JPH0737864A - 被処理物の真空処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理物とそれを支持するホルダとの間に温
度制御用ガスを介在させることで被処理物の温度制御を
可能とする被処理物の真空処理方法及び装置を提供す
る。 【構成】 被処理物Ｓ１を真空容器１内のホルダ２ａ上
に配置して所定真空下で被処理物Ｓ１に目的とする処理
を施す被処理物の真空処理方法及び装置であって、真空
容器１内に温度制御用ガスを導入して予め定めた圧力の
該ガスを配置し、このガス導入配置のあとで被処理物Ｓ
１をホルダ２ａにＯリング８を介して固定し、被処理物
Ｓ１とホルダ２ａとの間に所定圧の温度制御用ガスを封
じ込め、その後、被処理物Ｓ１に目的とする処理を実施
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は被処理物を真空容器内の
ホルダ上に配置して所定真空下で該被処理物に目的とす
る処理を施す被処理物の真空処理方法及び装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の真空処理の代表的なものとして
次のような処理を例示することができる。 半導体を利用した薄膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽
電池等の各種デバイスを製造するにあたり、基板上に形
成された金属膜を配線パターン、電極パターン等を残し
てエッチングしたり、基板上に形成された半導体膜を所
定パターンを残してエッチングしたりするイオンビーム
エッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
るドライエッチング処理。 半導体利用の各種デバイスを製造するにあたり半導
体膜を形成したり、配線形成用、電極形成用等の金属膜
や絶縁膜を形成したり、或いは機械部品、工具等に耐磨
耗性膜、耐食性膜等を形成するための、プラズマＣＶＤ
法等のＣＶＤ法、真空蒸着法等による膜形成処理。 機械部品、工具等の表面をそれらの用途に適した性
質に改質したり、半導体デバイス製造にあたりウェル注
入、各種ドーパントの注入等を行うためのイオン注入処
理。

【０００３】このようなエッチング処理においては、例
えばエッチングパターン形成のためのレジストの損傷を
防止したり、エッチング条件を安定化させる等のため
に、膜形成処理においては、成膜速度を制御する等のた
めに、また、イオン注入処理においては、イオン注入さ
れる被処理物自体を保護する等のために、被処理物の温
度を制御することが要求される。

【０００４】ここで半導体ウェハの反応性エッチングに
よるエッチング処理を例にとって説明すると、図５に示
すように、被エッチングウェハＳ４が真空容器１内に搬
入され、該容器内の高周波電極を兼ねるホルダ２ａ上に
配置される。次いで該容器１内がコンダクタンスバルブ
３１及びゲート弁３２を介して真空ポンプ３３にて排気
され、バルブ３１の制御にて所定真空度とされるととも
に該容器内にガス導入部４からエッチング用ガスが導入
される。

【０００５】そして、導入されたエッチングガスは、電
極兼ホルダ２ａにマッチングボックス５１を介して高周
波電源５２から高周波電圧が印加されることでプラズマ
Ｐ化し、それによって発生したイオン、ラジカルといっ
た活性種がウェハＳ４をエッチングする。なお、この例
では容器１は接地されている。また、図中７は圧力計で
ある。

【０００６】このようなドライエッチングにおいては、
高周波電圧印加時に真空容器１内に投入されたパワーが
ウェハＳ４にも流れ込んで熱に変換される。このように
ウェハＳ４が加熱されるため、蓄熱が進むと、ウェハＳ
上に形成したパターン形成レジストが損傷し易くなった
り、損傷したりして、あるいはエッチング条件が不安定
になり、所望のパターンで精度良くエッチングできなく
なるが、ウェハＳ４の裏面のホルダ２ａと接している部
分及びウェハＳ４とホルダ２ａの間隙に入り込んだエッ
チングガスを通してホルダ２ａへ熱が逃がされる。ま
た、これだけでは熱を十分逃がせないときは、ホルダ２
ａに水等の冷媒を供給循環させるチラー６が接続され、
このチラー６へ熱が逃がされる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、被処理物とそのホルダとの間に介在するプロセスガ
スはそれ自体熱伝導度が低かったり、それ自体の熱伝導
度が良かったとしても十分な熱伝導を可能とする圧力に
達していないことが殆どであり、また、被処理物裏面の
ホルダと接触する部分は、その部分をもってホルダ側へ
被処理物の熱を逃がしたり、逆にホルダ側から被処理物
を加熱して被処理物の温度を制御できるに十分なもので
はない。

【０００８】前記半導体ウェハＳ４のＲＩＥエッチング
においても、このことが当てはまり、ホルダ２ａに印加
する高周波電力を変えると、ウェハＳ４の温度が変わっ
てしまい、印加する高周波電力とウェハＳ４の温度を独
立して制御し難い。この問題を解決しようとして真空容
器１内のエッチングガス圧を、大きい熱伝導度を得よう
として高くすると、同様のＤＣバイアスを得るためには
それだけ高周波電力を高くしなければならず、そのため
にウェハＳの温度がそれだけ上昇してしまうという問題
がある。

【０００９】このような問題を解決する手段として、特
公平２−２７７７８号公報は、被処理物とこれを支持す
るホルダの間に、該ホルダに予め設けたオリフィスを介
して高熱伝導率のガスを加圧下に送給し、この送給され
た加圧ガスを通して被処理物とホルダとの間で熱の授受
を行わせ、それによって被処理物温度を所望のプロセス
温度に制御することを教えているが、本発明はこれとは
異なる手法により、被処理物とそれを支持するホルダと
の間に温度制御用ガスを介在させることで被処理物の温
度制御を可能とする被処理物の真空処理方法及び装置を
提供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決する本
発明による被処理物の真空処理方法は、被処理物を真空
容器内のホルダ上に配置して所定真空下で被処理物に目
的とする処理を施す被処理物の真空処理方法であって、
前記真空容器内に温度制御用ガスを導入して予め定めた
圧力の該ガスを配置する工程、前記ガス導入配置工程の
あとで被処理物を前記ホルダに気密シール用部材を介し
て固定し、該被処理物とホルダとの間に前記導入した所
定圧の温度制御用ガスを封じ込める工程、及び前記ガス
封じ込め工程よりあとで前記被処理物に目的とする処理
を実施する工程を含むことを特徴とする。

【００１１】また、本発明による被処理物の真空処理装
置は、真空排気装置が付設された真空容器と、被処理物
を配置するための、前記容器内に設置されたホルダと、
前記被処理物を前記ホルダに固定するための手段と、前
記真空容器内に温度制御用ガスを導入して予め定めた圧
力の該ガスを配置する手段と、前記被処理物に目的とす
る処理を実施するための処理手段とを備えたことを特徴
とする。

【００１２】この真空処理方法及び装置において、前記
ホルダの熱容量が小さい等の理由で、単に被処理物とホ
ルダとの間に温度制御用ガスを封じ込めただけでは被処
理物の温度制御を行い難い場合には、前記目的とする処
理の実施においてホルダの温度を、被処理物温度を所定
温度に維持する方向に制御してもよく、そのために、ホ
ルダに対しチラー、加熱ヒータ等のホルダ温度制御手段
を設けてもよい。

【００１３】また、被処理物とホルダとの間に封じ込め
た温度制御用ガスの圧力を、所望の熱伝導度が得られる
圧力としておくために監視してもよく、そのために該ガ
ス圧を監視するための圧力センサ、圧力計のような監視
手段を設けてもよい。被処理物に施す目的とする処理と
しては代表的にはドライエッチング処理、膜形成処理及
びイオン注入処理を挙げることができる。そして、その
ための処理手段を設けることができる。

【００１４】かかる処理手段は、本発明の前記真空処理
装置における、真空容器内に温度制御用ガスを導入配置
する手段を構成要素として含むものでもよく、また、か
かる温度制御用ガス導入配置手段とは別個のものでもよ
い。温度制御用ガス導入配置手段を構成要素として含む
場合には、該温度制御用ガスが目的とする処理を施すた
めのプロセスガスの全部又は一部であってもよい。この
場合には、被処理物とホルダとの間に温度制御用ガスを
封じ込めたあと、不足するプロセスガス又はその一部を
追加したり、多過ぎるプロセスガス又はその一部を多過
ぎる分排出すること等で、目的とする処理条件を設定で
きる利点がある。

【００１５】温度制御用ガスとしては、それがプロセス
ガスの全部又は一部を兼ねている場合も含めて、熱伝導
率の良い窒素ガス、ヘリウムガス、水素ガス、ネオンガ
ス等を例示できる。なお、温度制御用ガスがプロセスガ
スの全部又は一部を兼ねていない場合、該ガスを被処理
物とホルダとの間に封じ込めたあと、真空容器内に残る
該ガスを、目的とする処理に先立って、必要に応じ、容
器外へ排出することができる。

【００１６】また、前記温度制御用ガスを真空容器内に
導入配置するにあたって、必要に応じ、容器内の既存ガ
スを予め排気するとか、ガス導入と共に排出する等し
て、既存ガスを全部又は一部排出することができる。

【００１７】

【作用】本発明真空処理方法及び装置によると、被処理
物が真空容器内のホルダ上に固定されるに先立って該容
器内に温度制御用ガスが導入され、容器内におけるその
ガス圧が予め定めたガス圧とされる。その後、該被処理
物が気密シール用部材を介して前記ホルダ上に固定され
る。被処理物は、その搬入機構や処理の種類等に応じ、
前記ガスの容器内への導入開始に先立って容器内に搬入
されてもよいし、前記ガスの導入後に容器内に搬入され
てもよい。

【００１８】被処理物が気密シール部材を介してホルダ
に固定されることで、該被処理物とホルダとの間に温度
制御用ガス圧に設定された温度制御用ガスが封じ込めら
れる。なお、前記温度制御用ガスの容器内への導入配置
にあたっては、容器内の既存ガスが、必要に応じ、予め
排気されるとか、ガス導入と共に排気される等して実質
上全部又は一部が排除されてもよい。

【００１９】いずれにしても被処理物をホルダに固定し
た段階で、該被処理物とホルダとの間に温度制御用ガス
が封じ込められ、且つ、該被処理物とホルダとの間に閉
じ込められたガスの圧力が温度制御に適する圧力となる
ようにする。このように温度制御用ガスが封じ込められ
たあと、真空容器内が目的とする処理に合った条件に設
定され、該処理が実施される。

【００２０】前記目的とする処理に合った条件とは、例
えば反応性イオンエッチング処理の場合は、容器内に所
定量のエッチングガスを配置し、これを放電下にプラズ
マ化できる条件であり、プラズマＣＶＤ処理では容器内
に所定量の成膜用ガスを配置し、これを放電下にプラズ
マ化できる条件であり、イオン注入処理では、予め設け
たイオン源に原料ガスを導入し、これをイオン化して、
所望のイオンを引き出せる条件等である。

【００２１】いずれにしても目的とする処理が実施され
る間、被処理物とホルダとの間で、封じ込められた温度
制御用ガスを通して熱の授受が行われ、該被処理物の温
度が制御される。必要に応じホルダの温度を制御する場
合には、該ホルダ温度制御のもとに、被処理物温度が抑
制される。

【００２２】封じ込めたガスの圧力を監視するときは、
これによってガス圧力異常を検出し、目的とする処理の
開始前であれば、ガス封じ込めをし直すことができる
し、被処理物のホルダへの固定手段や気密シール部材等
の点検等を行える。処理中であれば、その処理を中断し
たり、処理終了後に、次の処理に備え前記固定手段やシ
ール部材等の点検を行える。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１の図（Ａ）は本発明の１実施例であるＲＩＥ
に用いるエッチング装置を示し、図（Ｂ）は図（Ａ）に
おける基体ホルダとその周辺部を示している。このエッ
チング装置は、図５に示す従来装置において、高周波電
極を兼ねるホルダ２ａの上面に形成した環状溝２１に、
半導体ウェハＳ１と該ホルダとの間に温度制御用ガスを
封じ込めるための環状のＯリング（オーリング）８を備
え、ウェハＳ１をＯリング８を介してホルダ２ａ上に押
圧固定するためのクランプ装置１００が設置されてい
る。クランプ装置１００はウェハＳ１の周辺部をＯリン
グ８を介して上方からホルダ２ａに押圧固定するための
押さえリング１０とこれを昇降駆動するエアシリンダ装
置９からなっている。また、図５の装置におけるチラー
６に代え、ホルダ２ａを異なる温度に制御する二つのチ
ラー６１、６２が設けられ、チラー切換器６３にて切換
え使用されるようになっている。その他の構成は図５の
装置と同じであり、図５の装置における部品と同じ部品
については同じ参照符号を付してある。

【００２４】以上説明したエッチング装置によると、本
発明方法は次の様に実施される。ウェハＳ１が容器１内
に搬入され、次いで真空容器１内からコンダクタンスバ
ルブ３１おひゲート弁３２を介して真空ポンプ３３によ
り既存のガスが排気される。次いで圧力計７にて容器内
圧力を計測しつつコンダクタンスバルブ３１の制御のも
とに、ガス供給部４から、容器１内が所定のガス圧とな
るまで温度制御用ガスが導入される。さらにウェハＳ１
が図示しない昇降手段でＯリング８上に載置され、該ウ
ェハＳ１はクランプ装置１００のエアシリンダ装置９に
より下降駆動される押さえリング１０によりホルダ２ａ
上にＯリング８を介して押圧固定される。かくしてウェ
ハＳ１、ホルダ２ａ及びＯリング８に囲まれた部分に温
度制御用ガスが封じ込められる。このときウェハＳ１の
下面の一部がホルダ２ａに接触することがあっても構わ
ない。その後、排気装置３の必要に応じた運転とガス供
給部４からのエッチング用ガスの導入により容器１内が
所望のエッチングに必要なエッチングガスが存在する状
態及びガス圧とされ、該エッチングガスはホルダ２ａに
マッチングボックス５１を介して高周波電源５２から高
周波電力が印加されることでプラズマＰ化し、それによ
って発生したイオン、ラジカルといった活性種がウェハ
Ｓ１をエッチングする。高周波電力印加によりウェハＳ
１に蓄積されようとする熱は、ウェハＳ１とホルダ２ａ
との間に封じ込められた温度制御用ガスを介してホルダ
２ａに逃がされ、さらにチラー６１又は６２によりホル
ダ２ａに冷媒が供給循環されることにより該チラーに逃
がされる。

【００２５】次に、図１に示すエッチング装置による本
発明のエッチング方法の具体例について説明する。 実施例 先ず、表面に厚さ０．５μｍの酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ₂ ）膜を、その上に厚さ１μｍの、シリコン１％含有
アルミニウム（Ａｌ）膜を形成し、さらにその上にレジ
ストにて配線パターンを描き１３０℃で３０分間ベーク
を行った直径１５０ｍｍのシリコンウェハＳ１を容器１
内に搬入した。次に、真空容器１内を１０^-3Ｔｏｒｒの
真空度とした後、温度制御用ガスとして窒素（Ｎ₂ ）ガ
スを流量１００ｓｃｃｍで導入し、容器１内の窒素ガス
圧を１０Ｔｏｒｒとした。次いで、前記シリコンウェハ
Ｓ１をＯリング８を介してホルダ２ａ上に載置し、クラ
ンプ装置１００のエアシリンダ装置９の駆動による押さ
えリング１０の下降により、ウェハＳ１をＯリング８を
介してホルダ２ａに押圧固定し、Ｎ₂ ガスをウェハＳ
１、ホルダ２ａ及びＯリングに囲まれた部分に封じ込め
た。その後、容器１内へのガス導入を、エッチングガス
としてＮ₂ ガス（５０ｓｃｃｍ）、塩素（Ｃｌ₂ ）ガス
（２５ｓｃｃｍ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃ ）ガス（５
０ｓｃｃｍ）、クロロホルム（ＣＨＣｌ₃ ）ガス（１０
ｓｃｃｍ）に切り換え、容器１内のガス圧を０．４Ｔｏ
ｒｒとした。さらに１３．５６ＭＨｚの高周波電力を４
００Ｗで５分間、電極兼ホルダ２ａに印加して前記エッ
チングガスをプラズマ化させ、ウェハＳ１のＡｌ膜をエ
ッチングした。また、この間、一方のチラー６１により
ホルダ２ａ温度を９０℃に制御した。この結果、ウェハ
Ｓ１は１０４℃〜１１０℃の温度に制御され、レジスト
の損傷が低減され、所望のパターンで精度よくエッチン
グが行われた。なお、ウェハＳ１の温度はウェハＳ１の
表面に予め設けておいた温度測定用サーモラベル１１に
より確認した（図１の図（Ｂ）参照）。

【００２６】比較例 図５に示すＯリング無し、クランプ装置無しの従来装置
を用いて、温度制御用ガスの封じ込め無しで、上記実施
例と同様のエッチング条件で、エッチングを行ったとこ
ろ、ウェハＳ４の温度はサーモラベルで確認したところ
１７１℃〜１７７℃の範囲であった。この高温によりレ
ジストが損傷し、エッチングで得られた配線幅はレジス
トのパターン幅より細くなり、所望のパターンで精度よ
くエッチングを行うことができなかった。

【００２７】実施例では、チラーの設定温度とウェハＳ
１の温度との差は１４〜２０℃の範囲にあり、比較例で
の８１〜８７℃の範囲に比べて、この差は約１／５に抑
えられたことが分かる。以上のことから実施例によるエ
ッチングの良好な精度は、ウェハとホルダの間に閉じ込
められた所定圧の温度制御用ガスによりウェハ温度の上
昇が低減されたことに起因することが裏付けられた。

【００２８】図２は、本発明による他のエッチング装置
における基体ホルダとその周辺部の拡大図である。この
エッチング装置は図１に示す装置において、ウェハＳ
１、ホルダ２ａ及びＯリング８とに囲まれた部分に封じ
込めた温度制御用ガスの圧力を監視するための圧力セン
サ１２が、ホルダ２ａに設けたガス通孔２２を介して接
続されたものである。その他の構成は図１の装置と同様
であり、エッチング動作も同様である。

【００２９】このエッチング装置によると、温度制御用
ガスがウェハＳ１とホルダ２ａとの間に封じ込められた
後、圧力センサ１２により該ガスの圧力がモニタされ、
その結果、エッチング操作中、該ガスの圧力が所望の熱
伝導度が得られる圧力に維持されているかどうかを確認
できることにより、エッチング不良を早期に回避するこ
とができ、歩留りが向上する。

【００３０】図３は、本発明によるプラズマＣＶＤ装置
を示している。この装置は真空容器１３を有し、その中
にウェハＳ２を支持するホルダ２ｂが設置され、図１に
示すエッチング装置と同様に、クランプ装置１００のエ
アシリンダ装置９の駆動による押さえリング１０の下降
により、ウェハＳ１をＯリング８を介してホルダ２ｂに
押圧固定できる構造となっている。ホルダ２ｂは接地電
極を兼ね、また、ウェハＳ２を成膜温度に加熱するヒー
タ２１０が付設されている。電極１４は、成膜用ガス供
給部１５ａから導入される成膜用ガスに高周波電力を印
加してプラズマ化させるための高周波電極で、マッチン
グボックス１６を介して高周波電源１７が接続されてい
る。電極１４は電極の一部を構成するガスノズル１４１
の開口部に多孔電極板１４２を設けたもので、電極板１
４２にはガス供給孔を多数形成してあり、成膜用ガスの
ガス源１５ａからガスノズル１４１を介して供給される
成膜用ガスが各孔から両電極間に全体的に放出されるよ
うにしてある。また、ガス源１５ａとは別に温度制御用
ガス源１５ｂが備えられている。真空容器１３には図１
のエッチング装置と同様に、コンダクタンスバルブ３１
及びゲート弁３２を介して真空ポンプ３３が接続されて
おり、また、容器１３内の圧力を測定する圧力計７が付
設されている。

【００３１】以上説明したプラズマＣＶＤ装置による
と、図１のエッチング装置と同様の動作でウェハＳ２、
ホルダ２ｂ及びＯリング８とに囲まれた部分に温度制御
用ガスが封じ込められる。さらに、排気装置３の運転に
て所定の真空度とされ、ガス供給部１５ａからノズル１
４１及び電極板１４２のガス供給孔を介して成膜用ガス
が導入される。また、高周波電極１４に電源１７から高
周波電力が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下でウェハＳ２表面に所
望の膜が形成される。この間、ヒータ２１０により発生
した熱はホルダ２ｂ及び温度制御用ガスを介してウェハ
Ｓ１に伝導し、ウェハＳ１は所定の成膜温度に維持され
る。

【００３２】以上の操作により成膜速度が制御され、ウ
ェハＳ２表面に所望の膜が効率よく形成される。図４は
本発明のさらに他の実施例に用いるイオン注入装置を示
している。この装置は図１に示すエッチング装置におい
て、接地された真空容器１に代えて真空容器１８を有
し、ガス供給部４に代えて温度制御用ガスのガス供給部
１９を備え、イオン源２０を備えている。さらにウェハ
Ｓ３付近にはイオン電流測定器２１、ここでは水晶振動
子を備えたイオン電流測定器が配置されている。

【００３３】このイオン注入装置によると、図１のエッ
チング装置と同様の動作でウェハＳ３、ホルダ２ｃ及び
Ｏリング８に囲まれた部分に温度制御用ガスが封じ込め
られる。さらに排気装置３の運転にて所定真空度とされ
た後、イオン源２０からイオン照射され、ウェハＳ３表
層部に該イオンが注入される。この間、加速されたイオ
ンが有するエネルギは熱エネルギとしてウェハＳ３に蓄
積されようとするが、温度制御用ガスを介してホルダ２
ｃに逃がされ、さらにチラー６１又は６２に逃がされ
る。

【００３４】以上の操作によりウェハＳ３の損傷が低減
され、良好なイオン注入が行われる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、被
処理物とそれを支持するホルダとの間に温度制御用ガス
を介在させることで被処理物の温度制御を可能とする被
処理物の真空処理方法及び装置を提供することができ
る。また、ホルダに対しチラー、加熱ヒータ等で温度制
御するときには、被処理物を一層確実に所定温度に維持
するように制御することができる。

【００３６】また、被処理物とホルダとの間に封じ込め
た温度制御用ガスの圧力が所望の熱伝導度が得られる圧
力であるかどうかを監視するときには、処理不良を早期
に回避することができ、歩留りを向上させることができ
る。前記処理がドライエッチングであるときには、被処
理物に蓄積される熱によるレジストの損傷が防止され、
エッチング条件も安定し、所望のパターンで精度よくエ
ッチングが行われる。また、エッチング用キャリアガス
として熱伝導率の高いガスを用いる場合（例えば、
Ｎ₂ 、Ｈｅ、Ｈ₂ 等）には温度制御用ガスとエッチング
用キャリアガスとでガス源を共用できる。また、特公平
２−２７７７８号公報に開示されているように、温度制
御用ガスをホルダに設けられたオリフィスを介して被処
理物の裏面部分へ送給する方法では、ＲＩＥ等で電力印
加電極を兼ねるホルダを介して被処理物に電力を印加す
る場合、被処理物裏面部分に裏面プラズマが発生し、電
力のロスや被処理物裏面へのスパッタが生じるが、本発
明では、このような問題は生じない。

【００３７】前記処理がＣＶＤ法、真空蒸着法等による
膜形成であるときには、被処理物と印加電力が独立に制
御されることにより、所定の成膜温度の維持により成膜
速度が制御され、効率の良い成膜が行われる。また、成
膜用ガスとして熱伝導率の高いガスを用いる場合には、
温度制御用ガスと成膜用ガスとでガス源を共用できる。

【００３８】前記処理がイオン注入であるときには、高
エネルギイオンによる被処理物の加熱損傷が低減され、
良好なイオン注入が行われる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図（Ａ）は本発明の１実施例である反応性イオ
ンエッチング装置の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）
は図（Ａ）の装置におけるホルダ及びその周辺部分を示
す図である。

【図２】本発明の他の実施例である反応性イオンエッチ
ング装置におけるホルダ及びその周辺部分を示す図であ
る。

【図３】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示す図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例であるイオン注入装
置の概略構成を示す図である。

【図５】従来の反応性イオンエッチング装置の１例の概
略構成を示す図である。

【符号の説明】

１、１３、１８ 真空容器 ２ａ ホルダ兼高周波電極 ２ｂ ホルダ兼接地電極 ２ｃ ホルダ ２１０ ヒータ ３ 排気装置 ３１ コンダクタンスバルブ ３２ ゲート弁 ３３ 真空ポンプ ４、１５ａ、１５ｂ、１９ ガス供給部 ５１、１６ マッチングボックス ５２、１７ 高周波電源 ６、６１、６２ チラー ６３ チラー切換え器 ７ 圧力計 ８ Ｏリング ９ エアシリンダ装置 １０ 押さえリング １００ クランプ装置 １１ サーモラベル １２ 圧力センサ １４ 高周波電極 １４１ ガスノズル １４２ 多孔電極板 ２０ イオン源 ２１ イオン電流測定器 ２２ ガス通孔 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ ウェハ Ｐ プラズマ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 21/324 Ｍ 8617−4Ｍ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物を真空容器内のホルダ上に配置
   して所定真空下で被処理物に目的とする処理を施す被処
   理物の真空処理方法であって、前記真空容器内に温度制
   御用ガスを導入して予め定めた圧力の該ガスを配置する
   工程、前記ガス導入配置工程のあとで被処理物を前記ホ
   ルダに気密シール用部材を介して固定し、該被処理物と
   ホルダとの間に前記導入配置した所定圧の温度制御用ガ
   スを封じ込める工程、及び前記ガス封じ込め工程よりあ
   とで前記被処理物に目的とする処理を実施する工程を含
   むことを特徴とする被処理物の真空処理方法。
2. 【請求項２】 前記目的とする処理の実施工程におい
   て、前記ホルダの温度を被処理物を所定温度に維持する
   方向に制御する請求項１記載の被処理物の真空処理方
   法。
3. 【請求項３】 前記被処理物と前記ホルダとの間に封じ
   込めたガスの圧力を監視することを含む請求項１又は２
   記載の被処理物の真空処理方法。
4. 【請求項４】 前記目的とする処理が被処理物のドライ
   エッチング処理である請求項１、２又は３記載の被処理
   物の真空処理方法。
5. 【請求項５】 前記目的とする処理が被処理物へのイオ
   ン注入処理である請求項１、２又は３記載の被処理物の
   真空処理方法。
6. 【請求項６】 前記目的とする処理が被処理物への膜形
   成処理である請求項１、２又は３記載の被処理物の真空
   処理方法。
7. 【請求項７】 真空排気装置が付設された真空容器と、 被処理物を配置するための、前記容器内に設置されたホ
   ルダと、 前記被処理物を前記ホルダに固定するための手段と、 前記真空容器内に温度制御用ガスを導入して予め定めた
   圧力の該ガスを配置する手段と、 前記被処理物に目的とする処理を実施するための処理手
   段とを備えたことを特徴とする被処理物の真空処理装
   置。
8. 【請求項８】 前記ホルダの温度を制御する手段を備え
   た請求項７記載の被処理物の真空処理装置。
9. 【請求項９】 前記ホルダに配置される被処理物と該ホ
   ルダとの間のガス圧を監視する手段を備えた請求項７又
   は８記載の被処理物の真空処理装置。
10. 【請求項１０】 前記処理手段が被処理物をドライエッ
    チングする手段である請求項７、８又は９記載の被処理
    物の真空処理装置。
11. 【請求項１１】 前記処理手段が被処理物へイオン注入
    する手段である請求項７、８又は９記載の被処理物の真
    空処理装置。
12. 【請求項１２】 前記処理手段が被処理物へ膜形成する
    手段である請求項７、８又は９記載の被処理物の真空処
    理装置。