电的电线153分别在设置于对角的2根支承轴R1的内侧通过，接触传感器1621、后述的光纤传感器1622等的电缆以捆扎的状态在剩余的2根支承轴R1的内侧通过。
(位置调整单元)
对准装置2具备位置调整单元20，该位置调整单元20对周缘部由基板支承单元6支承的基板100或由吸附板15吸附的基板100与掩模101的相对位置进行调整。位置调整单元20通过使基板支承单元6或吸附板15在X－Y平面上位移，调整基板100相对于掩模101的相对位置。即，位置调整单元20也可以说是调整掩模101与基板100的水平位置的单元。例如，位置调整单元20能够使基板支承单元6在X方向、Y方向及绕Z方向的轴的旋转方向上位移。在本实施方式中，使掩模101的位置固定，使基板100位移来调整它们的相对位置，但也可以使掩模101位移来进行调整，或者，也可以使基板100和掩模101双方都位移。
在本实施方式中，位置调整单元20具备固定板20a、可动板20b以及配置在这些板之间的多个致动器201。固定板20a固定在真空腔室3的上壁部30上。另外，在可动板20b上搭载有框架状的架台21，在架台21支承有距离调整单元22和板单元升降单元13。当通过致动器201使可动板20b相对于固定板20a在水平方向上位移时，架台21、距离调整单元22以及板单元升降单元13一体地位移。
多个致动器201例如包括使可动板20b能够在X方向上位移的致动器以及使可动板20b能够在Y方向上位移的致动器等，通过控制它们的移动量，能够使可动板20b在X方向、Y方向及绕Z方向的轴的旋转方向上位移。例如，多个致动器201可以包括作为驱动源的马达和将马达的驱动力转换为直线运动的滚珠丝杠机构等机构。
(距离调整单元)
距离调整单元22通过使吸附板15及基板支承单元6升降，调整它们与掩模台5的距离，使基板100和掩模101在基板100的厚度方向(Z方向)上接近及远离(分离)。换言之，距离调整单元22使基板100和掩模101在重叠的方向上接近或在其反方向上远离。此外，由距离调整单元22调整的“距离”是所谓的垂直距离(或铅垂距离)，距离调整单元也可以说是调整掩模101与基板100的垂直位置的单元。
如图2所示，距离调整单元22具备第1升降板220。在架台21的侧部形成有沿Z方向延伸的导轨21a，第1升降板220沿着导轨21a在Z方向上升降自如。
第1升降板220经由多个支承轴R1对吸附板15进行支承。当第1升降板220升降时，吸附板15随之升降。换言之，第1升降板220对支承吸附板15的多个支承轴R1进行支承，通过第1升降板220的升降，多个支承轴R1同步地升降，吸附板15在保持其平行度的状态下升降。另外，第1升降板220经由多个致动器65及多个支承轴R3对基板支承单元6进行支承。当第1升降板220升降时，基板支承单元6随之升降。另外，多个致动器65能够使连接的多个支承轴R3在铅垂方向上移动。基板支承单元6通过多个致动器65而相对于吸附板15在铅垂方向上相对地移动。多个致动器65也可以构成为通过例如马达和滚珠丝杠机构等使支承轴R3能够在铅垂方向上移动。
对第1升降板220的升降进一步具体地进行说明。距离调整单元22具备作为支承于架台21并使第1升降板220升降的致动器的驱动单元221。驱动单元221是将作为驱动源的马达221a的驱动力传递到第1升降板220的机构。作为驱动单元221的传动机构，在本实施方式中，采用了具有滚珠丝杠轴221b和滚珠螺母221c的滚珠丝杠机构。滚珠丝杠轴221b在Z方向上延伸设置，在马达221a的驱动力的作用下绕Z方向的轴旋转。滚珠螺母221c固定于第1升降板220，与滚珠丝杠轴221b啮合。通过滚珠丝杠轴221b的旋转及其旋转方向的切换，能够使第1升降板220在Z方向上升降。第1升降板220的升降量例如能够根据对各马达221a的旋转量进行检测的旋转编码器等传感器的检测结果来控制。由此，能够控制吸附并支承基板100的吸附板15的Z方向上的位置，控制基板100与掩模101的接触、远离。另外，在第1升降板220的上部设置有后述的调整单元17。
此外，本实施方式的距离调整单元使掩模台5的位置固定，使基板支承单元6及吸附板15移动来调整它们的Z方向上的距离，但并不限定于此。也可以使基板支承单元6或吸附板15的位置固定，使掩模台5移动来进行调整，或者，也可以使基板支承单元6、吸附板15以及掩模台5分别移动来调整彼此的距离。
(板单元升降单元)
板单元升降单元13通过使配置在真空腔室3的外部的第2升降板12升降，使与第2升降板12连结并配置在真空腔室3的内部的板单元9升降。板单元9经由1个或多个支承轴R2与第2升降板12连结。在本实施方式中，板单元9由2个支承轴R2支承。支承轴R2从磁铁板11向上方延伸设置，通过上壁部30的开口部、固定板20a及可动板20b的各开口部、以及第1升降板220的开口部而与第2升降板12连结。
第2升降板12沿着引导轴12a在Z方向上升降自如。板单元升降单元13具备支承于架台21并使第2升降板12升降的驱动机构。板单元升降单元13所具备的驱动机构是将作为驱动源的马达13a的驱动力传递到第2升降板12的机构。作为板单元升降单元13的传动机构，在本实施方式中，采用了具有滚珠丝杠轴13b和滚珠螺母13c的滚珠丝杠机构。滚珠丝杠轴13b在Z方向上延伸设置，在马达13a的驱动力的作用下绕Z方向的轴旋转。滚珠螺母13c固定于第2升降板12，与滚珠丝杠轴13b啮合。通过滚珠丝杠轴13b的旋转及其旋转方向的切换，能够使第2升降板12在Z方向上升降。第2升降板12的升降量例如能够根据对各马达13a的旋转量进行检测的旋转编码器等传感器的检测结果来控制。由此，能够控制板单元9的Z方向上的位置，控制板单元9与基板100的接触、远离。
上述的各支承轴R1～R3所通过的真空腔室3的上壁部30的开口部具有能够供各支承轴R1～R3在X方向及Y方向上位移的大小。为了维持真空腔室3的气密性，在各支承轴R1～R3所通过的上壁部30的开口部设置波纹管等。例如，支承第1升降板220的支承轴R1由波纹管31(参照图4等)覆盖。
(测量单元)
对准装置2具备对周缘部由基板支承单元6支承的基板100与掩模101的位置偏移进行测量的测量单元(第1测量单元7及第2测量单元8)。除了图2之外还参照图5进行说明。图5是第1测量单元7及第2测量单元8的说明图，示出了基板100与掩模101的位置偏移的测量方式。本实施方式的第1测量单元7及第2测量单元8均是对图像进行拍摄的拍摄装置(相机)。第1测量单元7及第2测量单元8配置在上壁部30的上方，能够经由形成于上壁部30的窗部(未图示)对真空腔室3内的图像进行拍摄。
在基板100上形成有基板粗对准标记100a和基板精对准标记100b，在掩模101上形成有掩模粗对准标记101a和掩模精对准标记101b。以下，有时将基板粗对准标记100a称为基板粗标记100a，将基板精对准标记100b称为基板精标记100b，将两者统称为基板标记。另外，有时将掩模粗对准标记101a称为掩模粗标记101a，将掩模精对准标记101b称为掩模精标记101b，将两者统称为掩模标记。
基板粗标记100a形成在基板100的短边中央部。基板精标记100b形成在基板100的四角。掩模粗标记101a与基板粗标记100a对应地形成在掩模101的短边中央部。另外，掩模精标记101b与基板精标记100b对应地形成在掩模101的四角。
第2测量单元8设置有4个(第2测量单元8a～8d)，以便对对应的基板精标记100b和掩模精标记101b的各组(在本实施方式中为4组)进行拍摄。第2测量单元8是视野相对较窄但具有较高的分辨率(例如几μm级)的高倍率CCD相机(精相机)，以高精度测量基板100与掩模101的位置偏移。第1测量单元7设置有1个，对对应的基板粗标记100a和掩模粗标记101a的各组(在本实施方式中为2组)进行拍摄。
第1测量单元7是视野相对较宽但具有较低的分辨率的低倍率CCD相机(粗相机)，测量基板100与掩模101的粗略的位置偏移。在图5的例子中，示出了通过1个第1测量单元7集中地拍摄2组基板粗标记100a及掩模粗标记101a的组的结构，但并不限定于此。也可以与第2测量单元8同样地，在与各个组对应的位置设置两个第1测量单元7，以便分别对基板粗标记100a及掩模粗标记101a的各组进行拍摄。
在本实施方式中，基于第1测量单元7的测量结果进行了基板100与掩模101的粗略的位置调整之后，基于第2测量单元8的测量结果进行基板100与掩模101的精密的位置调整。
(调整单元)
对准装置2具备调整单元17。图6是调整单元17(调整装置)的说明图。调整单元17是调整吸附板15与掩模台5的相对倾斜的单元。在本实施方式中，调整单元17通过使吸附板15移动，调整吸附板15与掩模台5的相对倾斜。进一步而言，通过调整多个支承轴R1中的至少一部分支承轴R1的轴向的位置，调整吸附板15与掩模台5的相对倾斜。
调整单元17具有由作业者操作的多个操作部171。在本实施方式中，多个操作部171与多个支承轴R1分别对应地设置。而且，当对操作部171进行操作时，对应的支承轴R1独立于其他支承轴R1地在其轴向即铅垂方向上移动。即，多个操作部171分别能够独立地调整对应的支承轴R1支承吸附板15的铅垂方向的位置。因此，通过作业者对操作部171进行操作，吸附板15与掩模台5的相对倾斜得以调整。为了提高调整的自由度，优选在多个支承轴R1分别设置操作部171，但只要在至少1个支承轴R1设置操作部171，则能够在一定的范围内调整吸附板15与掩模台5的相对倾斜。
在本实施方式中，操作部171是使支承轴R1在其轴向即铅垂方向上移动的调整螺母。设置成调整螺母与形成于支承轴R1的螺纹172螺纹接合，当作业者转动调整螺母时，支承轴R1移动。
另外，在本实施方式中，操作部171设置在真空腔室3的外部。具体而言，支承轴R1经由滑动衬套173支承于第1升降板220，在滑动衬套173的上侧设置有操作部171。通过将操作部171设置在真空腔室3的外部，能够在真空腔室3的内部保持为真空的状态下，由作业者通过调整单元17进行调整。
另外，在支承轴R1与吸附板15之间设置有弯曲部18，该弯曲部18以使吸附板15相对于支承轴R1的角度可变的方式将支承轴R1和吸附板15连接。在本实施方式中，弯曲部18是球面轴承，包括球状部181和以能够滑动的方式承接球状部181的轴承部182。
在本实施方式中，多个支承轴R1构成为仅能够在铅垂方向(轴向)上移动。因此，在如图6的左侧所示的状态ST1这样吸附板15保持为水平的状态和如图6的右侧所示的状态ST2这样吸附板15倾斜的状态下，吸附板15相对于支承轴R1所成的角度不同。在本实施方式中，通过使吸附板15在弯曲部18处相对于支承轴R1弯曲，即使在吸附板15发生了倾斜的状态下支承轴R1也能够支承吸附板15。此外，弯曲部18能够适当设定将2个构件连接成能够变更其连接角度的构造，例如万向节等。
在此，将调整单元17的结构与距离调整单元22比较地进行说明。在距离调整单元22的第1升降板220升降的情况下，使支承于第1升降板220的多个支承轴R1全部升降相同的量，也就是说，使多个支承轴R1同步地升降。因此，在保持了吸附板15相对于掩模台5的平行度或相对倾斜的状态下吸附板15升降。另一方面，调整单元17能够使多个支承轴R1中的任一个独立于其他支承轴R1地相对于第1升降板220在铅垂方向(轴向)上移动。例如，调整单元17能够不变更3个支承轴R1的位置而调整剩余的1个支承轴R1的轴向的位置。由此，调整单元17能够调整由多个支承轴R1支承的吸附板15的倾斜。
(浮动部)
对准装置2具备浮动部19。浮动部19设置在弯曲部18与吸附板15之间。浮动部19包括弹性构件191、衬套192、轴构件193、吸附板支承部194以及凸缘195。轴构件193从弯曲部18向下方延伸地设置。衬套192设置成介于轴构件193与吸附板支承部194之间，减轻它们之间的摩擦或减少晃动。例如，衬套192由滑动性好的金属烧结材料等形成。吸附板支承部194对吸附板15进行支承。弹性构件191设置在吸附板支承部194与设置于轴构件193的凸缘195之间，构成为承受吸附板15的载荷。即，浮动部19经由弯曲部18与支承轴R1连接，浮动部19的弹性构件191对吸附板15进行支承。这样，支承轴R1经由浮动部19的弹性构件191支承吸附板15，从而能够减轻吸附板15与掩模101接触时施加于掩模101的载荷，并且确保吸附板15与掩模101接触时的吸附板15的避让(日文：逃げ)。
(检测单元)
对准装置2具备检测单元16。再次参照图2及图3。检测单元16对吸附板15和掩模台5之间的平行度进行检测。在本实施方式中，平行度是表示吸附板15与掩模台5的相对倾斜程度的程度。在本实施方式中，检测单元16构成为包括设置于吸附板15一侧的上述的多个接触传感器1621。多个接触传感器1621以前端部从吸附面150突出的长度彼此大致相等的方式安装于吸附板15。通过将接触传感器1621安装于吸附板15，即使在大气压的作用下真空腔室3变形，也能够减小吸附板15与接触传感器1621的相对位置产生的变化。即，即使成为真空状态，接触传感器1621的前端部的突出长度也几乎没有变化，维持彼此大致相等的状态不变。因此，如果在吸附板15发生了移动时，多个接触传感器1621全部大致同时反应，则能够判断为平行度高，换言之，吸附板15与掩模台5的相对倾斜小。通过适当改变前端部从吸附面150突出的长度，也能够将非平行的规定的倾斜设定为目标值。使用检测单元16的吸附板15的平行度的检测动作将后述。另外，在本实施方式中，接触传感器1621执行吸附板15与基板100的接触的检测以及吸附板15和掩模台5之间的平行度的检测这双方。由此，与将对此进行检测的传感器分别进行设置的情况相比，能够削减传感器的数量。
＜控制装置＞
控制装置14对整个成膜装置1进行控制。控制装置14具备处理部141、存储部142、输入输出接口(I/O)143、通信部144、显示部145以及输入部146。处理部141是以CPU为代表的处理器，执行存储于存储部142的程序来控制成膜装置1。存储部142是ROM、RAM、HDD等存储设备，除了存储处理部141所执行的程序之外，还存储各种控制信息。I/O143是发送接收处理部141与外部设备之间的信号的接口。通信部144是经由通信线路300a与上位装置300或其他控制装置14、309、310等进行通信的通信设备，处理部141经由通信部144从上位装置300接收信息，或者向上位装置300发送信息。显示部145例如是液晶显示器，显示各种信息。输入部146例如是键盘或定点设备，受理来自用户的各种输入。此外，控制装置14、309、310和上位装置300的全部或一部分也可以由PLC、ASIC、FPGA构成。
＜基板与掩模的重叠的过程＞
图7是使用吸附板15的基板100与掩模101的重叠的过程的说明图。图7示出了过程的各状态。
状态ST100是基板100由输送机器人302a送入成膜装置1内，输送机器人302a退避之后的状态。此时，基板100由基板支承单元6支承。
状态ST101是作为吸附板15对基板100的吸附的准备阶段，基板支承单元6上升后的状态。基板支承单元6从状态ST100起通过致动器65以接近吸附板15的方式上升。在状态ST101下，由基板支承单元6支承的基板100的周缘部与吸附板15接触或者位于稍微分离的位置。另一方面，基板100的中央部因自重而挠曲，因此，与周缘部相比位于从吸附板15分离的位置。
状态ST102是通过吸附板15吸附了基板100的状态。通过向配置于吸附板15的电极配置区域151的电极施加电压，在静电力的作用下基板100被吸附于吸附板15。
状态ST103是确认基板100是否正常地吸附于吸附板15时的状态。在基板支承单元6下降而离开基板100的状态下，基板100是否吸附于吸附板15基于接触传感器1621的检测值来确认。例如，控制装置14在埋设于吸附板15的所有接触传感器1621都检测出与基板100的接触的情况下，判断为基板100正常地吸附于吸附板15。另外，在设置有光纤传感器1622的情况下，也可以基于来自光纤传感器1622的输出来进行基板100的吸附是否正常地进行的判断。
状态ST104是基板100与掩模101的对准动作中的状态。控制装置14在通过距离调整单元22使吸附板15下降而使基板100与掩模101接近的状态下，通过位置调整单元20执行对准动作。
状态ST105是通过磁铁板11使基板100和掩模101进一步紧贴的状态。控制装置14在对准动作结束后，通过板单元升降单元13使板单元9下降。磁铁板11接近基板100及掩模101，从而掩模101被向基板100侧吸引，基板100与掩模101的紧贴性提高。
通过以上说明的动作，基板100和掩模101的重叠的过程结束。例如，本过程结束后，通过成膜单元4执行蒸镀处理。
另外，在上述说明的过程之中进行基板100与掩模101的对准时，吸附板15与掩模台5之间的倾斜有时会对对准的精度造成影响。通过使基板100与掩模101的距离靠近来进行对准，能够提高对准的精度。但是，若吸附板15与掩模台5之间存在相对倾斜，则存在基板100的一部分与掩模101接触的可能性，由此，有可能在基板100产生损伤等。为了基板100的保护而增大基板100与掩模101的距离，相应地对准的精度可能降低。因此，通常，有时在真空腔室3的内部空间3a为大气压的环境下进行吸附板15与掩模台5的平行调整。大气压环境下的平行调整例如通过在基板支承单元6的连结部分插入垫片等而进行。
图8(A)～图8(C)是吸附板15与掩模台5之间的相对倾斜的说明图。图8(A)示出了在内部空间3a为大气压的状态下进行了倾斜调整之后的状态。在图8(A)所示的状态下，吸附板15与掩模台5保持为大致平行。另一方面，图8(B)示出了从图8(A)所示的状态起对内部空间3a的空气进行排气而使其为真空的状态。即使在大气压环境下将吸附板15和掩模台5调整为平行，有时也会在使内部空间3a为真空时由于真空腔室3的内外的压力差而使真空腔室3产生形变等，会在吸附板15与掩模台5之间发生倾斜。但是，在真空腔室3的内部空间3a为真空的情况下，有时无法进行与上述那样的大气压环境下的平行调整同样的调整。因此，在本实施方式中，在真空腔室3的内部空间3a为真空的状态下进行吸附板15与掩模台5之间的倾斜的调整，从而抑制对准精度的降低。
＜调整动作的说明＞
图9是表示处理部141的控制处理例的流程图，示出了通过调整单元17进行倾斜的调整动作时的处理。例如，本流程图在处于大气压环境下的真空腔室3的内部空间3a的空气由未图示的真空泵等进行排气而使内部空间3a成为真空状态的情况下执行。另外，例如，本流程图在内部空间3a成为真空状态的期间以规定的周期执行。另外，例如，本流程图在掩模台5未载置掩模101、在吸附板15未吸附基板100、在基板支承单元6未支承基板100的状态下执行。
在步骤S1(以下，简写为S1。对于其他步骤也同样。)中，处理部141执行吸附板15与掩模台5之间的平行度检测处理。在本实施方式中，处理部141在平行度检测处理中进行如下处理：检测吸附板15与掩模台5之间的平行度，判定检测出的平行度是否在容许范围内。此外，本处理的具体例将后述(参照图11)。
在S2中，处理部141基于S1的处理结果，若平行度在容许范围内则结束流程图，若平行度不在容许范围内则进入S3。例如，在如图8(B)所示的状态的情况下，在S1中判定为平行度或者倾斜在容许范围外，进入S3的处理。
在S3中，处理部141对倾斜调整进行指示。在一实施方式中，处理部141通过显示部145进行指示作业者调整吸附板15与掩模台5的倾斜这一意思的显示。图10是表示显示部145的显示画面145a的例子的图。在图10的例子中，作为指示倾斜调整这一意思的显示的例子，示出了“请操作支承轴C的操作部，降低支承轴C。”的字符串。即，示出了成为调整单元17的调整对象的支承轴以及与该支承轴的调整方向相关的信息。除此之外，处理部141也可以显示是否需要调整单元17进行的调整、操作对象的支承轴R1的操作量(调整单元17进行的调整量)等信息。此外，也可以是处理部141向上位装置300发送指示倾斜调整这一意思的信息，接收到信息的上位装置300在未图示的显示部等进行指示调整这一意思的显示。
图8(C)是吸附板15与掩模台5之间的相对倾斜的说明图，是表示在真空腔室3的内部空间3a为真空的状态下作业者通过调整单元17进行了倾斜调整之后的状态的图。与图8(B)所示的状态相比，在图8(C)所示的状态下，图面的右侧的支承轴R1通过调整单元17而向下方移动。由此，吸附板15与掩模台5之间的倾斜减少。例如，作业者基于S3中作出的指示来执行这样的利用调整单元17进行的作业。
在S4中，处理部141受理调整结束。具体而言，处理部141通过输入部146受理由进行了吸附板15与掩模台5的倾斜调整的作业者进行的结束调整这一意思的输入。例如，处理部141也可以在作业者通过定点设备等输入部146选择了图10所示的“调整结束”按键145b的情况下，判断为受理了调整结束。处理部141在受理调整结束后，返回S1。通过以上说明的处理，执行吸附板15与掩模台5的倾斜调整，直至吸附板15与掩模台5的平行度落入容许范围内。
图11是表示图9的平行度检测处理的具体例的流程图。在S11中，处理部141通过距离调整单元22开始吸附板15的下降。在S12中，处理部141确认多个接触传感器1621中的任一个接触传感器1621是否检测出接触，在检测出接触的情况下进入S13，在未检测出接触的情况下反复S12的判定。即，处理部141在S11中开始吸附板15的下降后，继续吸附板15的下降直至任一个接触传感器1621检测出接触为止。
在S13中，处理部141通过距离调整单元22使吸附板15下降规定量。也就是说，处理部141从任一个接触传感器1621最先检测出接触的状态起，进一步使吸附板15下降规定量。在此的吸附板15的下降量能够根据设为目的的平行度而适当设定。在一实施方式中，例如可以使吸附板15下降5～10mm。此外，处理部141也可以在任一个接触传感器1621检测出接触的时间点使吸附板15暂时停止，然后使吸附板15下降规定量。另外，处理部141也可以在正在使吸附板15下降的状态下任一个接触传感器1621检测出接触后吸附板15进一步下降规定量的时间点停止吸附板15。也就是说，S11中开始的吸附板15的下降动作和S13中的吸附板15的下降动作可以是连续的动作，也可以是分别独立的动作。
在S14中，处理部141确认是否所有的接触传感器1621都检测出接触，在所有的接触传感器1621都检测出接触的情况下进入S15，在至少1个接触传感器1621未检测出接触的情况下进入S16。
在此，在吸附板15与掩模台5平行或者它们的倾斜比较小的情况下，设置于吸附板15的所有的接触传感器1621大致同时检测出与掩模台5的接触。因此，在S13中使吸附板15下降了规定量的时间点，所有的接触传感器1621能够检测出与掩模台5的接触。
另一方面，在吸附板15与掩模台5的相对倾斜比较大的情况下，在任一个接触传感器1621检测出与掩模台5的接触的时间点，存在与掩模台5的距离比较大的接触传感器1621。以图8(B)的例子来说，在图面的左侧的接触传感器1621与掩模台5接触的时间点，图面的右侧的接触传感器1621与掩模台5的距离比较大。在此时的接触传感器1621与掩模台5的距离比S13中的规定量大的情况下，即使在S13中使吸附板15下降规定量，也不是所有的接触传感器1621都检测出接触。
即，通过确认是否在从任一个接触传感器1621检测出接触的高度起使吸附板15下降规定量的期间所有的接触传感器1621都检测出接触，能够确认吸附板15与掩模台5的倾斜是否比规定值小。因此，从某个角度来看，S13中的吸附板15的下降量能够基于吸附板15与掩模台5的平行度(或者倾斜)的容许值来设定。在要调整为更高的平行度的情况下，也就是说，在平行度的容许范围窄的情况下，将S13中的吸附板15的下降量设定得小即可。
在S15中，处理部141判定为平行度在容许范围内。另一方面，在进入到S16的情况下，处理部141判定为平行度在容许范围外。
在S17中，处理部141使吸附板15上升规定量并结束流程图。此外，在此的规定量可以是与S13中的规定量不同的值。在一实施方式中，处理部141使吸附板15上升至在S11中开始吸附板15的下降的时间点的高度。
通过以上的处理，能够判定吸附板15与掩模台5之间的平行度是否在容许范围内。此外，在本实施方式中，处理部141在S14中确认是否所有的接触传感器1621都检测出接触，但也可以是若预先确定的多个接触传感器1621检测出接触则进入S15，判定为平行度在容许范围内。例如，处理部141也可以是若设置于吸附板15的四角的接触传感器1621检测出接触，则判定为平行度在容许范围内。另外，处理部141也可以是若在S14中预先确定的个数的接触传感器1621检测出接触，则进入S15，判定为平行度在容许范围内。例如，处理部141也可以是若设置于吸附板15的9个接触传感器1621中的过半数的5个以上的接触传感器1621检测出接触，则判定为平行度在容许范围内。
＜电子器件的制造方法＞
下面，对电子器件的制造方法的一例进行说明。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构及制造方法。在该例的情况下，图1所例示的成膜模块301在生产线上例如设置3处。
首先，对要制造的有机EL显示装置进行说明。图12(A)是有机EL显示装置50的整体图，图12(B)是表示1像素的截面构造的图。
如图12(A)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51，具备多个发光元件的像素52以矩阵状配置有多个。详细情况之后说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。
此外，在此所说的像素是指在显示区域51中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过显示出彼此不同的发光的第1发光元件52R、第2发光元件52G、第3发光元件52B这多个副像素的组合而构成像素52。像素52往往由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件以及蓝色(B)发光元件这3种副像素的组合构成，但并不限定于此。像素52只要包含至少1种副像素即可，优选包含2种以上的副像素，更优选包含3种以上的副像素。作为构成像素52的副像素，例如，也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件以及黄色(Y)发光元件这4种副像素的组合。
图12(B)是图12(A)的A－B线的局部剖视示意图。像素52具有由在基板53上具备第1电极(阳极)54、空穴传输层55、红色层56R·绿色层56G·蓝色层56B中的任一个、电子传输层57以及第2电极(阴极)58的有机EL元件构成的多个副像素。其中，空穴传输层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子传输层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记载为有机EL元件)对应的图案。
另外，第1电极54按每个发光元件分离地形成。空穴传输层55、电子传输层57以及第2电极58可以遍及多个发光元件52R、52G、52B共通地形成，也可以按每个发光元件形成。即，也可以如图12(B)所示，空穴传输层55遍及多个副像素区域作为共通的层形成之后红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按每个副像素区域分离地形成，然后在此之上电子传输层57和第2电极58遍及多个副像素区域作为共通的层形成。
此外，为了防止接近的第1电极54之间的短路，在第1电极54之间设置有绝缘层59。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧影响的保护层60。
在图12(B)中，用一个层示出了空穴传输层55、电子传输层57，但也可以根据有机EL显示元件的构造，由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也可以在第1电极54与空穴传输层55之间形成具有能带构造的空穴注入层，以能够使空穴从第1电极54顺利地向空穴传输层55注入。同样地，也可以在第2电极58与电子传输层57之间也形成电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多个层而形成。例如，也可以将红色层56R由2层构成，将上侧的层由红色的发光层形成，将下侧的层由空穴传输层或电子阻挡层形成。或者，也可以将下侧的层由红色的发光层形成，将上侧的层由电子传输层或空穴阻挡层形成。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层，调整发光层中的发光位置，调整光程长度，从而具有提高发光元件的色纯度的效果。
此外，在此，示出了红色层56R的例子，但绿色层56G、蓝色层56B也可以采用同样的构造。另外，层叠数也可以为2层以上。并且，可以将发光层和电子阻挡层这样不同的材料的层层叠，也可以例如将发光层层叠2层以上等将相同的材料的层层叠。
下面，具体说明有机EL显示装置的制造方法的例子。在此，设想红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这2层构成，绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第1电极54的基板53。此外，基板53的材质没有特别限定，能够由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板53，使用在玻璃基板上层叠聚酰亚胺的薄膜而成的基板。
在形成有第1电极54的基板53之上通过棒涂(日文：バーコート)、旋涂来涂覆丙烯酸或聚酰亚胺等的树脂层，利用光刻法以在形成有第1电极54的部分形成开口的方式将树脂层图案化而形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。此外，在本实施方式中，直至绝缘层59的形成为止对大型基板进行处理，在绝缘层59的形成后，执行分割基板53的分割工序。
将绝缘层59图案化的基板53送入第1成膜室303，使空穴传输层55在显示区域的第1电极54之上作为共通的层而成膜。空穴传输层55使用按照最终将成为1个1个的有机EL显示装置的面板部分的显示区域51形成有开口的掩模来进行成膜。
接下来，将形成至空穴传输层55的基板53送入第2成膜室303。进行基板53与掩模的对准，将基板载置到掩模之上，在空穴传输层55之上的、基板53的配置发出红色的元件的部分(形成红色的副像素的区域)，对红色层56R进行成膜。在此，在第2成膜室中使用的掩模是仅在将成为有机EL显示装置的副像素的基板53上的多个区域中的、成为红色的副像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包含红色发光层的红色层56R仅在基板53上的将成为多个副像素的区域中的成为红色的副像素的区域成膜。换言之，红色层56R在基板53上的将成为多个副像素的区域中的成为蓝色的副像素的区域、成为绿色的副像素的区域不成膜，在成为红色的副像素的区域选择性地成膜。
与红色层56R的成膜同样地，在第3成膜室303中对绿色层56G进行成膜，然后在第4成膜室303中对蓝色层56B进行成膜。在红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜完成之后，在第5成膜室303中在整个显示区域51上对电子传输层57进行成膜。电子传输层57作为共通的层而形成于3色的层56R、56G、56B。
将形成至电子传输层57的基板移动到第6成膜室303，对第2电极58进行成膜。在本实施方式中，在第1成膜室303～第6成膜室303中通过真空蒸镀进行各层的成膜。但是，本发明并不限定于此，例如第6成膜室303中的第2电极58的成膜也可以通过溅射进行成膜。之后，将形成至第2电极58的基板移动到密封装置并通过等离子CVD对保护层60进行成膜(密封工序)，从而完成有机EL显示装置50。此外，在此设为通过CVD法形成保护层60，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法形成。
在此，第1成膜室303～第6成膜室303中的成膜使用形成有与要形成的各个层的图案对应的开口的掩模来进行成膜。在成膜时，在进行了基板53与掩模的相对的位置调整(对准)之后，在掩模之上载置基板53而进行成膜。在此，各成膜室中进行的对准工序按上述的对准工序那样进行。
＜其他实施方式＞
在上述实施方式中，调整单元17构成为作业者能够手动执行调整动作，但也可以构成为能够通过马达等来调整支承轴R1的轴向的位置。例如，也可以对各支承轴R1单独设置伺服马达，单独的伺服马达对设置于支承轴R1的操作部171进行操作(以上述实施方式的例子来说，使螺母旋转)，从而各支承轴R1独立地升降。另外，在采用这样的结构的情况下，也可以通过将单独的伺服马达同步地驱动来进行整个吸附板15的升降。此外，在调整单元17具备马达的情况下，也可以将马达、操作部171设置在真空腔室3的内部。但是，通过将马达、操作部171设置在真空腔室3的外部，能够抑制真空腔室3的内部的颗粒的产生等。
另外，在上述实施方式中，通过调整吸附板15的倾斜来调整吸附板15与掩模台5之间的相对倾斜，但也可以通过调整与掩模台5的倾斜来调整它们的相对倾斜。但是，在上述实施方式中，通过在与由铝板等构成的掩模台5相比相对高刚性的陶瓷材料等构成的吸附板15一侧对倾斜进行调整，能够更可靠地进行调整。
另外，在上述实施方式中，通过多个接触传感器1621对吸附板15与掩模台5的平行度进行检测，但平行度的检测也可以由其他传感器执行。例如，也可以在多个位置设置能够测定吸附板15与掩模台5的距离的光学系统的传感器组(多个测距传感器)。而且，也可以基于各传感器的检测结果之差，即，基于测定位置处的吸附板15与掩模台5的距离之差，检测吸附板15与掩模台5的平行度。但是，在上述实施方式中，通过采用接触传感器1621，与采用光学系统的传感器的情况相比，能够使传感器小型化，电气配线也简化。此外，通过使传感器小型化，能够进一步增大电极配置区域151的面积，能够提高吸附板15的吸附力。
另外，在上述实施方式中，吸附板15是静电吸盘，但吸附板15也可以为其他结构。例如，吸附板15也可以是在其表面具有物理粘附性的粘附吸盘(PSC：Physical StickyChuck)等。
另外，在上述实施方式中，在掩模台5未载置掩模101、在吸附板15未吸附基板100、在基板支承单元6未支承基板100的状态下执行调整动作。但是，也可以在掩模台5载置有掩模101的状态下执行调整动作。
本发明也能够通过如下处理来实现：将实现上述的实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置，该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读取并执行程序。另外，也能够通过实现1个以上的功能的电路(例如，ASIC)来实现。
发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离发明的精神及范围的情况下进行各种变更及变形。因此，为了公开发明的范围而附上权利要求。
附图标记说明
1成膜装置，2对准装置，5掩模台，6基板支承单元，141处理部，16检测单元，17调整单元，22距离调整单元，100基板，101掩模。

Claims (28)

1.一种成膜装置，所述成膜装置具备：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述成膜装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述调整部件具有设置在所述腔室的外部的操作部。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述调整部件通过使所述吸附板移动，调整所述相对倾斜。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述吸附板由刚性比形成所述掩模台的材料高的材料形成。
5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
还具备支承所述吸附板的多个支承轴，
所述调整部件对所述多个支承轴中的至少一部分支承轴的轴向的位置进行调整。
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
还具备弯曲部，所述弯曲部以使所述吸附板相对于所述支承轴的角度可变的方式将所述支承轴和所述吸附板连接。
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
还具备设置在所述支承轴和所述吸附板之间的球面轴承。
8.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
还具备：
浮动部，其经由所述弯曲部与所述支承轴连接；以及
弹性构件，其安装于所述浮动部以便支承所述吸附板。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
还具备：
浮动部，其经由所述球面轴承与所述支承轴连接；以及
弹性构件，其安装于所述浮动部以便支承所述吸附板。
10.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
还具备弹性构件，所述弹性构件介于所述支承轴和所述吸附板之间，支承所述吸附板。
11.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
还具备升降部件，所述升降部件具有支承所述多个支承轴的升降板和使所述升降板升降的致动器，
所述调整部件以能够调整所述多个支承轴的每一个相对于所述升降板的相对位置的方式设置在所述升降板与所述多个支承轴的每一个之间。
12.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述调整部件包括沿着形成于所述支承轴的螺纹与所述支承轴螺纹接合的调整螺母。
13.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述吸附板包括用于利用静电力吸附所述基板的电极，向所述电极供给电力的电线配置在所述支承轴的内部。
14.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，
还具备多个接触传感器，所述接触传感器设置于所述吸附板，检测与掩模台的接触，
与所述多个接触传感器连接的电缆配置在所述多个支承轴中的与在内部配置有所述电线的支承轴不同的支承轴的内部。
15.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
还具备多个接触传感器，所述接触传感器设置于所述吸附板，检测与掩模台的接触。
16.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，
所述多个接触传感器检测出基板与所述吸附板的吸附面接触。
17.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
还具备对所述吸附板和所述掩模台之间的平行度进行检测的检测部件。
18.根据权利要求17所述的成膜装置，其特征在于，
还具备处理部件，所述处理部件执行基于所述检测部件的检测结果来显示与所述调整部件进行的所述相对倾斜的调整相关的信息的处理、或者基于所述检测部件的检测结果来发送所述信息的处理。
19.根据权利要求18所述的成膜装置，其特征在于，
所述信息包括与是否需要所述调整部件进行的所述相对倾斜的调整、所述调整的调整对象、调整量以及调整方向中的至少1个相关的信息。
20.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
还具备对所述吸附板和所述掩模台的距离进行检测的多个测距传感器。
21.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述吸附板未吸附基板、掩模未载置于所述掩模台的状态下，通过所述调整部件调整所述相对倾斜。
22.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述吸附板是静电吸盘。
23.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
具备经由所述掩模在所述基板上成膜的成膜部件。
24.一种调整装置，所述调整装置安装于成膜装置，所述成膜装置包括：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述调整装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。
25.一种调整方法，所述调整方法是成膜装置的调整方法，所述成膜装置具备：
腔室，其将内部保持为真空；
吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；
掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及
对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，
其特征在于，
所述调整方法包括在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜的调整工序。
26.根据权利要求25所述的调整方法，其特征在于，
在所述调整工序中，在所述吸附板未吸附基板、掩模未载置于所述掩模台的状态下，调整所述相对倾斜。
27.根据权利要求25或26所述的调整方法，其特征在于，
所述成膜装置还具备多个接触传感器，所述接触传感器设置于所述吸附板，检测与掩模台的接触，
所述调整方法包括：
使所述吸附板和所述掩模台中的至少一方移动，以使所述吸附板与所述掩模台接近的移动工序；以及
在所述移动工序之后，所述多个接触传感器检测出与所述掩模台接触的检测工序，
所述调整工序基于所述多个接触传感器是否检测出与所述掩模台接触来进行。
28.一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述电子器件的制造方法具有：
通过权利要求25～27中任一项所述的调整方法来调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜的调整工序；
进行吸附于所述吸附板的基板与载置于所述掩模台的掩模的对准的对准工序；以及
经由所述掩模在所述基板上成膜的成膜工序。
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