JPS634702B2 - - Google Patents
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- JPS634702B2 JPS634702B2 JP55124819A JP12481980A JPS634702B2 JP S634702 B2 JPS634702 B2 JP S634702B2 JP 55124819 A JP55124819 A JP 55124819A JP 12481980 A JP12481980 A JP 12481980A JP S634702 B2 JPS634702 B2 JP S634702B2
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- heating table
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 138
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板加熱保持装置の改良に関する。
半導体装置の製造工程に於て、半導体基板面の
レーザ・アニールを行う際、或るいは高温顕微鏡
により半導体基板面を観察する際等にホツト・チ
ヤツクと称する基板加熱保持装置が使用される。
そして従来のホツト・チヤツクは第１図に示す断
面図のように、例えば下部に加熱装置１が埋設さ
れた真空吸引機構２を有する基板加熱台３が、断
熱体４を介してステージ５に固定されており、被
処理基板６を基板加熱台３上の基板拘持面７に、
真空吸引機構２により密着拘持して昇温せしめる
構造になつている。
レーザ・アニールを行う際、或るいは高温顕微鏡
により半導体基板面を観察する際等にホツト・チ
ヤツクと称する基板加熱保持装置が使用される。
そして従来のホツト・チヤツクは第１図に示す断
面図のように、例えば下部に加熱装置１が埋設さ
れた真空吸引機構２を有する基板加熱台３が、断
熱体４を介してステージ５に固定されており、被
処理基板６を基板加熱台３上の基板拘持面７に、
真空吸引機構２により密着拘持して昇温せしめる
構造になつている。
然し上記のような従来のホツト・チヤツクに於
ては、被処理基板が大径化し、それに伴つて厚さ
が厚くなると、該処理基板を、例えば400〜500
〔℃〕程度の処理温度に上昇せしめたホツト・チ
ヤツク上に、室温からいきなり拘持せしめた場合
に熱歪みにより被処理基板が割れる場合がある。
従つて従来のホツト・チヤツクに於ては、着脱時
の被処理基板の割れを防止するための一手段とし
てホツト・チヤツクの温度を100〜200〔℃〕程度
の温度に下降させた状態で被処理基板をホツト・
チヤツクに拘持せしめた後、ホツト・チヤツクの
温度を400〜500〔℃〕程度の所望の処理温度に上
昇せしめ、所望の処理を行い、然る後再びホツ
ト・チヤツクの温度を100〜200〔℃〕程度まで下
降せしめてから被処理基板を取りはずす方法が行
われていた。然しこの方法はホツト・チヤツクの
昇温及び降温に時間がかかり、処理効率が極めて
悪い。そこで他の一手段として別に予熱装置及び
徐冷装置を設け、該予熱装置に於て所望の温度ま
で徐々に昇温せしめた被処理基板をホツト・チヤ
ツク上に拘持せしめ、所望の処理を行つた後、該
被処理基板を徐冷装置に移して所望の温度まで下
降せしめる方法も用いられる。然しこの方法は処
理温度に適合した予熱装置及び徐冷装置を設ける
必要があるので、多種少量生産工程や試作工程の
ように、処理温度が頻繁に変る場合には不適当で
あつた。
ては、被処理基板が大径化し、それに伴つて厚さ
が厚くなると、該処理基板を、例えば400〜500
〔℃〕程度の処理温度に上昇せしめたホツト・チ
ヤツク上に、室温からいきなり拘持せしめた場合
に熱歪みにより被処理基板が割れる場合がある。
従つて従来のホツト・チヤツクに於ては、着脱時
の被処理基板の割れを防止するための一手段とし
てホツト・チヤツクの温度を100〜200〔℃〕程度
の温度に下降させた状態で被処理基板をホツト・
チヤツクに拘持せしめた後、ホツト・チヤツクの
温度を400〜500〔℃〕程度の所望の処理温度に上
昇せしめ、所望の処理を行い、然る後再びホツ
ト・チヤツクの温度を100〜200〔℃〕程度まで下
降せしめてから被処理基板を取りはずす方法が行
われていた。然しこの方法はホツト・チヤツクの
昇温及び降温に時間がかかり、処理効率が極めて
悪い。そこで他の一手段として別に予熱装置及び
徐冷装置を設け、該予熱装置に於て所望の温度ま
で徐々に昇温せしめた被処理基板をホツト・チヤ
ツク上に拘持せしめ、所望の処理を行つた後、該
被処理基板を徐冷装置に移して所望の温度まで下
降せしめる方法も用いられる。然しこの方法は処
理温度に適合した予熱装置及び徐冷装置を設ける
必要があるので、多種少量生産工程や試作工程の
ように、処理温度が頻繁に変る場合には不適当で
あつた。
本発明は上記問題点に鑑み、被処理基板の熱歪
みによる割れを防止する目的で、被処理基板の加
熱温度に見合つた予熱或るいは徐冷を短時間で行
うことができる機構を具備せしめた基板加熱保持
装置を提供する。
みによる割れを防止する目的で、被処理基板の加
熱温度に見合つた予熱或るいは徐冷を短時間で行
うことができる機構を具備せしめた基板加熱保持
装置を提供する。
即ち本発明は、加熱手段を内蔵し、被処理基板
を吸引拘持する機能を有する基板加熱台と、被処
理基板を該基板加熱台の基板拘持面と所要の距離
隔ててほぼ平行に支持して該基板拘持面からの輻
射熱により加熱する機能及び該被処理基板を該基
板拘持面に対して前後方向に移動する機能を有す
る基板予備加熱機構とを具備し、処理温度に昇温
せしめられた該基板加熱台の基板拘持面に対し、
該基板予備加熱機構を介して被処理基板の着脱が
なされることを特徴とする。
を吸引拘持する機能を有する基板加熱台と、被処
理基板を該基板加熱台の基板拘持面と所要の距離
隔ててほぼ平行に支持して該基板拘持面からの輻
射熱により加熱する機能及び該被処理基板を該基
板拘持面に対して前後方向に移動する機能を有す
る基板予備加熱機構とを具備し、処理温度に昇温
せしめられた該基板加熱台の基板拘持面に対し、
該基板予備加熱機構を介して被処理基板の着脱が
なされることを特徴とする。
以下本発明を第２図に示す一実施例の上面模式
図ａ及び断面模式図ｂ、第３図に示す他の一実施
例の断面模式図を用いて詳細に説明する。
図ａ及び断面模式図ｂ、第３図に示す他の一実施
例の断面模式図を用いて詳細に説明する。
本発明の構造を有するホツト・チヤツクの一実
施例に於ては、第２図ａ及びｂに示すように、例
えば下部に加熱装置１が埋設されており、真空吸
引機構２を有し、上面の被処理基板拘持面７が円
形に形成された基板加熱台３が、断熱体４を介し
てステージ５に固定されている。そして該基板加
熱台３、断熱体４及びステージ５には、基板加熱
台３の基板拘持面７の中心から対称な少なくとも
３ケ所以上の部位にそれ等を貫通する孔が設けら
れており、該貫通孔には被処理基板拘持面７上に
同じ高さに突き出すことができる上下摺動機構
（図示せず）を有し、且つ基部が一体化された基
板支持桿９が断熱管１０を介して配設されてお
り、該支持桿９の先端で被処理基板６を担持し、
該被処理基板６を基板加熱台３の基板拘持面７か
ら所望の距離を隔てた位置に於て基板拘持面７と
ほぼ平行に保持し得る構造の予備加熱機構を有し
ている。
施例に於ては、第２図ａ及びｂに示すように、例
えば下部に加熱装置１が埋設されており、真空吸
引機構２を有し、上面の被処理基板拘持面７が円
形に形成された基板加熱台３が、断熱体４を介し
てステージ５に固定されている。そして該基板加
熱台３、断熱体４及びステージ５には、基板加熱
台３の基板拘持面７の中心から対称な少なくとも
３ケ所以上の部位にそれ等を貫通する孔が設けら
れており、該貫通孔には被処理基板拘持面７上に
同じ高さに突き出すことができる上下摺動機構
（図示せず）を有し、且つ基部が一体化された基
板支持桿９が断熱管１０を介して配設されてお
り、該支持桿９の先端で被処理基板６を担持し、
該被処理基板６を基板加熱台３の基板拘持面７か
ら所望の距離を隔てた位置に於て基板拘持面７と
ほぼ平行に保持し得る構造の予備加熱機構を有し
ている。
そして該第１実施例のホツト・チヤツクに於て
は、基板加熱台は予め所望の処理温度に上昇せし
められており、該基板加熱台上に被処理基板を拘
持せしめる際には、被処理基板拘持面からの所望
の高さに突出せしめられ予備加熱機構を構成する
基板支持桿上に被処理基板を載置し、被処理基板
を基板拘持面からの輻射熱により所望の時間予備
加熱し、所望の温度まで徐々に昇温せしめて後、
基板支持桿を下降せしめて被処理基板を基板加熱
台の被処理基板拘持面に吸引固着せしめる。そし
て所望の処理が完了したならば基板加熱台の吸引
を解き、基板支持桿を上昇せしめ、被処理基板を
基板拘持面から所望の距離はなれた位置に押し上
げ所望の時間保持し、室温の場所に取り出しても
割れることのない温度まで徐冷してから被処理基
板を取りはずす。
は、基板加熱台は予め所望の処理温度に上昇せし
められており、該基板加熱台上に被処理基板を拘
持せしめる際には、被処理基板拘持面からの所望
の高さに突出せしめられ予備加熱機構を構成する
基板支持桿上に被処理基板を載置し、被処理基板
を基板拘持面からの輻射熱により所望の時間予備
加熱し、所望の温度まで徐々に昇温せしめて後、
基板支持桿を下降せしめて被処理基板を基板加熱
台の被処理基板拘持面に吸引固着せしめる。そし
て所望の処理が完了したならば基板加熱台の吸引
を解き、基板支持桿を上昇せしめ、被処理基板を
基板拘持面から所望の距離はなれた位置に押し上
げ所望の時間保持し、室温の場所に取り出しても
割れることのない温度まで徐冷してから被処理基
板を取りはずす。
又本発明の構造を適用したホツト・チヤツクの
他の一実施例に於ては第３図に示すように、例え
ばステージ５の下面に、加熱装置１を内蔵し、更
に真空吸引機構２を具備し、下面を被処理基板拘
持面７とする基板加熱台３が断熱体４を介して固
定されている。そして該基板加熱台３の被処理基
板拘持面７の下部には、例えば先端部が３〔本〕
以上の支管に分かれた石英管等からなり、前記支
管の先端部上に前記被処理基板拘持面７に対して
種々な距離を隔てて平行に被処理基板６を担持す
る構造を有し、且つ矢印１１に示すように被処理
基板拘持面７の下部領域外へ逃げる機構（図示せ
ず）を有する真空チヤツク１２が予備加熱機構と
して配設された構造を有してなつている。
他の一実施例に於ては第３図に示すように、例え
ばステージ５の下面に、加熱装置１を内蔵し、更
に真空吸引機構２を具備し、下面を被処理基板拘
持面７とする基板加熱台３が断熱体４を介して固
定されている。そして該基板加熱台３の被処理基
板拘持面７の下部には、例えば先端部が３〔本〕
以上の支管に分かれた石英管等からなり、前記支
管の先端部上に前記被処理基板拘持面７に対して
種々な距離を隔てて平行に被処理基板６を担持す
る構造を有し、且つ矢印１１に示すように被処理
基板拘持面７の下部領域外へ逃げる機構（図示せ
ず）を有する真空チヤツク１２が予備加熱機構と
して配設された構造を有してなつている。
そして該第２の実施例のホツト・チヤツクに於
ては、基板加熱台の下面に被処理基板を拘持せし
める際には、被処理基板を予備加熱機構の真空チ
ヤツク上に吸引固着した後、該真空チヤツクを前
記基板加熱台の被処理基板拘持面の下部領域に移
動し、真空チヤツクの高さを加減して、被処理基
板を基板加熱台の被処理基板拘持面に対して所望
の距離を隔てて所望の時間保持し、基板加熱台の
余熱により被処理基板を所望の温度まで徐々に昇
温せしめて後、真空チヤツクを上昇せしめ真空チ
ヤツクの真空を解き被処理基板を基板加熱台の被
処理基板拘持面に吸引固着せしめる。そして真空
チヤツクを被処理基板拘持面の下部領域から逸脱
せしめ、次いで所望の熱処理を行つた後、真空チ
ヤツクを被処理基板の下部に移動し、基板加熱台
の真空を解き被処理基板を真空チヤツク上に移し
取り、真空チヤツクを下降せしめて基板加熱台の
被処理基板拘持面と被処理基板との距離を所望の
距離に保つて所望の時間保持し、被処理基板を室
温に取り出しても割れることのない所望の温度ま
で徐冷して後、被処理基板を取りはずす。
ては、基板加熱台の下面に被処理基板を拘持せし
める際には、被処理基板を予備加熱機構の真空チ
ヤツク上に吸引固着した後、該真空チヤツクを前
記基板加熱台の被処理基板拘持面の下部領域に移
動し、真空チヤツクの高さを加減して、被処理基
板を基板加熱台の被処理基板拘持面に対して所望
の距離を隔てて所望の時間保持し、基板加熱台の
余熱により被処理基板を所望の温度まで徐々に昇
温せしめて後、真空チヤツクを上昇せしめ真空チ
ヤツクの真空を解き被処理基板を基板加熱台の被
処理基板拘持面に吸引固着せしめる。そして真空
チヤツクを被処理基板拘持面の下部領域から逸脱
せしめ、次いで所望の熱処理を行つた後、真空チ
ヤツクを被処理基板の下部に移動し、基板加熱台
の真空を解き被処理基板を真空チヤツク上に移し
取り、真空チヤツクを下降せしめて基板加熱台の
被処理基板拘持面と被処理基板との距離を所望の
距離に保つて所望の時間保持し、被処理基板を室
温に取り出しても割れることのない所望の温度ま
で徐冷して後、被処理基板を取りはずす。
なお上記実施例に於てはいずれも被処理基板を
予備加熱機構によつて基板加熱台から所望の距離
を隔てた一定の位置に保持して被処理基板の予熱
或るいは徐冷を行つたが、本発明の構造を有する
上記実施例のホツト・チヤツクは於ては、被処理
基板を予備加熱機構によつて基板加熱台に徐々に
近づけながら予熱を行い、又被処理基板を基板加
熱台から徐々に遠ざけながら徐冷すればより効果
的である。
予備加熱機構によつて基板加熱台から所望の距離
を隔てた一定の位置に保持して被処理基板の予熱
或るいは徐冷を行つたが、本発明の構造を有する
上記実施例のホツト・チヤツクは於ては、被処理
基板を予備加熱機構によつて基板加熱台に徐々に
近づけながら予熱を行い、又被処理基板を基板加
熱台から徐々に遠ざけながら徐冷すればより効果
的である。
又上記実施例に於ては本発明をホツト・チヤツ
クについて説明したが、本発明の構造は化学気相
成長等の高温化処理に用いられるサセブターにも
適用することができる。
クについて説明したが、本発明の構造は化学気相
成長等の高温化処理に用いられるサセブターにも
適用することができる。
以上説明したように本発明の基板加熱保持装置
は、被処理基板の予備加熱機構を具備しており、
基板加熱保持装置を昇温せしめた状態で、該基板
加熱保持装置に処理温度に見合つた適切な温度に
輻射加熱される予備加熱機構を介して被処理基板
の着脱を行うことができるので、熱歪みによる被
処理基板の割れを防止しながら、効率よく被処理
基板を昇温或いは降温せしめることができる。従
つて半導体基板の高温熱処理に際して、半導体基
板の熱歪みによる割れを防止するために、余熱或
いは徐冷用として特に装置を設ける必要がないの
で、半導体装置の多種少量生産或るいは試作工程
等に於て、温度の変更が多い半導体基板の熱処理
工程に於ける作業効率の向上、歩留まりの向上、
製造原価の低減に対して極めて有効である。
は、被処理基板の予備加熱機構を具備しており、
基板加熱保持装置を昇温せしめた状態で、該基板
加熱保持装置に処理温度に見合つた適切な温度に
輻射加熱される予備加熱機構を介して被処理基板
の着脱を行うことができるので、熱歪みによる被
処理基板の割れを防止しながら、効率よく被処理
基板を昇温或いは降温せしめることができる。従
つて半導体基板の高温熱処理に際して、半導体基
板の熱歪みによる割れを防止するために、余熱或
いは徐冷用として特に装置を設ける必要がないの
で、半導体装置の多種少量生産或るいは試作工程
等に於て、温度の変更が多い半導体基板の熱処理
工程に於ける作業効率の向上、歩留まりの向上、
製造原価の低減に対して極めて有効である。
第１図は従来のホツト・チヤツクの断面図、第
２図は本発明の構造を有するホツト・チヤツクに
於ける一実施例の上面模式図ａ及び断面模式図
ｂ、第３図は本発明の構造を有するホツト・チヤ
ツクに於ける他の一実施例の断面模式図である。 図に於て、１は加熱装置、２は真空吸引機構、
３は基板加熱台、４は断熱体、５はステージ、６
は被処理基板、７は基板拘持面、９は基板支持
桿、１０は断熱管、１１は真空チヤツク移動方向
矢印し、１２は真空チヤツクを示す。
２図は本発明の構造を有するホツト・チヤツクに
於ける一実施例の上面模式図ａ及び断面模式図
ｂ、第３図は本発明の構造を有するホツト・チヤ
ツクに於ける他の一実施例の断面模式図である。 図に於て、１は加熱装置、２は真空吸引機構、
３は基板加熱台、４は断熱体、５はステージ、６
は被処理基板、７は基板拘持面、９は基板支持
桿、１０は断熱管、１１は真空チヤツク移動方向
矢印し、１２は真空チヤツクを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱手段を内蔵し、被処理基板を吸引拘持す
る機能を有する基板加熱台と、 被処理基板を該基板加熱台の基板拘持面と所要
の距離隔ててほぼ平行に支持して該基板拘持面か
らの輻射熱により加熱する機能及び該被処理基板
を該基板拘持面に対して前後方向に移動する機能
を有する基板予備加熱機構とを具備し、 処理温度に昇温せしめられた該基板加熱台の基
板拘持面に対し、該基板予備加熱機構を介して被
処理基板の着脱がなされることを特徴とする基板
加熱保持装置。 ２ 上記基板予備加熱機構が、該基板加熱台を該
基板拘持面に対し垂直な方向に貫通して配設さ
れ、該基板拘持面に対して垂直な方向に一体に移
動することが可能な３本以上の基板支持桿よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
基板加熱保持装置。 ３ 上記基板予備加熱機構が、該基板加熱台の基
板拘持面に対向して配設された真空チヤツクより
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の基板加熱保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12481980A JPS5749248A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Substrate heating and retaining device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12481980A JPS5749248A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Substrate heating and retaining device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5749248A JPS5749248A (en) | 1982-03-23 |
| JPS634702B2 true JPS634702B2 (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=14894888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12481980A Granted JPS5749248A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Substrate heating and retaining device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5749248A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652709B2 (ja) * | 1983-09-02 | 1994-07-06 | 株式会社日立製作所 | 基板ベーク装置 |
| JPS61168238A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の検査装置 |
| JPH0521875Y2 (ja) * | 1986-06-14 | 1993-06-04 | ||
| JPH07111994B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1995-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 試料載置台 |
| JP4470199B2 (ja) | 2003-09-25 | 2010-06-02 | Ｓｍｃ株式会社 | 半導体基板の温度調節装置 |
| WO2014041905A1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | シャープ株式会社 | 試験用治具、検査装置、載置装置および試験装置 |
| DE112015000714B4 (de) | 2014-12-16 | 2017-05-11 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und Halbleiterwafer-Inspektionsverfahren |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220219Y2 (ja) * | 1973-04-10 | 1977-05-10 |
-
1980
- 1980-09-09 JP JP12481980A patent/JPS5749248A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5749248A (en) | 1982-03-23 |
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