KR100256512B1 - 진공처리장치 - Google Patents

진공처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100256512B1
KR100256512B1 KR1019960020198A KR19960020198A KR100256512B1 KR 100256512 B1 KR100256512 B1 KR 100256512B1 KR 1019960020198 A KR1019960020198 A KR 1019960020198A KR 19960020198 A KR19960020198 A KR 19960020198A KR 100256512 B1 KR100256512 B1 KR 100256512B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processed
vacuum
cooling
wafer
chamber
Prior art date
Application number
KR1019960020198A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970003396A (ko
Inventor
스스무 가토
히로후미 야마구치
Original Assignee
야마시타 히데나리
바리안 세미컨덕터 이큅먼트 가부시키가이샤
히가시 데쓰로
동경엘렉트론주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마시타 히데나리, 바리안 세미컨덕터 이큅먼트 가부시키가이샤, 히가시 데쓰로, 동경엘렉트론주식회사 filed Critical 야마시타 히데나리
Publication of KR970003396A publication Critical patent/KR970003396A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100256512B1 publication Critical patent/KR100256512B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Abstract

본 발명에 있어서는, 진공예비챔버내의 피처리체를 냉각하기 위한 냉각대에 피처리체와 냉각대 사이에 소정의 갭을 두고 피처리체를 지지하는 지지부재가 설치되어 있기 때문에, 피처리체를 냉각대와 직접 접촉시키지 않고 냉각시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 피처리체와 냉각대 사이의 면접촉에 기인하는 화학반응이 일어나지 않게 되어 피처리체가 오엽되지 않게 된다. 피처리체가 급속한 냉각에 의해 다소 휘어지거나 미소한 진동을 발생시킨다고 해도, 냉각대와 직접 접촉하지 않기 때문에, 파티클이 발생되지 않게 된다. 더욱이, 처리전의 피처리체를 예열하기 위한 예열장치가 냉각대 위에 설치된다. 따라서, 진공예비챔버를 처리후의 피처리체를 냉각하기 위해서 뿐만 아니라 처리전의 피처리체를 예열하는데 이용할 수 있고, 따라서 스루풋의 향상이 도모된다.

Description

진공처리장치
도 1는 본 발명의 1실시예에 따른 진공처리장치의 진공예비챔버를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1의 진공예비챔버의 냉각대의 주요부를 확대하여 나타낸 단면도.
도 3는 도 1의 진공예비챔버의 냉각대를 나타낸 평면도.
도 4는 진공예비챔버의 웨이퍼 지지구를 나타낸 사시도.
도 5는 진공처리장치의 전체구성을 개략적으로 나타낸 평면도.
도 6는 도 5에 나타낸 진공처리장치의 사시도이다.
[산업상의 이용분야]
본 발명은 진공예비챔버에서 피처리체가 냉각되는 경우에도 피처리체의 오염 및 파티클의 발생을 방지하여 수율의 향상을 도모할 수 있고, 처리전의 피처리체를 예열하고 처리후의 피처리체를 냉각하는데 진공예비챔버를 이용할 수 있는 진공처리장치에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
반도체장치의 제조공정에 있어서는, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼에 막형성, 산화, 도핑, 어닐링 및 에칭 등과 같은 각종의 처리를 실시한다. 이처리공정의 스루풋(throughput)을 향상시키고, 파티클의 발생을 방지하며, 스페이스를 적게 하기 위해 몇몇의 진공처리장치(일본 특개평 3-19252, 4-133422)가 제안되어 있다.
이들 진공처리장치에 있어서는, 대기압 수준으로 복귀가능한 내부압력을 갖는 진공예비챔버가 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하는 진공처리챔버에 접속되어 있다. 웨이퍼는 진공처리챔버를 통해 상기 진공예비챔버의 내부 또는 외부로 반입 반출될 수 있다.
몇몇의 진공처리장치에 있어서는, 진공예비챔버에 고온처리후의 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각대가 설치되어 있다. 이 진공처리장치에 의하면, 처리후의 웨이퍼를 상기 냉각대 위에 올려 놓고, 진공예비챔버에 불활성 가스를 공급하여 그 내부압력을 대기압 수준으로 복귀시키면서 웨이퍼의 냉각을 행하고 있다. 따라서, 처리후의 고온의 웨이퍼를 신속히 대기와 쉽게 반응할 수 없는 화학적으로 안정한 상태로 할 수 있어, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
그렇지만, 이러한 타입의 진공처리장치에 있어서는, 웨이퍼를 그 전체표면이 냉각대와 직접 접촉하도록 진공예비챔버의 냉각대 위에 올려 놓고 냉각하도록 되어 있다. 이 때문에, 냉각대가 금속으로 이루어진 경우, 웨이퍼 위의 금속막 등과 냉각대의 금속이 화학반응을 일으켜 웨이퍼가 오염될 우려가 있었다.
또, 웨이퍼가 금속히 냉각되면, 웨이퍼가 다소 휘어지거나, 미소한 진동이 발생하는 경우가 있다. 이 미소한 진동에 의해 웨이퍼가 냉각대와 마찰하게 되어 파티클이 발생한다. 이들 파티클이 웨이퍼에 부착하여 불량발생의 원인으로 되고, 수율의 저하를 초래할 우려가 있었다.
게다가, 수루풋을 향상시키기 위해서는, 처리전의 피처리체를 예열하고 처리후의 피처리체를 냉각하기 위해 진공예비챔버를 이용하는 것을 필요로 한다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 진공예비챔버에서 피처리체가 냉각되는 경우에도, 피처리체의 오염 및 파티클의 발생을 방지하여 수율의 향상을 도모할 수 있고, 처리전의 피처리체를 예열하고 처리후의 피처리체를 냉각하는데 진공예비챔버를 이용할 수 있는 진공처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성 및 작용]
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 제1구성의 진공처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하기 위한 다수의 진공처리챔버를 갖춘 진공처리장치에 있어서, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로 거의 진공상태로 반출하고, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로부터 거의 대기압으로 반입하기 위한 진공예비챔버와, 이 진공예비챔버내의 피처리체를 냉각하기 위한 냉각대 및, 상기 피처리체와 냉각대 사이에 소정의 갭을 두고 상기 냉각대 위에 상기 피처리체를 지지하는 지지부재를 구비하여 구성된다.
따라서, 진공예비챔버에 있어서 처리후의 피처리체를 냉각하기 위한 냉각대에 피처리체와 냉각대 사이에 소정의 갭을 두고 피처리체를 지지하는 지지부재가 설치되어 있기 때문에, 처리후의 피처리체를 냉각대에 직접 접촉시키지 않고 냉각하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 피처리체와 냉각대 사이의 접촉에 기인하는 화학반응이 일어나지 않고, 이에 따라 피처리체가 오염되지 않게 된다. 피처리체가 다소 휘어지거나, 급속한 냉각에 의해 미소한 진동을 발생시킨다고 해도, 냉각대와 마찰하지 않기 때문에 파티클이 발생될 수 없다.
본 발명에 따른 제2구성의 진공처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하기 위한 다수의 진공처리챔버를 갖춘 진공처리장치에 있어서, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로 거의 진공상태로 반출하고, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로부터 거의 대기압으로 반입하기 위한 진공예비챔버와, 이 진공예비챔버내의 피처리체를 냉각하기 위한 냉각대 및, 처리전의 피처리체를 예열하기 위해 상기 냉각대 위에 배치된 예열수단을 구비하여 구성된다.
이러한 구성에 의해, 진공예비챔버를 처리후의 피처리체를 냉각하기 위해서 뿐만 아니라 처리전의 피처리체를 예열하는데 이용할 수 있기 때문에, 스루풋의 향상이 도모된다.
[실시예]
이하, 예시도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 다수의 진공예비챔버를 갖춘 멀티챔버형의 진공처리장치에 대해 상세히 설명한다.
진공처리장치의 전체구성을 나타낸 도 5 및 도 6에 있어서, 참조부호 1은 로더 챔버를 구성하는 제1전송챔버를 나타낸다. 이 전송챔버(1)의 양측에는 제1 및 제2게이트 밸브(G1, G2)를 매개해서 제1 및 제2카세트 챔버(2A, 2B)가 접속되어 있다. 이들 카세트 챔버는 소정의 간격(예컨대, 5mm간격)으로 배열된 반도체 웨이퍼(W) 등과 같은 다수매(예컨대, 25매)의 피처리체를 수용하는 카세트(3)를 포함하고 있다.
상기 카세트 챔버(2A, 2B)에는 외부 억세스를 위해 각각 게이트 밸브(G3, G4)가 설치되고, 카세트 챔버내에는 카세트 전달기구(4) 및 승강가능한 카세트 스테이지(5)가 설치되어 있다. 카세트 전달기구(4)는 상기 카세트(3)를 웨이퍼(W)가 수평상태로 되도록 지지할 수 있는 U자형 암(4a)을 갖추고, 카세트(3)를 상기 게이트 밸브(G3, G4)를 매개해서 카세트 챔버의 내부 또는 외부로 운반하는데 이용된다. 카세트 스테이지(5)는 암(4a)으로부터 카세트(3)를 받을 수 있고, 그 높이가 조정가능하도록 카세트를 지지할 수 있다. 상기 제1전송챔버(1) 및 카세트 챔버(2A, 2B)에는 불활성 가스 예컨대 질소(N2)가스를 공급하기 위한 가스공급파이프(6)가 각각 접속되어 있다. 따라서, 이들 챔버는 압력조정기(도시하지 않음)에 의해 대기압(상압)이상 예컨대 대기압의 불활성 가스 분위기로 유지되어 있다.
상기 제1전송챔버(1)내에는, 제1전송기구(7)와, 각 웨이퍼(W)의 중심 및 오리엔테이션 플랫의 위치정합을 행하기 위한 회전스테이지(8)가 배설되어 있다. 이 회전스테이지(8)는 각 웨이퍼(W)의 주변 에지의 위치를 검지하기 위한 광센서(도시하지 않음) 및 상기 제1전송기구(7)와 더불어 웨이퍼 위치 정합기구를 구성하고 있다. 예컨대 웨이퍼(W)의 중심이 회전스테이지(8)의 중심으로부터 벗어난 것이 검출된 경우에는, 제1전송기구(7)에 의해 웨이퍼의 위치가 수정된다. 상기 제1전송기구(7)는 수평방향으로 회전 및 신축가능한 다관절 암(9)과, 이 암(9)의 선단에 픽(pick; 10)을 포함한다. 이 픽(10)은 웨이퍼(W)를 지지함과 더불어 흡착하는 흡착구멍(10a)을 갖추고 있다. 웨이퍼(W)는 상기 제1 또는 제2카세트 챔버(2A, 2B)내의 카세트(3)와, 상기 회전스테이지(8) 및, 제1 및 제2진공예비챔버 (11A, 11B)의 사이에서 전송되도록 되어 있다.
상기 제1전송챔버(1)의 후방에는 게이트 밸브(G5, G6)를 매개로 상기 제1 및 제2진공예비챔버(11A, 11B)가 접속되어 있다. 이들 진공예비챔버는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상면에 석영글래스판이 장착된 윈도우(12)를 갖고, 그 윈도우(12) 위에는 처리전의 웨이퍼(W)를 감압분위기하에서 소정의 온도, 예컨대 400 ~ 500℃로 가열(예열)하기 위한 가열장치(가열수단; 13)가 설치되어 있다. 이 가열장치(13)는 램프 케이스(14)와, 이 램프 케이스(14)내에 예컨대 할로겐 램프로 형성된 다수의 가열램프(15)를 포함하고 있다. 이들 가열램프(15)의 둘레를 에워싸도록 반사경(16)이 설치되어, 웨이퍼(W)를 신속하면서도 균일하게 가열할 수 있도록 되어 있다.
상기 진공예비챔버(11A, 11B)의 하부에는 냉각대(17)가 설치되어 있다. 이 냉각대(17)는 예비챔버의 내부압력을 불활성 가스에 의해 대기압으로 복귀시키면서 처리후의 웨이퍼를 화학적으로 안정하고, 또한 카세트(3)에 열적 영향을 미치지 않는 소정의 온도 예컨대 70℃ 이하, 바람직하게는 50 ~ 60℃로 냉각하는데 이용된다. 이 냉각대(17)는 각 웨이퍼(W)의 직경과 거의 같거나 약간 큰 직경을 갖는 알루미늄합금 등과 같은 금속의 디스크이다. 냉각대(17)는 그 하면의 중앙부에는 이것을 진공예비챔버의 저부로부터 부유시킨 상태로 부착하기 위한 다리(18)를 갖추고 있다. 이 다리(18)에는 소정의 온도, 예컨대 15℃의 냉각수 예컨대 순수를 순환시켜 상기 냉각대(17)를 냉각하기 위한 냉각수통로(19)가 형성되어 있고, 이 냉각수통로(19)에는 냉각수 순환시스템(도시하지 않음)이 접속되어 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 냉각대(17)의 주변 에지부에는 그 상면으로부터 소정의 갭 예컨대 0.5 ~ 1mm를 두고 부유한 상태로 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(20)가 다수개(실시예에서는 3개) 적당한 간격 또는 등간격으로 설치되어 있다. 특히, 웨이퍼(W)의 하면의 주변 에지는 지지부재(20)의 상부에 각각 형성되어 있는 원호모양의 지지부(21)에 의해 지지될 수 있다. 따라서, 처리후의 웨이퍼(W)는 냉각대(17)와 직접 접촉하는 일없이 냉각할 수 있고, 이로 인해 웨이퍼(W)와 냉각대(17)의 접촉에 기인하는 화학반응이 일어나지 않게 되어, 웨이퍼(W)가 오염되지 않게 된다. 웨이퍼(W)가 급속 냉각에 의해 휘어지거나 미소한 진동이 발생한 경우에도, 냉각대(17)와의 접촉이 결코 일어나지 않게 되어 파티클이 발생하지 않게 된다.
또, 지지부재(20)의 상부에는 웨이퍼의 주변 에지의 수평이동을 규제하기 위한 규제부(2)가 각각 원호모양으로 돌출하여 형성되어 있다. 규제부(22)가 냉각대(17)의 주변 에지부를 따라 적당한 간격으로 배설되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 냉각대(17) 사이에 소정의 갭을 두고 웨이퍼(W)를 냉각대(17) 위에 쉽고 정확하게 지지할 수 있다.
지지부재(20)는 내열성을 갖고, 웨이퍼(W)에 대해 오염원을 형성하지 않는 재질 예컨대 석영에 의해 형성되어 있다. 그렇지만, 처리후의 피처리체가 어느 정도의 오염을 허용하는 경우에는, 지지부재(20)는 알루미늄이나 어떤 다른 금속으로 형성해도 좋다.
또한, 지지부(21) 및 규제부(22)는 항상 원호모양일 필요는 없고, 직선모양이어도 좋다. 상기 규제부(22)가 웨이퍼(W)의 직경과 대응하는 원호모양인 경우에는, 사이즈(직경)가 다른 웨이퍼(W)에 맞추어 다수 종류의 지지부재(20)를 제조해야만 한다. 그렇지만, 규제부(22)가 직선모양이면, 한 종류의 지지부재(20)를 제조하면 되기 때문에, 제조비용을 절감할 수 있다. 또, 상기 규제부(22)는 수직으로 설치되어 있어 좋지만, 각 웨이퍼(W)를 위치결정을 위해 내측에 테이퍼(23)를 갖게 하는 것이 바람직하다.
상기 냉각대(17)의 주변 에지부에는 상기 지지부재(20)를 취부하기 위한 설비홈(24)이 설치되고, 이 홈(24)에 각 지지부재(20)가 도 2에 나타낸 바와 같이 볼트(25)에 의해 각각 대응하는 홈(24)에 취부된다. 이 경우, 상기 볼트(25)의 머리부가 냉각대(17)의 상면으로부터 돌출하지 않도록 각 지지부재(20)에는 오목하게 만든 플랜지부(26)가 형성되어 있다. 이 플랜지부(26)에는 상기 볼트(25)가 관통하는 볼트구멍(27)이 형성되어 있다. 상기 홈(24)에는 상기 볼트구멍(27)과 대응하여 수직으로 관통한 구멍(28)이 설치되고, 이 구멍(28)의 상측에 상기 볼트(25)가 나사모양으로 결합하는 암나사(29)가 형성되어 있다. 상기 볼트(25)로서는 육각형의 소켓헤드 볼트가 이용된다.
또, 상기 각 진공예비챔버내에는 처리전의 웨이퍼(W)를 상단에, 처리후의 웨이퍼(W)를 하단에 지지하기 위한 상하 2단의 웨이퍼 지지구(30)가 승강가능하게 설치되어 있다. 또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 지지구(30)는 냉각대(17)보다 직경이 조금 큰 상하 2개의 링(31)을 갖고 있다. 각 링(31)의 상부에는 웨이퍼의 주변 에지를 유지하기 위한, 예컨대 석영으로 이루어진 다수개(실시예에서는 3개)의 유지클로우(32)가 원주방향으로 등간격으로 설치되고, 이들 2개의 링(31)이 승강축(33)에 착탈가능하게 취부되어 있다.
상기 승강축(33)은 상기 진공예비챔버(11A, 11B)의 저부에 기밀하게 접동가능하게 관통하여 승강기구(34)에 연결되어 있다. 상기 웨이퍼 지지구(30)는, 수평이동하는 제1전송기구(또는 후술하는 제2전송기구; 7)의 암(9)과 웨이퍼 지지구(30)의 상단 또는 하단과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위해 승강기구(34)에 의해 승강가능하게 구성되어 있다. 상기 유지클로우(32)는 냉각대(17) 위의 지지부재와 간섭하지 않도록 원주방향으로 떨어진 위치에 배치된다. 상기 냉각대(17)의 외주부에는 상기 웨이퍼 지지구(30)가 하강한 때에, 하단 링(31)의 유지클로우(32)의 이동을 허용하기 위한 홈(35)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 진공예비챔버(11A, 11B)에 있어서, 상기 웨이퍼 지지구(30)의 상단에 올려 놓은 처리전의 웨이퍼(W)가 상한위치에서 가열램프(15)에 의해 가열(예열)되고, 하단에 올려 놓은 웨이퍼(W)는 하단 링(31)이 냉각대(17)의 외주를 따라 강하하여 냉각대(17) 위의 지지부재(20)로 전달되어 냉각되도록 되어 있다.
상기 진공예비챔버(11A, 11B)에는 챔버의 압력을 소정의 압력 10-3~ 10-6Torr로 감압하기 위한 진공펌프(도시하지 않음)와 연통하는 배기파이프(36)가 접속됨과 더불어, 챔버의 압력을 불활성 가스 예컨대 질소가스로 상압으로 복귀시키기 위한 가스원과 연통하는 가스공급파이프(37)가 접속되어 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2진공예비챔버(11A, 11B)의 후방에는 게이트 밸브(G7, G8)를 매개로 제2전송챔버(40)가 접속되어 있다. 이 전송챔버(40)내에는 상기 진공예비챔버(11A, 11B)와 후술하는 제1, 제2 및 제3진공처리챔버(41A, 41B, 41C)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전송하는데 이용되는 예컨대 다관절 암으로 이루어진 제2전송기구(42)가 배치되어 있다.
상기 제2전송챔버(40)의 좌측, 후방 및 우측에는 게이트 밸브(G9, G10, G11)를 매개로 제1, 제2 및 제3진공처리챔버(41A, 41B, 41C)가 접속되어 있다. 이들 전송챔버(40) 및 진공처리챔버(41A ~ 41C)에는 실내를 소정의 압력 10-7~ 10-8Torr로 감압하기 위한 진공펌프(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 상기 제1진공처리챔버(41A)는 예컨대 미세패턴을 갖춘 웨이퍼(W)상에 400 ~ 500℃의 온도하에서 티타늄막을 스퍼터링에 의해 형성하는데 이용되고, 제2진공처리챔버(41B)는 예컨대 미소패턴 위에 텅스텐층을 CVD에 의해 형성하는데 이용되며, 제3진공처리챔버(41C)는 텅스텐층을 에칭하는데 이용된다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 제1 ~ 제3진공처리챔버(41A ~ 41C)에 의해 서로 다른 처리를 연속적으로 받게 된다. 그렇지만, 이들 진공처리챔버(41A ~ 41C)는 동일 처리를 행하도록 구성되어도 좋다.
다음에는, 이 실시예에 따른 장치의 동작에 대해 설명한다. 우선, 게이트 밸브(G3, G4)를 열고, 카세트(3)를 카세트 전달기구(4)에 의해 제1 또는 제2카세트 챔버(2A 또는 2B)로 운반하며, 개구면을 제1전송챔버(1)측으로 향한 상태로 카세트 스테이지(5)에 전달한다. 계속해서, 게이트 밸브(G3, G4)를 닫고, 카세트 챔버(2A, 2B)를 대기압의 불활성 가스 분위기로 함과 더불어, 카세트 스테이지(5)에 의해 카세트(3)를 소정의 위치까지 상승시킨다.
다음에, 게이트 밸브(G1, G2)를 열고, 카세트(3)내의 웨이퍼(W)중 하나를 제1전송기구(7)의 픽(10)에 흡착시키며, 미리 불활성 가스 분위기로 되어 있는 제1전송챔버(1)내로 운반한다. 더욱이, 웨이퍼(W)를 흡착으로부터 해제하여 회전스테이지(8)로 전달하고, 여기서 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫 및 중심의 위치정합을 행한다. 게이트 밸브(G5, G6)를 열고, 상기 웨이퍼(W)를 미리 대기압의 불활성 가스 분위기로 된 제1 또는 제2진공예비챔버(11A 또는 11B)로 운반하여 웨이퍼 지지구(30)의 상단에 올려 놓는다. 그 후, 이미 냉각된 하단의 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 제1 또는 제2진공예비챔버(11A 또는 11B)로부터 제1전송챔버(1)로 전달하여 카세트(3)로 복귀시킨다.
이어서, 상기 게이트 밸브(G5, G6)를 닫고, 진공예비챔버(11A, 11B)내를 예컨대 10-3~ 10-6Torr 정도로 감압하며, 가열램프(15)를 점등하여 상기 웨이퍼 지지구(30)의 상단의 웨이퍼(W)를 예컨대 30 ~ 60초 사이에서 500℃로 예열한다. 예열이 종료된 후, 가열램프(15)를 소등하고, 게이트 밸브(G7, G8)를 열어 미리 10-7~ 10-8Torr의 진공도로 감압된 제2전송챔버(40)와 상기 진공예비챔버(11A, 11B)를 연통시킨다. 그리고, 진공처리챔버(41A ~ 41C)에서 미리 처리된 웨이퍼(W)를 제2전송기구(42)에 의해 진공예비챔버(11A, 11B)로 운반하여 웨이퍼 지지구(30)의 하단에 올려 놓는다. 상단의 예열이 끝난 웨이퍼(W)를 진공예비챔버(11A, 11B)로부터 반출하고, 진공처리챔버(41A ~ 41C)내로 반입하여 소정의 처리를 실시한다.
상기 웨이퍼 지지구(30) 상단의 웨이퍼(W)를 제2전송기구(42)에 의해 반출할 때에 웨이퍼 지지구(30)가 하강하고, 이 하강에 의해 하단의 웨이퍼(W)가 냉각대(17) 위의 지지부재(20)로 전달된다. 그리고, 상기 게이트 밸브(G7, G8)를 닫고, 진공예비챔버(11A, 11B)내를 불활성 가스의 공급에 의해 대기압으로 되돌리면서 상기 웨이퍼(W)를 예컨대 30 ~ 60초 사이에서 50 ~ 70℃로 냉각한다. 이러한 사이클에 의해 카세트(3)내의 웨이퍼(W)가 순차 연속적으로 처리되게 된다.
상기한 실시예의 진공처리장치에 의하면, 진공예비챔버(11A, 11B)에 있어서 처리전의 웨이퍼를 소정의 감압하에서 예열하기 때문에 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 수분 등의 불순물을 제거할 수 있는 동시에, 진공처리챔버에서의 웨이퍼(W)의 온도를 상승시키는데 필요한 시간을 단축할 수 있어, 수율 및 스루풋의 향상이 도모된다.
또, 처리후의 웨이퍼(W)를 불활성 가스 분위기하에서 냉각하기 때문에, 처리후의 웨이퍼(W)를 대기와 반응시키는 일없이 화학적으로 안정한 상태로 카세트(3)로 복귀시킬 수 있다. 게다가, 다수(2개)의 진공예비챔버(11A, 11B) 및 다수(3개)의 진공처리챔버(41A ~ 41C)를 갖춤과 더불어, 상기 진공예비챔버(11A, 11B)내에는 상하 2단의 웨이퍼 지지구(30)를 설치하고 있기 때문에, 스루풋의 더 한층의 향상이 도모된다. 특히, 진공예비챔버(11A, 11B)내에 있어서 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각대(17)에 소정의 간격을 두고 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(20)의 지지부(21)가 설치되어 있기 때문에, 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각대(17)에 직접 접촉시키는 일없이 냉각할 수 있다. 이 때문에, 냉각대와의 접촉에 기인하는 웨이퍼(W)의 오염 및 급속한 냉각에 기인하는 진동의 발생을 방지할 수 있는 동시에, 진동에 의한 파티클의 발생을 방지할 수 있어, 수율의 향상이 도모된다.
또, 상기 지지부재(20)는 웨이퍼(W)의 주변 에지의 이동을 억제하는 규제부(33)를 갖추고, 상기 냉각대(17)의 주변 에지를 따라 적당한 간격으로 취부되어 있기 때문에, 간단한 구성으로 웨이퍼(W)를 냉각대(17) 위에 소정의 갭으로 대향시켜 용이하면서도 정확하게 지지할 수 있다.
또, 상기 지지부(21)를 원호모양 또는 직선모양으로 함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 접촉면적을 작게 할 수 있고, 웨이퍼(W)를 균일하게 가열할 수 있어 파티클의 발생 및 부착을 더 저감 내지 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러 가지의 변형실시가 가능하다. 예컨대, 제1전송챔버내에 카세트를 배치하는 구성이나 진공예비챔버가 1개뿐인 구성이어도 좋다. 또, 제1전송챔버와 각 진공예비챔버 사이에서의 웨이퍼의 전송은 진공분위기하에서 행하도록 구성되어도 좋다. 또, 대기압 이상의 가스분위기하에서 웨이퍼의 전송을 행하는 경우의 분위기가스로서는, 불활성 가스이외에 예컨대 수분이 충분히 제거된 청정공기를 이용해도 좋다. 더욱이, 불활성 가스로서는 질소가스 이외에, 예컨대 헬륨가스, 아르곤가스, 이산화탄소가스 등이 적용가능하다.
진공처리챔버는 2개 또는 4개 이상이어도 좋다. 또, 진공처리챔버에서의 처리로서는 산화, 도핑, 어닐링, 에칭, 애싱(ashing) 등의 여러 가지의 처리가 가능하고, 본 발명에 따른 진공처리장치는 이들 처리를 포함하는 광범위한 여러 가지의 처리에 적용가능하다.
또, 웨이퍼를 지지하는 지지부재(20)는 예컨대 티타니아(TiO3) 뿐만 아니라 석영 및 세라믹을 기초로 하여 소성한 보어-프리(bore-free)재로 형성할 수 있다. 어느 정도의 오염을 허용하는 피처리체의 경우에 있어서는, 전술한 바와 같이 지지부재(20)를 알루미늄이나 어떤 다른 금속으로 형성해도 좋다. 더욱이, 피처리체로서는 반도체 웨이퍼 이외에 LCD기판 등이 적용가능하다.

Claims (6)

  1. 피처리체에 소정의 처리를 실시하기 위한 다수의 진공처리챔버를 갖춘 진공처리장치에 있어서, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로 거의 진공상태로 반출하고, 상기 피처리체를 상기 진공처리챔버로부터 거의 대기압으로 반입하기 위한 진공예비챔버와, 상기 진공예비챔버내의 피처리체를 냉각하기 위한 냉각대, 상기 피처리체와 냉각대 사이에 소정의 갭을 두고 상기 냉각대 위에 상기 피처리체를 지지하도록 배치된 지지부재, 상기 진공예비챔버내의 피처리체를 예열하도록 상기 냉각대 위에 배치된 예열수단 및, 상기 피처리체가 상기 예열수단에 의해 예열되는 상부위치로부터 상기 피처리체가 상기 지지부재로 반출되는 하부위치로 수직으로 이동하면서 상기 피처리체를 지지하기 위한 피처리체 지지구를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 지지부재는 상기 피처리체를 지지하기 위해 상기 냉각대 위에 형성된 돌기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각 지지부재는 상기 피처리체의 미소한 이동을 방지하기 위한 규제부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 지지부재는 석영으로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 피처리체 지지구는, 상기 진공예비챔버내에서 상기 피처리체를 지지하기 위한, 제1의 링형상의 지지부와 제2의 링형상의 지지부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 링형상의 지지부의 각각은 상기 피처리체와 지지부 사이에 소정의 갭을 두고 상기 피처리체를 지지하도록 배치된 돌기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
KR1019960020198A 1995-06-09 1996-06-07 진공처리장치 KR100256512B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-168142 1995-06-09
JP16814295A JP3288200B2 (ja) 1995-06-09 1995-06-09 真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970003396A KR970003396A (ko) 1997-01-28
KR100256512B1 true KR100256512B1 (ko) 2000-05-15

Family

ID=15862616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960020198A KR100256512B1 (ko) 1995-06-09 1996-06-07 진공처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5609689A (ko)
JP (1) JP3288200B2 (ko)
KR (1) KR100256512B1 (ko)
TW (1) TW300315B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485709B1 (ko) * 2002-08-14 2005-04-27 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 기판제조를 위한 챔버

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US20060052757A1 (en) * 1996-06-04 2006-03-09 Vance Products Incorporated, D/B/A Cook Urological Incorporated Implantable medical device with analgesic or anesthetic
KR0183912B1 (ko) * 1996-08-08 1999-05-01 김광호 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법
US6602348B1 (en) * 1996-09-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate cooldown chamber
US5961269A (en) * 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US5879461A (en) * 1997-04-21 1999-03-09 Brooks Automation, Inc. Metered gas control in a substrate processing apparatus
US6575737B1 (en) * 1997-06-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
EP2099061A3 (en) * 1997-11-28 2013-06-12 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for low contamination, high throughput handling of workpieces for vacuum processing
US6257827B1 (en) * 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6270306B1 (en) * 1998-01-14 2001-08-07 Applied Materials, Inc. Wafer aligner in center of front end frame of vacuum system
US6082951A (en) * 1998-01-23 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Wafer cassette load station
WO1999043021A1 (en) 1998-02-18 1999-08-26 Applied Materials, Inc. End effector for wafer handler in processing system
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6215897B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6176668B1 (en) 1998-05-20 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. In-situ substrate transfer shuttle
US6231289B1 (en) 1998-08-08 2001-05-15 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
DE69937255T2 (de) * 1998-11-20 2008-07-03 Steag RTP Systems, Inc., San Jose Schnell-aufheiz- und -kühlvorrichtung für halbleiterwafer
US6771895B2 (en) * 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6092981A (en) * 1999-03-11 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Modular substrate cassette
JP2000286200A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6486444B1 (en) * 1999-06-03 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Load-lock with external staging area
US6402508B2 (en) * 1999-12-09 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
US6780250B2 (en) * 2000-01-28 2004-08-24 Texas Instruments Incorporated System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US6488778B1 (en) * 2000-03-16 2002-12-03 International Business Machines Corporation Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing
US7037797B1 (en) 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
KR20030032034A (ko) * 2000-09-15 2003-04-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 두 개의 이중 슬롯 로드록
US6599368B1 (en) * 2000-10-05 2003-07-29 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
KR100378259B1 (ko) * 2001-01-20 2003-03-29 주승기 결정질 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제작 방법 및장치
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US20040026036A1 (en) * 2001-02-23 2004-02-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) * 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6672864B2 (en) 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
US7316966B2 (en) 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US20030059538A1 (en) * 2001-09-26 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US7006888B2 (en) 2002-01-14 2006-02-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer preheating
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US7439191B2 (en) * 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6797067B1 (en) * 2002-05-17 2004-09-28 Macronix International Co., Ltd. Implanter tool process parameter auto pre-setup system
WO2003100836A1 (en) * 2002-05-21 2003-12-04 Asm America, Inc. Reduced cross-contamination between chambers in a semiconductor processing tool
JP2005536890A (ja) * 2002-08-26 2005-12-02 東京エレクトロン株式会社 体積削減式プラズマ反応器
JP4348921B2 (ja) * 2002-09-25 2009-10-21 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US6822244B2 (en) * 2003-01-02 2004-11-23 Loma Linda University Medical Center Configuration management and retrieval system for proton beam therapy system
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US7010388B2 (en) 2003-05-22 2006-03-07 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece treatment system having load lock and buffer
JP2007523994A (ja) * 2003-06-18 2007-08-23 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド バリヤ物質の原子層堆積
US20050221603A1 (en) * 2003-06-23 2005-10-06 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8313277B2 (en) 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US8696298B2 (en) * 2003-11-10 2014-04-15 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US8029226B2 (en) * 2003-11-10 2011-10-04 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20050217799A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Wafer heater assembly
US7497414B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
TWI278416B (en) * 2004-12-09 2007-04-11 Au Optronics Corp Cassette stocker
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置，処理システム及び処理方法
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
JP2008100805A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Ihi Corp 基板保管庫
US7378618B1 (en) * 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US20080206036A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20080206022A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Mult-axis robot arms in substrate vacuum processing tool
US20080219807A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US20090016853A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Woo Sik Yoo In-line wafer robotic processing system
JP5084420B2 (ja) * 2007-09-21 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置および真空処理システム
US7972961B2 (en) * 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
JP5511536B2 (ja) * 2010-06-17 2014-06-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8616821B2 (en) * 2010-08-26 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability
KR20180045316A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 삼성전자주식회사 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
TW202230583A (zh) * 2020-12-22 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及微粒去除方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160030A (ja) * 1991-12-03 1993-06-25 Kokusai Electric Co Ltd 基板冷却装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0622213B2 (ja) * 1983-11-28 1994-03-23 株式会社日立製作所 試料の温度制御方法及び装置
JPH05182930A (ja) * 1991-11-29 1993-07-23 Nichiden Mach Ltd ウェーハ冷却装置
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
ES2090893T3 (es) * 1993-01-28 1996-10-16 Applied Materials Inc Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160030A (ja) * 1991-12-03 1993-06-25 Kokusai Electric Co Ltd 基板冷却装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485709B1 (ko) * 2002-08-14 2005-04-27 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 기판제조를 위한 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
US5609689A (en) 1997-03-11
JP3288200B2 (ja) 2002-06-04
JPH08339948A (ja) 1996-12-24
TW300315B (ko) 1997-03-11
KR970003396A (ko) 1997-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100256512B1 (ko) 진공처리장치
US10796932B2 (en) Plasma processing apparatus
KR100613674B1 (ko) 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법
KR0155158B1 (ko) 종형 처리 장치 및 처리방법
JP4244555B2 (ja) 被処理体の支持機構
KR0155545B1 (ko) 기판의 열처리 장치
TWI462185B (zh) 基板處理裝置，基板支持具及半導體裝置之製造方法
US20050118000A1 (en) Treatment subject receiving vessel body, and treating system
JP2022122958A (ja) 裏側の基板接触を減少させる基板移送機構
JP3172331B2 (ja) 真空処理装置
JP2000208589A (ja) 処理装置
JP3069575B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPH08340036A (ja) 処理装置
JP2759368B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP4106957B2 (ja) クランプ機構及び処理装置
KR100242534B1 (ko) 멀티 챔버시스템
JP2005197380A (ja) ウェーハ支持装置
JPH03148829A (ja) 熱処理装置
JP4876337B2 (ja) 処理システム
JPH06314731A (ja) 真空処理装置
JP4283973B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2000323549A (ja) 真空処理装置
JPH0463542B2 (ko)
JP2004128390A (ja) 基板処理装置
JPH113929A (ja) ウェーハ姿勢合わせ装置及び該装置を具備した半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040205

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee